JP2000288926A - Adhesive pressing device and wafer adhering device - Google Patents

Adhesive pressing device and wafer adhering device

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JP2000288926A
JP2000288926A JP11101393A JP10139399A JP2000288926A JP 2000288926 A JP2000288926 A JP 2000288926A JP 11101393 A JP11101393 A JP 11101393A JP 10139399 A JP10139399 A JP 10139399A JP 2000288926 A JP2000288926 A JP 2000288926A
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Japan
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wafer
bonding
carrier plate
adhesive
plate
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Shoji Seki
昭二 関
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Fujikoshi Machinery Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive pressing device capable of heating a wafer placed on the plate surface of a carrier plate to a specified temperature and adhering it even when the heating temperature of the carrier plate is set as low as possible. SOLUTION: The head portion 38 of an adhesive pressing device 36 is provided so as to be brought into contact with/separated from the plate surface 31 of a carrier plate 30, an elastic body 40 bulged like a balloon by pressure fluids toward the plate surface is provided in the side of the head portion opposite the plate surface of the carrier plate, and to heat a wafer 34 when the head portion approaches the plate surface of the carrier plate and presses the elastic body bulged like a balloon from the rough center of the wafer 34 placed on the coated adhesive of the plate surface of the carrier plate in a peripheral edge direction, a supply means is provided to supply heated fluids between the opposite surface of the head portion and the elastic body.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は接着プレス装置及び
ウェーハの接着装置に関し、更に詳細には研磨装置に装
着されるキャリアプレートのプレート面に、接着剤が塗
布された接着面が接するように載置されたウェーハを加
熱プレスして接着する接着プレス装置、及び前記接着プ
レス装置を用いたウェーハの接着装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bonding press device and a bonding device for a wafer, and more particularly, to a mounting device in which a bonding surface coated with an adhesive is in contact with a plate surface of a carrier plate mounted on a polishing device. The present invention relates to a bonding press device that heat-presses a placed wafer to bond the wafer, and a bonding device for a wafer using the bonding press device.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコンウェーハ等の研磨面を鏡面に仕
上げるポリシング加工においては、通常、剛性を有する
セラミック製のキャリアプレートにウェーハを接着して
ポリシング研磨装置に供している。かかるポリシング研
磨装置で研磨してウェーハの研磨面を高い平坦度に仕上
げるためには、キャリアプレート自体が高い平坦度を有
していることは勿論のことであるが、ウェーハがキャリ
アプレートに対して高い平坦度で接着されていることが
必要である。特に、シリコンウェーハのポリシング加工
では、キャリアプレートに接着されたウェーハを、その
プレートを介して研磨用定盤の研磨面(研磨布の面)に
押圧して、両者を相対的に運動させることによって研磨
する方法が一般的に行われており、サブミクロン単位の
高い平坦度が要求される。
2. Description of the Related Art In a polishing process for finishing a polished surface of a silicon wafer or the like to a mirror surface, the wafer is usually bonded to a rigid carrier plate made of ceramic and supplied to a polishing polishing apparatus. In order to finish the polished surface of the wafer to a high flatness by polishing with such a polishing polishing apparatus, it is needless to say that the carrier plate itself has a high flatness. It is necessary to adhere with high flatness. In particular, in the polishing process of a silicon wafer, a wafer bonded to a carrier plate is pressed against a polishing surface (a surface of a polishing cloth) of a polishing platen through the plate, and the two are relatively moved. A polishing method is generally used, and a high flatness on the order of submicrons is required.

【0003】しかし、シリコンウェーハの接着面とキャ
リアプレートのプレート面との間に僅かな気泡が存在し
ていると、気泡に対応するシリコンウェーハの部分が盛
り上がった状態でキャリアプレートに接着される。かか
るシリコンウェーハの盛り上がった部分は、研磨によっ
て除去されるため、シリコンウェーハの研磨面に凹部が
形成され、研磨面の平坦度を低下させることになる。こ
のため、接着剤が塗布されたシリコンウェーハをキャリ
アプレートに接着する際には、図6に示す接着プレス装
置100が用いられる。図6の接着プレス装置100
は、ヘッド部102が、下部加熱ヒータ103を内蔵す
る受け台104上に載置したキャリアプレート106の
プレート面に接離動可能となるように、上下動可能に設
けられている。この様に、下部加熱ヒータ103を内蔵
する受け台104は、下部加熱ヒータ103によって1
00℃以上に加熱されており、受け台104上に載置さ
れているキャリアプレート106も加熱されている。ま
た、ヘッド部102には、そのキャリアプレート106
のプレート面に対向する対向面側に弾性体108が設け
られている。かかる弾性体108は、圧縮機110から
の圧空が、ヘッド部102の対向面側と弾性体108と
の間に供給されたとき、キャリアプレート106の方向
にバルーン状に膨出する。
However, if there are slight bubbles between the bonding surface of the silicon wafer and the plate surface of the carrier plate, the portion of the silicon wafer corresponding to the bubbles is bonded to the carrier plate in a raised state. Since the raised portion of the silicon wafer is removed by polishing, a concave portion is formed on the polished surface of the silicon wafer, and the flatness of the polished surface is reduced. For this reason, when bonding the silicon wafer to which the adhesive has been applied to the carrier plate, the bonding press device 100 shown in FIG. 6 is used. Bonding press device 100 of FIG.
The head unit 102 is provided so as to be able to move up and down so that the head unit 102 can move toward and away from the plate surface of a carrier plate 106 placed on a receiving table 104 having a lower heater 103 built therein. In this manner, the pedestal 104 having the lower heater 103 built therein is one
The carrier plate 106 is heated to a temperature of 00 ° C. or higher, and the carrier plate 106 placed on the receiving table 104 is also heated. Further, the carrier plate 106 is provided on the head portion 102.
The elastic body 108 is provided on the side facing the plate surface. When the compressed air from the compressor 110 is supplied between the facing surface side of the head unit 102 and the elastic body 108, the elastic body 108 expands in a balloon shape toward the carrier plate 106.

【0004】図6に示す接着プレス装置100を用い、
シリコンウェーハ(以下、単にウェーハと称することが
ある)をキャリアプレートに接着する際には、先ず、受
け台104上に載置されて加熱されているキャリアプレ
ート106のプレート面に、接着面が接触するようにウ
ェーハ112を載置する。かかるウェーハ112は、キ
ャリアプレート106からの熱によって加熱される。次
いで、ヘッド部102の対向面側と弾性体108との間
に室温の圧空を供給し、弾性体108をキャリアプレー
ト106の方向にバルーン状に膨出させた後、ヘッド部
102を降下させてバルーン状に膨出した弾性体108
を、加熱されたウェーハ112の上面に押し付けつつプ
レスする。この様に、バルーン状に膨出した弾性体10
8を、加熱されたウェーハ112の上面に押し付けつつ
プレスすることによって、ウェーハ112は、略中心部
から周縁の方向に均等な圧力で押圧される。このため、
ウェーハ112の接着面とキャリアプレート106のプ
レート面との間に存在する気泡も、ウェーハ112の中
心部から周縁の方向に押し出される結果、キャリアプレ
ート106に接着されたウェーハ112の平坦性を確保
できる。
[0004] Using an adhesive press apparatus 100 shown in FIG.
When bonding a silicon wafer (hereinafter, may be simply referred to as a wafer) to a carrier plate, first, the bonding surface comes into contact with the plate surface of the carrier plate 106 which is placed on the receiving table 104 and heated. The wafer 112 is placed in such a way as to perform. The wafer 112 is heated by the heat from the carrier plate 106. Next, a compressed air at room temperature is supplied between the opposing surface side of the head unit 102 and the elastic body 108 to expand the elastic body 108 in a balloon shape in the direction of the carrier plate 106, and then the head unit 102 is lowered. Elastic body 108 swelled like a balloon
Is pressed against the upper surface of the heated wafer 112. Thus, the elastic body 10 swelled in a balloon shape
By pressing the wafer 8 against the upper surface of the heated wafer 112, the wafer 112 is pressed with a uniform pressure in a direction from a substantially central portion to a peripheral edge. For this reason,
Bubbles existing between the bonding surface of the wafer 112 and the plate surface of the carrier plate 106 are also pushed out from the center of the wafer 112 toward the peripheral edge, so that the flatness of the wafer 112 bonded to the carrier plate 106 can be ensured. .

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】図6に示す接着プレス
装置100を用いることによって、キャリアプレート1
06に接着されたウェーハ112の平坦性を確保でき
る。ところで、キャリアプレート106及びウェーハ1
12は、下部加熱ヒータ103によって加熱された受け
台104上に載置されて加熱されているが、ウェーハ1
12が接着されたキャリアプレート106は、受け台1
04から外されて冷却された後、ポリシング研磨装置等
に装着される。しかし、ウェーハ112が接着されたキ
ャリアプレート106が冷却されたとき、ウェーハ11
2とキャリアプレート106との接着不良が発生するこ
とがある。ウェーハ112はシリコン製であり、キャリ
アプレート106はセラミック製であるため、両者の熱
膨張率差に起因する応力が両者の接着面に作用するから
である。
[0006] By using the adhesive press device 100 shown in FIG.
The flatness of the wafer 112 bonded to the substrate 06 can be ensured. By the way, the carrier plate 106 and the wafer 1
The wafer 12 is placed on a receiving table 104 heated by the lower heater 103 and heated.
The carrier plate 106 to which the carrier 12 is adhered is
After being removed from the substrate 04 and cooled, it is mounted on a polishing machine or the like. However, when the carrier plate 106 to which the wafer 112 is bonded is cooled, the wafer 11
Poor adhesion between the carrier plate 106 and the carrier plate 106 may occur. This is because the wafer 112 is made of silicon and the carrier plate 106 is made of ceramic, so that a stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the two acts on the bonding surface between the two.

【0006】本発明者は、この接着不良を解消するに
は、ウェーハ112よりも遙に厚いキャリアプレート1
06の収縮を可及的に少なくすることが有利と考え、下
部加熱ヒータ103による加熱温度を可及的に低温と
し、ウェーハ112をバルーン状に膨出した弾性体10
8によって加熱すべく、図6に示す様に、ヘッド部10
2にヒータ部114を内蔵することを試みた。しかしな
がら、バルーン状に膨出した弾性体108をウェーハ1
12の上面に押し付けつつプレスする際、弾性体108
がバルーン状に膨出した膨出体内の内圧を一定圧とすべ
く、膨出体内の圧空の一部を抜き出して調整する。この
ため、膨出体内に圧空が出入するため、弾性体108の
表面温度が目標温度よりも低温となり易い。したがっ
て、下部加熱ヒータ104の加熱温度を昇温することが
必要となり、ウェーハ112が接着されたキャリアプレ
ート106が冷却されたとき、ウェーハ112とキャリ
アプレート106との接着不良が依然として発生するこ
とがあった。そこで、本発明の課題は、キャリアプレー
トの加熱温度が可及的に低温に設定されていても、キャ
リアプレートのプレート面に載置されたウェーハを所定
温度に加熱して接着し得る接着プレス装置及び、前記接
着プレス装置を用いたウェーハの接着装置を提供するこ
とにある。
The inventor of the present invention has proposed that the carrier plate 1 which is much thicker than the wafer
06, it is advantageous to reduce the shrinkage as much as possible, so that the heating temperature of the lower heater 103 is made as low as possible, and the wafer 10
As shown in FIG.
It was attempted to incorporate the heater unit 114 in the second embodiment. However, the elastic body 108 bulging into a balloon shape is
12 while pressing against the upper surface of the elastic body 108
Is adjusted by extracting a part of the compressed air in the inflatable body so as to keep the internal pressure in the inflated body inflated to a balloon. For this reason, since the compressed air flows into and out of the bulging body, the surface temperature of the elastic body 108 tends to be lower than the target temperature. Therefore, it is necessary to raise the heating temperature of the lower heater 104, and when the carrier plate 106 to which the wafer 112 is bonded is cooled, poor bonding between the wafer 112 and the carrier plate 106 may still occur. Was. Therefore, an object of the present invention is to provide a bonding press apparatus that can heat a wafer placed on a plate surface of a carrier plate to a predetermined temperature and bond the wafer, even if the heating temperature of the carrier plate is set as low as possible. Another object of the present invention is to provide a wafer bonding apparatus using the bonding press apparatus.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決するには、バルーン状に膨出した弾性体を、キャリ
アプレート上に載置されたウェーハの上面に押し付けつ
つプレスする接着プレス装置の弾性体を、加熱流体と直
接接触させて加熱することが有効であると考え検討した
結果、本発明に到達した。すなわち、本発明は、研磨装
置に装着されるキャリアプレートのプレート面に、接着
剤が塗布された接着面が接するように載置されたウェー
ハを加熱プレスして接着する接着プレス装置において、
該接着プレス装置のヘッド部が、前記キャリアプレート
のプレート面に接離動可能に設けられていると共に、前
記ヘッド部のキャリアプレートのプレート面に対向する
対向面側に、前記プレート面の方向に加圧流体によって
バルーン状に膨出する弾性体が設けられ、且つ前記ヘッ
ド部が前記キャリアプレートのプレート面に近接し、バ
ルーン状に膨出された状態の弾性体を、前記キャリアプ
レートに載置されたウェーハの略中央部から周縁方向に
押し付けてプレスする際に、前記ウェーハを加熱し得る
ように、前記ヘッド部の対向面と弾性体との間に加熱さ
れた加圧流体を供給する供給手段が設けられていること
を特徴とする接着プレス装置にある。
In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor has proposed an adhesive press which presses an elastic body bulged in a balloon shape while pressing the elastic body against an upper surface of a wafer placed on a carrier plate. As a result of considering that it is effective to heat the elastic body of the device by bringing it into direct contact with the heating fluid, the present inventors have reached the present invention. That is, the present invention is a bonding press device that heat-presses and bonds a wafer placed on a plate surface of a carrier plate mounted on a polishing device so that an adhesive surface coated with an adhesive is in contact with the polishing plate.
A head portion of the adhesive press device is provided so as to be able to move toward and away from the plate surface of the carrier plate, and is provided on a side facing the plate surface of the carrier plate of the head portion in a direction of the plate surface. An elastic body that expands in a balloon shape by a pressurized fluid is provided, and the head portion is close to the plate surface of the carrier plate, and the elastic body in a balloon-like state is placed on the carrier plate. A supply for supplying a pressurized fluid heated between an opposing surface of the head portion and an elastic body so that the wafer can be heated when pressed in a peripheral direction from a substantially central portion of the formed wafer. Means for providing an adhesive press.

【0008】かかる本発明において、接着プレス装置の
ヘッド部に、ヒータを内蔵することによって、ヘッド部
からの放熱を防止し、可及的に高温の加圧流体をヘッド
部の対向面と弾性体との間に供給できる。また、接着プ
レス装置のヘッド部に、その対向面と弾性体との間に加
熱された加圧流体を給排する供給通路と排出通路との各
々を別通路とすることによって、弾性体がバルーン状に
膨出した膨出部に、加熱された加圧流体を連続して流す
ことができる。更に、加圧流体として、加圧液体を用い
ることによって、加圧流体として加圧気体を用いた場合
よりも大量の熱量を弾性体に与えることができる。
In the present invention, a heater is incorporated in the head portion of the adhesive press device to prevent heat radiation from the head portion and to apply a pressurized fluid as hot as possible to the opposing surface of the head portion and the elastic body. Can be supplied between In addition, by providing separate supply passages and discharge passages for supplying and discharging the heated pressurized fluid between the opposing surface and the elastic body to the head portion of the adhesive press device, the elastic body is a balloon. The heated pressurized fluid can be continuously flowed through the bulging portion that bulges in the shape. Furthermore, by using a pressurized liquid as the pressurized fluid, a larger amount of heat can be given to the elastic body than when a pressurized gas is used as the pressurized fluid.

【0009】また、本発明は、ウェーハの接着面に液状
の接着剤を滴下して接着剤を塗布する接着剤塗布手段
と、前記液状の接着剤が塗布されたウェーハに加熱処理
を施し、含有されている溶媒を揮散させて前記接着剤を
乾燥するベイキング手段と、研磨装置に装着されるキャ
リアプレートに、接着剤が塗布されたウェーハを加熱プ
レスして接着する接着プレス手段と、前記ベイキング手
段で加熱処理が施されたウェーハを、前記接着プレス手
段まで搬送する搬送手段とを具備するウェーハの接着装
置において、該接着プレス手段として用いる、前記キャ
リアプレートのプレート面に、接着剤が塗布された接着
面が接するように載置されたウェーハを加熱プレスして
接着する接着プレス装置のヘッド部が、前記キャリアプ
レートのプレート面に接離動可能に設けられていると共
に、前記ヘッド部のキャリアプレートのプレート面に対
向する対向面側に、前記プレート面の方向に加圧流体に
よってバルーン状に膨出する弾性体が設けられ、且つ前
記ヘッド部が前記キャリアプレートのプレート面に近接
し、バルーン状に膨出された状態の弾性体を前記キャリ
アプレートに載置されたウェーハの略中央部から周縁方
向に押し付けてプレスする際に、前記ウェーハを加熱し
得るように、前記ヘッド部の対向面と弾性体との間に加
熱された加圧流体を供給する供給手段が設けられている
ことを特徴とするウェーハの接着装置にある。
Further, the present invention provides an adhesive applying means for applying a liquid adhesive onto a bonding surface of a wafer by dropping a liquid adhesive, and applying a heat treatment to the wafer to which the liquid adhesive has been applied so as to contain the adhesive. Baking means for evaporating the solvent and drying the adhesive, bonding press means for hot-pressing and bonding the wafer on which the adhesive has been applied to a carrier plate mounted on a polishing device, and the baking means In a wafer bonding apparatus including a transfer unit that transfers the wafer that has been subjected to the heat treatment to the bonding press unit, an adhesive is applied to a plate surface of the carrier plate that is used as the bonding press unit. The head portion of the bonding press device for bonding by heating and pressing the wafer placed so that the bonding surfaces are in contact with each other is a plate surface of the carrier plate. An elastic body that is provided so as to be able to be moved toward and away from the head, and that is inflated in a balloon shape by a pressurized fluid in the direction of the plate surface is provided on a surface of the head portion facing the plate surface of the carrier plate, When the head is pressed close to the plate surface of the carrier plate, and the elastic body in a balloon-shaped state is pressed in a peripheral direction from a substantially central portion of the wafer placed on the carrier plate and pressed. Supply means for supplying a heated pressurized fluid between an opposing surface of the head portion and an elastic body so that the wafer can be heated. .

【0010】かかる本発明において、ベイキング手段で
加熱処理が施されたウェーハを、接着プレス手段まで搬
送する搬送手段として、このウェーハの接着面が上面と
なるようにウェーハの下面側を支承して搬送し、キャリ
アプレートのプレート面にウェーハの接着面が向くよう
に反転するヘッド部を具備する移送装置を用い、且つ移
送装置のヘッド部にヒータを設けることによって、ベイ
キング手段で加熱処理が施されたウェーハの温度低下を
可及的に防止してキャリアプレートのプレート面に、接
着面が接触するようにウェーハを載置できる。
In the present invention, the wafer subjected to the heat treatment by the baking means is transported to the bonding press means, and the wafer is transported by supporting the lower surface of the wafer such that the bonding surface of the wafer becomes the upper surface. Then, the heating treatment was performed by the baking means by using a transfer device having a head portion that is turned over so that the bonding surface of the wafer faces the plate surface of the carrier plate, and by providing a heater to the head portion of the transfer device. The wafer can be placed such that the bonding surface comes into contact with the plate surface of the carrier plate while preventing the temperature of the wafer from lowering as much as possible.

【0011】本発明に係る接着プレス装置によれば、加
熱された加圧流体によってバルーン状に膨出された弾性
体は、加熱された加圧流体によって直接加熱されてい
る。このため、バルーン状に膨出された状態の弾性体を
キャリアプレートに載置されたウェーハに押し付けてプ
レスする際に、加熱された弾性体によってウェーハを直
接加熱することができる。したがって、キャリアプレー
トを加熱する加熱温度を可及的に低温とすることがで
き、ウェーハが接着されたキャリアプレートの冷却によ
る収縮に起因するウェーハの接着不良を実質的に解消で
きる。また、かかる接着プレス装置を具備するウェーハ
の接着装置によれば、一連のウェーハの接着操作を自動
的に行うことができ、ウェーハの接着状態が良好なキャ
リアプレートを得ることができる。
[0011] According to the adhesive press apparatus of the present invention, the elastic body swelled into a balloon by the heated pressurized fluid is directly heated by the heated pressurized fluid. Therefore, when the balloon-inflated elastic body is pressed against the wafer placed on the carrier plate and pressed, the wafer can be directly heated by the heated elastic body. Accordingly, the heating temperature for heating the carrier plate can be made as low as possible, and the defective bonding of the wafer due to the shrinkage of the carrier plate to which the wafer is bonded due to cooling can be substantially eliminated. Further, according to the wafer bonding apparatus provided with such a bonding press device, a series of bonding operations of wafers can be automatically performed, and a carrier plate having a good bonding state of wafers can be obtained.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明に係るウェーハの接着装置
の概略図を図1に示す。図1において、ウェーハの供給
部12からキャリアプレート30の方向に、第1センタ
リング部14、接着剤塗布手段としてのスピンナー部1
6、ベイキング手段としてのベイキング部18、第2セ
ンタリング部20、第2センタリング部20からキャリ
アプレート30にウェーハを搬送する搬送手段としての
搬送装置21Aが順次配列されている。かかる図1のウ
ェーハの接着装置では、ウェーハの供給部12から供給
されたウェーハは、第1センタリング部14によってセ
ンタリングされてスピンナー部16に送られる。スピン
ナー部16は、ウェーハを高速で回転させつつ、その接
着面に液状の接着剤を滴下して接着剤を塗布する接着剤
塗布装置である。液状の接着剤が接着面に塗布されたウ
ェーハは、赤外ランプが設けられたベイキング部18に
送られ、赤外ランプによる加熱によって接着剤が乾燥さ
れる。この接着剤の乾燥とは、接着剤に含有されている
溶媒を加熱によって揮散させることをいう。
FIG. 1 is a schematic view of a wafer bonding apparatus according to the present invention. In FIG. 1, a first centering unit 14 and a spinner unit 1 as an adhesive applying unit are arranged in a direction from a wafer supply unit 12 to a carrier plate 30.
6. A baking unit 18 as a baking unit, a second centering unit 20, and a transfer device 21A as a transfer unit for transferring a wafer from the second centering unit 20 to the carrier plate 30 are sequentially arranged. In the wafer bonding apparatus shown in FIG. 1, the wafer supplied from the wafer supply unit 12 is centered by the first centering unit 14 and sent to the spinner unit 16. The spinner unit 16 is an adhesive coating device that applies a liquid adhesive onto a bonding surface of the wafer while rotating the wafer at a high speed. The wafer having the liquid adhesive applied to the bonding surface is sent to a baking unit 18 provided with an infrared lamp, and the adhesive is dried by heating with the infrared lamp. The drying of the adhesive means that the solvent contained in the adhesive is volatilized by heating.

【0013】更に、接着面に塗布された接着剤がベイキ
ング部18で加熱乾燥されたウェーハは、第2センタリ
ング部20によって再度センタリングされた後、搬送装
置21Aによってキャリアプレート30まで搬送され
る。かかる搬送は、ウェーハの接着面を上面にして搬送
されるため、キャリアプレート30まで搬送されたウェ
ーハは、搬送装置21Aによって、接着面がキャリアプ
レート30のプレート面に向くように反転される。
Further, the wafer on which the adhesive applied to the bonding surface has been heated and dried in the baking section 18 is again centered by the second centering section 20, and then transferred to the carrier plate 30 by the transfer device 21A. Since such a transfer is performed with the bonding surface of the wafer facing upward, the wafer transferred to the carrier plate 30 is inverted by the transfer device 21A such that the bonding surface faces the plate surface of the carrier plate 30.

【0014】図1に示すキャリアプレート30は、図2
に示す様に、下部加熱ヒータ29が内蔵されている受け
台32上に載置されており、このキャリアプレート30
のプレート面31には、接着剤が塗布された接着面が接
するようにウェーハ34が載置されている。かかるウェ
ーハ34は、接着プレス装置36のヘッド部38による
プレスによってキャリアプレート30のプレート面31
に接着される。図2に示すヘッド部38は、キャリアプ
レート30のプレート面31に接離動可能となるように
上下動可能に設けられており、空圧シリンダ等の駆動装
置(図示せず)によって上下方向に駆動される。このヘ
ッド部38には、そのキャリアプレート30のプレート
面31に対向する対向面39の側に弾性体40が設けら
れている。この弾性体40は、主としてゴム等の弾性樹
脂によって形成されており、網体等によって補強されて
いる。かかる弾性体40は、対向面39と弾性体40と
の間に圧空等の加圧流体が供給されると、プレート面3
1の方向にバルーン状に膨出する。
The carrier plate 30 shown in FIG.
As shown in the figure, the carrier plate 30 is placed on a receiving table 32 in which a lower heater 29 is built.
The wafer 34 is placed on the plate surface 31 so that the adhesive surface to which the adhesive is applied is in contact. The wafer 34 is pressed by the head portion 38 of the bonding press device 36 onto the plate surface 31 of the carrier plate 30.
Adhered to. The head section 38 shown in FIG. 2 is provided to be vertically movable so as to be able to move toward and away from the plate surface 31 of the carrier plate 30, and is vertically moved by a driving device (not shown) such as a pneumatic cylinder. Driven. The head portion 38 is provided with an elastic body 40 on a side of a facing surface 39 facing the plate surface 31 of the carrier plate 30. The elastic body 40 is mainly formed of an elastic resin such as rubber, and is reinforced by a net or the like. When a pressurized fluid such as pressurized air is supplied between the opposing surface 39 and the elastic body 40, the elastic body 40 has a plate surface 3
The balloon bulges in the direction of 1.

【0015】図2に示す接着プレス装置36において
は、ヘッド部38の対向面39と弾性体40との間に供
給される加圧流体としては加圧液体、具体的には約10
0℃前後に加熱されたシリコーンオイルが用いられてい
る。この加熱された加圧液体は、ヘッド部38に独立し
て設けられた供給通路42と排出通路44とによって、
対向面39と弾性体40との間に供給・排出される。加
熱された加圧液体をヘッド部38に供給する供給手段と
しては、図2に示す流体供給装置50が用いることがで
きる。流体供給装置50では、タンク52に貯留される
シリコーンオイル等の液体を所定温度に加熱するヒータ
54が、タンク52に設けられている。タンク52にお
いて所定温度に加熱された加熱液体は、ポンプ56によ
って所定圧力に昇圧されて送り出され、電磁弁58を通
過して送り配管60を経由した後、ヘッド部38の供給
通路42によって、ヘッド部38の対向面39と弾性体
40との間に供給される。
In the bonding press apparatus 36 shown in FIG. 2, the pressurized fluid supplied between the opposing surface 39 of the head section 38 and the elastic body 40 is a pressurized liquid, specifically, about 10
Silicone oil heated to around 0 ° C. is used. The heated pressurized liquid is supplied to a supply passage 42 and a discharge passage 44 which are provided independently of the head portion 38.
It is supplied and discharged between the facing surface 39 and the elastic body 40. As a supply unit that supplies the heated pressurized liquid to the head unit 38, a fluid supply device 50 illustrated in FIG. 2 can be used. In the fluid supply device 50, a heater 54 for heating a liquid such as silicone oil stored in the tank 52 to a predetermined temperature is provided in the tank 52. The heated liquid heated to a predetermined temperature in the tank 52 is pumped up to a predetermined pressure by a pump 56 and sent out. After passing through an electromagnetic valve 58 and passing through a feed pipe 60, the heating liquid is supplied to the head by a supply passage 42 of the head unit 38. It is supplied between the opposing surface 39 of the part 38 and the elastic body 40.

【0016】ヘッド部38の対向面39と弾性体40と
の間に供給され、弾性体40を加熱した加熱液体は、ヘ
ッド部38の排出通路44によって、対向面39と弾性
体40との間から排出された後、戻り配管62を経由
し、サーボ弁64を通過してタンク52に戻る。かかる
流体供給装置50では、戻り配管62に設けられている
サーボ弁64の開度を調整することによって、ヘッド部
38の対向面39と弾性体40との間に供給する加圧液
体の圧力を調整できる。また、ヘッド部38への加熱液
体の送液を停止する場合は、ポンプ56を停止すること
によって加熱液体の送液を停止できるが、電磁弁58を
閉とすることによっても行うことができる。この際、ポ
ンプ56と電磁弁58との間に一端が繋ぎ込まれた循環
配管に設けられた電磁弁66を開とし、タンク52に貯
留された加熱液体を循環させることが好ましい。かかる
循環によって、加熱液体の攪拌を行うことができ、タン
ク52に貯留された加熱液体の温度の均一化を図ること
ができる。尚、ヘッド部38に加熱液体を送液する場合
は、送り配管60の電磁弁58を開とすると共に、循環
配管の電磁弁66を閉とする。
The heating liquid supplied between the opposing surface 39 of the head section 38 and the elastic body 40 and heating the elastic body 40 is discharged between the opposing surface 39 and the elastic body 40 by the discharge passage 44 of the head section 38. After returning to the tank 52 through the return valve 62, the servo valve 64 is passed. In the fluid supply device 50, the pressure of the pressurized liquid supplied between the facing surface 39 of the head portion 38 and the elastic body 40 is adjusted by adjusting the opening of the servo valve 64 provided in the return pipe 62. Can be adjusted. In addition, when the supply of the heating liquid to the head section 38 is stopped, the supply of the heating liquid can be stopped by stopping the pump 56, but can also be performed by closing the electromagnetic valve 58. At this time, it is preferable to open the electromagnetic valve 66 provided in the circulation pipe having one end connected between the pump 56 and the electromagnetic valve 58, and circulate the heated liquid stored in the tank 52. By this circulation, the heating liquid can be stirred, and the temperature of the heating liquid stored in the tank 52 can be made uniform. When the heating liquid is sent to the head section 38, the solenoid valve 58 of the feed pipe 60 is opened and the solenoid valve 66 of the circulation pipe is closed.

【0017】図2に示す接着プレス装置36では、キャ
リアプレート30のプレート面31に、接着剤が塗布さ
れた接着面が接するようにウェーハ34が載置された
際、ウェーハ34の上方に位置するヘッド38が降下を
開始する。この降下の際に、流体供給装置50からヘッ
ド部38の供給通路42を経由して所定温度に加熱され
且つ所定圧力に加圧された加圧液体がヘッド部38に供
給される。ヘッド部38に供給された加圧液体は、その
対向面39と弾性体40との間に供給通路42によって
供給され、弾性体40を加熱しつつウェーハ34の方向
にバルーン状に膨出させる。更に、弾性体40を加熱し
た加圧液体は、排出通路44から対向面39と弾性体4
0との間から排出され、所定温度に加熱された新たな加
圧流体が供給通路42から供給される。このため、弾性
体40を連続して加熱しつつバルーン状に膨出させるこ
とができる。
In the bonding press device 36 shown in FIG. 2, when the wafer 34 is placed on the plate surface 31 of the carrier plate 30 so that the bonding surface coated with the adhesive is in contact with the plate surface 31, it is positioned above the wafer 34. The head 38 starts descending. During this lowering, pressurized liquid heated to a predetermined temperature and pressurized to a predetermined pressure is supplied from the fluid supply device 50 to the head unit 38 via the supply passage 42 of the head unit 38. The pressurized liquid supplied to the head portion 38 is supplied by a supply passage 42 between the opposing surface 39 and the elastic body 40, and expands the elastic body 40 in a balloon shape in the direction of the wafer 34 while heating the elastic body 40. Further, the pressurized liquid that has heated the elastic body 40 flows from the discharge passage 44 to the facing surface 39 and the elastic body 4.
A new pressurized fluid discharged from between 0 and heated to a predetermined temperature is supplied from the supply passage 42. For this reason, it is possible to expand the elastic body 40 into a balloon while continuously heating it.

【0018】加熱されつつバルーン状に膨出された弾性
体40は、ヘッド部38の更なる降下に伴い、ウェーハ
34の略中心部から周縁の方向に均等な圧力で押し付け
ることができ、その際に、ウェーハ34も同時に加熱で
きる。このため、ウェーハ34の接着面とキャリアプレ
ート30のプレート面31との間に存在する気泡も、ウ
ェーハ34の中心部から周縁の方向に押し出される結
果、キャリアプレート30に接着されたウェーハ34の
平坦性を確保できる。この様に、バルーン状に膨出され
た弾性体40をウェーハ34に押し付けるため、弾性体
40の内圧は昇圧するが、サーボ弁64の開度を調整す
ることによって弾性体40の内圧を一定圧とすることが
できる。
The elastic body 40 bulged into a balloon while being heated can be pressed with a uniform pressure from the substantially central portion of the wafer 34 toward the peripheral edge as the head portion 38 further descends. In addition, the wafer 34 can be heated at the same time. For this reason, bubbles existing between the bonding surface of the wafer 34 and the plate surface 31 of the carrier plate 30 are also pushed out from the center of the wafer 34 toward the peripheral edge, and as a result, the flatness of the wafer 34 bonded to the carrier plate 30 is reduced. Nature can be secured. As described above, the inner pressure of the elastic body 40 is increased by pressing the elastic body 40 bulged in a balloon shape against the wafer 34, but the internal pressure of the elastic body 40 is adjusted to a constant pressure by adjusting the opening of the servo valve 64. It can be.

【0019】かかる図2に示す接着プレス装置36にお
いては、加熱されつつバルーン状に膨出された弾性体4
0によって、ウェーハ34を加熱できるため、下部加熱
ヒータ29による受け台32の加熱温度を可及的に低温
とすることができる。このため、加熱温度が約40℃程
度の低温に維持された受け台32に載置され、且つウェ
ーハ34が接着されたキャリアプレート30は、その冷
却に因る収縮の程度を可及的に少なくでき、キャリアプ
レート30とウェーハ34との収縮差によって発生す
る、ウェーハ34とキャリアプレート30との接着不良
を防止できる。ところで、加熱されたウェーハ34が冷
却される際にも、その収縮に伴う応力が接着面に加えら
れるが、ウェーハ34の厚さはキャリアプレート30よ
りも遙に薄いため、ウェーハ34の収縮に伴う応力程度
では、接着不良を惹起することはない。また、図2に示
す接着プレス装置36においても、ヘッド部38にヒー
タ48を内蔵することが好ましい。加熱された加圧液体
の供給開始前であってもヘッド部38が所定温度に加熱
されていることは、加圧液体の温度低下を可及的に防止
しつつ対向面39と弾性体40との間に加圧液体を供給
できるからである。
In the bonding press device 36 shown in FIG. 2, the elastic body 4 which has been balloon-expanded while being heated.
By setting 0, the wafer 34 can be heated, so that the heating temperature of the cradle 32 by the lower heater 29 can be made as low as possible. For this reason, the carrier plate 30, which is placed on the pedestal 32 whose heating temperature is maintained at a low temperature of about 40 ° C. and to which the wafer 34 is bonded, minimizes the degree of shrinkage due to its cooling. As a result, it is possible to prevent poor adhesion between the wafer 34 and the carrier plate 30 caused by a difference in contraction between the carrier plate 30 and the wafer 34. By the way, when the heated wafer 34 is cooled, stress accompanying the shrinkage is applied to the bonding surface. However, since the thickness of the wafer 34 is much thinner than the carrier plate 30, the stress accompanying the shrinkage of the wafer 34 is increased. A stress level does not cause poor bonding. Further, in the bonding press device 36 shown in FIG. 2, it is preferable that the heater 48 is built in the head portion 38. Even before the supply of the heated pressurized liquid is started, the fact that the head section 38 is heated to the predetermined temperature means that the opposing surface 39 and the elastic body 40 can be prevented from lowering the temperature of the pressurized liquid as much as possible. This is because the pressurized liquid can be supplied during this time.

【0020】この様に、図2に示す接着プレス装置36
によれば、受け台32の加熱温度を可及的に低温に設定
しても、キャリアプレート30に載置されたウェーハ3
4を所定温度に加熱しつつ接着することができる。一
方、図1に示すウェーハの接着装置では、ウェーハ34
はベイキング部18によって加熱されているため、加熱
されたウェーハ34を可及的に冷却することなくキャリ
アプレート30に載置することが、接着プレス装置36
によってウェーハ34に加える加熱量を減少でき、接着
時間等を短縮できるため好ましい。このため、ベイキン
グ部18からキャリアプレート30までウェーハ34を
搬送する搬送装置21Aとして、図3及び図4に示す搬
送装置21を使用することが好ましい。この搬送装置2
1は、ウェーハ34の送り方向に平行に配置されたガイ
ドレール70、70に沿ってベース板72が移動可能に
設けられている。かかるベース板72上には、回転軸7
4がアクチュエータ76によって回動可能に設けられて
おり、回転軸74の先端には、回転軸74の軸線と平行
の軸線のアーム76が連結されている。このアーム76
の先端部には、ウェーハ34を吸着可能とする吸着ヘッ
ド78が設けられている。従って、吸着ヘッド78は、
アクチュエータ76によって回動できる。
As described above, the bonding press device 36 shown in FIG.
According to the method, even if the heating temperature of the receiving table 32 is set as low as possible, the wafer 3 placed on the carrier plate 30
4 can be bonded while being heated to a predetermined temperature. On the other hand, in the wafer bonding apparatus shown in FIG.
Is heated by the baking unit 18, the heated wafer 34 can be placed on the carrier plate 30 without cooling as much as possible.
This is preferable because the amount of heating applied to the wafer 34 can be reduced, and the bonding time and the like can be reduced. Therefore, it is preferable to use the transfer device 21 shown in FIGS. 3 and 4 as the transfer device 21A that transfers the wafer 34 from the baking unit 18 to the carrier plate 30. This transport device 2
In 1, a base plate 72 is provided so as to be movable along guide rails 70, 70 arranged in parallel with the feeding direction of the wafer 34. The rotating shaft 7 is provided on the base plate 72.
4 is rotatably provided by an actuator 76, and an arm 76 having an axis parallel to the axis of the rotating shaft 74 is connected to the tip of the rotating shaft 74. This arm 76
A suction head 78 capable of sucking the wafer 34 is provided at a tip end of the suction head 78. Therefore, the suction head 78
It can be rotated by the actuator 76.

【0021】かかる吸着ヘッド78には、図4に示す様
に、ヒータ80、80が内蔵されており、吸着面79を
加熱することができる。また、この吸着ヘッド78の吸
着面79の中央部に吸着孔82が開口されており、吸着
孔82に連結されている吸引機によってウェーハ34を
吸着面79に吸着できる。更に、搬送装置21におい
て、ガイドレール70、70が設けられたベース72
は、固定ベース84に固定されたシリンダ装置86、8
6によって昇降できるため、吸着ヘッド78もベース7
2の昇降に併せて昇降できる。この様に、吸着ヘッド7
8は、吸着孔82によってウェーハ34を吸着面79に
吸着させた状態で、アクチュエータ76によって回動す
ることができ、且つシリンダ装置86によって昇降する
こともできる。
As shown in FIG. 4, the suction head 78 has heaters 80 and 80 built therein so that the suction surface 79 can be heated. A suction hole 82 is opened at the center of the suction surface 79 of the suction head 78, and the wafer 34 can be suctioned to the suction surface 79 by a suction device connected to the suction hole 82. Further, in the transfer device 21, the base 72 provided with the guide rails 70, 70 is provided.
Are cylinder devices 86, 8 fixed to a fixed base 84.
6, the suction head 78 can be moved up and down by the base 7.
2 can be moved up and down simultaneously. Thus, the suction head 7
8 can be rotated by the actuator 76 while the wafer 34 is being sucked to the suction surface 79 by the suction hole 82, and can be moved up and down by the cylinder device 86.

【0022】図1に示す搬送装置21Aとして、図3及
び図4に示す搬送装置21を使用したウェーハの接着装
置では、接着面に塗布された接着剤がベイキング部18
で加熱乾燥(加熱揮散)されたウェーハは、第2センタ
リング部20によって再度センタリングされた後、搬送
装置21によってキャリアプレート30の手前まで搬送
される。この搬送装置21では、吸着面79が上方に向
くようにアクチュエータ76を駆動して吸着ヘッド78
を回動させた後、ウェーハ34の接着面と反対側の面を
吸着ヘッド78の吸着面79に吸着して支承し、ほぼ水
平にキャリアプレート30まで搬送する。キャリアプレ
ート30の上方手前までウェーハ34を搬送したとき、
アクチュエータ76を駆動し、吸着ヘッド78の吸着面
79が下方に向くように、吸着面79にウェーハ34を
吸着した状態で吸着ヘッド78を回動させる。この状態
の吸着ヘッド78の吸着面79に吸着されているウェー
ハ34は、その接着面がキャリアプレート30のプレー
ト面31に向くことができる。次いで、吸着ヘッド78
を搬送装置21によってキャリアプレート30のウェー
ハ接着位置へ搬送した後、シリンダ装置86を駆動し、
吸着ヘッド78を降下させることによってウェーハ34
をキャリアプレート30の所定位置に載置できる。
In the wafer bonding apparatus using the transfer apparatus 21 shown in FIGS. 3 and 4 as the transfer apparatus 21A shown in FIG. 1, the adhesive applied to the bonding surface is baked by the baking unit 18.
The wafer heated and dried (heated and volatilized) is again centered by the second centering unit 20 and then transferred by the transfer device 21 to a position short of the carrier plate 30. In the transfer device 21, the actuator 76 is driven so that the suction surface 79 faces upward, and the suction head 78 is moved.
Is rotated, the surface opposite to the adhesive surface of the wafer 34 is sucked and supported on the suction surface 79 of the suction head 78, and is conveyed to the carrier plate 30 substantially horizontally. When the wafer 34 is transported to a position just above the carrier plate 30,
By driving the actuator 76, the suction head 78 is rotated while the wafer 34 is suctioned on the suction surface 79 so that the suction surface 79 of the suction head 78 faces downward. The wafer 34 sucked on the suction surface 79 of the suction head 78 in this state can have its bonding surface facing the plate surface 31 of the carrier plate 30. Next, the suction head 78
Is transferred to the wafer bonding position of the carrier plate 30 by the transfer device 21, and then the cylinder device 86 is driven,
By lowering the suction head 78, the wafer 34
At a predetermined position on the carrier plate 30.

【0023】かかる搬送装置21においては、吸着ヘッ
ド78にヒータ80、80が内蔵されており、吸着面7
9を所定温度に加熱できる。このため、搬送装置21を
用いてベイキング部18からキャリアプレート30まで
ウェーハ34を搬送する間に、ウェーハ34の放熱によ
る温度低下を防止できる。その結果、接着プレス装置3
6によってウェーハ34に加える加熱量を減少でき、接
着時間等を短縮可能である。以上、説明してきた図2に
示す接着プレス装置36では、加熱された加圧流体とし
て、加熱された加圧液体を用いたが、加熱された圧空を
用いてもよい。また、図2に示す接着プレス装置36の
ヘッド部38に設けられた弾性体40にも、図5に示す
面状ヒータ49を内蔵してもよい。かかる面状ヒータ4
9が内蔵された弾性体40を具備する接着プレス装置3
6では、弾性体40の加熱源として面状ヒータ49を利
用でき、加熱流体の低温化を図ることができる。
In the transfer device 21, the heaters 80 and 80 are built in the suction head 78, and the suction surface 7
9 can be heated to a predetermined temperature. For this reason, while transferring the wafer 34 from the baking part 18 to the carrier plate 30 using the transfer device 21, it is possible to prevent a decrease in temperature due to heat radiation of the wafer 34. As a result, the bonding press device 3
6, the amount of heating applied to the wafer 34 can be reduced, and the bonding time and the like can be shortened. As described above, in the bonding press device 36 illustrated in FIG. 2, the heated pressurized liquid is used as the heated pressurized fluid, but the heated pressurized air may be used. The elastic body 40 provided on the head portion 38 of the bonding press device 36 shown in FIG. 2 may also incorporate the planar heater 49 shown in FIG. Such a planar heater 4
Adhesive press device 3 having an elastic body 40 with a built-in 9
In 6, the planar heater 49 can be used as a heating source of the elastic body 40, and the temperature of the heating fluid can be reduced.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明によれば、キャリアプレートに載
置されたウェーハを、接着プレス装置によって加熱でき
るため、キャリアプレートを加熱する加熱温度を可及的
に低温とすることができる。その結果、ウェーハが接着
されたキャリアプレートの冷却による収縮に起因するウ
ェーハの接着不良を実質的に解消でき、ウェーハの接着
状態が良好なキャリアプレートを得ることができる。
According to the present invention, since the wafer placed on the carrier plate can be heated by the bonding press device, the heating temperature for heating the carrier plate can be as low as possible. As a result, defective bonding of the wafer due to shrinkage of the carrier plate to which the wafer is bonded due to cooling can be substantially eliminated, and a carrier plate with a good bonded state of the wafer can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るウェーハの接着装置の概要を説明
するための概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining an outline of a wafer bonding apparatus according to the present invention.

【図2】図1に示すウェーハの接着装置において使用さ
れる接着プレス装置の概要を説明するための説明図であ
る。
FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining an outline of an adhesive press device used in the wafer adhesive device shown in FIG. 1;

【図3】図1に示すウェーハの接着装置において使用さ
れる搬送装置の概要を説明するための説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining an outline of a transfer device used in the wafer bonding device shown in FIG. 1;

【図4】図3に示す搬送装置における吸着ヘッドについ
ての部分断面図である。
4 is a partial cross-sectional view of a suction head in the transfer device shown in FIG.

【図5】本発明に係るウェーハの接着装置を構成するヘ
ッド部の他の例を説明する説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining another example of a head section constituting the wafer bonding apparatus according to the present invention.

【図6】従来の接着プレス装置の概要を説明するための
説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining an outline of a conventional bonding press device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12 ウェーハの供給部 16 スピンナー部(接着剤塗布部) 18 ベイキング部 21、21A 搬送装置 29 下部加熱ヒータ 30 キャリアプレート 31 プレート面 32 受け台 34 ウェーハ 36 接着プレス装置 38 ヘッド部 39 対向面 40 弾性体 42 供給通路 44 排出通路 48、80 ヒータ 50 流体供給装置 78 吸着ヘッド 79 吸着面 Reference Signs List 12 Wafer supply unit 16 Spinner unit (adhesive application unit) 18 Baking unit 21, 21A Transfer device 29 Lower heater 30 Carrier plate 31 Plate surface 32 Receiving stand 34 Wafer 36 Adhesive press device 38 Head unit 39 Opposing surface 40 Elastic body 42 supply passage 44 discharge passage 48, 80 heater 50 fluid supply device 78 suction head 79 suction surface

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 研磨装置に装着されるキャリアプレート
のプレート面に、接着剤が塗布された接着面が接するよ
うに載置されたウェーハを加熱プレスして接着する接着
プレス装置において、 該接着プレス装置のヘッド部が、前記キャリアプレート
のプレート面に接離動可能に設けられていると共に、前
記ヘッド部のキャリアプレートのプレート面に対向する
対向面側に、前記プレート面の方向に加圧流体によって
バルーン状に膨出する弾性体が設けられ、 且つ前記ヘッド部が前記キャリアプレートのプレート面
に近接し、バルーン状に膨出された状態の弾性体を、前
記キャリアプレートに載置されたウェーハの略中央部か
ら周縁方向に押し付けてプレスする際に、前記ウェーハ
を加熱し得るように、前記ヘッド部の対向面と弾性体と
の間に加熱された加圧流体を供給する供給手段が設けら
れていることを特徴とする接着プレス装置。
1. A bonding press device for heating and bonding a wafer placed on a carrier plate mounted on a polishing device such that a bonding surface coated with an adhesive is in contact with a plate surface of a carrier plate, the bonding press comprising: A head portion of the device is provided so as to be able to move toward and away from the plate surface of the carrier plate, and a pressurized fluid in the direction of the plate surface is provided on a side of the head portion facing the plate surface of the carrier plate. An elastic body that swells like a balloon is provided, and the head portion is close to the plate surface of the carrier plate, and the elastic body that is swelled like a balloon is placed on the carrier plate. When pressing the wafer from the substantially central portion in the peripheral direction to press the wafer, an additional space is provided between the opposing surface of the head portion and the elastic body so that the wafer can be heated. Bonding press apparatus, wherein a supply means for supplying a pressurized fluid which is provided is.
【請求項2】 接着プレス装置のヘッド部に、ヒータが
内蔵されている請求項1記載の接着プレス装置。
2. The bonding press device according to claim 1, wherein a heater is built in a head portion of the bonding press device.
【請求項3】 接着プレス装置のヘッド部に、その対向
面と弾性体との間に加熱された加圧流体を給排する供給
通路と排出通路との各々が独立して設けられている請求
項1又は請求項2記載の接着プレス装置。
3. A head portion of the bonding press device, wherein a supply passage and a discharge passage for supplying and discharging heated pressurized fluid are provided independently between the opposing surface and the elastic body. 3. The adhesive press device according to claim 1 or 2.
【請求項4】 加圧流体が、加圧液体である請求項1〜
3のいずれか一項記載の接着プレス装置。
4. The pressurized fluid is a pressurized liquid.
4. The bonding press device according to claim 3.
【請求項5】 ウェーハの接着面に液状の接着剤を滴下
して接着剤を塗布する接着剤塗布手段と、 前記液状の接着剤が塗布されたウェーハに加熱処理を施
し、含有されている溶媒を揮散させて前記接着剤を乾燥
するベイキング手段と、 研磨装置に装着されるキャリアプレートに、接着剤が塗
布されたウェーハを加熱プレスして接着する接着プレス
手段と、 前記ベイキング手段で加熱処理が施されたウェーハを、
前記接着プレス手段まで搬送する搬送手段とを具備する
ウェーハの接着装置において、 該接着プレス手段として用いる、前記キャリアプレート
のプレート面に、接着剤が塗布された接着面が接するよ
うに載置されたウェーハを加熱プレスして接着する接着
プレス装置のヘッド部が、前記キャリアプレートのプレ
ート面に接離動可能に設けられていると共に、前記ヘッ
ド部のキャリアプレートのプレート面に対向する対向面
側に、前記プレート面の方向に加圧流体によってバルー
ン状に膨出する弾性体が設けられ、且つ前記ヘッド部が
前記キャリアプレートのプレート面に近接し、バルーン
状に膨出された状態の弾性体を前記キャリアプレートに
載置されたウェーハの略中央部から周縁方向に押し付け
てプレスする際に、前記ウェーハを加熱し得るように、
前記ヘッド部の対向面と弾性体との間に加熱された加圧
流体を供給する供給手段が設けられていることを特徴と
するウェーハの接着装置。
5. An adhesive applying means for applying a liquid adhesive by dropping a liquid adhesive on an adhesive surface of a wafer; and performing a heat treatment on the wafer to which the liquid adhesive has been applied to form a solvent contained therein. Baking means for evaporating the adhesive and drying the adhesive; bonding press means for hot-pressing and bonding the wafer on which the adhesive has been applied to a carrier plate to be mounted on a polishing device; and heat treatment by the baking means. The applied wafer is
In a wafer bonding apparatus having a transfer unit that transfers the wafer to the bonding press unit, the wafer is placed such that the bonding surface coated with an adhesive is in contact with the plate surface of the carrier plate used as the bonding press unit. A head portion of an adhesive press device for heating and bonding the wafer by heating is provided on the plate surface of the carrier plate so as to be able to move toward and away from the plate surface, and on the side of the head portion facing the plate surface of the carrier plate. An elastic body that expands in a balloon shape by a pressurized fluid in the direction of the plate surface is provided, and the head portion is close to the plate surface of the carrier plate, and the elastic body in a balloon-like state is removed. When pressing the wafer placed on the carrier plate from the substantially central portion in the peripheral direction and pressing, heating the wafer As you get
A supply device for supplying heated pressurized fluid between an opposing surface of the head portion and the elastic body is provided.
【請求項6】 ベイキング手段で加熱処理が施されたウ
ェーハを、接着プレス手段まで搬送する搬送手段とし
て、前記ウェーハの接着面が上面となるようにウェーハ
の下面側を支承して搬送し、前記キャリアプレートのプ
レート面にウェーハの接着面が向くように反転するヘッ
ド部を具備する移送装置を用い、且つ前記移送装置のヘ
ッド部にヒータが内蔵されている請求項5記載のウェー
の接着装置。
6. A transfer means for transferring the wafer, which has been subjected to the heat treatment by the baking means, to the bonding press means, by supporting the lower surface of the wafer such that the bonding surface of the wafer is the upper surface, and transferring the wafer. The wafer bonding apparatus according to claim 5, wherein a transfer unit having a head unit that is turned over so that the bonding surface of the wafer faces the plate surface of the carrier plate, and a heater is built in the head unit of the transfer device.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011161611A (en) * 2010-02-15 2011-08-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd Method for mounting carrier
JP2012204604A (en) * 2011-03-25 2012-10-22 Fujikoshi Mach Corp Work sticking method and work sticking device
US20170125310A1 (en) * 2013-11-08 2017-05-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor process
WO2021120635A1 (en) * 2019-12-17 2021-06-24 杭州众硅电子科技有限公司 Polishing head pressure control device and method for chemical mechanical planarization device
JP2021106281A (en) * 2016-11-04 2021-07-26 株式会社東京精密 Wafer conveyance and holding device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011161611A (en) * 2010-02-15 2011-08-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd Method for mounting carrier
JP2012204604A (en) * 2011-03-25 2012-10-22 Fujikoshi Mach Corp Work sticking method and work sticking device
US20170125310A1 (en) * 2013-11-08 2017-05-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor process
US10395997B2 (en) * 2013-11-08 2019-08-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor process
JP2021106281A (en) * 2016-11-04 2021-07-26 株式会社東京精密 Wafer conveyance and holding device
JP7058363B2 (en) 2016-11-04 2022-04-21 株式会社東京精密 Wafer transfer holding device
WO2021120635A1 (en) * 2019-12-17 2021-06-24 杭州众硅电子科技有限公司 Polishing head pressure control device and method for chemical mechanical planarization device

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