JP2000244214A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
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- JP2000244214A JP2000244214A JP11045825A JP4582599A JP2000244214A JP 2000244214 A JP2000244214 A JP 2000244214A JP 11045825 A JP11045825 A JP 11045825A JP 4582599 A JP4582599 A JP 4582599A JP 2000244214 A JP2000244214 A JP 2000244214A
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- dielectric resonator
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Abstract
(57)【要約】
【課題】支持台によるＱ値と温度係数への影響を抑制し
得る誘電体共振器を提供する。 【解決手段】誘電体磁器材料で成形された略円柱形状又
は略円筒形状の誘電体共振素子２と、誘電体磁器材料で
成形された略円筒形状の支持台３と、金属ケース５によ
り、本誘電体共振器１を形成する。誘電体共振素子２
は、高誘電率のＢＣＮ−ＢＺＮ系磁器材料で成形し、支
持台３は、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁
器材料で成形する。誘電体共振素子２の底面の中央領域
に、高温硬化型エポキシ系樹脂４をスクリーン印刷法等
によって塗布し、この高温硬化型エポキシ系樹脂４を挟
むようにして、支持台３を誘電体共振素子２の底面に固
着させて、加熱することにより、支持台３上に誘電体共
振素子２を一体化させる。
得る誘電体共振器を提供する。 【解決手段】誘電体磁器材料で成形された略円柱形状又
は略円筒形状の誘電体共振素子２と、誘電体磁器材料で
成形された略円筒形状の支持台３と、金属ケース５によ
り、本誘電体共振器１を形成する。誘電体共振素子２
は、高誘電率のＢＣＮ−ＢＺＮ系磁器材料で成形し、支
持台３は、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁
器材料で成形する。誘電体共振素子２の底面の中央領域
に、高温硬化型エポキシ系樹脂４をスクリーン印刷法等
によって塗布し、この高温硬化型エポキシ系樹脂４を挟
むようにして、支持台３を誘電体共振素子２の底面に固
着させて、加熱することにより、支持台３上に誘電体共
振素子２を一体化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ＢＳ受信
用コンバータ、ＶＳＡＴ送信用トランスミッタ、マイク
ロ波検出器等に適用されるマイクロ波発振回路等に備え
られる誘電体共振器に関する。
用コンバータ、ＶＳＡＴ送信用トランスミッタ、マイク
ロ波検出器等に適用されるマイクロ波発振回路等に備え
られる誘電体共振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の誘電体共振器は、磁器材
料で成形された支持台の上端に、高誘電率の誘電体磁器
材料で成形された共振器要素（以下、誘電体共振素子と
いう）を接着剤で固着し、支持台と誘電体共振素子を金
属ケース内に収納した構造となっている。ここで、支持
台はステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形
されている。
料で成形された支持台の上端に、高誘電率の誘電体磁器
材料で成形された共振器要素（以下、誘電体共振素子と
いう）を接着剤で固着し、支持台と誘電体共振素子を金
属ケース内に収納した構造となっている。ここで、支持
台はステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形
されている。
【０００３】このように、誘電体共振素子を支持台に支
持する構造を採ることにより、誘電体共振素子を発振回
路等に直接取り付ける場合に較べて、Ｑ値を上げること
が可能となり、更に、位相雑音を低減できるようにして
いた。
持する構造を採ることにより、誘電体共振素子を発振回
路等に直接取り付ける場合に較べて、Ｑ値を上げること
が可能となり、更に、位相雑音を低減できるようにして
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
誘電体共振器では、誘電体共振素子のＱ値と温度係数等
の特性特性を最適にしても、支持台のＱ値と温度特性が
誘電体共振素子の上記特性に影響を及ぼしてしまい、誘
電体共振器の総合的な特性を十分に向上させることが困
難となっていた。
誘電体共振器では、誘電体共振素子のＱ値と温度係数等
の特性特性を最適にしても、支持台のＱ値と温度特性が
誘電体共振素子の上記特性に影響を及ぼしてしまい、誘
電体共振器の総合的な特性を十分に向上させることが困
難となっていた。
【０００５】本発明は上記従来技術の課題を克服するた
めに成されたものであり、誘電体共振素子を支持台にて
支持する構造であっても、支持台によるＱ値と温度係数
への影響を抑制し得る誘電体共振器を提供することを目
的とする。
めに成されたものであり、誘電体共振素子を支持台にて
支持する構造であっても、支持台によるＱ値と温度係数
への影響を抑制し得る誘電体共振器を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため本発明は、支持台と、上記支持台の一端に誘電体
共振素子を一体化させた誘電体共振器であって、上記誘
電体共振素子をＢＣＮ−ＢＺＮ系磁器材料、上記支持台
をフォルスライト系磁器材料でそれぞれ成形することと
した。
るため本発明は、支持台と、上記支持台の一端に誘電体
共振素子を一体化させた誘電体共振器であって、上記誘
電体共振素子をＢＣＮ−ＢＺＮ系磁器材料、上記支持台
をフォルスライト系磁器材料でそれぞれ成形することと
した。
【０００７】かかる構造によると、ＢＣＮ−ＢＺＮ系磁
器材料で成形される誘電体共振素子の温度変化に対する
共振周波数の変化特性と、フォルスライト系磁器材料で
成形される支持台の温度変化に対する共振周波数の変化
特性とが、両者とも同様の温度依存性を有するため、誘
電体共振器全体の温度変化に対する共振周波数の変化特
性は、誘電体共振素子単体での共振周波数の変化特性に
近付くこととなる。
器材料で成形される誘電体共振素子の温度変化に対する
共振周波数の変化特性と、フォルスライト系磁器材料で
成形される支持台の温度変化に対する共振周波数の変化
特性とが、両者とも同様の温度依存性を有するため、誘
電体共振器全体の温度変化に対する共振周波数の変化特
性は、誘電体共振素子単体での共振周波数の変化特性に
近付くこととなる。
【０００８】この結果、支持台にて支持する構造を採る
ことによる誘電体共振素子への影響が低減されることと
なり、誘電体共振器全体の温度変化に対する共振周波数
の変化特性は、実質的に誘電体共振素子の温度変化に対
する共振周波数の変化特性と略等しくなって、支持台に
よるＱ値と温度係数への影響が抑制される。
ことによる誘電体共振素子への影響が低減されることと
なり、誘電体共振器全体の温度変化に対する共振周波数
の変化特性は、実質的に誘電体共振素子の温度変化に対
する共振周波数の変化特性と略等しくなって、支持台に
よるＱ値と温度係数への影響が抑制される。
【０００９】また、上記誘電体共振素子と支持台との固
着部分に、スクリーン印刷法等により接着剤を塗布する
ことによって、上記誘電体共振素子と支持台とを固着さ
せる構造とした。
着部分に、スクリーン印刷法等により接着剤を塗布する
ことによって、上記誘電体共振素子と支持台とを固着さ
せる構造とした。
【００１０】かかる構造によると、接着剤が誘電体共振
素子と支持台との固着部分に均一に塗布される。この結
果、誘電体共振器の温度特性、周波数特性、Ｑ特性が均
一化し、歩留まりの向上が図られる。
素子と支持台との固着部分に均一に塗布される。この結
果、誘電体共振器の温度特性、周波数特性、Ｑ特性が均
一化し、歩留まりの向上が図られる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。尚、図１は本実施形態に係る誘電
体共振器１の構造を模式的に示す縦断面図、図２は平面
図、図３及び図４は特性図である。
を参照して説明する。尚、図１は本実施形態に係る誘電
体共振器１の構造を模式的に示す縦断面図、図２は平面
図、図３及び図４は特性図である。
【００１２】図１において、本誘電体共振器１は、誘電
体共振素子２と、誘電体共振素子２を支持する支持台３
と、これら誘電体共振素子２と支持台３とを収納する金
属ケース５を備えて構成されている。更に、誘電体共振
素子２は、高誘電率のＢＣＮ−ＢＺＮ系磁器材料で成形
されると共に、図２（ａ）（ｂ）に示すように略円柱形
状又は略円筒形状に形成されており、支持台３は、フォ
ルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形さ
れると共に、図２（ｃ）に示すように略円筒形状に形成
されている。
体共振素子２と、誘電体共振素子２を支持する支持台３
と、これら誘電体共振素子２と支持台３とを収納する金
属ケース５を備えて構成されている。更に、誘電体共振
素子２は、高誘電率のＢＣＮ−ＢＺＮ系磁器材料で成形
されると共に、図２（ａ）（ｂ）に示すように略円柱形
状又は略円筒形状に形成されており、支持台３は、フォ
ルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形さ
れると共に、図２（ｃ）に示すように略円筒形状に形成
されている。
【００１３】更に、図２（ｃ）に示すように、誘電体共
振素子２の底面の中央領域に、高温硬化型エポキシ系樹
脂４を、スクリーン印刷法等によって直径Ｒの円環状に
塗布し、この高温硬化型エポキシ系樹脂４を挟むように
して、直径ｒの支持台３を誘電体共振素子２の底面に固
着させて、加熱することにより、支持台３上に誘電体共
振素子２を一体化させた構造となっている。
振素子２の底面の中央領域に、高温硬化型エポキシ系樹
脂４を、スクリーン印刷法等によって直径Ｒの円環状に
塗布し、この高温硬化型エポキシ系樹脂４を挟むように
して、直径ｒの支持台３を誘電体共振素子２の底面に固
着させて、加熱することにより、支持台３上に誘電体共
振素子２を一体化させた構造となっている。
【００１４】また、上記の支持台３と誘電体共振素子２
を一体化させる製造工程では、高温硬化型エポキシ系樹
脂４を誘電体共振素子２の軸中心に合わせて塗布すると
共に、上記の直径Ｒを支持台３の直径ｒより若干大きく
し、誘電体共振素子２と支持台３とを所定の組立治具に
支持しつつ、両者の軸中心を合わせて固着するようにし
ている。
を一体化させる製造工程では、高温硬化型エポキシ系樹
脂４を誘電体共振素子２の軸中心に合わせて塗布すると
共に、上記の直径Ｒを支持台３の直径ｒより若干大きく
し、誘電体共振素子２と支持台３とを所定の組立治具に
支持しつつ、両者の軸中心を合わせて固着するようにし
ている。
【００１５】次に、かかる構造を有する本誘電体共振器
１の作用を図３及び図４に示す特性図を参照して説明す
る。
１の作用を図３及び図４に示す特性図を参照して説明す
る。
【００１６】図３の横軸は温度（°Ｃ）、縦軸は周波数
（ｋＨｚ）であり、特性曲線Ａは、誘電体共振素子２の
み、すなわち誘電体共振素子２単体での共振周波数の温
度依存性を示し、特性曲線Ｂは、図１及び図２に示した
本実施形態の誘電体共振器１における共振周波数の温度
依存性を示し、特性曲線Ｃは、従来の誘電体共振器にお
ける共振周波数の温度依存性を示しており、いずれも実
際の測定結果を示している。
（ｋＨｚ）であり、特性曲線Ａは、誘電体共振素子２の
み、すなわち誘電体共振素子２単体での共振周波数の温
度依存性を示し、特性曲線Ｂは、図１及び図２に示した
本実施形態の誘電体共振器１における共振周波数の温度
依存性を示し、特性曲線Ｃは、従来の誘電体共振器にお
ける共振周波数の温度依存性を示しており、いずれも実
際の測定結果を示している。
【００１７】同図において、誘電体共振素子２単体で
は、特性曲線Ａに示されるように、温度が−２０〜＋８
０（°Ｃ）の範囲内で変化すると、共振周波数ｆは約２
５０〜２５００（ｋＨｚ）の範囲内でほぼ直線的に変化
する。したがって、規格で定められている温度特性（τ
ｆ）が約２．０となる。更に、共振周波数ｆが１０ＧＨ
ｚのときに、Ｑ値が約１００００となっている。
は、特性曲線Ａに示されるように、温度が−２０〜＋８
０（°Ｃ）の範囲内で変化すると、共振周波数ｆは約２
５０〜２５００（ｋＨｚ）の範囲内でほぼ直線的に変化
する。したがって、規格で定められている温度特性（τ
ｆ）が約２．０となる。更に、共振周波数ｆが１０ＧＨ
ｚのときに、Ｑ値が約１００００となっている。
【００１８】これに対して、本実施形態の誘電体共振器
１は、特性曲線Ｂに示されるように、温度が−２０〜＋
８０（°Ｃ）の範囲内で変化すると、共振周波数ｆは約
２５０〜２０００（ｋＨｚ）の範囲内でほぼ直線的に変
化する。したがって、規格で定められている温度特性
（τｆ）が約１．８となる。更に、共振周波数ｆが１０
ＧＨｚのときに、Ｑ値が約８０００となっている。
１は、特性曲線Ｂに示されるように、温度が−２０〜＋
８０（°Ｃ）の範囲内で変化すると、共振周波数ｆは約
２５０〜２０００（ｋＨｚ）の範囲内でほぼ直線的に変
化する。したがって、規格で定められている温度特性
（τｆ）が約１．８となる。更に、共振周波数ｆが１０
ＧＨｚのときに、Ｑ値が約８０００となっている。
【００１９】また、本実施形態の誘電体共振器１と同じ
形状を有し、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材
料で成形された支持台が用いられた従来の誘電体共振器
は、特性曲線Ｃに示すように、温度が−２０〜＋８０
（°Ｃ）の範囲内で変化すると、共振周波数ｆは約２５
０〜１１００（ｋＨｚ）の範囲内でほぼ直線的に変化す
る。したがって、規格で定められている温度特性（τ
ｆ）が約１．０となる。更に、共振周波数ｆが１０ＧＨ
ｚのときに、Ｑ値が約７０００となっている。更に、従
来の誘電体共振器は、温度が８０（°Ｃ）以上になる
と、共振周波数ｆが降下するという特性を有している。
形状を有し、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材
料で成形された支持台が用いられた従来の誘電体共振器
は、特性曲線Ｃに示すように、温度が−２０〜＋８０
（°Ｃ）の範囲内で変化すると、共振周波数ｆは約２５
０〜１１００（ｋＨｚ）の範囲内でほぼ直線的に変化す
る。したがって、規格で定められている温度特性（τ
ｆ）が約１．０となる。更に、共振周波数ｆが１０ＧＨ
ｚのときに、Ｑ値が約７０００となっている。更に、従
来の誘電体共振器は、温度が８０（°Ｃ）以上になる
と、共振周波数ｆが降下するという特性を有している。
【００２０】これらの測定結果から明らかなように、フ
ォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形
した支持台３に誘電体共振素子２を一体に固着した本実
施形態の誘電体共振器１は、従来のステアタイト（Ｍｇ
Ｏ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形した支持台に誘電体共振
素子を一体に固着した従来の誘電体共振器に較べて、温
度特性（τｆ）が、誘電体共振素子２単体の特性に近
く、また、Ｑ値の劣化も少なくなっている。
ォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形
した支持台３に誘電体共振素子２を一体に固着した本実
施形態の誘電体共振器１は、従来のステアタイト（Ｍｇ
Ｏ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形した支持台に誘電体共振
素子を一体に固着した従来の誘電体共振器に較べて、温
度特性（τｆ）が、誘電体共振素子２単体の特性に近
く、また、Ｑ値の劣化も少なくなっている。
【００２１】次に、図４を参照して、本実施形態の誘電
体共振器１の優位性について検証を試みることとする。
体共振器１の優位性について検証を試みることとする。
【００２２】図４は、ＢＣＮ−ＢＺＮ系磁器材料で成形
された誘電体共振素子２単体の温度変化に対する共振周
波数の変化特性（特性曲線）と、フォルステライト
（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形した支持台３単
体の共振周波数の変化特性（特性曲線）と、ステアタ
イト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形した従来の支
持台単体の共振周波数の変化特性（特性曲線）を示し
ている。
された誘電体共振素子２単体の温度変化に対する共振周
波数の変化特性（特性曲線）と、フォルステライト
（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形した支持台３単
体の共振周波数の変化特性（特性曲線）と、ステアタ
イト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形した従来の支
持台単体の共振周波数の変化特性（特性曲線）を示し
ている。
【００２３】これらの特性曲線〜を見ると、特性曲
線とは、温度変化に対して共振周波数が同様に変化
し、特性曲線だけが特性曲線ととは相反する特性
となる。
線とは、温度変化に対して共振周波数が同様に変化
し、特性曲線だけが特性曲線ととは相反する特性
となる。
【００２４】したがって、従来の誘電体共振器は、温度
に対する共振周波数の変化特性が相反しているステアタ
イト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料の支持台と誘電体共
振素子によって構成されていたため、誘電体共振器の総
合的な温度特性（τｆ）が図３に示したように直線的に
ならず、また、Ｑ値も悪化しているものと推定される。
に対する共振周波数の変化特性が相反しているステアタ
イト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料の支持台と誘電体共
振素子によって構成されていたため、誘電体共振器の総
合的な温度特性（τｆ）が図３に示したように直線的に
ならず、また、Ｑ値も悪化しているものと推定される。
【００２５】一方、本実施形態の誘電体共振器１は、温
度に対する共振周波数の変化特性が相似しているフォル
ステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形した
支持台３と誘電体共振素子２によって構成されているた
め、誘電体共振器の総合的な温度特性（τｆ）が図３に
示したように、誘電体共振素子２単体の特性に近づき、
また、高いＱ値が得られるものと推定される。
度に対する共振周波数の変化特性が相似しているフォル
ステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）磁器材料で成形した
支持台３と誘電体共振素子２によって構成されているた
め、誘電体共振器の総合的な温度特性（τｆ）が図３に
示したように、誘電体共振素子２単体の特性に近づき、
また、高いＱ値が得られるものと推定される。
【００２６】このように本実施形態によれば、ＢＣＮ−
ＢＺＮ系磁器材料で成形される誘電体共振素子２と、フ
ォルスライト系磁器材料で成形される支持台３とを一体
化させる構造にしたので、支持台３を設けたとしても、
その支持台３によるＱ値と温度係数への影響を抑えるこ
とができ、実質的に、Ｑ値と温度係数の向上を実現する
ことができる。
ＢＺＮ系磁器材料で成形される誘電体共振素子２と、フ
ォルスライト系磁器材料で成形される支持台３とを一体
化させる構造にしたので、支持台３を設けたとしても、
その支持台３によるＱ値と温度係数への影響を抑えるこ
とができ、実質的に、Ｑ値と温度係数の向上を実現する
ことができる。
【００２７】また、誘電体共振素子２と支持台３との固
着部分に、スクリーン印刷法等により高温硬化型エポキ
シ系樹脂４を塗布することによって、誘電体共振素子２
と支持台３とを固着させる構造としたので、高温硬化型
エポキシ系樹脂４を誘電体共振素子２と支持台３との固
着部分に均一に塗布することができる。この結果、誘電
体共振器１の温度特性、周波数特性、Ｑ特性を均一化さ
せることができ、歩留まりの向上を図ることができる。
着部分に、スクリーン印刷法等により高温硬化型エポキ
シ系樹脂４を塗布することによって、誘電体共振素子２
と支持台３とを固着させる構造としたので、高温硬化型
エポキシ系樹脂４を誘電体共振素子２と支持台３との固
着部分に均一に塗布することができる。この結果、誘電
体共振器１の温度特性、周波数特性、Ｑ特性を均一化さ
せることができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
ＢＣＮ−ＢＺＮ系磁器材料で成形される誘電体共振素子
と、フォルスライト系磁器材料で成形される支持台を一
体化させる構造にしたので、誘電体共振素子を支持台に
支持する構造としても、支持台によるＱ値と温度係数へ
の影響を抑えることができる。
ＢＣＮ−ＢＺＮ系磁器材料で成形される誘電体共振素子
と、フォルスライト系磁器材料で成形される支持台を一
体化させる構造にしたので、誘電体共振素子を支持台に
支持する構造としても、支持台によるＱ値と温度係数へ
の影響を抑えることができる。
【００２９】また、誘電体共振素子と支持台との固着部
分に、スクリーン印刷法等により接着剤を塗布すること
によって、誘電体共振素子と支持台とを固着させる構造
としたので、接着剤を誘電体共振素子と支持台との固着
部分に均一に塗布することができ、その結果、誘電体共
振器の温度特性、周波数特性、Ｑ特性を均一化させるこ
とができ、歩留まりの向上を図ることができる。
分に、スクリーン印刷法等により接着剤を塗布すること
によって、誘電体共振素子と支持台とを固着させる構造
としたので、接着剤を誘電体共振素子と支持台との固着
部分に均一に塗布することができ、その結果、誘電体共
振器の温度特性、周波数特性、Ｑ特性を均一化させるこ
とができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【図１】本実施形態の誘電体共振器の構造を示す縦断面
図である。
図である。
【図２】図１に示した誘電体共振器の一体化構造を説明
するための平面図である。
するための平面図である。
【図３】本実施形態の誘電体共振器の特性を示す特性図
である。
である。
【図４】本実施形態の誘電体共振器の優位性を検証する
ための特性図である。
ための特性図である。
１…誘電体共振器 ２…誘電体共振素子 ３…支持台 ４…高温硬化型エポキシ系樹脂 ５…金属ケース
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年３月１０日（１９９９．３．１
０）
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅井 英克 群馬県富岡市神農原1112番地 株式会社ヨ コオ富岡工場内 Ｆターム(参考） 5J006 HC03 HC04 HC21 HC26 LA02 LA14 LA28 PA01
Claims (2)
- 【請求項１】 支持台と、前記支持台の一端に誘電体共
振素子を一体化させた誘電体共振器であって、 前記誘電体共振素子をＢＣＮ−ＢＺＮ系磁器材料、前記
支持台をフォルスライト系磁器材料でそれぞれ成形する
ことを特徴とする誘電体共振器。 - 【請求項２】 前記誘電体共振素子と前記支持台との固
着部分に、スクリーン印刷法等によって接着剤を塗布す
ることにより、前記誘電体共振素子と前記支持台とを固
着させることを特徴とする請求項１に記載の誘電体共振
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11045825A JP2000244214A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11045825A JP2000244214A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 誘電体共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000244214A true JP2000244214A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12730032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11045825A Pending JP2000244214A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000244214A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6822539B2 (en) * | 2001-11-28 | 2004-11-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Dielectric resonance device with stabilized electric performance |
-
1999
- 1999-02-24 JP JP11045825A patent/JP2000244214A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6822539B2 (en) * | 2001-11-28 | 2004-11-23 | Alps Electric Co., Ltd. | Dielectric resonance device with stabilized electric performance |
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