JPH0588051A - 光モジユール - Google Patents
光モジユールInfo
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- JPH0588051A JPH0588051A JP25224191A JP25224191A JPH0588051A JP H0588051 A JPH0588051 A JP H0588051A JP 25224191 A JP25224191 A JP 25224191A JP 25224191 A JP25224191 A JP 25224191A JP H0588051 A JPH0588051 A JP H0588051A
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- fiber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】組立てが容易で光素子と光ファイバの位置合わ
せが自動的に精密に行われる光モジュールを提供するこ
とを目的とする。 【構成】光半導体素子保持部材12は、半導体ウエハ2
1,22の平滑な表面同志が接合され、そのウエハの表
面から接合面に達する凹部25が素子搭載部として形成
されて、ここに光半導体素子33が搭載されている。こ
の光半導体素子保持部材12と、光ファイバ10を保持
した光ファイバ保持部材11とは、これらを貫通する位
置合わせ部材14により自動的に位置合わせされて結合
されている。電極端子61を保持した電極端子保持部材
13も、位置合わせ部材14によって光半導体素子保持
部材12と位置合わせされて結合され、電極端子61が
光半導体素子33の電極に電気的に接続される。
せが自動的に精密に行われる光モジュールを提供するこ
とを目的とする。 【構成】光半導体素子保持部材12は、半導体ウエハ2
1,22の平滑な表面同志が接合され、そのウエハの表
面から接合面に達する凹部25が素子搭載部として形成
されて、ここに光半導体素子33が搭載されている。こ
の光半導体素子保持部材12と、光ファイバ10を保持
した光ファイバ保持部材11とは、これらを貫通する位
置合わせ部材14により自動的に位置合わせされて結合
されている。電極端子61を保持した電極端子保持部材
13も、位置合わせ部材14によって光半導体素子保持
部材12と位置合わせされて結合され、電極端子61が
光半導体素子33の電極に電気的に接続される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光素子とこれに光結合
する光ファイバと一体化した光モジュールに関する。
する光ファイバと一体化した光モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の光モジュールの一例として、半導
体レーザモジュールの例を、図11に分解斜視図で示
す。半導体レーザチップ111はSiサブマウント11
2を介して銅製ステム113に接続される。ステム11
3にはレンズ付きキャップ114、スリーブ115を介
して、光ファイバ116が接続されている。
体レーザモジュールの例を、図11に分解斜視図で示
す。半導体レーザチップ111はSiサブマウント11
2を介して銅製ステム113に接続される。ステム11
3にはレンズ付きキャップ114、スリーブ115を介
して、光ファイバ116が接続されている。
【0003】レーザから発する光の広がり角およびファ
イバのコア径は小さいので、これらの間の光結合を良好
なものとするには、それらの間の位置関係を正確に設定
しなければならない。しかし、図11に示す従来技術で
は、これらの位置関係を制御する機構は存在しない。従
って最後の光ファイバの接続時に、光ファイバからの光
出力をモニタする等して位置合わせをしているのが現状
である。従来の光モジュールではこの位置合わせが最も
手間を要する工程となっている。レーザ及びファイバが
アレイ化されてくると、最後の調整は一層困難となる。
イバのコア径は小さいので、これらの間の光結合を良好
なものとするには、それらの間の位置関係を正確に設定
しなければならない。しかし、図11に示す従来技術で
は、これらの位置関係を制御する機構は存在しない。従
って最後の光ファイバの接続時に、光ファイバからの光
出力をモニタする等して位置合わせをしているのが現状
である。従来の光モジュールではこの位置合わせが最も
手間を要する工程となっている。レーザ及びファイバが
アレイ化されてくると、最後の調整は一層困難となる。
【0004】この問題を解決するために、例えば図12
に示す様な構成の光半導体モジュールが提案されている
(特開昭55−100514号公報参照)。基板1にチ
ップ用合わせマーカ2、ガイドピン用穴3が形成されて
おり、マーカ2に合わせて、発光ダイオードやフォトダ
イオード等の光半導体チップ6がマウントされる。ファ
イバ支持部材7には結合ピン8および光ファイバ10が
取付けられている。そして、この結合ピン8を基板1の
ガイドピン用穴3に挿入して結合することにより、光半
導体チップ6と、光ファイバ10の端面9との精密な位
置合わせを容易に行おうとするものである。
に示す様な構成の光半導体モジュールが提案されている
(特開昭55−100514号公報参照)。基板1にチ
ップ用合わせマーカ2、ガイドピン用穴3が形成されて
おり、マーカ2に合わせて、発光ダイオードやフォトダ
イオード等の光半導体チップ6がマウントされる。ファ
イバ支持部材7には結合ピン8および光ファイバ10が
取付けられている。そして、この結合ピン8を基板1の
ガイドピン用穴3に挿入して結合することにより、光半
導体チップ6と、光ファイバ10の端面9との精密な位
置合わせを容易に行おうとするものである。
【0005】しかしこの方法にも、改善されるべきいく
つかの問題がある。第1に、マーカ2に合わせて光半導
体チップ6をマウントするのには、熟練が必要である。
熟練したとしても、極めて高精度の位置合わせが要求さ
れるため、正確にマウントするのは困難である。第2
に、基板1のチップ搭載面とファイバとが直交する形で
は、チップ6から外部への電極取出しが容易ではない。
光半導体チップ2には通常2本以上の配線電極が必要で
あり、1本は基板1をグランドとして利用しても、もう
1本は、基板1上に印刷した配線にワイヤボンディング
し、更に外部へのリードを取り出すといった複雑な工程
が必要である。
つかの問題がある。第1に、マーカ2に合わせて光半導
体チップ6をマウントするのには、熟練が必要である。
熟練したとしても、極めて高精度の位置合わせが要求さ
れるため、正確にマウントするのは困難である。第2
に、基板1のチップ搭載面とファイバとが直交する形で
は、チップ6から外部への電極取出しが容易ではない。
光半導体チップ2には通常2本以上の配線電極が必要で
あり、1本は基板1をグランドとして利用しても、もう
1本は、基板1上に印刷した配線にワイヤボンディング
し、更に外部へのリードを取り出すといった複雑な工程
が必要である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この様に光モジュール
では、半導体レーザばかりでなく発光素子一般、受光素
子、光増幅器などの光機能素子、レンズ等といった光素
子と、光ファイバとの精密な位置合わせが重要である
が、従来の光モジュールではそれが困難であった。これ
を容易にしようとした光モジュールでも、まだ精密な位
置合わせは容易ではなく、また電極の取り出しが困難で
あった。この発明は、光素子と光ファイバとの精密な位
置合わせに熟練を必要とせず、かつ電極の取り出しも容
易な光モジュールを提供することを目的とする。
では、半導体レーザばかりでなく発光素子一般、受光素
子、光増幅器などの光機能素子、レンズ等といった光素
子と、光ファイバとの精密な位置合わせが重要である
が、従来の光モジュールではそれが困難であった。これ
を容易にしようとした光モジュールでも、まだ精密な位
置合わせは容易ではなく、また電極の取り出しが困難で
あった。この発明は、光素子と光ファイバとの精密な位
置合わせに熟練を必要とせず、かつ電極の取り出しも容
易な光モジュールを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明による光モジュー
ルは、光ファイバ保持部材、光素子保持部材、および、
これらの各部材を所定の位置関係で結合するための位置
合わせ部材からなる。光素子保持部材は、光素子搭載部
に凹部が形成されていて、この凹部に光素子が搭載され
る構成とする。光素子保持部材は好ましくは、二枚の半
導体ウェハを接合して、その一方のウェハ表面から接合
部に達する凹部を形成して、これを光素子搭載部とす
る。
ルは、光ファイバ保持部材、光素子保持部材、および、
これらの各部材を所定の位置関係で結合するための位置
合わせ部材からなる。光素子保持部材は、光素子搭載部
に凹部が形成されていて、この凹部に光素子が搭載され
る構成とする。光素子保持部材は好ましくは、二枚の半
導体ウェハを接合して、その一方のウェハ表面から接合
部に達する凹部を形成して、これを光素子搭載部とす
る。
【0008】また光素子からの電極取り出しについて
は、電極端子を保持する電極保持部材が位置合わせ部材
によって光素子保持部材と結合され、電極端子が光素子
の電極に当接して電気的に接続される構成とする。
は、電極端子を保持する電極保持部材が位置合わせ部材
によって光素子保持部材と結合され、電極端子が光素子
の電極に当接して電気的に接続される構成とする。
【0009】
【作用】光素子保持部材の搭載部である凹部は、通常の
フォトリソグラフィ技術により、正確な位置に容易に形
成できる。とくにこの光素子保持部材に複数の半導体ウ
エハの接合ウェハを用いれば、その接合面でエッチング
を自動的に停止させることも可能であり、凹部の深さも
正確に設定できる。従って、この凹部に光素子を搭載
し、位置合わせ部材を利用して光ファイバ保持部材と結
合することにより、光素子と光ファイバとの位置関係は
自動的に正確に設定される。
フォトリソグラフィ技術により、正確な位置に容易に形
成できる。とくにこの光素子保持部材に複数の半導体ウ
エハの接合ウェハを用いれば、その接合面でエッチング
を自動的に停止させることも可能であり、凹部の深さも
正確に設定できる。従って、この凹部に光素子を搭載
し、位置合わせ部材を利用して光ファイバ保持部材と結
合することにより、光素子と光ファイバとの位置関係は
自動的に正確に設定される。
【0010】また光素子の高さが正確に搭載されるの
で、電極保持部材に保持された電極端子を光素子の電極
に当接させるのが容易であり、光素子のモジュール外部
への電極の取り出しに複雑な工程を要しない。これらに
より、簡単な工程で精密に位置合わせされた光モジュー
ルの組み立てが可能となる。
で、電極保持部材に保持された電極端子を光素子の電極
に当接させるのが容易であり、光素子のモジュール外部
への電極の取り出しに複雑な工程を要しない。これらに
より、簡単な工程で精密に位置合わせされた光モジュー
ルの組み立てが可能となる。
【0011】
【実施例】図1は、4チャンネルのアレイ化された光フ
ァイバ及び光半導体素子をモジュール化した実施例例で
ある。(a)は全体の分解斜視図であり、(b)は断面
図である。全体は、光ファイバ保持部材11、光半導体
素子保持部材12、電極保持部材13、およびこれらを
位置合わせして結合するための位置合わせ部材14によ
り構成されている。位置合わせ部材14は、光ファイバ
保持部材11、光半導体素子保持部材12および電極保
持部材13にそれぞれあらかじめあけられた貫通孔に挿
入されてこれらの部材を結合位置関係を規定するピンで
ある。
ァイバ及び光半導体素子をモジュール化した実施例例で
ある。(a)は全体の分解斜視図であり、(b)は断面
図である。全体は、光ファイバ保持部材11、光半導体
素子保持部材12、電極保持部材13、およびこれらを
位置合わせして結合するための位置合わせ部材14によ
り構成されている。位置合わせ部材14は、光ファイバ
保持部材11、光半導体素子保持部材12および電極保
持部材13にそれぞれあらかじめあけられた貫通孔に挿
入されてこれらの部材を結合位置関係を規定するピンで
ある。
【0012】光ファイバ10、光半導体素子33、電極
端子61がそれぞれの光ファイバ保持部材11,光半導
体素子保持部材12,電極保持部材13の正確な位置に
保持されている。とくに光半導体素子保持部材12は、
後に詳細に説明するように、その搭載部に凹部が形成さ
れていて、ここに光半導体素子33が素子が搭載されて
いる。したがってこれらの部材を組み合わせるだけで、
光ファイバ10と光半導体素子33との光結合、及び光
半導体素子33と電極端子61との電気的接続が行われ
る様になっている。
端子61がそれぞれの光ファイバ保持部材11,光半導
体素子保持部材12,電極保持部材13の正確な位置に
保持されている。とくに光半導体素子保持部材12は、
後に詳細に説明するように、その搭載部に凹部が形成さ
れていて、ここに光半導体素子33が素子が搭載されて
いる。したがってこれらの部材を組み合わせるだけで、
光ファイバ10と光半導体素子33との光結合、及び光
半導体素子33と電極端子61との電気的接続が行われ
る様になっている。
【0013】光半導体素子保持部材12、及び位置合わ
せ部材14には導電性のものが用いられている。光半導
体素子33に必要な電極の一つを、これらの部材に兼ね
させることができる。従って、外部への電極の取り出し
も容易となる。以下に、各部材の詳細を説明する。
せ部材14には導電性のものが用いられている。光半導
体素子33に必要な電極の一つを、これらの部材に兼ね
させることができる。従って、外部への電極の取り出し
も容易となる。以下に、各部材の詳細を説明する。
【0014】図2は、光半導体素子保持部材12の展開
図である。(110)面を主面とするSiウエハ21と
(100)面を主面とするSiウエハ22との平滑表面
同志が、SiO2 膜23を介して接合されている。この
接合方法については、例えば特開昭61−5544号公
報等に詳しく述べられている。この接合されたウエハ
の、(110)面側には同図(a)、(100)面側に
は同図(c)の点線で示すようなマスクパターンを施
し、水酸化カリウムやヒドラジン等を用いて異方性エッ
チングを行う。(111)面のエッチング速度は(10
0)面や(110)面に比べて極めて遅く、また深さ方
向のエッチングは間に挟まれたSiO2 膜23で自動的
に停止する。従って、それぞれの図の実線で示す様なエ
ッチング形状が得られ、結合部材貫通孔24および素子
搭載部である凹部25が形成される。形成される凹部
は、水平方向、深さ方向共に、自動的に正確な形とな
る。
図である。(110)面を主面とするSiウエハ21と
(100)面を主面とするSiウエハ22との平滑表面
同志が、SiO2 膜23を介して接合されている。この
接合方法については、例えば特開昭61−5544号公
報等に詳しく述べられている。この接合されたウエハ
の、(110)面側には同図(a)、(100)面側に
は同図(c)の点線で示すようなマスクパターンを施
し、水酸化カリウムやヒドラジン等を用いて異方性エッ
チングを行う。(111)面のエッチング速度は(10
0)面や(110)面に比べて極めて遅く、また深さ方
向のエッチングは間に挟まれたSiO2 膜23で自動的
に停止する。従って、それぞれの図の実線で示す様なエ
ッチング形状が得られ、結合部材貫通孔24および素子
搭載部である凹部25が形成される。形成される凹部
は、水平方向、深さ方向共に、自動的に正確な形とな
る。
【0015】図3は、この光半導体素子保持部材12の
素子搭載部を拡大して示している。(a)は素子搭載用
凹部25の拡大平面図、(b)は断面図である。位置合
わせ部材貫通孔24、及び素子搭載用の凹部25の底部
に露出したSiO2 膜はフッ酸等で取り除かれ、凹部2
5の底には、図3に示すように、InやAuSnなどの
ハンダ材31が、光透過窓32を残した形で装着され
る。この凹部25に、面入出力型の光半導体素子33、
例えばpinフォトダイオード、発光ダイオード、面発
光レーザ等が搭載される。凹部25の形状が正確に形成
されているので、光半導体素子33の位置も自動的に正
確に決定される。
素子搭載部を拡大して示している。(a)は素子搭載用
凹部25の拡大平面図、(b)は断面図である。位置合
わせ部材貫通孔24、及び素子搭載用の凹部25の底部
に露出したSiO2 膜はフッ酸等で取り除かれ、凹部2
5の底には、図3に示すように、InやAuSnなどの
ハンダ材31が、光透過窓32を残した形で装着され
る。この凹部25に、面入出力型の光半導体素子33、
例えばpinフォトダイオード、発光ダイオード、面発
光レーザ等が搭載される。凹部25の形状が正確に形成
されているので、光半導体素子33の位置も自動的に正
確に決定される。
【0016】光半導体素子33の発受光面側にはほぼ全
面に渡って電極34が装着されているが、ハンダ材31
の光透過窓32に対応した部分には光透過窓36が開い
ている。もう一方の面には、アレイ化された4つの素子
に対応した4つの電極35が装着されている。アレイ化
されていない単素子であれば、電極35は素子の裏面全
面に装着されていて構わない。また、光透過窓32,3
6、及び電極35はここでは円形としているが、多角形
でもよい。
面に渡って電極34が装着されているが、ハンダ材31
の光透過窓32に対応した部分には光透過窓36が開い
ている。もう一方の面には、アレイ化された4つの素子
に対応した4つの電極35が装着されている。アレイ化
されていない単素子であれば、電極35は素子の裏面全
面に装着されていて構わない。また、光透過窓32,3
6、及び電極35はここでは円形としているが、多角形
でもよい。
【0017】Siは1.1μm 以上の波長光に対しては
透明なので、光通信によく用いられる波長1.3〜1.
5μm の光は、Siウエハ21を透過させてファイバと
光結合させることができる。場合によっては、図4(a)
(b) に示す様にウエハ21側にも光透過窓41を設けて
もよい。(a)は平面図、(b)は断面図である。この
場合、光は透過窓41の壁面で全反射されながら光半導
体素子33に入出力されるので、素子間のクロストーク
が抑えられ、効率のよい光結合ができる。
透明なので、光通信によく用いられる波長1.3〜1.
5μm の光は、Siウエハ21を透過させてファイバと
光結合させることができる。場合によっては、図4(a)
(b) に示す様にウエハ21側にも光透過窓41を設けて
もよい。(a)は平面図、(b)は断面図である。この
場合、光は透過窓41の壁面で全反射されながら光半導
体素子33に入出力されるので、素子間のクロストーク
が抑えられ、効率のよい光結合ができる。
【0018】光半導体素子保持部材12を構成する半導
体材料は、必ずしもSi同志である必要はない。GaA
sやInP等の様々な材料を組み合わせて使用すること
も可能である。あるエッチャントに対してエッチングレ
ートが著しく異なる材料を組み合わせたときには、間に
挟んだSiO2 膜は必ずしも必要ではない。
体材料は、必ずしもSi同志である必要はない。GaA
sやInP等の様々な材料を組み合わせて使用すること
も可能である。あるエッチャントに対してエッチングレ
ートが著しく異なる材料を組み合わせたときには、間に
挟んだSiO2 膜は必ずしも必要ではない。
【0019】図1に示した光ファイバ保持部材11、及
び電極保持部材13も、上に説明した素子保持部材12
の貫通孔24を形成したのと同様の方法で、(110)
面を主面とするSiウエハを異方性エッチングして製作
することができる。また図5のように、二枚のSi基板
を組み合わせて電極端子保持部材13および光ファイバ
保持部材11を構成することができる。(100)面を
主面とする二枚のSi基板50に、異方性エッチングで
V溝を形成して、これを組み合わせることによって、位
置合わせ部材14の貫通孔、電極端子61や光ファイバ
10の保持部が形成される。
び電極保持部材13も、上に説明した素子保持部材12
の貫通孔24を形成したのと同様の方法で、(110)
面を主面とするSiウエハを異方性エッチングして製作
することができる。また図5のように、二枚のSi基板
を組み合わせて電極端子保持部材13および光ファイバ
保持部材11を構成することができる。(100)面を
主面とする二枚のSi基板50に、異方性エッチングで
V溝を形成して、これを組み合わせることによって、位
置合わせ部材14の貫通孔、電極端子61や光ファイバ
10の保持部が形成される。
【0020】光ファイバ保持部材1には実際には、リボ
ンファイバ接続用として市販されている、いわゆるMT
コメクタをそのまま利用するのが最も簡便である。図1
3に示す様に、MTコネクタ130は、ファイバ挿入孔
131および接続ピン挿入孔132がそれぞれ必要な大
きさ及び位置関係をもって精密に作られている。このフ
ァイバ挿入孔131にファイバを挿入し接着剤を充填す
れば、接着剤の表面張力による調心効果によって、ファ
イバは自動的に挿入孔131の中心に固定される。従っ
て、先に述べた素子保持部材12の、素子搭載用凹部2
5及び位置合わせ部材貫通孔24の位置を、ファイバ挿
入孔131及び接続ピン挿入孔132の位置に合わせて
制作しておけば、接続ピンと同じ径に制作された位置合
わせ部材14と嵌合されるだけで、光半導体素子と光フ
ァイバとの間の正確な光学的結合ができる。
ンファイバ接続用として市販されている、いわゆるMT
コメクタをそのまま利用するのが最も簡便である。図1
3に示す様に、MTコネクタ130は、ファイバ挿入孔
131および接続ピン挿入孔132がそれぞれ必要な大
きさ及び位置関係をもって精密に作られている。このフ
ァイバ挿入孔131にファイバを挿入し接着剤を充填す
れば、接着剤の表面張力による調心効果によって、ファ
イバは自動的に挿入孔131の中心に固定される。従っ
て、先に述べた素子保持部材12の、素子搭載用凹部2
5及び位置合わせ部材貫通孔24の位置を、ファイバ挿
入孔131及び接続ピン挿入孔132の位置に合わせて
制作しておけば、接続ピンと同じ径に制作された位置合
わせ部材14と嵌合されるだけで、光半導体素子と光フ
ァイバとの間の正確な光学的結合ができる。
【0021】電極保持部材13にも同様に、MTコネク
タを利用できる。この様子を図6に示す。コネクタ13
0のファイバ挿入孔131に、ファイバの外径と同じ径
(125μm )に制作した電極端子61を挿入し、接着
剤で調心固定する。図に示す様に、電極端子61の先端
部62は平坦に加工し、ここにもInやAuSnなどの
ハンダ材(または導電性樹脂)63を被着させておく。
既に述べた様に、光半導体素子33の位置は水平方向、
深さ方向共に正確に定められているので、位置合わせ部
材14を介して素子保持部材12と接続するだけで、電
極端子61の先端部62を光半導体素子33の電極35
に正確に当接させることができる。
タを利用できる。この様子を図6に示す。コネクタ13
0のファイバ挿入孔131に、ファイバの外径と同じ径
(125μm )に制作した電極端子61を挿入し、接着
剤で調心固定する。図に示す様に、電極端子61の先端
部62は平坦に加工し、ここにもInやAuSnなどの
ハンダ材(または導電性樹脂)63を被着させておく。
既に述べた様に、光半導体素子33の位置は水平方向、
深さ方向共に正確に定められているので、位置合わせ部
材14を介して素子保持部材12と接続するだけで、電
極端子61の先端部62を光半導体素子33の電極35
に正確に当接させることができる。
【0022】これらの各部材11,12,13,14
を、図1(b)の様に組み合わせ、図の上下方向に圧力
を加え、電極端子61と光半導体素子33の電極35と
を接続する。このとき、素子保持部材12の位置合わせ
部材貫通孔24内部にも導電性樹脂を充填しておいた方
がよい。ここに金属膜を被着させておくことを可能であ
る。電極保持部材13にMTコネクタ自身ではなく、半
導体ウエハ、または金属、セラミックス等を加工したも
のを用いれば、ハンダ材63の融点まで昇温できるの
で、電気的接続が確実となる。
を、図1(b)の様に組み合わせ、図の上下方向に圧力
を加え、電極端子61と光半導体素子33の電極35と
を接続する。このとき、素子保持部材12の位置合わせ
部材貫通孔24内部にも導電性樹脂を充填しておいた方
がよい。ここに金属膜を被着させておくことを可能であ
る。電極保持部材13にMTコネクタ自身ではなく、半
導体ウエハ、または金属、セラミックス等を加工したも
のを用いれば、ハンダ材63の融点まで昇温できるの
で、電気的接続が確実となる。
【0023】全体の接続の保持は、適当な治具を用いた
機械的な保持でよいが、部材ごとに接着、または溶接を
行ってもよい。特に素子保持部材と電極保持部材を接着
または溶接したときは、素子の気密封止が可能となる。
もちろん、全体を樹脂モールドする、または金属パッケ
ージに納めるなどしてもよい。
機械的な保持でよいが、部材ごとに接着、または溶接を
行ってもよい。特に素子保持部材と電極保持部材を接着
または溶接したときは、素子の気密封止が可能となる。
もちろん、全体を樹脂モールドする、または金属パッケ
ージに納めるなどしてもよい。
【0024】この発明の応用として、レンズ等の他の光
学素子もこのモジュールに組み込むこともできる。その
例を図7に示す。素子保持部材12は、図2に示したS
iウエハ21,22の他に、更に(100)面を主面と
するSiウエハ71が、SiO2 膜73を介して接合さ
れている。またレンズ保持部材76として、(110)
面を主面とするSiウエハ72と(100)面を主面と
するSiウエハ74とが、SiO2 膜75を介して接合
されている。これらに所定のパタンニングを施して異方
性エッチングを行うと、図の様なレンズ保持用凹部77
が得られる。
学素子もこのモジュールに組み込むこともできる。その
例を図7に示す。素子保持部材12は、図2に示したS
iウエハ21,22の他に、更に(100)面を主面と
するSiウエハ71が、SiO2 膜73を介して接合さ
れている。またレンズ保持部材76として、(110)
面を主面とするSiウエハ72と(100)面を主面と
するSiウエハ74とが、SiO2 膜75を介して接合
されている。これらに所定のパタンニングを施して異方
性エッチングを行うと、図の様なレンズ保持用凹部77
が得られる。
【0025】凹部77の斜面の角度は決まっているの
で、パタンニングの大きさおよびSiウエハ71,74
の厚さを選ぶことにより、球レンズ78の、光半導体素
子33および光ファイバ10からの距離を、それぞれ正
確に設定することができる。もちろん、レンズは球レン
ズではなくロッドレンズやアレイ化レンズでも構わない
し、Siウエハ21に図4と同様の光透過窓を設けても
よいのは言うまでもない。Siウエハ71は必ずしもS
iウエハ21に接着されていなくともよく、別のウエハ
に接着されていてレンズ保持部材として独立していても
よい。
で、パタンニングの大きさおよびSiウエハ71,74
の厚さを選ぶことにより、球レンズ78の、光半導体素
子33および光ファイバ10からの距離を、それぞれ正
確に設定することができる。もちろん、レンズは球レン
ズではなくロッドレンズやアレイ化レンズでも構わない
し、Siウエハ21に図4と同様の光透過窓を設けても
よいのは言うまでもない。Siウエハ71は必ずしもS
iウエハ21に接着されていなくともよく、別のウエハ
に接着されていてレンズ保持部材として独立していても
よい。
【0026】また、光半導体素子の一種として、光増幅
素子、光スイッチング素子、光変調素子といった光機能
素子もこのモジュールに組み込むことができる。この様
子を図8(a)に示す。光機能素子81は、素子保持部
材12と同様にして形成された光機能素子保持部材83
に保持されている。そしてこの光機能素子保持部材83
を、光ファイバ保持部材11と素子保持部材12との間
に挿入して用いる。同図(b)の様に、二つの光ファイ
バ保持部材11同志を突き合わせた間に挿入して用いて
もよい。また同図(c)の様に、1つの素子保持部材1
2の中に、光半導体素子と光機能素子とを組み合わせて
用いることも可能である。
素子、光スイッチング素子、光変調素子といった光機能
素子もこのモジュールに組み込むことができる。この様
子を図8(a)に示す。光機能素子81は、素子保持部
材12と同様にして形成された光機能素子保持部材83
に保持されている。そしてこの光機能素子保持部材83
を、光ファイバ保持部材11と素子保持部材12との間
に挿入して用いる。同図(b)の様に、二つの光ファイ
バ保持部材11同志を突き合わせた間に挿入して用いて
もよい。また同図(c)の様に、1つの素子保持部材1
2の中に、光半導体素子と光機能素子とを組み合わせて
用いることも可能である。
【0027】いずれの場合でも、増幅や変調、スイッチ
ングといった機能を持ったモジュールが、小型に形成で
きる。ただし、光半導体素子33へ接続される電極端子
61とは別に、光機能素子81へ信号を供給する電極端
子82を引き出す必要がある。この電極端子82は、他
の部材表面にはわせるか、または組み込んでもよい。
ングといった機能を持ったモジュールが、小型に形成で
きる。ただし、光半導体素子33へ接続される電極端子
61とは別に、光機能素子81へ信号を供給する電極端
子82を引き出す必要がある。この電極端子82は、他
の部材表面にはわせるか、または組み込んでもよい。
【0028】図1では、光半導体素子33は素子保持部
材12のファイバ保持部材11の反対側に搭載している
が、図9の様に、同じ側に搭載することも可能である。
その場合は電極の引き出しがやや困難となり、ファイバ
保持部材11に電極端子を組み込む等の工夫が必要とな
る。また図2では、位置合わせ部材貫通孔24は素子保
持部材12の両面からパタンニングしているが、(10
0)Siウエハ22側からエッチングを行い、底面に露
出したSiO2 膜を除去した後、続けてエッチングを行
うことも可能である。この場合、位置合わせ部材とのは
めあいをよくするために、Si基板21と22との結晶
方位をよく合わせる必要がある。
材12のファイバ保持部材11の反対側に搭載している
が、図9の様に、同じ側に搭載することも可能である。
その場合は電極の引き出しがやや困難となり、ファイバ
保持部材11に電極端子を組み込む等の工夫が必要とな
る。また図2では、位置合わせ部材貫通孔24は素子保
持部材12の両面からパタンニングしているが、(10
0)Siウエハ22側からエッチングを行い、底面に露
出したSiO2 膜を除去した後、続けてエッチングを行
うことも可能である。この場合、位置合わせ部材とのは
めあいをよくするために、Si基板21と22との結晶
方位をよく合わせる必要がある。
【0029】素子保持部材12とファイバ保持部材11
の間に適当なスペーサを挟んでおくと、素子保持部材と
の摩擦によってファイバ端面に傷がつくことを防ぐこと
ができる。図10にスペーサの一例を示す。スペーサ1
01には図示のように各素子に対応する光透過孔および
位置合わせ部材貫通孔103が形成されている。スペー
サ101の材料がステンレスやセラミックス等のとき、
このように各素子ごとに光透過窓102を設けておけ
ば、光のクロストークを防ぐことができる。またスペー
サ101の材料として透明樹脂や半導体を用いたとき、
機械加工または不純物の拡散等により、光透過窓の位置
にレンズやグレーディングを形成することもできる。
の間に適当なスペーサを挟んでおくと、素子保持部材と
の摩擦によってファイバ端面に傷がつくことを防ぐこと
ができる。図10にスペーサの一例を示す。スペーサ1
01には図示のように各素子に対応する光透過孔および
位置合わせ部材貫通孔103が形成されている。スペー
サ101の材料がステンレスやセラミックス等のとき、
このように各素子ごとに光透過窓102を設けておけ
ば、光のクロストークを防ぐことができる。またスペー
サ101の材料として透明樹脂や半導体を用いたとき、
機械加工または不純物の拡散等により、光透過窓の位置
にレンズやグレーディングを形成することもできる。
【0030】以上は4チャンネル光半導体素子アレイモ
ジュールについて詳しく説明してきたが、アレイ数は4
チャンネルに限られるものではない。必ずしも光ファイ
バ保持部材や電極保持部材にMTコネクタを用いる必要
はないのは前にも説明した通りである。各部材の材料も
Siに限られるものではない。以上の例の他にも、この
発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の応用、変形が可
能である。
ジュールについて詳しく説明してきたが、アレイ数は4
チャンネルに限られるものではない。必ずしも光ファイ
バ保持部材や電極保持部材にMTコネクタを用いる必要
はないのは前にも説明した通りである。各部材の材料も
Siに限られるものではない。以上の例の他にも、この
発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の応用、変形が可
能である。
【0031】
【発明の効果】この発明により、組み立てが容易で、光
素子と光ファイバの位置合わせが自動的に精密に行われ
る光モジュールが得られる。
素子と光ファイバの位置合わせが自動的に精密に行われ
る光モジュールが得られる。
【図1】この発明の実施例の光モジュールを示す斜視図
と断面図。
と断面図。
【図2】同実施例の光半導体素子保持部材の構成を示す
図。
図。
【図3】同光半導体素子保持部材の素子搭載部の構成を
拡大して示す図。
拡大して示す図。
【図4】光半導体素子保持部材の他の構成例を示す図。
【図5】光ファイバ保持部材および電極保持部材の構成
例を示す図。
例を示す図。
【図6】MTコネクタを用いた電極保持部材の構成例を
示す図。
示す図。
【図7】この発明の別の実施例の光モジュールの要部構
成示す図
成示す図
【図8】この発明のさらに別の実施例の光モジュールの
構成を示す図。
構成を示す図。
【図9】この発明のさらに別の実施例の光モジュールの
要部構成を示す図。
要部構成を示す図。
【図10】部材間に挿入するスペーサの構成例を示す
図。
図。
【図11】従来の光モジュールの分解斜視図。
【図12】従来の光モジュールの他の構成例を示す図。
【図13】市販のMTコネクタを示す斜視図。
10…光ファイバ、11…光ファイバ保持部材、12…
光半導体素子保持部材、13…電極保持部材、14…位
置合わせ部材、21,22,…Siウエハ、25…素子
搭載用凹部、33…光半導体素子、35…電極、61…
電極端子。
光半導体素子保持部材、13…電極保持部材、14…位
置合わせ部材、21,22,…Siウエハ、25…素子
搭載用凹部、33…光半導体素子、35…電極、61…
電極端子。
Claims (2)
- 【請求項1】光ファイバを保持する光ファイバ保持部材
と、 光素子を凹部をなす搭載部に保持する光素子保持部材
と、 これらの光ファイバ保持部材と光素子保持部材を、前記
光ファイバと光素子とが光結合するように位置合わせす
る位置合わせ部材と、を備えたことを特徴とする光モジ
ュール。 - 【請求項2】電極端子を保持する電極保持部材が前記位
置合わせ部材によって前記光素子保持部材と位置合わせ
されて結合され、前記電極端子が前記光素子の電極に当
接して電気的に接続されていることを特徴とする請求項
1記載の光モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25224191A JPH0588051A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 光モジユール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25224191A JPH0588051A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 光モジユール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0588051A true JPH0588051A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17234480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25224191A Pending JPH0588051A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 光モジユール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0588051A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000039621A1 (fr) * | 1998-12-25 | 2000-07-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Emetteur/recepteur permettant une transmission optique en parallele et plaque pour module optique |
KR100322580B1 (ko) * | 1998-10-15 | 2002-03-08 | 윤종용 | 광커넥터 모듈 |
JP2006084498A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Fujikura Ltd | 光減衰器 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP25224191A patent/JPH0588051A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100322580B1 (ko) * | 1998-10-15 | 2002-03-08 | 윤종용 | 광커넥터 모듈 |
WO2000039621A1 (fr) * | 1998-12-25 | 2000-07-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Emetteur/recepteur permettant une transmission optique en parallele et plaque pour module optique |
EP1063549A1 (en) * | 1998-12-25 | 2000-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Transmitter/receiver for optical parallel transmission and board for optical module |
US6599032B1 (en) | 1998-12-25 | 2003-07-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Transmitter/receiver for optical parallel transmission and board for optical module |
KR100394900B1 (ko) * | 1998-12-25 | 2003-08-19 | 니뽄 덴신 덴와 가부시키가이샤 | 광 병렬 전송용 송수신기 |
EP1063549A4 (en) * | 1998-12-25 | 2006-07-12 | Sumitomo Electric Industries | TRANSMITTER / RECEIVER FOR OPTICAL PARALLEL TRANSMISSION AND PATT FOR OPTICAL MODULE |
JP2006084498A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Fujikura Ltd | 光減衰器 |
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