JP2000283962A - レーザーイオン化質量分析装置 - Google Patents
レーザーイオン化質量分析装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来構造を踏襲しながら比較的高い分析感度
を得ることができるレーザーイオン化質量分析装置を得
る。 【解決手段】レーザー光４を測定対象分子の分子ビーム
３に照射して、前記測定対象分子をイオン化してそのイ
オン電流を検知して質量分析を行うレーザーイオン化質
量分析装置において、前記イオン化のためのレーザー光
４として、前記分子ビーム３の流れ方向に長軸を有する
偏平なレーザー光を前記分子ビームに照射して、イオン
化を行う。
を得ることができるレーザーイオン化質量分析装置を得
る。 【解決手段】レーザー光４を測定対象分子の分子ビーム
３に照射して、前記測定対象分子をイオン化してそのイ
オン電流を検知して質量分析を行うレーザーイオン化質
量分析装置において、前記イオン化のためのレーザー光
４として、前記分子ビーム３の流れ方向に長軸を有する
偏平なレーザー光を前記分子ビームに照射して、イオン
化を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光を測定
対象分子の分子ビームに照射して、測定対象分子をイオ
ン化してそのイオン電流を検知して質量分析を行うレー
ザーイオン化質量分析装置に関する。
対象分子の分子ビームに照射して、測定対象分子をイオ
ン化してそのイオン電流を検知して質量分析を行うレー
ザーイオン化質量分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザーイオン化質量分析装置は、レー
ザー光を、測定対象分子の分子ビームに照射してイオン
化し、そのイオン電流を検知して質量分析を行う。従来
型のレーザーイオン化質量分析装置にあっては、レーザ
ー光を分子ビームに照射するにあたり、球面レンズを使
用して分子ビームに点状（光線束を横断する断面にあっ
ては断面円形）に集光して照射していた。
ザー光を、測定対象分子の分子ビームに照射してイオン
化し、そのイオン電流を検知して質量分析を行う。従来
型のレーザーイオン化質量分析装置にあっては、レーザ
ー光を分子ビームに照射するにあたり、球面レンズを使
用して分子ビームに点状（光線束を横断する断面にあっ
ては断面円形）に集光して照射していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】今日、質量分析の対象
は大幅に広がっており検出が比較的困難なものもその対
象とされる場合がある。このような状況にあって、従来
型のレーザーイオン化質量分析装置にあっては、イオン
化する分子数が限られ、十分な感度が得にくいという問
題があった。即ち、分析感度が比較的低かった。上記欠
点に鑑み本発明の目的は、従来構造を踏襲しながら比較
的高い分析感度を得ることができるレーザーイオン化質
量分析装置を得ることにある。
は大幅に広がっており検出が比較的困難なものもその対
象とされる場合がある。このような状況にあって、従来
型のレーザーイオン化質量分析装置にあっては、イオン
化する分子数が限られ、十分な感度が得にくいという問
題があった。即ち、分析感度が比較的低かった。上記欠
点に鑑み本発明の目的は、従来構造を踏襲しながら比較
的高い分析感度を得ることができるレーザーイオン化質
量分析装置を得ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明に係る、レーザー光を測定対象分子の分子ビー
ムに照射して、前記測定対象分子をイオン化してそのイ
オン電流を検知して質量分析を行うレーザーイオン化質
量分析装置の特徴構成は、請求項１に記載されているよ
うに、前記イオン化のためのレーザー光として、前記分
子ビームの流れ方向に長軸を有する偏平なレーザー光を
前記分子ビームに照射して、イオン化を行うことにあ
る。このように、分子ビームの流れ方向に長軸を有する
偏平なレーザー光を、分子ビームに照射する場合は、個
々の分子についてみるとレーザーの照射を受ける確率が
高くでき、結果的に、イオン化される分子量を格段に増
加させることができる。一方、従来構造のように、分子
ビーム内に断面円形のレーザー光を照射すると、イオン
化される分子量に限界があるとともに、その断面積に従
って、イオン化される分子量が飽和する傾向がみられ、
好ましくない。
の本発明に係る、レーザー光を測定対象分子の分子ビー
ムに照射して、前記測定対象分子をイオン化してそのイ
オン電流を検知して質量分析を行うレーザーイオン化質
量分析装置の特徴構成は、請求項１に記載されているよ
うに、前記イオン化のためのレーザー光として、前記分
子ビームの流れ方向に長軸を有する偏平なレーザー光を
前記分子ビームに照射して、イオン化を行うことにあ
る。このように、分子ビームの流れ方向に長軸を有する
偏平なレーザー光を、分子ビームに照射する場合は、個
々の分子についてみるとレーザーの照射を受ける確率が
高くでき、結果的に、イオン化される分子量を格段に増
加させることができる。一方、従来構造のように、分子
ビーム内に断面円形のレーザー光を照射すると、イオン
化される分子量に限界があるとともに、その断面積に従
って、イオン化される分子量が飽和する傾向がみられ、
好ましくない。
【０００５】このように、分子ビームの流れ方向に長軸
を有する偏平なレーザー光を分子ビームに照射する構成
としては、請求項２に記載されているように、レーザー
光発生装置と前記分子ビームとの間に円筒面レンズを備
え、前記円筒面レンズにより、前記レーザー光発生装置
から発生されるレーザー光を、前記分子ビームの流れ方
向に長軸を有する偏平なレーザー光とすればよい。この
場合、円筒面レンズの筒軸方向は、分子ビームの軸（流
れ方向）に一致される。このような構成を採用すること
により、分子ビームに、楕円状あるいはシート状のレー
ザー光を照射できる。
を有する偏平なレーザー光を分子ビームに照射する構成
としては、請求項２に記載されているように、レーザー
光発生装置と前記分子ビームとの間に円筒面レンズを備
え、前記円筒面レンズにより、前記レーザー光発生装置
から発生されるレーザー光を、前記分子ビームの流れ方
向に長軸を有する偏平なレーザー光とすればよい。この
場合、円筒面レンズの筒軸方向は、分子ビームの軸（流
れ方向）に一致される。このような構成を採用すること
により、分子ビームに、楕円状あるいはシート状のレー
ザー光を照射できる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１に本願のレーザーイオン化質
量分析装置１の概略構造を示した。装置は、分子ビーム
発生装置２と、前記分子ビーム発生装置２により生成さ
れる分子ビーム３の所定部位にイオン化用レーザー光４
を照射するレーザー光発生装置５と、レーザー照射によ
り発生されるイオン６を加速するためのイオン加速装置
７と、前記イオン加速装置７により加速されたイオンの
イオン電流量を測定するためのイオン電流測定装置８を
備えて構成されている。本願の場合は、レーザー光発生
装置５として、後の特徴構成に記載されているように、
波長可変レーザー５ａと、波長固定レーザー５ｂとを同
軸に備えている。この波長固定レーザー５ｂは、波長可
変レーザー５ａの励起用として使用されるとともに、ビ
ームスプリッター５ｃ、一対のミラー５ｄ、ビーム合成
装置５ｅを経て、この波長固定レーザー５ｂのレーザー
光４も所定部位に照射されるようになっている。
に基づいて説明する。図１に本願のレーザーイオン化質
量分析装置１の概略構造を示した。装置は、分子ビーム
発生装置２と、前記分子ビーム発生装置２により生成さ
れる分子ビーム３の所定部位にイオン化用レーザー光４
を照射するレーザー光発生装置５と、レーザー照射によ
り発生されるイオン６を加速するためのイオン加速装置
７と、前記イオン加速装置７により加速されたイオンの
イオン電流量を測定するためのイオン電流測定装置８を
備えて構成されている。本願の場合は、レーザー光発生
装置５として、後の特徴構成に記載されているように、
波長可変レーザー５ａと、波長固定レーザー５ｂとを同
軸に備えている。この波長固定レーザー５ｂは、波長可
変レーザー５ａの励起用として使用されるとともに、ビ
ームスプリッター５ｃ、一対のミラー５ｄ、ビーム合成
装置５ｅを経て、この波長固定レーザー５ｂのレーザー
光４も所定部位に照射されるようになっている。
【０００７】以上、説明の構成は、レーザー光発生装置
５を除いて従来型のレーザーイオン化質量分析装置１の
構成とその概略構成において同様であるが、本願装置に
あっては、分子ビームに照射されるレーザー光４の断面
形状及び、このレーザー光４の種類（イオン化手法）に
特徴がある。以下、両者の特徴構成を順に説明する。
５を除いて従来型のレーザーイオン化質量分析装置１の
構成とその概略構成において同様であるが、本願装置に
あっては、分子ビームに照射されるレーザー光４の断面
形状及び、このレーザー光４の種類（イオン化手法）に
特徴がある。以下、両者の特徴構成を順に説明する。
【０００８】１ レーザー光の断面形状 図１に示すように、本願装置にあっては、レーザー光発
生装置５と前記分子ビーム３との間に円筒面レンズ９を
備え、この円筒面レンズ９により、レーザー光発生装置
５から発生されるレーザー光４を、分子ビーム３の流れ
方向に長軸を有する偏平なレーザー光とする構造が採用
されている。即ち、円筒面レンズ９の筒軸方向ｚ１を、
分子ビームの軸ｚ２（流れ方向）に一致されることでイ
オン化のためのレーザー光として、前記分子ビームの流
れ方向に長軸を有する偏平なレーザー光を分子ビームに
照射して、イオン化を行うことができるようになってい
る。結果、同一のレーザー光発生装置５を利用した場合
に比較して、多量のイオン化を行うことができ、結果的
に装置の関度を高くできる。このような感度上昇の程度
に関して、図２を参照しながら説明する。図２は、測定
対象分子がモノクロロベンゼンである場合に、同一のレ
ーザー光発生装置を利用して、レーザー光を本願のよう
に分子ビームの流れ方向に偏平なビームを照射した場合
と、ビーム光を断面形状、円のビームとした場合の結果
を比較したものである。実験条件を以下に箇条書記す
る。 イ 測定対象 アルゴン（９５％）／クロロベンゼ
ン（５％） ロ レーザー光 波長 ２６９．９ｎｍ 出力 ０．３ｍＪ 繰り返し周期 １０Ｈｚ レーザービーム径 １ｍｍφ イオン化方法 単色２段階励起（４．６＋４．６ｅＶで
イオン化） この場合は、波長固定レーザー５ｂＹＡＧ（３倍波）レ
ーザー（３５５ｎｍ）で励起した波長可変レーザー（色
素レーザー）５ａを使用する。 ハ 低圧チャンバー内圧力 １．０×１０-6 ｔｏｒｒ ニ イオン加速電圧 ５００Ｖ 各ビームの形状は分子ビームを横断する位置で以下のよ
うな断面形状であった。 イ 本願装置 長軸側径 ２〜３ｍｍ 短軸径
０．１ｍｍ ロ 従来構造 円直径 ０．１ｍｍ
生装置５と前記分子ビーム３との間に円筒面レンズ９を
備え、この円筒面レンズ９により、レーザー光発生装置
５から発生されるレーザー光４を、分子ビーム３の流れ
方向に長軸を有する偏平なレーザー光とする構造が採用
されている。即ち、円筒面レンズ９の筒軸方向ｚ１を、
分子ビームの軸ｚ２（流れ方向）に一致されることでイ
オン化のためのレーザー光として、前記分子ビームの流
れ方向に長軸を有する偏平なレーザー光を分子ビームに
照射して、イオン化を行うことができるようになってい
る。結果、同一のレーザー光発生装置５を利用した場合
に比較して、多量のイオン化を行うことができ、結果的
に装置の関度を高くできる。このような感度上昇の程度
に関して、図２を参照しながら説明する。図２は、測定
対象分子がモノクロロベンゼンである場合に、同一のレ
ーザー光発生装置を利用して、レーザー光を本願のよう
に分子ビームの流れ方向に偏平なビームを照射した場合
と、ビーム光を断面形状、円のビームとした場合の結果
を比較したものである。実験条件を以下に箇条書記す
る。 イ 測定対象 アルゴン（９５％）／クロロベンゼ
ン（５％） ロ レーザー光 波長 ２６９．９ｎｍ 出力 ０．３ｍＪ 繰り返し周期 １０Ｈｚ レーザービーム径 １ｍｍφ イオン化方法 単色２段階励起（４．６＋４．６ｅＶで
イオン化） この場合は、波長固定レーザー５ｂＹＡＧ（３倍波）レ
ーザー（３５５ｎｍ）で励起した波長可変レーザー（色
素レーザー）５ａを使用する。 ハ 低圧チャンバー内圧力 １．０×１０-6 ｔｏｒｒ ニ イオン加速電圧 ５００Ｖ 各ビームの形状は分子ビームを横断する位置で以下のよ
うな断面形状であった。 イ 本願装置 長軸側径 ２〜３ｍｍ 短軸径
０．１ｍｍ ロ 従来構造 円直径 ０．１ｍｍ
【０００９】図２は、横軸にレーザー光強度を、縦軸に
イオン電流測定装置により検出されるイオン化信号を示
した。この結果からも判明するように、レーザー光発生
装置５ｂにより照射されるレーザー光強度の増加に伴っ
て検出できる信号量は増加するが、球面レンズによりレ
ーザー光を断面円とする場合は、この信号量に飽和が見
られる。一方、円筒面レンズ９によれば、レーザー光強
度は、図２に示す測定範囲内において飽和状態となるこ
とはなく、単純な増加傾向を示しており、本願のよう
に、分子ビームの流れ方向に長いレーザー光を使用する
ことの優位性は明らかである。このようになる理由を、
以下のように発明者らは考えている。イオン化率は照射
された分子数とレーザー光強度の２乗の積で決定する。
従って、集光したレーザー光がすべて分子ビームに照射
された場合は、イオン化する分子数はレーザー光の形状
に関係なく決まる。しかしながら、レーザー光強度が強
い場合にはイオン化に飽和が生じる。このため点状（断
面円形）に集光した場合はレーザー光強度がある値以上
のときはレーザー光強度を増加しても感度は向上しな
い。一方、本願装置では試料はイオン化部にビーム状に
導入される。レーザー光をシート状に集光して照射した
場合、試料のイオン化率の飽和が生じにくい。結果とし
て分析感度が向上する。
イオン電流測定装置により検出されるイオン化信号を示
した。この結果からも判明するように、レーザー光発生
装置５ｂにより照射されるレーザー光強度の増加に伴っ
て検出できる信号量は増加するが、球面レンズによりレ
ーザー光を断面円とする場合は、この信号量に飽和が見
られる。一方、円筒面レンズ９によれば、レーザー光強
度は、図２に示す測定範囲内において飽和状態となるこ
とはなく、単純な増加傾向を示しており、本願のよう
に、分子ビームの流れ方向に長いレーザー光を使用する
ことの優位性は明らかである。このようになる理由を、
以下のように発明者らは考えている。イオン化率は照射
された分子数とレーザー光強度の２乗の積で決定する。
従って、集光したレーザー光がすべて分子ビームに照射
された場合は、イオン化する分子数はレーザー光の形状
に関係なく決まる。しかしながら、レーザー光強度が強
い場合にはイオン化に飽和が生じる。このため点状（断
面円形）に集光した場合はレーザー光強度がある値以上
のときはレーザー光強度を増加しても感度は向上しな
い。一方、本願装置では試料はイオン化部にビーム状に
導入される。レーザー光をシート状に集光して照射した
場合、試料のイオン化率の飽和が生じにくい。結果とし
て分析感度が向上する。
【００１０】２ イオン化手法 上記の実験例にあっては、モノクロロベンゼンを対象と
して、レーザー波長として２６９．９ｎｍを採用し、所
謂、単色２段階励起（４．６＋４．６ｅＶでイオン化）
手法で、測定をおこなうものとしているが、感度向上の
意味から、本願にあっては、そのレーザー光の照射系に
も特徴を有する。即ち、レーザー光発生装置として、波
長可変レーザー５ａと、波長固定レーザー５ｂが共に用
意されており、これらをともに分子ビームに照射できる
構造が採用されている。
して、レーザー波長として２６９．９ｎｍを採用し、所
謂、単色２段階励起（４．６＋４．６ｅＶでイオン化）
手法で、測定をおこなうものとしているが、感度向上の
意味から、本願にあっては、そのレーザー光の照射系に
も特徴を有する。即ち、レーザー光発生装置として、波
長可変レーザー５ａと、波長固定レーザー５ｂが共に用
意されており、これらをともに分子ビームに照射できる
構造が採用されている。
【００１１】以下、先ず、このような２重構造を採用す
る理由から説明する。 〔これまでの技術〕レーザーイオン化ＴＯＦ−ＭＳ法な
どのレーザー光を用いて分子をイオン化し、質量分析を
行って分子濃度を測定する手法において、分子のイオン
化には、これまで以下の２つの手法が主であった。 イ 波長選択性に乏しいものの高出力のレーザー光源
（波長固定レーザー）を用いたもの。 ロ 低出力ながら波長選択が可能なレーザー光源（波長
可変レーザー）を用いたもの。 〔問題点〕分子をイオン化する場合にはその吸収線に同
調した、高強度のレーザー光を用いるのが理想的であ
る。しかしながら、上記のこれまでの技術にあっては、
共に以下のような問題があった。 イ 前者では、光出力が大きくとれるものの、波長選択
性が無いため分子の吸収線を選択的に利用することがで
きない。 ロ 後者では、波長選択性を利用して効果的に分子をイ
オン化できるものの、実用的な波長選択性のある高出力
のレーザーが存在しないため、イオン化される分子の数
は少ない。結果、質量分析器の感度はイオン化効率で決
まるため、感度が低い。 〔解決手段〕そこで、波長選択性のある低出力レーザー
（波長可変レーザー）と、波長選択性のない高出力レー
ザー（波長固定レーザー）を同時にイオン化のために照
射するものとする。このようにしておくと、分子のイオ
ン化が、いわゆる２光子励起によりおこなわれる分子の
イオン化において、一段目の励起を低出力ではあるが波
長選択性の高い波長可変レーザーの光でおこない、２段
目のイオン化レベルへの励起を波長選択性は低いが十分
な出力を有する高出力レーザーの光でおこなうことがで
きる。ここで、高出力レーザーとは１０−１００ｍＪオ
ーダーのものを意味しており、低出力レーザーとは０．
１−５ｍＪオーダーのものを意味している。このような
構成において使用できるレーザーは、波長可変レーザー
５ａとして、色素レーザー、ＯＰＯレーザー、チタンサ
ファイアレーザーを使用することができ、波長可変レー
ザー５ａを励起するとともに同時に分子を励起する波長
固定レーザー５ｂとしては、ＸｅＣｌ，ＸｅＦ，Ｋｒ
Ｆ，ＡｒＦ等のエキシマレーザー、ＹＡＧレーザーの３
倍波、あるいは４倍波を使用する。このようにすると、
従来の手法より効率的にイオン化が行われ、その結果と
して質量分析装置の感度が大幅に向上する。さらに、例
えば、ＹＡＧ２倍波で波長可変レーザー励起をおこな
い、残りを５倍波でおこなう場合は、５倍波の安定性が
悪く、精度的に測定の信頼性を得ることが難しいが、上
記のようなレーザーの選択としておくと、感度を高くで
きるとともに、安定なレーザー光を使用するため信頼性
において優れた測定を行うことができる。
る理由から説明する。 〔これまでの技術〕レーザーイオン化ＴＯＦ−ＭＳ法な
どのレーザー光を用いて分子をイオン化し、質量分析を
行って分子濃度を測定する手法において、分子のイオン
化には、これまで以下の２つの手法が主であった。 イ 波長選択性に乏しいものの高出力のレーザー光源
（波長固定レーザー）を用いたもの。 ロ 低出力ながら波長選択が可能なレーザー光源（波長
可変レーザー）を用いたもの。 〔問題点〕分子をイオン化する場合にはその吸収線に同
調した、高強度のレーザー光を用いるのが理想的であ
る。しかしながら、上記のこれまでの技術にあっては、
共に以下のような問題があった。 イ 前者では、光出力が大きくとれるものの、波長選択
性が無いため分子の吸収線を選択的に利用することがで
きない。 ロ 後者では、波長選択性を利用して効果的に分子をイ
オン化できるものの、実用的な波長選択性のある高出力
のレーザーが存在しないため、イオン化される分子の数
は少ない。結果、質量分析器の感度はイオン化効率で決
まるため、感度が低い。 〔解決手段〕そこで、波長選択性のある低出力レーザー
（波長可変レーザー）と、波長選択性のない高出力レー
ザー（波長固定レーザー）を同時にイオン化のために照
射するものとする。このようにしておくと、分子のイオ
ン化が、いわゆる２光子励起によりおこなわれる分子の
イオン化において、一段目の励起を低出力ではあるが波
長選択性の高い波長可変レーザーの光でおこない、２段
目のイオン化レベルへの励起を波長選択性は低いが十分
な出力を有する高出力レーザーの光でおこなうことがで
きる。ここで、高出力レーザーとは１０−１００ｍＪオ
ーダーのものを意味しており、低出力レーザーとは０．
１−５ｍＪオーダーのものを意味している。このような
構成において使用できるレーザーは、波長可変レーザー
５ａとして、色素レーザー、ＯＰＯレーザー、チタンサ
ファイアレーザーを使用することができ、波長可変レー
ザー５ａを励起するとともに同時に分子を励起する波長
固定レーザー５ｂとしては、ＸｅＣｌ，ＸｅＦ，Ｋｒ
Ｆ，ＡｒＦ等のエキシマレーザー、ＹＡＧレーザーの３
倍波、あるいは４倍波を使用する。このようにすると、
従来の手法より効率的にイオン化が行われ、その結果と
して質量分析装置の感度が大幅に向上する。さらに、例
えば、ＹＡＧ２倍波で波長可変レーザー励起をおこな
い、残りを５倍波でおこなう場合は、５倍波の安定性が
悪く、精度的に測定の信頼性を得ることが難しいが、上
記のようなレーザーの選択としておくと、感度を高くで
きるとともに、安定なレーザー光を使用するため信頼性
において優れた測定を行うことができる。
【００１２】以下、測定対象とレーザーの組合せを個々
に箇条書きする。 ｉ 測定対象 クロロベンゼン類 イオン化エネルギー 約９．２ｅＶ（２７０ｎ
ｍ） この物質は、以下のレーザーの組合せでイオン化でき
る。 イ ２７０ｎｍ（４．６ｅＶ）＋２６６ｎｍ（４．６ｅ
Ｖ、ＹＡＧレーザー４倍波）との組合せ ロ ２７０ｎｍ（４．６ｅＶ）＋２４８ｎｍ（５ｅＶ、
ＫｒＦエキシマ）の組合せ ハ ２７０ｎｍ（４．６ｅＶ）＋１９３ｎｍ（６．４ｅ
Ｖ、ＡｒＦエキシマ）の組合せ
に箇条書きする。 ｉ 測定対象 クロロベンゼン類 イオン化エネルギー 約９．２ｅＶ（２７０ｎ
ｍ） この物質は、以下のレーザーの組合せでイオン化でき
る。 イ ２７０ｎｍ（４．６ｅＶ）＋２６６ｎｍ（４．６ｅ
Ｖ、ＹＡＧレーザー４倍波）との組合せ ロ ２７０ｎｍ（４．６ｅＶ）＋２４８ｎｍ（５ｅＶ、
ＫｒＦエキシマ）の組合せ ハ ２７０ｎｍ（４．６ｅＶ）＋１９３ｎｍ（６．４ｅ
Ｖ、ＡｒＦエキシマ）の組合せ
【００１３】 ii 測定対象 ダイオキシン類 イオン化エネルギー 約９．２から１０ｅＶ 一段目励起エネルギー 約４．１ｅＶ（３００ｎ
ｍ） この物質は、以下のレーザーの組合せでイオン化でき
る。 イ ３００ｎｍ（４．１ｅＶ）＋２１３ｎｍ（５．８ｅ
Ｖ、ＹＡＧレーザー５倍波）との組合せ ロ ２７０ｎｍ（４．６ｅＶ）＋１９３ｎｍ（６．４ｅ
Ｖ、ＡｒＦエキシマ） ハ １＋２段階励起（２光子）励起で後者に波長固定高
出力レーザーを使用することも可能である。この場合に
以下のようになる。 ハ−１ ３００ｎｍ（４．１ｅＶ）＋３５５ｎｍ（３．５ｅＶＹ
ＡＧレーザー３倍波）の組合せ ハ−２ ３００ｎｍ（４．１ｅＶ）＋３０８ｎｍ（４．０ｅＶＸ
ｅＣｌエキシマ）の組合せ ハ−３ ３００ｎｍ（４．１ｅＶ）＋２６６ｎｍ（４．７ｅＶＹ
ＡＧレーザー４倍波）の組合せ ハ−４ ３００ｎｍ（４．１ｅＶ）＋２４８ｎｍ（５ｅＶＫｒＦ
エキシマ）の組合せ以上の様な組合せにより、クロロベ
ンゼン類及びダイオキシン類の質量分析を行うことがで
きる。
ｍ） この物質は、以下のレーザーの組合せでイオン化でき
る。 イ ３００ｎｍ（４．１ｅＶ）＋２１３ｎｍ（５．８ｅ
Ｖ、ＹＡＧレーザー５倍波）との組合せ ロ ２７０ｎｍ（４．６ｅＶ）＋１９３ｎｍ（６．４ｅ
Ｖ、ＡｒＦエキシマ） ハ １＋２段階励起（２光子）励起で後者に波長固定高
出力レーザーを使用することも可能である。この場合に
以下のようになる。 ハ−１ ３００ｎｍ（４．１ｅＶ）＋３５５ｎｍ（３．５ｅＶＹ
ＡＧレーザー３倍波）の組合せ ハ−２ ３００ｎｍ（４．１ｅＶ）＋３０８ｎｍ（４．０ｅＶＸ
ｅＣｌエキシマ）の組合せ ハ−３ ３００ｎｍ（４．１ｅＶ）＋２６６ｎｍ（４．７ｅＶＹ
ＡＧレーザー４倍波）の組合せ ハ−４ ３００ｎｍ（４．１ｅＶ）＋２４８ｎｍ（５ｅＶＫｒＦ
エキシマ）の組合せ以上の様な組合せにより、クロロベ
ンゼン類及びダイオキシン類の質量分析を行うことがで
きる。
【図１】本願のレーザーイオン化質量分析装置の概略図
【図２】レーザー光形状と信号強度の関係を示す図
１ レーザーイオン化質量分析装置 ２ 分子ビーム発生装置 ３ 分子ビーム ４ レーザー光 ５ レーザー光発生装置 ６ イオン ７ イオン加速装置 ８ イオン電流測定装置 ９ 円筒面レンズ
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザー光を測定対象分子の分子ビーム
に照射して、前記測定対象分子をイオン化してそのイオ
ン電流を検知して質量分析を行うレーザーイオン化質量
分析装置であって、前記イオン化のためのレーザー光と
して、前記分子ビームの流れ方向に長軸を有する偏平な
レーザー光を前記分子ビームに照射して、イオン化を行
うレーザーイオン化質量分析装置。 - 【請求項２】 レーザー光発生装置と前記分子ビームと
の間に円筒面レンズを備え、前記円筒面レンズにより、
前記レーザー光発生装置から発生されるレーザー光を、
前記分子ビームの流れ方向に長軸を有する偏平なレーザ
ー光とする請求項１記載のレーザーイオン化質量分析装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086329A JP2000283962A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | レーザーイオン化質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086329A JP2000283962A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | レーザーイオン化質量分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000283962A true JP2000283962A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=13883810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11086329A Pending JP2000283962A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | レーザーイオン化質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000283962A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192692A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | イオン化法ガス検出装置およびイオン化法ガス検出方法 |
| CN105717189A (zh) * | 2016-02-17 | 2016-06-29 | 上海交通大学 | 用于原位探测催化反应中间物和产物的装置及探测方法 |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11086329A patent/JP2000283962A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192692A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | イオン化法ガス検出装置およびイオン化法ガス検出方法 |
| JP4719012B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2011-07-06 | 株式会社東芝 | イオン化法ガス検出装置およびイオン化法ガス検出方法 |
| CN105717189A (zh) * | 2016-02-17 | 2016-06-29 | 上海交通大学 | 用于原位探测催化反应中间物和产物的装置及探测方法 |
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