JP2000269523A - 光電変換装置 - Google Patents
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な構成で受発光素子への電流注入を行う
ことができ、２次元アレイ化が容易な、光電変換素子を
提供する。 【解決手段】 受発光素子と該受発光素子と光ファイバ
ーとの結合を行う結合部とを有する光電変換装置におい
て、受発光素子が導電性基板のアレイ状に設けられた凹
部に保持されている。
ことができ、２次元アレイ化が容易な、光電変換素子を
提供する。 【解決手段】 受発光素子と該受発光素子と光ファイバ
ーとの結合を行う結合部とを有する光電変換装置におい
て、受発光素子が導電性基板のアレイ状に設けられた凹
部に保持されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換装置に関
し、詳しくは、アレイ状に配置された受発光素子と光フ
ァイバーとの光結合を簡易な構成で効率よく行うための
光電変換装置に関する。
し、詳しくは、アレイ状に配置された受発光素子と光フ
ァイバーとの光結合を簡易な構成で効率よく行うための
光電変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光電変換装置では、図９
に示すように、透明樹脂基板４１１に受発光素子単体４
１２とリードフレーム４１３とがを埋め込まれており、
透明樹脂基板４１１の上方にこれに接触するように光フ
ァイバー４１４が配置されている。この装置では、樹脂
中に埋め込まれた受発光素子４１２へ電流注入を行うた
めには、個別に電極端子を引き出すしかなく、電流注入
系が複雑化するという問題があった。
に示すように、透明樹脂基板４１１に受発光素子単体４
１２とリードフレーム４１３とがを埋め込まれており、
透明樹脂基板４１１の上方にこれに接触するように光フ
ァイバー４１４が配置されている。この装置では、樹脂
中に埋め込まれた受発光素子４１２へ電流注入を行うた
めには、個別に電極端子を引き出すしかなく、電流注入
系が複雑化するという問題があった。
【０００３】また、特開平4−21653号公報や特開平5−1
90908号公報には、保持基板に受発光素子単体を保持す
るような構造の光電変換装置が提案されている。この装
置は、より効率的にファイバー側に光を結合させるため
に、受発光素子の周囲を透明ではなく白色の樹脂にして
より集光効率を高めたものであり、受発光素子とファイ
バーとの結合方式については詳細な記載があるが、受発
光素子への電流注入の方法に関しては明確に記載されて
いない。
90908号公報には、保持基板に受発光素子単体を保持す
るような構造の光電変換装置が提案されている。この装
置は、より効率的にファイバー側に光を結合させるため
に、受発光素子の周囲を透明ではなく白色の樹脂にして
より集光効率を高めたものであり、受発光素子とファイ
バーとの結合方式については詳細な記載があるが、受発
光素子への電流注入の方法に関しては明確に記載されて
いない。
【０００４】さらに、特開平8−271765号公報には、２
次元ファイバーリンクへの応用を考慮し、ファイバーと
受発光部との間に半円柱状のレンズ群を持つ2次元構成
が提案されている。このようなアレイ構成では、電流注
入系がさらに複雑化することが予想されるが、受発光素
子への電流注入の方法には言及されていない。
次元ファイバーリンクへの応用を考慮し、ファイバーと
受発光部との間に半円柱状のレンズ群を持つ2次元構成
が提案されている。このようなアレイ構成では、電流注
入系がさらに複雑化することが予想されるが、受発光素
子への電流注入の方法には言及されていない。
【０００５】一方、電流注入系を簡素化するために、例
えば面発光レーザーアレイ等の共通下部電極が設けられ
た集積化素子をそのまま使用することも考えられる。し
かしながら、光ファイバーと受発光素子との結合部に
は、通常安価なプラスチックファイバーが使用されその
ピッチは通常250μｍ程度と大きい。従って、受発光素
子のピッチをプラスチックファイバーのピッチに合せる
とすれば、集積化素子を作製するのに結果として大きな
サイズの基板が必要になり、ロス部分も多くコスト高に
なってしまう。
えば面発光レーザーアレイ等の共通下部電極が設けられ
た集積化素子をそのまま使用することも考えられる。し
かしながら、光ファイバーと受発光素子との結合部に
は、通常安価なプラスチックファイバーが使用されその
ピッチは通常250μｍ程度と大きい。従って、受発光素
子のピッチをプラスチックファイバーのピッチに合せる
とすれば、集積化素子を作製するのに結果として大きな
サイズの基板が必要になり、ロス部分も多くコスト高に
なってしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点に鑑みなされたものであり、本発明の目的
は、簡易な構成で受発光素子への電流注入を行うことが
でき、２次元アレイ化が容易な、光電変換素子を提供す
ることにある。
術の問題点に鑑みなされたものであり、本発明の目的
は、簡易な構成で受発光素子への電流注入を行うことが
でき、２次元アレイ化が容易な、光電変換素子を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討の
結果、下記手段により上記課題が解決されることを見出
した。すなわち、本発明の光電変換装置は、受発光素子
と該受発光素子と光ファイバーとの結合を行う結合部と
を有する光電変換装置において、前記受発光素子が、導
電性基板のアレイ状に設けられた凹部に保持されること
を特徴とする。
結果、下記手段により上記課題が解決されることを見出
した。すなわち、本発明の光電変換装置は、受発光素子
と該受発光素子と光ファイバーとの結合を行う結合部と
を有する光電変換装置において、前記受発光素子が、導
電性基板のアレイ状に設けられた凹部に保持されること
を特徴とする。
【０００８】本発明の光電変換装置においては、前記導
電性基板の裏面に電極を設け、各受発光素子についての
共通電極として使用することが好ましい。また、前記凹
部がテーパ状であることが好ましく、前記受発光素子は
その凹部に半田等の導電性材料により固着されているこ
とが好ましい。さらに、受発光素子を保持する前記凹部
は、異方性エッチングにより形成されることが好まし
い。
電性基板の裏面に電極を設け、各受発光素子についての
共通電極として使用することが好ましい。また、前記凹
部がテーパ状であることが好ましく、前記受発光素子は
その凹部に半田等の導電性材料により固着されているこ
とが好ましい。さらに、受発光素子を保持する前記凹部
は、異方性エッチングにより形成されることが好まし
い。
【０００９】本発明においては、受発光素子を保持する
基板を導電性基板としたことにより、従来、受発光素子
の裏面で取られた接地電位を素子保持基板全面でとるよ
うにすることができ、ここに共通電極を設けることで電
流注入系の構成を簡素化することができる。また、接地
面積も広く、確実に接地を行うことができる。
基板を導電性基板としたことにより、従来、受発光素子
の裏面で取られた接地電位を素子保持基板全面でとるよ
うにすることができ、ここに共通電極を設けることで電
流注入系の構成を簡素化することができる。また、接地
面積も広く、確実に接地を行うことができる。
【００１０】また、導電性基板に深さ方向に狭くなるテ
ーパ状の凹部を設けることで、受発光素子の垂直方向
（Ｚ方向）の位置制御を容易に行うことができ、また、
この凹部に半田を流し込み、受発光素子を側壁から浮か
せた状態で半田との接触面積を大きくして固定すること
により、電流注入効率を高めることができる。
ーパ状の凹部を設けることで、受発光素子の垂直方向
（Ｚ方向）の位置制御を容易に行うことができ、また、
この凹部に半田を流し込み、受発光素子を側壁から浮か
せた状態で半田との接触面積を大きくして固定すること
により、電流注入効率を高めることができる。
【００１１】さらに、導電性基板上に、フォトリソグラ
フィーあるいはスクリーン印刷などの高精度での位置決
めが可能な方法で凹部を形成することで、受発光素子と
光ファイバーとの水平方向（ＸＹ方向）での位置合わせ
の精度を上げることができ、また、凹部側壁の鏡面性が
確保される。
フィーあるいはスクリーン印刷などの高精度での位置決
めが可能な方法で凹部を形成することで、受発光素子と
光ファイバーとの水平方向（ＸＹ方向）での位置合わせ
の精度を上げることができ、また、凹部側壁の鏡面性が
確保される。
【００１２】また、アレイ化した場合にも、装置全体の
コストアップを抑えるため、直接2次元状のレーザーア
レイを使用して全体を作製するのではなく、割高な化合
物半導体の基板の使用量を極力抑制し、単体のレーザー
あるいは1次元状に作ったレーザーを基板の上に並べて
形成し、材料及び加工上からも安価である2次元状の光
電変換装置を提供することができる。
コストアップを抑えるため、直接2次元状のレーザーア
レイを使用して全体を作製するのではなく、割高な化合
物半導体の基板の使用量を極力抑制し、単体のレーザー
あるいは1次元状に作ったレーザーを基板の上に並べて
形成し、材料及び加工上からも安価である2次元状の光
電変換装置を提供することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の光電変換装置について詳細に説明する。図１は、本発
明の第１の実施形態に係る光電変換装置の斜視図であ
り、図２は、図１に示す光電変換装置における発光素子
と光ファイバーの結合部分のＡＡ断面図である。
の光電変換装置について詳細に説明する。図１は、本発
明の第１の実施形態に係る光電変換装置の斜視図であ
り、図２は、図１に示す光電変換装置における発光素子
と光ファイバーの結合部分のＡＡ断面図である。
【００１４】図１及び図２に示すように、本発明の第１
の実施形態に係る光電変換装置は、面発光型半導体レー
ザ素子１０と、面発光型半導体レーザ素子１０を保持す
るためのＳｉ導電性基板１２と、面発光型半導体レーザ
素子１０と光ファイバー１４との結合を行う結合部とし
ての透明マイクロレンズ１６とから構成されている。
の実施形態に係る光電変換装置は、面発光型半導体レー
ザ素子１０と、面発光型半導体レーザ素子１０を保持す
るためのＳｉ導電性基板１２と、面発光型半導体レーザ
素子１０と光ファイバー１４との結合を行う結合部とし
ての透明マイクロレンズ１６とから構成されている。
【００１５】Ｓｉ導電性基板１２には、深さ方向に狭く
なるテーパ状の凹部１８がアレイ状に設けられ、面発光
型半導体レーザ素子１０がこの凹部１８に保持され、半
田２１によりＳｉ導電性基板１２に固着されている。透
明マイクロレンズ１６は、凹部１８の内部を埋め、凹部
１８の開口部を半球状に覆い、かつ光ファイバー１４の
端面と接触する様に設けられている。Ｓｉ導電性基板１
２表面の凹部１８以外の部分はＳｉＯ2からなる絶縁膜
２０で覆われている。絶縁膜２０上の一部には上部電極
２２が設けられ、上部電極２２は面発光型半導体レーザ
素子１０の上側電極１１とワイヤボンディング２４によ
り接続されている。
なるテーパ状の凹部１８がアレイ状に設けられ、面発光
型半導体レーザ素子１０がこの凹部１８に保持され、半
田２１によりＳｉ導電性基板１２に固着されている。透
明マイクロレンズ１６は、凹部１８の内部を埋め、凹部
１８の開口部を半球状に覆い、かつ光ファイバー１４の
端面と接触する様に設けられている。Ｓｉ導電性基板１
２表面の凹部１８以外の部分はＳｉＯ2からなる絶縁膜
２０で覆われている。絶縁膜２０上の一部には上部電極
２２が設けられ、上部電極２２は面発光型半導体レーザ
素子１０の上側電極１１とワイヤボンディング２４によ
り接続されている。
【００１６】この光電変換装置においては、上部電極２
２からワイヤボンディング２４を介して電流が注入さ
れ、凹部１８に保持された面発光型半導体レーザ素子１
０が発光する。この発光光は透明マイクロレンズ１６に
よって光ファイバー１４の端面に集光される。この際、
各面発光型半導体レーザ素子１０はＳｉ導電性基板１２
側から共通電極をとることができるので、各面発光型半
導体レーザ素子１０の電位をＳｉ導電性基板１２全体の
電位と同一にすることができる。また、Ｓｉ導電性基板
１２の加工面は鏡面仕上げとなっているために光源のパ
ワーはロスすることなく反射して光ファイバー１４側へ
送られることになる。さらに、半田の量を定量すること
で、チップの高さ方向の位置決めが正確に行えるように
なり、透明マイクロレンズ１６による光ファイバー１４
との結合を正確に行うことができ、優れた光利用効率を
発揮することができる。
２からワイヤボンディング２４を介して電流が注入さ
れ、凹部１８に保持された面発光型半導体レーザ素子１
０が発光する。この発光光は透明マイクロレンズ１６に
よって光ファイバー１４の端面に集光される。この際、
各面発光型半導体レーザ素子１０はＳｉ導電性基板１２
側から共通電極をとることができるので、各面発光型半
導体レーザ素子１０の電位をＳｉ導電性基板１２全体の
電位と同一にすることができる。また、Ｓｉ導電性基板
１２の加工面は鏡面仕上げとなっているために光源のパ
ワーはロスすることなく反射して光ファイバー１４側へ
送られることになる。さらに、半田の量を定量すること
で、チップの高さ方向の位置決めが正確に行えるように
なり、透明マイクロレンズ１６による光ファイバー１４
との結合を正確に行うことができ、優れた光利用効率を
発揮することができる。
【００１７】次に、本発明の第１の実施形態に係る光電
変換装置の製造工程を、図３〜図６を参照しながら説明
する。
変換装置の製造工程を、図３〜図６を参照しながら説明
する。
【００１８】図３に示すように、高濃度のリンをドープ
した（１００）のＳｉ導電性基板１２を加熱し、基板表
面全面にＳｉＯ2からなる絶縁膜２０を形成する。引き
続いてＳｉ導電性基板１２上に上部電極２２のパターン
を通常のフォトリソグラフィー技術を用いて予め形成し
ておく。
した（１００）のＳｉ導電性基板１２を加熱し、基板表
面全面にＳｉＯ2からなる絶縁膜２０を形成する。引き
続いてＳｉ導電性基板１２上に上部電極２２のパターン
を通常のフォトリソグラフィー技術を用いて予め形成し
ておく。
【００１９】次に、図４に示すように、Ｓｉ導電性基板
１２に、ＳｉＯ2絶縁膜２０をマスクとして、異方性エ
ッチングにより面発光型半導体レーザ素子１０を落とし
込む四角錘状の凹部１８を形成する。エチレンジアミン
・ピロカテコール・水の混合液を循環系にして薬液の成
分を変えないようにしてエッチングを行い、深さ方向に
先が尖った四角錐の凹部１８が得られた。なお、異方性
エッチングでは、表面の正方形の1辺（円ならばその直
径）から深さが決まるので、この深さがＳｉ導電性基板
１２より浅くなるように設定する。
１２に、ＳｉＯ2絶縁膜２０をマスクとして、異方性エ
ッチングにより面発光型半導体レーザ素子１０を落とし
込む四角錘状の凹部１８を形成する。エチレンジアミン
・ピロカテコール・水の混合液を循環系にして薬液の成
分を変えないようにしてエッチングを行い、深さ方向に
先が尖った四角錐の凹部１８が得られた。なお、異方性
エッチングでは、表面の正方形の1辺（円ならばその直
径）から深さが決まるので、この深さがＳｉ導電性基板
１２より浅くなるように設定する。
【００２０】その後、図５に示すように、Ｓｉ導電性基
板１２を加熱しながら一定量の半田２１を凹部１８に流
し込む。流動状態にある半田２１は表面張力によりその
表面積がほぼ一定に保たれている。ここに裏面をＡｕ−
Ｇｅを約１００ｎｍの厚さで塗布してオーミックコンタ
クトをとった面発光型半導体レーザ素子１０を入れる。
面発光型半導体レーザ素子１０は半田２１の量に応じて
決まった高さに浮くような状態で凹部１８中の所定の位
置に保持され、これを冷却することにより固定される。
板１２を加熱しながら一定量の半田２１を凹部１８に流
し込む。流動状態にある半田２１は表面張力によりその
表面積がほぼ一定に保たれている。ここに裏面をＡｕ−
Ｇｅを約１００ｎｍの厚さで塗布してオーミックコンタ
クトをとった面発光型半導体レーザ素子１０を入れる。
面発光型半導体レーザ素子１０は半田２１の量に応じて
決まった高さに浮くような状態で凹部１８中の所定の位
置に保持され、これを冷却することにより固定される。
【００２１】図６に示すように、基板側に共通電極２６
を形成し、面発光型半導体レーザ素子１０の上側電極１
１と上部電極２２とをワイヤボンディング２４により接
続した後、透明樹脂を各凹部１８に入れて固化し、透明
マイクロレンズ１６を形成する。
を形成し、面発光型半導体レーザ素子１０の上側電極１
１と上部電極２２とをワイヤボンディング２４により接
続した後、透明樹脂を各凹部１８に入れて固化し、透明
マイクロレンズ１６を形成する。
【００２２】最後に、光ファイバー１４を、透明マイク
ロレンズ１６に密着させるようにしたまま固定し結合を
完成させることにより、図１及び図２に示す光電変換装
置が得られる。
ロレンズ１６に密着させるようにしたまま固定し結合を
完成させることにより、図１及び図２に示す光電変換装
置が得られる。
【００２３】図７は、本発明の第２の実施形態に係る光
電変換装置の断面図であり、図８は、図７に示す光電変
換装置を上から見た平面図である。
電変換装置の断面図であり、図８は、図７に示す光電変
換装置を上から見た平面図である。
【００２４】本発明の第２の実施形態に係る光電変換装
置は、面発光型半導体レーザ素子を素子単体ではなく、
化合物半導体基板上に作製した複数の面発光型半導体レ
ーザ素子（以下、面発光レーザアレイと称する。）を基
板ごと凹部に固定した以外は、第１の実施形態に係る光
電変換装置と同様であるため、同様の構成部分について
は同一符号を付して説明を省略する。
置は、面発光型半導体レーザ素子を素子単体ではなく、
化合物半導体基板上に作製した複数の面発光型半導体レ
ーザ素子（以下、面発光レーザアレイと称する。）を基
板ごと凹部に固定した以外は、第１の実施形態に係る光
電変換装置と同様であるため、同様の構成部分について
は同一符号を付して説明を省略する。
【００２５】図７及び図８に示すように、面発光レーザ
アレイ３０には、４つの面発光型半導体レーザ素子１０
が長方形の化合物半導体基板３２上に直線状に並ぶよう
に作製されている。Ｓｉ導電性基板１２には、底部に長
方形の平面領域を有し深さ方向に狭くなるテーパ状の凹
部１８が２本平行に設けられ、面発光レーザアレイ３０
がこの凹部１８に保持され、半田２１によりＳｉ導電性
基板１２に固着されている。透明マイクロレンズ１６
は、凹部１８の内部を埋め、凹部１８の開口部をかまぼ
こ状に覆い、かつ光ファイバー１４の端面と接触する様
に設けられている。絶縁膜２０上の一部に設けられた上
部電極２２は面発光レーザアレイ３０上に設けられた４
つの面発光型半導体レーザ素子１０のそれぞれとワイヤ
ボンディング２４により接続されている。
アレイ３０には、４つの面発光型半導体レーザ素子１０
が長方形の化合物半導体基板３２上に直線状に並ぶよう
に作製されている。Ｓｉ導電性基板１２には、底部に長
方形の平面領域を有し深さ方向に狭くなるテーパ状の凹
部１８が２本平行に設けられ、面発光レーザアレイ３０
がこの凹部１８に保持され、半田２１によりＳｉ導電性
基板１２に固着されている。透明マイクロレンズ１６
は、凹部１８の内部を埋め、凹部１８の開口部をかまぼ
こ状に覆い、かつ光ファイバー１４の端面と接触する様
に設けられている。絶縁膜２０上の一部に設けられた上
部電極２２は面発光レーザアレイ３０上に設けられた４
つの面発光型半導体レーザ素子１０のそれぞれとワイヤ
ボンディング２４により接続されている。
【００２６】この光電変換装置においても、第１の実施
形態に係る光電変換装置と同様に、上部電極２２からワ
イヤボンディング２４を介して電流が注入され、凹部１
８に保持された面発光型半導体レーザ素子１０が発光す
る。この発光光は透明マイクロレンズ１６によって光フ
ァイバー１４の端面に集光される。また、各面発光型半
導体レーザ素子１０はＳｉ導電性基板１２側から共通電
極をとることができるので、各面発光型半導体レーザ素
子１０の電位をＳｉ導電性基板１２全体の電位と同一に
することができる。また、この実施形態では、第１の実
施形態よりも集光の性能は悪くなるが、Ｓｉ導電性基板
１２内面のミラー効果により十分な集光性能を得ること
ができる。
形態に係る光電変換装置と同様に、上部電極２２からワ
イヤボンディング２４を介して電流が注入され、凹部１
８に保持された面発光型半導体レーザ素子１０が発光す
る。この発光光は透明マイクロレンズ１６によって光フ
ァイバー１４の端面に集光される。また、各面発光型半
導体レーザ素子１０はＳｉ導電性基板１２側から共通電
極をとることができるので、各面発光型半導体レーザ素
子１０の電位をＳｉ導電性基板１２全体の電位と同一に
することができる。また、この実施形態では、第１の実
施形態よりも集光の性能は悪くなるが、Ｓｉ導電性基板
１２内面のミラー効果により十分な集光性能を得ること
ができる。
【００２７】なお、第２の実施形態では、４つの面発光
型半導体レーザ素子１０を長方形の化合物半導体基板３
２上に直線状（１次元）に並べた面発光レーザアレイの
例を示しているが、面発光型半導体レーザ素子１０は２
次元に配置されていてもよく、また1次元の面発光レー
ザアレイを複数本並べて2次元にしてもよい。
型半導体レーザ素子１０を長方形の化合物半導体基板３
２上に直線状（１次元）に並べた面発光レーザアレイの
例を示しているが、面発光型半導体レーザ素子１０は２
次元に配置されていてもよく、また1次元の面発光レー
ザアレイを複数本並べて2次元にしてもよい。
【００２８】第１及び第２の実施形態では、受発光素子
として面発光型半導体レーザ素子を用いたが、これに限
定されることなく、裏面に共通電極を有するＬＥＤやＬ
Ｄを逆バイアスで使った受光素子、つまり受発光集積化
素子にも適用することができる。
として面発光型半導体レーザ素子を用いたが、これに限
定されることなく、裏面に共通電極を有するＬＥＤやＬ
Ｄを逆バイアスで使った受光素子、つまり受発光集積化
素子にも適用することができる。
【００２９】第１の実施形態では、光ファイバーと光学
素子間の光結合をとるための透明マイクロレンズ１６と
して、特開平5−190908号公報に記載されているよう
に、透明樹脂によるマイクロレンズを一素子ずつ作製
し、また、第２の実施形態では、特開平8−271765号公
報に記載されているように、上部にかまぼこ状の半円柱
型のレンズを作製したが、透明マイクロレンズ１６の形
状はこれに限られず、受発光素子の形態に応じて適宜変
更することができる。たとえば、特開平9−90162号公報
に記載されているような２次元状のマイクロレンズアレ
イを使用することもできる。
素子間の光結合をとるための透明マイクロレンズ１６と
して、特開平5−190908号公報に記載されているよう
に、透明樹脂によるマイクロレンズを一素子ずつ作製
し、また、第２の実施形態では、特開平8−271765号公
報に記載されているように、上部にかまぼこ状の半円柱
型のレンズを作製したが、透明マイクロレンズ１６の形
状はこれに限られず、受発光素子の形態に応じて適宜変
更することができる。たとえば、特開平9−90162号公報
に記載されているような２次元状のマイクロレンズアレ
イを使用することもできる。
【発明の効果】本発明によれば、簡易な構成で受発光素
子への電流注入を行うことができ、２次元アレイ化が容
易な、光電変換素子が提供される。
子への電流注入を行うことができ、２次元アレイ化が容
易な、光電変換素子が提供される。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光電変換装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る光電変換装置に
おける発光素子と光ファイバーの結合部分のＡＡ断面図
である。
おける発光素子と光ファイバーの結合部分のＡＡ断面図
である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る光電変換装置の
製造工程を説明するための概略断面図である。
製造工程を説明するための概略断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る光電変換装置の
製造工程を説明するための概略断面図である。
製造工程を説明するための概略断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る光電変換装置の
製造工程を説明するための概略断面図である。
製造工程を説明するための概略断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る光電変換装置の
製造工程を説明するための概略断面図である。
製造工程を説明するための概略断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る光電変換装置の
断面図である。
断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る光電変換装置の
平面図である。
平面図である。
【図９】従来の光電変換装置の構成を示す概略断面図で
ある。
ある。
１０ 面発光型半導体レーザ素子 １１ 半導体レーザ素子の上側電極 １２ Ｓｉ導電性基板 １４ 光ファイバー １６ 透明マイクロレンズ １８ 凹部 ２０ 絶縁膜 ２１ 半田 ２２ 上部電極 ２４ ワイヤボンディング ２６ 共通電極 ３０ 面発光レーザアレイ ３２ 化合物半導体基板
Claims (5)
- 【請求項１】 受発光素子と該受発光素子と光ファイバ
ーとの結合を行う結合部とを有する光電変換装置におい
て、 前記受発光素子が、導電性基板のアレイ状に設けられた
凹部に保持されることを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】 前記導電性基板は、その裏面に電極が設
けられている請求項１に記載の光電変換装置。 - 【請求項３】 前記凹部がテーパ状である請求項１また
は２に記載の光電変換装置。 - 【請求項４】 前記受発光素子は、導電性材料により凹
部に固着されている請求項１から３までのいずれか１項
に記載の光電変換装置。 - 【請求項５】 前記凹部は、異方性エッチングにより形
成される請求項１から４までのいずれか１項に記載の光
電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11070806A JP2000269523A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11070806A JP2000269523A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269523A true JP2000269523A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13442183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11070806A Pending JP2000269523A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269523A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100360892B1 (ko) * | 2000-12-15 | 2002-11-13 | 엘지전자 주식회사 | 광섬유 정렬소자 및 그 제조방법 |
| JP2003075690A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Matsushita Electric Works Ltd | トランスミッタ及びレシーバ |
| KR100437231B1 (ko) * | 2000-09-21 | 2004-06-23 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 커플링 장치 및 방법 |
| JP2005215220A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 光モジュール |
| KR100984126B1 (ko) | 2009-03-30 | 2010-09-28 | 서울대학교산학협력단 | 발광소자 코팅 방법, 광커플러 및 광커플러 제조 방법 |
-
1999
- 1999-03-16 JP JP11070806A patent/JP2000269523A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2003075690A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Matsushita Electric Works Ltd | トランスミッタ及びレシーバ |
| JP2005215220A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 光モジュール |
| KR100984126B1 (ko) | 2009-03-30 | 2010-09-28 | 서울대학교산학협력단 | 발광소자 코팅 방법, 광커플러 및 광커플러 제조 방법 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060207 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060307 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060501 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070327 |