JP2000260756A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JP2000260756A JP2000260756A JP11064749A JP6474999A JP2000260756A JP 2000260756 A JP2000260756 A JP 2000260756A JP 11064749 A JP11064749 A JP 11064749A JP 6474999 A JP6474999 A JP 6474999A JP 2000260756 A JP2000260756 A JP 2000260756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- lower electrode
- dry etching
- outer shaft
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】大口径ウェハーでも安定的に保持でき、さらに
ウェハー冷却のための冷媒が中心軸を経由して下部電極
に導ける下部電極機構を提供することを課題とする。 【解決手段】下部電極を昇降させる中心軸を中心に配置
し、中心軸にはウェハー冷却のための冷媒流路を設け、
中心軸の外側にはウェハーを昇降させる外軸を配置す
る。外軸にはウェハーを安定的に保持するに十分な距離
になるようウエハー押上げピンを複数本配置する。
ウェハー冷却のための冷媒が中心軸を経由して下部電極
に導ける下部電極機構を提供することを課題とする。 【解決手段】下部電極を昇降させる中心軸を中心に配置
し、中心軸にはウェハー冷却のための冷媒流路を設け、
中心軸の外側にはウェハーを昇降させる外軸を配置す
る。外軸にはウェハーを安定的に保持するに十分な距離
になるようウエハー押上げピンを複数本配置する。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング用ガス
をプラズマ化し、該プラズマのもとでウェハーをエッチ
ングするドライエッチング装置に関する。
をプラズマ化し、該プラズマのもとでウェハーをエッチ
ングするドライエッチング装置に関する。
【従来の技術】図２に従来の例を示す。ウエハー３を下
部電極上部方向に昇降させる中心軸２を中心に配置し、
下部電極２２の昇降をつかさどる外軸６を中心軸２の外
側に同心状に配置している。
部電極上部方向に昇降させる中心軸２を中心に配置し、
下部電極２２の昇降をつかさどる外軸６を中心軸２の外
側に同心状に配置している。
【発明が解決しようとする課題】この例では、ウエハー
３を載せる面積が小さく、大口径のウエハーに対しては
安定した昇降ができにくい。また、中心軸２が上下に動
くためウェハー冷却のための冷媒が中心軸を経由して下
部電極２２に導けない欠点がある。本発明の目的は、大
口径ウェハーにも安定的に保持でき、さらにウェハー冷
却のための冷媒が中心軸を経由して下部電極に導けるド
ライエッチング装置を提供することにある。
３を載せる面積が小さく、大口径のウエハーに対しては
安定した昇降ができにくい。また、中心軸２が上下に動
くためウェハー冷却のための冷媒が中心軸を経由して下
部電極２２に導けない欠点がある。本発明の目的は、大
口径ウェハーにも安定的に保持でき、さらにウェハー冷
却のための冷媒が中心軸を経由して下部電極に導けるド
ライエッチング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、下部電極を昇降させる中心軸を中心に配置し、中心
軸にはウェハー冷却のための冷媒流路を設け、中心軸の
外側にはウェハーを昇降させる外軸を配置する。外軸に
はウェハーを安定的に保持するに十分な距離になるよう
ウエハー押上げピンを複数本配置する。これにより、大
口径のウェハーに対して安定した昇降ができ、かつ、ウ
ェハー冷却についても行える。すなわち、本発明は、エ
ッチング用ガスを供給してプラズマ化し、該プラズマの
もとでウエハーをエッチングするドライエッチング装置
において、ウエハーを載せる下部電極の昇降をつかさど
る中心軸を中心に配置し、下部電極上に載せたウエハー
を下部電極上部方向に昇降させるための外軸を中心軸の
外側に同心状に配置したことを特徴とする下部電極機構
を有するドライエッチング装置を提供しようとするもの
である。
に、下部電極を昇降させる中心軸を中心に配置し、中心
軸にはウェハー冷却のための冷媒流路を設け、中心軸の
外側にはウェハーを昇降させる外軸を配置する。外軸に
はウェハーを安定的に保持するに十分な距離になるよう
ウエハー押上げピンを複数本配置する。これにより、大
口径のウェハーに対して安定した昇降ができ、かつ、ウ
ェハー冷却についても行える。すなわち、本発明は、エ
ッチング用ガスを供給してプラズマ化し、該プラズマの
もとでウエハーをエッチングするドライエッチング装置
において、ウエハーを載せる下部電極の昇降をつかさど
る中心軸を中心に配置し、下部電極上に載せたウエハー
を下部電極上部方向に昇降させるための外軸を中心軸の
外側に同心状に配置したことを特徴とする下部電極機構
を有するドライエッチング装置を提供しようとするもの
である。
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１に本発明を実施した例を示
す。真空排気されたエッチングチャンバー１にはエッチ
ング用ガスが供給され、真空保持され運転される。下部
電極４は中心軸２と固着しており中心軸２の中心にはウ
ェハー冷却用流路１４が形成されている。中心軸２は同
心状に配置された外軸５との間に軸受７、軸受８を具備
しており、外軸５内を中心軸２は軸方向に昇降できる。
外軸５にはウェハー３を押上げるウェハー押上げピン６
を具備し、ウェハー押上げピン６は大口径のウェハーを
安定して支えられるよう十分な間隔をあけて複数本配置
されている。外軸５は軸受９で保持されている。さらに
外軸５は外軸取付板１２と固着しており外軸取付板１２
をウエハー押上げシリンダー１５で昇降させることによ
り中心軸２を軸心として軸方向に昇降できる。また中心
軸２は中心軸取付け板１３と固着しておりモーター１８
でボールネジ１６を回転させることによりウェハー３お
よび中心軸２、外軸５に固着している部品を同時に昇降
させることができる。以上の構成により、ウェハー３と
下部電極４間にウェハー冷却用ガスを流すことができ、
ウェハー３の冷却を行うことができる。さらに大口径の
ウェハーの支持についてもウェハー押上げピン６の間隔
を十分とることができるためウェハー３を安定して支え
られる。
を参照して説明する。図１に本発明を実施した例を示
す。真空排気されたエッチングチャンバー１にはエッチ
ング用ガスが供給され、真空保持され運転される。下部
電極４は中心軸２と固着しており中心軸２の中心にはウ
ェハー冷却用流路１４が形成されている。中心軸２は同
心状に配置された外軸５との間に軸受７、軸受８を具備
しており、外軸５内を中心軸２は軸方向に昇降できる。
外軸５にはウェハー３を押上げるウェハー押上げピン６
を具備し、ウェハー押上げピン６は大口径のウェハーを
安定して支えられるよう十分な間隔をあけて複数本配置
されている。外軸５は軸受９で保持されている。さらに
外軸５は外軸取付板１２と固着しており外軸取付板１２
をウエハー押上げシリンダー１５で昇降させることによ
り中心軸２を軸心として軸方向に昇降できる。また中心
軸２は中心軸取付け板１３と固着しておりモーター１８
でボールネジ１６を回転させることによりウェハー３お
よび中心軸２、外軸５に固着している部品を同時に昇降
させることができる。以上の構成により、ウェハー３と
下部電極４間にウェハー冷却用ガスを流すことができ、
ウェハー３の冷却を行うことができる。さらに大口径の
ウェハーの支持についてもウェハー押上げピン６の間隔
を十分とることができるためウェハー３を安定して支え
られる。
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、エ
ッチング用ガスを供給し、プラズマ化し、該プラズマの
もとでウエハーをエッチングするドライエッチング装置
において、従来構造にくらべて大口径のウェハーを安定
して支えられる。さらにウェハーと下部電極間にウェハ
ー冷却用ガスを流すことができウェハーの冷却を行うこ
とができる。
ッチング用ガスを供給し、プラズマ化し、該プラズマの
もとでウエハーをエッチングするドライエッチング装置
において、従来構造にくらべて大口径のウェハーを安定
して支えられる。さらにウェハーと下部電極間にウェハ
ー冷却用ガスを流すことができウェハーの冷却を行うこ
とができる。
【図１】本発明の一実施形態であるドライエッチング装
置の下部電極機構図である。
置の下部電極機構図である。
【図２】従来技術の一例を示すドライエッチング装置の
下部電極機構図である。
下部電極機構図である。
１…エッチングチャンバー、２…中心軸、３…ウェハ
ー、４…下部電極、５…外軸、６…ウェハー押上げピ
ン、７…軸受、８…軸受、９…軸受、１０…伸縮継手、
１１…伸縮継手、１２…外軸取付板、１３…中心軸取付
板、１４…ウェハー冷却用流路、１５…ウェハー押上げ
シリンダー、１６…ボールネジ、１７…ネジブッシュ、
１８…モーター、１９…ベルト、２０…プーリー、２１
…中心軸、２２…下部電極、２３…軸受、２４…軸受、
２５…軸受、２６…外軸、２７…外軸取付け板、２８…
外軸シール、２９…中心軸シール、３０…ウェハー押上
げシリンダー、３１…下部電極押上げシリンダー。
ー、４…下部電極、５…外軸、６…ウェハー押上げピ
ン、７…軸受、８…軸受、９…軸受、１０…伸縮継手、
１１…伸縮継手、１２…外軸取付板、１３…中心軸取付
板、１４…ウェハー冷却用流路、１５…ウェハー押上げ
シリンダー、１６…ボールネジ、１７…ネジブッシュ、
１８…モーター、１９…ベルト、２０…プーリー、２１
…中心軸、２２…下部電極、２３…軸受、２４…軸受、
２５…軸受、２６…外軸、２７…外軸取付け板、２８…
外軸シール、２９…中心軸シール、３０…ウェハー押上
げシリンダー、３１…下部電極押上げシリンダー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤本 哲男 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 BC06 CA03 CA47 EB01 EB41 ED01 5F004 AA16 BB25 CA05
Claims (2)
- 【請求項１】 エッチング用ガスを供給し、プラズマ化
し、該プラズマのもとでウエハーをエッチングするドラ
イエッチング装置において、ウエハーを載せる下部電極
の昇降をつかさどる中心軸を中心に配置し、下部電極上
に載せたウエハーを下部電極上部方向に昇降させるため
の外軸を中心軸の外側に同心状に配置したことを特徴と
する下部電極機構を有するドライエッチング装置。 - 【請求項２】 中心軸にウェハー冷却用流路を具備した
請求項１の下部電極機構を有するドライエッチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064749A JP2000260756A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064749A JP2000260756A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260756A true JP2000260756A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13267134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11064749A Pending JP2000260756A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260756A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049088A1 (fr) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma de type film, procede pour monter et demonter une electrode pour dispositif de traitement au plasma et gabarit exclusif permettant la mise en oeuvre dudit procede |
| JP2015072961A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| KR101741079B1 (ko) * | 2017-01-12 | 2017-05-30 | 주식회사 다이나테크 | 몰드 웨이퍼의 냉각장치 |
-
1999
- 1999-03-11 JP JP11064749A patent/JP2000260756A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049088A1 (fr) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma de type film, procede pour monter et demonter une electrode pour dispositif de traitement au plasma et gabarit exclusif permettant la mise en oeuvre dudit procede |
| JP2015072961A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| KR101741079B1 (ko) * | 2017-01-12 | 2017-05-30 | 주식회사 다이나테크 | 몰드 웨이퍼의 냉각장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2596422B2 (ja) | プラズマ・エッチング装置 | |
| US6468353B1 (en) | Method and apparatus for improved substrate handling | |
| JP2003060012A (ja) | 半導体処理用反応チャンバ | |
| JP2008270721A (ja) | 基板載置台及び基板処理装置 | |
| JP2002261087A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH01252770A (ja) | 工作物を保持する装置 | |
| JP2011181873A (ja) | ウエハリフト回転機構、ステージ装置及びイオン注入装置 | |
| JP4867074B2 (ja) | 枚葉式の処理装置 | |
| JP2000260756A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| KR102616246B1 (ko) | 처리액을 공급 및 회수하는 기판 처리 장치 | |
| JPH05140771A (ja) | エツチング装置 | |
| CN109087841B (zh) | 反应腔室及半导体加工设备 | |
| JP2003037146A (ja) | バッファ機構を有する半導体製造装置及び方法 | |
| WO2022160546A1 (zh) | 一种立式氧化炉摆动炉门装置及立式氧化炉 | |
| JP2010520634A (ja) | 昇降装置を用いる基板処理装置及び方法 | |
| JP2001144076A (ja) | ウェハのドライエッチング装置およびドライエッチング方法 | |
| JP4015818B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| CN218666404U (zh) | 一种成膜装置晶片加热热场 | |
| KR100446792B1 (ko) | 웨이퍼의 슬라이딩 방지를 위한 상하 수직운동 가능한가이드 핀 | |
| KR20060022149A (ko) | 플라즈마 에칭 장치 | |
| TWI788073B (zh) | 等離子體處理裝置 | |
| JP2000174094A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH06204134A (ja) | バイアス電極付昇降回転テーブル装置 | |
| CN209804587U (zh) | 支撑杆及带有该支撑杆的蚀刻装置 | |
| JPH09309800A (ja) | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060308 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060308 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080728 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080805 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090127 |