JP2000294756A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子及びその製造方法Info
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- JP2000294756A JP2000294756A JP11098656A JP9865699A JP2000294756A JP 2000294756 A JP2000294756 A JP 2000294756A JP 11098656 A JP11098656 A JP 11098656A JP 9865699 A JP9865699 A JP 9865699A JP 2000294756 A JP2000294756 A JP 2000294756A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーフィルターのパターンエッジ形状の善
し悪しに左右されることなく、このエッジ形状に起因し
て発生する画像欠陥を抑制できる固体撮像素子及びその
製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る固体撮像素子は、受光部４
と、前記受光部４の上方に互いに隣接して形成された異
なる色のカラーフィルター２ａ〜２ｃと、前記カラーフ
ィルターの境界部分上に形成された遮光用パターン５
と、を具備するものである。前記遮光用パターン５とし
ては、可視光の透過率が１０％以下のものを用いる。こ
れにより、カラーフィルターの境界付近を通る光を遮光
用パターン５により完全に遮光でき、カラーフィルター
のパターンエッジ形状に起因して発生する画像欠陥を抑
制できる。
し悪しに左右されることなく、このエッジ形状に起因し
て発生する画像欠陥を抑制できる固体撮像素子及びその
製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る固体撮像素子は、受光部４
と、前記受光部４の上方に互いに隣接して形成された異
なる色のカラーフィルター２ａ〜２ｃと、前記カラーフ
ィルターの境界部分上に形成された遮光用パターン５
と、を具備するものである。前記遮光用パターン５とし
ては、可視光の透過率が１０％以下のものを用いる。こ
れにより、カラーフィルターの境界付近を通る光を遮光
用パターン５により完全に遮光でき、カラーフィルター
のパターンエッジ形状に起因して発生する画像欠陥を抑
制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、互いに隣接する異
なる色のカラーフィルターを備えた固体撮像素子及びそ
の製造方法に関するものである。
なる色のカラーフィルターを備えた固体撮像素子及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の固体撮像素子の概略構造
を示す断面図である。シリコン基板１０の表面にはイメ
ージエリアを構成する複数の受光部４が形成されてい
る。これら受光部４の相互間上且つシリコン基板１０上
にはポリシリコンからなる転送電極７が形成されてい
る。転送電極７の上にはアルミニウム等からなる遮光膜
８が形成されており、遮光膜８を含む全面上にはデバイ
ス保護膜９が形成されている。
を示す断面図である。シリコン基板１０の表面にはイメ
ージエリアを構成する複数の受光部４が形成されてい
る。これら受光部４の相互間上且つシリコン基板１０上
にはポリシリコンからなる転送電極７が形成されてい
る。転送電極７の上にはアルミニウム等からなる遮光膜
８が形成されており、遮光膜８を含む全面上にはデバイ
ス保護膜９が形成されている。
【０００３】デバイス保護膜９の上には、平坦な表面を
備えた樹脂からなる平坦化膜３が形成されている。この
平坦化膜３の上には３色のカラーフィルター２ａ〜２ｃ
が形成されており、左から順に赤フィルター２ａ、緑フ
ィルター２ｂ、青フィルター２ｃが配置されている。カ
ラーフィルター２ａ〜２ｃは染色法又はカラーレジスト
法を用いて形成される。また、カラーフィルター２ａ〜
２ｃの上にはマイクロレンズ１が形成されている。
備えた樹脂からなる平坦化膜３が形成されている。この
平坦化膜３の上には３色のカラーフィルター２ａ〜２ｃ
が形成されており、左から順に赤フィルター２ａ、緑フ
ィルター２ｂ、青フィルター２ｃが配置されている。カ
ラーフィルター２ａ〜２ｃは染色法又はカラーレジスト
法を用いて形成される。また、カラーフィルター２ａ〜
２ｃの上にはマイクロレンズ１が形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
固体撮像素子では、３色のカラーフィルター２ａ〜２ｃ
の境界部分を適切な形状に形成することができないこと
がある。例えば、赤フィルター２ａのエッジに緑フィル
ター２ｂのエッジが乗り上げてしまったり、緑フィルタ
ー２ｂと青フィルター２ｃとの境界部分に隙間が形成さ
れてしまうことがある。その結果、色の境界が不安定と
なり、マイクロレンズ１を通過し、カラーフィルターの
境界付近を通る光が不安定に妨げられ、この光が受光部
４に入ったり、入らなかったりすることにより、画像欠
陥を生じさせていた。従って、固体撮像素子では、この
ような画像欠陥を抑制するためにカラーフィルターにお
ける悪いパターンエッジ形状による影響を少なくするこ
とが求められている。
固体撮像素子では、３色のカラーフィルター２ａ〜２ｃ
の境界部分を適切な形状に形成することができないこと
がある。例えば、赤フィルター２ａのエッジに緑フィル
ター２ｂのエッジが乗り上げてしまったり、緑フィルタ
ー２ｂと青フィルター２ｃとの境界部分に隙間が形成さ
れてしまうことがある。その結果、色の境界が不安定と
なり、マイクロレンズ１を通過し、カラーフィルターの
境界付近を通る光が不安定に妨げられ、この光が受光部
４に入ったり、入らなかったりすることにより、画像欠
陥を生じさせていた。従って、固体撮像素子では、この
ような画像欠陥を抑制するためにカラーフィルターにお
ける悪いパターンエッジ形状による影響を少なくするこ
とが求められている。
【０００５】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、カラーフィルターのパタ
ーンエッジ形状の善し悪しに左右されることなく、この
エッジ形状に起因して発生する画像欠陥を抑制できる固
体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、カラーフィルターのパタ
ーンエッジ形状の善し悪しに左右されることなく、この
エッジ形状に起因して発生する画像欠陥を抑制できる固
体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る固体撮像素子は、受光部と、前記受光
部の上方に互いに隣接して形成された異なる色のカラー
フィルターと、前記カラーフィルターの境界部分上に形
成された遮光用パターンと、を具備することを特徴とす
る。また、前記遮光用パターンは、可視光の透過率が１
０％以下のものであることが好ましい。
め、本発明に係る固体撮像素子は、受光部と、前記受光
部の上方に互いに隣接して形成された異なる色のカラー
フィルターと、前記カラーフィルターの境界部分上に形
成された遮光用パターンと、を具備することを特徴とす
る。また、前記遮光用パターンは、可視光の透過率が１
０％以下のものであることが好ましい。
【０００７】上記固体撮像素子では、カラーフィルター
のエッジが不適切な形状となっていても、カラーフィル
ターの境界部分上に遮光用パターンを形成することによ
り、カラーフィルターの境界付近を通る光を遮光用パタ
ーンにより完全に遮光することができる。このため、カ
ラーフィルターのパターンエッジ形状の善し悪しに左右
されることなく、カラーフィルターのパターンエッジに
起因して発生する画像欠陥を抑制することができる。
のエッジが不適切な形状となっていても、カラーフィル
ターの境界部分上に遮光用パターンを形成することによ
り、カラーフィルターの境界付近を通る光を遮光用パタ
ーンにより完全に遮光することができる。このため、カ
ラーフィルターのパターンエッジ形状の善し悪しに左右
されることなく、カラーフィルターのパターンエッジに
起因して発生する画像欠陥を抑制することができる。
【０００８】本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、
半導体基板に受光部を形成する工程と、前記受光部の上
方に互いに隣接する異なる色のカラーフィルターを形成
する工程と、前記カラーフィルターの境界部分上に遮光
用パターンを形成する工程と、を具備することを特徴と
する。また、前記遮光用パターンは、Ｂｌａｃｋのカラ
ーレジスト又は染色によるＢｌａｃｋレジストであるこ
とが好ましい。
半導体基板に受光部を形成する工程と、前記受光部の上
方に互いに隣接する異なる色のカラーフィルターを形成
する工程と、前記カラーフィルターの境界部分上に遮光
用パターンを形成する工程と、を具備することを特徴と
する。また、前記遮光用パターンは、Ｂｌａｃｋのカラ
ーレジスト又は染色によるＢｌａｃｋレジストであるこ
とが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。図１は、本発明の従来の
実施の形態による固体撮像素子の概略構造を示す断面図
である。
実施の形態について説明する。図１は、本発明の従来の
実施の形態による固体撮像素子の概略構造を示す断面図
である。
【００１０】シリコン基板１０の表面にはイメージエリ
アを構成する複数の受光部４が形成されている。これら
受光部４の相互間上且つシリコン基板１０上にはポリシ
リコンからなる転送電極７が形成されている。転送電極
７の上にはアルミニウム等からなる遮光膜８が形成され
ており、遮光膜８を含む全面上にはデバイス保護膜９が
形成されている。
アを構成する複数の受光部４が形成されている。これら
受光部４の相互間上且つシリコン基板１０上にはポリシ
リコンからなる転送電極７が形成されている。転送電極
７の上にはアルミニウム等からなる遮光膜８が形成され
ており、遮光膜８を含む全面上にはデバイス保護膜９が
形成されている。
【００１１】デバイス保護膜９の上には、平坦な表面を
備えた樹脂からなる平坦化膜３が形成されている。この
平坦化膜３の上には３色のカラーフィルター２ａ〜２ｃ
が形成されており、左から順に赤フィルター２ａ、緑フ
ィルター２ｂ、青フィルター２ｃが配置されている。カ
ラーフィルター２ａ〜２ｃの境界部分上には遮光用パタ
ーン５が設けられている。即ち、赤フィルター２ａと緑
フィルター２ｂの両エッジを覆うようにその上には遮光
用パターン５が形成されており、緑フィルター２ｂと青
フィルター２ｃの両エッジを覆うようにその上には遮光
用パターン５が形成されている。遮光用パターン５とし
ては、例えばＢｌａｃｋのカラーレジスト又は染色によ
るＢｌａｃｋレジストが用いられる。遮光パターン５及
びカラーフィルター２ａ〜２ｃの上にはマイクロレンズ
１が形成されている。なお、上記Ｂｌａｃｋとは、可視
光領域で透過率１０％以下のものをいう。
備えた樹脂からなる平坦化膜３が形成されている。この
平坦化膜３の上には３色のカラーフィルター２ａ〜２ｃ
が形成されており、左から順に赤フィルター２ａ、緑フ
ィルター２ｂ、青フィルター２ｃが配置されている。カ
ラーフィルター２ａ〜２ｃの境界部分上には遮光用パタ
ーン５が設けられている。即ち、赤フィルター２ａと緑
フィルター２ｂの両エッジを覆うようにその上には遮光
用パターン５が形成されており、緑フィルター２ｂと青
フィルター２ｃの両エッジを覆うようにその上には遮光
用パターン５が形成されている。遮光用パターン５とし
ては、例えばＢｌａｃｋのカラーレジスト又は染色によ
るＢｌａｃｋレジストが用いられる。遮光パターン５及
びカラーフィルター２ａ〜２ｃの上にはマイクロレンズ
１が形成されている。なお、上記Ｂｌａｃｋとは、可視
光領域で透過率１０％以下のものをいう。
【００１２】次に、図１に示す固体撮像素子の製造方法
について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は、図１の固体
撮像素子の製造方法を示す断面図である。
について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は、図１の固体
撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【００１３】まず、図２（ａ）に示すように、シリコン
基板１０の表面上にポリシリコン膜を堆積し、このポリ
シリコン膜をパターニングすることにより、シリコン基
板１０の上に複数の転送電極７を形成する。この後、こ
の転送電極７の上にアルミニウム等からなる遮光膜８を
形成する。次に、転送電極７の相互間に位置するシリコ
ン基板１０に受光部４を形成し、遮光膜８を含む全面上
にデバイス保護膜９を形成する。
基板１０の表面上にポリシリコン膜を堆積し、このポリ
シリコン膜をパターニングすることにより、シリコン基
板１０の上に複数の転送電極７を形成する。この後、こ
の転送電極７の上にアルミニウム等からなる遮光膜８を
形成する。次に、転送電極７の相互間に位置するシリコ
ン基板１０に受光部４を形成し、遮光膜８を含む全面上
にデバイス保護膜９を形成する。
【００１４】この後、このデバイス保護膜９の上に樹脂
等からなる表面が平坦な平坦化膜３を形成する。次に、
この平坦化膜３上に例えば染色法又はカラーレジスト法
により３色のカラーフィルター２ａ〜２ｃを所望のパタ
ーンで形成する。即ち、平坦化膜３上に赤フィルター２
ａ、緑フィルター２ｂ、青フィルター２ｃを形成する。
この際、赤フィルター２ａのエッジに緑フィルター２ｂ
のエッジが乗り上げており、緑フィルター２ｂと青フィ
ルター２ｃとの境界部分に隙間が形成されている。
等からなる表面が平坦な平坦化膜３を形成する。次に、
この平坦化膜３上に例えば染色法又はカラーレジスト法
により３色のカラーフィルター２ａ〜２ｃを所望のパタ
ーンで形成する。即ち、平坦化膜３上に赤フィルター２
ａ、緑フィルター２ｂ、青フィルター２ｃを形成する。
この際、赤フィルター２ａのエッジに緑フィルター２ｂ
のエッジが乗り上げており、緑フィルター２ｂと青フィ
ルター２ｃとの境界部分に隙間が形成されている。
【００１５】次に、図２（ｂ）に示すように、カラーフ
ィルター２ａ〜２ｃの境界部分上且つ転送電極７の上方
に、フォトリソグラフィ技術を用いて例えばＢｌａｃｋ
のカラーレジスト又は染色によるＢｌａｃｋレジスト等
からなる遮光用パターン５を形成する。即ち、赤フィル
ター２ａと緑フィルター２ｂの両エッジ及び緑フィルタ
ー２ｂと青フィルター２ｃの両エッジそれぞれを覆うよ
うにその上に遮光用パターン５を形成する。
ィルター２ａ〜２ｃの境界部分上且つ転送電極７の上方
に、フォトリソグラフィ技術を用いて例えばＢｌａｃｋ
のカラーレジスト又は染色によるＢｌａｃｋレジスト等
からなる遮光用パターン５を形成する。即ち、赤フィル
ター２ａと緑フィルター２ｂの両エッジ及び緑フィルタ
ー２ｂと青フィルター２ｃの両エッジそれぞれを覆うよ
うにその上に遮光用パターン５を形成する。
【００１６】この後、図２（ｃ）に示すように、遮光パ
ターン５及びカラーフィルター２ａ〜２ｃの上にマイク
ロレンズ１を形成する。
ターン５及びカラーフィルター２ａ〜２ｃの上にマイク
ロレンズ１を形成する。
【００１７】上記実施の形態によれば、カラーフィルタ
ー２ａ〜２ｃのエッジが不適切な形状（隣のフィルター
のエッジに乗り上げたり、フィルターの境界部分に隙間
が空くなど）となっていても、カラーフィルターの境界
部分上に遮光用のレジストパターン５を形成することに
より、カラーフィルターの境界付近を通る光が受光部４
に入ったり入らなかったりすることを防止できる。つま
り、カラーフィルターの境界付近を通る光を遮光用パタ
ーン５により完全に遮光するため、カラーフィルターの
パターンエッジ形状の善し悪しに左右されることなく、
カラーフィルターのパターンエッジに起因して発生する
画像欠陥を抑制することができる。
ー２ａ〜２ｃのエッジが不適切な形状（隣のフィルター
のエッジに乗り上げたり、フィルターの境界部分に隙間
が空くなど）となっていても、カラーフィルターの境界
部分上に遮光用のレジストパターン５を形成することに
より、カラーフィルターの境界付近を通る光が受光部４
に入ったり入らなかったりすることを防止できる。つま
り、カラーフィルターの境界付近を通る光を遮光用パタ
ーン５により完全に遮光するため、カラーフィルターの
パターンエッジ形状の善し悪しに左右されることなく、
カラーフィルターのパターンエッジに起因して発生する
画像欠陥を抑制することができる。
【００１８】尚、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、カ
ラーフィルターの境界部分上に遮光用パターンを形成す
る。したがって、カラーフィルターのパターンエッジ形
状の善し悪しに左右されることなく、このエッジ形状に
起因して発生する画像欠陥を抑制できる固体撮像素子及
びその製造方法を提供することができる。
ラーフィルターの境界部分上に遮光用パターンを形成す
る。したがって、カラーフィルターのパターンエッジ形
状の善し悪しに左右されることなく、このエッジ形状に
起因して発生する画像欠陥を抑制できる固体撮像素子及
びその製造方法を提供することができる。
【図１】図１は、本発明の従来の実施の形態による固体
撮像素子の概略構造を示す断面図である。
撮像素子の概略構造を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、図１の固体撮像素子の
製造方法を示す断面図である。
製造方法を示す断面図である。
【図３】図３は、従来の固体撮像素子の概略構造を示す
断面図である。
断面図である。
１…マイクロレンズ、２ａ…赤フィルター、２ｂ…緑フ
ィルター、２ｃ…青フィルター、３…平坦化膜、４…受
光部、５…遮光用パターン、７…転送電極、８…遮光
膜、９…デバイス保護膜、１０…シリコン基板。
ィルター、２ｃ…青フィルター、３…平坦化膜、４…受
光部、５…遮光用パターン、７…転送電極、８…遮光
膜、９…デバイス保護膜、１０…シリコン基板。
Claims (4)
- 【請求項１】 受光部と、 前記受光部の上方に互いに隣接して形成された異なる色
のカラーフィルターと、 前記カラーフィルターの境界部分上に形成された遮光用
パターンと、 を具備することを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記遮光用パターンは、可視光の透過率
が１０％以下のものであることを特徴とする請求項１記
載の固体撮像素子。 - 【請求項３】 半導体基板に受光部を形成する工程と、 前記受光部の上方に互いに隣接する異なる色のカラーフ
ィルターを形成する工程と、 前記カラーフィルターの境界部分上に遮光用パターンを
形成する工程と、 を具備することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記遮光用パターンは、Ｂｌａｃｋのカ
ラーレジスト又は染色によるＢｌａｃｋレジストである
ことを特徴とする請求項３記載の固体撮像素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11098656A JP2000294756A (ja) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11098656A JP2000294756A (ja) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294756A true JP2000294756A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14225566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11098656A Pending JP2000294756A (ja) | 1999-04-06 | 1999-04-06 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000294756A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100685873B1 (ko) | 2004-12-15 | 2007-02-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7579639B2 (en) | 2004-12-24 | 2009-08-25 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
-
1999
- 1999-04-06 JP JP11098656A patent/JP2000294756A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100685873B1 (ko) | 2004-12-15 | 2007-02-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7579639B2 (en) | 2004-12-24 | 2009-08-25 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and method for fabricating the same |
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