JP2000305039A - ビーム整形装置 - Google Patents
ビーム整形装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ビーム形状等を簡易に制御することができる
ビーム整形装置および方法を提供すること。 【解決手段】 アフォーカルズーム光学系３０を出射す
る光ビームの拡がり角を一定にすることにより、レーザ
ー光源１０からの光ビームの拡がり角の経時変化を補正
して投射される光ビームの拡がり角を一定に保つことが
できる。また、所定の可変範囲で連続的に光ビームのエ
ッジスロープを変えることができるため、プロセス上の
条件を容易に探し出すことができる。
ビーム整形装置および方法を提供すること。 【解決手段】 アフォーカルズーム光学系３０を出射す
る光ビームの拡がり角を一定にすることにより、レーザ
ー光源１０からの光ビームの拡がり角の経時変化を補正
して投射される光ビームの拡がり角を一定に保つことが
できる。また、所定の可変範囲で連続的に光ビームのエ
ッジスロープを変えることができるため、プロセス上の
条件を容易に探し出すことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術の分野】本発明は、照射光を所定の
ビーム形状で対象面に入射させるためのビーム整形装置
及び方法に関するものであり、特にレーザーを利用した
アニーリング装置、表面改質装置等の加工装置に応用可
能なビーム整形装置及び方法に関する。
ビーム形状で対象面に入射させるためのビーム整形装置
及び方法に関するものであり、特にレーザーを利用した
アニーリング装置、表面改質装置等の加工装置に応用可
能なビーム整形装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばアモルファスＳｉ膜を多結晶化す
るレーザーアニーリング装置は、アモルファスＳｉ膜を
形成した基板上にアニーリング光を照射させるためのビ
ーム整形装置として、ホモジナイザーと呼ばれる光学系
を備える。特に、レーザーアニーリング装置が線状のレ
ーザービームを基板上で短軸方向に１軸スキャン照射す
るスキャンタイプのものである場合、矩形ビームから線
条ビームを形成する線条ビームホモジナイザーが用られ
る。
るレーザーアニーリング装置は、アモルファスＳｉ膜を
形成した基板上にアニーリング光を照射させるためのビ
ーム整形装置として、ホモジナイザーと呼ばれる光学系
を備える。特に、レーザーアニーリング装置が線状のレ
ーザービームを基板上で短軸方向に１軸スキャン照射す
るスキャンタイプのものである場合、矩形ビームから線
条ビームを形成する線条ビームホモジナイザーが用られ
る。
【０００３】上記のようなレーザーアニーリング装置で
は、線条ビームホモジナイザーによって形成される短軸
方向のビーム断面形状（特に、エッジ部のスロープおよ
びピークエネルギー密度）に依存してアニーリングのプ
ロセス結果が異なるものとなるため、照射中のビーム断
面形状を一定に保つことが重要となる。
は、線条ビームホモジナイザーによって形成される短軸
方向のビーム断面形状（特に、エッジ部のスロープおよ
びピークエネルギー密度）に依存してアニーリングのプ
ロセス結果が異なるものとなるため、照射中のビーム断
面形状を一定に保つことが重要となる。
【０００４】また、ビーム断面形状を意図的に変更して
照射させることができれば、アニーリングプロセスの条
件出し等が容易になる。特に、短辺エッジ部のスロープ
を様々に変化させて照射させることができれば、基板上
で多結晶化されるシリコン層の状態を自在に制御できる
可能性がある。
照射させることができれば、アニーリングプロセスの条
件出し等が容易になる。特に、短辺エッジ部のスロープ
を様々に変化させて照射させることができれば、基板上
で多結晶化されるシリコン層の状態を自在に制御できる
可能性がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の装置で
は、アニール用のレーザーを連続照射しているとレーザ
ー光源内部の何らかの原因によって出射ビームの拡がり
角が徐々に変化していく現象が発生し、ホモジナイザー
を経て基板に照射されるビーム断面形状（特にビームス
ロープ）も変化してしまう。
は、アニール用のレーザーを連続照射しているとレーザ
ー光源内部の何らかの原因によって出射ビームの拡がり
角が徐々に変化していく現象が発生し、ホモジナイザー
を経て基板に照射されるビーム断面形状（特にビームス
ロープ）も変化してしまう。
【０００６】この点についてもう少し簡単に説明する。
拡がり角θを持ったレーザービームは、理想的なレンズ
（焦点距離ｆ）を用いてもｆθのスポットにしか絞れな
い。つまり、照射途中にアニール用のレーザーの拡がり
角が変化した場合、レーザービームのエッジのスロープ
が拡がり角θに比例して緩やかになってしまうという問
題が生じる。また、緩やかになったビームスロープ部に
中央のトップフラット部のビーム成分がまわり込んでピ
ークエネルギー密度が下がるという問題も生じる。この
ような現象は、一連のアニーリングプロセスを比較した
場合に照射状態が異なることを意味し、安定した品質を
得ることが困難である。
拡がり角θを持ったレーザービームは、理想的なレンズ
（焦点距離ｆ）を用いてもｆθのスポットにしか絞れな
い。つまり、照射途中にアニール用のレーザーの拡がり
角が変化した場合、レーザービームのエッジのスロープ
が拡がり角θに比例して緩やかになってしまうという問
題が生じる。また、緩やかになったビームスロープ部に
中央のトップフラット部のビーム成分がまわり込んでピ
ークエネルギー密度が下がるという問題も生じる。この
ような現象は、一連のアニーリングプロセスを比較した
場合に照射状態が異なることを意味し、安定した品質を
得ることが困難である。
【０００７】また、従来のビーム整形装置では、ビーム
断面形状を積極的に制御する簡易な方法がなくプロセス
の条件出し等が容易でなかった。ここで、ビーム断面形
状を調節するには、以下のような方法が考えられる。 （ａ）ホモジナイザーを光軸上で移動させてデフォーカ
スさせる （ｂ）別のビーム形状を形成させる別のホモジナイザー
に交換する （ｃ）ホモジナイザーの構成レンズの一部を交換する 上記（ａ）の方法に関しては、デフォーカスによって、
短辺エッジ部スロープのみならずビーム全体が予期せぬ
形状に変形してしまう間題がある。（ｂ）及び（ｃ）の
方法に関しては、光学設計が複雑となり、交換の機構や
動作も複雑となって実用的ではない。
断面形状を積極的に制御する簡易な方法がなくプロセス
の条件出し等が容易でなかった。ここで、ビーム断面形
状を調節するには、以下のような方法が考えられる。 （ａ）ホモジナイザーを光軸上で移動させてデフォーカ
スさせる （ｂ）別のビーム形状を形成させる別のホモジナイザー
に交換する （ｃ）ホモジナイザーの構成レンズの一部を交換する 上記（ａ）の方法に関しては、デフォーカスによって、
短辺エッジ部スロープのみならずビーム全体が予期せぬ
形状に変形してしまう間題がある。（ｂ）及び（ｃ）の
方法に関しては、光学設計が複雑となり、交換の機構や
動作も複雑となって実用的ではない。
【０００８】そこで、本発明は、ビーム形状等を簡易に
制御することができるビーム整形装置および方法を提供
することを目的とする。
制御することができるビーム整形装置および方法を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るビーム整形装置は、光源からの照射光
を所定の断面形状及び強度で所定面上に入射させるホモ
ジナイザーと、前記光源と前記ホモジナイザーとの間に
配置されてホモジナイザーに入射する前記照射光の広が
り角を調節する角度調節光学系とを備える。
め、本発明に係るビーム整形装置は、光源からの照射光
を所定の断面形状及び強度で所定面上に入射させるホモ
ジナイザーと、前記光源と前記ホモジナイザーとの間に
配置されてホモジナイザーに入射する前記照射光の広が
り角を調節する角度調節光学系とを備える。
【００１０】上記ビーム整形装置では、角度調節光学系
が前記光源と前記ホモジナイザーとの間に配置されてホ
モジナイザーに入射する前記照射光の広がり角を調節す
るので、ホモジナイザー自体の設定を変更することな
く、ホモジナイザーから出射して所定面上に入射する照
射光の断面形状等を簡易に調節することができる。つま
り、光源から出射する照射光の拡がり角が徐々に変化し
ても、角度調節光学系の調整のみによって、所定面上に
入射する照明光の断面形状を一定に保つことができる。
また、角度調節光学系によって前記照射光の広がり角を
適宜調節することで、ビーム断面形状を積極的に制御す
ることもできる。なお、前者のように光源からの照射光
の拡がり角が徐々に変化する現象を角度調節光学系によ
って相殺する場合、角度調節光学系による広がり角の調
節は連続的なものとする必要がある。
が前記光源と前記ホモジナイザーとの間に配置されてホ
モジナイザーに入射する前記照射光の広がり角を調節す
るので、ホモジナイザー自体の設定を変更することな
く、ホモジナイザーから出射して所定面上に入射する照
射光の断面形状等を簡易に調節することができる。つま
り、光源から出射する照射光の拡がり角が徐々に変化し
ても、角度調節光学系の調整のみによって、所定面上に
入射する照明光の断面形状を一定に保つことができる。
また、角度調節光学系によって前記照射光の広がり角を
適宜調節することで、ビーム断面形状を積極的に制御す
ることもできる。なお、前者のように光源からの照射光
の拡がり角が徐々に変化する現象を角度調節光学系によ
って相殺する場合、角度調節光学系による広がり角の調
節は連続的なものとする必要がある。
【００１１】また、上記装置の好ましい態様では、前記
角度調節光学系が、アフォーカルズーム光学系である。
角度調節光学系が、アフォーカルズーム光学系である。
【００１２】この場合、前記角度調節光学系がアフォー
カルズーム光学系であるので、ホモジナイザーに入射す
る前記照射光がほぼ平行光線である場合、アフォーカル
ズーム光学系の角倍率を適宜変化させるだけで、簡易に
前記照射光の広がり角を調節することができる。
カルズーム光学系であるので、ホモジナイザーに入射す
る前記照射光がほぼ平行光線である場合、アフォーカル
ズーム光学系の角倍率を適宜変化させるだけで、簡易に
前記照射光の広がり角を調節することができる。
【００１３】また、上記装置の好ましい態様では、前記
照射光の拡がり角を検出する検出手段と、当該検出手段
の検出値に基づいて前記アフォーカルズーム光学系の角
倍率を制御する制御手段とをさらに備える。
照射光の拡がり角を検出する検出手段と、当該検出手段
の検出値に基づいて前記アフォーカルズーム光学系の角
倍率を制御する制御手段とをさらに備える。
【００１４】この場合、制御手段が検出手段の検出値に
基づいて前記アフォーカルズーム光学系の角倍率を制御
するので、照射光の拡がり角の変化を簡易・迅速に補償
して安定した断面形状及び強度の照射光を所定面上に入
射させることができる。
基づいて前記アフォーカルズーム光学系の角倍率を制御
するので、照射光の拡がり角の変化を簡易・迅速に補償
して安定した断面形状及び強度の照射光を所定面上に入
射させることができる。
【００１５】また、本発明に係るビーム整形方法は、光
源からの照射光をホモジナイザーによって所定の断面形
状及び強度分布で所定面上に入射させるビーム整形方法
であって、前記ホモジナイザーに入射する前記照射光の
広がり角を調節する。
源からの照射光をホモジナイザーによって所定の断面形
状及び強度分布で所定面上に入射させるビーム整形方法
であって、前記ホモジナイザーに入射する前記照射光の
広がり角を調節する。
【００１６】上記ビーム整形方法では、前記ホモジナイ
ザーに入射する前記照射光の広がり角を調節することに
よって、ホモジナイザー自体の設定を変更することな
く、ホモジナイザーから出射して所定面上に入射する照
射光の断面形状等を簡易に調節することができる。
ザーに入射する前記照射光の広がり角を調節することに
よって、ホモジナイザー自体の設定を変更することな
く、ホモジナイザーから出射して所定面上に入射する照
射光の断面形状等を簡易に調節することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕図１は、本発明
に係る第１実施形態のビーム整形装置を組み込んだ照射
光学系の構造を説明する図である。
に係る第１実施形態のビーム整形装置を組み込んだ照射
光学系の構造を説明する図である。
【００１８】この照射光学系は、照射光である光ビーム
を発生するレーザー光源１０と、このレーザー光源１０
からの光ビームを所定の断面形状及び強度で所定の被照
射面ＩＳ上に入射させるホモジナイザー２０と、レーザ
ー光源１０とホモジナイザー２０との間に配置されてホ
モジナイザー２０に入射する光ビームの広がり角を調節
する角度調節光学系であるアフォーカルズーム光学系３
０とを備える。ここで、ホモジナイザー２０とアフォー
カルズーム光学系３０とは、ビーム整形装置を構成す
る。なお、レーザー光源１０からアフォーカルズーム光
学系３０及びホモジナイザー２０まで光ビームを導くた
めのビームデリバリー（ミラー等）は示していない。ま
た、被照射面ＩＳ上には、例えばガラス基板上にアモル
ファスＳｉ膜を堆積したものを配置する。
を発生するレーザー光源１０と、このレーザー光源１０
からの光ビームを所定の断面形状及び強度で所定の被照
射面ＩＳ上に入射させるホモジナイザー２０と、レーザ
ー光源１０とホモジナイザー２０との間に配置されてホ
モジナイザー２０に入射する光ビームの広がり角を調節
する角度調節光学系であるアフォーカルズーム光学系３
０とを備える。ここで、ホモジナイザー２０とアフォー
カルズーム光学系３０とは、ビーム整形装置を構成す
る。なお、レーザー光源１０からアフォーカルズーム光
学系３０及びホモジナイザー２０まで光ビームを導くた
めのビームデリバリー（ミラー等）は示していない。ま
た、被照射面ＩＳ上には、例えばガラス基板上にアモル
ファスＳｉ膜を堆積したものを配置する。
【００１９】アフォーカルズーム光学系３０では、これ
を通過する光ビームの入射前後の光軸からの高さをｈ
0、ｈ’とし、入射前後の光軸との交わり角をｕ0、ｕ’
とすると、角倍率γが、 γ＝ｈ0／ｈ’＝ｕ’／ｕ0＝γ0〜γ’ で与えられ可変となっている。つまり、このアフォーカ
ルズーム光学系３０を通すことで、ホモジナイザー２０
に入射する光ビームの広がり角を一定の範囲で簡単に調
節することができる。
を通過する光ビームの入射前後の光軸からの高さをｈ
0、ｈ’とし、入射前後の光軸との交わり角をｕ0、ｕ’
とすると、角倍率γが、 γ＝ｈ0／ｈ’＝ｕ’／ｕ0＝γ0〜γ’ で与えられ可変となっている。つまり、このアフォーカ
ルズーム光学系３０を通すことで、ホモジナイザー２０
に入射する光ビームの広がり角を一定の範囲で簡単に調
節することができる。
【００２０】全体の動作について説明する。まず、レー
ザー光源１０からは、ほぼ平行な照射光の光ビームが出
射し、ホモジナイザー２０に入射する前に、角倍率可変
のアフォーカルズーム光学系３０に入射する。このアフ
ォーカルズーム光学系３０を経た光ビームは、ホモジナ
イザー２０に入射するが、アフォーカルズーム光学系３
０によって角倍率を制御することにより、ホモジナイザ
ー２０に入射する光ビームの広がり角を調節することが
できる。これにより、ホモジナイザー２０を通過した光
ビームを線条ビームとして被照射面ＩＳ上に所望の断面
形状及び強度分布で入射させることができる。
ザー光源１０からは、ほぼ平行な照射光の光ビームが出
射し、ホモジナイザー２０に入射する前に、角倍率可変
のアフォーカルズーム光学系３０に入射する。このアフ
ォーカルズーム光学系３０を経た光ビームは、ホモジナ
イザー２０に入射するが、アフォーカルズーム光学系３
０によって角倍率を制御することにより、ホモジナイザ
ー２０に入射する光ビームの広がり角を調節することが
できる。これにより、ホモジナイザー２０を通過した光
ビームを線条ビームとして被照射面ＩＳ上に所望の断面
形状及び強度分布で入射させることができる。
【００２１】なお、被照射面ＩＳ上にアモルファスＳｉ
膜を配置した場合、アモルファスＳｉ膜の表面を上記の
ような所望の断面形状の線条ビームで走査することにな
り、ガラス基板上に所望の条件で一様にアニールされた
ポリシリコン膜が形成される。
膜を配置した場合、アモルファスＳｉ膜の表面を上記の
ような所望の断面形状の線条ビームで走査することにな
り、ガラス基板上に所望の条件で一様にアニールされた
ポリシリコン膜が形成される。
【００２２】図２は、ホモジナイザーの構造を説明する
図である。図２（ａ）は、線条ビームの長軸方向に関す
る図であり、図２（ｂ）は、線条ビームの短軸方向に関
する図であり、図２（ｃ）は、ホモジナイザーの一部品
であるシリンドリカルレンズアレイの構造を説明する斜
視図である。
図である。図２（ａ）は、線条ビームの長軸方向に関す
る図であり、図２（ｂ）は、線条ビームの短軸方向に関
する図であり、図２（ｃ）は、ホモジナイザーの一部品
であるシリンドリカルレンズアレイの構造を説明する斜
視図である。
【００２３】ホモジナイザー２０は、第１〜第４シリン
ドリカルレンズアレイＣＡ1〜ＣＡ4と、凸レンズのコン
デンサレンズ２１とからなる。ここで、第１及び第３シ
リンドリカルレンズアレイＣＡ1、ＣＡ3は、短軸断面に
曲率を有し、第２及び第４シリンドリカルレンズアレイ
ＣＡ2、ＣＡ4は、長軸断面に曲率を有する。
ドリカルレンズアレイＣＡ1〜ＣＡ4と、凸レンズのコン
デンサレンズ２１とからなる。ここで、第１及び第３シ
リンドリカルレンズアレイＣＡ1、ＣＡ3は、短軸断面に
曲率を有し、第２及び第４シリンドリカルレンズアレイ
ＣＡ2、ＣＡ4は、長軸断面に曲率を有する。
【００２４】ホモジナイザー２０に入射した光ビーム
は、第１〜第４シリンドリカルレンズアレイＣＡ1〜Ｃ
Ａ4によって、短軸及び長軸の両方向に関し、シリンド
リカルレンズを構成するセグメント数に分割された２次
光源を形成する。分割された２次光源からの光ビーム
は、第１及び第３アレイＣＡ1、ＣＡ3の合成焦点距離ｆ
awと、第２及び第４アレイＣＡ2、ＣＡ4の合成焦点距離
ｆalと、セグメント幅ｄとによって決定される異なった
出射ＮＡでコンデンサレンズ２１に入射する。コンデン
サレンズ２１に入射した各２次光源からの光ビームは、
コンデンサレンズ２１のバックフォーカス位置に配置さ
れた被照射面ＩＳで重ね合わされて均一な線条ビームを
形成する。なお、合成焦点距離ｆaw、ｆalを適宜設定す
ることにより、被照射面ＩＳに投影される線条ビームの
線幅Ｗと長さＬとを所望の値に調節することができる。
は、第１〜第４シリンドリカルレンズアレイＣＡ1〜Ｃ
Ａ4によって、短軸及び長軸の両方向に関し、シリンド
リカルレンズを構成するセグメント数に分割された２次
光源を形成する。分割された２次光源からの光ビーム
は、第１及び第３アレイＣＡ1、ＣＡ3の合成焦点距離ｆ
awと、第２及び第４アレイＣＡ2、ＣＡ4の合成焦点距離
ｆalと、セグメント幅ｄとによって決定される異なった
出射ＮＡでコンデンサレンズ２１に入射する。コンデン
サレンズ２１に入射した各２次光源からの光ビームは、
コンデンサレンズ２１のバックフォーカス位置に配置さ
れた被照射面ＩＳで重ね合わされて均一な線条ビームを
形成する。なお、合成焦点距離ｆaw、ｆalを適宜設定す
ることにより、被照射面ＩＳに投影される線条ビームの
線幅Ｗと長さＬとを所望の値に調節することができる。
【００２５】図３は、アフォーカルズーム光学系３０の
構成の一例を示す図であり、図３（ａ）〜図３（ｃ）
は、角倍率γの変化を説明する図である。
構成の一例を示す図であり、図３（ａ）〜図３（ｃ）
は、角倍率γの変化を説明する図である。
【００２６】図からも明らかなように、このアフォーカ
ルズーム光学系３０は、凸凹凸の３レンズ３１、３２、
３３からなる３群系で構成され、レンズ３２、３３の光
軸上の配置を相対的に変更することにより、同じ角度で
入射した光ビームを異なる角度で出射させることができ
る。
ルズーム光学系３０は、凸凹凸の３レンズ３１、３２、
３３からなる３群系で構成され、レンズ３２、３３の光
軸上の配置を相対的に変更することにより、同じ角度で
入射した光ビームを異なる角度で出射させることができ
る。
【００２７】図３（ａ）、３（ｂ）、３（ｃ）では、レ
ンズデータの詳細は省略するが、同じ角度ｕでアフォー
カルズーム光学系３０に光ビームが入射しているにも拘
わらず、それぞれｕ1’、ｕ2’、ｕ3’の異なる角度で
出射しており、 ｕ1’＜ｕ2’＜ｕ3’ の関係がある。つまり、このアフォーカルズーム光学系
３０の角倍率γは、 γ1＜γ2＜γ3 となっている。この際、レンズの曲率及び配置を適宜調
節して、例えばγ1＜１、γ2＝１、１＜γ3という条件
に設定することができ、可変範囲γ1〜γ3も、目的に合
わせてある程度自由に設計することができる。
ンズデータの詳細は省略するが、同じ角度ｕでアフォー
カルズーム光学系３０に光ビームが入射しているにも拘
わらず、それぞれｕ1’、ｕ2’、ｕ3’の異なる角度で
出射しており、 ｕ1’＜ｕ2’＜ｕ3’ の関係がある。つまり、このアフォーカルズーム光学系
３０の角倍率γは、 γ1＜γ2＜γ3 となっている。この際、レンズの曲率及び配置を適宜調
節して、例えばγ1＜１、γ2＝１、１＜γ3という条件
に設定することができ、可変範囲γ1〜γ3も、目的に合
わせてある程度自由に設計することができる。
【００２８】ここで、レーザー光源１０から出射するレ
ーザー光の拡がり角をθとすると、アフォーカルズーム
光学系をビームが通った後の光ビームの拡がり角はγ・
θとなる。角倍率γは、上記のようにγ1〜γ3まで可変
であるため、ホモジナイザー２０に入射する光ビームの
拡がり角をγ1・θ〜γ3・θ範囲でコントロールするこ
とができることになる。そして、アフォーカルズーム光
学系を通った後のレーザーの拡がり角γ・θが、 γ1・θ＜γ2・θ＜γ3・θ であるため、ホモジナイザー２０によって被照射面ＩＳ
上に形成される線条ビーム像のスロープ幅は、γ1・
θ、γ2・θ、γ3・θの順に狭い、すなわち急峻であ
る。
ーザー光の拡がり角をθとすると、アフォーカルズーム
光学系をビームが通った後の光ビームの拡がり角はγ・
θとなる。角倍率γは、上記のようにγ1〜γ3まで可変
であるため、ホモジナイザー２０に入射する光ビームの
拡がり角をγ1・θ〜γ3・θ範囲でコントロールするこ
とができることになる。そして、アフォーカルズーム光
学系を通った後のレーザーの拡がり角γ・θが、 γ1・θ＜γ2・θ＜γ3・θ であるため、ホモジナイザー２０によって被照射面ＩＳ
上に形成される線条ビーム像のスロープ幅は、γ1・
θ、γ2・θ、γ3・θの順に狭い、すなわち急峻であ
る。
【００２９】図４は、ホモジナイザー２０によって被照
射面ＩＳ上に投射される線条ビーム像のスロープ幅を示
すグラフである。図４（ａ）は、比較的大きな拡がり角
γ3・θのときのプロファイルを示し、図４（ｂ）は、
比較的小さな拡がり角γ1・θのときのプロファイルを
示す。グラフにおいて、横軸は短軸方向の距離を示し、
縦軸は光ビームのパワーを示す。線条ビーム像のスロー
プ幅ＳＷは、アフォーカルズーム光学系３０を適当な角
倍率γに設定してやることにより、各グラフに示す２つ
状態間で連続的に変化させるものとできる。なお、アフ
ォーカルズーム光学系３０のズーム動作は、手動で行っ
ても良いが、通常はモーターを用いてレンズの配置を変
えて行う。
射面ＩＳ上に投射される線条ビーム像のスロープ幅を示
すグラフである。図４（ａ）は、比較的大きな拡がり角
γ3・θのときのプロファイルを示し、図４（ｂ）は、
比較的小さな拡がり角γ1・θのときのプロファイルを
示す。グラフにおいて、横軸は短軸方向の距離を示し、
縦軸は光ビームのパワーを示す。線条ビーム像のスロー
プ幅ＳＷは、アフォーカルズーム光学系３０を適当な角
倍率γに設定してやることにより、各グラフに示す２つ
状態間で連続的に変化させるものとできる。なお、アフ
ォーカルズーム光学系３０のズーム動作は、手動で行っ
ても良いが、通常はモーターを用いてレンズの配置を変
えて行う。
【００３０】以上の説明から明らかなように、第１実施
形態のビーム整形装置では、アフォーカルズーム光学系
３０によってホモジナイザー２０に入射する光ビームの
広がり角を調節することができるので、スロープ幅等の
ビーム断面形状を積極的に制御することができる。具体
的に説明すると、第１実施形態のビーム整形装置は、レ
ーザー加工のプロセスの条件出しに使用することができ
る。一般に、採用するプロセスによって最適なビームの
スロープ幅は異なるので、これを見つけ出す必要がある
が、このビーム整形装置を利用すれば、ホモジナイザー
２０を通過して加工面である被照射面ＩＳに投射される
投射像につき、所定の可変範囲で連続的にスロープを変
えることができるため、プロセス上最適な条件を簡易に
探し出すことができる。
形態のビーム整形装置では、アフォーカルズーム光学系
３０によってホモジナイザー２０に入射する光ビームの
広がり角を調節することができるので、スロープ幅等の
ビーム断面形状を積極的に制御することができる。具体
的に説明すると、第１実施形態のビーム整形装置は、レ
ーザー加工のプロセスの条件出しに使用することができ
る。一般に、採用するプロセスによって最適なビームの
スロープ幅は異なるので、これを見つけ出す必要がある
が、このビーム整形装置を利用すれば、ホモジナイザー
２０を通過して加工面である被照射面ＩＳに投射される
投射像につき、所定の可変範囲で連続的にスロープを変
えることができるため、プロセス上最適な条件を簡易に
探し出すことができる。
【００３１】なお、アフォーカルズーム光学系３０は、
拡がり角の変換に関して上記の特性を持っているが、ア
フォーカルズーム光学系３０によるビームサイズの変換
に関しては注意が必要である。つまり、アフォーカルズ
ーム光学系３０の前後で、ビームサイズは角倍率に応じ
て１／γになるので、ホモジナイザー２０のビーム開口
は、最もビームサイズが大きくなる角倍率γ1のときに
あわせて大きくしておく必要がある。 〔第２実施形態〕図５は、第２実施形態のビーム整形装
置を組み込んだ照射光学系の構造を説明する図である。
この照射光学系は、図１に示すビーム整形装置の部分を
変形した照射光学系であり、光ビームを発生するレーザ
ー光源１０と、光ビームを所定の断面形状及び強度で所
定の被照射面ＩＳ上に入射させるホモジナイザー２０
と、ホモジナイザー２０に入射する光ビームの広がり角
を調節するアフォーカルズーム光学系３０と、レーザー
光源１０からの光ビームをアフォーカルズーム光学系３
０及びホモジナイザー２０に導くためのビームデリバリ
ー４０とを備える。第２実施形態の装置では、レーザー
光源１０からの光ビームの拡がり角の経時変化を補正し
てホモジナイザー２０に入射する光ビームの拡がり角を
一定に保つ。このため、ホモジナイザー２０とアフォー
カルズーム光学系３０との間に配置されて光ビームを一
部分岐するビームスプリッター５１と、ビームスプリッ
ター５１からの分岐光の広がり角を検出する広がり角検
出器５２と、広がり角検出器５２の検出結果に基づいて
アフォーカルズーム光学系３０を駆動するズームコント
ローラー５５とをさらに備える。
拡がり角の変換に関して上記の特性を持っているが、ア
フォーカルズーム光学系３０によるビームサイズの変換
に関しては注意が必要である。つまり、アフォーカルズ
ーム光学系３０の前後で、ビームサイズは角倍率に応じ
て１／γになるので、ホモジナイザー２０のビーム開口
は、最もビームサイズが大きくなる角倍率γ1のときに
あわせて大きくしておく必要がある。 〔第２実施形態〕図５は、第２実施形態のビーム整形装
置を組み込んだ照射光学系の構造を説明する図である。
この照射光学系は、図１に示すビーム整形装置の部分を
変形した照射光学系であり、光ビームを発生するレーザ
ー光源１０と、光ビームを所定の断面形状及び強度で所
定の被照射面ＩＳ上に入射させるホモジナイザー２０
と、ホモジナイザー２０に入射する光ビームの広がり角
を調節するアフォーカルズーム光学系３０と、レーザー
光源１０からの光ビームをアフォーカルズーム光学系３
０及びホモジナイザー２０に導くためのビームデリバリ
ー４０とを備える。第２実施形態の装置では、レーザー
光源１０からの光ビームの拡がり角の経時変化を補正し
てホモジナイザー２０に入射する光ビームの拡がり角を
一定に保つ。このため、ホモジナイザー２０とアフォー
カルズーム光学系３０との間に配置されて光ビームを一
部分岐するビームスプリッター５１と、ビームスプリッ
ター５１からの分岐光の広がり角を検出する広がり角検
出器５２と、広がり角検出器５２の検出結果に基づいて
アフォーカルズーム光学系３０を駆動するズームコント
ローラー５５とをさらに備える。
【００３２】レーザー光源１０から出射された光ビーム
は、ビームデリバリー４０を経てアフォーカルズーム光
学系２０に入射する。アフォーカルズーム光学系３０に
入射した光ビームは、拡がり角がθからγθに変換され
てホモジナイザー２０に入射する。ビームスプリッター
５１は、ホモジナイザー２０に入射する直前の光ビーム
の１％程度分岐して広がり角検出器５２に供給する。広
がり角検出器５２は、例えば焦点距離ｆのレンズとＣＣ
Ｄカメラで構成され、このレンズで絞られた集光点のビ
ームの幅をＣＣＤカメラで検出する。ＣＣＤカメラで検
出されるビーム幅ｃｄは、ｃｄ＝ｆθで与えられるた
め、θ＝ｃｄ／ｆとして拡がり角を求めることができ
る。このようにして得た拡がり角の検出値を元に、ズー
ムコントローラー５５でアフォーカルズーム光学系３０
の角倍率をコントロールすれば、ホモジナイザー２０に
入射する光ビームの拡がり角が常に一定値になるような
制御が可能になる。拡がり角が一定値に制御されていれ
ば、ホモジナイザー２０から出射して被照射面ＩＳ上に
投射される光ビームのビーム形状等も安定するので、プ
ロセス結果として得られる製品も品質にぱらつきのない
良好なものとなる。
は、ビームデリバリー４０を経てアフォーカルズーム光
学系２０に入射する。アフォーカルズーム光学系３０に
入射した光ビームは、拡がり角がθからγθに変換され
てホモジナイザー２０に入射する。ビームスプリッター
５１は、ホモジナイザー２０に入射する直前の光ビーム
の１％程度分岐して広がり角検出器５２に供給する。広
がり角検出器５２は、例えば焦点距離ｆのレンズとＣＣ
Ｄカメラで構成され、このレンズで絞られた集光点のビ
ームの幅をＣＣＤカメラで検出する。ＣＣＤカメラで検
出されるビーム幅ｃｄは、ｃｄ＝ｆθで与えられるた
め、θ＝ｃｄ／ｆとして拡がり角を求めることができ
る。このようにして得た拡がり角の検出値を元に、ズー
ムコントローラー５５でアフォーカルズーム光学系３０
の角倍率をコントロールすれば、ホモジナイザー２０に
入射する光ビームの拡がり角が常に一定値になるような
制御が可能になる。拡がり角が一定値に制御されていれ
ば、ホモジナイザー２０から出射して被照射面ＩＳ上に
投射される光ビームのビーム形状等も安定するので、プ
ロセス結果として得られる製品も品質にぱらつきのない
良好なものとなる。
【００３３】拡がり角の検出位置に関しては、もしレー
ザー光源１０の出口における拡がり角と、アフォーカル
ズーム光学系３０の角倍率及びズーム後の拡がり角との
対応がとれていれば、レーザー光源１０の出口で拡がり
角を検出してもよい。この場合、レーザー光源１０の出
口における拡がり角の値を用いて、ホモジナイザー２０
に入射する光ビームの拡がり角を間接的にコントロール
することになる。具体的には、図５に示すように、ビー
ムスプリッター５１の代わりに、レーザー光源１０とビ
ームデリバリー４０との間にビームスプリッター１５１
を配置する。ビームスプリッター１５１からの分岐光
は、広がり角検出器１５２によって検出される。ズーム
コントローラー５５は、広がり角検出器１５２の検出結
果に基づいてアフォーカルズーム光学系３０を駆動し
て、最終的にアフォーカルズーム光学系３０を出射する
光ビームの拡がり角を一定にする。 〔第３実施形態〕図６は、第２実施形態と同様のビーム
整形装置を組み込んだレーザーアニール装置の構造を説
明する図である。
ザー光源１０の出口における拡がり角と、アフォーカル
ズーム光学系３０の角倍率及びズーム後の拡がり角との
対応がとれていれば、レーザー光源１０の出口で拡がり
角を検出してもよい。この場合、レーザー光源１０の出
口における拡がり角の値を用いて、ホモジナイザー２０
に入射する光ビームの拡がり角を間接的にコントロール
することになる。具体的には、図５に示すように、ビー
ムスプリッター５１の代わりに、レーザー光源１０とビ
ームデリバリー４０との間にビームスプリッター１５１
を配置する。ビームスプリッター１５１からの分岐光
は、広がり角検出器１５２によって検出される。ズーム
コントローラー５５は、広がり角検出器１５２の検出結
果に基づいてアフォーカルズーム光学系３０を駆動し
て、最終的にアフォーカルズーム光学系３０を出射する
光ビームの拡がり角を一定にする。 〔第３実施形態〕図６は、第２実施形態と同様のビーム
整形装置を組み込んだレーザーアニール装置の構造を説
明する図である。
【００３４】このレーザーアニール装置は、アモルファ
ス状Ｓｉ等の半導体薄膜を表面上に形成したガラス板で
あるワークＷＯを載置して３次元的に滑らかに移動可能
なステージ７０と、ワークＷＯ上の半導体薄膜を加熱す
るためのエキシマレーザーその他のレーザービームＬＢ
を発生するレーザー光源１１０と、このレーザービーム
ＬＢを線条にして所定の照度でワークＷＯ上に入射させ
る照射光学系８０と、ワークＷＯを載置したステージ７
０を照射光学系８０等に対して必要量だけ相対的に移動
させる駆動手段であるステージ駆動装置９０と、レーザ
ーアニール装置全体の各部の動作を統括的に制御する主
制御装置１００とを備える。
ス状Ｓｉ等の半導体薄膜を表面上に形成したガラス板で
あるワークＷＯを載置して３次元的に滑らかに移動可能
なステージ７０と、ワークＷＯ上の半導体薄膜を加熱す
るためのエキシマレーザーその他のレーザービームＬＢ
を発生するレーザー光源１１０と、このレーザービーム
ＬＢを線条にして所定の照度でワークＷＯ上に入射させ
る照射光学系８０と、ワークＷＯを載置したステージ７
０を照射光学系８０等に対して必要量だけ相対的に移動
させる駆動手段であるステージ駆動装置９０と、レーザ
ーアニール装置全体の各部の動作を統括的に制御する主
制御装置１００とを備える。
【００３５】照射光学系８０は、レーザービームＬＢを
Ｙ軸方向に延びる所定断面形状及び強度の線条ビーム像
としてワークＷＯ上に入射させるホモジナイザー２０
と、ホモジナイザー２０に入射するレーザービームＬＢ
の広がり角を調節するアフォーカルズーム光学系３０と
を備える。レーザー光源１１０と照射光学系８０との間
に配置したミラー２５１の一部透過光は、広がり角検出
器１５２によって検出される。主制御装置１００は、広
がり角検出器１５２の検出結果に基づいてズームドライ
バ１５５を駆動し、アフォーカルズーム光学系３０の角
倍率を調節する。
Ｙ軸方向に延びる所定断面形状及び強度の線条ビーム像
としてワークＷＯ上に入射させるホモジナイザー２０
と、ホモジナイザー２０に入射するレーザービームＬＢ
の広がり角を調節するアフォーカルズーム光学系３０と
を備える。レーザー光源１１０と照射光学系８０との間
に配置したミラー２５１の一部透過光は、広がり角検出
器１５２によって検出される。主制御装置１００は、広
がり角検出器１５２の検出結果に基づいてズームドライ
バ１５５を駆動し、アフォーカルズーム光学系３０の角
倍率を調節する。
【００３６】以下、図６の装置の動作について説明す
る。まず、レーザーアニール装置のステージ７０上にワ
ークＷＯを搬送して載置する。次に、照射光学系８０に
対してステージ７０をＸ軸方向に移動させながら、照射
光学系８０からのレーザービームＬＢをＹ方向に延びる
線条ビーム像としてワークＷＯ上に入射させる。これに
より、レーザービームＬＢによるワークＷＯ全面の走査
が行われることになる。
る。まず、レーザーアニール装置のステージ７０上にワ
ークＷＯを搬送して載置する。次に、照射光学系８０に
対してステージ７０をＸ軸方向に移動させながら、照射
光学系８０からのレーザービームＬＢをＹ方向に延びる
線条ビーム像としてワークＷＯ上に入射させる。これに
より、レーザービームＬＢによるワークＷＯ全面の走査
が行われることになる。
【００３７】レーザービームＬＢの走査に際しては、広
がり角検出器１５２によってミラー２５１からの分岐光
を検出する。主制御装置１００は、広がり角検出器１５
２の検出結果に基づいてズームドライバ１５５を介して
アフォーカルズーム光学系３０を駆動し、アフォーカル
ズーム光学系３０を出射する光ビームの拡がり角を一定
にする。これにより、レーザー光源１０からの光ビーム
の拡がり角の経時変化を補正してワークＷＯに投射され
る光ビームの拡がり角を一定に保つ。
がり角検出器１５２によってミラー２５１からの分岐光
を検出する。主制御装置１００は、広がり角検出器１５
２の検出結果に基づいてズームドライバ１５５を介して
アフォーカルズーム光学系３０を駆動し、アフォーカル
ズーム光学系３０を出射する光ビームの拡がり角を一定
にする。これにより、レーザー光源１０からの光ビーム
の拡がり角の経時変化を補正してワークＷＯに投射され
る光ビームの拡がり角を一定に保つ。
【００３８】なお、主制御装置１００は、ズームドライ
バ１５５を介してアフォーカルズーム光学系３０を適宜
駆動し、ホモジナイザー２０に入射する光ビームの広が
り角を意図的に変更することもできる。これにより、ア
モルファス状Ｓｉ等の半導体薄膜のポリ化プロセスの条
件出しが可能になる。例えば、アモルファスＳｉのポリ
化工程では、スロープ幅が広く緩やかな方が溶融固化時
の温度勾配が小さくストレスを発生させないため表面荒
れを抑える効果があり高品質のものがえられるという報
告がある。逆に、極端にスロープ幅を広く緩やかにする
とスロープ部にフラット部のビームが回り込んでトップ
フラット領域のエネルギー密度が上がらない。アフォー
カルズーム光学系３０の角倍率を変更しつつ行う条件出
しの実験により、両条件を配慮しつつ、最適なビームス
ロープを探し出すことができる。なお、アモルファスＳ
ｉのポリ化工程ではプロセスの評価手段としてラマン分
光器を用いた結晶化度や、ＴＥＭを用いた結晶粒径等が
利用されている。
バ１５５を介してアフォーカルズーム光学系３０を適宜
駆動し、ホモジナイザー２０に入射する光ビームの広が
り角を意図的に変更することもできる。これにより、ア
モルファス状Ｓｉ等の半導体薄膜のポリ化プロセスの条
件出しが可能になる。例えば、アモルファスＳｉのポリ
化工程では、スロープ幅が広く緩やかな方が溶融固化時
の温度勾配が小さくストレスを発生させないため表面荒
れを抑える効果があり高品質のものがえられるという報
告がある。逆に、極端にスロープ幅を広く緩やかにする
とスロープ部にフラット部のビームが回り込んでトップ
フラット領域のエネルギー密度が上がらない。アフォー
カルズーム光学系３０の角倍率を変更しつつ行う条件出
しの実験により、両条件を配慮しつつ、最適なビームス
ロープを探し出すことができる。なお、アモルファスＳ
ｉのポリ化工程ではプロセスの評価手段としてラマン分
光器を用いた結晶化度や、ＴＥＭを用いた結晶粒径等が
利用されている。
【００３９】以上、実施形態に即してこの発明を説明し
たが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではな
い。例えば上記実施形態では、アフォーカルズーム光学
系３０を連続的に角倍率が変化するものとしているが、
プロセスの条件出しを行う場合には、角倍率が不連続で
多段階変化するものとすることができる。また、角倍率
が変化する範囲も、条件出し等の目的と用途に応じて適
宜変更可能である。また、アフォーカルズーム光学系３
０のレンズ構成は、凸凹凸の３群構成に限られるもので
はなく、凹凸凹、４群構成以上と様々な変形が可能であ
る。
たが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではな
い。例えば上記実施形態では、アフォーカルズーム光学
系３０を連続的に角倍率が変化するものとしているが、
プロセスの条件出しを行う場合には、角倍率が不連続で
多段階変化するものとすることができる。また、角倍率
が変化する範囲も、条件出し等の目的と用途に応じて適
宜変更可能である。また、アフォーカルズーム光学系３
０のレンズ構成は、凸凹凸の３群構成に限られるもので
はなく、凹凸凹、４群構成以上と様々な変形が可能であ
る。
【００４０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のビーム整形装置によれば、角度調節光学系が前記光源
と前記ホモジナイザーとの間に配置されてホモジナイザ
ーに入射する前記照射光の広がり角を調節するので、ホ
モジナイザーから出射して所定面上に入射する照射光の
断面形状等を調節することができる。つまり、光源から
出射する照射光の拡がり角が徐々に変化しても、ホモジ
ナイザーの設定を変えることなく、ホモジナイザーを経
て所定面上に入射する照明光の断面形状を一定に保つこ
とができる。また、角度調節光学系によって前記照射光
の広がり角を調節することで、ビーム断面形状を積極的
に制御することもできる。
のビーム整形装置によれば、角度調節光学系が前記光源
と前記ホモジナイザーとの間に配置されてホモジナイザ
ーに入射する前記照射光の広がり角を調節するので、ホ
モジナイザーから出射して所定面上に入射する照射光の
断面形状等を調節することができる。つまり、光源から
出射する照射光の拡がり角が徐々に変化しても、ホモジ
ナイザーの設定を変えることなく、ホモジナイザーを経
て所定面上に入射する照明光の断面形状を一定に保つこ
とができる。また、角度調節光学系によって前記照射光
の広がり角を調節することで、ビーム断面形状を積極的
に制御することもできる。
【００４１】また、本発明のビーム整形方法によれば、
前記ホモジナイザーに入射する前記照射光の広がり角を
調節することによって、ホモジナイザーから出射して所
定面上に入射する照射光の断面形状等を簡易に調節する
ことができる。
前記ホモジナイザーに入射する前記照射光の広がり角を
調節することによって、ホモジナイザーから出射して所
定面上に入射する照射光の断面形状等を簡易に調節する
ことができる。
【図１】第１実施形態のビーム整形装置を組み込んだ照
射光学系の構造を示す図である。
射光学系の構造を示す図である。
【図２】ホモジナイザーの構造を説明する図であり、
（ａ）は、線条ビームの長軸方向に関する図であり、
（ｂ）は、線条ビームの短軸方向に関する図であり、
（ｃ）は、ホモジナイザーの一部を構成する一シリンド
リカルレンズアレイの構造を説明する斜視図である。
（ａ）は、線条ビームの長軸方向に関する図であり、
（ｂ）は、線条ビームの短軸方向に関する図であり、
（ｃ）は、ホモジナイザーの一部を構成する一シリンド
リカルレンズアレイの構造を説明する斜視図である。
【図３】アフォーカルズーム光学系の構成の一例を示す
図であり、（ａ）〜（ｃ）は、角倍率γの変化を説明す
る図である。
図であり、（ａ）〜（ｃ）は、角倍率γの変化を説明す
る図である。
【図４】ホモジナイザーによって形成される線条ビーム
像のスロープ幅を示すグラフである。（ａ）は、比較的
大きな拡がり角のプロファイルを示し、（ｂ）は、比較
的小さな拡がりのプロファイルを示す。
像のスロープ幅を示すグラフである。（ａ）は、比較的
大きな拡がり角のプロファイルを示し、（ｂ）は、比較
的小さな拡がりのプロファイルを示す。
【図５】第２実施形態のビーム整形装置を組み込んだ照
射光学系の構造を説明する図である。
射光学系の構造を説明する図である。
【図６】第２実施形態のビーム整形装置を組み込んだレ
ーザーアニール装置の構造を説明する図である。
ーザーアニール装置の構造を説明する図である。
１０ レーザー光源 ２０ アフォーカルズーム光学系 ２０ ホモジナイザー ３０ アフォーカルズーム光学系 ３１,３２,３３ レンズ ５１ ビームスプリッター ５２ 広がり角検出器 ５５ ズームコントローラー
Claims (4)
- 【請求項１】 光源からの照射光を所定の断面形状及び
強度で所定面上に入射させるホモジナイザーと、 前記光源と前記ホモジナイザーとの間に配置されてホモ
ジナイザーに入射する前記照射光の広がり角を調節する
角度調節光学系とを備えるビーム整形装置。 - 【請求項２】 前記角度調節光学系は、アフォーカルズ
ーム光学系であることを特徴とする請求項１記載のビー
ム整形装置。 - 【請求項３】 前記照射光の拡がり角を検出する検出手
段と、当該検出手段の検出値に基づいて前記アフォーカ
ルズーム光学系の角倍率を制御する制御手段とをさらに
備えることを特徴とする請求項１記載のビーム整形装
置。 - 【請求項４】 光源からの照射光をホモジナイザーによ
って所定の断面形状及び強度分布で所定面上に入射させ
るビーム整形方法であって、 前記ホモジナイザーに入射する前記照射光の広がり角を
調節することを特徴とするビーム整形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10898099A JP3781091B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | ビーム整形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10898099A JP3781091B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | ビーム整形装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000305039A true JP2000305039A (ja) | 2000-11-02 |
| JP3781091B2 JP3781091B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=14498539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10898099A Expired - Fee Related JP3781091B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | ビーム整形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3781091B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047763A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Opcell Co Ltd | ビームホモジナイザ |
| WO2019111705A1 (ja) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ビーム変換光学系および光源装置 |
| WO2023095432A1 (ja) * | 2021-11-24 | 2023-06-01 | 住友電気工業株式会社 | 光部品の製造方法および光部品 |
-
1999
- 1999-04-16 JP JP10898099A patent/JP3781091B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047763A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Opcell Co Ltd | ビームホモジナイザ |
| JP4693027B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2011-06-01 | 株式会社オプセル | ビームホモジナイザ |
| WO2019111705A1 (ja) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ビーム変換光学系および光源装置 |
| JPWO2019111705A1 (ja) * | 2017-12-05 | 2020-12-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ビーム変換光学系および光源装置 |
| JP7117611B2 (ja) | 2017-12-05 | 2022-08-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ビーム変換光学系および光源装置 |
| WO2023095432A1 (ja) * | 2021-11-24 | 2023-06-01 | 住友電気工業株式会社 | 光部品の製造方法および光部品 |
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| JP3781091B2 (ja) | 2006-05-31 |
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| JP2008159910A (ja) | レーザ照射装置およびレーザ照射方法 |
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