JP2000276943A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性及び光の透過性に優れた酸化亜鉛膜を
利用した透明導電膜を提供することである。 【解決手段】 酸化亜鉛薄膜のｃ軸：ａ軸の配向性の比
が１００：１以上、もしくは、酸化亜鉛薄膜のｃ軸：ｃ
軸以外の軸に配向性の比が１００：１以上であり、且
つ、アルミニウム、ガリウム、ホウ素などIII族及びVII
族化合物のうち少なくとも１種類をドーピングした。
利用した透明導電膜を提供することである。 【解決手段】 酸化亜鉛薄膜のｃ軸：ａ軸の配向性の比
が１００：１以上、もしくは、酸化亜鉛薄膜のｃ軸：ｃ
軸以外の軸に配向性の比が１００：１以上であり、且
つ、アルミニウム、ガリウム、ホウ素などIII族及びVII
族化合物のうち少なくとも１種類をドーピングした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜に係
り、特に、太陽電池、表示素子（液晶、ＰＤＰ，ＥＬ，
ＦＥＤなど）、その他の光デバイス、電子デバイスの電
気接続と配線手段として利用することができる透明導電
膜に関する。
り、特に、太陽電池、表示素子（液晶、ＰＤＰ，ＥＬ，
ＦＥＤなど）、その他の光デバイス、電子デバイスの電
気接続と配線手段として利用することができる透明導電
膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、太陽電池、液晶素子、その他、電
子デバイス用の電極と接続、配線手段を形成する材料と
して、透明導電膜の重要性がますます高くなっている。
従来、最も多く使用されている透明導電性材料として、
アンチモンドープ酸化錫、フッ素ドープ酸化錫、錫含有
酸化インジウム（少量の錫をドープした酸化インジウ
ム：ＩＴＯで略記）などが知られている。導電特性をさ
ほど要求しない導電膜に対しては、酸化亜鉛薄膜も使用
されている。例えば、アルミニウムドープ酸化亜鉛（特
開平５−２７５７２７号公報参照）、ガリウムドープ酸
化亜鉛などがある。
子デバイス用の電極と接続、配線手段を形成する材料と
して、透明導電膜の重要性がますます高くなっている。
従来、最も多く使用されている透明導電性材料として、
アンチモンドープ酸化錫、フッ素ドープ酸化錫、錫含有
酸化インジウム（少量の錫をドープした酸化インジウ
ム：ＩＴＯで略記）などが知られている。導電特性をさ
ほど要求しない導電膜に対しては、酸化亜鉛薄膜も使用
されている。例えば、アルミニウムドープ酸化亜鉛（特
開平５−２７５７２７号公報参照）、ガリウムドープ酸
化亜鉛などがある。
【０００３】透明導電膜の作製方法としては、スパッタ
リング法、ＣＶＤ法、レーザーアベレーション法、真空
蒸着法、導電性微粒子をバインダ樹脂に分散させた液を
塗布する塗布法（特開平５−５０６９号公報、特開平５
−１５１８２６号公報、特開平６−７６６３６号公報、
特開平６−１１９８１６号公報、特開平６−１２５１０
１号公報、特開平７−２４２８４２号公報等参照）、導
電性材料の原料のゾルを塗布、乾燥しゲル化するゾル−
ゲル法（特開平５−２８８３４号公報、特開平５−１１
６９４１号公報、特開平６−９６６１９号公報、特開平
６−１５０７４１号公報、特開平７−９４０４４号公
報、特開平７−１８２９３９号公報等参照）などが一般
的であり、数多くの特許出願がなされている。
リング法、ＣＶＤ法、レーザーアベレーション法、真空
蒸着法、導電性微粒子をバインダ樹脂に分散させた液を
塗布する塗布法（特開平５−５０６９号公報、特開平５
−１５１８２６号公報、特開平６−７６６３６号公報、
特開平６−１１９８１６号公報、特開平６−１２５１０
１号公報、特開平７−２４２８４２号公報等参照）、導
電性材料の原料のゾルを塗布、乾燥しゲル化するゾル−
ゲル法（特開平５−２８８３４号公報、特開平５−１１
６９４１号公報、特開平６−９６６１９号公報、特開平
６−１５０７４１号公報、特開平７−９４０４４号公
報、特開平７−１８２９３９号公報等参照）などが一般
的であり、数多くの特許出願がなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＩＴＯ薄膜は導電率が
高く、一般的に使われているが、市場の拡大に伴いＩＴ
Ｏの原材料であるインジウム（Ｉｎ）の枯渇が懸念され
ている（Y.Makita:Future Generation Photovoltatic T
echnologies, The first NREL Conference, AIP,New Yo
rk, 1997, p. 3-10. ）。学会発表では、今後の使用可
能年限を１４年程度と予想しているものもある。これに
対し、亜鉛原料は自然界で豊富であるため、ＩＴＯの代
替材料として、安価でかつ環境に優しい酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）薄膜の研究が積極的に進められている。
高く、一般的に使われているが、市場の拡大に伴いＩＴ
Ｏの原材料であるインジウム（Ｉｎ）の枯渇が懸念され
ている（Y.Makita:Future Generation Photovoltatic T
echnologies, The first NREL Conference, AIP,New Yo
rk, 1997, p. 3-10. ）。学会発表では、今後の使用可
能年限を１４年程度と予想しているものもある。これに
対し、亜鉛原料は自然界で豊富であるため、ＩＴＯの代
替材料として、安価でかつ環境に優しい酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）薄膜の研究が積極的に進められている。
【０００５】酸化亜鉛薄膜の作製方法としては、スパッ
タリング法（特開平５−２７５７２７号公報、特開平１
０−２０６６０２号公報、T. Nakada, Y.Ohkubo and A.
Kunioka: Jpn. J. Appl. Phys. 30(1991) p.3344.等参
照）が一般的に使われている。しかし、スパッタリング
では膜厚の制御方法に問題があり、作られた酸化亜鉛透
明導電膜の電気伝導性はＩＴＯより悪く、ＩＴＯ透明導
電膜の代替となり得ない。また、スパッタリング法は大
面積成膜に最適とは言えず、大面積のデバイス、例え
ば、液晶、ＰＤＰなどの表示デバイスを作るには困難が
ある。
タリング法（特開平５−２７５７２７号公報、特開平１
０−２０６６０２号公報、T. Nakada, Y.Ohkubo and A.
Kunioka: Jpn. J. Appl. Phys. 30(1991) p.3344.等参
照）が一般的に使われている。しかし、スパッタリング
では膜厚の制御方法に問題があり、作られた酸化亜鉛透
明導電膜の電気伝導性はＩＴＯより悪く、ＩＴＯ透明導
電膜の代替となり得ない。また、スパッタリング法は大
面積成膜に最適とは言えず、大面積のデバイス、例え
ば、液晶、ＰＤＰなどの表示デバイスを作るには困難が
ある。
【０００６】また、導電性の微粒子（アルミニウムドー
プ酸化亜鉛あるいはガリウムドープ酸化亜鉛）と導電性
のゾル−ゲル膜の組成物としてのゾル液を混合し、基板
に塗布、約摂氏４００度還元雰囲気下で焼成することに
より得られる酸化亜鉛透明導電膜がある（特開平１０−
２８３８４７号公報参照）。このゾル−ゲル膜は、塗膜
にクラックや粒界が生じやすくて均一な膜を形成するの
が困難であるため、この方法にも低抵抗化に限界があ
る。加えて、ゾル−ゲル法は成膜速度が遅く生産性が高
くないので、酸化亜鉛透明導電膜を作るのに適切ではな
い。
プ酸化亜鉛あるいはガリウムドープ酸化亜鉛）と導電性
のゾル−ゲル膜の組成物としてのゾル液を混合し、基板
に塗布、約摂氏４００度還元雰囲気下で焼成することに
より得られる酸化亜鉛透明導電膜がある（特開平１０−
２８３８４７号公報参照）。このゾル−ゲル膜は、塗膜
にクラックや粒界が生じやすくて均一な膜を形成するの
が困難であるため、この方法にも低抵抗化に限界があ
る。加えて、ゾル−ゲル法は成膜速度が遅く生産性が高
くないので、酸化亜鉛透明導電膜を作るのに適切ではな
い。
【０００７】その他に、ＣＶＤ法（A. P. Roth, D.F. W
illiams: J. Appl. Phys. 52(1981)p.6685.）、レーザ
ーアベレーション法（S. Hayamizu, H. Tabata, H. Tan
akaand T. Kawai: J. Appl. Phys. 80(1996) p.78
7.）、また、電析法（特開平１０−３１３１２７号公報
参照）なども報告されている。
illiams: J. Appl. Phys. 52(1981)p.6685.）、レーザ
ーアベレーション法（S. Hayamizu, H. Tabata, H. Tan
akaand T. Kawai: J. Appl. Phys. 80(1996) p.78
7.）、また、電析法（特開平１０−３１３１２７号公報
参照）なども報告されている。
【０００８】しかし、以上の方法で作成した酸化亜鉛透
明導電膜は、薄膜の結晶配向性と導電率の関係が明らか
にされておらず、結晶の配向性も特に制御していないた
め、ある程度導電率が高くても、ＩＴＯ透明導電膜の代
替材料になるような性能を持たせ得なかった。
明導電膜は、薄膜の結晶配向性と導電率の関係が明らか
にされておらず、結晶の配向性も特に制御していないた
め、ある程度導電率が高くても、ＩＴＯ透明導電膜の代
替材料になるような性能を持たせ得なかった。
【０００９】本発明は、酸化亜鉛薄膜のｃ軸：ａ軸、あ
るいは、ｃ軸以外の配向性の比を１００：１以上とし、
かつまた、アルミニウム、ガリウム、ホウ素などIII族
及びVII族化合物のうち少なくとも１種類ドーピングす
ることで、特に、薄膜の厚さ方向の導電率を上げ、可視
光の透過率を８０％以上とした導電性及び光の透過性に
優れた透明導電膜を提供することを目的とする。
るいは、ｃ軸以外の配向性の比を１００：１以上とし、
かつまた、アルミニウム、ガリウム、ホウ素などIII族
及びVII族化合物のうち少なくとも１種類ドーピングす
ることで、特に、薄膜の厚さ方向の導電率を上げ、可視
光の透過率を８０％以上とした導電性及び光の透過性に
優れた透明導電膜を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
酸化亜鉛薄膜のｃ軸：ａ軸の配向性の比が１００：１以
上であり、且つ、アルミニウム、ガリウム、ホウ素など
III族及びVII族化合物のうち少なくとも１種類ドーピン
グされたものである。従って、ｃ方向の電気伝導度をａ
軸方向と比べて大きくすることで、特に、薄膜の厚さ方
向の導電率を上げ、導電性及び光の透過性に優れた透明
導電膜を提供することができる。
酸化亜鉛薄膜のｃ軸：ａ軸の配向性の比が１００：１以
上であり、且つ、アルミニウム、ガリウム、ホウ素など
III族及びVII族化合物のうち少なくとも１種類ドーピン
グされたものである。従って、ｃ方向の電気伝導度をａ
軸方向と比べて大きくすることで、特に、薄膜の厚さ方
向の導電率を上げ、導電性及び光の透過性に優れた透明
導電膜を提供することができる。
【００１１】請求項２記載の発明は、酸化亜鉛薄膜のｃ
軸：ｃ軸以外の軸に配向性の比が１００：１以上であ
り、且つ、アルミニウム、ガリウム、ホウ素などIII族
及びVII族化合物のうち少なくとも１種類ドーピングさ
れたものである。従って、ｃ方向の電気伝導度をほかの
方向と比べて大きくすることで、特に、薄膜の厚さ方向
の導電率を上げ、導電性及び光の透過性に優れた透明導
電膜を提供することができる。
軸：ｃ軸以外の軸に配向性の比が１００：１以上であ
り、且つ、アルミニウム、ガリウム、ホウ素などIII族
及びVII族化合物のうち少なくとも１種類ドーピングさ
れたものである。従って、ｃ方向の電気伝導度をほかの
方向と比べて大きくすることで、特に、薄膜の厚さ方向
の導電率を上げ、導電性及び光の透過性に優れた透明導
電膜を提供することができる。
【００１２】請求項３記載の発明は、請求項１記載の透
明導電膜において、ドーピングの原料として、アルミニ
ウム、ガリウム、ホウ素などIII族及びVII族化合物の有
機金属を少なくとも一種類使用した。従って、ドーピン
グの原料として、アルミニウムとガリウムとケイ素とホ
ウ素等の有機化合物を使用することによって、導電性及
び光の透過性に優れた透明導電膜を提供することができ
る。
明導電膜において、ドーピングの原料として、アルミニ
ウム、ガリウム、ホウ素などIII族及びVII族化合物の有
機金属を少なくとも一種類使用した。従って、ドーピン
グの原料として、アルミニウムとガリウムとケイ素とホ
ウ素等の有機化合物を使用することによって、導電性及
び光の透過性に優れた透明導電膜を提供することができ
る。
【００１３】請求項４記載の発明は、請求項１記載の透
明導電膜において、ドーピングの原料としてアルミニウ
ム、ガリウム、ホウ素などIII族及びVII族化合物の有機
金属を少なくとも一種類使用し、且つ、該有機物はアセ
チルアセトンであり、有機金属化学気相成長（ＭＯ−Ｃ
ＶＤ）法で成膜されたことを特徴とする。従って、有機
物をアセチルアセトンとして、ＭＯ−ＣＶＤ法で成膜さ
れ、結晶の配向性と組成が制御された導電性及び光の透
過性に優れた透明導電膜を提供することができる。
明導電膜において、ドーピングの原料としてアルミニウ
ム、ガリウム、ホウ素などIII族及びVII族化合物の有機
金属を少なくとも一種類使用し、且つ、該有機物はアセ
チルアセトンであり、有機金属化学気相成長（ＭＯ−Ｃ
ＶＤ）法で成膜されたことを特徴とする。従って、有機
物をアセチルアセトンとして、ＭＯ−ＣＶＤ法で成膜さ
れ、結晶の配向性と組成が制御された導電性及び光の透
過性に優れた透明導電膜を提供することができる。
【００１４】請求項５記載の発明は、請求項１、２、３
又は４記載の透明導電膜において、抵抗値は、１０-3Ω
・ｃｍ以下となるようにドープ量を調整した。従って、
ドープ量を調整することにより、導電性及び光の透過性
に優れた透明導電膜を提供することができる。
又は４記載の透明導電膜において、抵抗値は、１０-3Ω
・ｃｍ以下となるようにドープ量を調整した。従って、
ドープ量を調整することにより、導電性及び光の透過性
に優れた透明導電膜を提供することができる。
【００１５】請求項６記載の発明は、請求項１、２、
３、４又は５記載の透明導電膜において、可視光の透過
率が８０％以上であることを特徴とする。従って、導電
性及び光の透過性に優れた透明導電膜を提供することが
できる。
３、４又は５記載の透明導電膜において、可視光の透過
率が８０％以上であることを特徴とする。従って、導電
性及び光の透過性に優れた透明導電膜を提供することが
できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を説明する。
まず、有機金属化学気相成長（ＭＯ−ＣＶＤ）法は、組
成の変化しない原料の供給が連続的に行なわれ、結晶の
配向性と組成が制御された薄膜を広い面積に成膜できる
と言う利点がある。しかし、酸化亜鉛薄膜の作成では、
通常用いられているＺｎ（ＣＨ3）2やＺｎ（Ｃ2Ｈ5）2
原料と酸化ガスである酸素が気相中で激しく反応し、プ
ロセス制御が非常に難しいことが指摘されている。ま
た、原料が高価であると言う問題点も有る。
まず、有機金属化学気相成長（ＭＯ−ＣＶＤ）法は、組
成の変化しない原料の供給が連続的に行なわれ、結晶の
配向性と組成が制御された薄膜を広い面積に成膜できる
と言う利点がある。しかし、酸化亜鉛薄膜の作成では、
通常用いられているＺｎ（ＣＨ3）2やＺｎ（Ｃ2Ｈ5）2
原料と酸化ガスである酸素が気相中で激しく反応し、プ
ロセス制御が非常に難しいことが指摘されている。ま
た、原料が高価であると言う問題点も有る。
【００１７】これに対し、大気中で安定な亜鉛アセチル
アセトナート（Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2）原料を予備加熱
し、酸素ガスを加えることにより、配向性の優れた酸化
亜鉛薄膜が再現性良く得られることが報告された（羽
賀、佐藤、渡辺 第４５回応用物理学会連合講演会 講
演予講習３０ａＴ／III ｐ．１３４７］。
アセトナート（Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2）原料を予備加熱
し、酸素ガスを加えることにより、配向性の優れた酸化
亜鉛薄膜が再現性良く得られることが報告された（羽
賀、佐藤、渡辺 第４５回応用物理学会連合講演会 講
演予講習３０ａＴ／III ｐ．１３４７］。
【００１８】本実施の形態では、透明基板の上に亜鉛ア
セチルアセトナート（Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2：Ｚｎ（ａｃ
ａｃ）2）を用いたＭＯ−ＣＶＤ法によってｃ軸一軸配
向の酸化亜鉛結晶を積層・成長させると同時にアルミニ
ウムアセチルアセトナート（Ａｌ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）3）ある
いは、ガリウムアセチルアセトナート（Ｇａ（Ｃ5Ｈ7Ｏ
2）3）をｎ型不純物として用い、ＭＯ−ＣＶＤ法により
アルミニウムドープした酸化亜鉛薄膜、あるいは、ガリ
ウムドープした酸化亜鉛薄膜を作成した。
セチルアセトナート（Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2：Ｚｎ（ａｃ
ａｃ）2）を用いたＭＯ−ＣＶＤ法によってｃ軸一軸配
向の酸化亜鉛結晶を積層・成長させると同時にアルミニ
ウムアセチルアセトナート（Ａｌ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）3）ある
いは、ガリウムアセチルアセトナート（Ｇａ（Ｃ5Ｈ7Ｏ
2）3）をｎ型不純物として用い、ＭＯ−ＣＶＤ法により
アルミニウムドープした酸化亜鉛薄膜、あるいは、ガリ
ウムドープした酸化亜鉛薄膜を作成した。
【００１９】ＭＯ−ＣＶＤ法に用いる亜鉛アセチルアセ
トナート（Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2：Ｚｎ（ａｃａｃ）2）
は白色で粉末状の固体有機金属化合物である。常温大気
中で吸湿性があるが、ジメチル亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ3）2）
等のＺｎ原料と比較すると、非常に安定で扱いやすい材
料である。
トナート（Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2：Ｚｎ（ａｃａｃ）2）
は白色で粉末状の固体有機金属化合物である。常温大気
中で吸湿性があるが、ジメチル亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ3）2）
等のＺｎ原料と比較すると、非常に安定で扱いやすい材
料である。
【００２０】酸化亜鉛の構成元素である酸素の供給源に
は、９９．９９％の高純度酸素ガスを用いた。酸素の他
には、オゾン、二酸化炭素等の酸素を構成元素として含
むガスを用いても、コントロール条件を多少酸素ガスの
時と変えることで製膜可能であることも確認されてい
る。
は、９９．９９％の高純度酸素ガスを用いた。酸素の他
には、オゾン、二酸化炭素等の酸素を構成元素として含
むガスを用いても、コントロール条件を多少酸素ガスの
時と変えることで製膜可能であることも確認されてい
る。
【００２１】本実施の形態で用いた成膜方法の特徴は、
亜鉛の有機化合物を載せた原料シリンダーの温度と基板
温度の調整によって結晶配向軸を選択できる点と、ドー
プ材料を載せた原料シリンダーの温度調整によって、ド
ープ量を制御できる点にある。
亜鉛の有機化合物を載せた原料シリンダーの温度と基板
温度の調整によって結晶配向軸を選択できる点と、ドー
プ材料を載せた原料シリンダーの温度調整によって、ド
ープ量を制御できる点にある。
【００２２】ＭＯ−ＣＶＤ装置の原料シリンダー部にシ
ート状ヒーターをつけ、原料シリンダー部の温度を制御
することによって、原料の気化量と温度が調整できる。
また、ＭＯ−ＣＶＤ装置の基板をセットする部分にもシ
ート状ヒーターをつけ、加熱によって基板の温度を制御
できるようにした。
ート状ヒーターをつけ、原料シリンダー部の温度を制御
することによって、原料の気化量と温度が調整できる。
また、ＭＯ−ＣＶＤ装置の基板をセットする部分にもシ
ート状ヒーターをつけ、加熱によって基板の温度を制御
できるようにした。
【００２３】気化した原料は、基板セッティングが終わ
った反応チャンバー内へ９９．９９％の高純度窒素キャ
リアガスによって輸送される。気化した材料の輸送量を
調整できるように、窒素の流量を制御できるようにし
た。
った反応チャンバー内へ９９．９９％の高純度窒素キャ
リアガスによって輸送される。気化した材料の輸送量を
調整できるように、窒素の流量を制御できるようにし
た。
【００２４】酸素ガスは、気相中で亜鉛原料と反応しな
いように、基板近傍まで分離輸送され、基板表面に直接
供給される。また、反応チャンバーまでの配管を成膜す
るときと同じ条件（気圧、温度、窒素ガス流量など）に
一定時間で保ち、基板への不純物付着を極力抑えること
も、この後の工程の品質を高める効果がある。
いように、基板近傍まで分離輸送され、基板表面に直接
供給される。また、反応チャンバーまでの配管を成膜す
るときと同じ条件（気圧、温度、窒素ガス流量など）に
一定時間で保ち、基板への不純物付着を極力抑えること
も、この後の工程の品質を高める効果がある。
【００２５】薄膜の品質と成膜速度を調整するために、
反応チャンバー内の圧力は真空装置によって制御できる
ようにした。
反応チャンバー内の圧力は真空装置によって制御できる
ようにした。
【００２６】作成された薄膜の結晶配向、膜厚、導電率
と透過率は、それぞれＸ線回折装置、自動エリプソメー
タ、ホール測定装置と自動分光光度計で評価した。その
結果、ｃ軸配向を主とする導電性及び光の透過性に優れ
た酸化亜鉛透明導電膜が作成できたことを確認した。
と透過率は、それぞれＸ線回折装置、自動エリプソメー
タ、ホール測定装置と自動分光光度計で評価した。その
結果、ｃ軸配向を主とする導電性及び光の透過性に優れ
た酸化亜鉛透明導電膜が作成できたことを確認した。
【００２７】ここで薄膜形成条件について、以下に詳し
く記載する。基板温度は摂氏４００度から５００度の間
で、原料シリンダー部の温度は摂氏９０度から１３０度
の間で変化させると薄膜の結晶配向のｃ軸（（００２）
面）とｃ軸以外、例えば（（１００）面）、（（１０
１）面）との比率を調整できる。この時、基板温度を摂
氏４５０度前後にすると、ｃ軸に優先配向した良好な酸
化亜鉛薄膜が作成できた。逆に基板温度を摂氏４２５度
あるいは４７５度前後にするとｃ軸以外の方向が優先的
に配向成長する。即ち、ｃ軸配向の優先性がなくなり、
（１０１）面が主要となる。実験時の真空度は１０Ｔｏ
ｒｒ〜３００Ｔｏｒｒであった。１００Ｔｏｒｒ付近で
より好ましい結果を得た。酸素ガスの流量は５０〜４０
０ｃｃ／ｍｉｎ、好ましくは３００ｃｃ／ｍｉｎであ
る。酸素以外のガス成分としては窒素ガスが含まれてい
る。用いた基板はパイレックスガラスであった。膜堆積
速度は０．１〜５μｍ／ｈ、好ましくは０．６μｍ／ｈ
で良好な結晶配向膜を形成することができた。
く記載する。基板温度は摂氏４００度から５００度の間
で、原料シリンダー部の温度は摂氏９０度から１３０度
の間で変化させると薄膜の結晶配向のｃ軸（（００２）
面）とｃ軸以外、例えば（（１００）面）、（（１０
１）面）との比率を調整できる。この時、基板温度を摂
氏４５０度前後にすると、ｃ軸に優先配向した良好な酸
化亜鉛薄膜が作成できた。逆に基板温度を摂氏４２５度
あるいは４７５度前後にするとｃ軸以外の方向が優先的
に配向成長する。即ち、ｃ軸配向の優先性がなくなり、
（１０１）面が主要となる。実験時の真空度は１０Ｔｏ
ｒｒ〜３００Ｔｏｒｒであった。１００Ｔｏｒｒ付近で
より好ましい結果を得た。酸素ガスの流量は５０〜４０
０ｃｃ／ｍｉｎ、好ましくは３００ｃｃ／ｍｉｎであ
る。酸素以外のガス成分としては窒素ガスが含まれてい
る。用いた基板はパイレックスガラスであった。膜堆積
速度は０．１〜５μｍ／ｈ、好ましくは０．６μｍ／ｈ
で良好な結晶配向膜を形成することができた。
【００２８】図１では基板温度摂氏４２５度で成膜した
酸化亜鉛薄膜のＸ線回折結果を示す。図から判るよう
に、（００２）面（ｃ軸）、（１００）面（ａ軸）と
（（１０１）面）に配向に対応するピークがほぼ同じで
あり、その以外、例えば（１０２）面、（１１０）面の
配向に対応するピークも現れている。
酸化亜鉛薄膜のＸ線回折結果を示す。図から判るよう
に、（００２）面（ｃ軸）、（１００）面（ａ軸）と
（（１０１）面）に配向に対応するピークがほぼ同じで
あり、その以外、例えば（１０２）面、（１１０）面の
配向に対応するピークも現れている。
【００２９】図２では基板温度摂氏４５０度で成膜した
酸化亜鉛薄膜のＸ線回折結果を示す。図から判るよう
に、（００２）面（ｃ軸）配向に対応するピークが際だ
って鋭く立っているのに対して、ｃ軸以外、例えば
（（１００）面）、（（１０１）面）の配向に対応する
ピークが非常に小さく、ほとんど弁別できなくなってい
る。このときのｃ軸：ｃ軸以外の配向性の比は約２０
０：１であった。
酸化亜鉛薄膜のＸ線回折結果を示す。図から判るよう
に、（００２）面（ｃ軸）配向に対応するピークが際だ
って鋭く立っているのに対して、ｃ軸以外、例えば
（（１００）面）、（（１０１）面）の配向に対応する
ピークが非常に小さく、ほとんど弁別できなくなってい
る。このときのｃ軸：ｃ軸以外の配向性の比は約２０
０：１であった。
【００３０】図３では基板温度摂氏４７５度で成膜した
酸化亜鉛薄膜のＸ線回折結果を示す。図から判るよう
に、（１０１）面（配向に対応するピークが鋭く立って
いるのに対して、（００２）面（ｃ軸）の配向に対応す
るピークが非常に小さくなっている。
酸化亜鉛薄膜のＸ線回折結果を示す。図から判るよう
に、（１０１）面（配向に対応するピークが鋭く立って
いるのに対して、（００２）面（ｃ軸）の配向に対応す
るピークが非常に小さくなっている。
【００３１】本実施の形態において、透明導電性材料層
の形成にＭＯ−ＣＶＤ法を使用したのは、多結晶におけ
る結晶粒同志の界面を緊密にできること、亜鉛の有機化
合物を載せた原料シリンダーの温度と基板温度の調整に
よって結晶配向軸を選択できること、ドープ材料を載せ
た原料シリンダーの温度調整によってドープ量を制御で
きることにより抵抗値を下げるためである。しかしなが
ら、製法としては、これに限るものではなく、ＭＯ−Ｃ
ＶＤ法以外ではスパッタリング法、ＭＢＥ法、プラズマ
ＣＶＤ法、ＥＣＲ−ＣＶＤ法等で、結晶配向軸の選択と
ドープ量の制御ができ、本実施の形態の条件を満すこと
が可能であれば、その方法を利用しても良い。
の形成にＭＯ−ＣＶＤ法を使用したのは、多結晶におけ
る結晶粒同志の界面を緊密にできること、亜鉛の有機化
合物を載せた原料シリンダーの温度と基板温度の調整に
よって結晶配向軸を選択できること、ドープ材料を載せ
た原料シリンダーの温度調整によってドープ量を制御で
きることにより抵抗値を下げるためである。しかしなが
ら、製法としては、これに限るものではなく、ＭＯ−Ｃ
ＶＤ法以外ではスパッタリング法、ＭＢＥ法、プラズマ
ＣＶＤ法、ＥＣＲ−ＣＶＤ法等で、結晶配向軸の選択と
ドープ量の制御ができ、本実施の形態の条件を満すこと
が可能であれば、その方法を利用しても良い。
【００３２】
【実施例】実施例１ （実験方法） 作成条件は、基板温度を摂氏４５０度、
Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2シリンダー温度を摂氏１０５度、Ａ
ｌ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）3シリンダー温度を摂氏１００度〜１１
５度、予備加熱部温度を摂氏１３５度〜１５５度にし
た。両シリンダーの窒素キャリアガス流量および酸素ガ
ス流量は、４００ｃｃ／ｍｉｎとした。また、酸素の供
給材料である酸素ガスは、Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2との気相
反応を避けるために、基板付近まで分離して導入され
た。作成した酸化亜鉛薄膜の結晶配向、膜厚、導電率と
透過率は、それぞれＸ線回折装置、自動エリプソメー
タ、ホール測定装置と自動分光光度計で評価を行なっ
た。
Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2シリンダー温度を摂氏１０５度、Ａ
ｌ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）3シリンダー温度を摂氏１００度〜１１
５度、予備加熱部温度を摂氏１３５度〜１５５度にし
た。両シリンダーの窒素キャリアガス流量および酸素ガ
ス流量は、４００ｃｃ／ｍｉｎとした。また、酸素の供
給材料である酸素ガスは、Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2との気相
反応を避けるために、基板付近まで分離して導入され
た。作成した酸化亜鉛薄膜の結晶配向、膜厚、導電率と
透過率は、それぞれＸ線回折装置、自動エリプソメー
タ、ホール測定装置と自動分光光度計で評価を行なっ
た。
【００３３】（実験結果） 図４に、作成した酸化亜鉛
透明導電膜のＸ線回折結果を示す。これを見て判るよう
に、薄膜結晶の配向はｃ軸（（００２）面）に対応する
ピークが際だって鋭く立っている。このときのｃ軸：ｃ
軸以外の配向性の比が１３０：１であった。アルミニウ
ムドープによって、酸化亜鉛薄膜の結晶性に多少影響が
あるが、酸化亜鉛薄膜の透明性と導電性に大きな影響は
なかった。本出願の請求項にあるｃ軸配向を主とする８
０％以上の透過率を持つ酸化亜鉛膜を製膜できることが
確認された。
透明導電膜のＸ線回折結果を示す。これを見て判るよう
に、薄膜結晶の配向はｃ軸（（００２）面）に対応する
ピークが際だって鋭く立っている。このときのｃ軸：ｃ
軸以外の配向性の比が１３０：１であった。アルミニウ
ムドープによって、酸化亜鉛薄膜の結晶性に多少影響が
あるが、酸化亜鉛薄膜の透明性と導電性に大きな影響は
なかった。本出願の請求項にあるｃ軸配向を主とする８
０％以上の透過率を持つ酸化亜鉛膜を製膜できることが
確認された。
【００３４】また、図５に予備加熱部の温度変化と抵抗
率の関係を示す。これらの試料は全てＡｌ（Ｃ5Ｈ
7Ｏ2）3シリンダー温度摂氏１０５度で作成された。比
較としてＡｌを添加しない（ｎｏｎ−ｄｏｐｉｎｇ）試
料の結果も示した。Ａｌを添加した試料はｎｏｎ−ｄｏ
ｐｉｎｇ試料の抵抗率に比べて１桁以上の抵抗率の減少
を示している。抵抗率は、予備加熱温度を上昇させるに
従って徐々に減少し、予備加熱温度摂氏１４５度で最小
値６×１０-3（Ω・ｃｍ）を示した後に、急峻に増加す
る傾向をとっている。予備加熱で、Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2
原料の分解が促進されていることが確認されており、Ａ
ｌ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）3原料でも同様な効果により酸化亜鉛薄
膜への不純物の添加効果が変化しているものと考えられ
る。
率の関係を示す。これらの試料は全てＡｌ（Ｃ5Ｈ
7Ｏ2）3シリンダー温度摂氏１０５度で作成された。比
較としてＡｌを添加しない（ｎｏｎ−ｄｏｐｉｎｇ）試
料の結果も示した。Ａｌを添加した試料はｎｏｎ−ｄｏ
ｐｉｎｇ試料の抵抗率に比べて１桁以上の抵抗率の減少
を示している。抵抗率は、予備加熱温度を上昇させるに
従って徐々に減少し、予備加熱温度摂氏１４５度で最小
値６×１０-3（Ω・ｃｍ）を示した後に、急峻に増加す
る傾向をとっている。予備加熱で、Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2
原料の分解が促進されていることが確認されており、Ａ
ｌ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）3原料でも同様な効果により酸化亜鉛薄
膜への不純物の添加効果が変化しているものと考えられ
る。
【００３５】実施例２ （実験方法） 作成条件は、基板温度を摂氏４５０度、
Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2シリンダー温度を摂氏１０５度、Ｇ
ａ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2シリンダー温度を摂氏１００度〜１１
５度、予備加熱部温度を摂氏１３５度〜１５５度とし
た。両シリンダーの窒素キャリアガス流量および酸素ガ
ス流量は、４００ｃｃ／ｍｉｎとした。また、実施例１
と同じように、酸素の供給材料である酸素ガスは、Ｚｎ
（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2との気相反応を避けるために、基板付近
まで分離して導入された。作成した酸化亜鉛薄膜の結晶
配向、膜厚、導電率と透過率は、それぞれＸ線回折装
置、自動エリプソメータ、ホール測定装置と自動分光光
度計で評価を行なった。
Ｚｎ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2シリンダー温度を摂氏１０５度、Ｇ
ａ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2シリンダー温度を摂氏１００度〜１１
５度、予備加熱部温度を摂氏１３５度〜１５５度とし
た。両シリンダーの窒素キャリアガス流量および酸素ガ
ス流量は、４００ｃｃ／ｍｉｎとした。また、実施例１
と同じように、酸素の供給材料である酸素ガスは、Ｚｎ
（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2との気相反応を避けるために、基板付近
まで分離して導入された。作成した酸化亜鉛薄膜の結晶
配向、膜厚、導電率と透過率は、それぞれＸ線回折装
置、自動エリプソメータ、ホール測定装置と自動分光光
度計で評価を行なった。
【００３６】（実験結果） 図６に、作成した酸化亜鉛
透明導電膜のＸ線回折結果を示す。これを見て判る様
に、薄膜結晶の配向はｃ軸（（００２）面）に対応する
ピークが際だって鋭く立っている。このときのｃ軸：ｃ
軸以外の配向性の比は１２０：１であった。ガリウムド
ープによって、酸化亜鉛薄膜の結晶性に多少影響がある
が、酸化亜鉛薄膜の透明性と導電性に大きな影響はなか
った。本出願の請求項にある、ｃ軸配向を主とする８０
％以上の透過率を持つ酸化亜鉛膜が製膜できることが確
認された。また、図７では予備加熱部の温度変化と抵抗
率の関係を示す。これらの試料は全てＧａ（Ｃ5Ｈ
7Ｏ2）2シリンダー温度摂氏１１０度で作成された。比
較としてＡｌを添加した試料の結果も示した。抵抗率
は、予備加熱温度を上昇させるに従って徐々に減少し、
予備加熱温度摂氏１１０度で最小値２×１０ -3（Ω・ｃ
ｍ）を示した後に、また増加する傾向を示す。これは、
Ａｌ添加時と同じ原因により酸化亜鉛薄膜への不純物の
添加効果が変化しているものと考えられる。
透明導電膜のＸ線回折結果を示す。これを見て判る様
に、薄膜結晶の配向はｃ軸（（００２）面）に対応する
ピークが際だって鋭く立っている。このときのｃ軸：ｃ
軸以外の配向性の比は１２０：１であった。ガリウムド
ープによって、酸化亜鉛薄膜の結晶性に多少影響がある
が、酸化亜鉛薄膜の透明性と導電性に大きな影響はなか
った。本出願の請求項にある、ｃ軸配向を主とする８０
％以上の透過率を持つ酸化亜鉛膜が製膜できることが確
認された。また、図７では予備加熱部の温度変化と抵抗
率の関係を示す。これらの試料は全てＧａ（Ｃ5Ｈ
7Ｏ2）2シリンダー温度摂氏１１０度で作成された。比
較としてＡｌを添加した試料の結果も示した。抵抗率
は、予備加熱温度を上昇させるに従って徐々に減少し、
予備加熱温度摂氏１１０度で最小値２×１０ -3（Ω・ｃ
ｍ）を示した後に、また増加する傾向を示す。これは、
Ａｌ添加時と同じ原因により酸化亜鉛薄膜への不純物の
添加効果が変化しているものと考えられる。
【００３７】
【発明の効果】ＩＴＯ薄膜は導電率が高く、一般的に使
われているが、その原材料であるインジウムの自然界に
存在する量は少ないので、枯渇の恐れがある。これに対
し、酸化亜鉛は亜鉛華として古来より白色顔料、触媒と
して用いられて来た材料で、その構成成分である亜鉛原
料は自然界で豊富にあり、また、酸化亜鉛は酸化物であ
るため環境汚染の心配はほとんど無く、その安全性がす
でに確立している。本発明において、安価でかつ環境に
優しい酸化亜鉛（ＺｎＯ）透明導電膜を作成できたの
で、ＩＴＯの代替材料として有望であると考える。
われているが、その原材料であるインジウムの自然界に
存在する量は少ないので、枯渇の恐れがある。これに対
し、酸化亜鉛は亜鉛華として古来より白色顔料、触媒と
して用いられて来た材料で、その構成成分である亜鉛原
料は自然界で豊富にあり、また、酸化亜鉛は酸化物であ
るため環境汚染の心配はほとんど無く、その安全性がす
でに確立している。本発明において、安価でかつ環境に
優しい酸化亜鉛（ＺｎＯ）透明導電膜を作成できたの
で、ＩＴＯの代替材料として有望であると考える。
【００３８】請求項１記載の発明は、一般的に、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）透明導電膜を作るとき、結晶の配向性を特
に制御していないため、ある程度導電率が高くても、Ｉ
ＴＯ透明導電膜の代替材料になるような性能を持たせ得
なかったが、酸化亜鉛薄膜のｃ軸：ａ軸の配向性の比が
１００：１以上であり、且つ、アルミニウム、ガリウ
ム、ホウ素などIII族及びVII族化合物のうち少なくとも
１種類ドーピングされたものであるので、薄膜の厚さ方
向の導電率を上げ、導電性及び光の透過性に優れた透明
導電膜を提供することができるという効果を有する。
鉛（ＺｎＯ）透明導電膜を作るとき、結晶の配向性を特
に制御していないため、ある程度導電率が高くても、Ｉ
ＴＯ透明導電膜の代替材料になるような性能を持たせ得
なかったが、酸化亜鉛薄膜のｃ軸：ａ軸の配向性の比が
１００：１以上であり、且つ、アルミニウム、ガリウ
ム、ホウ素などIII族及びVII族化合物のうち少なくとも
１種類ドーピングされたものであるので、薄膜の厚さ方
向の導電率を上げ、導電性及び光の透過性に優れた透明
導電膜を提供することができるという効果を有する。
【００３９】請求項２記載の発明は、酸化亜鉛薄膜のｃ
軸：ｃ軸以外の軸に配向性の比が１００：１以上であ
り、且つ、アルミニウム、ガリウム、ホウ素などIII族
及びVII族化合物のうち少なくとも１種類ドーピングさ
れたものであるので、薄膜の導電率を上げ、導電性及び
光の透過性に優れた酸化亜鉛透明導電膜を提供できると
いう効果を有する。
軸：ｃ軸以外の軸に配向性の比が１００：１以上であ
り、且つ、アルミニウム、ガリウム、ホウ素などIII族
及びVII族化合物のうち少なくとも１種類ドーピングさ
れたものであるので、薄膜の導電率を上げ、導電性及び
光の透過性に優れた酸化亜鉛透明導電膜を提供できると
いう効果を有する。
【００４０】請求項３記載の発明は、請求項１記載の透
明導電膜において、ドーピングの原料として、アルミニ
ウム、ガリウム、ホウ素などIII族及びVII族化合物の有
機金属を少なくとも一種類使用したので、さらに、薄膜
の導電率を上げ、導電性及び光の透過性に優れた酸化亜
鉛透明導電膜を提供できるという効果を有する。
明導電膜において、ドーピングの原料として、アルミニ
ウム、ガリウム、ホウ素などIII族及びVII族化合物の有
機金属を少なくとも一種類使用したので、さらに、薄膜
の導電率を上げ、導電性及び光の透過性に優れた酸化亜
鉛透明導電膜を提供できるという効果を有する。
【００４１】一般的に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）透明導電膜
はスパッタリング法、ゾル−ゲル法などで作製できる
が、スパッタリングでは大面積成膜に適切ではなく、膜
の厚さの制御方法に問題があり、作られた酸化亜鉛透明
導電膜の電気伝導性はＩＴＯより悪く、ＩＴＯ透明導電
膜の代替となり得ず、ゾル−ゲル法は生産性が低く、し
かも作成した薄膜の低抵抗化に限界があるが、請求項４
記載の発明は、請求項１記載の透明導電膜において、ド
ーピングの原料としてアルミニウム、ガリウム、ホウ素
などIII族及びVII族化合物の有機金属を少なくとも一種
類使用し、且つ、該有機物はアセチルアセトンであり、
ＭＯ−ＣＶＤ法で成膜されたことを特徴とするので、亜
鉛の有機化合物を載せた原料シリンダーの温度と基板温
度の調整によって結晶配向軸を選択でき、ドープ材料を
載せた原料シリンダーの温度調整によってドープ量を制
御できるため、高品質、高配向性の酸化亜鉛薄膜を作成
できることによって、導電性及び光の透過性に優れた酸
化亜鉛透明導電膜を提供できるという効果を有する。
はスパッタリング法、ゾル−ゲル法などで作製できる
が、スパッタリングでは大面積成膜に適切ではなく、膜
の厚さの制御方法に問題があり、作られた酸化亜鉛透明
導電膜の電気伝導性はＩＴＯより悪く、ＩＴＯ透明導電
膜の代替となり得ず、ゾル−ゲル法は生産性が低く、し
かも作成した薄膜の低抵抗化に限界があるが、請求項４
記載の発明は、請求項１記載の透明導電膜において、ド
ーピングの原料としてアルミニウム、ガリウム、ホウ素
などIII族及びVII族化合物の有機金属を少なくとも一種
類使用し、且つ、該有機物はアセチルアセトンであり、
ＭＯ−ＣＶＤ法で成膜されたことを特徴とするので、亜
鉛の有機化合物を載せた原料シリンダーの温度と基板温
度の調整によって結晶配向軸を選択でき、ドープ材料を
載せた原料シリンダーの温度調整によってドープ量を制
御できるため、高品質、高配向性の酸化亜鉛薄膜を作成
できることによって、導電性及び光の透過性に優れた酸
化亜鉛透明導電膜を提供できるという効果を有する。
【００４２】通常、酸化亜鉛薄膜の作成するとき、Ｚｎ
（ＣＨ3）2やＺｎ（Ｃ2Ｈ5）2原料を用いられている
が、この原料は酸化ガスである酸素が気相中で激しく反
応し、プロセス制御が非常に難しいことが指摘されてお
り、また、原料が高価であると言う問題点も有るが、請
求項５記載の発明は、請求項１、２、３又は４記載の透
明導電膜において、抵抗値は、１０-3Ω・ｃｍ以下とな
るようにドープ量を調整したので、ＩＴＯ透明導電膜の
代替材料として好適であるという効果を有する。
（ＣＨ3）2やＺｎ（Ｃ2Ｈ5）2原料を用いられている
が、この原料は酸化ガスである酸素が気相中で激しく反
応し、プロセス制御が非常に難しいことが指摘されてお
り、また、原料が高価であると言う問題点も有るが、請
求項５記載の発明は、請求項１、２、３又は４記載の透
明導電膜において、抵抗値は、１０-3Ω・ｃｍ以下とな
るようにドープ量を調整したので、ＩＴＯ透明導電膜の
代替材料として好適であるという効果を有する。
【００４３】請求項６記載の発明は、請求項１、２、
３、４又は５記載の透明導電膜において、可視光の透過
率が８０％以上であるので、ＩＴＯ透明導電膜の代替材
料として好適であるという効果を有する。
３、４又は５記載の透明導電膜において、可視光の透過
率が８０％以上であるので、ＩＴＯ透明導電膜の代替材
料として好適であるという効果を有する。
【図１】基板温度摂氏４２５度で成膜した酸化亜鉛薄膜
のＸ線回折結果を示すグラフである。
のＸ線回折結果を示すグラフである。
【図２】基板温度摂氏４５０度で成膜した酸化亜鉛薄膜
のＸ線回折結果を示すグラフである。
のＸ線回折結果を示すグラフである。
【図３】基板温度摂氏４７５度で成膜した酸化亜鉛薄膜
のＸ線回折結果を示すグラフである。
のＸ線回折結果を示すグラフである。
【図４】Ａｌをドープした酸化亜鉛透明導電膜のＸ線回
折結果を示すグラフである。
折結果を示すグラフである。
【図５】Ａｌドープ酸化亜鉛透明導電膜成膜時の予備加
熱部の温度と抵抗率の関係を示すグラフである。
熱部の温度と抵抗率の関係を示すグラフである。
【図６】Ｇａをドープした酸化亜鉛透明導電膜のＸ線回
折結果を示すグラフである。
折結果を示すグラフである。
【図７】予備加熱部の温度変化と抵抗率の関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽賀 浩一 宮城県柴田郡柴田町松ヶ越１丁目５番地３ Ｆターム(参考） 2H092 HA03 HA15 HA22 KA18 KA20 MA07 MA27 NA25 NA28 4K030 AA11 BA21 BA42 BB01 JA06 LA04 LA16 5F051 CB12 FA02 FA08 5G301 CA02 CA12 CA27 CA30 CD03 CE01 5G307 FA01 FB01 FC09 FC10
Claims (6)
- 【請求項１】 酸化亜鉛薄膜のｃ軸：ａ軸の配向性の比
が１００：１以上であり、且つ、アルミニウム、ガリウ
ム、ホウ素などIII族及びVII族化合物のうち少なくとも
１種類ドーピングされたものであることを特徴とする透
明導電膜。 - 【請求項２】 酸化亜鉛薄膜のｃ軸：ｃ軸以外の軸に配
向性の比が１００：１以上であり、且つ、アルミニウ
ム、ガリウム、ホウ素などIII族及びVII族化合物のうち
少なくとも１種類ドーピングされたものであることを特
徴とする透明導電膜。 - 【請求項３】 ドーピングの原料として、アルミニウ
ム、ガリウム、ホウ素などIII族及びVII族化合物の有機
金属を少なくとも一種類使用したことを特徴とする請求
項１記載の透明導電膜。 - 【請求項４】 ドーピングの原料としてアルミニウム、
ガリウム、ホウ素などIII族及びVII族化合物の有機金属
を少なくとも一種類使用し、且つ、該有機物はアセチル
アセトンであり、ＭＯ−ＣＶＤ法で成膜されたことを特
徴とする請求項１記載の透明導電膜。 - 【請求項５】 抵抗値は、１０-3Ω・ｃｍ以下となるよ
うにドープ量を調整したことを特徴とする請求項１、
２、３又は４記載の透明導電膜。 - 【請求項６】 可視光の透過率が８０％以上であること
を特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の透明導
電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083015A JP2000276943A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11083015A JP2000276943A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000276943A true JP2000276943A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13790431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11083015A Pending JP2000276943A (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000276943A (ja) |
Cited By (14)
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| CN100353464C (zh) * | 2006-03-27 | 2007-12-05 | 山东大学 | 掺钼的氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 |
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| US8859104B2 (en) | 2008-02-28 | 2014-10-14 | Isis Innovation Limited | Transparent conducting oxides |
| US9236157B2 (en) | 2009-09-03 | 2016-01-12 | Isis Innovation Limited | Transparent electrically conducting oxides |
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| CN117712261A (zh) * | 2024-02-02 | 2024-03-15 | 江西兆驰半导体有限公司 | Led及其制备方法 |
-
1999
- 1999-03-26 JP JP11083015A patent/JP2000276943A/ja active Pending
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