JP2000267064A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶パネルの負荷の大きさに対応した駆動能
力に調整が可能なドライバＩＣを提供する。。 【解決手段】 水平ドライバＩＣのバイアス回路部２０
のバイアス電流源２１としてオン抵抗Ｒ１−Ｒ２，Ｒ２
（Ｒ２＜Ｒ１）を有する直列接続のバイアス電流源用Ｐ
チャネルＭＯＳトランジスタＱ３１，Ｑ３２を設け、Ｍ
ＯＳトランジスタＱ３１のソースおよびドレインにバイ
アス調整端子２７，２８を接続して、液晶パネルの負荷
の大きさに応じてバイアス調整端子２７，２８間を開放
状態、短絡状態、または外付け抵抗２９により調整する
ことにより、水平ドライバＩＣを液晶パネルの負荷の大
きさに応じて適正に駆動することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置に関し、特に駆動すべき液晶パネルのデータ線に接続
されるボルテージホロワ接続の演算増幅器のバイアス電
流を調整可能とした半導体集積回路装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置において、液晶パネルのデ
ータ線を駆動する水平ドライバＩＣの出力段には、デー
タ信号に基づく階調電圧をインピーダンス変換して液晶
パネルに駆動電圧として出力するために、ボルテージホ
ロワ接続の演算増幅器とこの演算増幅器に含まれるＭＯ
Ｓトランジスタにバイアス電流を流すためのバイアス回
路部とを備えている。液晶パネルを駆動するとき、全画
面に同一色を出力する場合でも液晶の寿命を伸ばすため
にドット反転駆動の場合はドットごと、ライン反転駆動
の場合はラインごとに正電圧と負電圧を交互に印加しな
ければならないので、演算増幅器からは負電圧から正電
圧の立ち上がり波形と正電圧から負電圧の立ち下がり波
形の電圧が出力される。この立ち上がり波形および立ち
下がり波形は液晶パネルへの書き込みが正常に行なわれ
るためには傾きが急峻であることが要求される。この立
ち上がり波形および立ち下がり波形は液晶パネルの負荷
が大きくなるに従い、または、演算増幅器に含まれるＭ
ＯＳトランジスタのバイアス電流が小さくなるに従い緩
やかな傾きとなり、逆に液晶パネルの負荷が小さくなる
に従い、または、演算増幅器に含まれるＭＯＳトランジ
スタのバイアス電流が大きくなるに従い急な傾きとな
る。したがって、液晶パネルへの書き込みが正常に行な
われ、かつ、バイアス電流による消費電流が小さくなる
適正な立ち上がり波形および立ち下がり波形の傾きとす
るには、液晶パネルの負荷の大きさに応じて演算増幅器
のバイアス電流を増減する必要があり、例えば、負荷が
より大きくなれば演算増幅器はバイアス電流をより大き
く、負荷がより小さくなれば演算増幅器はバイアス電流
をより小さくする必要がある。水平ドライバＩＣには、
この液晶パネルの負荷の大きさに応じて演算増幅器に複
数段階のバイアス電流を切換えて流すためのバイアス回
路部が従来から使用されている。

【０００３】上記の従来のバイアス回路部について詳し
く説明するに先立ち、上記の演算増幅器について簡単に
触れておく。図６に示す１例は立ち上がり専用演算増幅
器１と立ち下がり専用演算増幅器２との２アンプ方式
で、演算増幅器１の回路例は図８に、演算増幅器２の回
路例は図９に示し、演算増幅器１には演算増幅器１のＮ
チャネルＭＯＳトランジスタＱ５，Ｑ７にバイアス電圧
を供給する端子３を有し、演算増幅器２には演算増幅器
２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１５，Ｑ１７にバ
イアス電圧を供給する端子４を有している。演算増幅器
１のＭＯＳトランジスタＱ５および演算増幅器２のＱ１
５に流れるバイアス電流が大きくなるに従いそれぞれの
波形の傾きは急峻となり、逆に小さくなるに従いそれぞ
れの波形の傾きは緩やかとなる。波形図７に示す他例は
立ち上がり波形と立ち下がり波形の両方をひとつの演算
増幅器５で出力する１アンプ方式で、演算増幅器５の回
路例は図示しないが基本的には図８および図９の回路を
一体化した回路で、演算増幅器５には図６に示す端子
３，４に相当するバイアス電圧を供給する端子６，７を
有している。

【０００４】次に従来のバイアス回路部を図５を参照し
て説明する。図において、バイアス回路部１０は、バイ
アス電流源１１とバイアス電圧取出し回路１２とを備え
ている。バイアス電流源１１は、相異なるオン抵抗Ｒ
１，Ｒ２（Ｒ１＞Ｒ２）を有する並列接続のバイアス電
流源用ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ２１，Ｑ２２
と、インバータ１３と、バイアス切り換え端子１４とを
有している。ＭＯＳトランジスタＱ２１，Ｑ２２はソー
スを高電圧側端子ＶDDに接続し、ドレインをバイアス電
圧取出し回路１２に接続し、ゲートをＭＯＳトランジス
タＱ２２のゲートはインバータ１３を介してＭＯＳトラ
ンジスタＱ２１のゲートに共通接続してバイアス切り換
え端子１４に接続している。

【０００５】バイアス電圧取出し回路１２は、バイアス
電流源１１と低電圧側端子ＶSS間に接続されたＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタＱ２３と、ＭＯＳトランジスタＱ
２３にミラー接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタ
Ｑ２４と、高電圧側端子ＶDDと低電圧側端子ＶSS間にＭ
ＯＳトランジスタＱ２４とで直列接続されたＰチャネル
ＭＯＳトランジスタＱ２５と、ＭＯＳトランジスタＱ２
５にミラー接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ
２６と、高電圧側端子ＶDDと低電圧側端子ＶSS間にＭＯ
ＳトランジスタＱ２６とで直列接続されたＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタＱ２７とを有している。ＭＯＳトラン
ジスタＱ２３は、ドレインをＭＯＳトランジスタＱ２
１，Ｑ２２のドレインに接続し、ソースを低電圧側端子
ＶSSに接続し、ドレインとゲートとを短絡させてダイオ
ード接続している。ＭＯＳトランジスタＱ２４は、ドレ
インをＭＯＳトランジスタＱ２５のドレインに接続し、
ソースを低電圧側端子ＶSSに接続し、ゲートをＭＯＳト
ランジスタＱ２３のゲートに接続している。ＭＯＳトラ
ンジスタＱ２５は、ソースを高電圧側端子ＶDDに接続
し、ドレインとゲートとを短絡させてダイオード接続し
て演算増幅器のＰチャネルＭＯＳトランジスタのバイア
ス電圧を取出すための端子１５に接続している。ＭＯＳ
トランジスタＱ２６は、ソースを高電圧側端子ＶDDに接
続し、ドレインをＭＯＳトランジスタＱ２７のドレイン
に接続し、ゲートをＭＯＳトランジスタＱ２５のゲート
に接続している。ＭＯＳトランジスタＱ２７は、ソース
を低電圧側端子ＶSSに接続し、ドレインとゲートとを短
絡させてダイオード接続して演算増幅器のＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタのバイアス電圧を取出すための端子１
６に接続している。バイアス回路部１０の演算増幅器へ
の接続は、２アンプ方式の場合、演算増幅器１の端子３
に端子１６で行うと共に演算増幅器２の端子４に端子１
５で行い、１アンプ方式の場合、演算増幅器５の端子６
に端子１６で行うと共に演算増幅器５の端子７に端子１
５で行っている。

【０００６】次に上記のバイアス回路部１０の動作を説
明する。バイアス切り換え端子１４にＬ入力されるとＭ
ＯＳトランジスタＱ２１がＯＮ動作してバイアス電流源
１１の抵抗はＭＯＳトランジスタＱ２１のＯＮ抵抗Ｒ１
（＞Ｒ２）となり、バイアス電流源１１にはＯＮ抵抗Ｒ
１に対応した電流がＯＮ抵抗Ｒ２に対応した場合より小
さい電流で流れ、バイアス電圧取出し回路１２からはＯ
Ｎ抵抗Ｒ２に対応した場合より端子１５により小さい
（ＶDDにより近い）バイアス電圧が供給され、端子１６
により小さい（ＶSSにより近い）バイアス電圧が供給さ
れる。バイアス切り換え端子１４にＨ入力されるとＭＯ
ＳトランジスタＱ２２がＯＮ動作してバイアス電流源１
１の抵抗はＭＯＳトランジスタＱ２２のＯＮ抵抗Ｒ２
（＜Ｒ１）となり、バイアス電流源１１にはＯＮ抵抗Ｒ
２に対応した電流がＯＮ抵抗Ｒ１に対応した場合より大
きい電流で流れ、バイアス電圧取出し回路１２からはＯ
Ｎ抵抗Ｒ１に対応した場合より端子１５に、より大きい
（ＶDDからより遠い）バイアス電圧が供給され、端子１
６に、より大きい（ＶSSからより遠い）バイアス電圧が
供給される。

【０００７】従って、バイアス電流源１１のＯＮ抵抗Ｒ
１にマッチングする比較的小さい負荷の液晶パネルとバ
イアス電流源１１のＯＮ抵抗Ｒ２にマッチングする比較
的大きい負荷の液晶パネルとがあるとき、このバイアス
回路部１０を有する水平ドライバＩＣに接続される液晶
パネルが前者のときバイアス切り換え端子１４にＬ入力
してバイアス電流源１１の抵抗としてＭＯＳトランジス
タＱ２１のＯＮ抵抗Ｒ１（＞Ｒ２）を選択すると、演算
増幅器の出力は液晶パネルの負荷に対応する比較的小さ
い駆動能力となり、後者のときバイアス切り換え端子１
４にＨ入力してバイアス電流源１１の抵抗としてＭＯＳ
トランジスタＱ２２のＯＮ抵抗Ｒ２（＜Ｒ１）を選択す
ると、演算増幅器の出力は液晶パネルの負荷に対応する
比較的大きい駆動能力となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のバイ
アス回路は複数個（図５では２個）の限られたバイアス
電流源用ＭＯＳトランジスタを切換えてバイアス電流源
の電流値を変えることにより演算増幅器のバイアス電流
値を変え演算増幅器出力の駆動能力を変えているため、
演算増幅器出力の駆動能力の変化量が限られており、液
晶パネルの大きさを変更したときや、液晶パネルの製造
ばらつきによって、液晶パネルの抵抗または容量負荷が
変化したとき、演算増幅器出力の駆動能力を適正値に切
換えることができず不足または過度となり、不足の場合
は出力波形の立ち上がりおよび立ち下がり波形の傾きが
緩やかとなって液晶パネルへの書き込みが間に合わず液
晶パネルの表示異常になり、過度の場合は演算増幅器の
バイアス電流による消費電流が大きくなるという問題が
あった。従って、本発明は上記の問題点を解決するため
になされたもので、液晶パネルの大きさを変更したとき
や、液晶パネルの製造ばらつきに対応してバイアス回路
のバイアス電流源の電流を調整可能とした半導体集積回
路装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】（１）本発明に係わる半
導体集積回路装置は、駆動すべき液晶パネルのデータ線
に出力端子を介して接続されるボルテージホロワ接続の
演算増幅器と、この演算増幅器にバイアス電圧を供給す
るバイアス回路部とを備えた半導体集積回路装置におい
て、前記バイアス回路部に前記バイアス電圧を調整する
複数のバイアス調整端子を設け、これら端子間を開放状
態、短絡状態または外付け抵抗接続状態に選択可能とし
たことを特徴とする。 （２）本発明に係わる半導体集積回路装置は上記（１）
項において、前記バイアス回路がバイアス電流源として
直列接続した複数個のＭＯＳトランジスタを有し、前記
バイアス調整端子が前記ＭＯＳトランジスタのうち少な
くとも１個のＭＯＳトランジスタのソースおよびドレイ
ンに接続されていることを特徴とする。 （３）本発明に係わる半導体集積回路装置は上記（１）
項において、前記演算増幅器が立ち上がり波形と立ち下
がり波形の両方を出力する１アンプ方式である。 （４）本発明に係わる半導体集積回路装置は上記（１）
項において、前記演算増幅器が立ち上がり用演算増幅器
と立ち下がり用演算増幅器とからなる２アンプ方式であ
ることを特徴とする。 （５）本発明に係わる半導体集積回路装置は上記（３）
項において、前記バイアス回路が前記演算増幅器の立ち
上がり波形用バイアス電圧と立ち下がり波形用バイアス
電圧とを取出すバイアス電圧取出し回路を有することを
特徴とする。 （６）本発明に係わる半導体集積回路装置は上記（４）
項において、前記バイアス回路が前記立ち上がり用演算
増幅器と立ち下がり用演算増幅器演算増幅器へのバイア
ス電圧を取出すバイアス電圧取出し回路を有することを
特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に基づき、液晶表
示装置において、液晶パネルを駆動する第１実施例の半
導体集積回路装置である水平ドライバＩＣを液晶パネル
のデータ線３８４本分の駆動能力を有するものとして図
１および図３を参照して説明する。尚、図５乃至図７と
同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。図
１において、水平ドライバＩＣ１００は出力段にデータ
線３８４本に対応し図７に示したのと同一の１アンプ方
式のボルテージホロワ接続の３８４個の演算増幅器５
と、各演算増幅器５の出力にそれぞれ接続された３８４
個の出力端子８と、各演算増幅器５に共通のバイアス回
路部２０と、バイアス回路部２０に接続されたバイアス
調整端子２７，２８とを備え、各演算増幅器５の入力は
水平ドライバＩＣ１００内の図示しないシフトレジス
タ、データレジスタ、ラッチ、レベルシフタ及びＤ／Ａ
コンバータを順次段接続した前段回路のＤ／Ａコンバー
タの出力に接続されている。このドライバＩＣ１００は
ドット反転駆動にでもライン反転駆動にでも用いること
ができる。

【００１１】バイアス回路部２０は図３に示すように、
バイアス電流源２１と従来のバイアス回路部１０に備え
られたのと同一のバイアス電圧取出し回路１２とを備え
ている。バイアス電流源２１は、オン抵抗Ｒ１−Ｒ２，
Ｒ２（Ｒ２＜Ｒ１）を有する直列接続のバイアス電流源
用ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ３１，Ｑ３２を有し
ている。ＭＯＳトランジスタＱ３１はソースを高電圧側
端子ＶDDに接続し、ドレインをＭＯＳトランジスタＱ３
２のソースに接続し、ゲートを低電圧側端子ＶSSに接続
している。ＭＯＳトランジスタＱ３２はドレインをバイ
アス電圧取出し回路１２のＭＯＳトランジスタＱ２３の
ドレインに接続し、ゲートを低電圧側端子ＶSSに接続し
ている。バイアス調整端子２７，２８は ＭＯＳトラン
ジスタＱ３１のソースおよびドレインに接続している。
バイアス回路部２０の演算増幅器５への接続は、端子６
に端子１６と端子７に端子１５とで行っている。

【００１２】次に上記のバイアス回路部２０の動作を説
明する。バイアス調整端子２７，２８間に外付け抵抗を
接続せず開放状態とすると、ＭＯＳトランジスタＱ３
１，Ｑ３２がＯＮ動作してバイアス電流源２１の抵抗は
ＭＯＳトランジスタＱ３１のＯＮ抵抗Ｒ１−Ｒ２とＭＯ
ＳトランジスタＱ３２のＯＮ抵抗Ｒ２の和Ｒ１（＞Ｒ
２）となり、バイアス電流源２１にはＯＮ抵抗Ｒ１に対
応した電流がＯＮ抵抗Ｒ２に対応した場合より小さい電
流で流れ、バイアス電圧取出し回路１２からはＯＮ抵抗
Ｒ２に対応した場合より端子１５に、より小さい（ＶDD
により近い）バイアス電圧が供給され、端子１６に、よ
り小さい（ＶSSにより近い）バイアス電圧が供給され
る。

【００１３】バイアス調整端子２７，２８間を短絡状態
とすると、 ＭＯＳトランジスタＱ３１は短絡されＭＯ
ＳトランジスタＱ３２がＯＮ動作してバイアス電流源２
１の抵抗はＭＯＳトランジスタＱ３２のＯＮ抵抗Ｒ２
（＜Ｒ１）となり、バイアス電流源２１にはＯＮ抵抗Ｒ
２に対応した電流がＯＮ抵抗Ｒ１に対応した場合より大
きい電流で流れ、バイアス電圧取出し回路１２からはＯ
Ｎ抵抗Ｒ１に対応した場合より端子１５に、より大きい
（ＶDDからより遠い）バイアス電圧が供給され、端子１
６に、より大きい（ＶSSからより遠い）バイアス電圧が
供給される。

【００１４】バイアス調整端子２７，２８間に外付け抵
抗２９を接続する場合は、バイアス電流源２１の抵抗は
Ｒ２＜Ｒ＜Ｒ１の範囲で調整可能となり、バイアス電流
源２１にはＲ２＜Ｒ＜Ｒ１に対応した電流がＯＮ抵抗Ｒ
１に対応した場合より大きい電流で、かつ、ＯＮ抵抗Ｒ
２に対応した場合より小さい電流で流れ、バイアス電圧
取出し回路１２からは端子１５にＯＮ抵抗Ｒ１に対応し
た場合より大きく（ＶDDからより遠く）、かつ、ＯＮ抵
抗Ｒ２に対応した場合より小さい（ＶDDにより近い）バ
イアス電圧が供給され、端子１６にＯＮ抵抗Ｒ１に対応
した場合より大きく（ＶSSからより遠い）、かつ、ＯＮ
抵抗Ｒ２に対応した場合より小さい（ＶSSにより近い）
バイアス電圧が供給される。

【００１５】次に水平ドライバＩＣ１００を液晶パネル
に接続したときの動作を説明する。バイアス電流源２１
のＯＮ抵抗Ｒ１にマッチングする比較的小さい負荷の液
晶パネルとバイアス電流源２１のＯＮ抵抗Ｒ２にマッチ
ングする比較的大きい負荷の液晶パネルとが標準的にあ
るとき、水平ドライバＩＣ１００に接続される液晶パネ
ルが前者のときバイアス調整端子２７，２８間を開放状
態としてバイアス電流源２１の抵抗をＭＯＳトランジス
タＱ３１のＯＮ抵抗Ｒ１−Ｒ２とＭＯＳトランジスタＱ
３２のＯＮ抵抗Ｒ２の和Ｒ１（＞Ｒ２）とすると、演算
増幅器５の出力は液晶パネルの負荷に対応する比較的小
さい駆動能力となり、後者のときバイアス調整端子２
７，２８間を短絡状態としてバイアス電流源２１の抵抗
をＭＯＳトランジスタＱ３２のＯＮ抵抗Ｒ２（＜Ｒ１）
とすると、演算増幅器５の出力は液晶パネルの負荷に対
応する比較的大きい駆動能力となる。以上のように標準
的な負荷の液晶パネルに使用する場合は、バイアス調整
端子２７，２８間を開放状態か短絡状態にするだけで使
用可能となる。一方、液晶パネルの大きさを変更し、ま
たは液晶パネルの製造ばらつきがあり、バイアス電流源
２１のＯＮ抵抗Ｒ１にマッチングするより大きく、ＯＮ
抵抗Ｒ２にマッチングするより小さい負荷の液晶パネル
であるときは、バイアス調整端子２７，２８間に外付け
抵抗２９を接続してバイアス電流源２１の抵抗をＲ２＜
Ｒ＜Ｒ１の範囲で液晶パネルの負荷にマッチングするよ
う調整すると、演算増幅器５の出力は液晶パネルの負荷
に対応する大きさの駆動能力となる。

【００１６】次に、本発明に基づき、液晶パネルを駆動
する第２実施例の半導体集積回路装置である水平ドライ
バＩＣを液晶パネルのデータ線３８４本分の駆動能力を
有するものとして図２および図３を参照して説明する。
尚、図１と図３乃至図７と同一部分には同一符号を付し
てその説明を省略する。図２において、水平ドライバＩ
Ｃ２００は出力段にデータ線３８４本のＮ番目（Ｎ＝
１，３，…，３８３）と（Ｎ＋１）番目を１組として対
応しＮ番目と（Ｎ＋１）番目を１組として配置した、図
６に示したのと同一の２アンプ方式のボルテージホロワ
接続の１９２組の演算増幅器１，２と、データ線３８４
本に対応した３８４個の出力端子８と、Ｎ番目と（Ｎ＋
１）番目の演算増幅器１，２とＮ番目と（Ｎ＋１）番目
の出力端子８間に接続した切り換えスイッチ９と、各演
算増幅器１，２に接続され実施例１と同一のバイアス回
路部２０と、バイアス回路部２０に接続されたバイアス
調整端子２７，２８とを備え、各演算増幅器１，２の入
力は水平ドライバＩＣ２００内の図示しないシフトレジ
スタ、データレジスタ、ラッチ、レベルシフタ及びＤ／
Ａコンバータを順次段接続した前段回路のＤ／Ａコンバ
ータの出力に接続されている。バイアス回路部２０の演
算増幅器１，２への接続は、演算増幅器１の端子３に端
子１６と演算増幅器２の端子４に端子１５とで行ってい
る。切り換えスイッチ９はＮ番目と（Ｎ＋１）番目の演
算増幅器３，４の出力をＮ番目と（Ｎ＋１）番目の出力
端子８に交互に出力する。従って、この水平ドライバＩ
Ｃ２００はドット反転駆動に用いることができる。尚、
水平ドライバＩＣ２００を液晶パネルに接続したときの
動作は水平ドライバＩＣ１００に準じるので説明を省略
する。

【００１７】以上で説明したように水平ドライバＩＣの
バイアス回路部２０のバイアス電流源２１としてオン抵
抗Ｒ１−Ｒ２，Ｒ２（Ｒ２＜Ｒ１）を有する直列接続の
バイアス電流源用ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ３
１，Ｑ３２を設け、ＭＯＳトランジスタＱ３１のソース
およびドレインにバイアス調整端子２７，２８を接続し
て、液晶パネルの負荷の大きさに応じてバイアス調整端
子２７，２８間を開放状態、短絡状態、または外付け抵
抗２９により調整することにより、水平ドライバＩＣを
液晶パネルの負荷の大きさに応じた適正な駆動能力にす
ることができる。尚、上記第１および第２実施例におい
て、バイアス回路部２０の替わりにバイアス回路部２０
のＭＯＳトランジスタのＰチャネルとＮチャネルを逆に
して回路構成した図４に示すバイアス回路部３０を使用
してもよい。

【００１８】

【発明の効果】本発明に係わる半導体集積回路装置によ
れば、バイアス調整端子間を開放状態、短絡状態、また
は外付け抵抗により調整することにより液晶パネルの負
荷の大きさに応じた適正な駆動をすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施例である水平ドライバＩＣ
の要部回路図。

【図２】 本発明の第２実施例である水平ドライバＩＣ
の要部回路図。

【図３】 図１および図２の水平ドライバＩＣに使用さ
れる１例のバイアス回路部を示す回路図。

【図４】 図１および図２の水平ドライバＩＣに使用さ
れる他例のバイアス回路部を示す回路図。

【図５】 従来の水平ドライバＩＣのバイアス回路部を
示す回路図。

【図６】 ２アンプ方式のボルテージホロア接続の演算
増幅器の説明図。

【図７】 １アンプ方式のボルテージホロア接続の演算
増幅器の説明図。

【図８】 立ち上がり専用演算増幅器を示す回路図。

【図９】 立ち下がり専用演算増幅器を示す回路図。

【符号の説明】

１、２，５ 演算増幅器 １２ バイアス電圧取り出し回路 ２０、３０ バイアス回路部 ２１、３１ バイアス電流源 ２７、２８ バイアス調整端子 Ｑ３１，Ｑ３２ バイアス電流源用ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ Ｑ４１，Ｑ４２ バイアス電流源用ＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】駆動すべき液晶パネルのデータ線に出力端
   子を介して接続されるボルテージホロワ接続の演算増幅
   器と、この演算増幅器にバイアス電圧を供給するバイア
   ス回路部とを備えた半導体集積回路装置において、前記
   バイアス回路部に前記バイアス電圧を調整する複数のバ
   イアス調整端子を設け、これら端子間を開放状態、短絡
   状態または外付け抵抗接続状態に選択可能としたことを
   特徴とする半導体集積回路装置。
2. 【請求項２】前記バイアス回路がバイアス電流源として
   直列接続した複数個のＭＯＳトランジスタを有し、前記
   バイアス調整端子が前記ＭＯＳトランジスタのうち少な
   くとも１個のＭＯＳトランジスタのソースおよびドレイ
   ンに接続されていることを特徴とする請求項１記載の半
   導体集積回路装置。
3. 【請求項３】前記演算増幅器が立ち上がり波形と立ち下
   がり波形の両方を出力する１アンプ方式であることを特
   徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
4. 【請求項４】前記演算増幅器が立ち上がり用演算増幅器
   と立ち下がり用演算増幅器とからなる２アンプ方式であ
   ることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装
   置。
5. 【請求項５】前記バイアス回路が前記演算増幅器の立ち
   上がり波形用バイアス電圧と立ち下がり波形用バイアス
   電圧とを取出すバイアス電圧取出し回路を有することを
   特徴とする請求項３記載の半導体集積回路装置。
6. 【請求項６】前記バイアス回路が前記立ち上がり用演算
   増幅器と立ち下がり用演算増幅器演算増幅器へのバイア
   ス電圧を取出すバイアス電圧取出し回路を有することを
   特徴とする請求項４記載の半導体集積回路装置。