JP2000269040A - 高周波トランス - Google Patents

高周波トランス

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JP2000269040A
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transformer
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balun
balun transformer
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浩太郎 竹永
Kanichi Yonenaga
寛一 米永
Kiyohiro Masuda
清広 増田
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Kokusai Electric Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2823—Wires
    • H01F2027/2833—Wires using coaxial cable as wire

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  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高価な同軸ケーブルを使用することなく安価
な構成でバルントランスの整合及びバランス性を確保で
きる高周波トランスを提供する。 【解決手段】 同軸ケーブル３Ａ（３Ｂ）でなるバルン
トランスを使用して高周波増幅素子をプッシュプル動作
させるようにした高周波トランスにおいて、同軸ケーブ
ル３Ａ（３Ｂ）の芯線と接地との間に、当該同軸ケーブ
ル３Ａ（３Ｂ）の外導体と接地との間のインピーダンス
と同等なインピーダンスを有する単線６を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、同軸ケーブルで
なるバルントランス（balun transformer)を使用して高
周波増幅素子をプッシュプル動作させるようにした高周
波トランスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、増幅素子を高周波（特にＵＨＦ〜
マイクロ波）帯域においてプッシュプル動作させる場
合、図１に示すようなバルントランスを使用する。すな
わち、図３において、１ａ，１ｂは増幅素子、２Ａａ，
２Ａｂ，２Ｂａ，２Ｂｂは増幅素子１ａ，１ｂの両端に
それぞれ設けられた整合回路であり、整合回路２Ａａは
バルントランスとして使用される同軸ケーブル３Ａの芯
線側に接続され、整合回路２Ａｂは同様に同軸ケーブル
３Ａの外導体側に接続され、整合回路２Ｂａはバルント
ランスとして使用される同軸ケーブル３Ｂの外導体側に
接続され、整合回路２Ｂｂは同様に同軸ケーブル３Ｂの
芯線側に接続されている。
【０００３】通常、バルントランスとして使用される同
軸ケーブル３Ａ，３Ｂは、使用する周波数の１／４波長
の長さを有し、図３に等価回路で示すように、外導体側
と芯線側は、リアクタンスでなり、理想状態でのバルン
トランスは、図４に示すように、同軸ケーブルの入力端
側または出力端側の外導体は接地され、反対側の端子に
増幅素子側が接続されるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バルン
トランスに、従来例の如く図５（ａ）に示す同軸ケーブ
ル３Ａ（３Ｂ）を使用した場合、現実的には図５（ｂ）
に示すように同軸ケーブルの外導体と接地間にショート
スタブ４が形成され、不要なインピーダンスが発生し、
整合帯域が制限されたり、本来の日的であるバランス性
が崩れてしまう。
【０００５】そこで、一般的に、図５（ｃ）に示すよう
に、バルントランスの外導体と接地間に形成される不要
なインピーダンスと同じ同軸ケーブル５をバルントラン
スとして使用した同軸ケーブル３Ａ（３Ｂ）の芯線側に
接続し、整合及びバランス性を良好にしている。
【０００６】しかし、この場合、高価な同軸ケーブル５
が本来の目的であるバルントランス以外にもう１本必要
となり、コスト的に２倍となってしまうという問題点が
あった。
【０００７】この発明は上述した従来例に係る問題点を
解消するためになされたもので、高価な同軸ケーブルを
使用することなく安価な構成でバルントランスの整合及
びバランス性を確保できる高周波トランスを提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高周波ト
ランスは、同軸ケーブルでなるバルントランスを使用し
て高周波増幅素子をプッシュプル動作させるようにした
高周波トランスにおいて、上記バルントランスの芯線と
接地との間に、当該バルントランスの外導体と接地との
間のインピーダンスと同等なインピーダンスを有する単
線を設けたことを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１に係る高周波トランスのバルントランス部
分の主要部を示す構成図である。図１に示す高周波トラ
ンスにおいては、図示してはいないが、図３に示す従来
例と同様な増幅素子１ａ，１ｂ、この増幅素子１ａ，１
ｂの両端にそれぞれ設けられた整合回路２Ａａ，２Ａ
ｂ，２Ｂａ，２Ｂｂ、バルントランスとして使用される
同軸ケーブル３Ａ，３Ｂが備えられており、当該同軸ケ
ーブル３Ａ（３Ｂ）の外導体と接地間には、ショートス
タブ４が形成され、不要なインピーダンスＺＸが発生
し、整合帯域が制限されたり、本来の日的であるバラン
ス性が崩れてしまう要因となっている。
【００１０】新たな符号として、６は上記ショートスタ
ブ４のインピーダンスＺＸと同じインピーダンスを有し
同軸ケーブル３Ａ（３Ｂ）の芯線と接地間に設けられた
軟銅線等の単線であり、この単線６を設けることによ
り、高価な同軸ケーブルを使用することなく安価な構成
でバルントランスの整合及びバランス性を確保できるよ
うにしている。
【００１１】すなわち、この実施の形態１では、図５
（ｃ）に示す従来例のように、整合及びバランス性を良
好にしているバルントランスとしての同軸ケーブル３Ａ
（３Ｂ）と同じ同軸ケーブル５は、同軸ケーブル３Ａ
（３Ｂ）の外導体と接地間に発生するインピーダンスと
同じであれば、バルントランスと同じ同軸ケーブルを使
用する必要は無く、図１に示すように、同等なインピー
ダンスを発生できる軟銅線等の単線６を使用しても良好
な整合状態及びバランス性が実現可能であることに着目
したものである。
【００１２】このように、同軸ケーブル３Ａ（３Ｂ）で
なるバルントランスを使用して高周波増幅素子をプッシ
ュプル動作させるようにした高周波トランスにおいて、
バルントランスの芯線と接地との間に、当該バルントラ
ンスの外導体と接地との間のインピーダンスと同等なイ
ンピーダンスを有する軟銅線等の単線６を設けることに
より、高価な同軸ケーブルを使用することなく安価な構
成でバルントランスの整合及びバランス性を確保できる
と共に、高価なセミリジットケーブルを使用することな
く、安価な単線にて実現できるため、部品コストを約１
／１０以下にすることができる。
【００１３】実施の形態２．上述した実施の形態１にお
いては、バルントランスとしての同軸ケーブル３Ａ（３
Ｂ）の芯線と接地との間に、当該同軸ケーブルの外導体
と接地との間のショートスタブ４のインピーダンスと同
等なインピーダンスを有する軟銅線等の単線６を設けた
ものであるが、この実施の形態２では、図２に示すよう
に、上記ショートスタブ４のインピーダンスと同等なイ
ンピーダンスを有するマイクロストリップライン７をバ
ルントランスとしての同軸ケーブル３Ａ（３Ｂ）の芯線
と接地との間に設けている。
【００１４】この実施の形態２においても、実施の形態
１と同様に、高価な同軸ケーブルを使用することなく安
価な構成でバルントランスの整合及びバランス性を確保
できる高周波トランスを提供することができると共に、
部品コストを約１／１０以下にすることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、同軸
ケーブルでなるバルントランスを使用して高周波増幅素
子をプッシュプル動作させるようにした高周波トランス
において、上記バルントランスの芯線と接地との間に、
当該バルントランスの外導体と接地との間のインピーダ
ンスと同等なインピーダンスを有する単線を設けたの
で、高価な同軸ケーブルを使用することなく安価な構成
でバルントランスの整合及びバランス性を確保できる高
周波トランスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１に係る高周波トランス
のバルントランス部分の主要部を示す構成図である。
【図２】この発明の実施の形態２に係る高周波トランス
のバルントランス部分の主要部を示す構成図である。
【図３】従来例に係る高周波トランスを示す構成図であ
る。
【図４】理想状態でのバルントランスを示す説明図であ
る。
【図５】バルントランスの不要なインピーダンス及びそ
の解消手段を示す説明図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ 増幅素子 ３Ａ，３Ｂ バルントランスとしての同軸ケーブル ４ インピーダンスＺＸを有するショートスタブ ６ 軟銅線等の単線 ７ マイクロストリップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増田 清広 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5E070 AA16 AB01 AB03

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 同軸ケーブルでなるバルントランスを使
    用して高周波増幅素子をプッシュプル動作させるように
    した高周波トランスにおいて、 上記バルントランスの芯線と接地との間に、当該バルン
    トランスの外導体と接地との間のインピーダンスと同等
    なインピーダンスを有する単線を設けたことを特徴とす
    る高周波トランス。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003110217A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 電子部品の実装構造
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US7847630B2 (en) 2004-11-05 2010-12-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Amplifier

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