JP2000268331A - エッチング方法及び磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リアクティブイオンエッチングにおいて、重
合物の発生を抑制し、微細な形状を簡便にかつ確実に形
成する。また、磁気ヘッドを製造するに際し、簡便な方
法で、かつ高精度に磁気ギャップを基板の膜形成面に対
して垂直となるように形成する。 【解決手段】 被エッチング材上に当該被エッチング材
よりもリアクティブイオンエッチングにおいてエッチン
グされにくい金属材料からなる高選択性膜を成膜する高
選択性膜成膜工程と、上記高選択性膜成膜工程で成膜さ
れた上記高選択性膜を所定形状にパターニングするパタ
ーニング工程と、上記パターニング工程で所定形状にパ
ターニングされた上記高選択性膜上に、ノボラック樹脂
系材料からなるレジストを形成するノボラック樹脂系レ
ジスト形成工程と、上記パターニング工程で所定形状に
パターニングされた上記高選択性膜をマスクとして、上
記被エッチング材をリアクティブイオンエッチングによ
りエッチングするエッチング工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング方法に
関し、より詳しくは、リアクティブイオンエッチングを
行うに際し、金属マスクとノボラック樹脂系レジストと
を組み合わせてエッチングを行うエッチング方法に関す
る。

【０００２】また、本発明は、磁気ヘッドの製造方法に
関し、より詳しくは、基板上に相対向して形成されて一
対のヨークコアの対向面に非磁性材が配されて磁気ギャ
ップが形成されてなる磁気ヘッドの製造方法に関する。

【０００３】

【従来の技術】近年、磁気テープを記録媒体として用い
る磁気記録再生装置としては、ビデオテープレコーダ、
オーディオテープレコーダ及びコンピュータ用データス
トレージシステム等が知られており、これらの磁気記録
媒体では記録密度を上げて大容量化と高データ転送レー
ト化を図ることが望まれている。

【０００４】しかし、磁気記録システムにおいて磁気記
録媒体を高記録密度化すると、磁気記録媒体からの磁気
情報が微弱になり、電磁誘導を利用した従来のインダク
ティブ型磁気ヘッドでは、再生信号を十分に検出するこ
とが難しかった。

【０００５】そこで、ハードディスク等においては、イ
ンダクティブ型磁気ヘッドよりも再生感度の高い、Ｎｉ
Ｆｅ合金等の軟磁性膜からなる磁気抵抗効果素子（以
下、ＭＲ素子と称する。）を用いた磁気抵抗効果型磁気
ヘッド（以下ＭＲヘッドと称する。）が信号の再生に用
いられるようになってきている。

【０００６】しかしながら、回転ドラムに磁気ヘッドを
搭載して、磁気ヘッドを回転させながら記録再生を行う
ヘリカルスキャンテープシステムは、上記ＭＲヘッドを
搭載した場合、ＭＲヘッドのＭＲ素子を磁気テープに高
速で摺動させるため、ＭＲ素子が摩耗してしまうという
問題が生じる。ＭＲ素子が摩耗してしまうと、出力変
化、バイアス量の変化、安定動作性の低下、抵抗値の変
化等の致命的な問題を生じるおそれがある。

【０００７】そこで、そのような問題を生じないＭＲヘ
ッドとして、ＭＲ素子をヘッド内部に配し、磁気記録媒
体からの磁束をヨークコアによってＭＲ素子へ導いて信
号を再生するヨーク型のＭＲヘッドが提案されている。
このようなヨーク型のＭＲヘッドでは、基板上に、軟磁
性膜からなる一対のヨークコアが非磁性膜を介して相対
向するように形成され、それらの対向部分に配された非
磁性膜が磁気ギャップを構成している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＭＲヘッドにおいては、磁気ギャップを基板の膜形
成面に対して略平行となるように形成した場合、高記録
密度化に伴いトラック幅が狭くなると、効率の劣化が生
じる。そこで、このようなＭＲヘッドにおいては、磁気
ギャップを基板の膜形成面に対して略垂直となるように
形成することが必要となってくる。

【０００９】図３６〜図４４に、従来のギャップ膜の第
１の形成方法を示す。なお、図３６〜図４２及び図４４
は、磁気ギャップ膜の形成方法を、図４３のＹ₁−Ｙ₂線
断面において示した図である。

【００１０】まず、図３６に示すように、基板３０上に
スパッタリングによりＣｒ膜３１とＳｉＯ₂膜３２とを
この順に成膜する。次に、図３７に示すように、ＳｉＯ
₂膜３２上にレジスト３３を塗布し、所定形状にパター
ニングする。具体的には、磁気ギャップが形成される部
分に沿って分割される基板３０の一方のみにレジスト３
３が残存しているマスクパターンとする。そして、図３
８に示すように、上記マスクパターンをマスクとしてエ
ッチングを行い、マスクから露出しているＳｉＯ₂膜３
２を除去する。

【００１１】次に、図３９に示すように、レジスト３３
を残存させた状態で、ギャップ膜３４を全面に成膜す
る。次に、図４０に示すように、レジスト３３を当該レ
ジスト上に形成されたギャップ膜３４とともに剥離す
る。そして、図４１に示すように、残存しているＳｉＯ
₂膜３２をリアクティブイオンエッチングにより除去す
る。このとき、基板上に形成されているギャップ膜３４
も、最終的に磁気ギャップを構成する部分を残して除去
する。

【００１２】そして、図４２に示すように、ヨークコア
を構成する磁性膜３５を全面に成膜し、その表面を研磨
することにより、図４３及び図４４に示すように、ギャ
ップ膜３４が、基板３０の膜形成面に対して略垂直とな
るように形成される。そして、図４３中点線で示される
ようにヨークコアがパターニングされて形成される。

【００１３】また、図４５〜図５４に、従来のギャップ
膜の第２の形成方法を示す。

【００１４】まず、図４５に示すように、基板４０上に
第１の磁性膜４１を全面に成膜する。次に、図４６及び
図４７に示すように、第１の磁性膜４１上にレジスト４
２を塗布し、所定形状にパターニングする。具体的に
は、一対のヨークコアのうち一方のヨークコアとなる部
分のみにレジスト４２が残存しているマスクパターンと
する。そして、図４８に示すように上記マスクパターン
をマスクとしてエッチングを行い、マスクから露出して
いる第１の磁性膜４１を除去する。最後に、レジスト４
２を除去することにより、図４９及び図５０に示すよう
に、一方のヨークコアが形成された状態となる。

【００１５】次に、図５１に示すように、全面にギャッ
プ膜４４を成膜し、さらに、図５２に示すように、ギャ
ップ膜４４上に第２の磁性膜４５を成膜する。そして、
第２の磁性膜４５の表面を研磨することにより、図５３
及び図５４に示すように、一対のヨークコアが形成され
るとともに、ギャップ膜４４が、基板４０の膜形成面に
対して略垂直となるように形成される。そして、図５３
中点線で示されるようにヨークコアがパターニングされ
て形成される。

【００１６】しかしながら、上述したこれらの方法で
は、ヨークコアを片方ずつ形成するため、工程が煩雑で
複雑なものとなってしまう。また、第２の形成方法で
は、ヨークコアの厚みに差が生じてしまうため、オフト
ラック特性が劣化するなどの問題が生じる。

【００１７】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、簡単な方法で、かつ高精度に磁
気ギャップを基板の膜形成面に対して垂直となるように
形成することができる磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明に係るエッチング
方法は、リアクティブイオンエッチングによりエッチン
グをするに際し、被エッチング材上に、当該被エッチン
グ材よりもリアクティブイオンエッチングにおいてエッ
チングされにくい金属材料からなる高選択性膜を成膜す
る高選択性膜成膜工程と、上記高選択性膜成膜工程で成
膜された上記高選択性膜を所定形状にパターニングする
パターニング工程と、上記パターニング工程で所定形状
にパターニングされた上記高選択性膜上に、ノボラック
樹脂系材料からなるレジストを形成するノボラック樹脂
系レジスト形成工程と、上記パターニング工程で所定形
状にパターニングされた上記高選択性膜をマスクとし
て、上記被エッチング材をリアクティブイオンエッチン
グによりエッチングするエッチング工程とを有すること
を特徴とする。

【００１９】通常、金属材料をマスクとしてリアクティ
ブイオンエッチングを施す場合、被エッチング材よりも
エッチングされにくい金属材料を選択することにより、
エッチングが完了するまでマスクの形状は保たれ、マス
クの形状通りの形状を形成することができる。しかし、
金属材料によるマスク面積が大きい場合、金属材料とエ
ッチングガスとの接触面積が大きくなり、金属材料とエ
ッチングガスとの重合物が生成してしまい、この重合物
がエッチングの妨げとなるため、被エッチング材がマス
ク形成面に対して垂直にエッチングされない、所定のエ
ッチング量がエッチングされない等の問題が生じる。

【００２０】一方、ノボラック樹脂系レジストをマスク
としてリアクティブイオンエッチングを施す場合、ノボ
ラック樹脂系レジストとエッチングガスとの重合物は発
生しないが、エッチング中にレジストの形状及びパター
ンが変化してしまうため、被エッチング材がマスク形成
面に対して垂直にエッチングされない、所定の形状にエ
ッチングされない等の問題が生じる。

【００２１】本発明に係るエッチング方法では、被エッ
チング材上に形成した上記金属材料からなる高選択性膜
上にノボラック樹脂系レジストを形成するため、エッチ
ングを行う際、上記金属材料からなる高選択性膜とエッ
チングガスとの接触面積が非常に小さくなる。これによ
り、リアクティブイオンエッチングの妨げとなる、上記
金属材料からなる高選択性膜とエッチングガスとの重合
物の発生が抑制される。また、金属材料をマスクとして
用いているため、被エッチング材は、マスク形成面に対
して垂直にエッチングされ、また、所定のエッチング量
が確実にエッチングされる。したがって、本発明に係る
エッチング方法では、金属材料からなる高選択性膜とノ
ボラック樹脂系レジストとを組み合わせてかつ金属材料
からなる高選択性膜をマスクとして用いることにより、
被エッチング材は簡便にかつ確実に目的とする形状に形
成され、微細な形状も精度良く形成される。

【００２２】本発明の磁気ヘッドの製造方法は、基板
と、上記基板上に形成され相対向して配された一対のヨ
ークコアとを備え、上記一対のヨークコアの対向面に非
磁性材が配されて磁気ギャップが形成されてなる磁気ヘ
ッドの製造方法であって、上記基板上に上記非磁性材か
らなる非磁性膜を成膜する非磁性膜成膜工程と、上記非
磁性膜成膜工程で成膜された上記非磁性膜上に、当該非
磁性膜よりもリアクティブイオンエッチングにおいてエ
ッチングされにくい金属材料からなる高選択性膜を成膜
する高選択性膜成膜工程と、上記高選択性膜成膜工程で
成膜された上記高選択性膜を所定形状にパターニングす
るパターニング工程と、上記パターニング工程で所定形
状にパターニングされた上記高選択性膜上に、ノボラッ
ク樹脂系材料からなるレジストを形成するノボラック樹
脂系レジスト形成工程と、上記パターニング工程で所定
形状にパターニングされた上記高選択性成膜をマスクと
して、上記非磁性膜をリアクティブイオンエッチングに
よりエッチングするエッチング工程とを有することを特
徴とする。

【００２３】磁気ヘッドを製造するに際し、リアクティ
ブイオンエッチングにより非磁性膜を所定の形状にエッ
チングし、磁気ギャップを形成する場合、非磁性膜より
もエッチングされにくい金属材料をマスクとして用いる
ことにより、エッチングが完了するまでマスクの形状は
保たれ、マスクの形状通りの形状を形成することができ
る。しかし、金属材料によるマスク面積が大きい場合、
非磁性膜とエッチングガスとの接触面積が大きくなり、
非磁性膜とエッチングガスとの重合物が生成してしま
い、この重合物がエッチングの妨げとなるため、非磁性
膜がマスク形成面に対して垂直にエッチングされない、
所定のエッチング量がエッチングされない等の問題が生
じる。

【００２４】一方、ノボラック樹脂系レジストをマスク
としてリアクティブイオンエッチングを施す場合、ノボ
ラック樹脂系レジストとエッチングガスとの重合物は発
生しないが、エッチング中にレジストの形状及びパター
ンが変化してしまうため、非磁性膜がマスク形成面に対
して垂直にエッチングされない、所定の形状にエッチン
グされない等の問題が生じる。

【００２５】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法では、
パターニングされた上記高選択性膜をマスクとして、上
記非磁性膜をリアクティブイオンエッチングによりエッ
チングしているので、磁気ギャップ形状の非磁性膜が簡
単に形成される。

【００２６】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法では、
リアクティブイオンエッチングにより上記非磁性膜をエ
ッチングする際、パターニングされた上記金属材料から
なる高選択性膜上にノボラック樹脂系レジストを形成す
るため、パターニングされた高選択性膜とエッチングガ
スとの接触面積が非常に小さくなる。これにより、リア
クティブイオンエッチングの妨げとなる、上記金属材料
からなる高選択性膜とエッチングガスとの重合物の発生
が抑制される。また、金属材料をマスクとして用いてい
るため、上記非磁性膜は、基板の膜形成面に対して垂直
にエッチングされ、また、所定のエッチング量が確実に
エッチングされる。したがって、本発明に係る磁気ヘッ
ドの製造方法では、金属材料からなる高選択性膜とノボ
ラック樹脂系レジストとを組み合わせてかつ金属材料を
マスクとして用いてリアクティブイオンエッチングによ
り非磁性膜をエッチングすることにより、簡便にかつ微
細な形状も精度良く磁気ギャップが形成される。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２８】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法に
よって製造されるＭＲヘッドの一構成例を図１及び図２
に示す。このＭＲヘッド１は、第１の基板２と、第１の
基板２上に形成されたＭＲヘッド素子３と、ＭＲヘッド
素子３上に形成された保護膜４と、保護膜４上に接着さ
れた第２の基板５とから構成される。ここで、図１は、
ＭＲヘッド１の１例を示す斜視図であり、図２は、図１
のＭＲヘッド１の、保護膜４と第２の基板５とを取り除
いた状態で、ＭＲヘッド素子３の構成を示した斜視図で
ある。

【００２９】第１の基板２及び第２の基板５は、ＭＲヘ
ッド素子３のガード材となるものであり、チタン酸カル
シウム等、比抵抗の大きい硬質の材料が用いられる。ま
た、保護膜４には、例えばＡｌ₂Ｏ₃等が用いられる。

【００３０】そして、ＭＲヘッド素子３は、図２に示さ
れるように、所定間隔を有して並べられ、一端部が磁気
記録媒体との対向面に露出するように配された一対のヨ
ークコア６ａ、６ｂと、上記一対のヨークコア６ａ、６
ｂの他方の端部で、ヨークコア６ａとヨークコア６ｂと
に跨って配されるとともに、長辺が磁気記録媒体との摺
動面と略平行になるように配された平面略長方形の磁気
抵抗効果素子７と、磁気抵抗効果素子７の長手方向の両
端部に配された第１の引き出し導体８ａ，８ｂと、第１
の引き出し導体８ａの端部に配された第２の引き出し導
体９ａと、第１の引き出し導体８ｂの端部に配された第
２の引き出し導体９ｂとを備える。また、このＭＲヘッ
ド素子３では、第２の引き出し導体９ａの端部に外部端
子１０ａが形成され、第２の引き出し導体９ｂの端部に
外部端子１０ｂが形成されている。また、上記ヨークコ
ア６ａ，６ｂと、磁気抵抗効果素子７とは、図示しない
絶縁膜によって絶縁されている。

【００３１】ヨークコア６ａ，６ｂは、軟磁性材料から
なり、一端部が磁気記録媒体との摺動面に露出して、当
該磁気記録媒体からの磁束を磁気抵抗効果素子７へと導
く働きをする。そして、この一対のヨークコア６ａ，６
ｂは相対向して配されるとともに、それらの対向部に非
磁性膜が配されて磁気ギャップｇが形成されている。こ
の非磁性膜は、例えばＳｉＯ₂等からなる。

【００３２】磁気抵抗効果素子７は、磁気抵抗効果を有
し、ＭＲヘッド１の感磁部となる磁気抵抗効果膜と、Ｓ
ＡＬバイアス方式によってバイアス磁界を上記磁気抵抗
効果膜に印加するための軟磁性膜（いわゆるＳＡＬ膜）
とが積層されてなる。この軟磁性膜は、磁気抵抗効果膜
にバイアス磁界を与えて、検出信号の直線性を高める働
きをする。

【００３３】上記磁気抵抗効果膜としては、公知の軟磁
性材料が使用可能である。具体的には、ＮｉＦｅ、Ｎｉ
ＦｅＣｏ、パーマロイ合金ＮｉＦｅ−Ｘ（ＸはＴａ、Ｃ
ｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｓｉ等がある。また、Ｘとしてこれらの元素が複数
種類含有されてもよい。）、ＣｏＺｒ系アモルファス等
が挙げられる。

【００３４】第１の引き出し導体８ａ，８ｂ及び第２の
引き出し導体９ａ，９ｂは、導電性膜からなり、磁気抵
抗効果素子７へセンス電流を供給するための電極であ
る。

【００３５】外部端子１０ａ，１０ｂは外部と電気的接
続をとるためのものである。外部端子１０ａは、第２の
引き出し導体９ａの、第１の引き出し導体８ａと接続さ
れた端部とは反対側の端部に形成され、外部端子１０ｂ
は、第２の引き出し導体９ｂの、第１の引き出し導体８
ａと接続された端部とは反対側の端部に形成される。こ
のようなＭＲヘッド１を用いて磁気記録媒体から記録信
号を読み出す際には、第２の引き出し導体９ａ，９ｂの
一端部に形成された外部端子１０ａ，１０ｂから第２の
引き出し導体９ａ，９ｂと第１の引き出し導体８ａ，８
ｂを介して磁気抵抗効果素子７にセンス電流を供給し、
磁気抵抗効果素子７の長手方向に沿って磁気抵抗効果素
子７にセンス電流を流す。そしてこのセンス電流によ
り、磁気記録媒体からの磁界によって生じる磁気抵抗効
果素子７の抵抗変化を検出し、これによって磁気記録媒
体からの記録信号を再生する。なお、このＭＲヘッド１
では、磁気記録媒体からの磁界は、ヨークコア６ａ，６
ｂを介して磁気抵抗効果素子７に伝えられる。

【００３６】一般に、磁気抵抗効果を利用したＭＲヘッ
ドは、電磁誘導を利用して記録再生を行うインダクティ
ブ型磁気ヘッドよりも高密度記録に適している。したが
って、磁気ヘッドとしてＭＲヘッドを用いることで、よ
り高密度記録化を図ることができる。

【００３７】また、このヨーク型のＭＲヘッド１では、
磁気記録媒体からの磁束をヨークコア６ａ，６ｂによっ
て磁気抵抗効果素子７へと導き、ＭＲ素子自体は磁気記
録媒体との摺動面に露出していない。そのため、このＭ
Ｒヘッド１では、磁気抵抗効果素子７が摩耗することが
なく、感度低下、バイアス量の変化、安定動作性の低
下、抵抗値の変化等、磁気抵抗効果素子７の摩耗に起因
する問題を解決することができる。

【００３８】つぎに、以上のようなＭＲヘッド１の製造
方法について説明する。なお、以下の説明で用いる図面
は、特徴を分かりやすく図示するために、特徴となる部
分を拡大して示している場合があり、各部材の寸法の比
率が実際と同じであるとは限らない。また、実際の製造
工程では、薄膜技術により基板上に多数の磁気ヘッド素
子が形成されるが、以下の説明で用いる図面は、１つの
磁気ヘッド素子に対応する部分を抜き出して示してい
る。

【００３９】まず、比抵抗の大きな硬質の材料からなる
第１の基板２を用意し、その表面を研磨する。この第１
の基板２に用いられる比抵抗の大きな硬質の材料として
は、例えばチタン酸カルシウム等が挙げられる。

【００４０】次に、図３及び図４に示すように、第１の
基板２上に、スパッタリングにより金属材料、例えばＣ
ｒを約５０ｎｍの厚みに被着させて第１のＣｒ膜１１を
形成する。そして、この第１のＣｒ膜１１上に、スパッ
タリングによりＳｉＯ₂を例えば、再生トラック幅を２
μｍとする場合トラック幅に対し１割程度増した約２．
２μｍの厚みに被着させてＳｉＯ₂膜１２を形成する。
さらに、このＳｉＯ₂膜１２上に、スパッタリングによ
りＣｒを例えば約８０ｎｍの厚みに被着させて第２のＣ
ｒ膜１３を形成する。

【００４１】ここで、ＳｉＯ₂膜１２は、ヨークコア６
ａ，６ｂの間に形成される磁気ギャップｇを構成するも
のである。また、第２のＣｒ膜１３は、後述するよう
に、リアクティブイオンエッチングによりＳｉＯ₂膜１
２をエッチングする際のマスクとなる。そして、第１の
Ｃｒ膜１１は、ＳｉＯ₂膜１２のエッチング量を決定す
るとともに、ＳｉＯ₂膜１２のエッチング後にも、基板
の良い表面粗さを維持する働きをする。

【００４２】次に、図５及び図６に示すように、第１の
Ｃｒ膜１１と、ＳｉＯ₂膜１２と、第２のＣｒ膜１３と
が形成された第１の基板２を例えば約３０００ｒｐｍで
回転させながら、第２のＣｒ膜１３上に、電子線レジス
ト１４をスピンコート法により塗布する。

【００４３】ここで、電子線レジストとは、レジストを
構成する高分子が電子との衝突によってエネルギーを受
け、当該高分子の鎖の一部が切断されて分子量が小さく
なるか、あるいは他の高分子と結合して大きな分子量の
高分子に重合されるものをいう。また、この電子線レジ
スト１４は、電子線が照射された部分の、現像液に対す
る溶解度が増大するポジ型レジストであることが好まし
い。このようなポジ型の電子線レジスト１４として具体
的には、例えば東京応化工業（株）の商品名ＯＥＢＲ−
１０００や日本ゼオン（株）の商品名ＺＥＰ−５２０
（１２）等が挙げられる。また、電子線レジスト１４に
対して、露光前にプリベークを行うことが好ましい。プ
リベークを行うことにより、電子線レジスト１４の露光
の際の感度が向上し、微細なパターンも精度良く形成す
ることができる。

【００４４】次に、電子線露光装置を用いて、上記電子
線レジスト１４に所定のパターンで電子線を照射するこ
とにより描画し、電子線レジスト１４中に所定のパター
ン潜像を形成する。具体的には、ヨークコア６ａ，６ｂ
となる部分に電子線を照射する。

【００４５】次に、図７及び図８に示すように、パター
ン潜像が形成された電子線レジスト１４を現像して、マ
スクパターンを形成する。電子線レジスト１４としてポ
ジ型レジストを用いた場合、電子線が照射されなかった
部分のレジストが残存してマスクパターンが形成され
る。

【００４６】次に、図９及び図１０に示すように、上述
のようにして形成されたマスクパターンをマスクとして
エッチングを行い、当該マスクパターンから露出してい
る第２のＣｒ膜１３を除去する。エッチングは、例えば
イオンエッチングにより行う。

【００４７】最後に、電子線レジスト１４を剥離する。
これにより、図１１及び図１２に示すように所定形状に
パターニングされた第２のＣｒ膜１３が得られる。具体
的には、ヨークコア６ａ，６ｂとなる部分に開口部を有
するパターンとされる。このとき、ヨークコア６ａ，６
ｂとなる部分とヨークコア６ａ，６ｂとなる部分との対
向部分が磁気ギャップｇとなる部分であり、この磁気ギ
ャップｇの幅は、例えば約０．２μｍとされる。また、
電子線レジスト１４は、この時点で必ずしも剥離しなく
ても良い。その場合は、後述するリアクティブイオンエ
ッチングを実施後、後述するノボラック樹脂系レジスト
とともに剥離すればよい。

【００４８】次に、図１３及び図１４に示すように、上
述のようにして所定形状にパターニングされた第２のＣ
ｒ膜１３の上にノボラック樹脂系レジスト１５をスピン
コート法により塗布し、ＳｉＯ₂膜１２の２倍程度とな
る４〜５μｍ程度の膜を得る。

【００４９】このノボラック樹脂系レジスト１５は、電
子線が照射された部分の、現像液に対する溶解度が増大
するポジ型レジストとして作用する。このようなポジ型
のノボラック樹脂系レジスト１５として具体的には、例
えばノボラック樹脂系ｇ線レジストであるＨｏｅｃｈｓ
ｔ社製ＡＺ−４４００等が挙げられる。また、ノボラッ
ク樹脂系レジスト１５に対して、露光前にプリベークを
行うことが好ましい。プリベークを行うことにより、ノ
ボラック樹脂系レジスト１５は露光する際の感度が向上
し、微細なパターンも精度良く形成することができる。

【００５０】次に、露光用光源としてｇ線を用いて、上
記ノボラック樹脂系レジスト１５に所定のパターンでｇ
線を照射することにより描画し、ノボラック樹脂系レジ
スト１５中に所定のパターン潜像、すなわち後述するヨ
ークコアを形成するためのリアクティブイオンエッチン
グにおいて不必要な部分を隠蔽するパターン潜像を形成
する。具体的には、ヨークコア６ａ，６ｂとなる部分よ
りも１〜１０μｍ程度大きい形状にｇ線を照射する。

【００５１】次に、図１５及び図１６に示すように、パ
ターン潜像が形成されたノボラック樹脂系レジスト１５
を現像して、マスクパターンを形成する。ノボラック樹
脂系レジスト１５は、ｇ線が照射されなかった部分のレ
ジストが残存してマスクパターンが形成される。

【００５２】次に、図１７及び図１８に示すように、上
述のようにしてパターニングされた第２のＣｒ膜１３及
びノボラック樹脂系レジスト１５をマスクとしてエッチ
ングを行い、当該マスクから露出しているＳｉＯ₂膜１
２を除去する。エッチングは、リアクティブイオンエッ
チングにより行う。

【００５３】エッチングに使用するガスは、Ｃｒ膜とエ
ッチングガスとの反応によりＳｉＯ₂膜１２の表面に重
合物が発生しづらいものを使用し、例えばＣＦ₄、及び
場合によってはＣＦ₄と酸素との混合ガスを用いる。ま
た、基板表面の温度上昇を防ぐために、エッチングパワ
ーは低パワーとする。具体的には３００〜５００Ｗ程度
（アネルバ（株）製リアクティブイオンエッチング装
置、ＤＥＡ５０６使用時）のパワーが好ましい。そし
て、エッチング時間は、ＳｉＯ₂膜１２をエッチングす
るのに要する時間よりも１〜２割程度長く時間とする。
このとき、エッチング時間を長くしても、第１のＣｒ膜
１１でエッチングが止まるため、第１の基板２までエッ
チングされることはなく、基板の良い表面粗さを維持す
ることができる。具体的には８０分〜１００分程度（ア
ネルバ（株）製リアクティブイオンエッチング装置、Ｄ
ＥＡ５０６を３００Ｗにおいて使用時）が好ましい。

【００５４】ここで、ＳｉＯ₂膜１２をエッチングする
際のマスクを構成するＣｒは、リアクティブイオンエッ
チングに対する選択性が、ＳｉＯ₂に比べて約４０倍以
上と非常に大きい材料である。このようなＳｉＯ₂に比
べてリアクティブイオンエッチングに対する選択性が４
０倍以上の金属材料からなるマスクを用いることで、磁
気ギャップｇとなる非磁性膜を高精度に形成することが
できる。このような金属材料としては、具体的にはＣｒ
の他にＮｉＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ等が挙げられる。リアク
ティブイオンエッチングに対する選択性を４０倍以上と
したのは、このくらい大きな選択性を有する材料をマス
クとすることでエッチングが完了するまでマスクの形状
及びパターンが変化することなく、所望の形状及び所望
のエッチング量をエッチングすることができるからであ
る。また、リアクティブイオンエッチングに対する選択
性が大きい材料からなるマスクを用いることで、マスク
の厚みを薄くすることができ、コストの低下、生産時間
の短縮を図ることができる。ＳｉＯ₂膜１２をエッチン
グする際に形成されるノボラック樹脂系レジストは、ヨ
ークコア６ａ，６ｂとなる部分よりも１〜１０μｍ程度
大きい形状にパターニングされている。すなわち、ヨー
クコアを形成するためのリアクティブイオンエッチング
において不必要な部分を隠蔽するようにパターニングさ
れている。これにより、上記Ｃｒマスクとエッチングガ
スとの接触面積が非常に小さくなり、エッチングの妨げ
となる上記Ｃｒマスクとエッチングガスとの反応による
重合物の発生が抑制される。その結果、ＳｉＯ₂は、Ｃ
ｒマスク形成面に対して垂直にエッチングされ、また、
所定のエッチング量が確実にエッチングされる。

【００５５】最後に、ノボラック樹脂系レジスト１５を
剥離する。これにより、図１９及び図２０に示すように
ＳｉＯ₂膜１２のうち、ヨークコア６ａ，６ｂとなる部
分が除去された状態となる。

【００５６】また、ノボラック樹脂系レジスト１５は、
この時点で必ずしも剥離しなくても良い。その場合は、
後述する磁性膜をスパッタリングにより被着後、磁性膜
を機械研磨する際に剥離すればよい。

【００５７】次に、図２１及び図２２に示すように、ス
パッタリングにより、全面に磁性材料を被着させて、ヨ
ークコア６ａ，６ｂとなる磁性膜６を形成する。このと
き、スパッタリングは、平行板を用いたコリメーション
スパッタリングによることが好ましい。コリメーション
スパッタリングを行うことで、磁性材料の基板への入射
角を制御して、凹部分への膜の付き回りが改善され、凹
部分の角部の空洞化が防がれ、ＭＲヘッドとしての特性
を向上することができる。

【００５８】次に、図２３及び図２４に示すように、こ
の磁性膜６の表面を全面機械研磨し、ヨークコア形成部
以外の磁性膜６及びＣｒマスクを除去する。これによ
り、最終的にヨークコア６ａ，６ｂとなる磁性膜６が、
ＳｉＯ₂膜１２中に埋め込まれた状態となる。ここで、
ヨークコア６ａ，６ｂの厚みは、所定の厚み、例えば約
２．０μｍとする。

【００５９】次に、図２５に示すように、スパッタリン
グにより、絶縁材料を全面に被着させて絶縁膜１６を形
成し、その表面にバフ研磨を施す。この絶縁膜１６は、
ヨークコア６ａ，６ｂとＭＲ素子との間の絶縁を図るも
のである。この絶縁膜１６には、例えばＡｌ₂Ｏ₃やＳｉ
Ｏ₂等が用いられる。

【００６０】次に、図２６に示すように、この絶縁膜１
６上に、磁気抵抗効果素子７を形成する。

【００６１】具体的に、磁気抵抗効果素子７を形成する
には、まず、絶縁膜１６上に、フォトレジストにより、
磁気抵抗効果素子７となる部分に開口部を有するマスク
を形成する。次に、ＳＡＬバイアス方式の磁気抵抗効果
素子７を構成する薄膜（以下、磁気抵抗効果素子用薄膜
と称する。）を全面に成膜する。

【００６２】具体的には、磁気抵抗効果素子用薄膜は、
例えば、Ｔａ／ＮｉＦｅＮｂ／Ｔａ／ＮｉＦｅ／Ｔａ
を、この順にスパッタリングにより順次成膜して形成す
る。この場合は、ＮｉＦｅが、磁気抵抗効果を有する磁
気抵抗効果膜であり、ＭＲヘッド素子３の感磁部とな
る。また、ＮｉＦｅＮｂが、磁気抵抗効果膜に対してバ
イアス磁界を印加するための軟磁性膜（いわゆるＳＡＬ
膜）となる。なお、磁気抵抗効果素子７の材料等は、上
記の例に限るものではなく、システムの要求等に応じて
適切なものを用いるようにすればよい。

【００６３】最後に、上記フォトレジストを、当該フォ
トレジスト上に形成された磁気抵抗効果素子用薄膜とと
もに剥離する。これにより、図２６に示したように、絶
縁膜１５上に磁気抵抗効果素子７が形成される。

【００６４】次に、図２７及び図２８に示すように、磁
気抵抗効果素子７にセンス電流を供給するための第１の
引き出し導体８ａ，８ｂを形成する。

【００６５】具体的に、第１の引き出し導体８ａ，８ｂ
を形成するには、まず、絶縁膜１６及び磁気抵抗効果素
子７上に、フォトレジストにより、第１の引き出し導体
８ａ，８ｂとなる部分に開口部を有するマスクを形成す
る。次に、第１の引き出し導体８ａ，８ｂとなる導電性
膜を全面に成膜する。

【００６６】最後に、上記フォトレジストを、当該フォ
トレジスト上に形成された導電性膜とともに剥離する。
これにより、図２７及び図２８に示したように、磁気抵
抗効果素子７の両端部に第１の引き出し導体８ａ，８ｂ
が形成される。

【００６７】次に、図２９に示すように、第２の引き出
し導体９ａ，９ｂを、上記第１の引き出し導体８ａ，８
ｂの端部上に形成する。

【００６８】具体的には、例えば、まず、フォトレジス
トにより、第２の引き出し導体９ａ，９ｂとなる部分に
開口部を有するマスクを形成し、上記第１の引き出し導
体８ａ，８ｂの、磁気抵抗効果素子７と接続された端部
とは反対側の端部を露出させる。

【００６９】次に、フォトレジストのマスクをそのまま
残した状態で、その上に導電性膜を成膜する。ここで、
導電膜としては、例えば、硫酸銅溶液を用いた電解メッ
キにより、Ｃｕからなる導電性膜を形成する。なお、こ
の導電性膜の形成方法は、他の膜に影響を与えないもの
であれば、電解メッキ以外の方法でもよい。その後、マ
スクとなっていたフォトレジストを、当該フォトレジス
ト上に成膜された導電性膜とともに除去する。これによ
り、図２９に示したように、第１の引き出し導体８ａ，
８ｂの端部に第２の引き出し導体９ａ，９ｂが形成され
た状態となる。

【００７０】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図３０に示すように、外部回路と接続するための外部端
子１０ａ，１０ｂを、上記第２の引き出し導体９ａ，９
ｂの端部上に形成する。

【００７１】具体的には、例えば、まず、フォトレジス
トにより、外部端子１０ａ，１０ｂとなる部分に開口部
を有するマスクを形成し、上記第２の引き出し導体９
ａ，９ｂの、第１の引き出し導体８ａ，８ｂと接続され
た端部とは反対側の端部を露出させる。

【００７２】次に、フォトレジストのマスクをそのまま
残した状態で、その上に導電性膜を成膜する。ここで、
導電膜としては、例えば、硫酸銅溶液を用いた電解メッ
キにより、Ｃｕからなる導電性膜を形成する。なお、こ
の導電性膜の形成方法は、他の膜に影響を与えないもの
であれば、電解メッキ以外の方法でもよい。その後、マ
スクとなっていたフォトレジストを、当該フォトレジス
ト上に成膜された導電性膜とともに除去する。これによ
り、図３０に示したように、外部端子１０ａ、１０ｂ
は、第２の引き出し導体９ａ，９ｂの端部に形成され
る。

【００７３】次に、図３１に示すように、ＲＦバイアス
スパッタリングにより、Ａｌ₂Ｏ₃を全面に被着させて保
護膜４を形成する。そして、図３２に示すように、保護
膜４の表面に対して機械研磨を施し、保護膜４の表面の
平面出しを行うとともに、外部端子１０ａ，１０ｂを保
護膜４上に露出させる。

【００７４】次に、図３３に示すように、ＭＲヘッド素
子３が形成された第１の基板２上に、ガード材となる第
２の基板５を張り付ける。第２の基板５の貼り付けに
は、例えば樹脂等の接着剤が用いられる。このとき、こ
の第２の基板５の長さｔ₁を第１の基板２の長さｔ₂より
も短くして、ＭＲヘッド素子３の外部端子１０ａ，１０
ｂを露出させて外部端子１０ａ，１０ｂへの接続が行え
るようにする。また、この第２の基板５には、比抵抗の
大きな硬質の材料が使用される。この第２の基板５に用
いられる比抵抗の大きな硬質の材料としては、例えばチ
タン酸カルシウム材等が挙げられる。

【００７５】最後に、図３４に示すように、磁気記録媒
体との摺動面となる面１ａに対して、ヨークコア６ａ，
６ｂの一端部が露出するまで研磨を施す。

【００７６】以上の工程を経ることにより、図１に示し
たようなＭＲヘッド１が完成する。このＭＲヘッド１
を、例えばヘリカルスキャンテープシステムにおいて使
用する際は、図３５に示すように、回転ドラム２０に取
り付けられて使用される。

【００７７】上述したようなＭＲヘッド１は、例えばヘ
リカルスキャニング方式等、テープ状の磁気記録媒体と
高速で摺動して情報の記録再生を行うシステムに用いら
れたときに、磁気抵抗効果素子の摩耗に起因する課題を
効果的に解決することができ、特に有効である。しか
し、このＭＲヘッド１は、ディスク状の磁気記録媒体と
摺動して情報の記録再生を行うシステムに用いることも
可能である。

【００７８】なお、上述した実施の形態では、磁気ギャ
ップを構成するＳｉＯ₂膜をエッチングする際に、Ｃｒ
からなるマスクを用いた場合を例に挙げて説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、リアクティブ
イオンエッチングに対する選択性が、ＳｉＯ₂に比べて
大きな金属であれば種々の材をマスクとして用いること
ができる。このような、リアクティブイオンエッチング
に対する選択性がＳｉＯ₂に比べて大きな材料として
は、例えばＣｏＺｒＮｂアモルファス等が挙げられ、Ｃ
ｒの場合と同様の結果が得られる。

【００７９】また、上述した実施の形態では、異方性磁
気抵抗効果を有する軟磁性材料を膜にした磁気抵抗効果
素子を用いたＭＲヘッドを例に挙げて説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、複数の薄膜が積層
された多層構造をとることにより巨大磁気抵抗効果を有
する巨大磁気抵抗効果素子を用いたＭＲヘッドについて
も適用可能である。

【００８０】さらに、上述した実施の形態では、磁気抵
抗効果を利用したＭＲヘッドを製造する場合を例に挙げ
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、電磁誘導を利用したインダクティブ型磁気ヘッドを
製造する場合にも適用可能である。

【００８１】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
るエッチング方法によれば、金属材料とノボラック樹脂
系レジストとを組み合わせてマスクとして用いることに
より、エッチングにおいて有害な重合物の生成を抑制す
ることができるため、微細な形状を簡便かつ確実に形成
することができる。

【００８２】また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
によれば、一対のヨークコアが同一面上に形成されるた
め、ヨークコアを均一の厚みとし、オフトラック特性等
の劣化の少ないＭＲヘッドを得ることができる。また、
この磁気ヘッドの製造方法では、一対のヨークコアを同
時に形成することができるため、工程が非常に簡単なも
のとなる。さらに、この磁気ヘッドの製造方法では、ヨ
ークコアの厚みを薄くして、磁気ギャップの幅を小さ
く、すなわちトラック幅を小さくすることができる。

【００８３】したがって、本発明に係る磁気ヘッドの製
造方法によれば、高記録密度化に対応した磁気ヘッド
を、より簡便にかつ高精度に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係るＭＲヘッドの一構成例を示
す斜視図である。

【図２】図１のＭＲヘッドの要部を抜き出して示す斜視
図である。

【図３】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、第
１の基板上に第１のＣｒ膜とＳｉＯ₂膜と第２のＣｒ膜
とが形成された状態を示す斜視図である。

【図４】図３中、Ｘ₁−Ｘ₂線における断面図である。

【図５】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、第
２のＣｒ膜上に電子線レジストを塗布した状態を示す斜
視図である。

【図６】図５中、Ｘ₃−Ｘ₄線における断面図である。

【図７】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、電
子線レジストを現像してマスクパターンを形成した状態
を示す斜視図である。

【図８】図７中、Ｘ₅−Ｘ₆線における断面図である。

【図９】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、電
子線レジストによるマスクパターンをマスクとして第２
のＣｒ膜をエッチングした状態を示す斜視図である。

【図１０】図９中、Ｘ₇−Ｘ₈線における断面図である。

【図１１】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
第２のＣｒ膜が所定形状にパターニングされた状態を示
す斜視図である。

【図１２】図１１中、Ｘ₉−Ｘ₁₀線における断面図であ
る。

【図１３】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
所定形状にパターニングされた第２のＣｒ膜上にノボラ
ック樹脂系レジストを塗布した状態を示す斜視図であ
る。

【図１４】図１３中、Ｘ₁₁−Ｘ₁₂線における断面図であ
る。

【図１５】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
ノボラック樹脂系レジストが所定形状にパターニングさ
れた状態を示す斜視図である。

【図１６】図１５中、Ｘ₁₃−Ｘ₁₄線における断面図であ
る。

【図１７】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
第２のＣｒ膜とノボラック樹脂系レジストとをマスクと
してＳｉＯ₂膜をエッチングした状態を示す斜視図であ
る。

【図１８】図１７中、Ｘ₁₅−Ｘ₁₆線における断面図であ
る。

【図１９】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
ＳｉＯ₂膜が所定形状にエッチングされた状態を示す斜
視図である。

【図２０】図１９中、Ｘ₁₇−Ｘ₁₈線における断面図であ
る。

【図２１】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
全面に磁性膜を形成した状態を示す斜視図である。

【図２２】図２１中、Ｘ₁₉−Ｘ₂₀線における断面図であ
る。

【図２３】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
磁性膜の表面を研磨した状態を示す斜視図である。

【図２４】図２３中、Ｘ₂₁−Ｘ₂₂線における断面図であ
る。

【図２５】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
絶縁膜を形成した状態を示す斜視図である。

【図２６】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
絶縁膜上に磁気抵抗効果素子を形成した状態を示す斜視
図である。

【図２７】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
絶縁膜上に第１の引き出し導体を形成した状態を示す斜
視図である。

【図２８】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
絶縁膜上に第１の引き出し導体を形成した状態を示す斜
視図である。

【図２９】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
第１の引き出し導体の端部に第２の引き出し導体を形成
した状態を示す斜視図である。

【図３０】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
第２の引き出し導体の端部に外部端子を形成した状態を
示す斜視図である。

【図３１】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
保護膜を形成した状態を示す斜視図である。

【図３２】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
保護膜表面の平面出しを行い、外部端子を露出させた状
態を示す斜視図である。

【図３３】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
第１の基板上に第２の基板を張り付けた状態を示す斜視
図である。

【図３４】ＭＲヘッドの製造方法を説明する図であり、
磁気記録媒体との摺動面となる面に対して研磨を施した
状態を示す斜視図である。

【図３５】ＭＲヘッドが回転ドラム上に搭載された様子
を示す斜視図である。

【図３６】従来の磁気ギャップの第１の形成方法を説明
する図であり、基板上にＣｒ膜とＳｉＯ₂膜とを成膜し
た状態を示す断面図である。

【図３７】従来の磁気ギャップの第１の形成方法を説明
する図であり、ＳｉＯ₂膜上に塗布したレジストを所定
形状にパターニングした状態を示す断面図である。

【図３８】従来の磁気ギャップの第１の形成方法を説明
する図であり、ＳｉＯ₂膜をエッチングした状態を示す
断面図である。

【図３９】従来の磁気ギャップの第１の形成方法を説明
する図であり、ギャップ膜を全面に成膜した状態を示す
断面図である。

【図４０】従来の磁気ギャップの第１の形成方法を説明
する図であり、レジストをギャップ膜とともに剥離した
状態を示す断面図である。

【図４１】従来の磁気ギャップの第１の形成方法を説明
する図であり、残存しているＳｉＯ₂膜を除去した状態
を示す断面図である。

【図４２】従来の磁気ギャップの第１の形成方法を説明
する図であり、磁性膜を全面に成膜した状態を示す断面
図である。

【図４３】従来の磁気ギャップの第１の形成方法を説明
する図であり、ギャップ膜が基板に対して略垂直となる
ように形成された状態を示す斜視図である。

【図４４】図４３中、Ｙ₁−Ｙ₂線における断面図であ
る。

【図４５】従来の磁気ギャップの第１の形成方法を説明
する図であり、基板上に第１の磁性膜を成膜した状態を
示す断面図である。

【図４６】従来の磁気ギャップの第２の形成方法を説明
する図であり、第１の磁性膜上に塗布したレジストを所
定形状にパターニングした状態を示す斜視図である。

【図４７】図４６中、Ｙ₃−Ｙ₄線における断面図であ
る。

【図４８】従来の磁気ギャップの第２の形成方法を説明
する図であり、マスクパターンをマスクとして第１の磁
性膜をエッチングした状態を示す断面図である。

【図４９】従来の磁気ギャップの第２の形成方法を説明
する図であり、レジストを除去して一方のヨークコアが
形成された状態を示す断面図である。

【図５０】図４９中、Ｙ₅−Ｙ₆線における断面図であ
る。

【図５１】従来の磁気ギャップの第２の形成方法を説明
する図であり、全面にギャップ膜を成膜した状態を示す
断面図である。

【図５２】従来の磁気ギャップの第２の形成方法を説明
する図であり、ギャップ膜上に第２の磁性膜を成膜した
状態を示す断面図である。

【図５３】従来の磁気ギャップの第２の形成方法を説明
する図であり、第２の磁性膜の表面を研磨して、ギャッ
プ膜が基板に対して略垂直に形成された状態を示す斜視
図である。

【図５４】図５３中、Ｙ₇−Ｙ₈線における断面図であ
る。

【符号の説明】

０ ＭＲヘッド、２ 第１の基板、３ ＭＲヘッド素
子、４ 保護膜、５ 第２の基板、６ａ，６ｂ ヨーク
コア、７ 磁気抵抗効果素子、８ａ，８ｂ 第１の引き
出し導体、９ａ，９ｂ 第２の引き出し導体、１０ａ，
１０ｂ 外部端子

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リアクティブイオンエッチングによりエ
   ッチングをするに際し、 被エッチング材上に、当該被
   エッチング材よりもリアクティブイオンエッチングにお
   いてエッチングされにくい金属材料からなる高選択性膜
   を成膜する高選択性膜成膜工程と、 上記高選択性膜成膜工程で成膜された上記高選択性膜を
   所定形状にパターニングするパターニング工程と、 上記パターニング工程で所定形状にパターニングされた
   上記高選択性膜上に、ノボラック樹脂系材料からなるレ
   ジストを形成するノボラック樹脂系レジスト形成工程
   と、 上記パターニング工程で所定形状にパターニングされた
   上記高選択性膜をマスクとして、上記被エッチング材を
   リアクティブイオンエッチングによりエッチングするエ
   ッチング工程とを有することを特徴とするエッチング方
   法。
2. 【請求項２】 上記パターニング工程は、 上記被エッチング材上にレジストを塗布するレジスト塗
   布工程と、 上記レジスト塗布工程で塗布された上記レジストを露光
   して当該レジスト中に所定パターンの潜像を形成する露
   光工程と、 上記露光工程でパターン潜像が形成されたレジストを現
   像してマスクパターンとする現像工程と、 上記現像工程で得られた上記マスクパターンをマスクと
   して上記高選択性膜をエッチングするエッチング工程と
   を有することを特徴とする請求項１記載のエッチング方
   法。
3. 【請求項３】 上記レジストは、電子線レジストであ
   り、上記露光工程では、電子線露光装置を用いて露光す
   ることを特徴とする請求項２記載のエッチング方法。
4. 【請求項４】 上記ノボラック樹脂系レジスト形成工程
   は、 上記パターニング工程で所定の形状にパターニングされ
   た上記高選択性膜上にノボラック樹脂系レジストを塗布
   するノボラック樹脂系レジスト塗布工程と、 上記ノボラック樹脂系レジスト塗布工程で塗布された上
   記ノボラック樹脂系レジストを露光して当該レジスト中
   に所定パターン潜像を形成する露光工程と、 上記露光工程でパターン潜像が形成されたノボラック樹
   脂系レジストを現像してマスクパターンとする現像工程
   とを有することを特徴とする請求項１記載のエッチング
   方法。
5. 【請求項５】 基板と、上記基板上に形成され相対向し
   て配された一対のヨークコアとを備え、上記一対のヨー
   クコアの対向面に非磁性材が配されて磁気ギャップが形
   成されてなる磁気ヘッドを製造するに際し、 上記基板上に上記非磁性材からなる非磁性膜を成膜する
   非磁性膜成膜工程と、 上記非磁性膜成膜工程で成膜された上記非磁性膜上に、
   当該非磁性膜よりもリアクティブイオンエッチングにお
   いてエッチングされにくい金属材料からなる高選択性膜
   を成膜する高選択性膜成膜工程と、 上記高選択性膜成膜工程で成膜された上記高選択性膜を
   所定形状にパターニングするパターニング工程と、 上記パターニング工程で所定形状にパターニングされた
   上記高選択性膜上に、ノボラック樹脂系材料からなるレ
   ジストを形成するノボラック樹脂系レジスト形成工程
   と、 上記パターニング工程で所定形状にパターニングされた
   上記高選択性膜をマスクとして、上記非磁性膜をリアク
   ティブイオンエッチングによりエッチングするエッチン
   グ工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方
   法。
6. 【請求項６】 上記非磁性材は、ＳｉＯ₂であることを
   特徴とする請求項５記載の磁気ヘッドの製造方法。
7. 【請求項７】 上記非磁性膜よりもリアクティブイオン
   エッチングに対する選択比の大きい材料は、Ｃｒ、Ｎｉ
   Ｆｅ及びＣｏＺｒＮｂからなる群より選ばれた金属材料
   であることを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッドの製
   造方法。
8. 【請求項８】 上記パターニング工程は、 上記高選択性膜上にレジストを塗布するレジスト塗布工
   程と、 上記レジスト塗布工程で塗布された上記レジストを露光
   して当該レジスト中に所定パターンの潜像を形成する露
   光工程と、 上記露光工程でパターン潜像が形成されたレジストを現
   像してマスクパターンとする現像工程と、 上記現像工程で得られた上記マスクパターンをマスクと
   して上記高選択性膜をエッチングするエッチング工程と
   を有することを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッドの
   製造方法。
9. 【請求項９】 上記レジストは、電子線レジストであ
   り、上記露光工程では、電子線露光装置を用いて露光す
   ることを特徴とする請求項８記載の磁気ヘッドの製造方
   法。
10. 【請求項１０】 上記ノボラック樹脂系レジスト形成工
    程は、 上記パターニング工程で所定の形状にパターニングされ
    た上記高選択性膜上にノボラック樹脂系レジストを塗布
    するノボラック樹脂系レジスト塗布工程と、 上記ノボラック樹脂系レジスト塗布工程で塗布された上
    記ノボラック樹脂系レジストを露光して当該レジスト中
    に所定パターン潜像を形成する露光工程と、 上記露光工程でパターン潜像が形成されたノボラック樹
    脂系レジストを現像してマスクパターンとする現像工程
    とを有することを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッド
    の製造方法。
11. 【請求項１１】 上記磁気ヘッドは、少なくとも両端部
    が上記一対のヨークコアと磁気的に接続された略長方形
    状の磁気抵抗効果素子を備え、磁気記録媒体からの磁束
    を、上記ヨークコアによって上記磁気抵抗効果素子へと
    導くヨーク型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドであることを
    特徴とする請求項５記載の磁気ヘッドの製造方法。
12. 【請求項１２】 上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、ヘ
    リカルスキャンテープシステムに搭載されて用いられる
    ものであることを特徴とする請求項１１記載の磁気ヘッ
    ドの製造方法。