JP2000302967A

JP2000302967A - 低誘電率重合体組成物

Info

Publication number: JP2000302967A
Application number: JP2000036641A
Authority: JP
Inventors: Masao Tomikawa; 真佐夫富川; Takenori Fujiwara; 健典藤原
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1999-02-17
Filing date: 2000-02-15
Publication date: 2000-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】誘電率の低い耐熱性樹脂前駆体組成物を提供す
る。【解決手段】（ａ）炭素数３から３０の３価または４価
の架橋基を５〜３５モル％および枝基を構成成分として
含むポリマーと、（ｂ）固体粒子と、（ｃ）３級アミノ
化合物とを含むことを特徴とする低誘電率重合体組成物
によって達成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電率が低い耐熱
性高分子材料に関する。本発明の低誘電率重合体組成物
は、半導体のパッシベーション膜、層間絶縁膜などに利
用することができる。

【０００２】

【従来の技術】誘電率の低い耐熱材料としてはフルオロ
アルキル樹脂、ポリオレフィン樹脂などがよく知られて
いる。しかしながら、このようなものはパターン加工が
難しい、接着性が悪い、ガラス転移温度が低いなどの問
題があり、実用に供されるに至らなかった。そこで、従
来、誘電率の低い材料としては、フッ素原子を導入した
スピンオングラス膜、プラズマＣＶＤ法で製膜されたフ
ッ素原子を導入した酸化ケイ素膜、あるいはポリイミド
のような耐熱性のある有機高分子材料が半導体分野では
使用されていた。しかしながら、このような膜の誘電率
はほとんどのものが３以上であり、半導体の層間絶縁膜
に用いた場合、今後の半導体の高速化に際して、電気容
量が問題になることが予想されている（月刊セミコンダ
クターワールド誌、８９頁、（１９９６年２月））。

【０００３】また従来の材料では、膜硬度が低く、現在
半導体製造プロセスで使用されているＣＭＰ（化学的機
械研磨）法に適応できないため問題であった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
を解決せしめ、誘電率が低く、耐熱性、接着性が良好、
かつ、膜硬度の高い高分子材料を提供することを目的と
するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、（ａ）
炭素数３から３０の３価または４価の架橋基を５〜３５
モル％と一般式（１）から（４）で示される基の少なく
とも１種を構成成分として含むポリマーと、（ｂ）固体
粒子と、（ｃ）３級アミノ化合物とを含むことを特徴と
する低誘電率重合体組成物によって達成される。

【０００６】

【化６】

【０００７】（Ｑ¹、Ｑ³は、炭素原子を２個以上含む３
価または４価の有機基、Ｑ²は炭素原子を２個以上含む
２価の有機基、Ｑ⁴、Ｑ⁵は水素原子または炭素数１から
１０までの１価の有機基、ｐは１から１００の整数、
ｑ、ｒは１または２を表す。）

【０００８】

【化７】

【０００９】（Ｑ⁶、Ｑ⁸は、少なくとも炭素原子を２個
以上含む２価の有機基、Ｑ⁷は少なくとも炭素原子を２
個以上含む３価から６価の有機基、Ｚは酸素原子、硫黄
原子、またはＮＨより選ばれる。ｓは１から１００の整
数、ｔは１または２を表す。）

【００１０】

【化８】

【００１１】（Ｑ⁹、Ｑ¹¹は少なくとも炭素原子を２個
以上含む２価の有機基、Ｑ¹⁰は、少なくとも炭素原子を
２個以上含む３価から４価の有機基、Ｑ¹²は水素原子、
かつ／または炭素数１から１０までの１価の有機基、ｕ
は１から１００の整数、ｖは１または２を表す。）

【００１２】

【化９】

【００１３】（Ｑ¹³、Ｑ¹⁵は少なくとも炭素原子を２個
以上含む３価から６価の有機基、Ｑ¹⁴は、少なくとも炭
素原子を２個以上含む２価の有機基、Ｚは酸素原子、硫
黄原子、またはＮＨより選ばれる。ｗは１から１００の
整数、ｘ、ｙは１または２を表す。）

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明において、３価または４価
の架橋基とは、枝分かれをポリマー構造中に作るために
用いる。このような架橋基としては一般式（５）に示し
たようなものが好ましい。しかしながら、これ以外の３
価または４価の基を使用することもできる。また、基が
２価以下となると枝分かれが得られないので好ましくな
い。また、基が５価以上となるとゲル化する恐れがある
ので好ましくない。

【００１５】

【化１０】

【００１６】（Ｔは、−Ｏ−、−ＣＨ₂−、−ＣＯ−、
−（直接結合）、−Ｃ（ＣＦ₃）₂−、−Ｃ（ＣＨ₃）
₂−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、または−ＳＯ−を表す。）本発明において、上記した架橋基と結合させる基として
は、上記一般式（１）から（４）に挙げたものを好まし
く使用することが出来る。

【００１７】一般式（１）においてＱ¹、Ｑ³は３価また
は４価の炭素数２以上の有機基を表している。このよう
なものとしては、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、
４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタ
ル酸、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、ジフェニ
ルスルホンテトラカルボン酸残基などの４価の芳香族含
有基やトリメシン酸残基のような３価の芳香族含有基が
好ましい例として挙げることができる。さらに好ましく
は、結合軸のずれが３０度以内である、ピロメリット
酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸
残基などの４価の基、トリメリット酸残基などの３価の
基を挙げることができる。

【００１８】Ｑ²は２価の炭素数２以上の２価の有機基
を表している。好ましいものの例としては、４，４’−
ジアミノジフェニルエーテル、アミノフェノキシベンゼ
ン、ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、
ビス（４−アミノフェノキシフェニル）スルホン残基な
どの芳香族ジアミン残基が好ましい。さらに好ましいも
のとしては、結合軸のずれが３０度以内の剛直な構造を
有しているパラフェニレンジアミン、２，２’−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニ
ル、４，４’−ジアミノターフェニル、３，３’−ジメ
トキシベンチジン残基などを挙げることができる。ま
た、Ｑ¹、Ｑ³成分の１から３０モル％を脂肪族ジアミン
残基であるエチレンジアミン、シクロヘキシルジアミン
残基、あるいはシロキサン含有ジアミン残基である１，
３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキ
サン残基などを配合することもできる。

【００１９】Ｑ⁴、Ｑ⁵は水素原子かつ／または炭素数１
から１０までの１価の有機基を表している。ｑ、ｒは１
または２である。

【００２０】一般式（２）において、Ｑ⁷は、炭素数２
以上の３から４価の有機基を表している。Ｚは酸素原
子、硫黄原子、ＮＨを示している。このようなものとし
ては、ヒドロキシジアミノベンゼン、ジヒドロキシジア
ミノベンゼン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、３，３’−ジアミノ−
４，４’−ジヒドロキシビフェニル、３，３’−ジヒド
ロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、チオヒドロキ
シジアミノベンゼン、ジチオヒドロキシジアミノベンゼ
ン、ビス（３−アミノ−４−チオヒドロキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン、３，３’−ジアミノ−４，
４’−ジチオヒドロキシビフェニル、３，３’−ジチオ
ヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、テトラア
ミノベンゼン、テトラアミノビフェニル残基などを挙げ
ることができる。さらに、結合軸のずれが３０度以内と
なる２，５−ジアミノヒドロキシベンゼン、１，４−ジ
アミノ−２，５−ジヒドロキシベンゼン、３，３’−ジ
アミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、３，３’
−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、２，
５−ジアミノチオヒドロキシベンゼン、１，４−ジアミ
ノ−２，５−ジチオヒドロキシベンゼン、３，３’−ジ
アミノ−４，４’−ジチオヒドロキシビフェニル、３，
３’−ジチオヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニ
ル、１，２，４，５−テトラアミノベンゼン、３，
３’，４，４’−テトラアミノビフェニル残基などを挙
げることができる。

【００２１】Ｑ⁷成分として２価の基である一般式
（１）中のＱ²と同様のものをＱ⁷成分の１から３０モル
％変性することもできる。

【００２２】Ｑ⁶、Ｑ⁸は、炭素数２以上の２価の有機基
を表している。このようなものとしては、テレフタル
酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、
ジフェニルスルホンジカルボン酸、ビフェニルジカルボ
ン酸残基などの芳香族ジカルボン酸残基、アジピン酸、
シクロヘキサンジカルボン酸残基などの脂肪族ジカルボ
ン酸残基などを挙げることができる。耐熱性より見ると
芳香族ジカルボン酸残基を使用するのが好ましい。ま
た、結合軸のずれが３０度以内となるテレフタル酸、
４，４−ジフェニルエーテルジカルボン酸、４，４−ジ
フェニルスルホンジカルボン酸、４，４−ビフェニルジ
カルボン酸残基などを使用するのがさらに好ましい。ｓ
は１から１００までの整数を表しており、ｔは１または
２を表している。

【００２３】一般式（３）において、Ｑ⁹、Ｑ¹¹は一般
式（１）に記載されたＱ²と同じものを使用することが
できる。Ｑ¹⁰は、一般式（１）に記載されたＱ¹、Ｑ³と
同じものを使用することができる。Ｑ¹²は一般式（１）
に記載されたＱ⁴、Ｑ⁵と同様の者を使用することができ
る。ｕは１から１００までの整数を表しており、ｖは１
または２を表している。

【００２４】一般式（４）において、Ｑ¹³、Ｑ¹⁵は一般
式（２）におけるＱ⁷と同様のものを使用することがで
きる。Ｑ¹⁴は一般式（２）におけるＱ⁶、Ｑ⁸と同様な者
を使用することができる。ｗは１から１００までの整数
を表し、ｘ、ｙは１または２を表している。

【００２５】また、本発明のポリマー（ａ）は、一般式
（１１）に示したような放射状の枝分かれポリマーに近
いものが得られると推定される。

【００２６】Ｒ⁰−（Ｒ¹−Ｒ²−（Ｒ³−・（・−Ｒ²ⁿ−
（Ｒ²ⁿ⁺¹−Ｒ^m）_r2n）．．_r2）_r0（１１）（ｎは１から１００までの整数。Ｒ⁰、Ｒ²、・・Ｒ²ⁿは
３価から６価の有機基、ケイ素原子含有基、Ｒ¹、Ｒ³、
・・Ｒ²ⁿ⁺¹は２価の基、ｎは１から１００までの整数、
ｒ₀は３から６までの整数、ｒ₂、・・ｒ_2nは２から５ま
での整数を表す。）本発明のポリマー（ａ）は、枝分かれした構造をとるこ
とで、ポリマー鎖がお互い近づかなくなるために、バル
クポリマーの中でポリマー鎖の占める体積分率が低下す
る。このような体積分率の小さいポリマーは体積分率の
大きなポリマーより誘電率が低下する傾向にある。これ
は、絶縁体の中で誘電率の最も小さいものは真空であ
り、次いで空気であるためである。

【００２７】本発明のポリマー（ａ）の製造方法は、以
下のようにすることが好ましい。（１）まず架橋基Ｒ⁰と枝基Ｒ¹を結合させ、オリゴマー
Ｎ¹を得る。（２）続いて架橋基Ｒ²を結合させ、Ｎ²を得る。（３）Ｎ²と枝基Ｒ³を反応させＮ³を得る。（４）続いて、（２）および（３）の工程をｎ回（ｎは
０から１００の整数）繰り返す。

【００２８】架橋基と枝基を結合させるには、架橋成分
と枝成分を反応させる。例えば、アミノ基を有する架橋
成分とカルボン酸基を有する枝成分とを反応させ、アミ
ド結合を形成する等の方法を用いることができる。

【００２９】このように逐次的に架橋成分と枝成分を交
互に反応させることで中心から放射状に広がったポリマ
ーを得ることができる。同じ量の架橋成分と枝成分を最
初に全て同時に反応させると、ゲル化することがあり好
ましくない。

【００３０】本発明のポリマーの分子量、分子量分布
は、ＧＰＣ法により求めることができる。例えば、ウオ
ーターズ社製５１０型ポンプと９９０Ｊ型フォトダイオ
ードアレー検出器によるシステムに、東ソー（株）社製
のカラム（ＴＳＫ−Ｇｅｌ２０００）を２本つないだも
のを用いることができる。分子量の校正は、標準ポリス
チレンを分子量１０００から１０００００までのものを
用いた。本発明のポリマーの分子量は５０００から１０
０万の範囲にあることが好ましい。分子量分布は重量平
均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比で表すこ
とができ、１．０２≦Ｍｗ／Ｍｎ≦２．０の範囲にある
ことが好ましく、さらには１．０５≦Ｍｗ／Ｍｎ≦１．
５である。

【００３１】本発明において、ポリマー（ａ）の末端
に、炭素数３から２０までの１価の基を結合させ、末端
封止することが好ましい。炭素数３から２０までの１価
の基としては、一般式（６）に挙げるような１価の基を
使用することができる。また、その他の炭素数３から３
０までの１価の有機基も使用することができる。特にケ
イ素原子を含有している炭素数３から３０までの１価の
有機基は接着性改良効果もあるので好ましい。また、こ
れらの基を併用することもできるし、これ以外の基を使
用することもできる。

【００３２】

【化１１】

【００３３】（Ｄは炭素数１から１０までの１価の有機
基、Ｊは炭素数２以上３０以下の２価の有機基を表して
いる。）このためには、上記の反応の最後に１価の有機化合物を
添加して反応させ末端封止するとよい。このような１価
の有機化合物としては、アニリン、プロピルアミンなど
の１価のアミン化合物、無水フタル酸、無水コハク酸な
どの１価の酸無水物などを挙げることができる。さら
に、エチニルアニリン、ビニルアニリンなどの反応性の
多重結合を有した１価のアミン化合物、無水マレイン
酸、無水ナジック酸などの反応性の多重結合を有した１
価の酸無水物化合物などを挙げることができる。また、
アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノフェニルト
リメトキシシランなどのケイ素原子含有アミン化合物、
トリメトキシシリル無水フタル酸などのケイ素原子含有
酸無水物化合物などを用いると基板との接着改良効果も
あり、さらに好ましい。これらの化合物は１種類のみで
使用することもできるが、複数種を混合して使用しても
良い。

【００３４】本発明において（ｂ）成分である固体粒子
としては、シリカ粒子、チタニア粒子、ジルコニア粒
子、セリア粒子などの無機酸化物粒子やその分散ゾル、
あるいはポリテトラフルオロエチレンやポリテトラフル
オロエチレンプロピレンやこれらの分散ゾル、あるいは
フラーレンなどを挙げることができる。これらのものを
加えることで、誘電率を低くする作用、膜硬度を硬くす
る作用、組成物溶液の粘性を高めて塗布性を改善する作
用があり好ましい。（ｂ）成分は、ポリマー（ａ）成分
１００重量部に対して１から１００重量部添加すること
が好ましく、より好ましくは５から５０重量部である。

【００３５】本発明において（ｃ）成分である３級アミ
ノ化合物は得られる溶液の安定性を向上させるために加
えている。この（ｃ）成分がないと、溶液を保存中に
（ｂ）成分が凝集するために好ましくない。（ｃ）成分
の添加量は、（ｂ）成分に対して０．５から１００倍量
添加することが好ましく、より好ましくは１から２０倍
量である。さらに好ましくは２から５倍量である。

【００３６】本発明の低誘電率組成物の誘電率は、真空
の誘電率に対する比率で表される。一般のポリイミド樹
脂のような耐熱性樹脂組成物の誘電率はおよそ３であ
る。本発明の低誘電率組成物の誘電率は３以下が望まし
く、さらには２．７以下が好ましく、さらに好ましくは
２．５以下である。

【００３７】本発明の比重の測定は、以下のようにして
行う。得られる低誘電率重合体組成物を前もって重量を
正確に測定した薄板ガラスにスピン塗布し、ガラスに均
一の膜厚（膜厚ムラが１０％以下）で塗布し、必要な熱
処理条件で硬化させる。このガラス板の重量と低誘電率
重合体組成物の膜厚を測定することで比重を測定するこ
とができる。

【００３８】また、本発明の誘電率の測定は、アルミ箔
上に、低誘電率重合体組成物を均一の膜厚でスピン塗布
し、必要な熱処理条件で硬化させ、ポリマー面にアル
ミ、金、ニッケルなどの金属を電極状に蒸着させること
で測定することができる。

【００３９】本発明に用いられる溶媒としては、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、γ−ブチロラクロン、ジメチルアクリルアミドな
どの非プロトン性極性溶媒、乳酸エチルやプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル
類、エタノールなどのアルコール類、シクロヘキサノ
ン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、メタクレゾ
ール、ｐ−クロロフェノールなどのフェノール類、ある
いはこれらの混合したもの、その他本発明の低誘電率重
合体組成物が溶解するものを好ましく用いることができ
る。

【００４０】また、必要に応じて本発明の低誘電率重合
体組成物と基板との塗れ性を向上させる目的で界面活性
剤を混合しても良い。

【００４１】下地との接着性を向上する目的で、シラン
カップリング剤、チタンキレート剤、アルミキレート剤
を低誘電率重合体組成物のワニスに加えたり、基板を前
処理することもできる。

【００４２】次に、本発明の低誘電率重合体組成物を用
いてポリイミドパターンを形成する方法について説明す
る。

【００４３】本発明の低誘電率重合体組成物を基板上に
塗布する。基板としてはシリコンウエハー、セラミック
ス類、ガリウムヒ素などが用いられるが、これらに限定
されない。塗布方法としてはスピンナを用いた回転塗
布、スプレー塗布、ロールコーティングなどの方法があ
る。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃
度、粘度などによって異なるが通常、乾燥後の膜厚が、
０．１から１５０μｍになるように塗布される。

【００４４】本発明の低誘電率重合体組成物のパターン
を形成するには、１００℃から５００℃の範囲で熱処理
された樹脂膜にフォトレジストを塗布する。このフォト
レジストを露光し、現像することで、フォトレジストの
パターンが得られる。このパターンをマスクにして、プ
ラズマエッチング、反応性イオンエッチング、レーザー
アブレーションなどの手法で、希望する低誘電率重合体
組成物膜のパターンを得ることができる。また、ヒドラ
ジンなどの薬品で化学的にエッチングすることもでき
る。続いて、熱処理を行う場合と行わない場合の両方が
考えられるが、どちらでも使用することができる。この
熱処理は、２００℃から５００℃の温度を加えて耐熱性
のある皮膜に変換する。この加熱処理は温度を選び、段
階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的に昇温し
ながら５分から５時間実施する。一例としては、１４０
℃、２００℃、４００℃で各３０分ずつ熱処理する。あ
るいは室温より４００℃まで２時間かけて直線的に昇温
するなどの方法が挙げられる。

【００４５】本発明による低誘電重合体組成物により形
成した耐熱性皮膜は、半導体のパッシベーション膜、半
導体素子の保護膜、半導体の層間絶縁膜、高密度実装用
多層配線の層間絶縁膜などの用途に用いられる。

【００４６】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されない。特性の測定方法〈誘電率の測定〉厚み２５μｍのアルミ箔上に本発明の
低誘電率重合体組成物のワニスをミカサ製１Ｈ−Ｄ２Ｓ
スピンコーターを用いてスピンコートする。このアルミ
箔を大日本スクリーン社製のＳＫＷ−６３６のホットプ
レートを用いて、１００℃で５分プリベークする。プリ
ベーク後の膜厚が５ミクロンになるようにスピンコート
での回転数を調整する。

【００４７】このようにして得た低誘電率重合体組成物
をスピンコートしたアルミ箔をヤマト科学製ＤＨ−４２
イナートオーブンで窒素気流下熱処理する。この熱処理
条件は、２００℃で３０分処理した後、３５０℃まで１
時間で昇温し、３５０℃で１時間処理し、オーブン内の
温度が２００℃以下になったところでオーブンより取り
出した。

【００４８】この低誘電率重合体組成物のフィルム面に
アルミニウムを約１００ｎｍ蒸着し、電極をフィルム上
に形成した。蒸着はアルバック社製ＥＢＨ−６型を使用
した。

【００４９】この試料を用いて、ヒューレットパッカー
ド社製ＬＣＲメーター４２８８Ａとフィルム用測定電極
１４８６５Ａを使用して、周波数１ｋＨｚで誘電率を測
定した。〈分散安定性〉溶液を２３℃の部屋に放置し、目視に
て、層分離・ゲル化などが起こるかを調べた。１週間の
間に層分離・ゲル化が起こらないものを分散安定性良好
とした。〈接着性の測定（ＰＣＴ接着試験）〉４インチのシリコ
ンウエハー上に本発明の低誘電率重合体組成物のワニス
を大日本スクリーン社製ＳＣＷ−６３６のスピンコータ
ーを用いてスピンコートする。このシリコンウェハーを
大日本スクリーン社製のＳＣＷ−６３６のホットプレー
トを用いて、１００℃で５分プリベークする。プリベー
ク後の膜厚が５ミクロンになるようにスピンコートでの
回転数を調整する。

【００５０】このようにして得た低誘電率重合体組成物
をスピンコートしたシリコンウエハーを光洋リンドバー
グ社製イナートオーブンＩＮＨ−１５で窒素気流下（酸
素濃度２０ｐｐｍ以下）で熱処理する。この熱処理条件
は、１４０℃で３０分処理した後、３５０℃まで１時間
で昇温し、３５０℃で１時間処理し、オーブン内の温度
が２００℃以下になったところでオーブンより取り出し
た。

【００５１】この低誘電率重合体組成物を塗布したシリ
コンウエハーの膜に幅２ｍｍで碁盤目状に傷を５本ずつ
横方向と縦方向に片歯カミソリで入れた。この膜の接着
性をニチバン社製”セロテープ”を用いて引き剥がし試
験をした。この時点（初期）で剥離が見られたものは接
着性が非常に悪いことになる。この時点で剥がれなかっ
たものは、１２１℃で２．１気圧の飽和水蒸気下５００
時間処理した。５００時間後、同様の引き剥がし試験を
行い、剥離するかどうかを調べた。この時に剥離が見ら
れなければ、接着性は良好である。〈膜厚の測定〉シリコンウエハー、ガラス板に塗布し
て、熱処理した試料を片歯カミソリで傷をつけ、東京精
密製表面粗さ計サーフコム１５００Ａを用いて、傷のあ
る部分と無い部分の段差を測定し膜厚とした。〈耐熱性の測定〉ブリキ製の皿に測定しようとしたワニ
スを１ｇ入れた。これをヤマト科学社製イナートオーブ
ンＤＴ−４２で窒素気流下（酸素濃度２０ｐｐｍ以下）
で熱処理する。この熱処理条件は、８０℃で３０分処理
した後、２００℃で３０分、その後３５０℃まで１時間
で昇温し、３５０℃で１時間処理し、オーブン内の温度
が２００℃以下になったところでオーブンより取り出し
た。

【００５２】このようにして得た低誘電率重合体組成物
の粉体を集め、島津製作所製熱天秤装置ＴＧ−５０を用
いて、昇温速度１０℃／分で室温より６００℃まで測定
し、３００℃になった時点から５％重量が減少した温度
を熱分解温度とした。この熱分解温度が４５０℃より低
いものは、半導体製造工程で４５０℃程度の熱が加わる
工程でガスを発生する恐れがあり、耐熱性で問題があ
る。〈スクラッチ試験〉４インチのシリコンウエハー上に本
発明の低誘電率重合体組成物のワニスを大日本スクリー
ン社製ＳＣＷ−６３６のスピンコーターを用いてスピン
コートする。このシリコンウェハーを大日本スクリーン
社製のＳＣＷ−６３６のホットプレートを用いて、１０
０℃で５分プリベークする。プリベーク後の膜厚が２ミ
クロンになるようにスピンコートでの回転数を調整す
る。

【００５３】このようにして得た低誘電率重合体組成物
をスピンコートしたシリコンウエハーを光洋リンドバー
グ社製イナートオーブンＩＮＨ−１５で窒素気流下（酸
素濃度２０ｐｐｍ以下）で熱処理する。この熱処理条件
は、１４０℃で３０分処理した後、３５０℃まで１時間
で昇温し、３５０℃で１時間処理し、オーブン内の温度
が２００℃以下になったところでオーブンより取り出し
た。

【００５４】このウェハーの低誘電率組成物を着けた面
を上にして、下面を１５ｃｍ×１５ｃｍ、厚み２ｍｍの
アルミ板にエポキシ系の接着剤で貼り付けた。

【００５５】ロデール社製の研磨パッド（ＩＣ−１００
０）を日立製サンダー（ＳＶ１２ＳＥ）に取り付けた。
先ほどのウェハー上にキャボット社製スラリー（ＳＳ−
２５）を５ｍｌ滴下して、荷重を５ｋｇかけた研磨パッ
ドにより研磨処理を３０秒行った。

【００５６】この後、ウェハー上の低誘電率組成物の傷
の有無をニコン製金属顕微鏡で観察した。この処理によ
り、傷が観察される場合、膜の硬度が低く、半導体プロ
セスで使用されるＣＭＰ（化学的機械研磨）プロセスに
適応できないために問題がある。合成例１架橋モノマー（１）の合成窒素導入管、攪拌羽、温度計を取り付けた、５００ｍｌ
の４つ口フラスコに１，３，５−トリヒドロキシベンゼ
ン１２．６ｇ（０．１ｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロ
リドン（ＮＭＰ）１５０ｇに溶解させ、ここに炭酸カリ
ウム２４．２ｇ（０．１７５ｍｏｌ）を加え７０℃で分
散させた。ここに、パラニトロクロロベンゼン４７．３
ｇ（０．３ｍｏｌ）を加え、１５０℃で６時間反応を行
った。反応終了後、溶液の温度が十分に低下してからろ
過により無機塩を除き、ろ液を水３ｌに入れ沈殿を生成
させた。この沈殿をろ過により集め、７０℃で１２時間
真空乾燥した（収量：３５ｇ、収率７１．５％）。

【００５７】この真空乾燥したもの３０ｇをエタノール
１０００ｇに分散させ、ここに５％パラジウムカーボン
１．５ｇを入れ、水素をためた風船を取り付け、５０℃
で８時間、水素の吸収が停止するまで還元反応を行っ
た。

【００５８】反応終了後、ろ過してろ液を集め、エバポ
レートして目的の架橋モノマー（１）を得た（収量：２
２ｇ、収率９０％）。合成例２架橋モノマー（２）の合成窒素導入管、攪拌羽、温度計、蒸留管を取り付けた、３
００ｍｌの４つ口フラスコに３−アミノプロピルジエト
キシメチルシラン（ＡＰＤＳ）５７．４ｇ（０．３モ
ル）をガンマブチロラクトン３０ｇ、３−メチル−３−
メトキシブタノール２７．４ｇに溶解させ、ここに水
３．６ｇ（０．２ｍｏｌ）を加え３０℃で攪拌し、溶液
の温度を徐々に高くし、１１０℃で２時間攪拌した。蒸
留管より水、エタノールを流出させる。この溶液を冷却
して、平均で３分子のＡＰＤＳが結合した３価の架橋モ
ノマー（２）の５０％溶液を得た。反応にはこの溶液を
そのまま用いた。合成例３トリフェニルアミン２４．５ｇ（０．１モル）を硫酸７
０ｇ中に溶解させた。ここに、６１％硝酸を３５ｇを徐
々に加えた。硝酸を加えた後、２時間攪拌して、氷の入
った、５％炭酸水素ナトリウム水溶液３ｌに投入して得
られた固体をろ過で集めた。集めた固体を水で十分洗浄
した後、５０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥させた（収
量２６ｇ）。

【００５９】上記で乾燥した固体２０ｇを５００ｍｌの
オートクレーブに入れ、メチルセロソルブ３００ｍｌを
５％−パラジウム−炭素１．５ｇとともに加えた。容器
内を水素ガスにて置換して、その後水素圧を８ｋｇｆ／
ｃｍ²にして７０℃で２時間攪拌しながら還元処理をし
た。反応後、内部の温度が３０℃以下になったところ
で、容器の圧力を除き、内部の溶液からろ過でパラジウ
ム−炭素を除いた。ろ液をロータリーエバポレーターで
濃縮して、トリ（４−アミノフェニル）アミンを得た
（収量：１４ｇ）。実施例１窒素気流下、１０００ｍｌの４つ口フラスコに、架橋成
分である３，４，４’−トリアミノジフェニルエーテル
（ＴＰＥ）０．２１５ｇ（１ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド（ＤＭＡｃ）１０ｇに溶解させた。こ
こに枝成分である無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）０．
６５４ｇ（３ｍｍｏｌ）をＮＭＰ１５ｇと共に加えて、
３０℃で５分攪拌した。続いて、枝成分である２，２’
−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル（ＤＭＢ）
０．６３６ｇ（３ｍｍｏｌ）を加えて、３０℃で１時間
攪拌した。

【００６０】その後、ＴＰＥ０．６４６ｇ（３ｍｍｏ
ｌ）をＤＭＡｃ５ｇとともに加え、ＰＭＤＡ０．６５４
ｇ（３ｍｍｏｌ）を加えた後、３０℃で１時間攪拌し
た。

【００６１】ＤＭＢ１．２７２ｇ（６ｍｍｏｌ）をＤＭ
Ａｃ２０ｇとともに加えて溶解した後、ＰＭＤＡ１．３
０９ｇ（６ｍｍｏｌ）を加え、３０℃で１時間攪拌し
た。

【００６２】その後、ＴＰＥ１．２９２ｇ（６ｍｍｏ
ｌ）をＤＭＡｃ３０ｇとともに加え、ＰＭＤＡ１．３０
９ｇ（６ｍｍｏｌ）を加えた後、３０℃で１時間攪拌し
た。

【００６３】ＤＭＢ２．５４４ｇ（１２ｍｍｏｌ）をＤ
ＭＡｃ５０ｇとともに加えて溶解した後、ＰＭＤＡ２．
６１７ｇ（１２ｍｍｏｌ）を加え、３０℃で１時間攪拌
した。

【００６４】その後、ＴＰＥ２．５８４ｇ（１２ｍｍｏ
ｌ）をＤＭＡｃ４０ｇとともに加え、ＰＭＤＡ２．６１
７ｇ（１２ｍｍｏｌ）を加えた後、３０℃で１時間攪拌
した。

【００６５】ＤＭＢ５．１６７ｇ（２４ｍｍｏｌ）をＤ
ＭＡｃ７０ｇとともに加えて溶解した後、ＰＭＤＡ５．
２３５ｇ（２４ｍｍｏｌ）を加え、３０℃で１時間攪拌
した。

【００６６】アニリン１．３０２ｇ（１４ｍｍｏｌ）、
３−アミノプロピルトリメトキシシラン２．２１３ｇ
（１０ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ２０ｇとともに加え、３０
℃で２時間攪拌した。

【００６７】上記溶液８０ｇに、３級アミノ化合物とし
てルチジン４ｇ、ポリテトラフルオロエチレンポリプロ
ピレン共重合体水分散ゾル（ダイキン工業製”ポリフロ
ンＦＥＰ”）５ｇを加えて（ポリマー１００重量部に対
する固体粒子の添加量２１．８重量部、３級アミノ化合
物の固体粒子に対する添加倍率：１．３３倍）、３０℃
で２時間攪拌し、孔径３μｍのポリテトラフルオロエチ
レン製デプスフィルター（アドバンテック社製）でろ過
した溶液を用いて評価を行った。

【００６８】誘電率は２．２１であった。粘度安定性も
問題なく、接着性も問題なかった。耐熱性は４５０℃で
あった。スクラッチ試験でも問題なかった。実施例２架橋成分であるトリス（４−アミノフェニル）アミン
（ＴＭＰＡ）０．２９０ｇ（１ｍｍｏｌ）をＮＭＰ１５
ｇに溶解させる。ここに枝成分である３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸２無水物（ＢＰＤ
Ａ）０．８８３ｇ（３ｍｍｏｌ）を加え、室温で３０分
攪拌した。ここに、枝成分である３，３’−ジメトキシ
−４，４’−ジアミノビフェニル（ＤＭＯＢ）０．７３
２ｇ３ｍｍｏｌをＮＭＰ５ｇとともに加えた。ＢＰＤＡ
０．８８３ｇ（３ｍｍｏｌ）を加えた後、ＴＭＰＡ０．
８７０ｇ（３ｍｍｏｌ）を加えて、室温で３０分攪拌し
た。

【００６９】続いて、ＢＰＤＡ１．７６５ｇ（６ｍｍｏ
ｌ）を加え、ＤＭＯＢ１．４６４ｇ（６ｍｍｏｌ）をＮ
ＭＰ３０ｇとともに加えた後、３０分攪拌した。その
後、ＢＰＤＡ１．７６５ｇ（６ｍｍｏｌ）を加え、ＴＭ
ＰＡ１．７４０ｇ（６ｍｍｏｌ）を加え、室温で３０分
攪拌した。

【００７０】ＢＰＤＡ３．５３０ｇ（１２ｍｍｏｌ）を
加え、枝成分であるＤＭＯＢ２．９２８ｇ（１２ｍｍｏ
ｌ）をＮＭＰ５０ｇとともに加えた後、室温で１時間攪
拌した。さらに、ＢＰＤＡ３．５３０ｇ（１２ｍｍｏ
ｌ）をＮＭＰ２０ｇとともに加え、ＴＭＰＡ３．４８０
ｇ（１２ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。

【００７１】その後、ＢＰＤＡ７．０６１ｇ（２４ｍｍ
ｏｌ）を加え、枝成分である２，２’−ビス（トリフル
オロメチル）−４，４’−ジアミノジフェニル（ＴＦＭ
Ｂ）７．６８０ｇ（２４ｍｍｏｌ）をＮＭＰ３０ｇとと
もに加え、室温で１時間攪拌した。

【００７２】ＢＰＤＡ７．０６１ｇ（２４ｍｍｏｌ）を
ＮＭＰ１０ｇとともに加え、ＴＭＰＡ６．９６０ｇ（２
４ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した。

【００７３】その後、ＢＰＤＡ１４．１２ｇ（４８ｍｍ
ｏｌ）、ＴＦＭＢ１５．３６ｇ（４８ｍｍｏｌ）を加
え、室温で１時間攪拌した。その後、さらにＴＦＭＢ１
５．３６ｇ（４８ｍｍｏｌ）、ＢＰＤＡ１４．１２ｇ
（４８ｍｍｏｌ）をＮＭＰ８０ｇとともに加え、室温で
２時間攪拌した。その後、無水マレイン酸０．９８０ｇ
（１０ｍｍｏｌ）、無水フタル酸５．６２４ｇ（３８ｍ
ｍｏｌ）を加え、４０℃で２時間攪拌した（架橋基の比
率はポリマー中の１１．８モル％）。

【００７４】この溶液８０ｇを計り取り、３級アミノ化
合物としてジメチルアミノエチルメタクリレート４ｇを
ＮＭＰ２ｇに希釈し、ここにシリカゾルのＮＭＰ分散液
（触媒化成工業製”Ｏｓｃａｌ”ＮＰ−４５）を１０ｇ
加えて（ポリマー１００重量部に対するシリカゾルの割
合：２５．６重量部、３級アミノ化合物の固体粒子に対
する添加倍率：０．８倍）、３０℃で２時間攪拌した。

【００７５】この溶液を孔径３μｍのポリテトラフルオ
ロエチレン製のデプスフィルター（アドバンテック社
製）を用いてろ過した。

【００７６】このものの誘電率は２．５５、粘度安定性
も良好であった。耐熱性は５４０℃であった。接着性は
ＰＣＴ処理１００時間まで剥離が見られなかった。スク
ラッチ試験でも問題なかった。実施例３架橋成分である３，３’，４，４’−テトラアミノビフ
ェニル（ＴＡＢ）０．２１４ｇ（１ｍｍｏｌ）、枝成分
である３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビ
フェニル（ＨＡＢ）０．８６４ｇ（４ｍｍｏｌ）とプロ
ピレンオキシド（ＰＯ）１．８５６ｇ（３２ｍｍｏｌ）
をＤＭＡｃ５０ｇに溶解させ、−１０℃に冷却した。こ
こに枝成分であるテレフタル酸クロリド（ＴＰＣ）０．
８１２ｇ（４ｍｍｏｌ）をガンマブチロラクトン（Ｇ
ＢＬ）１０ｇに溶解させた溶液を内温が０℃を越えない
ように徐々に滴下した。この溶液を−１０℃で６０分攪
拌した後、ＴＡＢ０．８５６ｇ（４ｍｍｏｌ）、ＨＡＢ
２．５９２ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ＰＯ５．５６８ｇ（９
６ｍｍｏｌ）、ＤＭＡｃ１００ｇを加えた。ここにＴＰ
Ｃ２．４３６ｇ（１２ｍｍｏｌ）をＧＢＬ２５ｇに溶解
させた溶液を内温が０℃を越えないように徐々に滴下し
た。この溶液を−１０℃で３０分攪拌した。

【００７７】その後、ＴＡＢ２．５６８ｇ（１２ｍｍｏ
ｌ）、ＨＡＢ７．７７６ｇ（３６ｍｍｏｌ）、ＰＯ１
６．７０ｇ（２８８ｍｍｏｌ）、ＤＭＡｃ１２０ｇを加
えた。ここにＴＰＣ７．３０８ｇ（３６ｍｍｏｌ）をＧ
ＢＬ７５ｇに溶解させた溶液を内温が０℃を越えないよ
うに徐々に滴下した。この溶液を−１０℃で６０分攪拌
した。この後、枝成分であるビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（ＢＡＨ
Ｆ）１３．１８ｇ（３６ｍｍｏｌ）、ＨＡＢ７．７７６
ｇ（３６ｍｍｏｌ）、ＰＯ１６．７０ｇ（２８８ｍｍｏ
ｌ）をＤＭＡｃ１５０ｇとともに加えた。ここにＴＰＣ
７．３０８ｇ（３６ｍｍｏｌ）をＧＢＬ７５ｇに溶解さ
せた溶液を内温が０℃を越えないように徐々に滴下し
た。この溶液を−１０℃で１２０分攪拌した。その後、
溶液の温度を３０℃まで上昇させ、無水マレイン酸０．
９８０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、無水フタル酸２．９６０ｇ
（２０ｍｍｏｌ）、２−トリメトキシシリル無水フタル
酸１．６０８ｇ（６ｍｍｏｌ）を加え、３０℃で２時間
攪拌した（架橋基の比率は、ポリマー中の６．４モル
％）。

【００７８】この溶液８０ｇを計り取り、３級アミノ化
合物としてピリジン４ｇ、ジルコニア微粒子ゾル（東レ
製”トレセラム”２．７ｇをＮＭＰ３．３ｇ中に分散さ
せたもの）（ポリマー１００重量部に対するジルコニア
粒子の割合２５．５重量部、３級アミノ化合物の固体粒
子に対する添加倍率：１．４８倍）を加え、３０℃で２
時間攪拌した。

【００７９】攪拌終了後、孔径３μｍのポリテトラフル
オロエチレンのデプスフィルター（アドバンテック社
製）でろ過し評価をした。

【００８０】誘電率は２．５６、耐熱性は５３０℃であ
った。粘度安定性も問題なかった。接着性は問題がなか
った。スクラッチ試験でも問題なかった。実施例４枝成分であるＴＦＭＢ０．９６０ｇ（３ｍｍｏｌ）、ト
リエチルアミン（ＴＥＡ）０．３０３ｇ（３ｍｍｏｌ）
をＮＭＰ３０ｇに溶解させ、−１０℃に冷却した。ここ
に架橋成分であるトリメシン酸クロリド（ＴＭＣ）０．
２６５５ｇ（１ｍｍｏｌ）をＧＢＬ１０ｇに溶解させた
溶液を内温が０℃を越えないように徐々に滴下した。

【００８１】滴下終了後、溶液の温度を３０℃にして枝
成分であるＢＰＤＡ０．８８２６ｇ（３ｍｍｏｌ）を加
えた。その後、ＴＦＭＢ０．９６０ｇ（３ｍｍｏｌ）を
加えて、３０℃で１時間攪拌した。

【００８２】ＴＦＭＢ１．９２０ｇ（６ｍｍｏｌ）、Ｔ
ＥＡ０．９０９ｇ（９ｍｍｏｌ）をＮＭＰ３０ｇととも
に加え、再度溶液を−１０℃に冷却して、ＴＭＣ０．７
９６５ｇ（３ｍｍｏｌ）をＧＢＬ１５ｇに溶解させた溶
液を内温が０℃を越えないように徐々に滴下した。

【００８３】滴下終了後、溶液の温度を３０℃にして、
枝成分であるＰＭＤＡ１．３０９ｇ（６ｍｍｏｌ）を加
え、さらに枝成分であるＤＭＢ１．４６４ｇ（６ｍｍｏ
ｌ）をＮＭＰ２５ｇとともに加えて、３０℃で１時間攪
拌した。

【００８４】ＤＭＢ２．９２８ｇ（１２ｍｍｏｌ）、Ｔ
ＥＡ１．８１８ｇ（１８ｍｍｏｌ）をＮＭＰ４０ｇとと
もに加え、再度溶液を−１０℃に冷却して、ＴＭＣ１．
５９３ｇ（６ｍｍｏｌ）をＧＢＬ２５ｇに溶解させた溶
液を内温が０℃を越えないように徐々に滴下した。

【００８５】滴下終了後、溶液の温度を３０℃にして、
ＰＭＤＡ２．６１７ｇ（１２ｍｍｏｌ）を加え、さらに
ＴＬＤ２．９２８ｇ（１２ｍｍｏｌ）をＮＭＰ４０ｇと
ともに加えて、３０℃で１時間攪拌した。終了後、無水
フタル酸０．７４０ｇ（５ｍｍｏｌ）、無水ナジック酸
１．６４０ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加えて、５０℃で１時
間攪拌した（架橋基の比率は、ポリマー中の１２．０
％）。

【００８６】攪拌終了後、ろ過で沈殿を除いた溶液３０
ｇに、３級アミノ化合物として酢酸ジメチルアミノエチ
ル１．５ｇ、シリカゾルのＮＭＰ分散液（触媒化成工業
（株）製”ＯＳＣＡＬ”ＮＰ−４５）４ｇ加えて（ポリ
マー１００重量部に対するシリカゾルの割合：３８．７
重量部、３級アミノ化合物の固体粒子に対する割合：
０．７５倍）評価に用いた。

【００８７】誘電率は２．６５、耐熱性は５７０℃であ
った。粘度安定性も問題なかった。接着性はＰＣＴ処理
で１００時間まで問題なかった。スクラッチ試験でも問
題なかった。実施例５架橋成分であるトリ（４−アミノフェニル）メタン（Ｔ
ＡＭ）０．２８９ｇ（１ｍｍｏｌ）をＮＭＰ１５ｇに溶
解させた。枝成分である無水ピロメリット酸（ＰＭＤ
Ａ）０．６５３４ｇ（３ｍｍｏｌ）を加え、１０分後、
ＴＦＭＢ０．９６０ｇ（３ｍｍｏｌ）を加えて３０℃で
１時間攪拌した。

【００８８】続いて、ＴＡＭ０．８６７ｇ（３ｍｍｏ
ｌ）をＮＭＰ１０ｇとともに加え、枝成分であるＢＰＤ
Ａ０．８８２６ｇ（３ｍｍｏｌ）を加えた。３０℃で１
時間攪拌した。

【００８９】その後、枝成分であるＴＦＭＢ１．９２０
ｇ（６ｍｍｏｌ）をＮＭＰ１０ｇとともに加え、ＢＰＤ
Ａ１．７６５ｇ（６ｍｍｏｌ）を加えて、３０℃で１時
間攪拌した。

【００９０】続いて、ＴＡＭ１．７３４ｇ（６ｍｍｏ
ｌ）をＮＭＰ１５ｇとともに加え、ＢＰＤＡ１．７６５
ｇ（６ｍｍｏｌ）を加えて、３０℃で１時間攪拌した。

【００９１】その後、ＴＦＭＢ３．８４０ｇ（１２ｍｍ
ｏｌ）をＮＭＰ４５ｇとともに加え、ＢＰＤＡ３．５３
１ｇ（１２ｍｍｏｌ）を加えて、３０℃で１時間攪拌し
た。

【００９２】続いて、ＴＡＭ３．４６８ｇ（１２ｍｍｏ
ｌ）をＮＭＰ５０ｇとともに加え、ＢＰＤＡ３．５３１
ｇ（１２ｍｍｏｌ）を加えた。３０℃で１時間攪拌し
た。

【００９３】その後、ＴＦＭＢ７．６８０ｇ（２４ｍｍ
ｏｌ）をＮＭＰ５０ｇとともに加え、ＰＭＤＡ５．２３
５ｇ（２４ｍｍｏｌ）を加えて、３０℃で１時間攪拌し
た。

【００９４】続いて、ＴＡＭ６．９３６ｇ（２４ｍｍｏ
ｌ）をＮＭＰ８０ｇとともに加え、３，３’，４，４’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物７．７２８
ｇ（２４ｍｍｏｌ）を加えて、３０℃で１時間攪拌し
た。

【００９５】その後、ＴＦＭＢ１５．３６ｇ（４８ｍｍ
ｏｌ）をＮＭＰ１００ｇとともに加え、ＢＰＤＡ１４．
１２ｇ（４８ｍｍｏｌ）を加えて、３０℃で１時間攪拌
した。

【００９６】３−アミノプロピルトリエトキシシラン
３．３１５ｇ（１５ｍｍｏｌ）とアニリン３．０６９ｇ
（３３ｍｍｏｌ）を加え、３０℃で１時間攪拌した後、
５０℃で１時間攪拌した。

【００９７】攪拌終了後、ろ過で沈殿を除いた溶液６０
ｇに、３級アミノ化合物としてジエチルアミノエタノー
ル３ｇ、ＮＭＰ５ｇと、ポリテトラフルオロエチレン樹
脂の微粒子の水分散液（ダイキン工業（株）製”ポリフ
ロンＴＦＥディスパージョン”）４ｇ（ポリマー１００
重量部に対するディスパージョンの割合１０．８重量
部、３級アミノ化合物の固体粒子に対する添加倍率：
１．２５倍）を加えて評価に用いた。

【００９８】誘電率は２．４２、耐熱性は５４０℃であ
った。粘度安定性も問題なかった。接着性は良好であっ
た。スクラッチ試験でも問題なかった。実施例６合成例３で作成した、架橋成分であるトリ（４−アミノ
フェニル）アミン（ＴＡＰＡ）０．２９０ｇ（１ｍｍｏ
ｌ）をＤＭＡｃ３０ｇに溶解させる。ここに、枝成分で
ある３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフ
ェニル（ＨＡＢ）０．６４８ｇ（３ｍｍｏｌ）とグリシ
ジルメチルエーテル（ＧＭＥ）３．１６８ｇ（３６ｍｍ
ｏｌ）を加えて溶液を−１０℃に冷却した。ここに、枝
成分であるテレフタル酸クロリド（ＴＰＣ）０．６０９
ｇ（３ｍｍｏｌ）をＧＢＬ８ｇに溶解させた溶液を内温
が０℃を越えないように滴下した。

【００９９】滴下終了後、−１０℃で６０分攪拌した。
続いて、ＴＡＰＡ０．８７０ｇ（３ｍｍｏｌ）とＧＭＥ
３．１６８ｇ（３６ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ２０ｇととも
に加えた。ここに、ＴＰＣ０．６０９ｇ（３ｍｍｏｌ）
をＧＢＬ８ｇに溶解させた溶液を内温が０℃を越えない
ように滴下した。滴下終了後−１０℃で１時間攪拌し
た。

【０１００】ＨＡＢ１．２９６ｇ（６ｍｍｏｌ）、ＧＭ
Ｅ６．３３６ｇ（７２ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ２０ｇとと
もに加えた。ここに、ＴＰＣ１．２１８ｇ（６ｍｍｏ
ｌ）をＧＢＬ１５ｇに溶解させた溶液を内温が０℃を越
えないように滴下した。滴下終了後−１０℃で６０分攪
拌した。

【０１０１】続いて、ＴＡＰＡ１．７４０ｇ（６ｍｍｏ
ｌ）とＧＭＥ６．３３６ｇ（７２ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ
３０ｇとともに加えた。ここに、ＴＰＣ１．２１８ｇ
（６ｍｍｏｌ）をＧＢＬ１５ｇに溶解させた溶液を内温
が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後−１０℃
で６０分攪拌した。

【０１０２】枝成分であるＢＡＨＦ４．３９２ｇ（１２
ｍｍｏｌ）とＧＭＥ１２．６７ｇ（１４４ｍｍｏｌ）を
ＤＭＡｃ５０ｇとともに加えた。ここに、ＴＰＣ２．４
３６ｇ（１２ｍｍｏｌ）をＧＢＬ２５ｇに溶解させた溶
液を内温が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後
−１０℃で６０分攪拌した。

【０１０３】続いて、ＴＡＰＡ３．４８０ｇ（１２ｍｍ
ｏｌ）とＧＭＥ１２．６７ｇ（１４４ｍｍｏｌ）をＤＭ
Ａｃ４０ｇとともに加えた。ここに、ＴＰＣ２．４３６
ｇ（１２ｍｍｏｌ）をＧＢＬ３０ｇに溶解させた溶液を
内温が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後−１
０℃で６０分攪拌した。

【０１０４】ＨＡＢ５．１８４ｇ（２４ｍｍｏｌ）、Ｇ
ＭＥ２５．３ｇ（２８８ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ１００ｇ
とともに加えた。ここに、ＴＰＣ４．８７２ｇ（２４ｍ
ｍｏｌ）をＧＢＬ５０ｇに溶解させた溶液を内温が０℃
を越えないように滴下した。滴下終了後−１０℃で６０
分攪拌した。

【０１０５】続いて、ＴＡＰＡ６．９６０ｇ（２４ｍｍ
ｏｌ）とＧＭＥ２５．３ｇ（２８８ｍｍｏｌ）をＤＭＡ
ｃ１２０ｇとともに加えた。ここに、ＴＰＣ４．８７２
ｇ（２４ｍｍｏｌ）をＧＢＬ５０ｇに溶解させた溶液を
内温が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後−１
０℃で６０分攪拌した。

【０１０６】ＨＡＢ１０．３７ｇ（４８ｍｍｏｌ）、Ｇ
ＭＥ３３．７９ｇ（３８４ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ１５０
ｇとともに加えた。ここに、ＴＰＣ９．７４４ｇ（４８
ｍｍｏｌ）をＧＢＬ８０ｇに溶解させた溶液を内温が０
℃を越えないように滴下した。滴下終了後−１０℃で６
０分攪拌した。

【０１０７】続いて、４−エチニルアニリン２．８０８
ｇ（２４ｍｍｏｌ）、３−アミノプロピルトリエトキシ
シラン２．２１０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、アニリン１．３
０２ｇ（１４ｍｍｏｌ）とＧＭＥ３３．７９ｇｇ（３８
４ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ４０ｇとともに加えた。こきに
イソフタル酸クロリド（ＩＰＣ）９．７４４ｇ（４８ｍ
ｍｏｌ）をＧＢＬ５０ｇに溶解させた溶液を内温が０℃
を越えないように徐々に滴下した。滴下終了後、−１０
℃で６０分、その後室温にまで徐々に温度を上昇させて
２時間攪拌した（架橋基の比率は、ポリマー中の１６．
６モル％）。

【０１０８】このポリマー溶液１００ｇに３級アミノ化
合物としてトリエチルアミン２ｇ、固体粒子として”オ
スカル”ＮＰ−４５３ｇ（ポリマー１００重量部に対
する固体粒子の割合２１．１重量部、３級アミノ化合物
の固体粒子に対する添加倍率：１．３３倍）を加えて、
３０℃で１時間攪拌した。

【０１０９】このポリマー溶液を孔径３μｍのポリテト
ラフルオロエチレン製デプスフィルターでろ過したもの
を試料とした。

【０１１０】誘電率は２．５３、耐熱性は４８０℃であ
った。溶液の粘度安定性は問題なかった。接着性は問題
なかった。スクラッチ試験でも問題なかった。実施例７枝成分であるＨＡＢ０．６４８ｇ（３ｍｍｏｌ）をＤＭ
ＡＣ２０ｇに溶解させる。ＧＭＥ１．５８４ｇ（１８ｍ
ｍｏｌ）を加えて−１０℃に冷却する。ここに架橋成分
であるＴＭＣ０．２６５ｇ（１ｍｍｏｌ）をＧＢＬ５ｇ
に溶解させた溶液を徐々に滴下した。滴下終了後、その
まま３０分攪拌を続けた。さらに、ＨＡＢ０．６４８ｇ
（３ｍｍｏｌ）、ＧＭＥ１．５８４ｇ（１８ｍｍｏｌ）
をＤＭＡｃ１０ｇとともに加えた。

【０１１１】この溶液に、枝成分であるＴＰＣ０．６０
９ｇ（３ｍｍｏｌ）をＧＢＬ５ｇに溶解させた溶液を滴
下した。滴下終了後、１時間攪拌した。

【０１１２】その後、ＨＡＢ１．２９６ｇ（６ｍｍｏ
ｌ）、ＧＭＥ４．７５２ｇ（５４ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ
１０ｇとともに加えた。この溶液にＴＭＣ０．７９６ｇ
（３ｍｍｏｌ）をＧＢＬ８ｇに溶解させた溶液を内温が
０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、１時間攪
拌した。

【０１１３】さらに、ＨＡＢ１．２９６ｇ（６ｍｍｏ
ｌ）、ＧＭＥ６．３３６ｇ（７２ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ
２０ｇとともに加えた。この溶液にＴＰＣ１．５９３ｇ
（６ｍｍｏｌ）をＧＢＬ１０ｇに溶解させた液を内温が
０℃を越えないように滴下した。

【０１１４】ＨＡＢ２．５９２ｇ（１２ｍｍｏｌ）、Ｇ
ＭＥ９．５０４ｇ（１０８ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ３０ｇ
とともに加えた。ここに、ＴＭＣ１．５９３ｇ（６ｍｍ
ｏｌ）をＧＢＬ１５ｇに溶解させた溶液を滴下した。滴
下終了後、１時間攪拌した。

【０１１５】その後、ＨＡＢ２．５９２ｇ（１２ｍｍｏ
ｌ）、ＧＭＥ９．５０４ｇ（１０８ｍｍｏｌ）をＤＭＡ
ｃ５０ｇとともに加えた。ここにＴＰＣ２．４３６ｇ
（１２ｍｍｏｌ）をＧＢＬ１５ｇに溶解させた溶液を内
温が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後１時間
攪拌した。

【０１１６】ＨＡＢ５．１８４ｇ（２４ｍｍｏｌ）、Ｇ
ＭＥ１９．０１ｇ（２１６ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ７０ｇ
とともに加えた。ここに、ＴＭＣ３．１８６ｇ（１２ｍ
ｍｏｌ）をＧＢＬ３０ｇに溶解させた溶液を滴下した。
滴下終了後、１時間攪拌した。

【０１１７】その後、ＨＡＢ５．１８４ｇ（２４ｍｍｏ
ｌ）、ＧＭＥ１２．６７ｇ（１４４ｍｍｏｌ）をＤＭＡ
ｃ７０ｇとともに加えた。ここにＴＰＣ４．８７２ｇ
（２４ｍｍｏｌ）をＧＢＬ４０ｇに溶解させた溶液を内
温が０℃を越えないように滴下した。

【０１１８】安息香酸クロリド１．３５５ｇ（１０ｍｍ
ｏｌ）をＧＢＬ１０ｇに溶解した溶液を滴下した。１時
間攪拌した後、温度を３０℃にまで上昇させ、無水マレ
イン酸０．９８０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−トリメトキ
シシリル−無水フタル酸１．０７２ｇ（４ｍｍｏｌ）を
加え、３０℃で２時間攪拌した（架橋基の比率は、ポリ
マー中の１４．２モル％）。

【０１１９】このポリマー溶液５０ｇに３級アミノ化合
物として、ジエチルアミノエタノール１ｇ、ポリテトラ
フルオロエチレン−ヘキサフルオロプロパン共重合体の
微粒子の６０％水分散液（ダイキン工業製”ネオフロン
ＦＥＰディスパージョン”）１．５ｇを加えて、３０℃
で１時間攪拌した（ポリマー１００重量部に対する固体
粒子の割合２９．０重量部、３級アミノ化合物の固体粒
子に対する添加倍率：１．１１倍）。その後、この溶液
を孔径３μｍのポリテトラフルオロエチレン製デプスフ
ィルターでろ過した。

【０１２０】誘電率は２．４２、耐熱性は４４５℃であ
った。粘度安定性も問題なかった。接着性は問題なかっ
た。スクラッチ試験でも問題なかった。実施例８枝成分である３，３’−ジチオヒドロキシ−４，４’−
ジアミノビフェニル（ＳＡＢ）０．７４４ｇ（３ｍｍｏ
ｌ）をジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）２０ｇに溶解
させる。ピリジン０．２３７ｇ（３ｍｍｏｌ）を加えて
−１０℃に冷却する。ここに架橋成分であるＴＭＣ０．
２６５ｇ（１ｍｍｏｌ）をＧＢＬ８ｇに溶解させた溶液
を徐々に滴下した。滴下終了後、そのまま３０分攪拌を
続けた。さらに、ＳＡＢ０．７４４ｇ（３ｍｍｏｌ）、
ピリジン０．４７４ｇ（６ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ２０ｇ
とともに加えた。

【０１２１】この溶液に、枝成分であるＴＰＣ０．６０
９ｇ（３ｍｍｏｌ）をＧＢＬ１０ｇに溶解させた溶液を
滴下した。滴下終了後、３０分攪拌した。

【０１２２】ＳＡＢ１．４８８ｇ（６ｍｍｏｌ）、ピリ
ジン０．７１１ｇ（９ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ３０ｇとと
もに加えた。ここに、ＴＭＣ０．７９６ｇ（３ｍｍｏ
ｌ）をＧＢＬ１０ｇに溶解させた溶液を内温が０℃を越
えないように滴下した。滴下終了後、３０分攪拌を行っ
た。

【０１２３】ＳＡＢ１．４８８ｇ（６ｍｍｏｌ）、ピリ
ジン０．９４８ｇ（１２ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ３０ｇと
ともに加えた。この溶液にＴＰＣ１．２１８ｇ（６ｍｍ
ｏｌ）をＧＢＬ１５ｇに溶解させた溶液を内温が０℃を
越えないように滴下した。滴下終了後、３０分攪拌を続
けた。

【０１２４】ＳＡＢ２．９７６ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ピ
リジン２．８４４ｇ（３６ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ４０ｇ
とともに加えた。この溶液にＴＭＣ１．５９３ｇ（６ｍ
ｍｏｌ）をＧＢＬ２０ｇに溶解させた溶液を内温が０℃
を越えないように滴下した。滴下終了後、そのまま３０
分攪拌を続けた。

【０１２５】ＳＡＢ２．９７６ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ピ
リジン１．８９６ｇ（２４ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ３５ｇ
とともに加えた。この溶液にＴＰＣ２．４３６ｇ（１２
ｍｍｏｌ）をＧＢＬ２５ｇに溶解させた溶液を内温が０
℃を越えないように滴下した。滴下終了後、３０分攪拌
を続けた。

【０１２６】枝成分であるＢＡＨＦ８．７８４ｇ（２４
ｍｍｏｌ）、ピリジン０．７１１ｇ（３６ｍｍｏｌ）を
ＤＭＡｃ１００ｇとともに加えた。ここに、ＴＭＣ３．
１８６ｇ（１２ｍｍｏｌ）をＧＢＬ３０ｇに溶解させた
溶液を内温が０℃を越えないように滴下した。滴下終了
後、３０分攪拌を行った。

【０１２７】ＳＡＢ５．９５２ｇ（２４ｍｍｏｌ）、ピ
リジン３．７９２ｇ（４８ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ７０ｇ
とともに加えた。この溶液にＴＰＣ４．８７２ｇ（２４
ｍｍｏｌ）をＧＢＬ５０ｇに溶解させた溶液を内温が０
℃を越えないように滴下した。滴下終了後、３０分攪拌
を続けた。

【０１２８】ＢＡＨＦ１７．５７ｇ（４８ｍｍｏｌ）、
ピリジン５．６８８ｇ（７２ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ２０
０ｇとともに加えた。この溶液にＴＭＣ６．３７２ｇ
（２４ｍｍｏｌ）をＧＢＬ６０ｇに溶解させた溶液を内
温が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、その
まま３０分攪拌を続けた。

【０１２９】ＳＡＢ１１．９０ｇ（４８ｍｍｏｌ）、ピ
リジン７．５８４ｇ（９６ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ１２０
ｇとともに加えた。この溶液にＴＰＣ９．７４４ｇ（４
８ｍｍｏｌ）をＧＢＬ１００ｇに溶解させた溶液を内温
が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、１時間
攪拌を続けた。

【０１３０】ＳＡＢ２３．８１ｇ（９６ｍｍｏｌ）、ピ
リジン１１．３８ｇ（１４４ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ２５
０ｇとともに加えた。ここに、ＴＭＣ１２．７４ｇ（４
８ｍｍｏｌ）をＧＢＬ１５０ｇに溶解させた溶液を内温
が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、３０分
攪拌を行った。

【０１３１】ＳＡＢ２３．８１ｇ（９６ｍｍｏｌ）、ピ
リジン１５．１７ｇ（１９２ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ２５
０ｇとともに加えた。この溶液にＴＰＣ１９．４９ｇ
（９６ｍｍｏｌ）をＧＢＬ２００ｇに溶解させた溶液を
内温が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、１
時間分攪拌を続けた。

【０１３２】安息香酸クロリド８．４３０ｇ（６０ｍｍ
ｏｌ）をＧＢＬ２０ｇに溶解した溶液を滴下した。滴下
終了後１時間攪拌を続けた。

【０１３３】溶液の温度を３０℃にして、３，３’，
４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水
物１１．１６ｇ（３６ｍｍｏｌ）を加えた。１０分後に
３−アミノプロピルトリエトキシシラン２．２１０ｇ
（１０ｍｍｏｌ）、４−エチニルアニリン１．１７０ｇ
（１０ｍｍｏｌ）、アニリン１．４８８ｇ（１６ｍｍｏ
ｌ）を加えて４０℃で２時間攪拌し、その後、孔径３μ
ｍのポリテトラフルオロエチレン製デプスフィルターで
ろ過し、沈殿物を除いた（架橋基の比率は、ポリマー中
の１６．８モル％）。

【０１３４】このポリマー溶液５０ｇに３級アミノ化合
物として、ジエチルアミノエタノール０．８ｇ、固体粒
子として”ＯＳＣＡＬ”ＮＰ−４５２ｇを加えて、３
０℃で１時間攪拌した（ポリマー１００重量部に対する
固体粒子の割合２１．９重量部、３級アミノ化合物の固
体粒子に対する添加倍率：０．８倍）。その後、この溶
液を孔径３μｍのポリテトラフルオロエチレン製デプス
フィルターでろ過した。

【０１３５】攪拌終了後、沈殿物をろ過で除いた溶液を
再度孔径３μｍのポリテトラフルオロエチレン製のデプ
スフィルターでろ過した。

【０１３６】誘電率は２．２９、耐熱性は４７０℃であ
った。粘度安定性は問題なかった。接着性は問題がなか
った。スクラッチ試験でも問題なかった。実施例９枝成分であるＢＡＨＦ１．０９８ｇ（３ｍｍｏｌ）をＤ
ＭＡｃ３０ｇ、ＧＭＥ１．５８４ｇ（１８ｍｍｏｌ）に
溶解させ、−１０℃に冷却した。ここに、架橋成分であ
るＴＭＣ０．２６５ｇ（１ｍｍｏｌ）をＧＢＬ５ｇに溶
解させた溶液を系の温度が０℃を越えないように滴下し
た。滴下後、−１０℃で１時間攪拌した。続いて、枝成
分であるＨＡＢ１．２９６ｇ（６ｍｍｏｌ）をＤＭＡＣ
３０ｇとＧＭＥ４．７５２ｇ（５４ｍｍｏｌ）とともに
加えた。この溶液にＴＭＣ０．７９６ｇ（３ｍｍｏｌ）
をＧＢＬ１０ｇに溶解させた溶液を内温が０℃を越えな
いように滴下した。滴下後、−１０℃で１時間攪拌し
た。

【０１３７】ＢＡＨＦ４．３９２ｇ（１２ｍｍｏｌ）を
ＤＭＡｃ６０ｇとＧＭＥ１．８１８ｇ（７２ｍｍｏｌ）
とともに加えた。ここにＴＭＣ１．５９３ｇ（６ｍｍｏ
ｌ）をＧＢＬ２０ｇに溶解させた溶液を内温が０℃を越
えないように滴下した。滴下終了後、−１０℃で１時間
攪拌した。

【０１３８】ＢＡＨＦ８．７８４ｇ（２４ｍｍｏｌ）を
ＤＭＡｃ１００ｇとＧＭＥ９．５０４ｇ（１０８ｍｍｏ
ｌ）とともに加えた。ここにＴＭＣ３．１８６ｇ（１２
ｍｍｏｌ）をＧＢＬ３５ｇに溶解させた溶液を内温が０
℃を越えないように滴下した。滴下終了後、−１０℃で
１時間攪拌した。

【０１３９】ＨＡＢ８．６４０ｇ（４０ｍｍｏｌ）と
１，３−ビス（３−アミノプロピルテトラメチルジシロ
キサン１．９８８ｇ（８ｍｍｏｌ）をＤＭＡｃ１５０ｇ
とＧＭＥ１３．２０ｇ（１５０ｍｍｏｌ）とともに加え
た。ここにＴＭＣ６．３７２ｇ（２４ｍｍｏｌ）をＧＢ
Ｌ６０ｇに溶解させた溶液を内温が０℃を越えないよう
に滴下した。滴下終了後、−１０℃で１時間攪拌した。
その後、溶液の温度を室温にまで上昇させ、１時間攪拌
した（架橋基の比率は、ポリマーの３３．１モル％）。

【０１４０】このポリマー溶液５０ｇに３級アミノ化合
物として、ジエチルアミノエチルメタクリレート２ｇ、
ＮＭＰ３ｇ、固体粒子としてポリテトラフルオロエチレ
ン−ヘキサフルオロプロパン共重合体の微粒子の６０％
水分散液（ダイキン工業製”ネオフロンＦＥＰディスパ
ージョン”）１．５ｇを加えて、３０℃で１時間攪拌し
た（ポリマー１００重量部に対する固体粒子の割合３
２．６重量部、３級アミノ化合物の固体粒子に対する添
加倍率：２．２２倍）。その後、この溶液を孔径３μｍ
のポリテトラフルオロエチレン製デプスフィルターでろ
過した。

【０１４１】この誘電率は２．２５であった。耐熱性は
４２０℃と良好であった。接着性は初期、５００時間後
ともに問題なかった。比較例１ルチジンを加えなかった以外は実施例１と同様に行っ
た。このものはポリテトラフルオロエチレンポリプロピ
レン共重合体ゾルを混合する際に、ゾルの凝集がおこ
り、評価することができなかった。比較例２実施例４でシリカゾルを加えなかった以外、実施例４と
同様の評価を行った。膜をスクラッチテストで評価した
ところ、傷が観察された。実施例１０実施例２において、シリカゾルのＮＭＰ分散液（触媒化
成工業製”Ｏｓｃａｌ”ＮＰ−４５）の代わりにフラー
レン（東京化成製）１ｇを加えて（ポリマー１００重量
部に対するフラーレンの割合：５．７重量部、３級アミ
ノ化合物の固体粒子に対する添加倍率：４倍）、３０℃
で２時間攪拌した。

【０１４２】この溶液を孔径３μｍのポリテトラフルオ
ロエチレン製のデプスフィルター（アドバンテック社
製）を用いてろ過した。

【０１４３】このものの誘電率は２．５０、粘度安定性
も良好であった。耐熱性は５４０℃であった。接着性は
ＰＣＴ処理１００時間まで剥離が見られなかった。スク
ラッチ試験でも問題なかった。

【０１４４】

【発明の効果】本発明によると、誘電率が低く、かつ接
着性に優れた耐熱性樹脂膜を得ることができた。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）炭素数３から３０の３価または４価
の架橋基を５〜３５モル％および一般式（１）から
（４）で示される基の少なくとも１種を構成成分として
含むポリマーと、（ｂ）固体粒子と、（ｃ）３級アミノ
化合物とを含むことを特徴とする低誘電率重合体組成
物。【化１】（Ｑ¹、Ｑ³は、炭素原子を２個以上含む３価または４価
の有機基、Ｑ²は炭素原子を２個以上含む２価の有機
基、Ｑ⁴、Ｑ⁵は水素原子または炭素数１から１０までの
１価の有機基、ｐは１から１００の整数、ｑ、ｒは１ま
たは２を表す。）【化２】（Ｑ⁶、Ｑ⁸は、少なくとも炭素原子を２個以上含む２価
の有機基、Ｑ⁷は少なくとも炭素原子を２個以上含む３
価から６価の有機基、Ｚは酸素原子、硫黄原子、または
ＮＨより選ばれる。ｓは１から１００の整数、ｔは１ま
たは２を表す。）【化３】（Ｑ⁹、Ｑ¹¹は少なくとも炭素原子を２個以上含む２価
の有機基、Ｑ¹⁰は、少なくとも炭素原子を２個以上含む
３価から４価の有機基、Ｑ¹²は水素原子、かつ／または
炭素数１から１０までの１価の有機基、ｕは１から１０
０の整数、ｖは１または２を表す。）【化４】（Ｑ¹³、Ｑ¹⁵は少なくとも炭素原子を２個以上含む３価
から６価の有機基、Ｑ¹⁴は、少なくとも炭素原子を２個
以上含む２価の有機基、Ｚは酸素原子、硫黄原子、また
はＮＨより選ばれる。ｗは１から１００の整数、ｘ、ｙ
は１または２を表す。）
【請求項２】請求項１記載のポリマー（ａ）が以下の方
法で重合されていることを特徴とする請求項１記載の低
誘電率重合体組成物。（１）３または４価の架橋基と一般式（１）から（４）
で示される基の少なくとも１種とを結合させオリゴマー
Ｎ¹を得る。（２）Ｎ１と３から４価の架橋基とを結合させ、Ｎ²を
得る。（３）Ｎ２と一般式（１）から（４）で示される基の少
なくとも１種と結合させ、Ｎ³を得る。（４）上記の（２）および（３）の工程をｎ回（ｎは０
から１００の整数）繰り返し、逐次的に反応を行う。
【請求項３】真空に対する比誘電率が２．７以下である
ことを特徴とする請求項１記載の低誘電率重合体組成
物。
【請求項４】ポリマー（ａ）の末端に、炭素数３から２
０までの１価の基が結合されていることを特徴とする請
求項１記載の低誘電率重合体組成物。
【請求項５】炭素数３から２０までの１価の基が、下記
一般式（６）で表される基から選ばれたものであること
を特徴とする請求項４記載の低誘電率重合体組成物。【化５】（Ｄは炭素数１から１０までの１価の有機基、Ｊは炭素
数２以上３０以下の２価の有機基を表している。）
【請求項６】（ｂ）固体粒子が、シリカ粒子、チタニア
粒子、ジルコニア粒子、セリア粒子、ポリテトラフルオ
ロエチレンおよびポリテトラフルオロエチレンプロピレ
ン、フラーレンから選ばれたものであることを特徴とす
る請求項１記載の低誘電率重合体組成物。
【請求項７】（ｂ）固体粒子の添加量が、ポリマー
（ａ）１００重量部に対して１から１００重量部であ
り、（ｃ）３級アミノ化合物の添加量が、（ｂ）固体粒
子１００重量部に対して０．５から１００重量部である
ことを特徴とする請求項１記載の低誘電率重合体組成
物。