JP2000294170A - 表示装置 - Google Patents
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- JP2000294170A JP2000294170A JP11104899A JP10489999A JP2000294170A JP 2000294170 A JP2000294170 A JP 2000294170A JP 11104899 A JP11104899 A JP 11104899A JP 10489999 A JP10489999 A JP 10489999A JP 2000294170 A JP2000294170 A JP 2000294170A
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- JP
- Japan
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- spacer
- substrate
- substrates
- display device
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スペーサの配置が容易になり、また、スペー
サ配置の際に、一方基板に形成される電子源、あるいは
他方の基板に形成される蛍光面に傷がつくのを防止でき
る表示装置を提供する。 【解決手段】 一対の基板（１０３，１０５）と枠部材
（１０４）とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる表示
装置であって、前記両基板の間に設けられるスペーサ
（１０１）と、前記一方あるいは両方の基板に設けられ
凹部で、前記スペーサが挿入される凹部（１０２）、あ
るいは、前記一方あるいは両方の基板に設けられる凹部
および凸部で、前記スペーサが挿入される凹部と、前記
凹部の周囲に当該凹部を囲むように設けられる凸部とを
有する。
サ配置の際に、一方基板に形成される電子源、あるいは
他方の基板に形成される蛍光面に傷がつくのを防止でき
る表示装置を提供する。 【解決手段】 一対の基板（１０３，１０５）と枠部材
（１０４）とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる表示
装置であって、前記両基板の間に設けられるスペーサ
（１０１）と、前記一方あるいは両方の基板に設けられ
凹部で、前記スペーサが挿入される凹部（１０２）、あ
るいは、前記一方あるいは両方の基板に設けられる凹部
および凸部で、前記スペーサが挿入される凹部と、前記
凹部の周囲に当該凹部を囲むように設けられる凸部とを
有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に係わ
り、特に、平面型表示装置に適用して有効な技術に関す
る。
り、特に、平面型表示装置に適用して有効な技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一対の基板と枠ガラスに囲まれた空間が
真空雰囲気とされる表示装置、特に、平面型表示装置で
は、両基板が大気圧によって破壊しないように、両基板
の間にスペーサを配置する必要がある。このような平面
型表示装置として、例えば、表面伝導型電子源アレイを
用いた平面ディスプレイが、「Ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｅｄ
ｉｎｇ ｏｆ ＳＤＩ’９７のｐａｐｅｒ６．２（ｐ
ｐ．５２−５５）」に記載されている。前記文献に記載
された平面ディスプレイは、１０インチの２４０×２４
０×３ピクレスの平面ディスプレイであり、４０×３×
０．２ｍｍのスペーサが２８個配置された構造となって
いる。また、電子源板と蛍光面板との間隔は３ｍｍ、ス
ペーサ厚さが０．２ｍｍでアスペクト比は１５である。
また、ピクセルのピッチが０．６５×０．２９ｍｍであ
り、ピクセルピッチに比べてスペーサ幅がまだ大きい状
況である。
真空雰囲気とされる表示装置、特に、平面型表示装置で
は、両基板が大気圧によって破壊しないように、両基板
の間にスペーサを配置する必要がある。このような平面
型表示装置として、例えば、表面伝導型電子源アレイを
用いた平面ディスプレイが、「Ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｅｄ
ｉｎｇ ｏｆ ＳＤＩ’９７のｐａｐｅｒ６．２（ｐ
ｐ．５２−５５）」に記載されている。前記文献に記載
された平面ディスプレイは、１０インチの２４０×２４
０×３ピクレスの平面ディスプレイであり、４０×３×
０．２ｍｍのスペーサが２８個配置された構造となって
いる。また、電子源板と蛍光面板との間隔は３ｍｍ、ス
ペーサ厚さが０．２ｍｍでアスペクト比は１５である。
また、ピクセルのピッチが０．６５×０．２９ｍｍであ
り、ピクセルピッチに比べてスペーサ幅がまだ大きい状
況である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記文献には、スペー
サのアセンブリ方法については明記されていないが、光
学顕微鏡で電子源パターンを見ながら、電子源のすき間
にスペーサを配置して固定したと推察される。しかしな
がら前記した方法では、スペーサの配置に手間がかか
り、また、スペーサ配置の際に、一方の基板に形成され
る電子源、あるいは他方の基板に形成される蛍光面に傷
がつく場合も想定される。本発明は、前記従来技術の問
題点を解決するためになされたものであり、本発明の目
的は、表示装置において、スペーサを容易に配置するこ
とが可能となる技術を提供することにある。また、本発
明の他の目的は、スペーサ配置の際に、一方基板に形成
される電子源、あるいは他方の基板に形成される蛍光面
に傷がつくのを防止することが可能となる技術を提供す
ることにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
サのアセンブリ方法については明記されていないが、光
学顕微鏡で電子源パターンを見ながら、電子源のすき間
にスペーサを配置して固定したと推察される。しかしな
がら前記した方法では、スペーサの配置に手間がかか
り、また、スペーサ配置の際に、一方の基板に形成され
る電子源、あるいは他方の基板に形成される蛍光面に傷
がつく場合も想定される。本発明は、前記従来技術の問
題点を解決するためになされたものであり、本発明の目
的は、表示装置において、スペーサを容易に配置するこ
とが可能となる技術を提供することにある。また、本発
明の他の目的は、スペーサ配置の際に、一方基板に形成
される電子源、あるいは他方の基板に形成される蛍光面
に傷がつくのを防止することが可能となる技術を提供す
ることにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。即ち、本発明は、一対の基板と枠部
材とを備え、前記一対の基板と枠部材とで囲まれた空間
が真空雰囲気とされる表示装置であって、前記両方の基
板の間に設けられるスペーサと、前記一方あるいは両方
の基板に設けられる前記スペーサ位置決用の位置決め手
段とを有することを特徴とする。また、本発明は、一対
の基板と枠部材とを備え、前記一対の基板と枠部材とで
囲まれた空間が真空雰囲気とされる表示装置であって、
前記両基板の間に設けられるスペーサと、前記一方ある
いは両方の基板に設けられる凹部で、前記スペーサが挿
入される凹部とを有することを特徴とする。また、本発
明は、一対の基板と枠部材とを備え、前記一対の基板と
枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる表示装置
であって、前記両基板の間に設けられるスペーサと、前
記一方あるいは両方の基板に設けられる凹部で、前記ス
ペーサが挿入される凹部と、前記一方あるいは両方の基
板に設けられる凸部で、前記凹部の周囲に当該凹部を囲
むように設けられる凸部とを有することを特徴とする。
また、本発明は、一対の基板と枠部材とを備え、前記一
対の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされ
る表示装置であって、前記両基板の間に設けられるスペ
ーサと、前記一方の基板に設けられる凹部で、前記スペ
ーサが挿入される第１の凹部と、前記他方の基板に設け
られる凹部で、前記スペーサが挿入される第２の凹部
と、前記他方の基板に設けられる凸部で、前記第２の凹
部の周囲に当該第２の凹部を囲むように設けられる凸部
とを有することを特徴とする。また、本発明は、一対の
基板と枠部材とを備え、前記一対の基板と枠部材とで囲
まれた空間が真空雰囲気とされる表示装置であって、前
記両基板の間に設けられるスペーサと、前記一方の基板
に設けられる凹部で、前記スペーサが挿入される凹部
と、前記他方の基板に設けられる凸部で、前記他方の基
板における前記スペーサと接する領域のすべて、あるい
は一部に設けられる凸部とを有することを特徴とする。
また、本発明は、一対の基板と枠部材とを備え、前記一
対の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされ
る表示装置であって、前記両基板の間に設けられるスペ
ーサと、前記一方の基板に設けられる凹部で、前記スペ
ーサが挿入される凹部と、前記一方の基板に設けられる
第１の凸部で、前記凹部の周囲に当該凹部を囲むように
設けられる第１の凸部と、前記他方の基板に設けられる
凸部で、前記他方の基板における前記スペーサと接する
領域のすべて、あるいは一部に設けられる第２の凸部と
を有することを特徴とする。また、本発明は、前記一方
の基板が、その表面に形成される微小電子源アレイを有
し、前記他方の基板が、その表面に形成される蛍光面を
有することを特徴とする。また、本発明は、前記一方の
基板が、その表面に形成される、金属一絶縁膜一金属構
造の微小電子源アレイを有し、前記他方の基板が、その
表面に形成される蛍光面を有することを特徴とする。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。即ち、本発明は、一対の基板と枠部
材とを備え、前記一対の基板と枠部材とで囲まれた空間
が真空雰囲気とされる表示装置であって、前記両方の基
板の間に設けられるスペーサと、前記一方あるいは両方
の基板に設けられる前記スペーサ位置決用の位置決め手
段とを有することを特徴とする。また、本発明は、一対
の基板と枠部材とを備え、前記一対の基板と枠部材とで
囲まれた空間が真空雰囲気とされる表示装置であって、
前記両基板の間に設けられるスペーサと、前記一方ある
いは両方の基板に設けられる凹部で、前記スペーサが挿
入される凹部とを有することを特徴とする。また、本発
明は、一対の基板と枠部材とを備え、前記一対の基板と
枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる表示装置
であって、前記両基板の間に設けられるスペーサと、前
記一方あるいは両方の基板に設けられる凹部で、前記ス
ペーサが挿入される凹部と、前記一方あるいは両方の基
板に設けられる凸部で、前記凹部の周囲に当該凹部を囲
むように設けられる凸部とを有することを特徴とする。
また、本発明は、一対の基板と枠部材とを備え、前記一
対の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされ
る表示装置であって、前記両基板の間に設けられるスペ
ーサと、前記一方の基板に設けられる凹部で、前記スペ
ーサが挿入される第１の凹部と、前記他方の基板に設け
られる凹部で、前記スペーサが挿入される第２の凹部
と、前記他方の基板に設けられる凸部で、前記第２の凹
部の周囲に当該第２の凹部を囲むように設けられる凸部
とを有することを特徴とする。また、本発明は、一対の
基板と枠部材とを備え、前記一対の基板と枠部材とで囲
まれた空間が真空雰囲気とされる表示装置であって、前
記両基板の間に設けられるスペーサと、前記一方の基板
に設けられる凹部で、前記スペーサが挿入される凹部
と、前記他方の基板に設けられる凸部で、前記他方の基
板における前記スペーサと接する領域のすべて、あるい
は一部に設けられる凸部とを有することを特徴とする。
また、本発明は、一対の基板と枠部材とを備え、前記一
対の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされ
る表示装置であって、前記両基板の間に設けられるスペ
ーサと、前記一方の基板に設けられる凹部で、前記スペ
ーサが挿入される凹部と、前記一方の基板に設けられる
第１の凸部で、前記凹部の周囲に当該凹部を囲むように
設けられる第１の凸部と、前記他方の基板に設けられる
凸部で、前記他方の基板における前記スペーサと接する
領域のすべて、あるいは一部に設けられる第２の凸部と
を有することを特徴とする。また、本発明は、前記一方
の基板が、その表面に形成される微小電子源アレイを有
し、前記他方の基板が、その表面に形成される蛍光面を
有することを特徴とする。また、本発明は、前記一方の
基板が、その表面に形成される、金属一絶縁膜一金属構
造の微小電子源アレイを有し、前記他方の基板が、その
表面に形成される蛍光面を有することを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を平面型表示装置に
適用した実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一
機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説
明は省略する。 ［実施の形態１］図１は、本発明の実施の形態１の平面
型表示装置の概略構成を示す展開斜視図である。本実施
の形態の平面型表示装置は、その表面に、金属一絶縁膜
−金属構造（ＭＩＭ構造）の微小電子源アレイが形成さ
れる下基板１０３と、ストライプ状の蛍光体が形成され
る上基板１０５とが、枠ガラス（本発明の枠部材）１０
４により対向配置されて構成される。また、下基板１０
３には、複数個の凹構造（本発明の凹部）１０２が設け
られ、この凹構造１０２に複数個のスペーサ１０１が挿
入・配置され、これにより、下基板１０３、上基板１０
５および枠ガラス１０４で囲まれる空間を真空雰囲気と
したときに、大気圧により、下基板１０３および上基板
１０５が破壊されるのを防止している。
適用した実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一
機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説
明は省略する。 ［実施の形態１］図１は、本発明の実施の形態１の平面
型表示装置の概略構成を示す展開斜視図である。本実施
の形態の平面型表示装置は、その表面に、金属一絶縁膜
−金属構造（ＭＩＭ構造）の微小電子源アレイが形成さ
れる下基板１０３と、ストライプ状の蛍光体が形成され
る上基板１０５とが、枠ガラス（本発明の枠部材）１０
４により対向配置されて構成される。また、下基板１０
３には、複数個の凹構造（本発明の凹部）１０２が設け
られ、この凹構造１０２に複数個のスペーサ１０１が挿
入・配置され、これにより、下基板１０３、上基板１０
５および枠ガラス１０４で囲まれる空間を真空雰囲気と
したときに、大気圧により、下基板１０３および上基板
１０５が破壊されるのを防止している。
【０００６】図２は、図１に示す下基板１０３の一例の
概略構成を示す図である。同図に示す下基板１０３は、
ソーダガラス等のガラス基板２１１上に形成されるＸ方
向に延びるストライプ状の下部電極２１２と、下部電極
２１２上に形成される電界緩和層２１３およびトンネル
絶縁層２１４と、電界緩和層２１３およびトンネル絶縁
層２１４上に形成されるＹ方向に延びるストライプ状の
バス電極２１５と、バス電極２１５上に形成される上部
電極２１６とで構成される。ここで、下部電極２１２と
バス電極２１５とは、互いに略直交するように形成さ
れ、下部電極２１２とバス電極２１５とが重なる領域内
の一部に電子放出部２１７が形成される。この電子放出
部２１７は、バス電極２１５が除去され、上部電極２１
６がトンネル絶縁層２１４を介して下部電極２１２と対
向している。ここで、下部電極２１２は、例えば、Ｎｄ
を２重量％含む厚さが３００ｎｍのＡｌで形成され、そ
の断面が山形形状とされる。また、例えば、電界緩和層
２１３およびトンネル絶縁層２１４は、共に、Ａｌの陽
極酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）で形成されるが、その厚さは、電
界緩和層２１３が１１０ｎｍ、トンネル絶縁層２１４が
５．５ｎｍとされる。また、例えば、バス電極２１５
は、厚さが１５０ｎｍのＡｌと、厚さが４５ｎｍのモリ
ブデン（以下、単に、Ｍｏと称する。）との多層膜で形
成され、上部電極２１６は、厚さが１ｎｍのイリジウム
（以下、単に、Ｉｒと称する。）と、厚さが２ｎｍの白
金（以下、単に、Ｐｔと称する。）と、厚さが３ｎｍの
金（以下、単に、Ａｕと称する。）との多層膜で形成さ
れる。
概略構成を示す図である。同図に示す下基板１０３は、
ソーダガラス等のガラス基板２１１上に形成されるＸ方
向に延びるストライプ状の下部電極２１２と、下部電極
２１２上に形成される電界緩和層２１３およびトンネル
絶縁層２１４と、電界緩和層２１３およびトンネル絶縁
層２１４上に形成されるＹ方向に延びるストライプ状の
バス電極２１５と、バス電極２１５上に形成される上部
電極２１６とで構成される。ここで、下部電極２１２と
バス電極２１５とは、互いに略直交するように形成さ
れ、下部電極２１２とバス電極２１５とが重なる領域内
の一部に電子放出部２１７が形成される。この電子放出
部２１７は、バス電極２１５が除去され、上部電極２１
６がトンネル絶縁層２１４を介して下部電極２１２と対
向している。ここで、下部電極２１２は、例えば、Ｎｄ
を２重量％含む厚さが３００ｎｍのＡｌで形成され、そ
の断面が山形形状とされる。また、例えば、電界緩和層
２１３およびトンネル絶縁層２１４は、共に、Ａｌの陽
極酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）で形成されるが、その厚さは、電
界緩和層２１３が１１０ｎｍ、トンネル絶縁層２１４が
５．５ｎｍとされる。また、例えば、バス電極２１５
は、厚さが１５０ｎｍのＡｌと、厚さが４５ｎｍのモリ
ブデン（以下、単に、Ｍｏと称する。）との多層膜で形
成され、上部電極２１６は、厚さが１ｎｍのイリジウム
（以下、単に、Ｉｒと称する。）と、厚さが２ｎｍの白
金（以下、単に、Ｐｔと称する。）と、厚さが３ｎｍの
金（以下、単に、Ａｕと称する。）との多層膜で形成さ
れる。
【０００７】以下、図２に示す下基板１０３の制作方法
の一例の概要を説明する。初めに、９０ｍｍ×１１０ｍ
ｍで厚さが３ｍｍのガラス板２１１上に、金属スパッタ
法により、Ｎｄが２重量％含まれたＡｌを３００ｎｍの
厚さに蒸着する。次に、フォトリソグラフィー技術によ
るウエットエッチイングにより、ピッチが０．１ｍｍ、
幅が０．０６ｍｍである１５０本のＸ方向に延びるスト
ライプ状の下部電極２１２を形成する。次に、陽極酸化
法により、各々の下部電極２１２の表面に酸化アルミニ
ウムを形成し、電界緩和層２１３およびトンネル絶縁層
２１４を形成する。次に、スパッタ法により、Ａｌが１
５０ｎｍ、Ｍｏが４５ｎｍの多層薄膜を形成し、フォト
リソグラフィー技術とスパッタエッチング法により、下
部電極２１２と略直交する方向に、ピッチが０．１ｍ
ｍ、幅が０．０６ｍｍである６００本のＹ方向に延びる
ストライプ状のバス電極２１５で、電子放出部２１７の
領域が除去されたバス電極２１５を形成する。その後、
スパッタ法により、Ｉｒが１ｎｍ、Ｐｔが２ｎｍ、Ａｕ
が３ｎｍの多層薄膜を形成し、フォトリソグラフィー技
術とスパッタエッチング法により、下部電極２１２と略
直交する方向に、ピッチが０．１ｍｍ、幅が０．０６ｍ
ｍである６００本のＹ方向に延びるストライプ状の上部
電極２１６と電子放出部２１７とを形成する。これによ
り、ガラス基板上に１５０×６００個の微小電子源アレ
イ構造が作成される。
の一例の概要を説明する。初めに、９０ｍｍ×１１０ｍ
ｍで厚さが３ｍｍのガラス板２１１上に、金属スパッタ
法により、Ｎｄが２重量％含まれたＡｌを３００ｎｍの
厚さに蒸着する。次に、フォトリソグラフィー技術によ
るウエットエッチイングにより、ピッチが０．１ｍｍ、
幅が０．０６ｍｍである１５０本のＸ方向に延びるスト
ライプ状の下部電極２１２を形成する。次に、陽極酸化
法により、各々の下部電極２１２の表面に酸化アルミニ
ウムを形成し、電界緩和層２１３およびトンネル絶縁層
２１４を形成する。次に、スパッタ法により、Ａｌが１
５０ｎｍ、Ｍｏが４５ｎｍの多層薄膜を形成し、フォト
リソグラフィー技術とスパッタエッチング法により、下
部電極２１２と略直交する方向に、ピッチが０．１ｍ
ｍ、幅が０．０６ｍｍである６００本のＹ方向に延びる
ストライプ状のバス電極２１５で、電子放出部２１７の
領域が除去されたバス電極２１５を形成する。その後、
スパッタ法により、Ｉｒが１ｎｍ、Ｐｔが２ｎｍ、Ａｕ
が３ｎｍの多層薄膜を形成し、フォトリソグラフィー技
術とスパッタエッチング法により、下部電極２１２と略
直交する方向に、ピッチが０．１ｍｍ、幅が０．０６ｍ
ｍである６００本のＹ方向に延びるストライプ状の上部
電極２１６と電子放出部２１７とを形成する。これによ
り、ガラス基板上に１５０×６００個の微小電子源アレ
イ構造が作成される。
【０００８】図３は、図１に示す上基板１０５の一例の
概略構成を示す図である。同図に示す上基板１０５は、
ソーダガラス等のガラス基板２２１上に、Ｙ方向に延び
るストライプ状の赤、緑、青の蛍光体層から成る蛍光体
ストライプ２１８と、当該蛍光体ストライプ２１８上に
形成されるメタルバック（Ａｌ膜）膜２１９とで構成さ
れる。ここで、例えば、蛍光蛍光体ストライプ層２１８
のストライプピッチは０．１ｍｍである。図３に示す上
基板１０５は、例えば、５５ｍｍ×７５ｍｍで厚さが３
ｍｍのガラス板２２１の表面に、赤、緑、青の蛍光体に
よる繰り返しストライプパターン６００本（２００×
３）を、フォトリソグラフィー技術により形成して、蛍
光体ストライプ２１８を形成し、その後、スパッタ法に
より、Ａｌの薄膜を形成してメタルバック層２１９を形
成する。
概略構成を示す図である。同図に示す上基板１０５は、
ソーダガラス等のガラス基板２２１上に、Ｙ方向に延び
るストライプ状の赤、緑、青の蛍光体層から成る蛍光体
ストライプ２１８と、当該蛍光体ストライプ２１８上に
形成されるメタルバック（Ａｌ膜）膜２１９とで構成さ
れる。ここで、例えば、蛍光蛍光体ストライプ層２１８
のストライプピッチは０．１ｍｍである。図３に示す上
基板１０５は、例えば、５５ｍｍ×７５ｍｍで厚さが３
ｍｍのガラス板２２１の表面に、赤、緑、青の蛍光体に
よる繰り返しストライプパターン６００本（２００×
３）を、フォトリソグラフィー技術により形成して、蛍
光体ストライプ２１８を形成し、その後、スパッタ法に
より、Ａｌの薄膜を形成してメタルバック層２１９を形
成する。
【０００９】以下、本実施の形態の平面型表示装置の作
成方法を説明する。厚さが３ｍｍの下基板１０３、高さ
が３ｍｍの枠ガラス１０４、厚さが３ｍｍ厚の上基板１
０５の各々が接する部分に、ガラスペーストを塗布して
組み立てた後、４００度で１０分間熱処理することによ
り封着する。次に、図１には図示していないが、下基板
１０３、上基板１０５あるいは枠ガラス１０４に設けた
排気管から排気した後、排気管を封じることにより、下
基板１０３、枠ガラス１０４、および上基板１０５で囲
まれた空間を１０Ｅ−６ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気とす
る。本実施の形態では、下基板１０３の上表面に、スペ
ーサ１０１の形状に合わせた凹構造１０２を設け、当該
凹構造１０２にスペーサ１０１をはめ込み、スペーサ１
０１を所定の位置に配置・固定する。ここで、スペーサ
１０１は、ガラスあるいはセラミックで構成され、厚さ
が１００ミクロン、高さが３．３ｍｍであり、また、凹
構造１０２の穴の深さは０．３ｍｍである。このよう
に、本実施の形態では、下基板１０３の表面に凹構造１
０２を設けるようにしたので、スペーサ１０１のアセン
ブリが容易になる。また、スペーサ１０１のずれがなく
なるので、スペーサ１０１のずれにより、下基板１０３
の上表面に形成される電子源アレイ、あるいは、上基板
１０５の下表面に形成される蛍光体を傷つけることがな
くなる。
成方法を説明する。厚さが３ｍｍの下基板１０３、高さ
が３ｍｍの枠ガラス１０４、厚さが３ｍｍ厚の上基板１
０５の各々が接する部分に、ガラスペーストを塗布して
組み立てた後、４００度で１０分間熱処理することによ
り封着する。次に、図１には図示していないが、下基板
１０３、上基板１０５あるいは枠ガラス１０４に設けた
排気管から排気した後、排気管を封じることにより、下
基板１０３、枠ガラス１０４、および上基板１０５で囲
まれた空間を１０Ｅ−６ｔｏｒｒ以下の真空雰囲気とす
る。本実施の形態では、下基板１０３の上表面に、スペ
ーサ１０１の形状に合わせた凹構造１０２を設け、当該
凹構造１０２にスペーサ１０１をはめ込み、スペーサ１
０１を所定の位置に配置・固定する。ここで、スペーサ
１０１は、ガラスあるいはセラミックで構成され、厚さ
が１００ミクロン、高さが３．３ｍｍであり、また、凹
構造１０２の穴の深さは０．３ｍｍである。このよう
に、本実施の形態では、下基板１０３の表面に凹構造１
０２を設けるようにしたので、スペーサ１０１のアセン
ブリが容易になる。また、スペーサ１０１のずれがなく
なるので、スペーサ１０１のずれにより、下基板１０３
の上表面に形成される電子源アレイ、あるいは、上基板
１０５の下表面に形成される蛍光体を傷つけることがな
くなる。
【００１０】一般に、スペーサ１０１のアセンブリは、
工作機械により自動的に行った方がコストを低減するこ
とができるが、本実施の形態の凹構造１０２は、このス
ペーサ１０１のアセンブリを工作機械により自動的に行
う際の位置決めマーカとして機能させることができる。
即ち、本実施の形態の凹構造１０２は、スペーサ１０１
をアセンブリする際の位置決め手段としても機能させる
ことができる。また、本実施の形態では、スペーサ１０
１は、その断面（高さ方向と直交する面で切断した面）
形状が十字形形状のものを使用したが、スペーサ１０１
の断面形状はこれに限定されるものではなく、スペーサ
１０１は、三角、四角、五角形状などの任意の形状の断
面形状を有するものを使用することができる。但し、本
実施の形態のように、スペーサ１０１の断面形状とし
て、十字形形状のものを使用することにより、スペーサ
１０１が転倒しにくいという効果を有する。さらに、ス
ペーサ１０１が転倒しにくくするために、本実施の形態
のように、スペーサ１０１の断面形状を十字形形状（中
心部から４方向に突起部が延長している形状）とする代
わりに、中心部から少なくとも３方向に突起部が延長し
ている形状としてもよい。
工作機械により自動的に行った方がコストを低減するこ
とができるが、本実施の形態の凹構造１０２は、このス
ペーサ１０１のアセンブリを工作機械により自動的に行
う際の位置決めマーカとして機能させることができる。
即ち、本実施の形態の凹構造１０２は、スペーサ１０１
をアセンブリする際の位置決め手段としても機能させる
ことができる。また、本実施の形態では、スペーサ１０
１は、その断面（高さ方向と直交する面で切断した面）
形状が十字形形状のものを使用したが、スペーサ１０１
の断面形状はこれに限定されるものではなく、スペーサ
１０１は、三角、四角、五角形状などの任意の形状の断
面形状を有するものを使用することができる。但し、本
実施の形態のように、スペーサ１０１の断面形状とし
て、十字形形状のものを使用することにより、スペーサ
１０１が転倒しにくいという効果を有する。さらに、ス
ペーサ１０１が転倒しにくくするために、本実施の形態
のように、スペーサ１０１の断面形状を十字形形状（中
心部から４方向に突起部が延長している形状）とする代
わりに、中心部から少なくとも３方向に突起部が延長し
ている形状としてもよい。
【００１１】［実施の形態２］図４は、本発明の実施の
形態２の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板２０３
の上表面にスペーサ２０１の形状に合わせた第１の凹構
造２０２を設けるとともに、上基板２０５の下表面に
も、スペーサ２０１の形状に合わせた第２の凹構造２０
６を設けた点で、前記実施の形態１の平面型表示装置と
相違する。本実施の形態において、第２の凹構造２０６
の穴の深さは０．３ｍｍであり、それに合わせて、スペ
ーサ２０１の高さを３．６ｍｍとしている。このよう
に、本実施の形態では、下基板２０３の上表面にスペー
サ２０１の形状に合わせた第１の凹構造２０２を設け、
さらに、上基板２０５の下表面にもスペーサ２０１の形
状に合わせた凹構造２０６を設けるようにしたので、ス
ペーサ２０１のアセンブリが容易になる。また、スペー
サ２０１のずれがなくなるので、スペーサ２０１のずれ
により、下基板２０３の上表面に形成される電子源アレ
イ、あるいは、上基板２０５の下表面に形成される蛍光
体を傷つけることがなくなる。
形態２の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板２０３
の上表面にスペーサ２０１の形状に合わせた第１の凹構
造２０２を設けるとともに、上基板２０５の下表面に
も、スペーサ２０１の形状に合わせた第２の凹構造２０
６を設けた点で、前記実施の形態１の平面型表示装置と
相違する。本実施の形態において、第２の凹構造２０６
の穴の深さは０．３ｍｍであり、それに合わせて、スペ
ーサ２０１の高さを３．６ｍｍとしている。このよう
に、本実施の形態では、下基板２０３の上表面にスペー
サ２０１の形状に合わせた第１の凹構造２０２を設け、
さらに、上基板２０５の下表面にもスペーサ２０１の形
状に合わせた凹構造２０６を設けるようにしたので、ス
ペーサ２０１のアセンブリが容易になる。また、スペー
サ２０１のずれがなくなるので、スペーサ２０１のずれ
により、下基板２０３の上表面に形成される電子源アレ
イ、あるいは、上基板２０５の下表面に形成される蛍光
体を傷つけることがなくなる。
【００１２】［実施の形態３］図５は、本発明の実施の
形態３の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板３０３
の上表面に凹構造を設けるかわりに、スペーサ３０１を
はめ込むための凹部と、その凹部の周囲を囲む凸部とか
ら成る凹凸構造３０２を設けた点で、前記実施の形態１
の平面型表示装置と相違する。本実施の形態において、
スペーサ３０１の高さは３ｍｍであり、また、スペーサ
３０１に合わせた凹凸構造３０２の凹部の深さは０．３
ｍｍであり、凹部の周囲を囲む凸部の高さは０．３ｍｍ
である。このように、本実施の形態の平面型表示では、
下基板３０３の上表面に凹凸構造３０２を設けるように
したので、スペーサ３０１のアセンブリが容易となる。
また、スペーサ３０１のずれがなくなるので、スペーサ
３０１のずれにより、下基板３０３の上表面に形成され
る電子源アレイ、あるいは、上基板３０５の下表面に形
成される蛍光体を傷つけることがなくなる。さらに、従
来、下基板３０３の上表面に、フォトリソグラフィー工
程により電子源アレイを形成する際に、フォトマスクと
のコンタクトによる機械的ダメージが問題であったが、
この凹凸構造３０２により、下基板３０３の上表面に、
フォトリソグラフィー工程により電子源アレイを形成す
る際のフォトマスクとのコンタクトによる機械的ダメー
ジから保護することができる。
形態３の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板３０３
の上表面に凹構造を設けるかわりに、スペーサ３０１を
はめ込むための凹部と、その凹部の周囲を囲む凸部とか
ら成る凹凸構造３０２を設けた点で、前記実施の形態１
の平面型表示装置と相違する。本実施の形態において、
スペーサ３０１の高さは３ｍｍであり、また、スペーサ
３０１に合わせた凹凸構造３０２の凹部の深さは０．３
ｍｍであり、凹部の周囲を囲む凸部の高さは０．３ｍｍ
である。このように、本実施の形態の平面型表示では、
下基板３０３の上表面に凹凸構造３０２を設けるように
したので、スペーサ３０１のアセンブリが容易となる。
また、スペーサ３０１のずれがなくなるので、スペーサ
３０１のずれにより、下基板３０３の上表面に形成され
る電子源アレイ、あるいは、上基板３０５の下表面に形
成される蛍光体を傷つけることがなくなる。さらに、従
来、下基板３０３の上表面に、フォトリソグラフィー工
程により電子源アレイを形成する際に、フォトマスクと
のコンタクトによる機械的ダメージが問題であったが、
この凹凸構造３０２により、下基板３０３の上表面に、
フォトリソグラフィー工程により電子源アレイを形成す
る際のフォトマスクとのコンタクトによる機械的ダメー
ジから保護することができる。
【００１３】［実施の形態４］図６は、本発明の実施の
形態４の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板４０３
の上表面にスペーサ４０１をはめ込むための凹部と、そ
の凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造４０２を設
け、さらに上基板４０５の下表面にもスペーサ４０１を
はめ込むための凹部と、その凹部の周囲を囲む凸部とか
ら成る凹凸構造４０６を設けた点で、前記実施の形態３
の平面型表示装置と相違する。ここで、スペーサ４０１
の高さは３ｍｍであり、また、スペーサ４０１に合わせ
た凹凸構造（４０５，４０６）の凹部の穴深さは０．３
ｍｍであり、凹部の周囲を囲む凸部の高さは０．３ｍｍ
である。このように、本実施の形態では、下基板４０３
の上表面にスペーサ４０１をはめ込むための凹部と、そ
の凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造４０２を設
け、さらに、上基板４０５の下表面にもスペーサ４０１
をはめ込むための凹部と、その凹部の周囲を囲む凸部と
から成る凹凸構造４０６を設けるようにしたので、スペ
ーサ４０１のアセンブリが容易になる。また、スペーサ
４０１のずれがなくなるので、スペーサ４０１のずれに
より、下基板４０３の上表面に形成される電子源アレ
イ、あるいは、上基板４０５の下表面に形成される蛍光
体ストライプを傷つけることがなくなる。
形態４の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板４０３
の上表面にスペーサ４０１をはめ込むための凹部と、そ
の凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造４０２を設
け、さらに上基板４０５の下表面にもスペーサ４０１を
はめ込むための凹部と、その凹部の周囲を囲む凸部とか
ら成る凹凸構造４０６を設けた点で、前記実施の形態３
の平面型表示装置と相違する。ここで、スペーサ４０１
の高さは３ｍｍであり、また、スペーサ４０１に合わせ
た凹凸構造（４０５，４０６）の凹部の穴深さは０．３
ｍｍであり、凹部の周囲を囲む凸部の高さは０．３ｍｍ
である。このように、本実施の形態では、下基板４０３
の上表面にスペーサ４０１をはめ込むための凹部と、そ
の凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造４０２を設
け、さらに、上基板４０５の下表面にもスペーサ４０１
をはめ込むための凹部と、その凹部の周囲を囲む凸部と
から成る凹凸構造４０６を設けるようにしたので、スペ
ーサ４０１のアセンブリが容易になる。また、スペーサ
４０１のずれがなくなるので、スペーサ４０１のずれに
より、下基板４０３の上表面に形成される電子源アレ
イ、あるいは、上基板４０５の下表面に形成される蛍光
体ストライプを傷つけることがなくなる。
【００１４】［実施の形態５］図７は、本発明の実施の
形態５の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板５０３
の上表面にスペーサ５０１をはめ込むための凹部とその
凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造５０２を設
け、さらに、上基板５０５の下表面にもスペーサ５０１
をはめ込むための凹構造５０６を設けた点で、前記実施
の形態４の平面型表示装置を相違する。ここで、下基板
５０３の上表面に設けたスペーサ５０１に合わせた凹凸
構造５０２の凹部の穴の深さは０．３ｍｍであり、凹部
の周囲を囲む凸部の高さは０．３ｍｍである。また、下
基板５０３の上表面に設けたスペーサ５０１に合わせた
凹構造５０６の穴の深さは０．３ｍｍであり、さらに、
スペーサ５０１の高さは３．３ｍｍである。このよう
に、本実施の形態では、下基板５０３の上表面にスペー
サ５０１をはめ込むための凹部とその凹部の周囲を囲む
凸部とから成る凹凸構造５０２を設け、さらに、上基板
５０５の下表面にもスペーサ５０１をはめ込むための凹
構造５０６を設けるようにしたので、スペーサ５０１の
アセンブリが容易になる。また、またスペーサ５０１の
ずれがなくなるので、スペーサ５０１のずれにより、下
基板５０３の上表面に形成される電子源アレイ、あるい
は、上基板５０５の下表面に形成される蛍光体ストライ
プを傷つけることがなくなる。
形態５の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板５０３
の上表面にスペーサ５０１をはめ込むための凹部とその
凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造５０２を設
け、さらに、上基板５０５の下表面にもスペーサ５０１
をはめ込むための凹構造５０６を設けた点で、前記実施
の形態４の平面型表示装置を相違する。ここで、下基板
５０３の上表面に設けたスペーサ５０１に合わせた凹凸
構造５０２の凹部の穴の深さは０．３ｍｍであり、凹部
の周囲を囲む凸部の高さは０．３ｍｍである。また、下
基板５０３の上表面に設けたスペーサ５０１に合わせた
凹構造５０６の穴の深さは０．３ｍｍであり、さらに、
スペーサ５０１の高さは３．３ｍｍである。このよう
に、本実施の形態では、下基板５０３の上表面にスペー
サ５０１をはめ込むための凹部とその凹部の周囲を囲む
凸部とから成る凹凸構造５０２を設け、さらに、上基板
５０５の下表面にもスペーサ５０１をはめ込むための凹
構造５０６を設けるようにしたので、スペーサ５０１の
アセンブリが容易になる。また、またスペーサ５０１の
ずれがなくなるので、スペーサ５０１のずれにより、下
基板５０３の上表面に形成される電子源アレイ、あるい
は、上基板５０５の下表面に形成される蛍光体ストライ
プを傷つけることがなくなる。
【００１５】［実施の形態６］図８は、本発明の実施の
形態６の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板６０３
の上表面にスペーサ６０１の形状に合わせた凹構造６０
２を設け、さらに、上基板６０５の下表面に、スペーサ
６０１と接する部分の一部に凸構造６０６を設けた点
で、前記実施の形態１の平面型表示装置相違する。ここ
で、下基板６０３の上表面に設けた凹構造６０６の穴の
深さは０．３ｍｍであり、また、上基板６０５の下表面
に設けた凸構造６０６の高さは０．３ｍｍである。さら
に、スペーサ６０１の高さを３ｍｍである。このよう
に、本実施の形態によれば、下基板６０３の上表面にス
ペーサ６０１の形状に合わせた凹構造６０２を設け、さ
らに、上基板６０５の下表面に、スペーサ６０１と接す
る部分の一部に凸構造６０６を設けるようにしたので、
スペーサ６０１のアセンブリが容易になる。また、スペ
ーサ６０１のずれがなくなるので、スペーサ６０１のず
れにより、下基板６０３の上表面に形成される電子源ア
レイ、あるいは、上基板６０５の下表面に形成される蛍
光体ストライプを傷つけることがなくなる。
形態６の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板６０３
の上表面にスペーサ６０１の形状に合わせた凹構造６０
２を設け、さらに、上基板６０５の下表面に、スペーサ
６０１と接する部分の一部に凸構造６０６を設けた点
で、前記実施の形態１の平面型表示装置相違する。ここ
で、下基板６０３の上表面に設けた凹構造６０６の穴の
深さは０．３ｍｍであり、また、上基板６０５の下表面
に設けた凸構造６０６の高さは０．３ｍｍである。さら
に、スペーサ６０１の高さを３ｍｍである。このよう
に、本実施の形態によれば、下基板６０３の上表面にス
ペーサ６０１の形状に合わせた凹構造６０２を設け、さ
らに、上基板６０５の下表面に、スペーサ６０１と接す
る部分の一部に凸構造６０６を設けるようにしたので、
スペーサ６０１のアセンブリが容易になる。また、スペ
ーサ６０１のずれがなくなるので、スペーサ６０１のず
れにより、下基板６０３の上表面に形成される電子源ア
レイ、あるいは、上基板６０５の下表面に形成される蛍
光体ストライプを傷つけることがなくなる。
【００１６】［実施の形態７］図９は、本発明の実施の
形態７の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板７０３
の上表面にスペーサ７０１をはめ込むための凹部と、そ
の凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造７０２を設
け、さらに、上基板７０５の下表面にスペーサ７０１と
接する部分の一部に凸構造７０６を設けた点で、前記実
施の形態２の平面型表示装置と相違する。ここで、下基
板７０３の上表面に設けたスペーサ７０１に合わせた凹
凸構造７０２の凹部の穴の深さは０．３ｍｍであり、凹
部の周囲を囲む凸部の高さは０．３ｍｍである。また、
上基板７０５の下表面に設けた凸構造７０６の高さは
０．３ｍｍであり、さらに、スペーサ７０１の高さを
２．７ｍｍである。
形態７の平面型表示装置の概略構成を示す展開斜視図で
ある。本実施の形態の平面型表示装置は、下基板７０３
の上表面にスペーサ７０１をはめ込むための凹部と、そ
の凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造７０２を設
け、さらに、上基板７０５の下表面にスペーサ７０１と
接する部分の一部に凸構造７０６を設けた点で、前記実
施の形態２の平面型表示装置と相違する。ここで、下基
板７０３の上表面に設けたスペーサ７０１に合わせた凹
凸構造７０２の凹部の穴の深さは０．３ｍｍであり、凹
部の周囲を囲む凸部の高さは０．３ｍｍである。また、
上基板７０５の下表面に設けた凸構造７０６の高さは
０．３ｍｍであり、さらに、スペーサ７０１の高さを
２．７ｍｍである。
【００１７】このように、本実施の形態によれば、下基
板７０３の上表面にスペーサ７０１をはめ込むための凹
部と、その凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造７
０２を設け、さらに、上基板７０５の下表面に、スペー
サ７０１と接する部分の一部に凸構造７０６を設けるよ
うにしたので、スペーサ７０１のアセンブリが容易にな
る。また、スペーサ７０１のずれがなくなるので、スペ
ーサ７０１のずれにより、下基板７０３の上表面に形成
される電子源アレイ、あるいは、上基板７０５の下表面
に形成される蛍光体ストライプを傷つけることがなくな
る。なお、図４〜図９には図示していなが、前記実施の
形態２ないし実施の形態７の平面型表示装置において、
下基板には、例えば、図２に示す電子源アレイ、また、
上基板には、例えば、図３に示す蛍光体ストライプが形
成されている。
板７０３の上表面にスペーサ７０１をはめ込むための凹
部と、その凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造７
０２を設け、さらに、上基板７０５の下表面に、スペー
サ７０１と接する部分の一部に凸構造７０６を設けるよ
うにしたので、スペーサ７０１のアセンブリが容易にな
る。また、スペーサ７０１のずれがなくなるので、スペ
ーサ７０１のずれにより、下基板７０３の上表面に形成
される電子源アレイ、あるいは、上基板７０５の下表面
に形成される蛍光体ストライプを傷つけることがなくな
る。なお、図４〜図９には図示していなが、前記実施の
形態２ないし実施の形態７の平面型表示装置において、
下基板には、例えば、図２に示す電子源アレイ、また、
上基板には、例えば、図３に示す蛍光体ストライプが形
成されている。
【００１８】［実施の形態８］本実施の形態の平面型表
示装置は、下基板の上表面に形成される、金属一絶縁層
一金属型（ＭＩＭ型）の微小電子源アレイの隙間に配置
するようにした点で、前記実施の形態７の平面型表示装
置と相違する。図１０は、本発明の実施の形態８の平面
型表示装置における微小電子源アレイの概略構成を示す
図である。図１０に示す電子源アレイは、図２に示す電
子源アレイと同様な構造を有し、図１０に示す下部電極
８０１と上部電極８０２の交点が電子源８０３である。
図１０に示す電子源アレイは、前記図２で説明した方法
と同様の方法により作成される。即ち、下部電極８０１
は、まず基板にスパッタ法によりアルミニウムを３００
ｎｍ積層し、次に、フォトリソグラフィーとウェットエ
ッチングによりパターン化する。次に、アルミニウムパ
ターンの表面を陽極酸化法により酸化することにより、
８ｎｍの絶縁膜を作製する。その上に、スパッタ法によ
り金５ｎｍを積層し、フォトリソグラフィーとウェット
エッチングによりパターン化することにより上部電極８
０２を形成した。この場合に、図９に示す下基板７０３
に形成される、スペーサ７０１をはめ込むための凹部と
その凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造８０４
を、それを囲む４つの電子源８０３から等しい距離に配
置されるように、下部電極８０１および上部電極８０２
のパターンニングを行っている。図１１は、本発明の実
施の形態８の平面型表示装置における上基板の概略構成
を示す図である。図１１に示す上基板は、図３に示す上
基板と同様な構造を有し、図１１に示すように、赤・緑
・青の蛍光体がこの順番で順次塗分けられた構造の蛍光
体ストライプ８５ｌを有する。この蛍光体ストライプ８
５１を作製後、イオンビーム蒸着法により、アルミニウ
ムを３０ｎｍ積層して、メタルバック膜（Ａｌ膜）８５
２を形成する。この場合に、図９に示す上基板７０５の
下表面に設けた凸構造と同じ構造の凸構造８５３が、蛍
光体ストライプ８５１の間に配置されるように、蛍光体
ストライプ８５１は形成される。このようにして作製さ
れた電子源アレイが形成された下基板、蛍光体ストライ
プ８５１が形成された上基板、さらに枠ガラスを封着・
封止することにより、本実施の形態の平面型表示装置が
作成される。本実施の形態の平面型表示装置において、
上部電極８０２と下部電極８０１との間に電圧を印加
し、さらに、メタルバック膜８５２に加速電圧を印加
し、電子源８０３からの電子を加速して蛍光体ストライ
プ８５１に選択的に照射することにより、任意のパター
ンおよび動画を表示することができた。
示装置は、下基板の上表面に形成される、金属一絶縁層
一金属型（ＭＩＭ型）の微小電子源アレイの隙間に配置
するようにした点で、前記実施の形態７の平面型表示装
置と相違する。図１０は、本発明の実施の形態８の平面
型表示装置における微小電子源アレイの概略構成を示す
図である。図１０に示す電子源アレイは、図２に示す電
子源アレイと同様な構造を有し、図１０に示す下部電極
８０１と上部電極８０２の交点が電子源８０３である。
図１０に示す電子源アレイは、前記図２で説明した方法
と同様の方法により作成される。即ち、下部電極８０１
は、まず基板にスパッタ法によりアルミニウムを３００
ｎｍ積層し、次に、フォトリソグラフィーとウェットエ
ッチングによりパターン化する。次に、アルミニウムパ
ターンの表面を陽極酸化法により酸化することにより、
８ｎｍの絶縁膜を作製する。その上に、スパッタ法によ
り金５ｎｍを積層し、フォトリソグラフィーとウェット
エッチングによりパターン化することにより上部電極８
０２を形成した。この場合に、図９に示す下基板７０３
に形成される、スペーサ７０１をはめ込むための凹部と
その凹部の周囲を囲む凸部とから成る凹凸構造８０４
を、それを囲む４つの電子源８０３から等しい距離に配
置されるように、下部電極８０１および上部電極８０２
のパターンニングを行っている。図１１は、本発明の実
施の形態８の平面型表示装置における上基板の概略構成
を示す図である。図１１に示す上基板は、図３に示す上
基板と同様な構造を有し、図１１に示すように、赤・緑
・青の蛍光体がこの順番で順次塗分けられた構造の蛍光
体ストライプ８５ｌを有する。この蛍光体ストライプ８
５１を作製後、イオンビーム蒸着法により、アルミニウ
ムを３０ｎｍ積層して、メタルバック膜（Ａｌ膜）８５
２を形成する。この場合に、図９に示す上基板７０５の
下表面に設けた凸構造と同じ構造の凸構造８５３が、蛍
光体ストライプ８５１の間に配置されるように、蛍光体
ストライプ８５１は形成される。このようにして作製さ
れた電子源アレイが形成された下基板、蛍光体ストライ
プ８５１が形成された上基板、さらに枠ガラスを封着・
封止することにより、本実施の形態の平面型表示装置が
作成される。本実施の形態の平面型表示装置において、
上部電極８０２と下部電極８０１との間に電圧を印加
し、さらに、メタルバック膜８５２に加速電圧を印加
し、電子源８０３からの電子を加速して蛍光体ストライ
プ８５１に選択的に照射することにより、任意のパター
ンおよび動画を表示することができた。
【００１９】また、本実施の形態においても、下基板の
上表面にスペーサをはめ込むための凹部とその凹部の周
囲を囲む凸部とから成る凹凸構造８０４を設け、さらに
上基板の下表面に、スペーサと接する部分の一部に凸構
造８５３を設けるようにしたので、スペーサのアセンブ
リが容易になる。また、スペーサのずれがなくなるの
で、スペーサのずれにより、下基板の上表面に形成され
る電子源アレイ、あるいは、上基板の下表面に形成され
る蛍光体ストライプ８５１を傷つけることがなくなる。
なお、前記各実施の形態においても、下基板の上表面に
形成される、凹構造あるいは凹凸構造は、それを囲む４
つの電子源から等しい距離に配置されるように、下部電
極および上部電極のパターンニングが行われていること
は言うまでもない。同様に、前記各実施の形態において
も、上基板の下表面に形成される凹構造、凹凸構造、あ
るいは凸構造は、蛍光体ストライプの間に配置されこと
は言うまでもない。以上、本発明者によってなされた発
明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本
発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であるこ
とは勿論である。
上表面にスペーサをはめ込むための凹部とその凹部の周
囲を囲む凸部とから成る凹凸構造８０４を設け、さらに
上基板の下表面に、スペーサと接する部分の一部に凸構
造８５３を設けるようにしたので、スペーサのアセンブ
リが容易になる。また、スペーサのずれがなくなるの
で、スペーサのずれにより、下基板の上表面に形成され
る電子源アレイ、あるいは、上基板の下表面に形成され
る蛍光体ストライプ８５１を傷つけることがなくなる。
なお、前記各実施の形態においても、下基板の上表面に
形成される、凹構造あるいは凹凸構造は、それを囲む４
つの電子源から等しい距離に配置されるように、下部電
極および上部電極のパターンニングが行われていること
は言うまでもない。同様に、前記各実施の形態において
も、上基板の下表面に形成される凹構造、凹凸構造、あ
るいは凸構造は、蛍光体ストライプの間に配置されこと
は言うまでもない。以上、本発明者によってなされた発
明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本
発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であるこ
とは勿論である。
【００２０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。 （１）本発明によれば、表示装置を作製する際に、スペ
ーサのアセンブリが容易となり、また、スペーサのアセ
ンブリの際に、一方の基板に形成される電子源、あるい
は他方の基板に形成される蛍光面に傷がつくのを防止す
ることが可能となる。 （２）本発明によれば、表示装置の作製が容易となり、
表示装置のコストを低減することが可能となる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。 （１）本発明によれば、表示装置を作製する際に、スペ
ーサのアセンブリが容易となり、また、スペーサのアセ
ンブリの際に、一方の基板に形成される電子源、あるい
は他方の基板に形成される蛍光面に傷がつくのを防止す
ることが可能となる。 （２）本発明によれば、表示装置の作製が容易となり、
表示装置のコストを低減することが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態１の平面型表示装置の概略
構成を示す展開斜視図である。
構成を示す展開斜視図である。
【図２】図１に示す下基板の一例の概略構成を示す図で
ある。
ある。
【図３】図１に示す上基板の一例の概略構成を示す図で
ある。
ある。
【図４】本発明の実施の形態２の平面型表示装置の概略
構成を示す展開斜視図である。
構成を示す展開斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態３の平面型表示装置の概略
構成を示す展開斜視図である。
構成を示す展開斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態４の平面型表示装置の概略
構成を示す展開斜視図である。
構成を示す展開斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態５の平面型表示装置の概略
構成を示す展開斜視図である。
構成を示す展開斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態６の平面型表示装置の概略
構成を示す展開斜視図である。
構成を示す展開斜視図である。
【図９】本発明の実施の形態７の平面型表示装置の概略
構成を示す展開斜視図である。
構成を示す展開斜視図である。
【図１０】本発明の実施の形態８の平面型表示装置の下
基板の概略構成を示す図である。
基板の概略構成を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態８の平面型表示装置の上
基板の概略構成を示す図である。
基板の概略構成を示す図である。
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１，７
０１…スペーサ、１０２，２０２，２０６，５０６，６
０２…凹構造、１０３，２０３，３０３，４０３，５０
３，６０３，７０３…下基板、１０４，２０４，３０
４，４０４，５０４，６０４，７０４…枠ガラス、１０
５，２０５，３０５，４０５，５０５，６０５，７０５
…上基板、２１１，２２１…ガラス基板、２１２，８０
１…下部電極、２１３…電界緩和層、２１４…トンネル
絶縁層、２１５…バス電極、２１６，８０２…上部電
極、２１７…電子放出部、２１８，８５１…蛍光体スト
ライプ、２１９，８５２…メタルバック膜（Ａｌ膜）、
３０２，４０２，４０６，５０２，７０２，８０４…凹
凸構造、６０６，７０６，８５３…凸構造、８０３…電
子源。
０１…スペーサ、１０２，２０２，２０６，５０６，６
０２…凹構造、１０３，２０３，３０３，４０３，５０
３，６０３，７０３…下基板、１０４，２０４，３０
４，４０４，５０４，６０４，７０４…枠ガラス、１０
５，２０５，３０５，４０５，５０５，６０５，７０５
…上基板、２１１，２２１…ガラス基板、２１２，８０
１…下部電極、２１３…電界緩和層、２１４…トンネル
絶縁層、２１５…バス電極、２１６，８０２…上部電
極、２１７…電子放出部、２１８，８５１…蛍光体スト
ライプ、２１９，８５２…メタルバック膜（Ａｌ膜）、
３０２，４０２，４０６，５０２，７０２，８０４…凹
凸構造、６０６，７０６，８５３…凸構造、８０３…電
子源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐川 雅一 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 鈴木 睦三 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5C032 AA01 CC05 CC10 CD04 CD06 5C036 EE15 EF01 EF06 EF09 EG01 EH01 EH10 5C094 AA03 AA42 AA43 AA44 BA04 BA32 BA34 CA19 DA12 EC03 FA01 FA02 GB01 5G435 AA07 AA17 BB02 CC09 EE01 EE05 GG42 HH06 KK02 KK03 KK05
Claims (8)
- 【請求項１】 一対の基板と枠部材とを備え、前記一対
の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる
表示装置であって、 前記両方の基板の間に設けられるスペーサと、 前記一方あるいは両方の基板に設けられる前記スペーサ
位置決用の位置決め手段とを有することを特徴とする表
示装置。 - 【請求項２】 一対の基板と枠部材とを備え、前記一対
の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる
表示装置であって、 前記両基板の間に設けられるスペーサと、 前記一方あるいは両方の基板に設けられる凹部で、前記
スペーサが挿入される凹部とを有することを特徴とする
表示装置。 - 【請求項３】 一対の基板と枠部材とを備え、前記一対
の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる
表示装置であって、 前記両基板の間に設けられるスペーサと、 前記一方あるいは両方の基板に設けられる凹部で、前記
スペーサが挿入される凹部と、 前記一方あるいは両方の基板に設けられる凸部で、前記
凹部の周囲に当該凹部を囲むように設けられる凸部とを
有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項４】 一対の基板と枠部材とを備え、前記一対
の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる
表示装置であって、 前記両基板の間に設けられるスペーサと、 前記一方の基板に設けられる凹部で、前記スペーサが挿
入される第１の凹部と、 前記他方の基板に設けられる凹部で、前記スペーサが挿
入される第２の凹部と、 前記他方の基板に設けられる凸部で、前記第２の凹部の
周囲に当該第２の凹部を囲むように設けられる凸部とを
有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項５】 一対の基板と枠部材とを備え、前記一対
の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる
表示装置であって、 前記両基板の間に設けられるスペーサと、 前記一方の基板に設けられる凹部で、前記スペーサが挿
入される凹部と、 前記他方の基板に設けられる凸部で、前記他方の基板に
おける前記スペーサと接する領域のすべて、あるいは一
部に設けられる凸部とを有することを特徴とする表示装
置。 - 【請求項６】 一対の基板と枠部材とを備え、前記一対
の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる
表示装置であって、 前記両基板の間に設けられるスペーサと、 前記一方の基板に設けられる凹部で、前記スペーサが挿
入される凹部と、 前記一方の基板に設けられる第１の凸部で、前記凹部の
周囲に当該凹部を囲むように設けられる第１の凸部と、 前記他方の基板に設けられる凸部で、前記他方の基板に
おける前記スペーサと接する領域のすべて、あるいは一
部に設けられる第２の凸部とを有することを特徴とする
表示装置。 - 【請求項７】 前記一方の基板は、その表面に形成され
る微小電子源アレイを有し、 前記他方の基板は、その表面に形成される蛍光面を有す
ることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか
１項に記載の表示装置。 - 【請求項８】 前記一方の基板は、その表面に形成され
る、金属一絶縁膜一金属構造の微小電子源アレイを有
し、 前記他方の基板は、その表面に形成される蛍光面を有す
ることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか
１項に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11104899A JP2000294170A (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11104899A JP2000294170A (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294170A true JP2000294170A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14393004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11104899A Pending JP2000294170A (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000294170A (ja) |
-
1999
- 1999-04-13 JP JP11104899A patent/JP2000294170A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060328 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080901 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081119 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090116 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20090218 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |