JP2000277640A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】光半導体素子を冷却する電子冷却素子の熱が光
半導体素子に作用して電子冷却素子による光半導体素子
の冷却効率が低下する。 【解決手段】上面に光半導体素子４が電子冷却素子５を
介して載置される載置部１ａを有する基体１と、前記基
体１上に光半導体素子載置部１ａを囲繞するようにして
配設され、側部に貫通孔２ａを有し、かつ絶縁体７に光
半導体素子４の各電極が電気的に接続される配線層８が
形成されている端子体６が取着されている枠体と、前記
貫通孔２ａもしくは貫通孔２ａ周辺の枠体２に取着さ
れ、光ファイバー部材１１が接合される筒状の固定部材
９と、前記枠体２の上面に取着され、光半導体素子４を
気密に封止する蓋部材３とからなる光半導体素子収納用
パッケージであって、前記基体１と前記枠体２に取着さ
れている端子体６との間に熱遮蔽部材Ｐが配設されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子を収容
するための光半導体素子収納用パッケージに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、一般に鉄ーニッケルー
コバルト合金や銅ータングステン合金等の金属材料から
成り、上面中央部に光半導体素子が電子冷却素子を間に
挟んで載置される載置部を有する基体と、前記光半導体
素子載置部を囲繞するようにして基体上に銀ロウ等のロ
ウ材を介して接合され、側部に貫通孔及び切欠部を有す
る鉄ーニッケルーコバルト合金等の金属材料から成る枠
体と、前記枠体の貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取
着され、内部に光信号が伝達される空間を有する鉄ーニ
ッケルーコバルト合金等の金属材料から成る筒状の固定
部材と、前記筒状の固定部材に融点が２００〜４００℃
の金ー錫合金等の低融点ロウ材を介して取着された固定
部材の内部を塞ぐ非晶質ガラス等から成る透光性部材
と、前記枠体の切欠部に挿着され、酸化アルミニウム質
焼結体から成る絶縁体に光半導体素子の各電極がボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続される配線層が形成
されている端子体と、前記枠体の上面に取着され、光半
導体素子を気密に封止する蓋部材とから構成されてお
り、前記基体の光半導体素子載置部に光半導体素子を間
にペルチェ素子等の電子冷却素子を挟んで載置固定させ
るとともに該光半導体素子の各電極をボンディングワイ
ヤを介して端子体の配線層に電気的に接続し、しかる
後、前記枠体の上面に蓋部材を接合させ、基体と枠体と
蓋部材とから成る容器内部に光半導体素子を気密に収容
するとともに筒状固定部材に光ファイバー部材を、例え
ば、ＹＡＧ溶接等により取着することによって製品とし
ての光半導体装置となる。

【０００３】かかる光半導体装置は電子冷却素子により
光半導体素子を冷却しつつ光半導体素子に外部電気回路
から供給される駆動信号によって光励起を起こさせ、該
励起した光を透光性部材を介し光ファイバー部材に授受
させるとともに該光ファイバー部材の光ファイバー内を
伝達させることによって高速通信等に使用される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、基体及
び枠体を形成している鉄ーニッケルーコバルト合金や銅
ータングステン合金等の金属材料や端子体の絶縁体を形
成している酸化アルミニウム質焼結体の熱伝導率が１５
Ｗ／ｍ・ｋ以上であることから、光半導体素子をペルチ
ェ素子等の電子冷却素子で冷却しつつ外部電気回路から
供給される駆動信号によって光励起させた場合、ペルチ
エ素子等の電子冷却素子は光半導体素子が載置される上
面側は低温となっているものの基体と接する下面側は高
温（約１００℃）となっているため電子冷却素子の発す
る熱が基体、枠体、端子体及びボンディングワイヤを介
して光半導体素子に大きく作用し、この電子冷却素子の
熱によって光半導体素子の電子冷却素子による冷却効率
が大きく低下してしまうという欠点を有していた。その
ため従来は光半導体素子が作動時に発する熱と、基体、
枠体等を介して光半導体素子に伝達される電子冷却素子
の熱の両方を吸収するために電子冷却素子の出力を高い
ものとする必要があった。

【０００５】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は電子冷却素子の熱が光半導体素子に作用
するのを有効に防止し、低出力の電子冷却素子によって
も光半導体素子を常に適温として光半導体素子を長期間
にわたり正常に、かつ安定に作動させることができる光
半導体素子収納用パッケージを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上面に光半導
体素子が電子冷却素子を介して載置される載置部を有す
る基体と、前記基体上に光半導体素子載置部を囲繞する
ようにして配設され、側部に貫通孔を有し、かつ絶縁体
に光半導体素子の各電極が電気的に接続される配線層が
形成されている端子体が取着されている枠体と、前記貫
通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、光ファイバ
ー部材が接合される筒状の固定部材と、前記枠体の上面
に取着され、光半導体素子を気密に封止する蓋部材とか
らなる光半導体素子収納用パッケージであって、前記基
体と前記枠体に取着されている端子体との間に熱遮蔽部
材が配設されていることを特徴とするものである。

【０００７】本発明の光半導体素子収納用パッケージに
よれば基体と枠体に取着されている端子体との間に、例
えば、炭素繊維布からなる熱遮蔽部材を配設したことか
ら光半導体素子をペルチェ素子等の電子冷却素子で冷却
しつつ外部電気回路から供給される駆動信号によって光
励起させた場合、電子冷却素子の発した熱が基体、枠
体、端子体及びボンディングワイヤを介して光半導体素
子に作用しようとしてもその熱の伝達は熱遮蔽部材で遮
断されて光半導体素子に作用することはなく、その結
果、光半導体素子の電子冷却素子による冷却効率が高い
ものとなり、低出力の電子冷却素子でも光半導体素子を
常に適温として光半導体素子を長期間にわたり正常、か
つ安定に作動させることが可能となる。

【０００８】

【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１乃至図３は本発明の光半導体素子収
納用パッケージの一実施例を示し、１は基体、２は枠
体、３は蓋部材である。この基体１と枠体２と蓋部材３
とで内部に光半導体素子４を収容するための容器が構成
される。

【０００９】前記基体１は光半導体素子４を支持するた
めの支持部材として作用し、その上面の略中央部に光半
導体素子４を載置するための載置部１ａを有し、該載置
部１ａには光半導体素子４が間にペルチェ素子等の電子
冷却素子５を挟んで金−シリコンロウ材等の接着剤によ
り接着固定される。

【００１０】前記基体１は鉄ーニッケルーコバルト合金
や銅ータングステン合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルト合金から成る場合、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金のインゴット（塊）に圧延加工法
や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すこと
によって製作される。

【００１１】なお、前記基体１はその外表面に耐蝕性に
優れ、かつロウ材に対して濡れ性が良い金属、具体的に
は厚さ２〜６μｍのニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの
金層を順次、メッキ法により被着させておくと、基体１
が酸化腐蝕するのを有効に防止することができるととも
に基体１上面に光半導体素子４の下部に配されるペルチ
ェ素子等の電子冷却素子５を強固に接着固定させること
ができる。従って、前記基体１は酸化腐蝕を有効に防止
し、かつ上面に光半導体素子４の下部に配されるペルチ
ェ素子等の電子冷却素子５を強固に接着固定させる場合
にはその外表面に厚さ２〜６μｍのニッケル層と厚さ
０．５〜５μｍの金層を順次、メッキ法により被着させ
ておくことが好ましい。

【００１２】また前記基体１の上面には、光半導体素子
４が載置される載置部１ａを囲繞するようにして枠体２
が配設されており、該枠体２の内側に光半導体素子４を
収容するための空所が形成されている。

【００１３】前記枠体２は鉄ーニッケルーコバルト合金
や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、鉄
ーニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）をプレ
ス加工により枠状とすることによって形成される。

【００１４】更に前記枠体２はその側部に貫通孔２ａが
設けてあり、該貫通孔２ａの内壁面には筒状の固定部材
９が取着され、更に筒状の固定部材９の内側の一端には
透光性部材１０が取着されている。

【００１５】前記枠体２の側部に形成されている貫通孔
２ａは固定部材９を枠体２に取着するための取着孔とし
て作用し、枠体２の側部に従来周知のドリル孔あけ加工
を施すことによって所定形状に形成される。

【００１６】前記枠体２の貫通孔２ａに取着されている
固定部材９は光ファイバー部材１１を枠体２に固定する
際の下地固定部材として作用するとともに光半導体素子
４が励起した光を光ファイバー部材１１に伝達させる作
用をなし、その内側の一端には、例えば、透光性部材１
０が取着され、また外側の一端には光ファイバー部材１
１が取着接続される。

【００１７】前記筒状の固定部材９は鉄ーニッケルーコ
バルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば、鉄ーニッケル合金のインゴット（塊）をプレス
加工により筒状とすることによって形成される。

【００１８】また前記固定部材９はその内側の一端に、
例えば、透光性部材１０が取着されており、該透光性部
材１０は固定部材９の内部空間を塞ぎ、基体１と枠体２
と蓋部材３とから成る容器の気密封止を保持させるとと
もに固定部材９の内部空間を伝達する光半導体素子４の
励起した光をそのまま固定部材９に取着接続される光フ
ァイバー部材１１に伝達させる作用をなす。

【００１９】前記透光性部材１０は例えば、酸化珪素、
酸化鉛を主成分とした鉛系及びホウ酸、ケイ砂を主成分
としたホウケイ酸系の非晶質ガラスで形成されており、
該非晶質ガラスは結晶軸が存在しないことから光半導体
素子４の励起する光を透光性部材１０を通過させて光フ
ァイバー部材１１に授受させる場合、光半導体素子４の
励起した光は透光性部材１０で複屈折を起こすことはな
くそのまま光ファイバー部材１１に授受されることとな
り、その結果、光半導体素子４が励起した光の光ファイ
バー部材１１への授受が高効率となって光信号の伝送効
率を高いものとなすことができる。

【００２０】前記透光性部材１０の固定部材９への取着
は例えば、図３に示すように、透光性部材１０の外周部
に予めメタライズ層１２を被着させておき、該メタライ
ズ層１２と固定部材９とを金一錫合金等のロウ材を介し
ロウ付けすることによって行われる。この場合、透光性
部材１０の固定部材９への取着が金一錫合金等によるロ
ウ付けにより行われることから取着の信頼性が高いもの
となり、これによって固定部材９と透光性部材１０との
取着部における光半導体素子４を収容する容器の気密封
止が完全となり、容器内部に収容する光半導体素子４を
長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができ
る。

【００２１】なお、前記透光性部材１０の外周部に予め
被着されているメタライズ層１２は透光性部材１０を構
成する非晶質ガラスの融点が約７００℃と低く、従来周
知のＭｏ−Ｍｎ法を採用することによって形成すること
かできないことから図３に示すように、非晶質ガラスに
対して活性があり、強固に接合するチタン、チタンータ
ングステン、窒化タンタルの少なくとも１種から成る第
１層１２ａと、この第１層１２ａが透光性部材１０を固
定部材９にロウ付けする際の熱によって後述する第３層
１２ｃに拡散し、メタライズ層１２の透光性部材１０に
対する接合強度が低下するのを有効に防止する白金、ニ
ッケル、ニッケルークロムの少なくとも１種から成る第
２層１２ｂと、メタライズ層１２に対するロウ材の濡れ
性を改善し、メタライズ層１２にロウ材を強固に接合さ
せて透光性部材１０を固定部材９に強固に取着させる
金、白金、銅の少なくとも１種から成る第３層１２ｃと
を順次、積層させることによって形成されており、特に
チタンー白金ー金を順次積層させて形成したメタライズ
層１２は透光性部材１０との接合強度が強く、かつロウ
材との濡れ性が良好で透光性部材１０を固定部材９にロ
ウ付けすることが可能なことからメタライズ層１２とし
て極めて好適である。

【００２２】更に前記チタン、チタンータングステン、
窒化タンタルの少なくとも１種から成る第１層１２ａ
と、白金、ニッケル、ニッケルークロムの少なくとも１
種から成る第２層１２ｂと、金、白金、銅の少なくとも
１種から成る第３層１２ｃとの３層構造を有するメタラ
イズ層１２はその各々の金属材料、窒化物を透光性部材
１０の外周部にスパッタリング法や蒸着法、イオンプレ
ーティング法、メッキ法等により順次、所定厚みに被着
させることによって形成される。

【００２３】また更に前記メタライズ層１２をチタン、
チタンータングステン、窒化タンタルの少なくとも１種
から成る第１層１２ａと、白金、ニッケル、ニッケルー
クロムの少なくとも１種から成る第２層１２ｂと、金、
白金、銅の少なくとも１種から成る第３層１２ｃとで形
成する場合、第１層１２ａの層厚は５００オングストロ
ーム未満となるとメタライズ層１２の透光性部材１０に
対する接合強度が弱くなる傾向にあり、また２０００オ
ングストロームを超えると透光性部材１０に第１層１２
ａを被着させる際に第１層１２ａ中に大きな応力が発生
内在し、該内在応力によって第１層１２ａが透光性部材
１０より剥離し易くなる傾向にあることから第１層１２
ａの厚みは５００オングストローム乃至２０００オング
ストロームの範囲としておくことが好ましく、第２層１
２ｂの層厚は５００オングストローム未満となると透光
性部材１０を固定部材９にロウ付けする際の熱によって
第１層１２ａが第３層１２ｃに拡散するのを有効に防止
することができず、メタライズ層１２の透光性部材１０
に対する接合強度が低下してしまう危険性があり、また
１００００オングストロームを超えると第１層１２ａ上
に第２層１２ｂを被着させる際に第２層１２ｂ中に大き
な応力が発生内在し、該内在応力によって第２層１２ｂ
が第１層１２ａより剥離し易くなる傾向にあることから
第２層１２ｂの厚みは５００オングストローム乃至１０
０００オングストロームの範囲としておくことが好まし
く、第３層１２ｃの層厚は０．５μｍ未満であるとメタ
ライズ層１２に対するロウ材の濡れ性が大きく改善され
ず、透光性部材１０を固定部材９に強固にロウ付け取着
するのが困難となる傾向にあり、また５μｍを超えると
第２層１２ｂ上に第３層１２ｃを被着させる際に第３層
１２ｃ中に大きな応力が発生内在し、該内在応力によっ
て第３層１２ｃが第２層１２ｂより剥離し易くなる傾向
にあることから第３層１２ｃの厚みは０．５μｍ乃至５
μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００２４】更に前記枠体２はその側部に貫通孔２ｂが
形成されており、該貫通孔２ｂには端子体６が取着され
ている。

【００２５】前記端子体６は電気絶縁材料から成る絶縁
体７と複数個の配線層８とから成り、配線層８を枠体２
に対し電気的絶縁をもって枠体２の内側から外側にかけ
て配設する作用をなし、絶縁体７の側面に予めメタライ
ズ金属層を被着させておくとともに該メタライズ金属層
を枠体２の貫通孔２ｂ内壁面に銀ロウ等のロウ材を介し
取着することによって枠体２の貫通孔２ｂに取着され
る。

【００２６】前記端子体６の絶縁体７は、例えば、酸化
アルミニウム質燒結体からなり、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉
末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作る
とともに、該泥漿物をドクターブレード法やカレンダー
ロール法を採用することによってセラミックグリーンシ
ート（セラミック生シート）と成し、しかる後、前記セ
ラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すと
ともにこれを複数枚積層し、約１６００℃の温度で焼成
することによって製作される。

【００２７】また前記端子体６には枠体２の内側から外
側にかけて導出する複数個の配線層８が埋設されてお
り、該配線層８の枠体２の内側に位置する領域には光半
導体素子４の各電極がボンディングワイヤ１２を介して
電気的に接続され、また枠体２の外側に位置する領域に
は外部電気回路と接続される外部リード端子１３がロウ
材を介し取着されている。

【００２８】前記配線層８はタングステンやモリブデ
ン、マンガン等の金属材料よりなり、該タングステンや
モリブデン、マンガン等の金属材料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを絶
縁体７となるセラミックグリーンシートに予め従来周知
のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布して
おくことによって絶縁体７に形成される。

【００２９】なお、前記配線層８はその露出する表面に
ニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性
に優れる金属を１μｍ〜２０μｍの厚みにメッキ法によ
り被着させておくと、配線層８の酸化腐蝕を有効に防止
することができるとともに配線層８への外部リード端子
１３のロウ付けを強固となすことができる。従って、前
記配線層８はその露出する表面にニッケル、金等の耐蝕
性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属を１μｍ
〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。

【００３０】また前記配線層８には外部リード端子１３
が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されており、
該外部リード端子１３は容器内部に収容する光半導体素
子４の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用を
なし、外部リード端子１３を外部電気回路に接続するこ
とによって容器内部に収容される光半導体素子４はボン
ディングワイヤ１２、メタライズ配線層８及び外部リー
ド端子１３を介して外部電気回路に接続されることとな
る。

【００３１】前記外部リード端子１３は鉄ーニッケルー
コバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成
り、例えば、鉄ーニッケルーコバルト合金等の金属材料
から成るインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工
法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定の
形状に形成される。

【００３２】更に前記基体１と端子体６が取着されてい
る枠体２との間には、熱遮蔽部材Ｐが配設されており、
該熱遮蔽部材Ｐによって光半導体素子４をペルチェ素子
等の電子冷却素子５で冷却しつつ外部電気回路から供給
される駆動信号によって光励起させた場合、電子冷却素
子５の発した熱が基体１、枠体２、端子体６及び後述す
るボンディングワイヤ１２を介して光半導体素子４に作
用しようとしてもその熱の伝達は有効に遮断されて光半
導体素子４に作用することはなく、その結果、光半導体
素子４の電子冷却素子５による冷却効率が高いものとな
り、低出力の電子冷却素子でも光半導体素子４を常に適
温として光半導体素子４を長期間にわたり正常、かつ安
定に作動させることが可能となる。

【００３３】前記熱遮蔽部材Ｐは、例えば、炭素繊維布
から成り、該炭素繊維布は所定長さの複数の炭素繊維を
圧縮加熱し、各々の炭素繊維をからみ合わせて膠着させ
布状とするとともにこれを固体のピッチあるいはコーク
スなどの微粉末を分散させたフェノール樹脂などの熱硬
化性樹脂の溶液中に含浸させ、次にこれを乾燥させた
後、所定の圧力を加えるとともに加熱して熱硬化性樹脂
部分を硬化させ、最後にこれを不活性雰囲気中、高温で
焼成し、フェノール樹脂とピッチあるいはコークスの微
粉末を炭化させる（炭素を形成する）とともに該炭素を
各々の炭素繊維に結合させることによって製作される。

【００３４】前記熱遮蔽部材Ｐを炭素繊維布で形成した
場合、熱遮蔽部材Ｐの厚み方向、幅方向、長さ方向の熱
伝導率がいずれも０．５Ｗ／ｍ・ｋ以下となり、優れた
断熱性を有することとなるため電子冷却素子５の発した
熱は基体１、枠体２、端子体６及びボンディングワイヤ
１２を介して光半導体素子４に作用することはほとんど
なく、光半導体素子４の電子冷却素子５による冷却効率
を極めて高いものとなすことができる。従って、前記熱
遮蔽部材Ｐは炭素繊維布で形成することが好ましい。

【００３５】また前記熱遮蔽部材Ｐを炭素繊維布で形成
した場合、該炭素繊維布はその内部及び表面に多数の気
孔が形成されており、多孔質であることら露出する外表
面に被覆層を被着させておき、該被覆層によって気孔を
塞いでおく必要がある。この場合の被覆層としては金属
や鉛ホウ酸系やホウケイ酸系のガラス、エポキシ樹脂や
シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂により形成する
ことができ、例えば、金属で形成する場合には熱遮蔽部
材Ｐの露出表面に鉄やニッケル、クロム、チタン、モリ
ブデン、タンタル、タングステン等の厚さ５０μｍ以下
の薄板状金属部材を配置させ、次にこれを真空ホットプ
レスで５ＭＰａの圧力をかけつつ１２００℃の温度を１
時間印加し、薄板状金属部材の一部を熱遮蔽部材Ｐに拡
散させ、拡散接合することによって行われる。

【００３６】前記炭素繊維布からなる熱遮蔽部材Ｐはま
たその露出する表面を被覆層で被覆した場合、容器内部
に光半導体素子４及び電子冷却素子５を収容し、光半導
体装置となした後、ヘリウムを使用して光半導体装置の
気密封止の検査をする場合、ヘリウムの一部が熱遮蔽部
材Ｐの気孔内にトラップされることはなく、光半導体装
置の気密封止の検査を極めて正確に行うことができる。

【００３７】更に、前記炭素繊維布から成る熱遮蔽部材
Ｐはその弾性率が３０ＧＰａ以下であり、軟質であるこ
とから熱遮蔽部材Ｐと該熱遮蔽部材Ｐが配設される基体
１及び枠体２との間に各々の熱膨張係数の相違に起因す
る熱応力が多少発生したとしてもその熱応力は熱遮蔽部
材Ｐを適度に変形させることによって吸収され、その結
果、熱遮蔽部材Ｐと基体１及び枠体２とは極めて強固に
接合し、容器の気密封止の信頼性を高いものとして内部
に収容する光半導体素子４及び電子冷却素子５を長期間
にわたり正常、かつ安定に作動させることが可能とな
る。

【００３８】また一方、前記枠体２はその上面に、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニツケル合金等
の金属材料から成る蓋部材３が接合され、これによって
基体１と枠体２と蓋部材３とからなる容器の内部に光半
導体素子４が気密に封止されることとなる．前記蓋部材
３の枠体２上面への接合は、例えば、シームウェルド法
等の溶接によって行われる。

【００３９】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば、基体１の光半導体素子載置部１ａに光
半導件素子４を間にペルチェ素子等の電子冷却素子５を
間に挟んで載置固定するとともに光半導体素子４の各電
極をボンディングワイヤ１２を介して外部リード端子１
３に電気的に接続し、次に枠体２の上面に蓋部材３を接
合させ、基体１と枠体２と蓋部材３とから成る容器内部
に光半導体素子４を収容し、最後に枠体２に取着させた
筒状の固定部材９に光ファイバー部材１１を取着接続さ
せることによって最終製品としての光半導体装置とな
る。

【００４０】かかる光半導体装置は電子冷却素子５によ
り光半導体素子４を冷却しつつ光半導体素子４に外部電
気回路から供給される駆動信号によって光励起を起こさ
せ、該励起した光を透光性部材１０を介し光ファイバー
部材１１に授受させるとともに該光ファイバー部材１１
の光ファイバー内を伝達させることによって高速通信等
に使用される。なお、この場合、電子冷却素子５の発し
た熱が基体１、枠体２、端子体６及び後述するボンディ
ングワイヤ１２を介して光半導体素子４に作用しようと
してもその熱の伝達は有効に遮断されて光半導体素子４
に作用することはなく、その結果、光半導体素子４の電
子冷却素子５による冷却効率が高いものとなり、低出力
の電子冷却素子でも光半導体素子４を常に適温として光
半導体素子４を長期間にわたり正常、かつ安定に作動さ
せることが可能となる。

【００４１】また本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。

【００４２】

【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば基体と枠体に取着されている端子体との間に、
例えば、炭素繊維布からなる熱遮蔽部材を配設したこと
から光半導体素子をペルチェ素子等の電子冷却素子で冷
却しつつ外部電気回路から供給される駆動信号によって
光励起させた場合、電子冷却素子の発した熱が基体、枠
体、端子体及びボンディングワイヤを介して光半導体素
子に作用しようとしてもその熱の伝達は熱遮蔽部材で遮
断されて光半導体素子に作用することはなく、その結
果、光半導体素子の電子冷却素子による冷却効率が高い
ものとなり、低出力の電子冷却素子でも光半導体素子を
常に適温として光半導体素子を長期間にわたり正常、か
つ安定に作動させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示す断面図である。

【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージの蓋部
材を除いた平面図である。

【図３】図１に示す半導体素子収納用パッケージの一部
拡大断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・・・・基体 １ａ・・・・・・・載置部 ２・・・・・・・・枠体 ２ａ、２ｂ・・・・貫通孔 ３・・・・・・・・蓋部材 ４・・・・・・・・光半導体素子 ５・・・・・・・・電子冷却素子 ６・・・・・・・・端子体 ７・・・・・・・・絶縁体 ８・・・・・・・・配線層 ９・・・・・・・・固定部材 １０・・・・・・・・透光性部材 １１・・・・・・・・光ファイバー部材 Ｐ・・・・・・・・熱遮蔽部材

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上面に光半導体素子が電子冷却素子を介し
   て載置される載置部を有する基体と、前記基体上に光半
   導体素子載置部を囲繞するようにして配設され、側部に
   貫通孔を有し、かつ絶縁体に光半導体素子の各電極が電
   気的に接続される配線層が形成されている端子体が取着
   されている枠体と、前記貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠
   体に取着され、光ファイバー部材が接合される筒状の固
   定部材と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子を
   気密に封止する蓋部材とからなる光半導体素子収納用パ
   ッケージであって、前記基体と前記枠体に取着されてい
   る端子体との間に熱遮蔽部材が配設されていることを特
   徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
2. 【請求項２】前記熱遮蔽部材は外表面に被覆層が被着さ
   れている炭素繊維布からなることを特徴とする請求項１
   に記載の光半導体素子収納用パッケージ。