JP2000299709A - Ｒｃフィルタ付き零−ｉｆコンバータ - Google Patents
Ｒｃフィルタ付き零−ｉｆコンバータInfo
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H1/02—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network of RC networks, e.g. integrated networks
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ２つ以上の信号間の位相および振幅が極めて
安定している高品質の零−IFコンバータを提供する。 【解決手段】 フィルタは２つのベースバンド信号Ｉお
よびＱの各々の信号に対して設けられる。抵抗と、各々
が下側電極、上側電極１および誘電体材料２を有するコ
ンデンサとをそれぞれ有する少なくとも２つのRCフィル
タを含む薄膜構成素子を具え、前記RCフィルタを共通基
板に配列する。５５ｐＦ／ｍｍ２のコンデンサとして、
１．１μｍ厚さのＳｉ３Ｎ４の誘電体層を表面抵抗が
８．５Ω／□のＮｉＣｒＡｌ抵抗層の下側電極上に推積
する。表面抵抗が１００Ω／□の上側電極としてＮｉＣ
ｒＡｌの抵抗層をその上に設ける。下側抵抗自体は分布
型ノッチ抵抗を構成するとともにフィルタの作動中電気
的に接地される。
安定している高品質の零−IFコンバータを提供する。 【解決手段】 フィルタは２つのベースバンド信号Ｉお
よびＱの各々の信号に対して設けられる。抵抗と、各々
が下側電極、上側電極１および誘電体材料２を有するコ
ンデンサとをそれぞれ有する少なくとも２つのRCフィル
タを含む薄膜構成素子を具え、前記RCフィルタを共通基
板に配列する。５５ｐＦ／ｍｍ２のコンデンサとして、
１．１μｍ厚さのＳｉ３Ｎ４の誘電体層を表面抵抗が
８．５Ω／□のＮｉＣｒＡｌ抵抗層の下側電極上に推積
する。表面抵抗が１００Ω／□の上側電極としてＮｉＣ
ｒＡｌの抵抗層をその上に設ける。下側抵抗自体は分布
型ノッチ抵抗を構成するとともにフィルタの作動中電気
的に接地される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は抵抗と、各々が下側電
極、上側電極および誘電体材料を有するコンデンサとを
それぞれ有する少なくとも２つのRCフィルタを含む薄膜
構成素子を具える零−IFコンバータに関するものであ
る。
極、上側電極および誘電体材料を有するコンデンサとを
それぞれ有する少なくとも２つのRCフィルタを含む薄膜
構成素子を具える零−IFコンバータに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、ディジタル衛星受信機の零−IFコ
ンバータはベースバンドIおよびQの２の信号に対して個
別のコンデンサおよびコイルで対称的に構成されてい
る。この構成の欠点は低価格の構成素子を用いることに
よってコイルおよびコンデンサの精度を低レベルに低減
せしめることである。これがため、ベースバンドIおよ
びQの信号間の位相関係が再現困難となる。従って、許
容公差の小さな高価なコイルおよびコンデンサを用いる
必要がある。さらに、これら構成素子の温度依存性によ
り、これら構成素子の温度ドリフトが両信号支路で異な
る際にベースバンドIおよびQの信号間の位相関係が変化
するようになる。さらに、離散コイルおよびコンデンサ
または抵抗およびコンデンサを具えるフィルタの、慣例
の製造が極めて大掛かりとなる。
ンバータはベースバンドIおよびQの２の信号に対して個
別のコンデンサおよびコイルで対称的に構成されてい
る。この構成の欠点は低価格の構成素子を用いることに
よってコイルおよびコンデンサの精度を低レベルに低減
せしめることである。これがため、ベースバンドIおよ
びQの信号間の位相関係が再現困難となる。従って、許
容公差の小さな高価なコイルおよびコンデンサを用いる
必要がある。さらに、これら構成素子の温度依存性によ
り、これら構成素子の温度ドリフトが両信号支路で異な
る際にベースバンドIおよびQの信号間の位相関係が変化
するようになる。さらに、離散コイルおよびコンデンサ
または抵抗およびコンデンサを具えるフィルタの、慣例
の製造が極めて大掛かりとなる。
【０００３】US特許5,629,655には、少なくとも１つの
入力端子および少なくとも１つの出力端子並びに接地端
子と、介在誘電体層を有する関連する数の導電板上に堆
積された薄膜として構成された第１数の抵抗素子と、こ
れら抵抗素子は少なくとも１つの入力端子および少なく
とも１つの出力端子間に直列に接続され、これら導電板
のあるものを共に接続して前記接地端子の前記接地端子
に接続された抵抗を形成するように選択的に配列された
第２数のスイッチと、前記導電板の何れが共に接続され
て前記抵抗を形成するかに応じて抵抗の値を変化させる
手段とを具えるステップ状可調整ノッチフィルタが開示
されている。かかるフィルタの大量生産に遭遇する問題
はこの配列によってマスターする必要がある。
入力端子および少なくとも１つの出力端子並びに接地端
子と、介在誘電体層を有する関連する数の導電板上に堆
積された薄膜として構成された第１数の抵抗素子と、こ
れら抵抗素子は少なくとも１つの入力端子および少なく
とも１つの出力端子間に直列に接続され、これら導電板
のあるものを共に接続して前記接地端子の前記接地端子
に接続された抵抗を形成するように選択的に配列された
第２数のスイッチと、前記導電板の何れが共に接続され
て前記抵抗を形成するかに応じて抵抗の値を変化させる
手段とを具えるステップ状可調整ノッチフィルタが開示
されている。かかるフィルタの大量生産に遭遇する問題
はこの配列によってマスターする必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は２つ以
上の信号間の位相および振幅が極めて安定している高品
質の零−IFコンバータを提供せんとするにある。
上の信号間の位相および振幅が極めて安定している高品
質の零−IFコンバータを提供せんとするにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的を達成するために、抵抗と、各々が下側電極、上側電
極および誘電体材料を有するコンデンサとをそれぞれ有
する少なくとも２つのRCフィルタを含む薄膜構成素子を
具える零−IFコンバータにおいて、前記RCフィルタは共
通基板に配列するようにしたことを特徴とする。かかる
零−IFコンバータは公差を小さく、寸法を小さく、且つ
基本信号IおよびQ間の振幅および位相を一定とするよう
に特徴つけられる。
的を達成するために、抵抗と、各々が下側電極、上側電
極および誘電体材料を有するコンデンサとをそれぞれ有
する少なくとも２つのRCフィルタを含む薄膜構成素子を
具える零−IFコンバータにおいて、前記RCフィルタは共
通基板に配列するようにしたことを特徴とする。かかる
零−IFコンバータは公差を小さく、寸法を小さく、且つ
基本信号IおよびQ間の振幅および位相を一定とするよう
に特徴つけられる。
【０００６】発明の要旨内で、少なくとも一つのRCフィ
ルタを分布型RCフィルタとするのが特に好適である。
ルタを分布型RCフィルタとするのが特に好適である。
【０００７】また、少なくとも一つのRCフィルタを離散
型RCフィルタとすることもできる。前記分布型RCフィル
タの上側電極を抵抗性とすることができる。好適には、
前記分布型RCフィルタの下側電極を抵抗性とする。或は
又、少なくとも１つのRCフィルタはノッチ抵抗を有する
RCノッチフィルタとするのが好適である。
型RCフィルタとすることもできる。前記分布型RCフィル
タの上側電極を抵抗性とすることができる。好適には、
前記分布型RCフィルタの下側電極を抵抗性とする。或は
又、少なくとも１つのRCフィルタはノッチ抵抗を有する
RCノッチフィルタとするのが好適である。
【０００８】発明の要旨内で、少なくとも一つのRCフィ
ルタを分布型RCフィルタとするとともにノッチ抵抗を分
布型抵抗素子とする。
ルタを分布型RCフィルタとするとともにノッチ抵抗を分
布型抵抗素子とする。
【０００９】この例は、構成を簡単化し、周波数特性を
極めて良好とし、処理変化に対する安定性を極めて良好
とする。
極めて良好とし、処理変化に対する安定性を極めて良好
とする。
【００１０】さらに、前記基板は熱伝導材料で造るのが
好適である。Al2O3のような熱伝導材料上にRCフィルタ
を製造することにより、RCフィルタに及ぼす温度の影響
を同一とすることができる。また、本発明は、抵抗と、
各々が下側電極、上側電極および誘電体材料を有するコ
ンデンサとをそれぞれ有する少なくとも２つのRCフィル
タを具える薄膜構成素子において、前記RCフィルタを共
通基板に配列し得るようにする。
好適である。Al2O3のような熱伝導材料上にRCフィルタ
を製造することにより、RCフィルタに及ぼす温度の影響
を同一とすることができる。また、本発明は、抵抗と、
各々が下側電極、上側電極および誘電体材料を有するコ
ンデンサとをそれぞれ有する少なくとも２つのRCフィル
タを具える薄膜構成素子において、前記RCフィルタを共
通基板に配列し得るようにする。
【００１１】本発明のその他の要旨は以下に示す３つの
実施例から明らかである。
実施例から明らかである。
【００１２】
【実施例】本発明零−IFコンバータは、抵抗と、各々が
上側電極１、誘電体材料２および下側電極３を有するコ
ンデンサとをそれぞれ具え、何れも共通基板に配列され
た少なくとも２つのRCフィルタを含む薄膜構成素子を具
える。
上側電極１、誘電体材料２および下側電極３を有するコ
ンデンサとをそれぞれ具え、何れも共通基板に配列され
た少なくとも２つのRCフィルタを含む薄膜構成素子を具
える。
【００１３】RCフィルタの構成部分である抵抗およびコ
ンデンサ並びにノッチ抵抗は離散型または分布型となる
ように構成することができる。
ンデンサ並びにノッチ抵抗は離散型または分布型となる
ように構成することができる。
【００１４】例えば、薄膜構成素子はRCノッチフィルタ
が分布型抵抗性上側電極および分布型抵抗性下側電極を
具えるように構成することができる。
が分布型抵抗性上側電極および分布型抵抗性下側電極を
具えるように構成することができる。
【００１５】或は又、薄膜構成素子はRCノッチフィルタ
が分布型抵抗性上側電極および高導電性下側電極を具え
るように構成することができる。この場合には、下側電
極および質量間のノッチ抵抗性は基板上に集積化された
離散薄膜抵抗となるように構成する。
が分布型抵抗性上側電極および高導電性下側電極を具え
るように構成することができる。この場合には、下側電
極および質量間のノッチ抵抗性は基板上に集積化された
離散薄膜抵抗となるように構成する。
【００１６】他の例では、薄膜構成素子はRCノッチフィ
ルタが分布型抵抗性下側電極および高導電性上側電極を
具えるように構成することができる。この場合には、上
側電極および質量間のノッチ抵抗は基板上に集積化され
た離散薄膜抵抗となるように構成する。
ルタが分布型抵抗性下側電極および高導電性上側電極を
具えるように構成することができる。この場合には、上
側電極および質量間のノッチ抵抗は基板上に集積化され
た離散薄膜抵抗となるように構成する。
【００１７】或は又、薄膜構成素子はRCノッチフィルタ
が基板上に集積化された離散型薄膜抵抗および薄膜コン
デンサを具えるように構成することができる。
が基板上に集積化された離散型薄膜抵抗および薄膜コン
デンサを具えるように構成することができる。
【００１８】一般に、フィルタは２つのベースバンド信
号IおよびQの各々の信号に対して設けられ、両フィルタ
は共通基板に対称的に設置される。分布型RCフィルタは
低域通過フィルタと同様の伝送特性を呈する。分布型RC
ノッチフィルタは低域通過フィルタと同様の伝送特性を
呈するが、追加的にある周波数で強い減衰を呈する
（“ノッチ”）。
号IおよびQの各々の信号に対して設けられ、両フィルタ
は共通基板に対称的に設置される。分布型RCフィルタは
低域通過フィルタと同様の伝送特性を呈する。分布型RC
ノッチフィルタは低域通過フィルタと同様の伝送特性を
呈するが、追加的にある周波数で強い減衰を呈する
（“ノッチ”）。
【００１９】薄膜構成素子は既知の薄膜および写真食刻
技術によって製造することができる。これら分布型RCフ
ィルタの製造に薄膜技術を用いることによってフィルタ
の公差を極めて小さくすることができる。さらに、Al2O
3のような高熱伝導材料上に両RCフィルタを製造するこ
とにより、両RCフィルタに及ぼす温度の影響を同一とす
るとともに信号IおよびQ間の位相および振幅関係を良好
に保持し得るようにすることができる。本発明方法で
は、薄膜技術を適用し、基板上にコンデンサおよび抵抗
を製造することによって、従来構成のフィルタに比べて
極めて小型のRCフィルタを得ることができる。
技術によって製造することができる。これら分布型RCフ
ィルタの製造に薄膜技術を用いることによってフィルタ
の公差を極めて小さくすることができる。さらに、Al2O
3のような高熱伝導材料上に両RCフィルタを製造するこ
とにより、両RCフィルタに及ぼす温度の影響を同一とす
るとともに信号IおよびQ間の位相および振幅関係を良好
に保持し得るようにすることができる。本発明方法で
は、薄膜技術を適用し、基板上にコンデンサおよび抵抗
を製造することによって、従来構成のフィルタに比べて
極めて小型のRCフィルタを得ることができる。
【００２０】共通基板の材料として、平坦化層（例えば
ガラス）、ガラスまたはシリコンを有するか、または有
さない酸化アルミニウムのような熱伝導材料より成る基
板を使用する。
ガラス）、ガラスまたはシリコンを有するか、または有
さない酸化アルミニウムのような熱伝導材料より成る基
板を使用する。
【００２１】共通基板にはダイオードその他能動回路の
ような能動構成素子を配列することもできる。ダイオー
ドは例えばRCフィルタのESD保護として用いる。
ような能動構成素子を配列することもできる。ダイオー
ドは例えばRCフィルタのESD保護として用いる。
【００２２】本発明の実施例によれば、上側電極および
下側電極は高熱伝導材料または抵抗材料で造ることがで
きる。好適には、特定の抵抗の温度依存性が低い材料を
抵抗材料として用いることができる。温度依存性の極め
て低い抵抗材料としては、 NixCry (0<x<1, 0<y<1)、 Ni
xCryAlz (0<x<1, 0<y<1, 0<z<1)、 CuxNiy (0<x<1, 0<y<
1)、 TaxNy (0<x<1,0<y<1)、 TixWy (0<x<1, 0<y<1)、 Ti
xWyNz (0<x<1, 0<y<1, 0<z<1)、 CrxSiyOz (0<x<1, 0<y<
1, 0<z<1)、 CrxSiyNz (0<x<1, 0<y<1, 0<z<1)を用いる
ことができる。
下側電極は高熱伝導材料または抵抗材料で造ることがで
きる。好適には、特定の抵抗の温度依存性が低い材料を
抵抗材料として用いることができる。温度依存性の極め
て低い抵抗材料としては、 NixCry (0<x<1, 0<y<1)、 Ni
xCryAlz (0<x<1, 0<y<1, 0<z<1)、 CuxNiy (0<x<1, 0<y<
1)、 TaxNy (0<x<1,0<y<1)、 TixWy (0<x<1, 0<y<1)、 Ti
xWyNz (0<x<1, 0<y<1, 0<z<1)、 CrxSiyOz (0<x<1, 0<y<
1, 0<z<1)、 CrxSiyNz (0<x<1, 0<y<1, 0<z<1)を用いる
ことができる。
【００２３】或は又、IC処理と両立して特徴付けられる
例えばポリシリコンのような特定の抵抗に依存する大き
な温度依存性を有する抵抗材料を用いることもできる。
抵抗材料の温度依存性はこの目的に対して選択されたコ
ンデンサ材料の逆温度依存性によってこれらの例に対し
て相殺される。
例えばポリシリコンのような特定の抵抗に依存する大き
な温度依存性を有する抵抗材料を用いることもできる。
抵抗材料の温度依存性はこの目的に対して選択されたコ
ンデンサ材料の逆温度依存性によってこれらの例に対し
て相殺される。
【００２４】コンデンサ材料としては、SixNy (0<x<1,
0<y<1)、 SixOy (0<x<1, 0<y<1)、 Si xOyNzHw (0<x<1, 0<
y<1, 0<z<1, 0<w<1)、 AlxOy (0<x<1, 0<y<1)、 TixO
y (0<x<1, 0<y<1)、 TaxOy (0<x<1, 0<y<1)、 Bal-xSrxTi
O3ただしO<x<1、 Mnドープの場合またはドープしない場
合の、SrZrxTi1-xO3ただしO<x<1、 BaO-Ln203-TiO2 ただ
しLn=La, Ce, Nd, Sm; Eu、 Nb, Y, La, Pr, Niをドープ
した場合の、MgO - TiO2 -CaOA1203 - SiO2; Mnをドー
プした場合の、Ba2Ti9020、 Ba2Ti9-xZrxO20 ただしO<x<
1; BaTi5Oll、 BaTi4O9、 Nb2O5; (Ta2O5)x および(A1
2O3)1-x または (Ta2O5)x および(TiO2)1-x または (Ta
2O5)x および Ｎb2O5)1-x または (Ta2O5)x および (Si
O2)1-xの混合酸化物; (Sr, Ca)(Ti, Zr)O3; BaO - SrO
- CaO - Nd2O3- Gd2O3 - Nb2O5 - TiO2; CaSm2Ti5O14;
Zr(Ti, Sn)O4; BaO - PbO - Nd2O3 - Pr2O3 - Bi2O3TiO
2; Ba(Zr,Zn,Ta)O3; CaTiO3 および LaA1O3;(Bi3(Ni2N
b)O9)1-x((Bi2(ZnNb2(l＋d))yO３＋６ｙ＋５yd)xの混合
酸化物ただし0<x<1, 0.5<y<1.5および -0.05<d<+0.05;
PbZrxTi1−xO3 ただし0<x<1、 Pb1-ayLayZrxTil-xO3 た
だし0<y<0.20, 1.3<a<1.5; 0<x<1, Pbl-ayLayTiO3 ただ
し0<y<0.3, 1.3<a<1.5;NbおよびCoをドープした場合
の、(Pb,Ca)TiO3, BaTiO3、 BaZrxTi1_xO3 ただしO<x<1、
Ba1-ySryZrxTil-xO3ただし0<x<1, 0< y<1、 Ba1-xSrxTi
O3ただし0<x<1、 La,Nb, Fe, Mnをドープした場合の、Sr
TiO3、 (BaTiO3)x +（Ｎd2O3)y+(TiO2)zただし0.1<x<0.
3, 0.2<y<0.4, 0.2<z<0.4、CaZrO3、 (Sr,Ca)(Ti,Zr)O3、
(Sr,Ca,M)(Ti,Zr)O3 ただしM=MgまたはZn; BaO - TiO2
- Nd2O3 - Nb2O5、 BaO - PbO - Nd2O3 - TiO2; Ba(Zn,T
a)O3、 BaZrO3、 PbNbx ((Zr0.6Sn0.4)1-yTiy)1−xO3、[Pb
(Mgl/3Nb2/3)O3]x - [PbTiO3]1-x 0<x<1、 (Pb,Ba,Sr)
(Mgl/3Nb2/3)xTiy (Zn1/3Nb2/3) 1-x-yO3 ただし0<x<1、0
<y<1、Pb(Mg0.5W0.5)O3、 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3、Pb(Fe2/3W
l/3)O3、Pb(Mg1/2Wl/2)O3、 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3、 Pb(Zn1/3
Nb2/3)O3のような鉛含有Perowskite; (Sc1/2Ta1/2)O3,
並びにPbTiO3 を有するこれら鉛含有Perowskiteの組合
せ、および鉛が過剰である場合または過剰でない場合
の、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3を用いることができる。
0<y<1)、 SixOy (0<x<1, 0<y<1)、 Si xOyNzHw (0<x<1, 0<
y<1, 0<z<1, 0<w<1)、 AlxOy (0<x<1, 0<y<1)、 TixO
y (0<x<1, 0<y<1)、 TaxOy (0<x<1, 0<y<1)、 Bal-xSrxTi
O3ただしO<x<1、 Mnドープの場合またはドープしない場
合の、SrZrxTi1-xO3ただしO<x<1、 BaO-Ln203-TiO2 ただ
しLn=La, Ce, Nd, Sm; Eu、 Nb, Y, La, Pr, Niをドープ
した場合の、MgO - TiO2 -CaOA1203 - SiO2; Mnをドー
プした場合の、Ba2Ti9020、 Ba2Ti9-xZrxO20 ただしO<x<
1; BaTi5Oll、 BaTi4O9、 Nb2O5; (Ta2O5)x および(A1
2O3)1-x または (Ta2O5)x および(TiO2)1-x または (Ta
2O5)x および Ｎb2O5)1-x または (Ta2O5)x および (Si
O2)1-xの混合酸化物; (Sr, Ca)(Ti, Zr)O3; BaO - SrO
- CaO - Nd2O3- Gd2O3 - Nb2O5 - TiO2; CaSm2Ti5O14;
Zr(Ti, Sn)O4; BaO - PbO - Nd2O3 - Pr2O3 - Bi2O3TiO
2; Ba(Zr,Zn,Ta)O3; CaTiO3 および LaA1O3;(Bi3(Ni2N
b)O9)1-x((Bi2(ZnNb2(l＋d))yO３＋６ｙ＋５yd)xの混合
酸化物ただし0<x<1, 0.5<y<1.5および -0.05<d<+0.05;
PbZrxTi1−xO3 ただし0<x<1、 Pb1-ayLayZrxTil-xO3 た
だし0<y<0.20, 1.3<a<1.5; 0<x<1, Pbl-ayLayTiO3 ただ
し0<y<0.3, 1.3<a<1.5;NbおよびCoをドープした場合
の、(Pb,Ca)TiO3, BaTiO3、 BaZrxTi1_xO3 ただしO<x<1、
Ba1-ySryZrxTil-xO3ただし0<x<1, 0< y<1、 Ba1-xSrxTi
O3ただし0<x<1、 La,Nb, Fe, Mnをドープした場合の、Sr
TiO3、 (BaTiO3)x +（Ｎd2O3)y+(TiO2)zただし0.1<x<0.
3, 0.2<y<0.4, 0.2<z<0.4、CaZrO3、 (Sr,Ca)(Ti,Zr)O3、
(Sr,Ca,M)(Ti,Zr)O3 ただしM=MgまたはZn; BaO - TiO2
- Nd2O3 - Nb2O5、 BaO - PbO - Nd2O3 - TiO2; Ba(Zn,T
a)O3、 BaZrO3、 PbNbx ((Zr0.6Sn0.4)1-yTiy)1−xO3、[Pb
(Mgl/3Nb2/3)O3]x - [PbTiO3]1-x 0<x<1、 (Pb,Ba,Sr)
(Mgl/3Nb2/3)xTiy (Zn1/3Nb2/3) 1-x-yO3 ただし0<x<1、0
<y<1、Pb(Mg0.5W0.5)O3、 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3、Pb(Fe2/3W
l/3)O3、Pb(Mg1/2Wl/2)O3、 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3、 Pb(Zn1/3
Nb2/3)O3のような鉛含有Perowskite; (Sc1/2Ta1/2)O3,
並びにPbTiO3 を有するこれら鉛含有Perowskiteの組合
せ、および鉛が過剰である場合または過剰でない場合
の、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3を用いることができる。
【００２５】実施例１ 本例は図１に示す基本回路に従って大きさ１２１０(3.0
mm×2.4mm)のAl2O3基板上に個別のノッチ(切欠き)抵抗
を有する２つの分布型RCノッチフィルタを具える薄膜構
成素子に関するものである。この分布型上側電極はフィ
ルタの入力または出力を形成する。下側電極はノッチ抵
抗Rを経て接地する。
mm×2.4mm)のAl2O3基板上に個別のノッチ(切欠き)抵抗
を有する２つの分布型RCノッチフィルタを具える薄膜構
成素子に関するものである。この分布型上側電極はフィ
ルタの入力または出力を形成する。下側電極はノッチ抵
抗Rを経て接地する。
【００２６】薄膜構成素子の構成を図２および図３に示
す。厚さ1.1μｍで55pF/mm2の誘電体層を厚さがほぼ0.5
-3μｍのアルミニウムAlの下側電極に堆積する。その上
には表面抵抗がほぼ100Ω/□のNiCrAlの分布型抵抗層と
して作用する上側電極を設ける。抵抗値が15.8ΩのNiCr
Alの個別のノッチ抵抗を下側電極に接続する。フィルタ
の作動中この抵抗は電気的に接地される。この抵抗の入
力端子および出力端子は上側電極に位置する。
す。厚さ1.1μｍで55pF/mm2の誘電体層を厚さがほぼ0.5
-3μｍのアルミニウムAlの下側電極に堆積する。その上
には表面抵抗がほぼ100Ω/□のNiCrAlの分布型抵抗層と
して作用する上側電極を設ける。抵抗値が15.8ΩのNiCr
Alの個別のノッチ抵抗を下側電極に接続する。フィルタ
の作動中この抵抗は電気的に接地される。この抵抗の入
力端子および出力端子は上側電極に位置する。
【００２７】他の例では、上側電極および下側電極を交
換する。この場合には、個別の抵抗を上側電極に接続
し、次いで接地する。
換する。この場合には、個別の抵抗を上側電極に接続
し、次いで接地する。
【００２８】薄膜構成素子はSi3N4またはポリイミドの
保護層によって湿度から保護するとともにこれにCu/Ni/
Sn合金の標準SMD端部接点を設ける。
保護層によって湿度から保護するとともにこれにCu/Ni/
Sn合金の標準SMD端部接点を設ける。
【００２９】実施例２ 本例は、図４に示す基本回路に従って大きさ１２１０
(3.0mm×2.4mm)のAl2O3基板上に分布型ノッチ抵抗を有
する２つの分布型RCノッチフィルタを具える薄膜構成素
子に関するものである。薄膜構成素子の構成を図５およ
び図６に示す。55pF/mm2のコンデンサとして、1.1μｍ
厚さのSi3N4の誘電体層を表面抵抗が8.5Ω/□のNiCrAl
抵抗層の下側電極上に堆積する。表面抵抗が100Ω/□の
上側電極としてNiCrAlの抵抗層をその上に設ける。下側
抵抗自体は分布型ノッチ抵抗を構成するとともにフィル
タの作動中電気的に接地される。
(3.0mm×2.4mm)のAl2O3基板上に分布型ノッチ抵抗を有
する２つの分布型RCノッチフィルタを具える薄膜構成素
子に関するものである。薄膜構成素子の構成を図５およ
び図６に示す。55pF/mm2のコンデンサとして、1.1μｍ
厚さのSi3N4の誘電体層を表面抵抗が8.5Ω/□のNiCrAl
抵抗層の下側電極上に堆積する。表面抵抗が100Ω/□の
上側電極としてNiCrAlの抵抗層をその上に設ける。下側
抵抗自体は分布型ノッチ抵抗を構成するとともにフィル
タの作動中電気的に接地される。
【００３０】他の例によれば、下側電極および上側電極
を交換することができる。この場合には、上側電極は分
布型ノッチ抵抗を形成するとともにフィルタの作動中電
気的に接地される。
を交換することができる。この場合には、上側電極は分
布型ノッチ抵抗を形成するとともにフィルタの作動中電
気的に接地される。
【００３１】薄膜構成素子はSi3N4またはポリイミドの
保護層によって湿度から保護するとともにこれにCu/Ni/
Sn合金の標準SMD端部接点を設ける。
保護層によって湿度から保護するとともにこれにCu/Ni/
Sn合金の標準SMD端部接点を設ける。
【００３２】２つのRCフィルタを有するかかる薄膜構成
素子の入力電圧および出力電圧間の基本伝送比(Ua/Ue)
を図７の周波数に依存して示す。入力端子は50Ωで終端
するとともに出力端子は10kΩで終端した。
素子の入力電圧および出力電圧間の基本伝送比(Ua/Ue)
を図７の周波数に依存して示す。入力端子は50Ωで終端
するとともに出力端子は10kΩで終端した。
【００３３】実施例３ 本例は、個別の薄膜抵抗および薄膜コンデンサより成
り、共通基板上に集積化された２つのRCノッチフィルタ
を具える薄膜構成素子に関するものである。
り、共通基板上に集積化された２つのRCノッチフィルタ
を具える薄膜構成素子に関するものである。
【００３４】各RCノッチフィルタは、図８に示すよう
に、３つのコンデンサおよび４つの抵抗で構成する。所
望のフィルタ曲線に応じて、コンデンサおよび抵抗の数
を増減することもできる。R1=300Ω、R2=402Ω、R3=249
Ω、Rノッチ=13Ω、C1=39pF、C2=39pFおよびC3=3pFの２
つのRCフィルタを具えるかかる薄膜構成素子の入力電圧
および出力電圧間の基本伝送比(Ua/Ue)を図９の周波数
に依存して示す。この入力端子は50Ωで終端し、出力端
子は10kΩで終端する。
に、３つのコンデンサおよび４つの抵抗で構成する。所
望のフィルタ曲線に応じて、コンデンサおよび抵抗の数
を増減することもできる。R1=300Ω、R2=402Ω、R3=249
Ω、Rノッチ=13Ω、C1=39pF、C2=39pFおよびC3=3pFの２
つのRCフィルタを具えるかかる薄膜構成素子の入力電圧
および出力電圧間の基本伝送比(Ua/Ue)を図９の周波数
に依存して示す。この入力端子は50Ωで終端し、出力端
子は10kΩで終端する。
【図１】 離散型ノッチ抵抗を有する２つのRCノッチフ
ィルタを具える本発明による薄膜構成素子の基本回路を
示す回路図である。
ィルタを具える本発明による薄膜構成素子の基本回路を
示す回路図である。
【図２】 図１の薄膜構成素子の断面図である。
【図３】 図１の薄膜構成素子の平面図である。
【図４】 分布型ノッチ抵抗を有する２つのRCノッチフ
ィルタを具える本発明による薄膜構成素子の基本回路を
示す回路図である。
ィルタを具える本発明による薄膜構成素子の基本回路を
示す回路図である。
【図５】 図４の薄膜構成素子の断面図である。
【図６】 図４の薄膜構成素子の平面図である。
【図７】 図４の薄膜構成素子の伝達特性を示す特性図
である。
である。
【図８】 ２つの離散RCフィルタを具える薄膜構成素子
の基本回路図である。
の基本回路図である。
【図９】 図８による薄膜構成素子の伝送特性を示す特
性図である。
性図である。
１ 上側電極 ２ 誘電体材料 ３ 下側電極
フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 ポール ファン オッペン オランダ国 6042 ヘーヘー ルールモン ト ブレーデウェッハ 10 (72)発明者 テオ レイクス オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン ６ (72)発明者 マレイク クリー ドイツ国 41836 ヒュッケルホーフェン −ランデルアス ランデルアーサー ウェ ッハ 27 (72)発明者 ヘルト ドードマン オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン ６
Claims (9)
- 【請求項１】 抵抗と、各々が下側電極、上側電極およ
び誘電体材料を有するコンデンサとをそれぞれ有する少
なくとも２つのRCフィルタを含む薄膜構成素子を具える
零−IFコンバータにおいて、前記RCフィルタは共通基板
に配列するようにしたことを特徴とする零−IFコンバー
タ。 - 【請求項２】 少なくとも一つのRCフィルタを分布型RC
フィルタとすることを特徴とする請求項１に記載の零−
IFコンバータ。 - 【請求項３】 少なくとも一つのRCフィルタを離散型RC
フィルタとすることを特徴とする請求項１に記載の零−
IFコンバータ。 - 【請求項４】 前記分布型RCフィルタの上側電極を抵抗
性とすることを特徴とする請求項２に記載の零−IFコン
バータ。 - 【請求項５】 前記分布型RCフィルタの下側電極を抵抗
性とすることを特徴とする請求項２に記載の零−IFコン
バータ。 - 【請求項６】 少なくとも１つのRCフィルタはノッチ抵
抗を有するRCノッチフィルタとすることを特徴とする請
求項１に記載の零−IFコンバータ。 - 【請求項７】 前記ノッチ抵抗は離散型抵抗素子とする
ことを特徴とする請求項６に記載の零−IFコンバータ。 - 【請求項８】 前記基板は熱伝導材料で造ることを特徴
とする請求項１に記載の零−IFコンバータ。 - 【請求項９】 抵抗と、各々が下側電極、上側電極およ
び誘電体材料を有するコンデンサとをそれぞれ有する少
なくとも２つのRCフィルタを具える薄膜構成素子におい
て、前記RCフィルタは共通基板に配列するようにしたこ
とを特徴とする薄膜構成素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19902865A DE19902865A1 (de) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | Zero-IF-Konverter mit RC-Filter |
| DE19902865:6 | 1999-01-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299709A true JP2000299709A (ja) | 2000-10-24 |
| JP2000299709A5 JP2000299709A5 (ja) | 2007-03-01 |
Family
ID=7895323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000007882A Pending JP2000299709A (ja) | 1999-01-25 | 2000-01-17 | Ｒｃフィルタ付き零−ｉｆコンバータ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6522223B1 (ja) |
| EP (1) | EP1022851A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000299709A (ja) |
| DE (1) | DE19902865A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004517756A (ja) * | 2001-01-18 | 2004-06-17 | トーンジェット リミテッド | ドロップオンデマンドプリンタのための電極 |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| US7088962B2 (en) * | 2003-12-04 | 2006-08-08 | Broadcom Corporation | On-chip loop filter for a PLL |
| ATE441969T1 (de) * | 2004-04-30 | 2009-09-15 | Telegent Systems Inc | Integrierter analogvideoempfänger |
| US7508451B2 (en) * | 2004-04-30 | 2009-03-24 | Telegent Systems, Inc. | Phase-noise mitigation in an integrated analog video receiver |
| US7202760B2 (en) * | 2004-06-01 | 2007-04-10 | Werlatone, Inc. | Resistive voltage divider |
| EP1691383A1 (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-16 | TDK Corporation | Capacitor, method of making the same, filter using the same, and dielectric thin film used for the same |
| CN113922025A (zh) * | 2020-07-09 | 2022-01-11 | 大富科技(安徽)股份有限公司 | 通信设备及其波导滤波器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3569872A (en) * | 1968-11-27 | 1971-03-09 | Vitramon Inc | Electronic component |
| GB1424980A (en) * | 1973-06-20 | 1976-02-11 | Siemens Ag | Thin-film electrical circuits |
| US5495387A (en) * | 1991-08-09 | 1996-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | RC array |
| US5530722A (en) | 1992-10-27 | 1996-06-25 | Ericsson Ge Mobile Communications Inc. | Quadrature modulator with integrated distributed RC filters |
| US5889445A (en) * | 1997-07-22 | 1999-03-30 | Avx Corporation | Multilayer ceramic RC device |
-
1999
- 1999-01-25 DE DE19902865A patent/DE19902865A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-01-12 US US09/481,143 patent/US6522223B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-17 EP EP00200181A patent/EP1022851A3/de not_active Withdrawn
- 2000-01-17 JP JP2000007882A patent/JP2000299709A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004517756A (ja) * | 2001-01-18 | 2004-06-17 | トーンジェット リミテッド | ドロップオンデマンドプリンタのための電極 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1022851A2 (de) | 2000-07-26 |
| DE19902865A1 (de) | 2000-07-27 |
| US6522223B1 (en) | 2003-02-18 |
| EP1022851A3 (de) | 2001-03-21 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100126 |