JP2000275168A - 劣化度測定システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 正確な劣化度を計測することができるように
した劣化度測定システムを提供する。 【解決手段】 電動機の絶縁樹脂表面上に照射した反射
光１２の反射光量を、反射光量計測開始時間制限手段２
２で光源６，１４の点灯後に光量が安定するまでの所定
時間を計時した後に光量測定部８で測定し、この反射光
量に基づいて劣化度演算部１で劣化度を算出する際に、
判定手段で予め記憶した相関関係と実測の反射光量から
絶縁樹脂の表面が規則的に凹凸面が表れる巻き線表面で
あるか否かを判定し、判定手段が規則的に凹凸面が表れ
る巻き線表面であると判定したときに劣化度を算出する
ようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電動機等に使用さ
れている絶縁材料等の被測定物の劣化度を測定する劣化
度測定システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の劣化度測定システムとして、特開
平８−１５１３１号公報に記載された電動機絶縁樹脂劣
化度測定システムが知られており、このブロック構成図
を図１０に示している。波長が相異なる二種の単色光の
光源６，１４を結合器２１で照射用光ファイバ９に導
き、反射光測定部１０で電動機の絶縁樹脂１１の表面に
二種の波長の照射光を照射して、絶縁樹脂１１の表面か
らの反射光１２を受光用光ファイバ１３を用いて光量測
定部８に導き反射光量を計測する。劣化度演算部１で
は、光量測定部８の出力から各波長の反射吸光度Ａλを
数式（１）で算出した後、 Ａλ＝−ｌｏｇ（Ｒλ／１００） （１） 波長λ（ｎｍ）における被測定物の反射率をＲλ（％）
として各波長間の反射吸光度差ΔＡλを数式（２）で演
算し、 ΔＡλ＝Ａλ１−Ａλ２（但し、λ１＜λ２） （２） その結果を表示手段２３に表示すると共に記憶手段２４
に記憶する。さらに、劣化度演算部１で算出した反射吸
光度差ΔＡλと、被測定物の劣化度と波長間の反射吸光
度差との関係を予め記憶させた関数発生部１５の出力と
を比較演算して劣化度を判定したり、あるいは反射吸光
度Ａλを算出した後、各波長間の反射吸光度比ΔＡλ’
を数式（３）で演算し、 ΔＡλ’＝Ａλ１／Ａλ２（但し、λ１＜λ２） （３） 図４に示した光反射吸光度比と劣化度の関係を予め記憶
させた関数発生部１５からの出力とを比較して劣化度を
判定していた。

【０００３】また、特開平８−２８５７８７号公報に記
載された劣化度測定システムでは、電動機巻き線の表面
に規則的に発生する凹凸による影響を低減するため、図
５に示した光ファイバの投受光範囲の斜視図のように、
照射用光ファイバ９および受光用光ファイバ１３の照射
光範囲９ａおよび受光範囲１３ａの重なった投受光範囲
１２ａの直径Ｄを、電動機巻き線２０の表面１１に形成
された凹凸の周期Ｐの整数倍の大きさに設定していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
劣化度測定システムは、上述のように電動機巻き線表面
に光源６，１４から二種の単色光を照射し、その反射光
量を計測して行なうが、電動機巻き線の表面は電動機内
部に位置していて、その表面状態を目視で確認すること
は困難であり、巻き線の表面が図５に示したように凹凸
が規則的に発生している場合と、図６や図７に示すよう
に巻き線の間隔が広がった状態で巻かれてその表面に深
い溝が形成される場合とがあり、これらの相違を目視確
認することができない。後者のように深い溝のある巻き
線表面に照射したときの反射光量は、図５に示すような
規則的な凹凸面に光を照射した場合と比較して小さくな
り、光量測定部８の出力から劣化度演算部１で算出する
各波長における反射吸光度Ａλも小さい値となり、反射
吸光度差ΔＡλは絶縁樹脂の劣化度に関係なく零に近い
値となってしまい、表面に深い溝のある巻き線では正し
い劣化度の計測ができなくなってしまう。また、反射吸
光度比ΔＡλ’も絶縁樹脂の劣化度に関係なく１に近い
値となるため、巻き線の表面を目視確認できない電動機
に対して測定を行なうと、光を照射した部分の形状が規
則的な凹凸面を持つ巻き線表面であるか、深い溝のある
不規則な表面形状を持つ巻き線表面であるかの判断がで
きないため正確な劣化度を計測することができなかっ
た。

【０００５】また、光源５，１４に発光ダイオードを使
用した場合、発光ダイオードは、図８の特性図に示すよ
うに点灯初期の光量が時間経過とともに変化して一定時
間経過後に光量が安定する。同様に光源５，１４にレー
ザーダイオードを使用した場合、レーザーダイオード
は、図９の特性図に示すように点灯初期の光量が時間経
過とともに変化し、一定時間経過後に光量が安定する。
従って、光源５，１４の点灯後の時間経過を規制もしく
は制御しないで測定を行なうと、正確な劣化度を計測す
ることができなかった。

【０００６】本発明の目的は、反射光量の計測結果から
正確な劣化度を計測することができるようにした劣化度
測定システムを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、波長が異なる少なくとも２つの光源から単
色光を照射用光ファイバで導いて被測定物表面に照射
し、この被測定物表面からの反射光を受光用光ファイバ
を用いて光量測定部に導き、この光量測定部で測定した
反射光量を用いて劣化度演算部で上記被測定物の劣化度
を演算する劣化度測定システムにおいて、上記光源の点
灯後に光量が安定するまでの所定時間を計時すると共
に、その時間経過後に上記劣化度演算部での劣化度の演
算を指示する反射光量計測開始時間制限手段を設けたこ
とを特徴とする。

【０００８】また本発明は上記目的を達成するために、
波長が異なる少なくとも２つの光源から単色光を照射用
光ファイバで導いて被測定物表面に照射し、この被測定
物表面からの反射光を受光用光ファイバを用いて光量測
定部に導き、この光量測定部で測定した反射光量を用い
て劣化度演算部で上記被測定物の劣化度を演算する劣化
度測定システムにおいて、予め記憶した相関関係と実測
の反射光量に基づいて算出した結果を比較して、上記被
測定物の表面が規則的に凹凸面が表れる巻き線表面であ
るか否かを判定する判定手段を有し、この判定手段が上
記被測定物の表面が規則的に凹凸面が表れる巻き線表面
であると判定したときに上記劣化度演算部は劣化度を演
算するようにしたことを特徴とする。

【０００９】本発明の劣化度測定システムは、上述した
反射光量を測定するときに、点灯した光源の出力光量が
安定する時間を反射光量計測開始時間制限手段で計時し
た後、光量測定部での反射光量の計測を行なうようにし
たため、点灯した直後の光源の光量が不安定時に計測す
ることがないため正確な劣化度を得ることができる。

【００１０】また本発明の劣化度測定システムは、上述
したように判定手段によって反射光量を測定した被測定
物の表面が規則的に凹凸面が表れる巻き線面であるか否
かを判定し、被測定物の表面が規則的に凹凸面が表れる
巻き線表面であると判定手段が判定したとき、劣化度演
算部で劣化度を算出するようにしたため、巻き線の間隔
が広がった状態で巻かれてその表面に深い溝が形成され
る場合と区別して測定を行なって、正確な劣化度を得る
ことができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
によって説明する。図１は、本発明の一実施の形態によ
る劣化度測定システムを示すブロック構成図である。波
長が相異なる二種の単色光の光源６，１４は結合器２１
を介して照射用光ファイバ９に接続され、反射光測定部
１０には全反射光測定用白板３０が配置され、その表面
に照射された二種の波長の照射光は全反射光測定用白板
３０の表面からの反射光１２を受光用光ファイバ１３で
光量測定部８に導かれる。劣化度演算部１には、結果を
表示および記憶する表示手段２３および記憶手段２４の
他に、反射光量計測開始時間制限手段２２が設けられ、
この反射光量計測開始時間制限手段２２によって反射光
量の計測を開始する時間が制御されている。また劣化度
演算部１には、被測定物の劣化度と波長間の反射吸光度
差との関係、あるいは劣化度と反射吸光度比の関係を予
め記憶させた関数発生部１５が接続されると共に、測定
の手順に沿ってピーク波長λ１の単色光を出力する光源
６と、ピーク波長λ１とは異なるピーク波長λ２の単色
光を出力する光源１４に点灯命令を送信するように接続
されている。

【００１２】次に、図１１に示したフローチャートを用
いて本発明の一実施の形態による劣化度測定システムの
測定手順を説明する。絶縁劣化度の測定を始めるに当た
り、まず最初にステップＳ１で、反射光測定部１０は図
１３の斜視図に示すように外部からの迷光を完全に遮断
した状態にして機器のゼロ調整を実施し、その後にステ
ップＳ２からステップＳ１０までのレファレンス光量の
測定を行なう。

【００１３】つまり、ステップＳ２で図１に示すように
反射光測定部１０に全反射光測定用白板３０を取り付け
た後、ステップＳ３で光源６を点灯して光源１４を消灯
した状態にし、光源６から発生したピーク波長λ１の単
色光を照射する。この照射光は結合器２１を経て照射用
光ファイバ９を伝送して反射光測定部１０内で全反射光
測定用白板３０の表面に照射され、全反射光測定用白板
３０の表面からの反射光１２は、受光用光ファイバ１３
で受けて光量測定部８に導かれる。この光量測定部８
は、ステップＳ４で反射光量計測開始時間制限手段２２
によって光源６の出力が安定する所定時間、ここでは６
０秒を計時するまで待機し、この所定時間経過後にステ
ップＳ５で光源６の光量を計測し、後に測定するピーク
波長λ２の光源１４と同一で最大の光量となるように調
整する。このときのレファレンス光量１１は劣化度演算
部１に記憶される。

【００１４】次に、ステップＳ６で光源６を消灯後、ス
テップＳ７でピーク波長λ２の光源１４を点灯すると、
この照射光は結合器２１を経て照射用光ファイバ９を伝
送して反射光測定部１０内で全反射光測定用白板３０の
表面に照射される。全反射光測定用白板３０の表面から
の反射光１２は、受光用光ファイバ１３で受けて光量計
測部８に導かれるが、この光量測定部８はステップＳ８
で反射光量計測開始時間制限手段２２によって光源６の
出力が安定する所定時間、ここでは６０秒を計時するま
で待機する。光量測定部８は、この所定時間を経過した
後にステップＳ９で光源６の光量を計測し、先に測定し
たピーク波長λ１の光源６と同一光量となるように調整
する。このときのレファレンス光量１２は劣化度演算部
１に記憶される。その後ステップＳ１０で、ピーク波長
λ２の光源１４を消灯する。

【００１５】このように実際の絶縁劣化度測定に先立っ
てレファレンス光量の測定を行なうが、反射光量計測開
始時間制限手段２２によって光源６の出力が安定する所
定時間経過後に光源６，１４のレファレンス光量１１，
１２を計測するようにしたため、光源６，１４に発光ダ
イオードやレーザーダイオードを使用し、図８および図
９の特性図に示すように点灯初期の光量が時間経過とと
もに変化して一定時間経過後に光量が安定するものであ
っても、時間によって光量が変化する光源の影響を受け
ないで正確な絶縁劣化度の測定作業に入る状態となる。
その後、ステップＳ１１からステップＳ１９までの絶縁
樹脂反射光量計測を行なう。

【００１６】先ず、ステップＳ１１で図１０に示すよう
に反射光測定部１０を電動機絶縁樹脂等の被測定物に設
置する。ステップＳ１２で光源１４を消灯した状態のま
まピーク波長λ１の光源６を点灯する。光量測定部８
は、ステップＳ１３で反射光量計測開始時間制限手段２
２によって光源６の出力が安定する所定時間、ここでは
６０秒を計時するまで待機し、所定時間経過後にステッ
プＳ１４で、ピーク波長λ１の単色光による被測定物で
の反射光１２の反射光量１１’を計測し、この反射光量
１１’を劣化度演算部１に記憶する。その後のステップ
Ｓ１５で光源６を消灯する。

【００１７】次に、ステップＳ１６で光源６を消灯した
ままピーク波長λ２の光源１４を点灯し、ステップＳ１
７で反射光量計測開始時間制限手段２２によって光源６
の出力が安定する所定時間、ここでは６０秒待機した
後、ステップＳ１４でピーク波長λ２の単色光による被
測定物での反射光１２の反射光量１２’を計測し、この
反射光量１２’を劣化度演算部１に記憶する。その後の
ステップＳ１９で光源１４を消灯する。ここでも、光量
測定部８は、反射光量計測開始時間制限手段２２によっ
て光源６，１４の出力が安定する所定時間経過後に、反
射光量１１’，１２’の測定を行なって劣化度演算部１
に結果を送るため、図８および図９の特性図に示すよう
に点灯初期の光量が時間経過とともに変化して一定時間
経過後に光量が安定するものであっても、時間によって
光量が変化する光源の影響を受けないで正確な測定を行
なうことができる。

【００１８】続いて、ステップＳ２０でレファレンス光
量１１，１２と反射光量１１’，１２’から反射率Ｒλ
１＝（１１’／１１）×１００（％）および反射率Ｒλ
２＝（１２’／１２）×１００（％）を算出してから、
上述した数式（１）に基づいてλ１，λ２の反射吸光度
Ａλ１，Ａλ２の演算を行なう。また、ステップＳ２１
で上述した数式（２）および数式（３）に基づいて反射
吸光度差ΔＡλおよび反射吸光度比ΔＡλ’の演算を行
なう。演算結果は表示手段２３に表示すると共に、記憶
手段２４に記憶する。

【００１９】関数発生部１５には、図４に示したような
絶縁樹脂の劣化度θに対応した反射吸光度比ΔＡλ’の
マスターカーブと、図１２に示したような規則的な凹凸
面を持つ巻き線の表面における反射吸光度Ａλと各波長
間の反射吸光度比ΔＡλ’の相関関係範囲を予め記憶し
ている。ステップＳ２２で、これを劣化度演算部１に出
力して、この記憶された関数値と実測の反射吸光度Ａλ
および反射吸光度比ΔＡλ’を比較する。被測定物が電
動機の絶縁樹脂のように規則的な凹凸を持つ表面である
場合は同図の平面部位範囲に入るので、このときは規則
的な凹凸面を持つ巻き線の表面と判断し、ステップＳ２
３で反射吸光度差比ΔＡλ’と被測定物の劣化度θに対
応した反射吸光度差がマスターカーブから劣化度演算部
１で劣化度として判定し、外部に測定結果として出力す
る。

【００２０】しかし、実測の反射吸光度Ａλ１と反射吸
光度比ΔＡλ’が同図の平面部位範囲をはずれた場合
は、計測した被測定物の表面形状が、深い溝のある不規
則な表面形状を持つ巻き線の表面であるかを判断する。
このとき表示手段２３に再度測定の場所を変更して計測
すべく指示を出力する。

【００２１】この説明から分かるように、関数発生部１
５と劣化度演算部１で被測定物が巻き線の表面であるか
否かを判定する判定手段を構成しており、この判定手段
が巻き線の表面であることを判定した場合に劣化度演算
部１が劣化度を出力するようにしている。このようにし
て、絶縁樹脂の表面が規則的な凹凸を持つ表面であるか
否かの判定を行なうことができ、つまり、光を照射した
部分の形状が規則的な凹凸面を持つ巻き線表面である
か、深き溝のある不規則な表面形状を持つ巻き線表面で
あるかを判別できるので、規則的な凹凸面を持つ巻き線
の表面における測定結果だけを選択し、正しい劣化度の
計測を行なうことができる。この実施の形態では、ピー
ク波長λ１の単色光を出力する光源６と、ピーク波長λ
２の単色光を出力する光源１４の点灯を劣化度演算部１
で制御するようにしたが、これら二種の光源６，１４の
点灯制御は表示による指示に基づいて手動で行なうよう
にすることもできる。

【００２２】図５は、投受光領域１２ａの幅Ｄを、巻き
線２０の太さによる凹凸の周期ピッチＰの整数倍の大き
さを持つようにした光ファイバ端面部の斜視図を示して
いる。電動機における巻き線の表面には、巻き線２０の
太さに近似した凹凸が所定の周期で発生しており、照射
用光ファイバ９を伝送して被測定物１１の表面に照射さ
れる照射領域９ａと、被測定物１１の表面からの反射光
を受光する受光用光ファイバ１３の受光領域１３ａが重
なった投受光領域１２ａの幅Ｄを、巻き線２０の太さに
よる凹凸の周期ピッチＰの整数倍の大きさを持つように
している。そのため、被測定物１１の表面の巻き線２０
の太さに近似した凹凸による劣化度の変動に対しては、
直径Ｄが周期Ｐに近い場合の位置劣化度特性図を示す図
１４のように、常に平均的な反射光量を計測することが
できる。

【００２３】例えば、図５に示した投受光領域１２ａの
幅Ｄを巻き線２０による凹凸の周期ピッチＰが１．４ｍ
ｍの場合、先端径が１．３ｍｍの照射用光ファイバ９と
受光用光ファイバ１３を用い、投光領域９ａと受光領域
１３ａによる投受光領域１２ａの幅Ｄが２．８ｍｍとな
るように被測定物１１の表面までの距離を調整すると、
投受光領域１２ａの幅Ｄを巻き線２０の形状による表面
の凹凸の周期ピッチＰの２倍となる。

【００２４】電動機における巻き線の表面には、巻き線
２０の太さに近似した周期で凹凸が発生しており、この
凹部は風による冷却効果が少ないため凸部と比較して劣
化度が大きくなる現象がみられ、照射用光ファイバ９の
照射光範囲と受光用光ファイバ１３の受光範囲の重なっ
た投受光範囲１２ａの幅Ｄが、巻き線２０による凹凸の
周期Ｐと比較して小さい。このため、直径Ｄが周期Ｐよ
り小さい場合の位置劣化度特性図である図１５に示すよ
うに、測定結果の劣化度θが測定点ごとに大きく変化
し、図１４の幅Ｄが周期Ｐに近い場合の位置劣化度特性
図とは異なる。従って、図１７に示した幅Ｄが周期Ｐよ
り小さい場合の位置劣化度特性実測図のように、測定点
により測定値が大きく変化してしまうため、多数の測定
を行なって劣化度の平均値を算出する必要があった。

【００２５】これに対して図１８は、幅Ｄが周期Ｐの整
数倍の場合の劣化度特性実測図を示しており、平均的な
反射光量を計測することができる。これは、直径Ｄが周
期Ｐより小さい照射用光ファイバ９と受光用光ファイバ
１３を用いた場合の光ファイバ端面部を示す斜視図であ
る図１６と比較することによって一層明確になる。つま
り、直径Ｄが周期Ｐより小さい場合の劣化度特性図は、
図１５に示すようになる。これは、照射用光ファイバ９
を伝送して被測定物１１の表面に照射される照射領域
と、被測定物１１の表面からの反射光を受光する受光用
光ファイバ１３の受光領域が重なった投受光領域１２ａ
の幅Ｄを、巻き線２０の太さによる凹凸の周期ピッチＰ
とは無関係に定めたもので、具体的には周期Ｐが１．４
ｍｍであるのに対し、照射用光ファイバ９の照射光範囲
と受光用光ファイバ１３の受光範囲の重なった投光範囲
１２ａの直径Ｄを１．１ｍｍとなるようにしている。

【００２６】図２は、本発明の他の実施の形態による劣
化度測定システムを示すブロック構成図である。波長の
異なる複数の光源６，１４は、切替部３，４を介してレ
ファレンス光ファイバ７と照射用光ファイバ９に接続さ
れ、レファレンス光ファイバ７は切替部５を介して光量
測定部８に接続され、この光量測定部８は劣化度演算部
１に接続されている。一方、照射用光ファイバ９は反射
光測定部１０内の被測定物１１の表面に導かれており、
その反射光を測定する受光用光ファイバ１３は切替部５
を介して光量測定部８に接続されている。劣化度演算部
１は測定の手順に沿って自動的に切替制御部２に信号を
送信し、切替部３〜５を切替制御する。

【００２７】この実施の形態における各波長に対するレ
ファレンス光量の測定は、先ず、劣化度演算部１は切替
部４，５を図示の実線で示す接続から点線で示す接続に
切り替える。すると光源６から発生したピーク波長λ１
の単色光は、切替部３から切替部４を通り、さらにレフ
ァレンス光ファイバ７から切替部５を通り光量測定部８
に伝達される。光量測定部８では、反射光量計測開始時
間制限手段２２によって光源６の出力が安定する所定時
間、ここでは６０秒を計時するまで待機し、この所定時
間経過後に光源６の光量を計測し、このときのレファレ
ンス光量１１は劣化度演算部１に記憶される。次いで劣
化度演算部１は、切替部３〜５を図示の実線で示す接続
から点線で示す接続に切り替えた後、光源６のピーク波
長λ１とは異なる光源１４のピーク波長λ２の単色光を
用いて同じ操作のレファレンス光量の測定が行なわれ、
劣化度演算部１において光源１４のレファレンス光量１
２が記憶される。その後、被測定物１１である絶縁物表
面の反射光量１１’，１２’の測定を行なうが、このと
き劣化度演算部１は、切替部４および切替部５を図示の
実線で示す接続に切り替えて、先の実施の形態の場合と
同様に行なう。

【００２８】この実施の形態においても、先の実施の形
態の場合と同様に反射光量計測開始時間制限手段２２に
よって光源６，１４の出力が安定する所定時間経過後
に、レファレンス光量１１，１２および反射光量１
１’，１２’の測定を行なうため、図８および図９の特
性図に示すように点灯初期の光量が時間経過とともに変
化して一定時間経過後に光量が安定するものであって
も、時間によって光量が変化する光源の影響を受けない
で正確な絶縁劣化度の測定を行なうことができる。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように本発明の劣化度測定
システムは、反射光量計測開始時間制限手段によって光
源の出力が安定する所定時間経過後に反射光量の測定を
行なうようにしたため、点灯初期の光量が時間経過とと
もに変化して一定時間経過後に光量が安定する光源であ
っても、時間によって光量が変化する光源の影響を受け
ないで正確な劣化度の測定を行なうことができる。

【００３０】また本発明の劣化度測定システムは、記憶
された関数値と実測反射光量に基づいて算出した結果を
比較して、所定の範囲にあるときに劣化度演算部で劣化
度として判定する判定手段を設けたため、光を照射した
部分の形状が規則的な凹凸面を持つ巻き線表面である
か、深い溝のある不規則な表面形状を持つ巻き線表面で
あるかを判別することができ、規則的な凹凸面を持つ巻
き線の表面における測定結果だけを選択して正しい劣化
度の計測を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による劣化度測定システ
ムのブロック構成図である。

【図２】本発明の他の実施の形態による劣化度測定シス
テムのブロック構成図である。

【図３】図１に示した劣化度測定システムの劣化度判定
の反射吸光度差の特性図である。

【図４】図１に示した劣化度測定システムの反射吸光度
比による劣化度特性図である。

【図５】図１に示した劣化度測定システムの光ファイバ
の投受光範囲を示す斜視図である。

【図６】一般的な電動機巻き線の斜視図である。

【図７】一般的な他の電動機巻き線を示す斜視図であ
る。

【図８】発光ダイオードの光量特性図である。

【図９】レーザーダイオードの光量特性図である。

【図１０】従来の劣化度測定システムを示すブロック構
成図である。

【図１１】図１に示した劣化度測定システムの測定手順
を示すフローチャートである。

【図１２】図１に示した劣化度測定システムの反射吸光
度と反射吸光度比の相関関係図である。

【図１３】図１に示した劣化度測定システムの反射光測
定部の斜視図である。

【図１４】図１に示した劣化度測定システムを幅が周期
に近い電動機巻き線に適用した場合の位置劣化度特性図
である。

【図１５】図１に示した劣化度測定システムを幅が周期
より小さい電動機巻き線に適用した場合の位置劣化度特
性図である。

【図１６】幅が周期より小さい光ファイバ端面部の斜視
図である。

【図１７】幅が周期より小さい場合の位置劣化度特性実
測図である。

【図１８】幅が周期の整数倍の場合の位置劣化度特性実
測図である。

【符号の説明】

１ 劣化度演算部 ６ 光源 ８ 光量測定部 ９ 照射用光ファイバ １１ 被測定物 １３ 受光用光ファイバ １４ 光源 ２２ 反射光量計測開始時間制限手段 ３０ 全反射光測定用白板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 己之吉 東京都千代田区神田錦町１丁目６番地 株 式会社日立ビルシステム内 (72)発明者 柏村 吉清 東京都千代田区神田錦町１丁目６番地 株 式会社日立ビルシステム内 Ｆターム(参考） 2G015 AA14 CA21 2G016 BA03 BA04 BE02 2G059 AA05 BB08 BB15 BB20 CC20 EE02 EE11 FF04 GG03 JJ17 JJ22 KK10 LL04 MM05 MM10 MM15 NN05 PP04

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 波長が異なる少なくとも２つの光源から
   単色光を照射用光ファイバで導いて被測定物表面に照射
   し、この被測定物表面からの反射光を受光用光ファイバ
   を用いて光量測定部に導き、この光量測定部で測定した
   反射光量を用いて劣化度演算部で上記被測定物の劣化度
   を演算する劣化度測定システムにおいて、上記光源の点
   灯後に光量が安定するまでの所定時間を計時すると共
   に、その時間経過後に上記劣化度演算部での劣化度の演
   算を指示する反射光量計測開始時間制限手段を設けたこ
   とを特徴とする劣化度測定システム。
2. 【請求項２】 波長が異なる少なくとも２つの光源から
   単色光を照射用光ファイバで導いて被測定物表面に照射
   し、この被測定物表面からの反射光を受光用光ファイバ
   を用いて光量測定部に導き、この光量測定部で測定した
   反射光量を用いて劣化度演算部で上記被測定物の劣化度
   を演算する劣化度測定システムにおいて、予め記憶した
   相関関係と実測の反射光量に基づいて算出した結果を比
   較して、上記被測定物の表面が規則的に凹凸面が表れる
   巻き線表面であるか否かを判定する判定手段を設け、こ
   の判定手段が上記被測定物の表面が規則的に凹凸面が表
   れる巻き線表面であると判定したときに上記劣化度演算
   部は劣化度を演算するようにしたことを特徴とする劣化
   度測定システム。