JP2000307034A - 半導体装置モジュール - Google Patents

半導体装置モジュール

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JP2000307034A
JP2000307034A JP11114129A JP11412999A JP2000307034A JP 2000307034 A JP2000307034 A JP 2000307034A JP 11114129 A JP11114129 A JP 11114129A JP 11412999 A JP11412999 A JP 11412999A JP 2000307034 A JP2000307034 A JP 2000307034A
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device module
adhesive sheet
semiconductor chip
metal pattern
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Nagamitsu Sato
長光 佐藤
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NEC Yamagata Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣカードに搭載する半導体装置モジュール
のコストを低減し、信頼性を向上させる。 【解決手段】 半導体装置モジュール１０は、複数の外
部端子リード１１から成る金属パターン１９と、金属パ
ターン１９に接着された絶縁性接着シート１４と、絶縁
性接着シート１４に搭載される半導体チップ１５と、半
導体チップ１５の電極と外部端子リード１１とを接続す
るボンディングワイア１８と、半導体チッ１５及びボン
ディングワイア１８を封止する封入樹脂１６とを有す
る。半導体チップ１５のサイズの制限が緩和でき、ま
た、モジュールに加わる外部応力は、外部リード端子１
１の撓みによって吸収され、モジュール１０の損傷が防
止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置モジュ
ールに関し、更に詳しくは、ＩＣカードに好適に利用さ
れる半導体装置モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置モジュールとして、図９に示
すような、ＩＣカードに搭載して使用されるものがあ
る。この型式の半導体装置モジュールは、一般に、半導
体チップ３５がＩＣカードの基材に形成された凹部に収
容されて、ＩＣカードに貼付される。各外部リード端子
３１のコンタクトエリア３４は、ＩＣカードの表面部分
に露出し、情報読取り装置の電極に接触してＩＣカード
としての情報が読み取られる。外部リード端子３１の機
能は、ＩＳＯやＪＩＳによって規定されており、各外部
リード端子３１は、回路電圧（ＶＣＣ）、リセット信号
（ＲＳＴ）、クロック信号（ＣＬＫ）、予備（ＲＦ
Ｕ）、グランド（ＧＮＤ）、プログラム供給電圧（ＶＰ
Ｐ）、データ入出力（Ｉ／Ｏ）、予備（ＲＦＵ）のため
の端子として利用される。
【０００３】上記型式の半導体装置モジュールの製造に
あたっては、まず、半導体チップのマウントエリア３３
の部分と、半導体チップ３５の電極と外部リード端子３
１とを接続するための開口を成すステッチエリアとを、
ガラスエポキシ樹脂から成る絶縁性フィルム３７の打抜
き加工で形成する。更に、この絶縁性フィルム３７の一
方の面（裏面）にＣｕから成る金属箔３９を貼り付けた
後に、エッチング加工により金属箔３９の不要部分を除
き、各外部リード端子３１のパターンと、半導体チップ
のマウントアイランド３２とを形成し表面メッキ処理を
する。次いで、この金属箔３９のマウントアイランド３
２に半導体チップ３５を取付け、半導体チップ３５の電
極と外部リード端子３１とを接続した後に、絶縁性封入
樹脂３６によって半導体チップ３５及びその周囲を封止
する。
【０００４】ＩＣカードに搭載される半導体装置モジュ
ールの他の従来技術として、特開平３−２０２４００号
公報に記載されたモジュールがある。該公報に記載のモ
ジュールでは、図１０に示すように、外部リード端子４
１のパターンと半導体チップのマウントアイランド４２
とを、金属板を打抜き加工したフレーム上に形成し、マ
ウントアイランド４２より一回り小さな領域をマウント
エリア４３としている。この金属フレーム４９に、ステ
ッチエリア及びマウントエリア４３のための開口を打抜
き加工したポリイミド製の絶縁性フィルム４７を貼り付
け、その絶縁性フィルム４７の開口部から金属フレーム
４９のマウントエリア４３に半導体チップ４５を取り付
ける。半導体チップ４５の電極と外部リード端子４１と
をステッチエリアを介してボンディングワイアによって
接続した後に、絶縁性封入樹脂４６にて封止した構造と
している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図９に示した従来の半
導体装置モジュールでは、外部リード端子３１及びマウ
ントアイランド３２のパターン形成にあたって、一般的
にエッチング加工が用いられている。エッチング加工
は、加工に利用する装置が大型であり、また、この加工
には化学反応を採用することから、加工時間が長くなり
製作価格が高くなる欠点があった。
【０００６】図１０の半導体装置モジュールの製造にあ
たっては、打抜き加工をした金属フレーム４９と、打抜
き加工をした絶縁性フイルム４７の半導体チップ取付け
エリア３３の開口部とを重ね合せるための貼付け工程を
有する。この重ね合わせにあたっては、ＩＳＯやＪＩＳ
に規定された外部リード端子４１のコンタクトエリア４
４を確保し且つその配置仕様を満足する必要があり、こ
れらによる寸法制限によって、半導体チップ４５を搭載
するマウントアイランド４３の下限サイズが規定され
る。マウントエリア４３の制限を守り、その面積を充分
に広く確保するには、金属フレーム４９のマウントアイ
ランド４２と絶縁性フイルム４７とのオーバーラップ量
をできるだけ小さくする必要がある。この場合、位置合
わせに高精度を必要とし、結果として製作価格が高くな
るという問題がある。
【０００７】また、図１０の半導体装置モジュールで
は、搭載する半導体チップ４５のサイズを大きくする
と、モールド封入パッケージ４６により封入される外部
リード端子４１の部分が小さくなり、パッケージ４６に
よる外部リード端子４１の保持剛性が低くなる。このた
め、ＩＣカードに実装して使用する際に、モジュールに
加わる外力により、外部リード端子４１のステッチエリ
アに応力が生じ易く、断線や接合面からの剥離による耐
湿性低下等の故障が発生する欠点があった。
【０００８】本発明は、上記従来技術が有する欠点に鑑
み、安価で信頼性が高い半導体装置モジュール及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置モジュールは、夫々が所定のコ
ンタクトエリアを有し且つ中心領域から外側領域に延在
する複数のリード端子から成る金属パターンと、前記複
数のリード端子の夫々に対応する開口を有し、一方の面
が前記金属パターンの中心領域に接着された絶縁性接着
シートと、前記絶縁性接着シートの他方の面に搭載され
た半導体チップと、前記開口を経由して、前記半導体チ
ップの各電極と対応する前記リード端子とを接続するボ
ンディングワイアと、前記半導体チップ及びボンディン
グワイアを封入する絶縁性樹脂モールドとを有すること
を特徴とする。
【００１０】また、本発明の半導体装置モジュールの製
造方法は、夫々が中心領域から外側領域に延在する複数
のリード端子から成る金属パターンを形成する工程と、
該金属パターンに前記各リード端子に対応する開口を有
する絶縁性接着シートを貼付する工程と、該絶縁性接着
シート上に半導体チップを搭載する工程と、該半導体チ
ップの電極と前記リード端子とを前記開口を通してボン
ディングワイアで接続する工程とを有することを特徴と
する。
【００１１】本発明の半導体装置モジュール及び本発明
方法で製造された半導体装置モジュールでは、絶縁性接
着シートを介して金属パターン上に半導体チップを搭載
することにより、予め金属パターンを打ち抜き加工によ
ってパターン形成することができ、この場合、金属パタ
ーンをエッチングで形成する必要がないので、加工速度
が高くなる。また、従来モジュールのようなマウントエ
リアの大きさによる半導体チップのサイズの制限がなく
なり、このため、半導体チップの設計の自由度が向上す
る。
【００１２】ここで、金属パターンにおける各リード端
子の配置としては、各リード端子相互間の間隙が、中心
領域及び外側領域でほぼ一様である配置が選択できる。
この場合、ＩＣカードに搭載した際に、読取り装等によ
り外部から印加される応力に対して充分な機械的強度が
確保できる。例えば、この間隙として０．２ｍｍ程度が
採用される。
【００１３】また、前記各リード端子は、前記中心領域
から前記外側領域に向かってほぼ放射状に延在すること
が好ましい。この場合、各リード端子と封入パッケージ
との接合面積がリード端子間で均等化できるので、前記
機械的強度が更に高まる。
【００１４】また、前記絶縁性接着シートの外縁が前記
絶縁性樹脂モールドの外側に延在することも本発明の好
ましい態様である。この場合、封入樹脂がモールド工程
中に漏れ出て金属パターンのリード端子に付着する事態
が防止できる。
【００１５】前記絶縁性接着シートには、その接着に先
だって、何れか一方の面に粒状固形物を付着させておく
ことも本発明の好ましい態様である。一般に、樹脂モー
ルドをトランスファ注入で行う場合には、封入される各
要素には一様な圧力が作用し、この場合、絶縁性接着シ
ートが過度に薄くなる事態が考えられる。このような場
合には、金属パターンと半導体チップとの間に所定のス
ペースが確保できないおそれがある。絶縁性接着シート
に付着させた粒状固形物は、接着の際に絶縁性接着シー
トの内部に入り込み、半導体チップと金属パターンとの
間のスペーサとして機能する。
【００１６】更に、前記絶縁性接着シートとしては、熱
反応型接着シートを採用することが好ましい。この場
合、接着シートに熱を加えない常温状態で接着シートの
打抜き加工を行い、その後に熱を加え接着性を与えて金
属パターンに接着できるので、接着シートの取扱い性が
向上する。
【００１７】本発明の半導体装置モジュールをＩＣカー
ドに搭載する場合には、前記コンタクトエリアの面を、
前記絶縁性接着シートに接着される金属パターンの面と
は反対側の面とする。これにより、ＩＣカードに要求さ
れる仕様を満足できる。
【００１８】また、本発明の半導体モジュールの製造方
法では、搬送及び各工程段階では、複数のリード端子が
外側領域の外縁で相互に連結された金属パターンとして
おき、工程の最終段階で金属パターンの外側領域を切断
して各リード端子を切り離すことが好ましい。この場
合、搬送及び各工程段階での金属パターンの取扱いが容
易になる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照し本発明の実施
形態例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図１
（ａ）及び（ｂ）は夫々、本発明の第１の実施形態例の
半導体装置モジュールの構造を示す平面図及び断面図で
ある。本実施形態例の半導体装置モジュール１０は、複
数の外部リード端子１１から成る金属パターン（金属フ
レーム）１９、絶縁性接着シート１４、半導体チップ１
５、ボンディングワイア１８、及び、封入樹脂１６から
構成される。
【００２０】金属パターン１９は、例えば０．０５ｍｍ
厚みのＣｕ金属シートを用い、半導体装置モジュールに
搭載する半導体チップ電極と、Ａｕワイアによる溶接配
線接続する内部端子とするための内装メッキと、その反
対側面に接触する読取り装置の電極と外部リード端子と
の電気的接触を良好にするための外装メッキとを金属シ
ートに施した後に、プレス金型により打抜き加工され
る。製造過程では、搬送や位置決めに使用する金属パタ
ーン１９のフレーム外枠部と外部リード端子１１との連
結を保ち、一体として取り扱う。つまり、外部リード端
子１１の外縁は、外枠で相互に連結されている。この外
枠と各外部リード端子１１の先端部との結合部分は製品
段階で切断される。図面では、その切断した状態で示し
てある。金属フレーム１９の仕上がり外形は、略１１．
８ｍｍ×１３．０ｍｍである。各外部リード端子１１相
互間の間隙は、例えば０．２ｍｍ程度である。
【００２１】金属フレーム１９は、一般に外部リード端
子１１と絶縁性封入樹脂１６との接合面積を均等化する
ために、全体としてのパターン形状を点対称（又は線対
称）にしてある。金属パターン１９の所定の位置には、
半導体装置モジュール１０の方向を明示するピン表示穴
１７が前記打抜き加工時に形成されている。絶縁性接着
シート１４は、熱反応型絶縁性接着シートを使用し、接
着性のない常温状態で、ステッチエリア１３の開口と所
定の外形寸法とする為の打抜き加工とを順次に行い、金
属フレーム１９を所定の温度に加熱した状態で金属フレ
ーム１９への貼付けを行う。
【００２２】絶縁性接着シート１４は、厚みが０．０５
ｍｍであり、外形寸法は絶縁性封入樹脂１６による封止
エリアよりも少し大きくしてある。封入樹脂１６による
封入をトランスファー封入で行う場合には、事前にセラ
ミック等の微少径（例えば１０μｍ〜２０μｍ）の粒状
固形物を接着シート１４の表面に付着させてから接着シ
ートの打抜き加工を行い、その後に接着シート１４を金
属フレーム１９に貼り付ける。その後、半導体チップを
絶縁性接着シート上に接着して組み立てる。半導体チッ
プ１５は、外部リード端子１１の中心領域の部分に、全
体として各外部リード端子１１に一様に支持される。
【００２３】半導体チップ１５は、図示しないチップ電
極と外部リード端子１１とを接続するボンデングワイヤ
ー１８のループ高さを考慮し、規定された半導体装置モ
ジュールの外形寸法仕様（全体厚みが０．６ｍｍ）を満
足する厚さとしてある。半導体チップ上での封入樹脂の
厚みは０．２３ｍｍである。半導体チップ１５の電極と
外部リード端子１１とを接続するボンディングワイヤー
１８は、所定の太さのＡｕワイヤーを使用する。封入に
使用する絶縁性封入樹脂１６は、ポッテング封入用の液
状樹脂か、トランスファー封入用樹脂の何れかを選択し
て使用する。
【００２４】上記実施形態例の半導体装置モジュールの
製造方法について、更に図２〜図６を参照して説明す
る。図２において、金属フレーム１９の形成にあたって
は、まず、テープ状の金属シートの裏面側に外部端子と
しての外装メッキを施し、その反対の表面側にも内装メ
ッキを施す。裏面側のメッキは、読取り装置側の電極と
の間で良好な電気的接触を得るために行われる。メッキ
を施した金属テープ１９は、各半導体チップ毎に、外部
リード端子１１として夫々を分離するための各間隙３０
と、１つのピン表示穴１７と、テープ送りのための複数
のスプロケット孔２９とを、打抜き加工で形成する。
【００２５】熱反応型絶縁性接着シート１４は、所定の
外形を得るための打ち抜き加工と、半導体チップ１５の
電極と外部リード端子１１とを接続するボンディングワ
イア１８を通すための開口となるステッチエリア１３を
半導体チップ１５の搭載エリアに形成する打抜き加工と
を施して別に形成してある。打ち抜き加工した金属テー
プ１９を順次に送りながら、この熱反応型絶縁性接着シ
ート１４を金属テープ１９に貼り付ける（図３）。各ス
テッチエリア１３は、モールド封入エリアから外に出な
い限り、対応する外部リード端子１１に載るようなラフ
な精度で位置決めできる。
【００２６】次いで、熱反応型絶縁接着シート１４の表
面側に半導体チップ１５を接着し、半導体チップ１５の
電極と外部リード端子１１とを、ステッチエリア１３を
通してボンディングワイア１８で接続する（図４）。半
導体チップ１５の厚みは、例えば０．２７ｍｍである。
次に、絶縁性封入樹脂１６により、例えばポツテング又
は封入金型を使用したトランスファー成形を利用して、
半導体チップ１５及びボンディングワイア１８の封止を
行う（図５）。
【００２７】封入樹脂１６によるモールドエリアは、例
えば８mｍ×７ｍｍの外形寸法を有し、この場合、従来
構造のモジュールと同等の半導体チップを搭載できる。
ここで、モードエリアの大きさは、搭載する半導体チッ
プのサイズに応じて設定できる。接着シート１４の大き
さは、モールド封入エリアより少し大き目のサイズとし
てあり、モールド封入作業の際にモールド樹脂１６が外
部端子リード１１の接続面側に洩れるのを防止できる。
また、モールド樹脂１６は、各外部リード端子１１の先
端にまでは達せず、外部リード端子１１をその外側領域
で相互に連結することはない。
【００２８】上記の樹脂モールドを、トランスファー成
形で行う場合には、セラミック等の微少径の粒状固形物
を接着シートに付着させる工程を有することが好まし
い。樹脂モールドでは、樹脂成形の加熱温度と注入圧力
とにより、半導体チップ下の熱反応型絶縁性接着シート
は、打抜き加工した金属フレームの隙間に流出してその
厚みが減少する。図７に示すように、微少径の粒状固形
物２２は、この絶縁性接着シート１４の流動に際して、
接着シート１４の内部に入り込み、金属フレーム１９と
半導体チップ１５の裏面とが直接に接触する事態を防止
する。以上の工程が終了した後に、外部リード端子１１
の外縁を結合する金属シート１９の外枠部分を切断し
て、外部リード端子１１を相互に分離することにより、
図６に示した形状の半導体装置モジュールが完成する。
【００２９】上記実施形態例の構成において、熱反応型
絶縁性接着シート１４を介して半導体チップ１５を搭載
することにより、従来モジュールのようなマウントエリ
アの大きさによる半導体チップのサイズの制限が緩和さ
れ、半導体チップ１５の設計の自由度が向上する。ま
た、一定の寸法範囲の半導体装置モジュールを搭載する
金属フレーム１９及び接着シート１４を標準化できるた
め、金属フレーム１９及び接着シート１４の打抜き加工
のための金型コストが大幅に軽減する。また接着シート
１４が、半導体チップ１５のマウント材として機能する
ため、半導体チップ１５を取り付けるための樹脂系接着
材やＡｇペースト等が不要となり、その工程や材料費が
低減できる。
【００３０】また、外部リード端子のパターンが、所定
の間隙で相互に分離されると共に、半導体チップが搭載
される中心領域からその周囲の外側領域に向かって放射
状に延在する構成を採用することにより、外部リード端
子とモールド封入されたパッケージとの接合面積を均等
化することが出来るので、機械的強度が向上する。更
に、外部リード端子の保持が、中心領域からモールド封
入されたパッケージ部の外周迄で行われるので、外部リ
ード端子の保持剛性を大幅に向上させ、各外部リード端
子の接合強度を高めることが出来る。以上により、外部
リード端子が、モジュールに加わる外力によって、モー
ルド封入されたパッケージ部の周囲で剥離して断線故障
に至る故障が防止できる。
【００３１】接着シートのサイズを、モールド封入エリ
アと略同じサイズとする構成を採用したことにより、各
外部リード端子の先端は連結されずに夫々が独立した構
造に形成できる。一般に、半導体装置モジュールをＩＣ
カードに実装する場合には、その外部リード端子の先端
部のモールド封入したパッケージ面側のみをＩＣカード
の基材に接着固定するのが一般的であるが、その固定に
より、実用に際してＩＣカード基材に外力が印加され発
生する曲げやねじり等による応力に対して、半導体装置
モジュールが所定の耐性を有しなければならない旨がＩ
ＳＯ及びＪＩＳ等により規定されている。上記実施形態
例では、各外部リード端子が相互に独立していることか
ら、上記応力が発生しても、各外部リード端子が個別に
撓むことが出来る。このため、モールド封入パッケージ
との接合部に加わる応力が互いに干渉し合って増大し、
発生する不具合が防止できる。この場合、特に干渉応力
が発生し易いねじり応力に対して顕著な効果がある。ま
た、接着シートのサイズをモールド封入エリアより少し
大きなサイズとすることで、モールド封入作業を行う際
に、外部リード端子に向かって封入樹脂が洩れ出て端子
面に樹脂が付着する等の事態も防止できる。
【００３２】更に、従来の半導体装置モジュールでは、
絶縁テープと封入樹脂の密着のみによって耐湿性を保持
する例があったが、上記実施形態例の構造によれば、接
着シートが封入樹脂との接合に直接に介在する構造であ
ることから、接着剤本来の機能に従って外部リード端子
の保持強度と気密性に富んだパッケージングとが可能と
なり、耐湿性等の信頼性も向上する。
【００３３】図８（ａ）及び（ｂ）は夫々、本発明の第
２の実施形態例の半導体装置モジュールの構成を図１
（ａ）及び（ｂ）と同様に示す。本実施形態例の半導体
装置モジュール２０は、封入樹脂２６が、外部リード端
子２１を構成する金属フレーム２９の両面から、半導体
チップ２５及び外部リード端子２１の中央部分を取り囲
むパッケージ構造に形成されていること、及び、多数の
外部リード端子２１が直方体形状を有する封入樹脂２６
の４面から延在することにおいて、第１の実施形態例と
異なる。接着シート２４及び半導体チップ２５の厚みは
先の実施形態例と同様であり、金属フレーム２９の厚み
は例えば０．１２５ｍｍ、外部リード端子２１のコンタ
クト面から封入樹脂パッケージの頂部までの高さは例え
ば１．０ｍｍ程度である。樹脂の封入工程では、トラン
スファ注入が用いられ、金属フレーム２９の両面の樹脂
２６が表裏同時に封入される。
【００３４】図１の半導体装置モジュール１０は、主に
ＩＣカードに搭載される、金属パターンの裏面がコンタ
クトエリアで、表面に半導体チップが搭載されたモール
ド封入構造であった。しかし、本実施形態例の半導体装
置モジュール２０は、特にＩＣカードへの使用には限定
されない汎用的な半導体装置モジュールに本発明を適用
した例である。本実施形態例においても、従来の半導体
装置モジュールとは異なり、搭載出来る半導体チップサ
イズがマウントアイランドの寸法によって厳格に制限さ
れない利点が得られる。この例は、特に半導体チップか
らの放熱などを強く意識しなくとも良い半導体装置や、
比較的少い端子数の半導体装置等に適用が容易である。
【００３５】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明の半導体装置モジュールは、
上記実施形態例の構成にのみ限定されるものではなく、
上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施した
ものも、本発明の範囲に含まれる。
【００３６】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の半導体
装置モジュールによると、絶縁性接着シートによって接
着したリード端子を構成する金属パターンに、絶縁性接
着シートを介して半導体チップを搭載した構成により、
搭載する半導体チップの寸法制限が緩和される利点があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は夫々、本発明の第１の実施
形態例の半導体装置モジュールの平面図及び断面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は夫々、図１の半導体装置モ
ジュールの一工程段階を示す平面図及び断面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は夫々、図１の半導体装置モ
ジュールの一工程段階を示す平面図及び断面図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は夫々、図１の半導体装置モ
ジュールの一工程段階を示す平面図及び断面図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は夫々、図１の半導体装置モ
ジュールの一工程段階を示す平面図及び断面図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は夫々、図１の半導体装置モ
ジュールの一工程段階を示す平面図及び断面図。
【図７】粒状固形物を示すための半導体装置モジュール
の断面図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は夫々、本発明の第２の実施
形態例の半導体装置モジュールの平面図及び断面図。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は夫々、従来の半導体装置モ
ジュールの平面図及び断面図。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は夫々、別の従来の半導体
装置モジュールの平面図及び断面図。
【符号の説明】
１０：半導体装置モジュール、１１：外部リード端子、
１２：端子リードコンタクトエリア、１３：ステッチエ
リア １４：接着シート、１５：半導体チップ、１６：封入モ
ールド １７：ピン表示穴、１８：ボンディングワイア、１９：
金属フレーム ２０：半導体装置モジュール、２１：外部リード端子、
２２：粒状固形物 ２４：接着シート、２５：半導体チップ、２６：封入モ
ールド ２８：Ａｕワイア、２９：金属フレーム、３０：間隙

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 夫々が所定のコンタクトエリアを有し且
    つ中心領域から外側領域に延在する複数のリード端子か
    ら成る金属パターンと、 前記複数のリード端子の夫々に対応する開口を有し、一
    方の面が前記金属パターンの中心領域に接着された絶縁
    性接着シートと、 前記絶縁性接着シートの他方の面に搭載された半導体チ
    ップと、 前記開口を経由して、前記半導体チップの各電極と対応
    する前記リード端子とを接続するボンディングワイア
    と、 前記半導体チップ及びボンディングワイアを封入する絶
    縁性樹脂モールドとを有することを特徴とする半導体装
    置モジュール。
  2. 【請求項２】 隣接する前記複数のリード端子相互間の
    間隔が、前記中心領域及び外側領域で実質的に一様であ
    る、請求項１に記載の半導体装置モジュール。
  3. 【請求項３】 前記各リード端子は、前記中心領域から
    前記外側領域に向かってほぼ放射状に延在する、請求項
    １又は２に記載の半導体装置モジュール。
  4. 【請求項４】 前記絶縁性接着シートの外縁は、前記絶
    縁性樹脂モールドの外側に延在する、請求項１〜３の何
    れかに記載の半導体装置モジュール。
  5. 【請求項５】 前記絶縁性接着シートの内部に粒状固形
    物が含まれる、請求項１〜５の何れかに記載の半導体装
    置モジュール。
  6. 【請求項６】 前記絶縁性接着シートが熱反応型接着シ
    ートである、請求項１〜５の何れかに記載の半導体装置
    モジュール。
  7. 【請求項７】 前記コンタクトエリアの面が、前記接着
    シートに接着される金属パターンの面とは反対側の面で
    ある、請求項１〜６の何れかに記載の半導体装置モジュ
    ール。
  8. 【請求項８】 夫々が中心領域から外側領域に延在する
    複数のリード端子から成る金属パターンを形成する工程
    と、前記各リード端子に対応する開口を有する絶縁性接
    着シートを前記金属パターンに貼付する工程と、前記絶
    縁性接着シート上に半導体チップを搭載する工程と、該
    半導体チップの電極と前記リード端子とを前記開口を通
    してボンディングワイアで接続する工程とを有すること
    を特徴とする半導体装置モジュールの製造方法。
  9. 【請求項９】 更に、前記半導体チップ及びボンディン
    グワイアを封止する工程を有する、請求項８に記載の半
    導体装置モジュールの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記金属パターンは、前記複数のリー
    ド端子が前記外側領域の外縁で相互に連結されており、
    前記金属パターンの外側領域を切断し各リード端子を切
    り離す工程を更に有する、請求項８又は９に記載の半導
    体装置モジュールの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007133802A (ja) * 2005-11-14 2007-05-31 Dainippon Printing Co Ltd Ｉｃカードおよびｉｃカード用ｉｃモジュール
JP2007133803A (ja) * 2005-11-14 2007-05-31 Dainippon Printing Co Ltd Ｉｃカードおよびｉｃカード用ｉｃモジュール

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