JP2000251223A - スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド - Google Patents
スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 基板上に非磁性導電層8を挟む一対の強
性磁性層7、9と反強磁性層6とを積層したスピンバル
ブ磁気抵抗センサにおいて、Pt−Mn−X合金、Ir
−Mn−X合金、Rh−Mn−X合金、Ru−Mn−X
合金及びPd−Mn−X合金のいずれか(Xは周期律表
のIIa族、IVa族、Va族、IIIb族及びIVb族の元素
から選択される1種又は2種以上の元素)を用い、かつ
Xを0.1at%乃至15at%の範囲で含む反強磁性
材料を用いて反強磁性層を形成する。 【効果】 反強磁性層は、膜厚を薄くしても、高い(1
11)配向性及び良好な結晶性を確保し、それにより、
交換結合磁場Hexを高くでき、MR比が向上する。また
ピン磁性層・フリー磁性層間の相互作用磁場Hintを低
くでき、アシンメトリーを小さくできる。更に、ブロッ
キング温度TBを従来の反強磁性層に比較して高くで
き、熱的安定性が向上する。
性磁性層7、9と反強磁性層6とを積層したスピンバル
ブ磁気抵抗センサにおいて、Pt−Mn−X合金、Ir
−Mn−X合金、Rh−Mn−X合金、Ru−Mn−X
合金及びPd−Mn−X合金のいずれか(Xは周期律表
のIIa族、IVa族、Va族、IIIb族及びIVb族の元素
から選択される1種又は2種以上の元素)を用い、かつ
Xを0.1at%乃至15at%の範囲で含む反強磁性
材料を用いて反強磁性層を形成する。 【効果】 反強磁性層は、膜厚を薄くしても、高い(1
11)配向性及び良好な結晶性を確保し、それにより、
交換結合磁場Hexを高くでき、MR比が向上する。また
ピン磁性層・フリー磁性層間の相互作用磁場Hintを低
くでき、アシンメトリーを小さくできる。更に、ブロッ
キング温度TBを従来の反強磁性層に比較して高くで
き、熱的安定性が向上する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録装置に使
用される磁気抵抗型センサに関し、特にスピンバルブ磁
気抵抗効果を利用した磁気センサ及び薄膜磁気ヘッドに
関する。
用される磁気抵抗型センサに関し、特にスピンバルブ磁
気抵抗効果を利用した磁気センサ及び薄膜磁気ヘッドに
関する。
【0002】
【従来の技術】最近、再生用磁気ヘッドにおいて飽和磁
界を小さくして磁界感度を高めるために、基板上に非磁
性層を挟んで1対の磁性層を積層したサンドイッチ構造
のスピンバルブ膜からなる磁気抵抗(MR)センサが開
発されている。スピンバルブ膜は、一方の磁性層(ピン
磁性層)の磁化が、それに隣接する反強磁性層との交換
結合磁界により素子高さ方向に固定されるのに対し、他
方の磁性層(フリー磁性層)の磁化は、一般に永久磁石
の磁界を利用したハードバイアス法により、素子のトラ
ック幅方向に単磁区化され、外部磁界により自由に回転
する。
界を小さくして磁界感度を高めるために、基板上に非磁
性層を挟んで1対の磁性層を積層したサンドイッチ構造
のスピンバルブ膜からなる磁気抵抗(MR)センサが開
発されている。スピンバルブ膜は、一方の磁性層(ピン
磁性層)の磁化が、それに隣接する反強磁性層との交換
結合磁界により素子高さ方向に固定されるのに対し、他
方の磁性層(フリー磁性層)の磁化は、一般に永久磁石
の磁界を利用したハードバイアス法により、素子のトラ
ック幅方向に単磁区化され、外部磁界により自由に回転
する。
【0003】反強磁性層による一方向異方性磁場が大き
いほど、ピン磁性層を良好に単磁区化することができ、
またその磁化が十分に固定されるほど、外部磁場に対す
る磁気応答の線形性が確保され、磁気センサの磁気特性
が向上する。反強磁性材料としては、例えば特開平9−
35212号公報に記載されるように、大きな交換結合
磁場が得られ、ブロッキング温度を高くでき、耐食性に
優れ、熱処理(アニール)温度が低いこと、及び膜厚を
薄くできることなどの特性が要求され、従来から様々な
材料が提案されている。
いほど、ピン磁性層を良好に単磁区化することができ、
またその磁化が十分に固定されるほど、外部磁場に対す
る磁気応答の線形性が確保され、磁気センサの磁気特性
が向上する。反強磁性材料としては、例えば特開平9−
35212号公報に記載されるように、大きな交換結合
磁場が得られ、ブロッキング温度を高くでき、耐食性に
優れ、熱処理(アニール)温度が低いこと、及び膜厚を
薄くできることなどの特性が要求され、従来から様々な
材料が提案されている。
【0004】一方、上記反強磁性層は、磁気センサの薄
型化、消費電力の低減、高記録密度化などの点から可能
な限りその膜厚を薄くすることが望ましい。
型化、消費電力の低減、高記録密度化などの点から可能
な限りその膜厚を薄くすることが望ましい。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来か
ら反強磁性材料として一般に使用されているFeMn合
金は腐食しやすいという問題がある。また、IrMn合
金、RhMn合金、FeMn合金などは下地層の影響を
受け易いので、特に基板側に反強磁性層を配置しかつそ
の上にピン磁性層を積層する所謂ボトムタイプのスピン
バルブ構造では、(111)結晶配向性の高い下地膜を
設けたり、膜厚を厚くする必要がある。また、NiMn
合金では、ピン磁性層との交換結合を十分に確保するた
めに、250℃以上の高温で熱処理(アニール)する必
要があり、そのためにピン層/非磁性層/フリー層間に
金属元素の拡散が生じてMR比を低下させる虞がある。
ら反強磁性材料として一般に使用されているFeMn合
金は腐食しやすいという問題がある。また、IrMn合
金、RhMn合金、FeMn合金などは下地層の影響を
受け易いので、特に基板側に反強磁性層を配置しかつそ
の上にピン磁性層を積層する所謂ボトムタイプのスピン
バルブ構造では、(111)結晶配向性の高い下地膜を
設けたり、膜厚を厚くする必要がある。また、NiMn
合金では、ピン磁性層との交換結合を十分に確保するた
めに、250℃以上の高温で熱処理(アニール)する必
要があり、そのためにピン層/非磁性層/フリー層間に
金属元素の拡散が生じてMR比を低下させる虞がある。
【0006】特開平10−91921号公報に記載され
るスピンバルブ型薄膜磁気ヘッドでは、かかる問題点を
解消するために、反強磁性層がPtMn合金またはPd
Mn合金により形成されている。同公報によれば、Pt
Mn合金及びPdMn合金は耐食性が良好で、230℃
以下の低い温度での熱処理により有効な交換結合磁場を
発揮し、ブロッキング温度が高いので、熱的安定性に優
れた良好な薄膜磁気ヘッドが得られる。
るスピンバルブ型薄膜磁気ヘッドでは、かかる問題点を
解消するために、反強磁性層がPtMn合金またはPd
Mn合金により形成されている。同公報によれば、Pt
Mn合金及びPdMn合金は耐食性が良好で、230℃
以下の低い温度での熱処理により有効な交換結合磁場を
発揮し、ブロッキング温度が高いので、熱的安定性に優
れた良好な薄膜磁気ヘッドが得られる。
【0007】ところが、これらの合金を反強磁性層に用
いた場合にも、安定した十分な値の交換結合磁場を確保
するためには、その膜厚を例えば250Å以上に厚くし
て、ピン磁性層との界面における(111)結晶配向性
を上げる必要がある。反強磁性層の膜厚を大きくし過ぎ
ると、センス電流の反強磁性層への分流が増大して、M
R比が低下するという問題が生じる。また、高磁気記録
密度、装置の小型化に伴う磁気ヘッドの小型化の観点か
ら磁気センサの薄型化を図ることが望ましい。
いた場合にも、安定した十分な値の交換結合磁場を確保
するためには、その膜厚を例えば250Å以上に厚くし
て、ピン磁性層との界面における(111)結晶配向性
を上げる必要がある。反強磁性層の膜厚を大きくし過ぎ
ると、センス電流の反強磁性層への分流が増大して、M
R比が低下するという問題が生じる。また、高磁気記録
密度、装置の小型化に伴う磁気ヘッドの小型化の観点か
ら磁気センサの薄型化を図ることが望ましい。
【0008】本発明は、上述した従来の問題点に鑑み、
磁気抵抗効果膜の反強磁性層を薄く形成しても良好な
(111)結晶配向性が得られ、それにより高い交換結
合磁気実現でき、かつ相互作用磁場を低減して再生出力
のアシンメトリーを小さくし得るスピンバルブ磁気抵抗
センサを提供することを目的とする。
磁気抵抗効果膜の反強磁性層を薄く形成しても良好な
(111)結晶配向性が得られ、それにより高い交換結
合磁気実現でき、かつ相互作用磁場を低減して再生出力
のアシンメトリーを小さくし得るスピンバルブ磁気抵抗
センサを提供することを目的とする。
【0009】また、本発明の別の目的は、かかるスピン
バルブ磁気抵抗センサを備えることにより、より高記録
密度化及び小型化を達成可能な高性能の薄膜磁気ヘッド
を提供することにある。
バルブ磁気抵抗センサを備えることにより、より高記録
密度化及び小型化を達成可能な高性能の薄膜磁気ヘッド
を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上述した目的は、本発明
によれば、基板上に非磁性層を挟んで配置された1対の
磁性層と、一方の前記磁性層に隣接する反強磁性層とを
積層した磁気抵抗効果膜を備えるスピンバルブ磁気抵抗
センサであって、前記反強磁性層が、Pt−Mn−X合
金、Ir−Mn−X合金、Rh−Mn−X合金、Ru−
Mn−X合金及びPd−Mn−X合金のいずれかであ
り、前記Xが周期律表のIIa族、IVa族、Va族、III
b族及びIVb族の元素から選択される1種又は2種以上
の元素からなり、かつ前記Xを0.1at%乃至15a
t%の範囲で含む反強磁性材料からなることを特徴とす
るスピンバルブ磁気抵抗センサを提供することにより達
成される。
によれば、基板上に非磁性層を挟んで配置された1対の
磁性層と、一方の前記磁性層に隣接する反強磁性層とを
積層した磁気抵抗効果膜を備えるスピンバルブ磁気抵抗
センサであって、前記反強磁性層が、Pt−Mn−X合
金、Ir−Mn−X合金、Rh−Mn−X合金、Ru−
Mn−X合金及びPd−Mn−X合金のいずれかであ
り、前記Xが周期律表のIIa族、IVa族、Va族、III
b族及びIVb族の元素から選択される1種又は2種以上
の元素からなり、かつ前記Xを0.1at%乃至15a
t%の範囲で含む反強磁性材料からなることを特徴とす
るスピンバルブ磁気抵抗センサを提供することにより達
成される。
【0011】上述した合金に第3元素Xを添加した反強
磁性材料を用いることにより、反強磁性層は、その下地
の膜層の結晶配向性に依らず、その初期成膜層部分から
結晶性及び(111)配向性が向上するので、その膜厚
を薄くしても十分な交換結合磁場が得られ、かつ相互作
用磁場を低減できる。
磁性材料を用いることにより、反強磁性層は、その下地
の膜層の結晶配向性に依らず、その初期成膜層部分から
結晶性及び(111)配向性が向上するので、その膜厚
を薄くしても十分な交換結合磁場が得られ、かつ相互作
用磁場を低減できる。
【0012】特に反強磁性材料がPt−Mn−X合金か
らなり、その組成が(Ptx−Mn1 -x)1-y−Xyであ
り、かつx及びyがそれぞれ5≦x≦20及び0.1≦
y≦15の範囲内、又は36≦x≦54及び0.1≦y
≦15の範囲内にあると、反強磁性層が良好な結晶性及
び(111)配向性を示すので好都合である。この場
合、反強磁性層は、200℃乃至350℃の温度で熱処
理(アニール)することにより、ピン磁性層と有効に交
換結合させることができる。
らなり、その組成が(Ptx−Mn1 -x)1-y−Xyであ
り、かつx及びyがそれぞれ5≦x≦20及び0.1≦
y≦15の範囲内、又は36≦x≦54及び0.1≦y
≦15の範囲内にあると、反強磁性層が良好な結晶性及
び(111)配向性を示すので好都合である。この場
合、反強磁性層は、200℃乃至350℃の温度で熱処
理(アニール)することにより、ピン磁性層と有効に交
換結合させることができる。
【0013】また、反強磁性材料がIr−Mn−X合金
からなり、前記XがTa、Zr及びNbから選択される
1種又は2種以上の元素からなり、かつXを0.1at
%乃至15at%の範囲で含むと、同様に良好な結晶性
及び(111)配向性が得られるので、好ましい。
からなり、前記XがTa、Zr及びNbから選択される
1種又は2種以上の元素からなり、かつXを0.1at
%乃至15at%の範囲で含むと、同様に良好な結晶性
及び(111)配向性が得られるので、好ましい。
【0014】更に本発明の別の側面によれば、上述した
スピンバルブ磁気抵抗センサを備えることにより、磁気
的に優れた特性を有し、かつ高記録密度化が可能な薄膜
磁気ヘッドが提供される。
スピンバルブ磁気抵抗センサを備えることにより、磁気
的に優れた特性を有し、かつ高記録密度化が可能な薄膜
磁気ヘッドが提供される。
【0015】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施の形
態について添付の図面を参照して詳細に説明する。図1
は、本発明を適用したボトムスピンバルブ磁気抵抗セン
サをABS(空気ベアリング面)側から見た断面図であ
る。このスピンバルブ磁気抵抗センサは、ガラスやシリ
コン、Al2O3・TiCなどのセラミック材料からなる
基板上に設けたアルミナ(Al2O3)絶縁層1の上に厚
さ30ÅのTa膜からなる下地層2が形成され、その上
にボトムスピンバルブ構造の磁気抵抗(MR)膜3が積
層されている。
態について添付の図面を参照して詳細に説明する。図1
は、本発明を適用したボトムスピンバルブ磁気抵抗セン
サをABS(空気ベアリング面)側から見た断面図であ
る。このスピンバルブ磁気抵抗センサは、ガラスやシリ
コン、Al2O3・TiCなどのセラミック材料からなる
基板上に設けたアルミナ(Al2O3)絶縁層1の上に厚
さ30ÅのTa膜からなる下地層2が形成され、その上
にボトムスピンバルブ構造の磁気抵抗(MR)膜3が積
層されている。
【0016】MR膜3は、下地層2の上に積層したPt
−Mn−X合金からなる反強磁性層4と、厚さ20Åの
Co90Fe10膜からなるピン磁性層5と、厚さ25Åの
Cu膜からなる非磁性導電層6と、厚さ10ÅのCo90
Fe10膜7及び厚さ50ÅのNi80Fe20膜8からなる
フリー磁性層9とを有する。MR膜3は、成膜後に真空
磁場中で後述する所定の熱処理を行うことにより、反強
磁性層4を規則化させ、かつピン磁性層5に一方向異方
性を与えて、その磁化配向を固定する。このMR膜3の
上には、厚さ30ÅのTaからなる保護膜10が成膜さ
れている。
−Mn−X合金からなる反強磁性層4と、厚さ20Åの
Co90Fe10膜からなるピン磁性層5と、厚さ25Åの
Cu膜からなる非磁性導電層6と、厚さ10ÅのCo90
Fe10膜7及び厚さ50ÅのNi80Fe20膜8からなる
フリー磁性層9とを有する。MR膜3は、成膜後に真空
磁場中で後述する所定の熱処理を行うことにより、反強
磁性層4を規則化させ、かつピン磁性層5に一方向異方
性を与えて、その磁化配向を固定する。このMR膜3の
上には、厚さ30ÅのTaからなる保護膜10が成膜さ
れている。
【0017】反強磁性層4はfcc結晶構造を有し、か
つそのPt−Mn−X合金中に含まれるXは、周期律表
のIIa族、IVa族、Va族、IIIb族及びIVb族の元素
から選択される1種又は2種以上の元素であり、その含
有量は0.1at%〜15at%の範囲内である。この
ような膜組成として、特に(Pt5 〜 20−Mn80 〜 95)
85 〜 99.9−X0.1 〜 15、又は(Pt36 〜 54−M
n46 〜 64)85 〜 99.9−X0.1 〜 15が好ましい。このMR
膜は、200℃乃至350℃の温度で所定時間、例えば
10時間熱処理されている。
つそのPt−Mn−X合金中に含まれるXは、周期律表
のIIa族、IVa族、Va族、IIIb族及びIVb族の元素
から選択される1種又は2種以上の元素であり、その含
有量は0.1at%〜15at%の範囲内である。この
ような膜組成として、特に(Pt5 〜 20−Mn80 〜 95)
85 〜 99.9−X0.1 〜 15、又は(Pt36 〜 54−M
n46 〜 64)85 〜 99.9−X0.1 〜 15が好ましい。このMR
膜は、200℃乃至350℃の温度で所定時間、例えば
10時間熱処理されている。
【0018】このような膜組成を用いることにより、反
強磁性層4は、基板との間に(111)結晶配向性の高
い特別な下地層を設けなくても、その成膜初期層部分か
ら良好な(111)結晶配向性を示す。従って、反強磁
性層の膜厚を従来より薄くしても、ピン磁性層5との十
分な交換結合を得ることができる。また、反強磁性層の
上に形成するピン磁性層5の(111)配向性も向上す
る。
強磁性層4は、基板との間に(111)結晶配向性の高
い特別な下地層を設けなくても、その成膜初期層部分か
ら良好な(111)結晶配向性を示す。従って、反強磁
性層の膜厚を従来より薄くしても、ピン磁性層5との十
分な交換結合を得ることができる。また、反強磁性層の
上に形成するピン磁性層5の(111)配向性も向上す
る。
【0019】MR膜3の両側は、所定のトラック幅に合
わせてエッチングにより除去され、ハードバイアス層及
びセンス電流を流すための電極としての導電リード(共
に図示せず)等が形成される。この積層構造全体を更に
アルミナ絶縁層で被覆して、本発明のスピンバルブMR
センサが完成する。
わせてエッチングにより除去され、ハードバイアス層及
びセンス電流を流すための電極としての導電リード(共
に図示せず)等が形成される。この積層構造全体を更に
アルミナ絶縁層で被覆して、本発明のスピンバルブMR
センサが完成する。
【0020】図1のボトムスピンバルブ構造の磁気抵抗
センサにおいて、前記Xに周期律表IVa族のTiを選択
し、(PtMn)1-y−Tiy組成の合金として反強磁性
層4を形成した。このTiの含有量に対する反強磁性層
の(111)配向の強さを図2に示す。同図から分かる
ように、0.1at%〜15at%のTi量で強い(1
11)配向性が得られた。
センサにおいて、前記Xに周期律表IVa族のTiを選択
し、(PtMn)1-y−Tiy組成の合金として反強磁性
層4を形成した。このTiの含有量に対する反強磁性層
の(111)配向の強さを図2に示す。同図から分かる
ように、0.1at%〜15at%のTi量で強い(1
11)配向性が得られた。
【0021】更に、この場合における反強磁性層の膜厚
と交換結合磁場Hexとの関係を図3に示す。比較例とし
て、図1と同様の構造のスピンバルブ磁気抵抗センサに
ついて、従来のPtMn合金を用いて反強磁性層を形成
した。この場合の反強磁性層の膜厚と交換結合磁場Hex
との関係を併せて図3に示す。尚、これらの反強磁性層
は、230℃及び250℃で10時間熱処理した。同図
から、従来のPtMn合金の反強磁性層が膜厚200Å
以上で所望の交換結合磁場Hexが得られるのに比して、
本発明による反強磁性層は厚さ100Å以下でも十分な
交換結合磁場Hexが得られることが分かる。
と交換結合磁場Hexとの関係を図3に示す。比較例とし
て、図1と同様の構造のスピンバルブ磁気抵抗センサに
ついて、従来のPtMn合金を用いて反強磁性層を形成
した。この場合の反強磁性層の膜厚と交換結合磁場Hex
との関係を併せて図3に示す。尚、これらの反強磁性層
は、230℃及び250℃で10時間熱処理した。同図
から、従来のPtMn合金の反強磁性層が膜厚200Å
以上で所望の交換結合磁場Hexが得られるのに比して、
本発明による反強磁性層は厚さ100Å以下でも十分な
交換結合磁場Hexが得られることが分かる。
【0022】また、同じくXをTiとしてPtMnTi
合金で形成した反強磁性層の膜厚と相互作用磁場Hint
との関係を図4に示す。比較例として、同じく従来のP
tMn合金で形成した反強磁性層の膜厚とピン磁性層・
フリー磁性層間の相互作用磁場Hintとの関係を併せて
図4に示す。尚、これらの反強磁性層は、250℃及び
270℃で10時間熱処理した。同図から、従来のPt
Mn合金の反強磁性層では、ピン磁性層・フリー磁性層
間の相互作用磁場Hintが全体として高い値を示すのに
比較して、本発明による反強磁性層では、ピン磁性層・
フリー磁性層間の相互作用磁場Hintが全体的に低く、
特に膜厚が250Å以下の薄い範囲で0(Oe)に近付
いており、優れた磁気特性を発揮し得ることが分かる。
合金で形成した反強磁性層の膜厚と相互作用磁場Hint
との関係を図4に示す。比較例として、同じく従来のP
tMn合金で形成した反強磁性層の膜厚とピン磁性層・
フリー磁性層間の相互作用磁場Hintとの関係を併せて
図4に示す。尚、これらの反強磁性層は、250℃及び
270℃で10時間熱処理した。同図から、従来のPt
Mn合金の反強磁性層では、ピン磁性層・フリー磁性層
間の相互作用磁場Hintが全体として高い値を示すのに
比較して、本発明による反強磁性層では、ピン磁性層・
フリー磁性層間の相互作用磁場Hintが全体的に低く、
特に膜厚が250Å以下の薄い範囲で0(Oe)に近付
いており、優れた磁気特性を発揮し得ることが分かる。
【0023】更に本願発明者によれば、交換結合磁場H
uaが0となるブロッキング温度TBも、従来のPtMn
合金からなる反強磁性層に比較して、本発明による反強
磁性層を用いた場合に高くなっており、熱的にも安定し
ていることが判明した。
uaが0となるブロッキング温度TBも、従来のPtMn
合金からなる反強磁性層に比較して、本発明による反強
磁性層を用いた場合に高くなっており、熱的にも安定し
ていることが判明した。
【0024】尚、前記Pt−Mn−X合金のXは、Ti
以外に周期律表のIIa族、IVa族、Va族、IIIb族及
びIVb族の他の元素又はそのTiを含む2種以上の組合
わせを選択することができ、同様の作用が期待できる。
以外に周期律表のIIa族、IVa族、Va族、IIIb族及
びIVb族の他の元素又はそのTiを含む2種以上の組合
わせを選択することができ、同様の作用が期待できる。
【0025】別の実施例では、図1における反強磁性層
4を、上述したPt−Mn−X合金以外に、Ir−Mn
−X合金、Rh−Mn−X合金、Ru−Mn−X合金及
びPd−Mn−Xを用いて形成することができる。この
場合にも、前記Xは、周期律表のIIa族、IVa族、Va
族、IIIb族及びIVb族の元素から選択される1種又は
2種以上の元素であり、同様の作用効果が得られる。
4を、上述したPt−Mn−X合金以外に、Ir−Mn
−X合金、Rh−Mn−X合金、Ru−Mn−X合金及
びPd−Mn−Xを用いて形成することができる。この
場合にも、前記Xは、周期律表のIIa族、IVa族、Va
族、IIIb族及びIVb族の元素から選択される1種又は
2種以上の元素であり、同様の作用効果が得られる。
【0026】図5は、図1のスピンバルブ構造におい
て、XをZrとするIrMnZr合金で反強磁性層4を
形成した場合に、反強磁性層の膜厚と交換結合磁場Hex
との関係を示している。比較例として、従来のIrMn
合金で形成した反強磁性層の膜厚と交換結合磁場Hexと
の関係を併せて図5に示す。同図から従来のIrMn合
金の反強磁性層に比較して、本発明による反強磁性層
は、その膜厚が40Å以下に薄くても十分な交換結合磁
場Hexが得られるのが分かる。
て、XをZrとするIrMnZr合金で反強磁性層4を
形成した場合に、反強磁性層の膜厚と交換結合磁場Hex
との関係を示している。比較例として、従来のIrMn
合金で形成した反強磁性層の膜厚と交換結合磁場Hexと
の関係を併せて図5に示す。同図から従来のIrMn合
金の反強磁性層に比較して、本発明による反強磁性層
は、その膜厚が40Å以下に薄くても十分な交換結合磁
場Hexが得られるのが分かる。
【0027】また、前記Ir−Mn−X合金の場合に
は、XとしてZr以外に特にTa又はNb、若しくはZ
rを含むそれらの組み合わせによっても同様に優れた作
用効果が期待できる。
は、XとしてZr以外に特にTa又はNb、若しくはZ
rを含むそれらの組み合わせによっても同様に優れた作
用効果が期待できる。
【0028】また、本発明は、反強磁性層を基板と反対
側に、ピン磁性層の上に積層する所謂トップスピンバル
ブ構造についても、同様に適用することができる。上述
したように本発明による反強磁性層は、その下地層に依
存することなく、良好な(111)結晶配向性が得られ
るので、膜厚を薄くしてもピン磁性層との間に十分な交
換結合磁場が発揮される。更に本発明は、全ゆるタイプ
のスピンバルブ構造に適用することができ、同様の作用
効果が得られる。
側に、ピン磁性層の上に積層する所謂トップスピンバル
ブ構造についても、同様に適用することができる。上述
したように本発明による反強磁性層は、その下地層に依
存することなく、良好な(111)結晶配向性が得られ
るので、膜厚を薄くしてもピン磁性層との間に十分な交
換結合磁場が発揮される。更に本発明は、全ゆるタイプ
のスピンバルブ構造に適用することができ、同様の作用
効果が得られる。
【0029】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明の反強磁性材料を用いて形成したスピンバルブ膜の反
強磁性層は、その膜厚を薄くしても下地層に依存するこ
となく高い(111)配向性及び良好な結晶性を確保で
きるので、交換結合磁場Hexが高くなってMR比を向上
させることができ、相互作用磁場Hintが低くなってア
シンメトリーを小さくでき、ブロッキング温度TBも従
来に比較して高くできるので、熱的安定性が得られる。
そして、これにより高性能で信頼性が高く高記録密度化
可能な磁気ヘッドを実現することができる。
明の反強磁性材料を用いて形成したスピンバルブ膜の反
強磁性層は、その膜厚を薄くしても下地層に依存するこ
となく高い(111)配向性及び良好な結晶性を確保で
きるので、交換結合磁場Hexが高くなってMR比を向上
させることができ、相互作用磁場Hintが低くなってア
シンメトリーを小さくでき、ブロッキング温度TBも従
来に比較して高くできるので、熱的安定性が得られる。
そして、これにより高性能で信頼性が高く高記録密度化
可能な磁気ヘッドを実現することができる。
【図1】本発明を適用したボトムスピンバルブ磁気抵抗
センサの要部をABS側から見た模式的断面図。
センサの要部をABS側から見た模式的断面図。
【図2】(PtMn)1-yTiyの組成の合金を反強磁性
層としたときのTiの含有率(at%)と(111)配
向の強さとの関係を示す線図。
層としたときのTiの含有率(at%)と(111)配
向の強さとの関係を示す線図。
【図3】PtMnTi合金からなる反強磁性層の膜厚と
交換結合磁場Hexとの関係を示す線図。
交換結合磁場Hexとの関係を示す線図。
【図4】PtMnTi合金からなる反強磁性層の膜厚と
ピン磁性層・フリー磁性層間の相互作用磁場Hintとの
関係を示す線図。
ピン磁性層・フリー磁性層間の相互作用磁場Hintとの
関係を示す線図。
【図5】IrMnZr合金からなる反強磁性層の膜厚と
交換結合磁場Hexとの関係を示す線図。
交換結合磁場Hexとの関係を示す線図。
1 絶縁層 2 下地層 3 MR膜 4 反強磁性層 5 ピン磁性層 6 非磁性導電層 7 CoFe膜 8 NiFe膜 9 フリー磁性層 10 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野瀬 正照 富山県高岡市二上町180番地 国立高岡短 期大学内 (72)発明者 樋上 文範 大阪府三島郡島本町江川2丁目15番17号 リードライト・エスエムアイ株式会社内 Fターム(参考) 5D034 BA05 CA08 DA07
Claims (6)
- 【請求項1】 基板上に非磁性層を挟んで配置された1
対の磁性層と、一方の前記磁性層に隣接する反強磁性層
とを積層した磁気抵抗効果膜を備えるスピンバルブ磁気
抵抗センサであって、 前記反強磁性層が、Pt−Mn−X合金、Ir−Mn−
X合金、Rh−Mn−X合金、Ru−Mn−X合金及び
Pd−Mn−X合金のいずれかであり、前記Xが周期律
表のIIa族、IVa族、Va族、IIIb族及びIVb族の元
素から選択される1種又は2種以上の元素からなり、か
つ前記Xを0.1at%乃至15at%の範囲で含む反
強磁性材料からなることを特徴とするスピンバルブ磁気
抵抗センサ。 - 【請求項2】 前記反強磁性材料がPt−Mn−X合金
からなり、その組成が(Ptx−Mn1-x)1-y−Xyであ
り、かつx及びyがそれぞれ5≦x≦20、0.1≦y
≦20、0.1≦y≦15の範囲内にあることを特著後
する請求工1に記載のスピンバルブ磁気抵抗センサ。 - 【請求項3】 前記反強磁性層が、Pt−Mn−X合金
からなり、その組成が(Ptx−Mn1-x)1-y−Xyであ
り、かつx及びyがそれぞれ36≦x≦54、0.1≦
y≦15の範囲内にあることを特徴とする請求項1に記
載のスピンバルブ磁気抵抗センサ。 - 【請求項4】 前記反強磁性材料が磁場中で200℃乃
至350℃の温度で熱処理されていることを特徴とする
請求項2又は3に記載のスピンバルブ磁気抵抗センサ。 - 【請求項5】 前記反強磁性材料がIr−Mn−X合金
からなり、前記XがTa、Zr及びNbから選択される
1種又は2種以上の元素からなり、かつ前記Xを0.1
at%乃至15at%の範囲で含むことを特徴とする請
求項1に記載のスピンバルブ磁気抵抗センサ。 - 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれかに記載のスピ
ンバルブ磁気抵抗センサを有することを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11045077A JP2000251223A (ja) | 1999-02-23 | 1999-02-23 | スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド |
US09/511,222 US6636394B1 (en) | 1999-02-23 | 2000-02-23 | Spin-valve magnetic resistance sensor and thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11045077A JP2000251223A (ja) | 1999-02-23 | 1999-02-23 | スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000251223A true JP2000251223A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12709284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11045077A Pending JP2000251223A (ja) | 1999-02-23 | 1999-02-23 | スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
Country | Link |
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JP (1) | JP2000251223A (ja) |
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US8441896B2 (en) | 2010-06-25 | 2013-05-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Energy assisted magnetic recording head having laser integrated mounted to slider |
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US9123359B1 (en) | 2010-12-22 | 2015-09-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording transducer with sputtered antiferromagnetic coupling trilayer between plated ferromagnetic shields and method of fabrication |
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