JP2000252682A - 電磁波遮蔽膜付き基板 - Google Patents
電磁波遮蔽膜付き基板Info
- Publication number
- JP2000252682A JP2000252682A JP11049323A JP4932399A JP2000252682A JP 2000252682 A JP2000252682 A JP 2000252682A JP 11049323 A JP11049323 A JP 11049323A JP 4932399 A JP4932399 A JP 4932399A JP 2000252682 A JP2000252682 A JP 2000252682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- transparent
- thickness
- substrate
- electromagnetic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】反射色調が無彩色から青緑色で違和感のない３
０ｄＢ以上（１ＧＨｚ）の高電磁波遮蔽性能を有する耐
湿性に優れた電磁波遮蔽膜付き基板を得ること。 【解決手段】透明基板上に、透明基板／透明酸化物層お
よび／透明窒化物よりなる第１層／Ａｇよりなる第２層
／ＺｎＡｌの金属バリアー層よりなる第３層／透明酸化
物層および／透明窒化物よりなる第４層／Ａｇよりなる
第５層／ＺｎＡｌの金属バリアー層よりなる第６層／透
明酸化物層および／透明窒化物よりなる第７層からなる
被膜を順次所定膜厚みで積層すること。
０ｄＢ以上（１ＧＨｚ）の高電磁波遮蔽性能を有する耐
湿性に優れた電磁波遮蔽膜付き基板を得ること。 【解決手段】透明基板上に、透明基板／透明酸化物層お
よび／透明窒化物よりなる第１層／Ａｇよりなる第２層
／ＺｎＡｌの金属バリアー層よりなる第３層／透明酸化
物層および／透明窒化物よりなる第４層／Ａｇよりなる
第５層／ＺｎＡｌの金属バリアー層よりなる第６層／透
明酸化物層および／透明窒化物よりなる第７層からなる
被膜を順次所定膜厚みで積層すること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部からの電磁波
を室内に入れない、或いは発生する電磁波を外部に出さ
ないようにする電磁波遮蔽膜付き基板に関する。
を室内に入れない、或いは発生する電磁波を外部に出さ
ないようにする電磁波遮蔽膜付き基板に関する。
【０００２】
【従来技術とその解決すべき課題】事務所ビルなどにお
いて、建物内でＯＡ機器などの電子機器、高周波機器な
どが発生する電磁波を外部に出さず、外部の自動車、電
車などの乗り物、各種の無線機器、高圧線などから到来
する電磁波を建物内に入れないことで、建物内のフロア
を電波に対して独立した空間にすることが、近年求めら
れるようになってきた。
いて、建物内でＯＡ機器などの電子機器、高周波機器な
どが発生する電磁波を外部に出さず、外部の自動車、電
車などの乗り物、各種の無線機器、高圧線などから到来
する電磁波を建物内に入れないことで、建物内のフロア
を電波に対して独立した空間にすることが、近年求めら
れるようになってきた。
【０００３】従って、建物などにおいては、壁、天井、
床などを電磁波遮蔽構造とするとともに、窓などの開口
部にも電磁波遮蔽部材を使用して、ビル全体或いは特定
のフロアを電磁遮蔽構造にする必要がある。
床などを電磁波遮蔽構造とするとともに、窓などの開口
部にも電磁波遮蔽部材を使用して、ビル全体或いは特定
のフロアを電磁遮蔽構造にする必要がある。
【０００４】このような窓などに好適な電磁波遮蔽ガラ
スとして、ガラス上にＩＴＯ膜やＳｎＯ２膜等の導電性
膜を被覆するものがあるが、電磁波の遮蔽性能を３０ｄ
Ｂ以上とするには該膜の表面シート抵抗を２．３Ω／□
以下の低抵抗とする必要があり、そのためには膜厚を約
１，０００ｎｍ以上に厚くする必要がある。しかしなが
ら、そのように膜厚を厚くすると可視光線透過率が非常
に低くなるとともに、ニュートラルな色調を得ることは
困難であるという欠点がある。
スとして、ガラス上にＩＴＯ膜やＳｎＯ２膜等の導電性
膜を被覆するものがあるが、電磁波の遮蔽性能を３０ｄ
Ｂ以上とするには該膜の表面シート抵抗を２．３Ω／□
以下の低抵抗とする必要があり、そのためには膜厚を約
１，０００ｎｍ以上に厚くする必要がある。しかしなが
ら、そのように膜厚を厚くすると可視光線透過率が非常
に低くなるとともに、ニュートラルな色調を得ることは
困難であるという欠点がある。
【０００５】また、例えば、特公平５−７０５８０号公
報、特公平８−３２４４３６号公報には、抵抗値が低い
Ｌｏｗ−Ｅの膜としてＡｇ層を２層にし、透明酸化物と
交互に積層したものが一般に知られている。しかし、こ
れらの構成のものは比較的高い可視光線透過率で低い抵
抗値のガラスを得ることは可能であるが、前記のように
２．３Ω／□以下の低抵抗のものを得るためには、２層
の各々のＡｇ層の膜厚を１５ｎｍ以上の膜厚にする必要
がある。このようにすると可視光線透過率が低くなり外
の景色がほとんど見えなくなったり、反射色調が赤紫色
等の非常に濃い色となってしまい外観の品質上、一般的
なビルの外層や住宅向けには使用に耐えられないものと
なる欠点がある。また、従来の銀層を有するものは、耐
湿性に劣るため取り扱いに充分な注意をしないと斑点状
の欠陥が発生する恐れがあった。
報、特公平８−３２４４３６号公報には、抵抗値が低い
Ｌｏｗ−Ｅの膜としてＡｇ層を２層にし、透明酸化物と
交互に積層したものが一般に知られている。しかし、こ
れらの構成のものは比較的高い可視光線透過率で低い抵
抗値のガラスを得ることは可能であるが、前記のように
２．３Ω／□以下の低抵抗のものを得るためには、２層
の各々のＡｇ層の膜厚を１５ｎｍ以上の膜厚にする必要
がある。このようにすると可視光線透過率が低くなり外
の景色がほとんど見えなくなったり、反射色調が赤紫色
等の非常に濃い色となってしまい外観の品質上、一般的
なビルの外層や住宅向けには使用に耐えられないものと
なる欠点がある。また、従来の銀層を有するものは、耐
湿性に劣るため取り扱いに充分な注意をしないと斑点状
の欠陥が発生する恐れがあった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来のかかる
課題に鑑みてなしたものであって、高可視光線透過率で
耐湿性に優れ且つ反射色調に違和感のない３０ｄＢ以上
（１ＧＨｚ）の高電磁波遮蔽性能を有する電磁波遮蔽膜
付き基板について鋭意検討した結果、Ａｇ層を１５ｎｍ
以上に厚くしても特定の膜構成で且つ銀層の直上層に亜
鉛金属にＡｌ金属を含有させたＺｎＡｌ合金からなる金
属バリアー層を特定の厚さ設けることにより高電磁波遮
蔽性能を有する高品質の電磁波遮蔽膜付き基板が得られ
ることを見出した。
課題に鑑みてなしたものであって、高可視光線透過率で
耐湿性に優れ且つ反射色調に違和感のない３０ｄＢ以上
（１ＧＨｚ）の高電磁波遮蔽性能を有する電磁波遮蔽膜
付き基板について鋭意検討した結果、Ａｇ層を１５ｎｍ
以上に厚くしても特定の膜構成で且つ銀層の直上層に亜
鉛金属にＡｌ金属を含有させたＺｎＡｌ合金からなる金
属バリアー層を特定の厚さ設けることにより高電磁波遮
蔽性能を有する高品質の電磁波遮蔽膜付き基板が得られ
ることを見出した。
【０００７】すなわち、本発明は、透明基板上に、透明
基板／透明酸化物層および／または透明窒化物層よりな
る第１層／Ａｇ層よりなる第２層／ＺｎＡlの金属バリ
ヤー層よりなる第３層／透明酸化物層および／または透
明窒化物層よりなる第４層／Ａｇ層よりなる第５層／Ｚ
ｎＡlの金属バリヤー層よりなる第６層/透明酸化物層お
よび／または透明窒化物よりなる第７層からなる被膜が
順次積層され、第１層目の膜厚が２６〜３６ｎｍ，第２
層及び第５層の膜厚がそれぞれ１５ｎｍ〜５０ｎｍ、第
３層及び第６層の膜厚がそれぞれ１．５ｎｍ以下、第４
層の膜厚が８０〜１００ｎｍ、第７層の膜厚が２３〜４
０ｎｍからなることを特徴とする電磁波遮蔽膜付き基板
に関する。
基板／透明酸化物層および／または透明窒化物層よりな
る第１層／Ａｇ層よりなる第２層／ＺｎＡlの金属バリ
ヤー層よりなる第３層／透明酸化物層および／または透
明窒化物層よりなる第４層／Ａｇ層よりなる第５層／Ｚ
ｎＡlの金属バリヤー層よりなる第６層/透明酸化物層お
よび／または透明窒化物よりなる第７層からなる被膜が
順次積層され、第１層目の膜厚が２６〜３６ｎｍ，第２
層及び第５層の膜厚がそれぞれ１５ｎｍ〜５０ｎｍ、第
３層及び第６層の膜厚がそれぞれ１．５ｎｍ以下、第４
層の膜厚が８０〜１００ｎｍ、第７層の膜厚が２３〜４
０ｎｍからなることを特徴とする電磁波遮蔽膜付き基板
に関する。
【０００８】また、前記被膜の表面シート抵抗値が２．
３Ω／□以下、可視光線透過率が３０〜８０％、被膜の
被覆されていない透明基板面の反射色調はＬａ*ｂ*表示
において、−２０＜ａ*＜−５、−４０＜ｂ*＜１０の範
囲である無彩色からやや青緑色の色調を呈することこと
が好ましい。
３Ω／□以下、可視光線透過率が３０〜８０％、被膜の
被覆されていない透明基板面の反射色調はＬａ*ｂ*表示
において、−２０＜ａ*＜−５、−４０＜ｂ*＜１０の範
囲である無彩色からやや青緑色の色調を呈することこと
が好ましい。
【０００９】さらに、第１層、第４層および第７層の透
明金属酸化物層および／または透明金属窒化物層は、Ｚ
ｎＯ2，ＺｎＡｌＯ2、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｎ3、Ｓ
ｉ2Ｎ3のうちから選択された少なくとも１種からなるこ
とが好ましい。
明金属酸化物層および／または透明金属窒化物層は、Ｚ
ｎＯ2，ＺｎＡｌＯ2、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｎ3、Ｓ
ｉ2Ｎ3のうちから選択された少なくとも１種からなるこ
とが好ましい。
【００１０】さらにまた、ＺｎＡｌの金属バリアー層
は、Ａｌを１〜１０原子％含むＺｎＡｌ合金であること
が好ましく、さらに、第２層および第５層のＡｇ層の膜
厚が２０ｎｍ以上で、１ＧＨＺにおける電磁波遮蔽性能
が４０ｄＢ以上であることが好適である。
は、Ａｌを１〜１０原子％含むＺｎＡｌ合金であること
が好ましく、さらに、第２層および第５層のＡｇ層の膜
厚が２０ｎｍ以上で、１ＧＨＺにおける電磁波遮蔽性能
が４０ｄＢ以上であることが好適である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の電磁波遮蔽膜付き基板
は、透明基板／透明酸化物層および／または透明窒化物
層よりなる第１層／Ａｇ層よりなる第２層／ＺｎＡlの
金属バリヤー層よりなる第３層／透明酸化物層および／
または透明窒化物層よりなる第４層／Ａｇ層よりなる第
５層／ＺｎＡlの金属バリヤー層よりなる第６層/透明酸
化物層および／または透明窒化物よりなる第７層からな
る被膜が順次積層され、第１層目の膜厚が２６〜３６ｎ
ｍ，第２層及び第５層の膜厚がそれぞれ１５ｎｍ〜５０
ｎｍ、第３層及び第６層の膜厚がそれぞれ１．５ｎｍ以
下、第４層の膜厚が８０〜１００ｎｍ、第７層の膜厚が
２３〜４０ｎｍからなる。
は、透明基板／透明酸化物層および／または透明窒化物
層よりなる第１層／Ａｇ層よりなる第２層／ＺｎＡlの
金属バリヤー層よりなる第３層／透明酸化物層および／
または透明窒化物層よりなる第４層／Ａｇ層よりなる第
５層／ＺｎＡlの金属バリヤー層よりなる第６層/透明酸
化物層および／または透明窒化物よりなる第７層からな
る被膜が順次積層され、第１層目の膜厚が２６〜３６ｎ
ｍ，第２層及び第５層の膜厚がそれぞれ１５ｎｍ〜５０
ｎｍ、第３層及び第６層の膜厚がそれぞれ１．５ｎｍ以
下、第４層の膜厚が８０〜１００ｎｍ、第７層の膜厚が
２３〜４０ｎｍからなる。
【００１２】上記の透明酸化物層および／または透明窒
化物層よりなる第１層、第４層および第７層は、ＺｎＯ
2，ＺｎＡｌＯ2、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2等の透明酸化物、Ａ
ｌ2Ｎ3、Ｓｉ2Ｎ3等の透明窒化物の内から選択された少
なくとも１種からなることが好ましい。なお、第１層の
膜厚を２６〜３６ｎｍ，第４層の膜厚を８０〜１００ｎ
ｍ、７層の膜厚を２３〜４０ｎｍの範囲にそれぞれする
ことにより、目的とする色調および光学特性を得ること
ができる。
化物層よりなる第１層、第４層および第７層は、ＺｎＯ
2，ＺｎＡｌＯ2、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2等の透明酸化物、Ａ
ｌ2Ｎ3、Ｓｉ2Ｎ3等の透明窒化物の内から選択された少
なくとも１種からなることが好ましい。なお、第１層の
膜厚を２６〜３６ｎｍ，第４層の膜厚を８０〜１００ｎ
ｍ、７層の膜厚を２３〜４０ｎｍの範囲にそれぞれする
ことにより、目的とする色調および光学特性を得ること
ができる。
【００１３】そのうち、酸化物層としてのＳｎＯ2層お
よび／またはＴｉＯ2層よりなる非晶質の被膜は、化学
的にも機械的にも強く、且つ非晶質のルーズな構造のた
めガラスとの密着力も強く、内部応力も発生しにくい。
従ってガラスの直上に被覆する第１層被膜はＳｎＯ2層
及び／又はＴｉＯ2層が望ましい。ガラスとの密着力を
高め、アルカリイオンの影響を断つための第１層のＳｎ
Ｏ2層および／またはＴｉＯ2層の厚みは少なくとも５ｎ
ｍが必要である。
よび／またはＴｉＯ2層よりなる非晶質の被膜は、化学
的にも機械的にも強く、且つ非晶質のルーズな構造のた
めガラスとの密着力も強く、内部応力も発生しにくい。
従ってガラスの直上に被覆する第１層被膜はＳｎＯ2層
及び／又はＴｉＯ2層が望ましい。ガラスとの密着力を
高め、アルカリイオンの影響を断つための第１層のＳｎ
Ｏ2層および／またはＴｉＯ2層の厚みは少なくとも５ｎ
ｍが必要である。
【００１４】しかし、ＳｎＯ2層および／またはＴｉＯ2
層は特にＡｇとの密着力が劣り、ＳｎＯ2層、ＴｉＯ2層
／Ａｇ層界面での剥離が起こりやすい。又、ＳｎＯ2は
そのイオン化傾向から分かるように酸素との結合が弱
く、被膜内の酸素の化学的ポテンシャルが高いため、Ａ
ｇ層に酸素が拡散しやすく電気抵抗が上り、高電磁波遮
蔽を達成し難い。
層は特にＡｇとの密着力が劣り、ＳｎＯ2層、ＴｉＯ2層
／Ａｇ層界面での剥離が起こりやすい。又、ＳｎＯ2は
そのイオン化傾向から分かるように酸素との結合が弱
く、被膜内の酸素の化学的ポテンシャルが高いため、Ａ
ｇ層に酸素が拡散しやすく電気抵抗が上り、高電磁波遮
蔽を達成し難い。
【００１５】以上より、ＳｎＯ2層および／またはＴｉ
Ｏ2層よりなる層はＡｇ層と接触させないことが好まし
い。なお、ＳｎＯ2層および／またはＴｉＯ2層には化学
的、機械的特性を向上し、またガラスとの密着力も強く
する非晶質の被膜成分としての元素が含まれても良い。
Ｏ2層よりなる層はＡｇ層と接触させないことが好まし
い。なお、ＳｎＯ2層および／またはＴｉＯ2層には化学
的、機械的特性を向上し、またガラスとの密着力も強く
する非晶質の被膜成分としての元素が含まれても良い。
【００１６】ＺｎＯ2層は、Ａｇ層との密着力が高く、
又酸素との高い結合力によって層内の酸素のポテンシャ
ルが低いため、Ａｇ層内に酸素が拡散しにくい。従って
Ａｇ層直下の層はＺｎＯ2層が望ましい。その下のＳｎ
Ｏ2層からの酸素の拡散を防ぎ、Ａｇ層との強い密着力
を得るためのＺｎＯ2層の厚みは少なくとも３ｎｍは必
要である。なお、ＺｎＯ2層にはＡｇ層との密着力を低
下せず、Ａｇ層内に酸素が拡散しにくくするような被膜
の成分としての公知の元素が含まれても良い。
又酸素との高い結合力によって層内の酸素のポテンシャ
ルが低いため、Ａｇ層内に酸素が拡散しにくい。従って
Ａｇ層直下の層はＺｎＯ2層が望ましい。その下のＳｎ
Ｏ2層からの酸素の拡散を防ぎ、Ａｇ層との強い密着力
を得るためのＺｎＯ2層の厚みは少なくとも３ｎｍは必
要である。なお、ＺｎＯ2層にはＡｇ層との密着力を低
下せず、Ａｇ層内に酸素が拡散しにくくするような被膜
の成分としての公知の元素が含まれても良い。
【００１７】なお、Ａｇ層に接触する酸化物層中の酸素
の化学ポテンシャルはできる限り低く保つことが肝要
で、ＺｎＯ2成膜時の雰囲気は酸素と共にできるだけ多
くのアルゴンを添加するのが望ましい。望ましいアルゴ
ンの添加率は設備によって異なるが、概ね１０〜３０％
である。この値は酸素雰囲気から徐々にアルゴンを添加
していき、ターゲットに掛かる電圧が急に上がるか、電
流が急に下がる現象を観測し、そこからアルゴンを若干
減らすことで決められる。
の化学ポテンシャルはできる限り低く保つことが肝要
で、ＺｎＯ2成膜時の雰囲気は酸素と共にできるだけ多
くのアルゴンを添加するのが望ましい。望ましいアルゴ
ンの添加率は設備によって異なるが、概ね１０〜３０％
である。この値は酸素雰囲気から徐々にアルゴンを添加
していき、ターゲットに掛かる電圧が急に上がるか、電
流が急に下がる現象を観測し、そこからアルゴンを若干
減らすことで決められる。
【００１８】また、ＺｎＯ2層は緻密で大気中の腐食性
ガスの拡散を防ぐ効果があり、また太陽光線に含まれる
紫外線を吸収する働きがあるが化学的耐久性が低いた
め、第７層の上層にＺｎＯ2層を用いる場合には、さら
にその上層に非晶質酸化物であるＳｎＯ2層および／ま
たはＴｉＯ2層を設けるのが望ましい。該ＳｎＯ2層およ
び／またはＴｉＯ2層の膜厚は１ｎｍ以上が好ましい。
ガスの拡散を防ぐ効果があり、また太陽光線に含まれる
紫外線を吸収する働きがあるが化学的耐久性が低いた
め、第７層の上層にＺｎＯ2層を用いる場合には、さら
にその上層に非晶質酸化物であるＳｎＯ2層および／ま
たはＴｉＯ2層を設けるのが望ましい。該ＳｎＯ2層およ
び／またはＴｉＯ2層の膜厚は１ｎｍ以上が好ましい。
【００１９】第２層、第５層に用いられるＡｇ層の厚み
は、電磁波遮蔽性、可視光線透過率および反射色調に影
響し、３０ｄＢ以上の高電磁波遮蔽性を得るためには１
５ｎｍ以上の膜厚が必要であり、高可視光線透過率、と
りわけ７０％以上を確保し、且つ赤い反射光を避けるた
めには６０ｎｍ以下とすることが好ましい。
は、電磁波遮蔽性、可視光線透過率および反射色調に影
響し、３０ｄＢ以上の高電磁波遮蔽性を得るためには１
５ｎｍ以上の膜厚が必要であり、高可視光線透過率、と
りわけ７０％以上を確保し、且つ赤い反射光を避けるた
めには６０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００２０】なお、Ａｇ層の膜厚を２０ｎｍ以上とする
ことにより、該膜の表面シート抵抗は、２Ω／□以下の
低抵抗となり、電磁遮蔽性能も４０ｄＢ以上が得られる
ので、さらに高電磁遮蔽性能が必要な窓には、Ａｇ層の
膜厚を２０ｎｍ以上の膜構成とすることが特に好まし
い。また、Ａｇ層はＡｇを主成分としＡｇにＡｕ、Ｃ
ｕ、Ｐｔ、Ｉｒ等の元素が含まれても良い。
ことにより、該膜の表面シート抵抗は、２Ω／□以下の
低抵抗となり、電磁遮蔽性能も４０ｄＢ以上が得られる
ので、さらに高電磁遮蔽性能が必要な窓には、Ａｇ層の
膜厚を２０ｎｍ以上の膜構成とすることが特に好まし
い。また、Ａｇ層はＡｇを主成分としＡｇにＡｕ、Ｃ
ｕ、Ｐｔ、Ｉｒ等の元素が含まれても良い。
【００２１】Ａｇ層の直上部に用いられる第４層、第７
層の金属バリアー層は、Ａｇ層と酸化物層および／また
は窒化物層の両方に高い密着性をもつＡlを１〜１０原
子％含むＺｎＡｌ合金層が望ましい。なお、ここでいう
金属バリアー層とは、Ａｇ層の直上に第４層および／ま
たは第７層の金属バリアー層を成膜した直後は全厚が合
金層であるが、次いで、例えば、該合金層の上層に第４
層あるいは第７層の酸化物層等を成膜する時、酸化性雰
囲気（例えば酸素８０％、アルゴン２０％）で成膜する
ため、該合金層の上層部の一部が酸化物に変換される。
この上層部が酸化された酸化物層と残った合金層を含め
て金属バリアー層と呼ぶ。すなわち、金属バリアー層の
膜厚とは、最初にＺｎＡｌ合金層を成膜した時の膜厚を
示す。
層の金属バリアー層は、Ａｇ層と酸化物層および／また
は窒化物層の両方に高い密着性をもつＡlを１〜１０原
子％含むＺｎＡｌ合金層が望ましい。なお、ここでいう
金属バリアー層とは、Ａｇ層の直上に第４層および／ま
たは第７層の金属バリアー層を成膜した直後は全厚が合
金層であるが、次いで、例えば、該合金層の上層に第４
層あるいは第７層の酸化物層等を成膜する時、酸化性雰
囲気（例えば酸素８０％、アルゴン２０％）で成膜する
ため、該合金層の上層部の一部が酸化物に変換される。
この上層部が酸化された酸化物層と残った合金層を含め
て金属バリアー層と呼ぶ。すなわち、金属バリアー層の
膜厚とは、最初にＺｎＡｌ合金層を成膜した時の膜厚を
示す。
【００２２】該金属バリアー層の作用は、前記第４層或
いは第７層の酸化物層を成膜する際に、その酸化性雰囲
気の影響が下部のＡｇ層に及ばないように成膜中のＡｇ
層を保護することと、或いは窒化物の場合にはＡｇ層が
酸化されないように該金属バリアー層を介在させて該Ａ
ｇ層が酸化されるのを保護するためのものである。さら
に、成膜後に大気中の水分が膜中に入りこみＡｇを酸化
させるのを防ぎ、Ａｇ層の耐湿性を向上する作用も併せ
て有している。この金属バリアー層としては、前記のよ
うにＺｎＡｌ合金が好ましく、特にＡｌを１．０〜１
０．０原子％含むＺｎＡｌ合金は、酸素との結合力が高
く、最も効果的にＡｇ層中に拡散してきた酸素その他の
腐食性イオンをトラップするので特に好ましい。
いは第７層の酸化物層を成膜する際に、その酸化性雰囲
気の影響が下部のＡｇ層に及ばないように成膜中のＡｇ
層を保護することと、或いは窒化物の場合にはＡｇ層が
酸化されないように該金属バリアー層を介在させて該Ａ
ｇ層が酸化されるのを保護するためのものである。さら
に、成膜後に大気中の水分が膜中に入りこみＡｇを酸化
させるのを防ぎ、Ａｇ層の耐湿性を向上する作用も併せ
て有している。この金属バリアー層としては、前記のよ
うにＺｎＡｌ合金が好ましく、特にＡｌを１．０〜１
０．０原子％含むＺｎＡｌ合金は、酸素との結合力が高
く、最も効果的にＡｇ層中に拡散してきた酸素その他の
腐食性イオンをトラップするので特に好ましい。
【００２３】金属バリアー層の膜厚は、厚いほど強い効
果が長続きすることは当然であるが、厚すぎると可視光
線透過率を下げてしまう。しかし次に酸化物を成膜する
際、該金属バリアー層の一部は酸化されるので、その酸
化前の最初の金属層の厚みは例えば８ｎｍ以下とし、前
記のようにその一部が酸化され残った金属バリアー層が
１．５ｎｍ以下とすれば高い透過率が得られる。
果が長続きすることは当然であるが、厚すぎると可視光
線透過率を下げてしまう。しかし次に酸化物を成膜する
際、該金属バリアー層の一部は酸化されるので、その酸
化前の最初の金属層の厚みは例えば８ｎｍ以下とし、前
記のようにその一部が酸化され残った金属バリアー層が
１．５ｎｍ以下とすれば高い透過率が得られる。
【００２４】本発明の透明基板としては、透明のガラ
ス、プラスチック等を用いることが出来、例えばガラス
基板としては、自動車用ならびに建築用ガラス等に通常
用いられている普通板ガラス、所謂フロート板ガラスな
どであり、クリアをはじめグリ−ン、ブロンズ等各種着
色ガラスや各種機能性ガラス、強化ガラスやそれに類す
るガラス、合せガラスのほか複層ガラス等、さらに平板
あるいは曲げ板等各種板ガラス製品として使用できるこ
とは言うまでもない。また、ガラスは透明プラスチック
板等との積層体であってもよい。なお、ガラスの組成
は、ソーダ石灰ガラス、アルミノシリケートガラス等で
あるが、これらに限定されないことは、言うまでもな
い。
ス、プラスチック等を用いることが出来、例えばガラス
基板としては、自動車用ならびに建築用ガラス等に通常
用いられている普通板ガラス、所謂フロート板ガラスな
どであり、クリアをはじめグリ−ン、ブロンズ等各種着
色ガラスや各種機能性ガラス、強化ガラスやそれに類す
るガラス、合せガラスのほか複層ガラス等、さらに平板
あるいは曲げ板等各種板ガラス製品として使用できるこ
とは言うまでもない。また、ガラスは透明プラスチック
板等との積層体であってもよい。なお、ガラスの組成
は、ソーダ石灰ガラス、アルミノシリケートガラス等で
あるが、これらに限定されないことは、言うまでもな
い。
【００２５】得られた電磁波遮蔽膜付き基板は、被膜の
表面シート抵抗値が２．３Ω／□以下、可視光線透過率
が３０〜８０％と高透過率から低透過率まで自在に制御
でき、また、色調についてはＬａ*ｂ*表示において、−
２０＜ａ*＜−５、−４０＜ｂ*＜１０の範囲である無彩
色からやや青緑色の色調を呈するので、目視で見た場合
に違和感のない落ち着いた感じの色調となる。また、電
磁波遮蔽性能（１ＧＨＺ）については、３０ｄＢが可能
であり、用途によって４０ｄＢ以上のさらに高性能のも
のも自由に選択出来る。
表面シート抵抗値が２．３Ω／□以下、可視光線透過率
が３０〜８０％と高透過率から低透過率まで自在に制御
でき、また、色調についてはＬａ*ｂ*表示において、−
２０＜ａ*＜−５、−４０＜ｂ*＜１０の範囲である無彩
色からやや青緑色の色調を呈するので、目視で見た場合
に違和感のない落ち着いた感じの色調となる。また、電
磁波遮蔽性能（１ＧＨＺ）については、３０ｄＢが可能
であり、用途によって４０ｄＢ以上のさらに高性能のも
のも自由に選択出来る。
【００２６】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より行った。ただし本発明は係る実施例に限定されるも
のではない。
る。なお、成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より行った。ただし本発明は係る実施例に限定されるも
のではない。
【００２７】実施例１ 大きさが１８００ｍｍ×２４０００ｍｍ×約３ｍｍのフ
ロートガラス上に、下記順序で被膜を形成した。スパッ
タ装置は、カソードに予めＳｎ、Ｚｎ（３台）、Ａｇ、
ＺｎＡｌ（Ａｌ含有率４原子％）の各金属ターゲットを
取り付けたのち、成膜前の圧力が５×１０-5Ｔorrとな
るまで真空チャンバー内の排気を充分に行った。本方法
は、真空チャンバー内のターゲットの下方に搬送ロール
が設置され、そのロール上をガラス板が往復動する時に
電力が印加されたターゲットより所定の金属層あるいは
金属酸化物層がガラス板上に成膜されるようになってい
る。
ロートガラス上に、下記順序で被膜を形成した。スパッ
タ装置は、カソードに予めＳｎ、Ｚｎ（３台）、Ａｇ、
ＺｎＡｌ（Ａｌ含有率４原子％）の各金属ターゲットを
取り付けたのち、成膜前の圧力が５×１０-5Ｔorrとな
るまで真空チャンバー内の排気を充分に行った。本方法
は、真空チャンバー内のターゲットの下方に搬送ロール
が設置され、そのロール上をガラス板が往復動する時に
電力が印加されたターゲットより所定の金属層あるいは
金属酸化物層がガラス板上に成膜されるようになってい
る。
【００２８】先ず１パス目として、成膜室の雰囲気を酸
化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）に保持し、Ｓｎター
ゲットにより第１層の１層目としてのＳｎＯ2層を８．
８ｎｍ成膜した後、 １層目と同条件でＺｎターゲット
により第１層の２層目のＺｎＯ2層を２３．１ｎｍ成膜
した。次に２パス目として雰囲気をＡｒ１００％の不活
性雰囲気に保持し、Ａｇターゲットにより第２層として
のＡｇ層を１６．５ｎｍ、ＺｎＡｌターゲットにより第
３層のＺｎＡｌ合金層（いわゆる金属バリアー層）を
０．８ｎｍ成膜した。３パス目として成膜室の雰囲気を
再び酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）に保持し、第
４層の酸化物層を形成した。第４層の１層目としてのＺ
ｎＡｌＯ2層を３．６ｎｍ、２層目としてのＳｎＯ2層を
６．９ｎｍ、３層目としてのＺｎＯ2層を１７．９ｎｍ
を順次成膜した。、さらに４パス目として３パス目と同
じ雰囲気で３層目の追加としてのＺｎＯ2層を１７．８
ｎｍ、４層目としてのＳｎＯ2層を１３．８ｎｍ成膜し
た後、さらに５パス目として５層目としてのＺｎＯ2層
を３５．７ｎｍ成膜した。さらに６パス目として雰囲気
をＡｒ１００％の不活性雰囲気に保持し、Ａｇターゲッ
トにより第５層としてのＡｇ層を１６．５ｎｍ、ＺｎＡ
ｌターゲットにより第６層のＺｎＡｌ合金層（いわゆる
金属バリアー層）を０．８ｎｍ成膜した。次に７パス目
として成膜室の雰囲気を再び酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ
＝８：２）に保持し、第７層の１層目としてのＺｎＡｌ
Ｏ2層を２．９ｎｍ、２層目としてのＳｎＯ2層を５．５
ｎｍ、３層目としてのＺｎＯ2層を１８．７ｎｍ、８パ
ス目として４層目としてのＳｎＯ2層を１．７ｎｍ順次
成膜し、ガラスを成膜室より排出した。
化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）に保持し、Ｓｎター
ゲットにより第１層の１層目としてのＳｎＯ2層を８．
８ｎｍ成膜した後、 １層目と同条件でＺｎターゲット
により第１層の２層目のＺｎＯ2層を２３．１ｎｍ成膜
した。次に２パス目として雰囲気をＡｒ１００％の不活
性雰囲気に保持し、Ａｇターゲットにより第２層として
のＡｇ層を１６．５ｎｍ、ＺｎＡｌターゲットにより第
３層のＺｎＡｌ合金層（いわゆる金属バリアー層）を
０．８ｎｍ成膜した。３パス目として成膜室の雰囲気を
再び酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）に保持し、第
４層の酸化物層を形成した。第４層の１層目としてのＺ
ｎＡｌＯ2層を３．６ｎｍ、２層目としてのＳｎＯ2層を
６．９ｎｍ、３層目としてのＺｎＯ2層を１７．９ｎｍ
を順次成膜した。、さらに４パス目として３パス目と同
じ雰囲気で３層目の追加としてのＺｎＯ2層を１７．８
ｎｍ、４層目としてのＳｎＯ2層を１３．８ｎｍ成膜し
た後、さらに５パス目として５層目としてのＺｎＯ2層
を３５．７ｎｍ成膜した。さらに６パス目として雰囲気
をＡｒ１００％の不活性雰囲気に保持し、Ａｇターゲッ
トにより第５層としてのＡｇ層を１６．５ｎｍ、ＺｎＡ
ｌターゲットにより第６層のＺｎＡｌ合金層（いわゆる
金属バリアー層）を０．８ｎｍ成膜した。次に７パス目
として成膜室の雰囲気を再び酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ
＝８：２）に保持し、第７層の１層目としてのＺｎＡｌ
Ｏ2層を２．９ｎｍ、２層目としてのＳｎＯ2層を５．５
ｎｍ、３層目としてのＺｎＯ2層を１８．７ｎｍ、８パ
ス目として４層目としてのＳｎＯ2層を１．７ｎｍ順次
成膜し、ガラスを成膜室より排出した。
【００２９】なお、第３層および第６層のＺｎＡｌ合金
層（金属バリアー層）の上層に酸化性雰囲気で第４層お
よび第７層を成膜するとき、第３層および第６層のＺｎ
Ａｌ合金層は酸化されていた。また、第１層、第４層お
よび第７層の酸化物層の膜厚は、合計でそれぞれ３１．
９ｎｍ、９５．７ｎｍ、２８．８ｎｍであった。膜構成
と各膜の膜厚を、表１に示す。なお、表１にはＺｎＯ2
層、ＳｎＯ2層、ＺｎＡｌＯ2層を簡略化のためＺｎＯ、
ＳｎＯ、ＺｎＡｌＯで示した。
層（金属バリアー層）の上層に酸化性雰囲気で第４層お
よび第７層を成膜するとき、第３層および第６層のＺｎ
Ａｌ合金層は酸化されていた。また、第１層、第４層お
よび第７層の酸化物層の膜厚は、合計でそれぞれ３１．
９ｎｍ、９５．７ｎｍ、２８．８ｎｍであった。膜構成
と各膜の膜厚を、表１に示す。なお、表１にはＺｎＯ2
層、ＳｎＯ2層、ＺｎＡｌＯ2層を簡略化のためＺｎＯ、
ＳｎＯ、ＺｎＡｌＯで示した。
【００３０】
【表１】 また、各被膜の膜厚Ｄは搬送速度とカソード電力で調整
し、その値は予め１００ｎｍ前後の厚さに電力Ｅ0、搬
送速度Ｖ0で成膜した被膜を部分的にエッチングによっ
て除去し、その段差を触針式表面粗さ計で測定して厚み
Ｄ0を求め、実施例におけるカソード電力Ｅ、搬送速度
をＶとして、Ｄ＝Ｄ0×Ｅ/Ｅ0×Ｖ0/Ｖの式に従って求
めた。
し、その値は予め１００ｎｍ前後の厚さに電力Ｅ0、搬
送速度Ｖ0で成膜した被膜を部分的にエッチングによっ
て除去し、その段差を触針式表面粗さ計で測定して厚み
Ｄ0を求め、実施例におけるカソード電力Ｅ、搬送速度
をＶとして、Ｄ＝Ｄ0×Ｅ/Ｅ0×Ｖ0/Ｖの式に従って求
めた。
【００３１】得られた電磁波遮蔽基板の可視光透過率
（％）、被膜の被覆していない側のガラス面の反射率
（％）、ガラス面の反射色調ａ＊値、ｂ＊値（Ｌａ*ｂ*
表示法による）、ガラス面の目視による色調（目視角
度；真正面および４５°方向）、膜表面のシート抵抗値
（Ω／□）、電磁遮蔽性能値（１ＧＨＺ）および耐湿性
を表２に、また反射色調の色度座標を図１に示す。
（％）、被膜の被覆していない側のガラス面の反射率
（％）、ガラス面の反射色調ａ＊値、ｂ＊値（Ｌａ*ｂ*
表示法による）、ガラス面の目視による色調（目視角
度；真正面および４５°方向）、膜表面のシート抵抗値
（Ω／□）、電磁遮蔽性能値（１ＧＨＺ）および耐湿性
を表２に、また反射色調の色度座標を図１に示す。
【００３２】なお、表２の耐湿性の欄における◎、△、
×の各記号は下記の内容を示す。
×の各記号は下記の内容を示す。
【００３３】 ◎：２週間経過後 径＝0.2mm以上の欠陥なし △：２週間経過後 径＝0.2mm以上の欠陥有り，径＝0.5
mm以上の欠陥なし ×：２週間経過後 径＝0.5mm以上の欠陥有り また、図１の色度座標における、図内の〜は下記サ
ンプルＮｏを示す。
mm以上の欠陥なし ×：２週間経過後 径＝0.5mm以上の欠陥有り また、図１の色度座標における、図内の〜は下記サ
ンプルＮｏを示す。
【００３４】；実施例１、；実施例２、；実施例
３、；比較例１、；比較例２，；比較例３，；
比較例４、；比較例５
３、；比較例１、；比較例２，；比較例３，；
比較例４、；比較例５
【００３５】
【表２】 得られた電磁波遮蔽基板の可視光線透過率は、分光光度
計により、また反射色調は、ｐｈｏｔａｌ（型式；ＭＣ
−８５０Ａ（コントロール），ＭＣＰＤ１００（スペク
トロマルチチャンネル），ＵＶ−ＶＩＳ（フォトディテ
クター）、大塚エレクトロニクス製）により、また抵抗
値は、４探針プローブ抵抗計（エプソン社製）により、
電磁波遮蔽性能は、米国軍用規格ＭＩＬ−ｓｔｄ２８５
に準じる、また耐湿性は温度３０度 湿度９０％の恒温
槽に保管（環境試験機 タバイエタック 製品名 ビル
トイン Ｈシリーズ 型式 ＴＢＬ−３ＨＷＯＧＡＣ）
によりそれぞれ測定した。
計により、また反射色調は、ｐｈｏｔａｌ（型式；ＭＣ
−８５０Ａ（コントロール），ＭＣＰＤ１００（スペク
トロマルチチャンネル），ＵＶ−ＶＩＳ（フォトディテ
クター）、大塚エレクトロニクス製）により、また抵抗
値は、４探針プローブ抵抗計（エプソン社製）により、
電磁波遮蔽性能は、米国軍用規格ＭＩＬ−ｓｔｄ２８５
に準じる、また耐湿性は温度３０度 湿度９０％の恒温
槽に保管（環境試験機 タバイエタック 製品名 ビル
トイン Ｈシリーズ 型式 ＴＢＬ−３ＨＷＯＧＡＣ）
によりそれぞれ測定した。
【００３６】評価の結果、表２および図１に示すよう
に、可視光線透過率は約７５％と高く、ガラス面の反射
色調も緑色から青緑色の落ち着いた色調であり、電磁波
遮蔽性能も３５ｄＢ以上と高性能のものが得られた。さ
らに、耐湿性も良好であった。
に、可視光線透過率は約７５％と高く、ガラス面の反射
色調も緑色から青緑色の落ち着いた色調であり、電磁波
遮蔽性能も３５ｄＢ以上と高性能のものが得られた。さ
らに、耐湿性も良好であった。
【００３７】実施例２ 実施例１と比較して、第４層５層目のＺｎＯ2層は成膜
せず、その他は表１に示すような膜厚になるように実施
例１と同様に成膜した。なお、第１層、第４層および第
７層の酸化物層の膜厚は、合計でそれぞれ３３．４ｎ
ｍ、８５．８ｎｍ、３５．７ｎｍであった。
せず、その他は表１に示すような膜厚になるように実施
例１と同様に成膜した。なお、第１層、第４層および第
７層の酸化物層の膜厚は、合計でそれぞれ３３．４ｎ
ｍ、８５．８ｎｍ、３５．７ｎｍであった。
【００３８】評価の結果、可視光線透過率は約６６％と
高く、ガラス面の反射色調も青緑色から青色の落ち着い
た色調であり、電磁波遮蔽性能も４１ｄＢと高性能のも
のが得られた。さらに、耐湿性も良好であった。なお、
表２の耐湿性の欄の◎印は耐湿性の良好のものであり、
△印は長期耐湿性に劣り好ましくなく、×印は全く耐湿
性に劣るものを示す。
高く、ガラス面の反射色調も青緑色から青色の落ち着い
た色調であり、電磁波遮蔽性能も４１ｄＢと高性能のも
のが得られた。さらに、耐湿性も良好であった。なお、
表２の耐湿性の欄の◎印は耐湿性の良好のものであり、
△印は長期耐湿性に劣り好ましくなく、×印は全く耐湿
性に劣るものを示す。
【００３９】実施例３ 実施例１と比較して、第４層５層目のＺｎＯ2層は成膜
せず、その他は表１に示すような膜厚になるように実施
例１と同様に成膜した。なお、第１層、第４層および第
７層の酸化物層の膜厚は、合計でそれぞれ３４．８ｎ
ｍ、９１．１ｎｍ、３５．４ｎｍであった。
せず、その他は表１に示すような膜厚になるように実施
例１と同様に成膜した。なお、第１層、第４層および第
７層の酸化物層の膜厚は、合計でそれぞれ３４．８ｎ
ｍ、９１．１ｎｍ、３５．４ｎｍであった。
【００４０】評価の結果、可視光線透過率は約５６％と
やや透視性を抑えたものであり、ガラス面の反射色調も
青緑色から青色の落ち着いた色調であり、電磁波遮蔽性
能も４３ｄＢと高性能のものが得られた。さらに、耐湿
性も良好であった。
やや透視性を抑えたものであり、ガラス面の反射色調も
青緑色から青色の落ち着いた色調であり、電磁波遮蔽性
能も４３ｄＢと高性能のものが得られた。さらに、耐湿
性も良好であった。
【００４１】比較例１ 実施例１と同様に、カソードには予め、Ｚｎ、Ａｇの各
金属ターゲットを取り付けた。先ず１パス目として、成
膜室の雰囲気を酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）に
保持し、第１層としてのＺｎＯ2層を３８．０ｎｍ成膜
した。次に２パス目として雰囲気をＡｒ１００％の不活
性雰囲気に保持し、次いでＡｇ層を１６．６ｎｍ、第３
層のＺｎ層を１．７ｎｍ成膜した。３パス目として成膜
室の雰囲気を再び酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）
に保持し、次にＺｎＯ2層を７０ｎｍ成膜し、さらに４
パス目として２パス目と同じ雰囲気で、第５層のＡｇ層
を１６．６ｎｍ、第６層のＺｎ層を１．７ｎｍ成膜し、
５パス目として３パス目と同じ雰囲気でＺｎＯ2層を３
２．５ｎｍ成膜ガラスしたのち、成膜室より排出した。
金属ターゲットを取り付けた。先ず１パス目として、成
膜室の雰囲気を酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）に
保持し、第１層としてのＺｎＯ2層を３８．０ｎｍ成膜
した。次に２パス目として雰囲気をＡｒ１００％の不活
性雰囲気に保持し、次いでＡｇ層を１６．６ｎｍ、第３
層のＺｎ層を１．７ｎｍ成膜した。３パス目として成膜
室の雰囲気を再び酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝８：２）
に保持し、次にＺｎＯ2層を７０ｎｍ成膜し、さらに４
パス目として２パス目と同じ雰囲気で、第５層のＡｇ層
を１６．６ｎｍ、第６層のＺｎ層を１．７ｎｍ成膜し、
５パス目として３パス目と同じ雰囲気でＺｎＯ2層を３
２．５ｎｍ成膜ガラスしたのち、成膜室より排出した。
【００４２】評価の結果、可視光線透過率は約６５％と
高透過率であり、電磁波遮蔽性能も３６ｄＢと高性能の
ものが得られたが、ガラス面の反射色調が赤から橙色と
違和感のある色調であり、好ましいものではなかった。
さらに、耐湿性も２週間経過後膜の白濁のピンホール欠
陥がみられ、好ましくなかった。
高透過率であり、電磁波遮蔽性能も３６ｄＢと高性能の
ものが得られたが、ガラス面の反射色調が赤から橙色と
違和感のある色調であり、好ましいものではなかった。
さらに、耐湿性も２週間経過後膜の白濁のピンホール欠
陥がみられ、好ましくなかった。
【００４３】比較例２ 比較例１と比較して、第３層および第６層の金属バリア
ー層としてのＺｎの代わりに、Ｔｉターゲットを用いて
Ｔｉの金属バリアー層を成膜した。なお、各膜の膜厚は
表１に示す通りである。
ー層としてのＺｎの代わりに、Ｔｉターゲットを用いて
Ｔｉの金属バリアー層を成膜した。なお、各膜の膜厚は
表１に示す通りである。
【００４４】評価の結果、可視光線透過率は約６９％と
高透過率であり、電磁波遮蔽性能も３７ｄＢと高性能の
ものが得られたが、比較例１と同様にガラス面の反射色
調が赤から橙色と違和感のある色調であり、好ましいも
のではなかった。さらに、耐湿性も２週間経過後膜の白
濁のピンホール欠陥がみられ、好ましくなかった。
高透過率であり、電磁波遮蔽性能も３７ｄＢと高性能の
ものが得られたが、比較例１と同様にガラス面の反射色
調が赤から橙色と違和感のある色調であり、好ましいも
のではなかった。さらに、耐湿性も２週間経過後膜の白
濁のピンホール欠陥がみられ、好ましくなかった。
【００４５】比較例３ 比較例２と同じターゲットを用いて、表１に示す膜厚に
成膜した。
成膜した。
【００４６】評価の結果、可視光線透過率は約７６％と
高透過率であり、電磁波遮蔽性能も３０ｄＢものが得ら
れたが、ガラス面の反射色調が白から赤紫色と違和感の
ある色調であり、好ましいものではなかった。さらに、
耐湿性も２週間経過後膜の白濁のピンホール欠陥がみら
れ、好ましくなかった。
高透過率であり、電磁波遮蔽性能も３０ｄＢものが得ら
れたが、ガラス面の反射色調が白から赤紫色と違和感の
ある色調であり、好ましいものではなかった。さらに、
耐湿性も２週間経過後膜の白濁のピンホール欠陥がみら
れ、好ましくなかった。
【００４７】比較例４ 比較例１と同様に、カソードには予め、Ｚｎ、Ａｇ、Ｚ
ｎＡの各金属ターゲットを取り付けた。先ず１パス目と
して、成膜室の雰囲気を酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝
８：２）に保持し、第１層としてのＺｎＯ2層を３８．
０ｎｍ成膜した。次に２パス目として雰囲気をＡｒ１０
０％の不活性雰囲気に保持し、次いでＡｇ層を１７．０
ｎｍ、第３層のＺｎＡｌ層を１．０ｎｍ成膜した。３パ
ス目として成膜室の雰囲気を再び酸化性雰囲気（Ｏ2：
Ａｒ＝８：２）に保持し、第４層の１層目としてのＺｎ
ＡｌＯ2層を３．６ｎｍ、２層目としてのＺｎＯ2層を６
１．４ｎｍを順次成膜し、さらに４パス目として２パス
目と同じ雰囲気で、第５層のＡｇ層を１７．０ｎｍ、第
６層のＺｎＡｌ層を１．０ｎｍ成膜し、５パス目として
３パス目と同じ雰囲気でＺｎＡｌＯ2層を３．６ｎｍ、
次いでＺｎＯ2層を２８．４ｎｍを順次成膜したのち、
成膜室より排出した。なお、第４層および第７層の酸化
物層の膜厚は、合計でそれぞれ６９．０ｎｍ、３４．０
ｎｍであった。
ｎＡの各金属ターゲットを取り付けた。先ず１パス目と
して、成膜室の雰囲気を酸化性雰囲気（Ｏ2：Ａｒ＝
８：２）に保持し、第１層としてのＺｎＯ2層を３８．
０ｎｍ成膜した。次に２パス目として雰囲気をＡｒ１０
０％の不活性雰囲気に保持し、次いでＡｇ層を１７．０
ｎｍ、第３層のＺｎＡｌ層を１．０ｎｍ成膜した。３パ
ス目として成膜室の雰囲気を再び酸化性雰囲気（Ｏ2：
Ａｒ＝８：２）に保持し、第４層の１層目としてのＺｎ
ＡｌＯ2層を３．６ｎｍ、２層目としてのＺｎＯ2層を６
１．４ｎｍを順次成膜し、さらに４パス目として２パス
目と同じ雰囲気で、第５層のＡｇ層を１７．０ｎｍ、第
６層のＺｎＡｌ層を１．０ｎｍ成膜し、５パス目として
３パス目と同じ雰囲気でＺｎＡｌＯ2層を３．６ｎｍ、
次いでＺｎＯ2層を２８．４ｎｍを順次成膜したのち、
成膜室より排出した。なお、第４層および第７層の酸化
物層の膜厚は、合計でそれぞれ６９．０ｎｍ、３４．０
ｎｍであった。
【００４８】評価の結果、可視光線透過率は約７２％と
高透過率であり、電磁波遮蔽性能も３６ｄＢと高性能の
ものが得られたが、比較例１と同様にガラス面の反射色
調が赤から橙色と違和感のある色調であり、好ましいも
のではなかった。さらに、耐湿性も２週間経過後膜の白
濁のピンホール欠陥がみられ、好ましくなかった。
高透過率であり、電磁波遮蔽性能も３６ｄＢと高性能の
ものが得られたが、比較例１と同様にガラス面の反射色
調が赤から橙色と違和感のある色調であり、好ましいも
のではなかった。さらに、耐湿性も２週間経過後膜の白
濁のピンホール欠陥がみられ、好ましくなかった。
【００４９】比較例５ 比較例４と同じターゲットを用いて、表１に示すような
膜厚になるようにそれぞれ成膜した。
膜厚になるようにそれぞれ成膜した。
【００５０】評価の結果、可視光線透過率は約７１％と
高透過率であり、電磁波遮蔽性能も３６ｄＢと高性能の
ものが得られたが、比較例３と同様にガラス面の反射色
調が白から紫色と違和感のある色調であり、好ましいも
のではなかった。さらに、耐湿性も２週間経過後膜の白
濁のピンホール欠陥がみられ、好ましくなかった。
高透過率であり、電磁波遮蔽性能も３６ｄＢと高性能の
ものが得られたが、比較例３と同様にガラス面の反射色
調が白から紫色と違和感のある色調であり、好ましいも
のではなかった。さらに、耐湿性も２週間経過後膜の白
濁のピンホール欠陥がみられ、好ましくなかった。
【００５１】
【発明の効果】本発明は、反射色調が無彩色から青緑色
である違和感のない３０ｄＢ以上（１ＧＨｚ）の高電磁
波遮蔽性能を有し、さらに可視光線透過率が８０％以下
から３０％まで自在に得られる耐湿性の優れた高品質・
高性能の電磁波遮蔽膜付き基板が容易に得られる効果を
有する。
である違和感のない３０ｄＢ以上（１ＧＨｚ）の高電磁
波遮蔽性能を有し、さらに可視光線透過率が８０％以下
から３０％まで自在に得られる耐湿性の優れた高品質・
高性能の電磁波遮蔽膜付き基板が容易に得られる効果を
有する。
【図１】反射色調の色度座標図。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 14/06 Ｃ２３Ｃ 14/06 Ｎ Ｆターム(参考） 4F100 AA12A AA12D AA12E AA13A AA13D AA17A AA17D AA17E AA21A AA21D AA21E AA25A AA25D AA25E AA28A AA28D AA28E AA33A AA33D AA33E AB10C AB10E AB18C AB18E AB24B AB24E AB31C AB31E AD05A AD05D AD05E AG00 AT00A BA05 BA07 BA14 BA25 GB41 JD04 JD08 JD08C JD08E JD20B JD20E JG04 JN01A JN01D JN01E JN08 JN28 JN30 YY00 YY00B YY00E 4G059 AA01 AC20 DA01 EA01 EA02 EA04 EA07 EA12 EB04 GA02 GA04 GA12 4K029 AA09 AA11 AA24 BA04 BA23 BA43 BA47 BA48 BA49 BA50 BA58 BB02 CA05 DC05 DC06 DC26 5E321 AA46 BB23 BB25 GG05 GH01
Claims (5)
- 【請求項１】透明基板上に、透明基板／透明酸化物層お
よび／または透明窒化物層よりなる第１層／Ａｇ層より
なる第２層／ＺｎＡlの金属バリヤー層よりなる第３層
／透明酸化物層および／または透明窒化物層よりなる第
４層／Ａｇ層よりなる第５層／ＺｎＡlの金属バリヤー
層よりなる第６層/透明酸化物層および／または透明窒
化物よりなる第７層からなる被膜が順次積層され、第１
層目の膜厚が２６〜３６ｎｍ，第２層および第５層の膜
厚がそれぞれ１５ｎｍ〜５０ｎｍ、第３層および第６層
の膜厚がそれぞれ１．５ｎｍ以下、第４層の膜厚が８０
〜１００ｎｍ、第７層の膜厚が２３〜４０ｎｍからなる
ことを特徴とする電磁波遮蔽膜付き基板。 - 【請求項２】前記被膜の表面シート抵抗値が２．３Ω／
□以下、前記膜付き基板の可視光線透過率が３０〜８０
％、被膜の被覆されていない透明基板面の反射色調はＬ
ａ*ｂ*表示において−２０＜ａ*＜−５、−４０＜ｂ*＜
１０の範囲である無彩色からやや青緑色の色調を呈する
ことを特徴とする請求項１記載の電磁波遮蔽膜付き基
板。 - 【請求項３】第１層、第４層および第７層の透明金属酸
化物層および／または透明金属窒化物層は、ＺｎＯ2，
ＺｎＡｌＯ2、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｎ3、Ｓｉ2Ｎ3
のうちから選択された少なくとも１種からなることを特
徴とする請求項１乃至２記載の電磁波遮蔽膜付き基板。 - 【請求項４】ＺｎＡｌの金属バリアー層は、Ａｌを１〜
１０原子％含むＺｎＡｌ合金であることを特徴とする請
求項１乃至３記載の電磁波遮蔽膜付き基板。 - 【請求項５】第２層および第５層のＡｇ層の膜厚がそれ
ぞれ２０ｎｍ以上で、１ＧＨＺにおける電磁波遮蔽性能
が４０ｄＢ以上であることを特徴とする請求項１乃至４
記載の電磁波遮蔽膜付き基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04932399A JP3549761B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 電磁波遮蔽膜付き基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04932399A JP3549761B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 電磁波遮蔽膜付き基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252682A true JP2000252682A (ja) | 2000-09-14 |
| JP3549761B2 JP3549761B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=12827781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04932399A Expired - Lifetime JP3549761B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 電磁波遮蔽膜付き基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3549761B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002308650A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-23 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 防火ガラス物品 |
| JP2002368482A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Gunze Ltd | 電磁波シ−ルド用部材とその製造方法 |
| WO2003037056A1 (fr) * | 2001-10-26 | 2003-05-01 | Central Glass Company, Limited | Substrat dote d'un film de protection electromagnetique |
| JP2007505810A (ja) * | 2003-09-17 | 2007-03-15 | サン−ゴバン グラス フランス | 電磁遮蔽用薄膜積層体を備えた透明基板 |
| JP2007191384A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Central Glass Co Ltd | 低放射ガラス |
| JP2008027941A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2008072013A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| KR100895759B1 (ko) * | 2002-08-08 | 2009-04-30 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | Ａｇ계 합금으로 이루어진 광반사막을 구비한 액정표시 소자 |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP04932399A patent/JP3549761B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002308650A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-23 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 防火ガラス物品 |
| JP4547657B2 (ja) * | 2001-04-04 | 2010-09-22 | 日本電気硝子株式会社 | 防火ガラス物品 |
| JP2002368482A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Gunze Ltd | 電磁波シ−ルド用部材とその製造方法 |
| WO2003037056A1 (fr) * | 2001-10-26 | 2003-05-01 | Central Glass Company, Limited | Substrat dote d'un film de protection electromagnetique |
| KR100895759B1 (ko) * | 2002-08-08 | 2009-04-30 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | Ａｇ계 합금으로 이루어진 광반사막을 구비한 액정표시 소자 |
| JP2007505810A (ja) * | 2003-09-17 | 2007-03-15 | サン−ゴバン グラス フランス | 電磁遮蔽用薄膜積層体を備えた透明基板 |
| JP4800947B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2011-10-26 | サン−ゴバン グラス フランス | 電磁遮蔽用薄膜積層体を備えた透明基板 |
| JP2007191384A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Central Glass Co Ltd | 低放射ガラス |
| JP2008027941A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2008072013A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3549761B2 (ja) | 2004-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3902676B2 (ja) | 日光及び／又は赤外線に作用する薄い皮膜の積層を備えた透明な基材 | |
| EP0908421B1 (en) | High light transmission, low-e sputter-coated layer systems and insulated glass units made therefrom | |
| JP3998738B2 (ja) | 半透明の材料からなる平板ならびにその製造方法 | |
| RU2431621C2 (ru) | Лист стекла, несущий многослойное покрытие | |
| CN101830643B (zh) | 一种双银镀膜玻璃及其制造方法 | |
| CA1279535C (en) | Coated glass article as a new article of manufacture | |
| KR101027610B1 (ko) | 전자파 차폐 적층체 및 이를 이용한 디스플레이 장치 | |
| JP4114429B2 (ja) | 積層体および構造体 | |
| WO2002004376A1 (fr) | Element photocatalytique | |
| JP4013329B2 (ja) | 積層体および窓用ガラス積層体 | |
| WO1991002102A1 (en) | Film based on silicon dioxide and production thereof | |
| JP3053668B2 (ja) | 熱線遮断膜 | |
| TW200300109A (en) | Substrate with electromagnetic shield film | |
| EP3514583B1 (en) | Sunlight shielding member | |
| JP3549761B2 (ja) | 電磁波遮蔽膜付き基板 | |
| WO2011001983A1 (ja) | 導電性積層体およびプラズマディスプレイ用保護板 | |
| JPH11157881A (ja) | 低放射ガラス積層体 | |
| JP2003133787A (ja) | 電磁波シールド膜付き基板 | |
| CN115140949B (zh) | 一种低反射率低透过率low-e镀膜玻璃及制作方法 | |
| JP2018002564A (ja) | グレー色調低放射ガラス | |
| JP3924849B2 (ja) | 透明導電フィルムおよびそれを用いた電磁波シールドフィルター | |
| JP2004128220A (ja) | 電磁波シールド膜付き基板 | |
| JPS63239043A (ja) | 赤外反射物品 | |
| JPH0640746A (ja) | 自動車用窓ガラス | |
| JP2007197237A (ja) | 低放射複層ガラス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040420 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040421 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080430 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120430 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120430 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140430 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |