JP2000244130A - Wiring board, core board, and their manufacture - Google Patents

Wiring board, core board, and their manufacture

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JP2000244130A
JP2000244130A JP11366271A JP36627199A JP2000244130A JP 2000244130 A JP2000244130 A JP 2000244130A JP 11366271 A JP11366271 A JP 11366271A JP 36627199 A JP36627199 A JP 36627199A JP 2000244130 A JP2000244130 A JP 2000244130A
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metal plate
hole
base metal
core substrate
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Rokuro Kanbe
六郎 神戸
Yukihiro Kimura
幸広 木村
Koju Ogawa
幸樹 小川
Eiji Kodera
英司 小寺
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NGK Spark Plug Co Ltd
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/01Chemical elements
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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board having a structure which has a condenser built near a mounted IC chip, which is easily manufactured with high production yield, and a reduced loss in cost, even if a nonconformity of capacitor is found in a manufacturing process, a core board using the wiring board, and a method of manufacturing the core board easily at a low cost. SOLUTION: A wiring board 600 has a core board 610, resin-insulating layers 621, 631, 641, 651 laminated on each of the obverse and reverse surfaces 610A, 610B of the core board 110, and wiring layers 625, 635. The core board 610 has a base metal plate 601, a plurality of composite dielectric layers 611, 612, 613, 614 laminated alternately on the base metal plate 601 and its obverse and reverse surfaces 601A, 601B and containing epoxy resin and high dielectric power, and a plurality of metal layers 602, 603, 604, 605 each of which is thinner than the base metal plate 601, wherein these layers are face opposite each other with the composite dielectric layers 611 white sandwiching the layers 611 to constitute a laminated condenser C61.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板とこの表
裏面に積層された樹脂絶縁層と配線層とを有する配線基
板、コア基板及びその製造方法に関し、特に、コンデン
サを内蔵しノイズの侵入を防止した配線基板、及びコア
基板及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board having a core board, a resin insulating layer and a wiring layer laminated on the front and back surfaces thereof, a core board, and a method of manufacturing the same. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wiring board, a core board, and a method of manufacturing the same, in which the above problem is prevented.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、ICチップのアース配線と電
源配線との間にノイズ除去用のデカップリングコンデン
サを設けることが行われており、例えば、配線基板の表
面や裏面等にチップコンデンサを搭載したものが用いら
れている。図22に示す配線基板300では、コア基板
310の表裏面(図中上下面)にそれぞれ3層の樹脂絶
縁層320,340,360,330,350,370
が積層形成され、各層間には、配線層315,325,
345,335,355が形成されている。さらに、こ
の配線基板300の基板裏面(図中下面)300Bに
は、チップキャパシタCCがハンダSLによって配線層
(パッド)355に搭載されている。この配線基板30
0では、チップキャパシタCCの2つの電極CCA,C
CBは、各配線層325等およびスルーホール導体31
6を通じて、配線基板300の基板上面300A、即
ち、配線層(パッド)345まで引き出され、基板上面
300Aで接続するICチップと接続されるようになっ
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a decoupling capacitor for removing noise has been provided between a ground wiring and a power supply wiring of an IC chip. For example, a chip capacitor is mounted on a front surface or a back surface of a wiring board. What was used is used. In the wiring board 300 shown in FIG. 22, three resin insulating layers 320, 340, 360, 330, 350, and 370 are provided on the front and back surfaces (upper and lower surfaces in the figure) of the core substrate 310, respectively.
Are formed in layers, and wiring layers 315, 325,
345, 335 and 355 are formed. Further, a chip capacitor CC is mounted on a wiring layer (pad) 355 by solder SL on the substrate back surface (lower surface in the figure) 300B of the wiring substrate 300. This wiring board 30
0, the two electrodes CCA, C of the chip capacitor CC
CB indicates each wiring layer 325 and the like and the through-hole conductor 31
6, the wiring is drawn to the upper surface 300A of the wiring substrate 300, that is, the wiring layer (pad) 345, and is connected to the IC chip connected to the upper surface 300A of the substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなチップコンデンサを配線基板に搭載、接続すると、
そのための工数がかかる。また、基板裏面やICチップ
の周囲にチップキャパシタを配置することになるため、
ICチップからチップキャパシタまでの距離が長くな
り、その途中の配線にノイズが侵入する。そこで、コン
デンサを配線基板と一体に、しかもICチップの近傍に
形成するため、樹脂絶縁層の一部を誘電体層としたコン
デンサを配線基板中に形成することが考えられる。
However, when such a chip capacitor is mounted and connected to a wiring board,
It takes man-hours for that. In addition, since chip capacitors will be placed on the back of the substrate and around the IC chip,
The distance from the IC chip to the chip capacitor becomes longer, and noise penetrates the wiring on the way. Therefore, in order to form the capacitor integrally with the wiring board and near the IC chip, it is conceivable to form a capacitor in which a part of the resin insulating layer is a dielectric layer in the wiring board.

【0004】しかし、薄い誘電体層を広い面積の電極層
で挟んだコンデンサの構造を、例えば、図22における
樹脂絶縁層320と配線層315,325で構成するな
ど、樹脂絶縁層と配線層で実現しようとすると、ショー
トなどの不具合が生じやすく、配線基板の歩留まりが大
きく低下する。また、コア基板に樹脂絶縁層や配線層等
を形成して付加価値が付いた状態で、形成したコンデン
サの不具合が発見されることとなるため、不具合品の廃
棄に伴う損失金額も大きくなる。
However, the structure of a capacitor in which a thin dielectric layer is sandwiched between electrode layers having a large area is made up of a resin insulating layer 320 and wiring layers 315 and 325 in FIG. 22, for example. Attempts to achieve this will easily cause short-circuits and other inconveniences, and will greatly reduce the yield of wiring boards. In addition, when a resin insulating layer, a wiring layer, or the like is formed on the core substrate and a value is added, a defect of the formed capacitor is found, so that a loss amount due to disposal of the defective product increases.

【0005】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、搭載する電子部品の近くにコンデンサを
内蔵し、しかも製造容易で、歩留まりが高く、製造工程
中にコンデンサの不具合が発見されても損失金額が少な
い構造とした配線基板、およびそのような配線基板に用
いるコア基板、さらには、このコア基板の容易かつ安価
な製造方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has a capacitor built in near an electronic component to be mounted, is easy to manufacture, has a high yield, and has found a defect in the capacitor during the manufacturing process. It is an object of the present invention to provide a wiring board having a structure in which the amount of loss is small even if it is performed, a core board used for such a wiring board, and a method for manufacturing the core board easily and inexpensively.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段、作用及び効果】そしてそ
の解決手段は、コア基板と、上記コア基板の表面及び裏
面にそれぞれ積層された樹脂絶縁層と、上記コア基板の
表面側及び裏面側において、上記コア基板と上記樹脂絶
縁層の間及び上記樹脂絶縁層同士の間の少なくともいず
れかに形成された配線層と、を有する配線基板であっ
て、上記コア基板は、ベース金属板と、樹脂および高誘
電体粉末を含む複数の複合誘電体層と、上記ベース金属
板より厚さの薄い複数の金属層と、を備え、上記複合誘
電体層と金属層とは、上記ベース金属板の表面と裏面の
それぞれに交互に積層され、上記ベース金属板とこれに
隣り合う金属層とが、または、上記ベース金属板とこれ
に隣り合う金属層及び隣り合う金属層同士が、上記複合
誘電体層を挟んで対向して層状コンデンサを構成する配
線基板である。
Means for Solving the Problems, Actions and Effects The means for solving the problems include a core substrate, a resin insulating layer laminated on the front and back surfaces of the core substrate, respectively, A wiring layer formed between the core substrate and the resin insulating layer and / or between the resin insulating layers, wherein the core substrate includes a base metal plate and a resin. And a plurality of composite dielectric layers containing high-dielectric powder, and a plurality of metal layers thinner than the base metal plate, wherein the composite dielectric layer and the metal layer are provided on the surface of the base metal plate. And the base metal plate and the metal layer adjacent thereto, or the base metal plate and the metal layer adjacent thereto and the adjacent metal layers, the composite dielectric layer Across A wiring substrate constituting the layered capacitor and.

【0007】本発明の配線基板では、このうちのコア基
板に、ベース金属板とこれに隣り合う金属層、または、
ベース金属板とこれに隣り合う金属層及び隣り合う金属
層同士と、複合誘電体層とで構成される層状コンデンサ
を備えている。このため、ICチップなどの電子部品に
近い位置に静電容量の大きなコンデンサを配置できるか
ら、ノイズ除去などの効果が良好に得られる。また、コ
ア基板に層状コンデンサを内蔵させたので、層状コンデ
ンサの特性やショートの有無等を検査し、合格したコア
基板のみを用いて配線基板を形成、即ち樹脂絶縁層や配
線層等を形成できるから、配線基板の製造において、歩
留まりも高くできる。また、内蔵のコンデンサがショー
ト等の不具合を生じていたとしても、樹脂絶縁層や配線
層が形成されていないコア基板の状態で廃棄すればよい
ので、付加価値が低く不具合発生に伴う損失を低く抑え
ることができる。従って、安価な配線基板とすることが
できる。
[0007] In the wiring board of the present invention, a base metal plate and a metal layer adjacent to the base metal plate, or
There is provided a layered capacitor including a base metal plate, a metal layer adjacent to the base metal plate, adjacent metal layers, and a composite dielectric layer. For this reason, since a capacitor having a large capacitance can be arranged at a position close to an electronic component such as an IC chip, effects such as noise removal can be obtained satisfactorily. In addition, since the layered capacitor is built in the core substrate, the characteristics of the layered capacitor, the presence or absence of short-circuit, and the like are inspected, and the wiring substrate can be formed using only the passed core substrate, that is, the resin insulating layer and the wiring layer can be formed. Therefore, the yield can be increased in the production of the wiring board. Even if the built-in capacitor has a problem such as a short circuit, it can be discarded in the state of the core substrate on which the resin insulating layer and the wiring layer are not formed. Can be suppressed. Therefore, an inexpensive wiring board can be obtained.

【0008】さらに、ベースの板として、ガラス−BT
樹脂複合材料やガラス−エポキシ樹脂複合材料など、絶
縁性の板を用いる場合には、さらにコンデンサの電極を
形成する必要がある。これに対し、本発明の配線基板で
は、コア基板は、ベースの板としてベース金属板を用い
ているため、コンデンサの電極の1つとしてそのまま利
用することができる。また、ベース金属板は、金属層よ
りも厚さが厚いので、コア基板さらには配線基板の剛性
を、このベース金属板である程度坦持させることができ
る。このため、その取り扱いが容易である。
Further, glass-BT is used as a base plate.
When an insulating plate such as a resin composite material or a glass-epoxy resin composite material is used, it is necessary to further form an electrode of the capacitor. On the other hand, in the wiring board of the present invention, since the core substrate uses the base metal plate as the base plate, it can be used as it is as one of the electrodes of the capacitor. Further, since the base metal plate is thicker than the metal layer, the rigidity of the core substrate and the wiring substrate can be supported to some extent by the base metal plate. Therefore, the handling is easy.

【0009】なお、層状コンデンサの電極をなすベース
金属板や金属層の電位をコア基板の表面や裏面で取り出
せるようにするために、ベース金属板や所望の金属層と
導通するスルーホール導体をコア基板に形成しておくの
が好ましい。従って、上記ベース金属板や金属層のうち
コア基板表面に位置する金属層を除いた内層に位置する
所定の金属層の電位を、コア基板の表面や裏面まで導く
スルーホール導体を備えるのが好ましい。但し、このス
ルーホール導体とベース金属板や各金属層とをどのよう
に結ぶかは、配線基板に形成される信号配線等他の配
線、求められる電源配線やアース配線の種類や数等に応
じて適宜決定すればよい。また、前記層状コンデンサの
ベース金属板や金属層から前記配線基板の表面(電子部
品搭載面)まで延びる配線は、スタックドビアを含むこ
とを特徴とすると良い。ICチップ等の電子部品とコン
デンサの電極(ベース金属板や金属層)とを結ぶ配線
は、できるだけ短く、太い配線とすることで配線の持つ
インダクタンスが低減でき、ノイズの侵入を抑制できる
からである。
In order to allow the potential of the base metal plate or the metal layer forming the electrode of the layered capacitor to be taken out from the surface or the back surface of the core substrate, a through-hole conductor conducting to the base metal plate or a desired metal layer is provided. Preferably, it is formed on a substrate. Therefore, it is preferable to include a through-hole conductor that guides the potential of the predetermined metal layer located in the inner layer excluding the metal layer located on the core substrate surface among the base metal plate and the metal layer to the front surface and the back surface of the core substrate. . However, how this through-hole conductor is connected to the base metal plate and each metal layer depends on other types of wiring such as signal wiring formed on the wiring board, and the type and number of required power supply wiring and ground wiring. May be determined appropriately. The wiring extending from the base metal plate or the metal layer of the layered capacitor to the surface (electronic component mounting surface) of the wiring board may include a stacked via. This is because the wiring connecting the electronic component such as the IC chip and the electrode of the capacitor (base metal plate or metal layer) is made as short and as thick as possible so that the inductance of the wiring can be reduced and the penetration of noise can be suppressed. .

【0010】ここで、複合誘電体層に含まれる樹脂とし
ては、誘電率や耐熱性等を考慮して選択すればよく、例
えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BT樹脂等の樹
脂が挙げられる。また、高誘電体粉末としては、高い誘
電率を有する物質の粉末であればよいが、例えば、Ba
TiO3、PbTiO3、PbZrO3、Pb(Ti,Z
r)O3(いわゆるPZT)、Pb(Mn,Nb)O3
SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3等の高誘電率
セラミックの粉末等が挙げられる。さらに、複合誘電体
層の誘電率を上げるため、例えば、Ag,Au,Cu,
Ag−Pd,Ni,W,Mo等の金属粉末を含めること
もできる。
Here, the resin contained in the composite dielectric layer may be selected in consideration of the dielectric constant, heat resistance and the like, and examples thereof include resins such as epoxy resin, polyimide resin and BT resin. As the high dielectric powder, any powder of a substance having a high dielectric constant may be used.
TiO 3 , PbTiO 3 , PbZrO 3 , Pb (Ti, Z
r) O 3 (so-called PZT), Pb (Mn, Nb) O 3 ,
High dielectric constant ceramic powders such as SrTiO 3 , CaTiO 3 , and MgTiO 3 may be used. Further, in order to increase the dielectric constant of the composite dielectric layer, for example, Ag, Au, Cu,
Metal powders such as Ag-Pd, Ni, W, and Mo can also be included.

【0011】また、ベース金属板としては、入手のし易
さ、剛性、加工性、導電性等を考慮して選択すれば良
く、例えば、Cuの他、リン青銅,洋白,黄銅,194
合金などのCu合金、Al、ジュラルミンなどのAl合
金、銅−インバー−銅クラッド材、銅−モリブデン−銅
クラッド材などが挙げられる。また、ベース金属板は、
コア基板と略同一の平面方向外形を有するのが好まし
い。コア基板よりもベース金属板が小さい時には、ベー
ス金属板が存在しないコア基板の端部で、強度が低下し
チッピングなどが生じやすくなるからである。
The base metal plate may be selected in consideration of availability, rigidity, workability, conductivity and the like. For example, in addition to Cu, phosphor bronze, nickel silver, brass, 194
Cu alloys such as alloys; Al alloys such as Al and duralumin; copper-invar-copper clad materials; copper-molybdenum-copper clad materials. Also, the base metal plate is
It is preferable to have substantially the same planar shape as the core substrate. This is because when the base metal plate is smaller than the core substrate, the strength is reduced at the end of the core substrate where the base metal plate does not exist, and chipping or the like is likely to occur.

【0012】さらに、上記配線基板であって、この配線
基板には、配線基板の剛性を補強する補強板が貼り付け
られてなる配線基板とすると良い。
Further, it is preferable that the wiring board is a wiring board to which a reinforcing plate for reinforcing the rigidity of the wiring board is attached.

【0013】本発明の配線基板では、さらに、配線基板
の補強板が貼り付けられてなるので、配線基板自身の剛
性をさほど高くする必要が無く、従って、製造の各工程
において取り扱いに困難性の生じない程度の剛性を確保
できればよい。従って、ベース金属板として、例えば、
厚さ30〜100μmなど、ある程度の剛性を有しなが
らも、比較的薄いものを使用することができる。このた
め、配線基板全体の厚さを薄くできるので、低背化の要
求に応えられると共に、コア基板に形成するスルーホー
ル導体などの配線の距離を短くして、配線のインダクタ
ンスや抵抗を下げることができる。
In the wiring board of the present invention, since the reinforcing plate of the wiring board is further attached, it is not necessary to increase the rigidity of the wiring board itself. It is only necessary to secure rigidity to the extent that it does not occur. Therefore, as a base metal plate, for example,
A relatively thin material having a certain degree of rigidity, such as a thickness of 30 to 100 μm, can be used. As a result, the thickness of the entire wiring board can be reduced. Can be.

【0014】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記コア基板は、前記コア基板の表面と裏面と
の間を貫通する貫通孔の内部に形成されたスルーホール
導体を備え、上記スルーホール導体は、前記層状コンデ
ンサの一方の電極に接続する第1スルーホール導体と、
上記層状コンデンサの他方の電極に接続する第2スルー
ホール導体と、上記一方の電極及び他方の電極のいずれ
とも絶縁する第3スルーホール導体と、を含む、配線基
板とすると良い。
Further, in the wiring substrate according to any one of the above, the core substrate includes a through-hole conductor formed inside a through-hole penetrating between a front surface and a back surface of the core substrate. A first through-hole conductor connected to one electrode of the layered capacitor;
The wiring board may include a second through-hole conductor connected to the other electrode of the layered capacitor, and a third through-hole conductor insulated from both the one electrode and the other electrode.

【0015】本発明の配線基板では、第1スルーホール
導体及び第2スルーホール導体を含むので、層状コンデ
ンサの電極をなすベース金属板及び金属層の電位をコア
基板の表面、さらには裏面で取り出せる。また、コンデ
ンサの電極のいずれとも絶縁する第3スルーホール導体
も含まれている。従って、この第3スルーホール導体を
用いて、信号配線をコア基板の表裏の間に通すこともで
きる。このようにこの配線基板では、3種のスルーホー
ル導体がコア基板の表面および裏面にまで延びているの
で、このコア基板の裏面側に形成した配線層と表面側に
形成した配線層とを、このスルーホール導体で容易に接
続できる。従って、例えば、裏面側で裏面側の配線層と
マザーボードなどの他の配線基板とを接続し、表面側で
表面側の配線層とICチップなどの電子部品とを接続す
ると、このスルーホール導体を通じて、他の配線基板と
電子部品とを接続することができる。
Since the wiring board according to the present invention includes the first through-hole conductor and the second through-hole conductor, the potentials of the base metal plate and the metal layer forming the electrodes of the layered capacitor can be taken out from the front and back surfaces of the core substrate. . It also includes a third through-hole conductor that insulates any of the electrodes of the capacitor. Therefore, the signal wiring can be passed between the front and back of the core substrate by using the third through-hole conductor. As described above, in this wiring board, since three types of through-hole conductors extend to the front and back surfaces of the core substrate, the wiring layer formed on the back surface side of the core substrate and the wiring layer formed on the front surface side are Connection can be easily made with this through-hole conductor. Therefore, for example, if the wiring layer on the back side is connected to another wiring board such as a motherboard on the back side, and the wiring layer on the front side and an electronic component such as an IC chip are connected on the front side, through this through-hole conductor In addition, another wiring board can be connected to the electronic component.

【0016】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記コア基板の貫通孔は、レーザ加工により形
成されてなる配線基板とすると良い。
Further, in the wiring substrate according to any one of the above, it is preferable that the through hole of the core substrate is a wiring substrate formed by laser processing.

【0017】本発明の配線基板では、コア基板におい
て、スルーホール導体を形成するための貫通孔をレーザ
加工によって形成しているので、ドリルなどの機械加工
では困難な小径(例えば、φ150μm以下)の貫通孔
や、間隙の狭い(例えば、500μm以下)貫通孔を、
容易かつ正確に形成することができ、特性良好で安価な
配線基板とすることが出来る。また、これにより、1つ
のスルーホール導体に代えて、近接した位置に複数のス
ルーホール導体を並列に形成すれば、全体としてスルー
ホール導体が有するインダクタンスや抵抗をさらに低減
させることができる。さらに、一部のスルーホール導体
が不具合によって断線となっても、他のスルーホール導
体によって導通を確保するなど、歩留まり低下や不具合
発生を防止できる。即ち、前記貫通孔及び前記スルーホ
ール導体は、近接した位置に複数並列に形成されてなる
貫通孔及びスルーホール導体を含むと好ましい。
In the wiring board of the present invention, since the through holes for forming the through-hole conductors are formed by laser processing in the core board, small-diameter (for example, φ150 μm or less) difficult to machine by drilling or the like. A through-hole or a through-hole with a narrow gap (for example, 500 μm or less)
It can be formed easily and accurately, and can be a cheap wiring board with good characteristics. In addition, by forming a plurality of through-hole conductors in parallel at close positions instead of one through-hole conductor, the inductance and resistance of the through-hole conductor as a whole can be further reduced. Further, even if some of the through-hole conductors are broken due to a failure, the other through-hole conductors ensure conduction, thereby preventing a decrease in yield and occurrence of a failure. That is, it is preferable that the through-hole and the through-hole conductor include a plurality of through-holes and through-hole conductors formed in parallel at adjacent positions.

【0018】また、他の解決手段は、コア基板と、上記
コア基板の表面及び裏面にそれぞれ積層された樹脂絶縁
層と、上記コア基板の表面側及び裏面側において、上記
コア基板と上記樹脂絶縁層の間及び上記樹脂絶縁層同士
の間の少なくともいずれかに形成された配線層と、を有
する配線基板であって、上記コア基板は、表面および裏
面を有するベース金属板と、樹脂および高誘電体粉末を
含む複数の複合誘電体層と、上記ベース金属板より厚さ
の薄い複数の金属層と、複数のスルーホール導体と、を
備え、上記複合誘電体層と金属層とは、上記ベース金属
板の表面と裏面のそれぞれに上記複合誘電体層、金属層
の順に交互に積層され、上記金属層は、複合誘電体層の
層間、コア基板裏面方向最外側の上記複合誘電体層の裏
面及びコア基板表面方向最外側の上記複合誘電体層の表
面に位置し、上記ベース金属板とこれに隣り合う金属
層、または上記ベース金属板とこれに隣り合う金属層及
び隣り合う金属層同士が、上記複合誘電体層を挟んで対
向して層状コンデンサを構成し、上記複数のスルーホー
ル導体は、上記ベース金属板、複数の複合誘電体層及び
複数の金属層を貫通する貫通孔内に形成され、上記コア
基板表面及びコア基板裏面まで延び、上記ベース金属板
に、または上記ベース金属板及び上記複合誘電体層の層
間に形成された内側の金属層のうち上記ベース金属板か
ら数えて偶数番目の内側金属層に直接接続する複数の第
1スルーホール導体と、上記内側の金属層のうち上記ベ
ース金属板から数えて奇数番目の内側金属層に直接接続
する複数の第2スルーホール導体と、上記ベース金属層
及び上記内側の金属層のいずれとも非導通の複数の第3
スルーホール導体と、を含む、配線基板である。
Another solution is to provide a core substrate, a resin insulating layer laminated on the front and back surfaces of the core substrate, and a resin insulating layer laminated on the front and back surfaces of the core substrate. A wiring layer formed at least between the layers and between the resin insulating layers, wherein the core substrate comprises a base metal plate having a front surface and a back surface; A plurality of composite dielectric layers containing body powder, a plurality of metal layers thinner than the base metal plate, and a plurality of through-hole conductors, wherein the composite dielectric layer and the metal layer are The composite dielectric layer and the metal layer are alternately laminated on the front and back surfaces of the metal plate in this order. And core board table The outermost surface of the composite dielectric layer in the direction, the base metal plate and the metal layer adjacent thereto, or the base metal plate and the metal layer adjacent thereto and the adjacent metal layers are the composite dielectric layer. A plurality of through-hole conductors are formed in a through-hole penetrating the base metal plate, the plurality of composite dielectric layers and the plurality of metal layers; An even-numbered inner metal counting from the base metal plate, extending from the base metal plate to the base metal plate or the inner metal layer formed between the base metal plate and the composite dielectric layer. A plurality of first through-hole conductors directly connected to a layer; a plurality of second through-hole conductors directly connected to an odd-numbered inner metal layer of the inner metal layer counted from the base metal plate; Serial base metal layer and the plurality of third than either non-conduction of the inner metal layer
And a through-hole conductor.

【0019】本発明の配線基板では、このうちのコア基
板に複合誘電体層とベース金属板及び金属層とで構成さ
れる層状コンデンサを備えているので、ICチップなど
の電子部品に近い位置に静電容量の大きなコンデンサを
配置できるため、ノイズ除去などの効果が良好に得られ
る。また、コア基板に層状コンデンサを内蔵させたの
で、層状コンデンサの特性やショートの有無等を検査
し、合格したコア基板のみを用いて配線基板を形成、即
ち樹脂絶縁層や配線層等を形成できるから、配線基板の
製造において、歩留まりも高くできる。また、内蔵のコ
ンデンサがショート等の不具合を生じていたとしても、
樹脂絶縁層や配線層が形成されていないコア基板の状態
で廃棄すればよいので、付加価値が低く不具合発生に伴
う損失を低く抑えることができる。従って、安価な配線
基板とすることができる。また、本発明の配線基板で
は、コア基板は、ベースの板として絶縁性の板を用いる
場合と異なり、導電性のベース金属板を用いているた
め、コンデンサの電極の1つとしてそのまま利用するこ
とができる。また、ベース金属板は、金属層よりも厚さ
が厚いので、コア基板さらには配線基板の剛性を、この
ベース金属板である程度坦持させることができる。この
ため、その取り扱いが容易である。
In the wiring board of the present invention, since the core substrate is provided with the layered capacitor composed of the composite dielectric layer, the base metal plate and the metal layer, the core substrate is located at a position close to an electronic component such as an IC chip. Since a capacitor having a large capacitance can be arranged, effects such as noise removal can be obtained favorably. In addition, since the layered capacitor is built in the core substrate, the characteristics of the layered capacitor, the presence or absence of short-circuit, and the like are inspected, and the wiring substrate can be formed using only the passed core substrate, that is, the resin insulating layer and the wiring layer can be formed. Therefore, the yield can be increased in the production of the wiring board. Also, even if the built-in capacitor has caused a problem such as a short circuit,
Since it is only necessary to dispose in a state of the core substrate on which the resin insulating layer and the wiring layer are not formed, the added value is low, and the loss caused by the occurrence of a failure can be suppressed. Therefore, an inexpensive wiring board can be obtained. Further, in the wiring board of the present invention, unlike the case where an insulating plate is used as the base plate, the core substrate uses a conductive base metal plate, so that it can be used as it is as one of the electrodes of the capacitor. Can be. Further, since the base metal plate is thicker than the metal layer, the rigidity of the core substrate and the wiring substrate can be supported to some extent by the base metal plate. Therefore, the handling is easy.

【0020】しかも、コア基板には、第1スルーホール
導体及び第2スルーホール導体を含むので、層状コンデ
ンサの電極をなすベース金属板及び金属層の電位をコア
基板の表面、さらには裏面で取り出せる。また、ベース
金属板及び内側の金属層のいずれとも絶縁する第3スル
ーホール導体も含まれている。従って、この第3スルー
ホール導体を用いて、信号配線をコア基板の表裏の間に
通すこともできる。このようにこの配線基板では、3種
のスルーホール導体がコア基板の表面および裏面にまで
延びているので、このコア基板の裏面側に形成した配線
層と表面側に形成した配線層とを、このスルーホール導
体で容易に接続できる。従って、例えば、裏面側で裏面
側の配線層とマザーボードなどの他の配線基板とを接続
し、表面側で表面側の配線層とICチップなどの電子部
品とを接続すると、このスルーホール導体を通じて、他
の配線基板と電子部品とを接続することができる。
In addition, since the core substrate includes the first through-hole conductor and the second through-hole conductor, the potentials of the base metal plate and the metal layer forming the electrodes of the layered capacitor can be taken out from the front and back surfaces of the core substrate. . Also, a third through-hole conductor that insulates both the base metal plate and the inner metal layer is included. Therefore, the signal wiring can be passed between the front and back of the core substrate by using the third through-hole conductor. As described above, in this wiring board, since three types of through-hole conductors extend to the front and back surfaces of the core substrate, the wiring layer formed on the back surface side of the core substrate and the wiring layer formed on the front surface side are Connection can be easily made with this through-hole conductor. Therefore, for example, if the wiring layer on the back side is connected to another wiring board such as a motherboard on the back side, and the wiring layer on the front side and an electronic component such as an IC chip are connected on the front side, through this through-hole conductor In addition, another wiring board can be connected to the electronic component.

【0021】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記複数のスルーホール導体は、内部にプラグ
材が充填され、前記コア基板表面及びコア基板裏面にそ
れぞれ閉塞部を備え、上記閉塞部のうち、上記コア基板
表面側の表面側閉塞部上には、上記コア基板の表面に積
層された前記樹脂絶縁層を貫通する閉塞部上ビア導体を
備える配線基板とするのが好ましい。
Further, in the wiring board according to any one of the above, the plurality of through-hole conductors are filled with a plug material therein, and each of the plurality of through-hole conductors has a closing portion on a surface of the core substrate and a back surface of the core substrate. It is preferable that the wiring board be provided with a via conductor on the closed portion, which penetrates the resin insulating layer laminated on the surface of the core substrate, on the closed portion on the surface of the core substrate.

【0022】このようにスルーホール導体内にプラグ材
を充填し閉塞部を形成し、閉塞部上ビア導体を形成する
ことで、スルーホール導体を通じて層状コンデンサの電
極をより短い距離で、従って、低抵抗かつ低インダクタ
ンスで配線基板表面まで導くことができ、ノイズの侵入
をさらに防止することができる。
As described above, the plug material is filled in the through-hole conductor to form the closed portion, and the via conductor on the closed portion is formed, so that the electrode of the layered capacitor can be formed at a shorter distance through the through-hole conductor, and therefore, can be formed at a lower distance. The resistance and low inductance can be guided to the surface of the wiring board, and the intrusion of noise can be further prevented.

【0023】さらに、上記の配線基板であって、前記閉
塞部上ビア導体にさらにビア導体を積み重ねてなる配線
基板とするのが好ましい。このように、閉塞部上ビア導
体にさらにビア導体を積み重ねるスタックドビアの構造
とすると、閉塞部上ビア導体とその上のビア導体とを直
接接続できる。故に、スルーホール導体を通じて層状コ
ンデンサの電極をさらに短い距離で、従って、さらに低
抵抗かつ低インダクタンスで配線基板表面まで導くこと
ができ、ノイズの侵入を防止することができる。
Further, it is preferable that the wiring board is a wiring board in which a via conductor is further stacked on the via conductor on the closed portion. As described above, when the structure of the stacked via in which the via conductor is further stacked on the closed portion upper via conductor is used, the closed portion upper via conductor and the via conductor thereon can be directly connected. Therefore, the electrodes of the layered capacitor can be guided to the surface of the wiring board through the through-hole conductor with a shorter distance, and therefore with a lower resistance and a lower inductance, and the intrusion of noise can be prevented.

【0024】さらに、上記配線基板であって、この前記
配線基板には、配線基板の剛性を補強する補強板が貼り
付けられてなることを特徴とする配線基板とすると良
い。
Further, it is preferable that the wiring board is provided with a reinforcing plate attached to the wiring board to reinforce the rigidity of the wiring board.

【0025】本発明の配線基板では、さらに、配線基板
の補強板が貼り付けられてなるので、配線基板自身の剛
性をさほど高くする必要が無く、従って、製造の各工程
において取り扱いに困難性の生じない程度の剛性を確保
できればよい。従って、ベース金属板として、例えば、
厚さ30〜100μmなど、ある程度の剛性を有しなが
らも、比較的薄いものを使用することができる。このた
め、配線基板全体の厚さを薄くできるので、低背化の要
求に応えられると共に、コア基板に形成するスルーホー
ル導体などの配線の距離を短くして、配線のインダクタ
ンスや抵抗を下げることができる。
In the wiring board according to the present invention, since the reinforcing plate of the wiring board is further adhered, it is not necessary to increase the rigidity of the wiring board itself. It is only necessary to secure rigidity to the extent that it does not occur. Therefore, as a base metal plate, for example,
A relatively thin material having a certain degree of rigidity, such as a thickness of 30 to 100 μm, can be used. As a result, the thickness of the entire wiring board can be reduced. Can be.

【0026】また、上記いずれかに記載の配線基板であ
って、前記コア基板の貫通孔は、レーザ加工により形成
されてなる配線基板とすると良い。
In any one of the above-mentioned wiring boards, it is preferable that the through-hole of the core board is a wiring board formed by laser processing.

【0027】本発明の配線基板では、コア基板におい
て、スルーホール導体を形成するための貫通孔をレーザ
加工によって形成しているので、ドリルなどの機械加工
では困難な小径(例えば、φ150μm以下)の貫通孔
や、間隙の狭い(例えば、500μm以下)貫通孔を、
容易かつ正確に形成することができ、特性良好で安価な
配線基板とすることが出来る。
In the wiring board of the present invention, since the through holes for forming the through-hole conductors are formed by laser processing in the core board, small-diameter (for example, φ150 μm or less) difficult to machine by a drill or the like. A through hole or a through hole with a narrow gap (for example, 500 μm or less)
It can be formed easily and accurately, and can be a cheap wiring board with good characteristics.

【0028】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記第1スルーホール導体、第2スルーホール
導体、及び第3スルーホール導体に属するスルーホール
導体のうち少なくともいずれかは、互いに近接した位置
に形成された複数の前記貫通孔内にそれぞれ形成され、
かつ、互いに導通する複数のスルーホール導体からなる
スルーホール導体の組である配線基板とすると良い。
Further, in the wiring board according to any one of the above, at least one of the first through-hole conductor, the second through-hole conductor, and the through-hole conductor belonging to the third through-hole conductor is close to each other. Formed in the plurality of through-holes formed in the position, respectively,
In addition, it is preferable that the wiring board be a set of through-hole conductors composed of a plurality of through-hole conductors that conduct with each other.

【0029】本発明の配線基板では、1つのスルーホー
ル導体に代えて、互いに近接した位置に形成された複数
の前記貫通孔内にそれぞれ形成され、かつ、互いに導通
する複数のスルーホール導体からなるスルーホール導体
の組が形成されている。このため、このスルーホール導
体の組についてみると、1つのスルーホール導体で形成
した場合に比して、インダクタンスや抵抗をさらに低減
させることができる。さらに、組の中の一部のスルーホ
ール導体が不具合によって断線となっても、他のスルー
ホール導体によって導通を確保するなど、歩留まり低下
や不具合発生を防止できる。
In the wiring board of the present invention, instead of one through-hole conductor, a plurality of through-hole conductors are formed in the plurality of through-holes formed at positions adjacent to each other and are electrically connected to each other. A set of through-hole conductors is formed. For this reason, regarding this set of through-hole conductors, the inductance and the resistance can be further reduced as compared with the case where they are formed by one through-hole conductor. Furthermore, even if some of the through-hole conductors in the set are broken due to a failure, the other through-hole conductors ensure continuity, thereby preventing a reduction in yield and occurrence of a failure.

【0030】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記コア基板のうち、上記配線基板の表面に搭
載されるICチップの搭載位置を厚さ方向に投影してな
るIC対応部には、前記3種のスルーホール導体のう
ち、前記第1スルーホール導体及び第2スルーホール導
体が形成され、前記第3スルーホール導体は形成されな
いか、またはこのIC対応部に形成された前記第1スル
ーホール導体と第2スルーホール導体の和よりも少数形
成され、上記IC対応部の周縁部には、上記第3スルー
ホール導体が上記IC対応部よりも多く形成されている
配線基板とすると良い。
Further, in the wiring board according to any one of the above, the mounting position of an IC chip mounted on the surface of the wiring board in the core substrate is projected to an IC corresponding portion. The first through-hole conductor and the second through-hole conductor are formed out of the three types of through-hole conductors, and the third through-hole conductor is not formed, or the third through-hole conductor is formed in the IC corresponding portion. It is assumed that the wiring board is formed in a smaller number than the sum of the first through-hole conductor and the second through-hole conductor, and the third through-hole conductor is formed more in the peripheral portion of the IC corresponding portion than in the IC corresponding portion. good.

【0031】前述したように、ICチップの電源端子や
接地端子と配線基板に形成するコンデンサの電極、ある
いは電源配線や接地配線とは、できるだけ短い距離で接
続することが望ましい。配線を低抵抗、低インダクタン
スとして、ノイズの侵入を防止するためである。一方、
信号端子に接続する信号配線は、コンデンサとの接続や
電源配線、接地配線ほど低抵抗、低インダクタンスであ
ることが求められていない。
As described above, it is desirable to connect the power supply terminal or the ground terminal of the IC chip to the electrode of the capacitor formed on the wiring board, or the power supply wiring or the ground wiring as short as possible. This is because the wiring has low resistance and low inductance to prevent noise from entering. on the other hand,
The signal wiring connected to the signal terminal is not required to have lower resistance and lower inductance than the connection with the capacitor, the power supply wiring, and the ground wiring.

【0032】これに対し、本発明の配線基板では、信号
配線等に用いる第3スルーホール導体は、IC対応部よ
りもその周縁部に多く形成されている。つまり、多くの
第3スルーホール導体は、IC対応部の周縁部に形成さ
れている。このため、ICチップの直下に位置するIC
対応部において、第1スルーホール導体や第2スルーホ
ール導体を形成するにあたって、第3スルーホール導体
を配置を考慮する必要が無い、あるいは必要が少なくな
る。従って、第1スルーホール導体や第2スルーホール
導体を適切な位置に配置して、これらとICチップの電
源端子や接地端子との間を、ごく短い距離で結ぶことが
できる。これにより、第1スルーホール導体及び第2ス
ルーホール導体とICチップの電源端子や接地端子との
間の抵抗やインダクタンスをできるだけ低くして、この
部分で侵入するノイズを低減することができる。さら
に、この配線基板では、第1スルーホール導体及び第2
スルーホール導体の間に層状コンデンサが形成されてい
るので、この点でもノイズを低減させることができる。
なお、上記から容易に理解できるように、IC対応部の
周縁部に、すべての第3スルーホール導体を形成し、I
C対応部内に、第3スルーホール導体を形成しないよう
にしても良く、このようにするのがさらに好ましい。
On the other hand, in the wiring board of the present invention, the third through-hole conductor used for the signal wiring and the like is formed more in the peripheral portion than in the IC corresponding portion. That is, many third through-hole conductors are formed on the peripheral edge of the IC corresponding portion. For this reason, the IC located immediately below the IC chip
In forming the first through-hole conductor and the second through-hole conductor in the corresponding portion, there is no need to consider or reduce the necessity of disposing the third through-hole conductor. Therefore, it is possible to arrange the first through-hole conductor and the second through-hole conductor at appropriate positions, and connect them to the power terminal and the ground terminal of the IC chip at a very short distance. As a result, the resistance and inductance between the first through-hole conductor and the second through-hole conductor and the power supply terminal and the ground terminal of the IC chip can be reduced as much as possible, and the noise that enters at this portion can be reduced. Further, in this wiring board, the first through-hole conductor and the second through-hole conductor
Since the layered capacitor is formed between the through-hole conductors, noise can be reduced in this respect as well.
In addition, as can be easily understood from the above, all the third through-hole conductors are formed on the peripheral portion of the IC corresponding portion,
The third through-hole conductor may not be formed in the C-corresponding portion, and this is more preferable.

【0033】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記ベース金属板の厚さは、30μm以上、1
00μm以下である配線基板とすると良い。
Further, in the wiring substrate according to any one of the above, the thickness of the base metal plate is 30 μm or more,
It is preferable that the wiring board has a thickness of not more than 00 μm.

【0034】本発明の配線基板では、ベース金属板の厚
さを30〜100μmとしている。30μm以上とした
のは、30μm未満であると、ベース金属層の持つ剛性
が低くなり、コア基板の製造さらには配線基板の製造の
際、取り扱いが困難となるので、工数が増加しあるいは
歩留まりが低下しやすいからである。一方、100μm
以下としたのは、厚いほどベース金属板の剛性は高くな
るが、その分コア基板や配線基板の厚さが厚くなり、低
背化の要求に反するからである。コア基板に形成するス
ルーホール導体などの配線の距離を短くして、配線のイ
ンダクタンスや抵抗を下げることもできる。
In the wiring board of the present invention, the thickness of the base metal plate is 30 to 100 μm. The reason why the thickness is set to 30 μm or more is that if the thickness is less than 30 μm, the rigidity of the base metal layer becomes low, and it becomes difficult to handle the core substrate in the manufacture of the wiring substrate, and thus the number of steps increases or the yield increases. This is because it is easy to decrease. On the other hand, 100 μm
This is because the rigidity of the base metal plate increases as the thickness increases, but the thickness of the core substrate and the wiring substrate increases accordingly, which is against the demand for a reduction in height. It is also possible to reduce the distance between wirings such as through-hole conductors formed on the core substrate to reduce the inductance and resistance of the wirings.

【0035】また、他の解決手段は、その表面及び裏面
に樹脂絶縁層及び配線層を形成して配線基板とするため
のコア基板であって、ベース金属板と、樹脂および高誘
電体粉末を含む複数の複合誘電体層と、上記ベース金属
板より厚さの薄い複数の金属層と、を備え、上記複合誘
電体層と金属層とは、上記ベース金属板の表面と裏面の
それぞれに交互に積層され、上記ベース金属板とこれに
隣り合う金属層とが、または、上記ベース金属板とこれ
に隣り合う金属層及び隣り合う金属層同士が、上記複合
誘電体層を挟んで対向して層状コンデンサを構成するコ
ア基板である。
Another solution is to provide a core board for forming a resin insulating layer and a wiring layer on the front and back surfaces to form a wiring board, comprising a base metal plate, a resin and a high dielectric powder. A plurality of composite dielectric layers, and a plurality of metal layers having a thickness smaller than that of the base metal plate. And the base metal plate and the metal layer adjacent thereto, or the base metal plate and the metal layer adjacent thereto and the adjacent metal layers face each other with the composite dielectric layer interposed therebetween. It is a core substrate constituting a layered capacitor.

【0036】本発明のコア基板は、層状コンデンサを内
蔵しているので、このコア基板を用いて配線基板を形成
すると、ICチップなどの電子部品に近い位置にコンデ
ンサを配置できるため、ノイズ除去などの効果が良好に
得られる。さらに、ショート等の不具合を生じやすいコ
ンデンサをコア基板に内蔵させたことにより、コア基板
が完成した時点で層状コンデンサの静電容量やショート
の有無等を判定することができる。従って、配線基板を
形成するにあたり、所定規格に合格したコア基板のみを
使用することができるので、配線基板全体の歩留まりを
高くすることができる。また、樹脂絶縁層や配線層を形
成して付加価値が付いた状態で、層状コンデンサのショ
ートや容量不良などの不具合が発見されて廃棄される場
合を少なくできるので、損失金額も抑制できる。
Since the core substrate of the present invention has a built-in layered capacitor, if a wiring substrate is formed using this core substrate, the capacitor can be arranged at a position close to an electronic component such as an IC chip. Effect is obtained favorably. Further, by incorporating a capacitor that easily causes a problem such as a short circuit into the core substrate, it is possible to determine the capacitance of the layer capacitor, the presence or absence of a short circuit, and the like when the core substrate is completed. Therefore, in forming the wiring board, only the core substrate that has passed the predetermined standard can be used, so that the yield of the entire wiring board can be increased. In addition, in the case where the resin insulating layer and the wiring layer are formed and added value is added, it is possible to reduce the number of cases in which defects such as short-circuits or defective capacitance of the layered capacitor are found and discarded, so that the amount of loss can be suppressed.

【0037】さらに、ベースの板として、ガラス−BT
樹脂複合材料やガラス−エポキシ樹脂複合材料など、絶
縁性の板を用いる場合には、さらにコンデンサの電極を
形成する必要がある。これに対し、本発明のコア基板で
は、ベースの板としてベース金属板を用いているため、
コンデンサの電極の1つとしてそのまま利用することが
できる。
Further, as a base plate, glass-BT
When an insulating plate such as a resin composite material or a glass-epoxy resin composite material is used, it is necessary to further form an electrode of the capacitor. On the other hand, in the core substrate of the present invention, since the base metal plate is used as the base plate,
It can be used as it is as one of the electrodes of the capacitor.

【0038】なお、配線基板を形成した際に、補強板に
よって補強することとすれば、配線基板自身、さらには
コア基板の剛性をさほど高くする必要が無く、従って、
コア基板や配線基板製造の各工程において取り扱いに困
難性の生じない程度の剛性を確保できればよい。従っ
て、ベース金属板として、例えば、厚さ30〜100μ
mなど、ある程度の剛性を有しながらも比較的薄いもの
を使用することができる。すると、コア基板全体の厚さ
を薄くできるので、配線基板の低背化の要求に応えられ
ると共に、コア基板に形成するスルーホール導体などの
配線の距離を短くして、配線のインダクタンスや抵抗を
下げることもできる。
When the wiring board is formed and reinforced by a reinforcing plate, it is not necessary to increase the rigidity of the wiring board itself and further the rigidity of the core board.
It is sufficient that rigidity can be ensured to such an extent that handling is not difficult in each step of manufacturing the core substrate and the wiring substrate. Therefore, as a base metal plate, for example, a thickness of 30 to 100 μm
For example, a relatively thin material having a certain degree of rigidity such as m can be used. Then, the thickness of the entire core substrate can be reduced, so that it is possible to meet the demand for a reduction in the height of the wiring substrate, and to shorten the distance of wiring such as through-hole conductors formed on the core substrate to reduce the inductance and resistance of the wiring. You can also lower it.

【0039】さらに、層状コンデンサの電極をなすベー
ス金属板や金属層の電位をコア基板の表面や裏面で取り
出して、コア基板の表面や裏面側に形成する配線層と容
易に接続できるようにするために、ベース金属板や所望
の金属層と導通するスルーホール導体をコア基板に形成
しておくのが好ましい。従って、上記ベース金属板や金
属層のうちコア基板表面に位置する金属層を除いた内層
に位置するベース金属板や所定の金属層の電位を、コア
基板の表面や裏面まで導くスルーホール導体を備えるの
が好ましい。但し、このスルーホール導体とベース金属
板や各金属層とをどのように結ぶかは、配線基板に形成
する信号配線等他の配線、求められる電源配線やアース
配線の種類や数等に応じて適宜決定すればよい。
Further, the potential of the base metal plate or the metal layer forming the electrode of the layered capacitor is taken out from the front or back surface of the core substrate so that it can be easily connected to the wiring layer formed on the front or back surface side of the core substrate. For this purpose, it is preferable to form a through-hole conductor that is electrically connected to the base metal plate or a desired metal layer on the core substrate. Accordingly, a through-hole conductor that guides the potential of the base metal plate or a predetermined metal layer located in the inner layer excluding the metal layer located on the core substrate surface out of the base metal plate or the metal layer to the front surface or the back surface of the core substrate. Preferably, it is provided. However, how this through-hole conductor is connected to the base metal plate and each metal layer depends on other wiring such as signal wiring to be formed on the wiring board, the type and number of required power supply wiring and ground wiring, and the like. It may be determined appropriately.

【0040】さらに、上記コア基板であって、前記貫通
孔は、レーザ加工により形成されてなるコア基板とする
のが好ましい。このコア基板では、スルーホール導体を
形成するための貫通孔をレーザ加工によって形成してい
るので、ドリルなどの機械加工では困難な小径(例え
ば、φ150μm以下)の貫通孔や、間隙の狭い(例え
ば、500μm以下)貫通孔を、容易かつ正確に形成す
ることができ、特性良好で安価なコア基板とすることが
出来る。
Further, in the above core substrate, it is preferable that the through hole is a core substrate formed by laser processing. In this core substrate, a through hole for forming a through-hole conductor is formed by laser processing, so that a small-diameter (for example, φ150 μm or less) through-hole or a narrow gap (for example, , 500 μm or less) A through-hole can be easily and accurately formed, and a core substrate with good characteristics and low cost can be obtained.

【0041】また、これにより、1つのスルーホール導
体に代えて、近接した位置に多数のスルーホール導体を
並列に形成すれば、全体としてスルーホール導体が有す
るインダクタンスや抵抗をさらに低減させることができ
る。さらに、一部のスルーホール導体が不具合によって
断線となっても、他のスルーホール導体によって導通を
確保するなど、歩留まり低下や不具合発生を防止でき
る。即ち、前記貫通孔及び前記スルーホール導体は、近
接した位置に複数並列に形成されてなる貫通孔及びスル
ーホール導体を含むと良い。
Further, by forming a large number of through-hole conductors in parallel at adjacent positions instead of one through-hole conductor, the inductance and resistance of the through-hole conductor can be further reduced as a whole. . Further, even if some of the through-hole conductors are broken due to a failure, the other through-hole conductors ensure conduction, thereby preventing a decrease in yield and occurrence of a failure. That is, the through-hole and the through-hole conductor may include a plurality of through-holes and through-hole conductors formed in parallel at adjacent positions.

【0042】さらに他の解決手段は、その表面及び裏面
に1または複数の樹脂絶縁層及び配線層を形成して配線
基板とするためのコア基板であって、表面および裏面を
有するベース金属板と、樹脂および高誘電体粉末を含む
複数の複合誘電体層と、上記ベース金属板より厚さの薄
い複数の金属層と、複数のスルーホール導体と、を備
え、上記複合誘電体層と金属層とは、上記ベース金属板
の表面と裏面のそれぞれに上記複合誘電体層、金属層の
順に交互に積層され、上記金属層は、複合誘電体層の層
間、コア基板裏面方向最外側の上記複合誘電体層の裏面
及びコア基板表面方向最外側の上記複合誘電体層の表面
に位置し、上記ベース金属板とこれに隣り合う金属層、
または上記ベース金属板とこれに隣り合う金属層及び隣
り合う金属層同士が、上記複合誘電体層を挟んで対向し
て層状コンデンサを構成し、上記複数のスルーホール導
体は、上記ベース金属板、複数の複合誘電体層及び複数
の金属層を貫通する貫通孔内に形成され、上記コア基板
表面及びコア基板裏面まで延び、上記ベース金属板に、
または上記ベース金属板及び上記複合誘電体層の層間に
形成された内側の金属層のうち上記ベース金属板から数
えて偶数番目の内側金属層に直接接続する複数の第1ス
ルーホール導体と、上記内側の金属層のうち上記ベース
金属層から数えて奇数番目の内側金属層に直接接続する
複数の第2スルーホール導体と、上記ベース金属層及び
上記内側の金属層のいずれとも非導通の複数の第3スル
ーホール導体と、を含む、コア基板である。
Still another solution is a core substrate for forming a wiring substrate by forming one or more resin insulating layers and wiring layers on the front surface and the back surface thereof, and a base metal plate having a front surface and a back surface. , A plurality of composite dielectric layers containing resin and high dielectric powder, a plurality of metal layers thinner than the base metal plate, and a plurality of through-hole conductors, wherein the composite dielectric layer and the metal layer Means that the composite dielectric layer and the metal layer are alternately laminated on the front and back surfaces of the base metal plate in this order, and the metal layer is formed between the composite dielectric layers, A rear surface of the dielectric layer and a surface of the composite dielectric layer outermost in the core substrate surface direction, the base metal plate and a metal layer adjacent thereto,
Or the base metal plate and the adjacent metal layer and the adjacent metal layer constitute a layered capacitor facing each other with the composite dielectric layer interposed therebetween, and the plurality of through-hole conductors are the base metal plate, Formed in a through hole penetrating a plurality of composite dielectric layers and a plurality of metal layers, extending to the core substrate front surface and the core substrate back surface, the base metal plate,
Or a plurality of first through-hole conductors directly connected to even-numbered inner metal layers counted from the base metal plate among the inner metal layers formed between the base metal plate and the composite dielectric layer, A plurality of second through-hole conductors directly connected to an odd-numbered inner metal layer counted from the base metal layer among the inner metal layers; and a plurality of non-conductive plurality of non-conductive ones of the base metal layer and the inner metal layer. And a third through-hole conductor.

【0043】本発明によれば、ショート等の不具合を生
じやすいコンデンサをコア基板に内蔵させたことによ
り、コア基板が完成した時点で層状コンデンサの静電容
量やショートの有無等を判定することができる。従っ
て、配線基板を形成するにあたり、所定規格に合格した
コア基板のみを使用することができるので、配線基板全
体の歩留まりを高くすることができる。また、樹脂絶縁
層や配線層を形成して付加価値が付いた状態で、層状コ
ンデンサのショートや容量不良などの不具合が発見され
て廃棄される場合を少なくできるので、損失金額も抑制
できる。
According to the present invention, by incorporating a capacitor which is likely to cause a problem such as a short circuit into the core substrate, it is possible to determine the capacitance of the layered capacitor, the presence or absence of a short circuit, and the like when the core substrate is completed. it can. Therefore, in forming the wiring board, only the core substrate that has passed the predetermined standard can be used, so that the yield of the entire wiring board can be increased. In addition, in the case where the resin insulating layer and the wiring layer are formed and added value is added, it is possible to reduce the number of cases in which defects such as short-circuits or defective capacitance of the layered capacitor are found and discarded, so that the amount of loss can be suppressed.

【0044】しかも、層状コンデンサの電極をなすベー
ス金属板及び金属層の電位をコア基板の表面、さらには
裏面で取り出して、コア基板の表面側及び裏面側に形成
する配線層と容易に接続できるようにするために、ベー
ス金属板及び層間に形成された内側金属層の電位をコア
基板の表面および裏面まで導く第1スルーホール導体及
び第2スルーホール導体を備える。また、内側金属層に
接続しない第3スルーホール導体も含まれている。この
ように、このコア基板では、3種のスルーホール導体が
それぞれコア基板の表面および裏面にまで延びているの
で、このコア基板の裏面側に形成した配線層と表面側に
形成した配線層とを、このスルーホール導体で容易に接
続できる。しかも、第1スルーホール導体と第2スルー
ホール導体の間には層状コンデンサが並列に形成される
ので、この第1スルーホール導体及び第2スルーホール
導体にそれぞれ電源配線と接地配線とを接続すること
で、この電源配線と接地配線との間のノイズを容易かつ
確実に除去することができる。
Moreover, the potentials of the base metal plate and the metal layer forming the electrodes of the layered capacitor can be taken out from the front and back surfaces of the core substrate and easily connected to the wiring layers formed on the front and back surfaces of the core substrate. In order to achieve this, a first through-hole conductor and a second through-hole conductor for guiding the potential of the base metal plate and the inner metal layer formed between the layers to the front and back surfaces of the core substrate are provided. Also, a third through-hole conductor not connected to the inner metal layer is included. As described above, in this core substrate, the three types of through-hole conductors extend to the front surface and the back surface of the core substrate, respectively, so that the wiring layer formed on the back surface side of the core substrate and the wiring layer formed on the front surface side Can be easily connected with this through-hole conductor. Moreover, since a layered capacitor is formed in parallel between the first through-hole conductor and the second through-hole conductor, the power supply wiring and the ground wiring are connected to the first and second through-hole conductors, respectively. This makes it possible to easily and reliably remove noise between the power supply wiring and the ground wiring.

【0045】さらに、上記のコア基板であって、前記ベ
ース金属板の表面側に形成された前記複合誘電体層及び
金属層と、前記ベース金属板の裏面側に形成された前記
複合誘電体層及び金属層とは、層数、材質、及び対応す
る各層の厚さが等しくされているコア基板とするのが好
ましい。ベース金属板の表面側と裏面側で、複合誘電体
層や金属層の層数、材質、対応する各層の厚さが異なる
と、中心基板の両面で熱膨張率やコア基板形成の際の収
縮などがアンバランスになり、コア基板に反りが生じる
ことがある。本発明では、層数、材質、対応する各層の
厚さが等しくされているので、コア基板の反りを生じさ
せることが無く、安定した形状のコア基板とすることが
できる。
Further, in the core substrate, the composite dielectric layer and the metal layer formed on the front side of the base metal plate, and the composite dielectric layer formed on the back side of the base metal plate Preferably, the metal layer is a core substrate in which the number of layers, the material, and the thickness of each corresponding layer are equal. If the number of composite dielectric layers and metal layers, the material, and the thickness of each corresponding layer are different between the front side and the back side of the base metal plate, the coefficient of thermal expansion and shrinkage when forming the core substrate on both sides of the center substrate May become unbalanced, and the core substrate may be warped. In the present invention, since the number of layers, the material, and the thickness of each corresponding layer are made equal, the core substrate can be formed in a stable shape without warping of the core substrate.

【0046】さらに、上記のコア基板であって、前記複
数のスルーホール導体は、内部にプラグ材が充填され、
前記コア基板表面及びコア基板裏面にそれぞれ閉塞部を
備えるコア基板とするのが好ましい。スルーホール導体
に閉塞部を形成しておくと、この閉塞部上にさらにビア
導体(閉塞部上ビア導体)を形成することができるよう
になる。この閉塞部上ビア導体を形成すると、スルーホ
ール導体とビア導体との間に配線層が介在せず、両者が
直接接続するため、低抵抗、低インダクタンスの配線と
実現することができる。
Further, in the above core substrate, the plurality of through-hole conductors are filled with a plug material inside,
It is preferable that the core substrate has a closed portion on each of the front surface and the back surface of the core substrate. If a closed portion is formed in the through-hole conductor, a via conductor (via conductor on the closed portion) can be further formed on the closed portion. When the via conductor on the closed portion is formed, a wiring layer is not interposed between the through-hole conductor and the via conductor, and the via conductors are directly connected to each other, so that a low-resistance and low-inductance wiring can be realized.

【0047】さらに、上記コア基板であって、前記第1
スルーホール導体、第2スルーホール導体、及び第3ス
ルーホール導体に属するスルーホール導体のうち少なく
ともいずれかが、互いに近接した位置に形成され組をな
す複数の前記貫通孔内にそれぞれ形成され、かつ、互い
に導通する複数のスルーホール導体からなるスルーホー
ル導体の組であるコア基板とすると良い。
Further, in the core substrate, the first substrate
At least one of the through-hole conductor, the second through-hole conductor, and the through-hole conductor belonging to the third through-hole conductor are respectively formed in a plurality of the through-holes formed in a position close to each other and forming a set, and The core substrate may be a set of through-hole conductors composed of a plurality of through-hole conductors that conduct with each other.

【0048】本発明のコア基板では、1つのスルーホー
ル導体に代えて、互いに近接した位置に形成された複数
の前記貫通孔内にそれぞれ形成され、かつ、互いに導通
する複数のスルーホール導体からなるスルーホール導体
の組が形成されている。このため、このスルーホール導
体の組についてみると、1つのスルーホール導体で形成
した場合に比して、インダクタンスや抵抗をさらに低減
させることができる。さらに、組の中の一部のスルーホ
ール導体が不具合によって断線となっても、他のスルー
ホール導体によって導通を確保できるなど、歩留まり低
下や不具合発生を防止できる。
In the core substrate of the present invention, instead of one through-hole conductor, a plurality of through-hole conductors are formed in the plurality of through-holes formed at positions close to each other and are electrically connected to each other. A set of through-hole conductors is formed. For this reason, regarding this set of through-hole conductors, the inductance and the resistance can be further reduced as compared with the case where they are formed by one through-hole conductor. Further, even if some of the through-hole conductors in the set are disconnected due to a failure, conduction can be ensured by other through-hole conductors, so that a decrease in yield and occurrence of a failure can be prevented.

【0049】さらに、上記コア基板であって、コア基板
の平面方向中央部には、前記3種のスルーホール導体の
うち、前記第1スルーホール導体及び第2スルーホール
導体が形成され、前記第3スルーホール導体は形成され
ない、またはこの中央部に形成された前記第1スルーホ
ール導体と第2スルーホール導体との和よりも少数形成
されており、コア基板の平面方向周縁部には、上記第3
スルーホール導体が上記中央部よりも多数形成されてい
るコア基板とすると良い。
Further, in the above-mentioned core substrate, the first through-hole conductor and the second through-hole conductor among the three kinds of through-hole conductors are formed at the center of the core substrate in the plane direction. The three through-hole conductors are not formed, or are formed in a smaller number than the sum of the first through-hole conductor and the second through-hole conductor formed at the center thereof. Third
It is preferable that the core substrate has a larger number of through-hole conductors than the central portion.

【0050】配線基板にICチップを搭載する場合、一
般に配線基板の中央部にICチップを搭載する。ところ
で前述したように、ICチップの電源端子や接地端子と
配線基板に形成するコンデンサ、あるいは電源配線や接
地配線とは、できるだけ短い距離で接続することが望ま
しい。配線を低抵抗、低インダクタンスとして、ノイズ
の侵入を防止するためである。一方、信号端子に接続す
る信号配線は、コンデンサや電源配線、接地配線ほど低
抵抗、低インダクタンスであることは求められていな
い。
When mounting an IC chip on a wiring board, the IC chip is generally mounted at the center of the wiring board. By the way, as described above, it is desirable to connect the power supply terminal and the ground terminal of the IC chip to the capacitor formed on the wiring board or the power supply wiring and the ground wiring as short as possible. This is because the wiring has low resistance and low inductance to prevent noise from entering. On the other hand, the signal wiring connected to the signal terminal is not required to have lower resistance and lower inductance than the capacitor, the power supply wiring, and the ground wiring.

【0051】これに対し、本発明のコア基板では、信号
配線等に用いる第3スルーホール導体は、中央部よりも
その周縁部に多く形成されている。つまり、すべてある
いは多くの第3スルーホール導体は、周縁部に形成され
ている。このため、ICチップの直下に位置する中央部
において、第1スルーホール導体や第2スルーホール導
体を形成するにあたって、第3スルーホール導体を配置
を考慮する必要が無い、あるいは必要が少なくなる。従
って、第1スルーホール導体や第2スルーホール導体を
適切な位置に配置して、これらとICチップの電源端子
や接地端子との間を、ごく短い距離で結ぶことができ
る。これにより、層状コンデンサの各電極に接続する第
1スルーホール導体及び第2スルーホール導体とICチ
ップの電源端子や接地端子との間の抵抗やインダクタン
スをできるだけ低くして、この部分で侵入するノイズを
低減させることができる。
On the other hand, in the core substrate of the present invention, the third through-hole conductor used for the signal wiring and the like is formed more at the periphery than at the center. That is, all or many of the third through-hole conductors are formed at the periphery. For this reason, in forming the first through-hole conductor and the second through-hole conductor in the central portion located immediately below the IC chip, it is not necessary or necessary to consider the arrangement of the third through-hole conductor. Therefore, it is possible to arrange the first through-hole conductor and the second through-hole conductor at appropriate positions, and connect them to the power terminal and the ground terminal of the IC chip at a very short distance. As a result, the resistance and inductance between the first through-hole conductor and the second through-hole conductor connected to each electrode of the layered capacitor and the power supply terminal and the ground terminal of the IC chip are reduced as much as possible, and noise entering at this portion is reduced. Can be reduced.

【0052】さらに、他の解決手段は、ベース金属板、
及び、上記ベース金属板の表面及び裏面に1層ずつ積層
された、樹脂および高誘電体粉末を含む複合誘電体層と
上記ベース金属板より厚さの薄い金属層とを有し、上記
ベース金属板とこれに隣り合う上記金属層とが、上記複
合誘電体層を挟んで対向して層状コンデンサを構成する
コア基板の製造方法であって、所定位置に絶縁用貫通孔
を形成してなる上記ベース金属板の表面と裏面のそれぞ
れに、複合誘電体層と金属箔とがこの順に積層された積
層板を形成する積層板形成工程と、上記積層板の表面と
裏面との間に貫通孔を形成する貫通孔形成工程であっ
て、上記ベース金属板に形成した上記絶縁用貫通孔の内
部を、周囲に上記複合誘電体層を残して貫通し、内周面
に上記ベース金属板が露出しないベース絶縁用貫通孔
と、上記ベース金属板を貫通し、内周面に上記ベース金
属板が露出するベース接続用貫通孔と、を形成する貫通
孔形成工程と、上記ベース絶縁用貫通孔及びベース接続
用貫通孔内にスルーホール導体層を形成し、上記積層板
の表面及び裏面の金属箔をそれぞれ所定パターンの金属
層に成形するパターニング工程と、を備えるコア基板の
製造方法である。
Still another solution is a base metal plate,
And a composite dielectric layer containing a resin and a high dielectric powder and a metal layer thinner than the base metal plate, the composite dielectric layer including a resin and a high dielectric powder laminated one by one on the front and back surfaces of the base metal plate. A method of manufacturing a core substrate in which a plate and the metal layer adjacent thereto are opposed to each other with the composite dielectric layer interposed therebetween to constitute a layered capacitor, wherein the insulating through hole is formed at a predetermined position. A laminate forming step of forming a laminate in which a composite dielectric layer and a metal foil are laminated in this order on each of the front and back surfaces of the base metal plate, and forming a through hole between the front and back surfaces of the laminate. Forming a through hole, wherein the inside of the insulating through hole formed in the base metal plate is penetrated while leaving the composite dielectric layer around, and the base metal plate is not exposed on the inner peripheral surface. Base insulation through hole and base metal plate A through-hole forming step of forming a base connection through-hole through which the base metal plate is exposed on the inner peripheral surface; and forming a through-hole conductor layer in the base insulation through-hole and the base connection through-hole. And a patterning step of forming the metal foils on the front and back surfaces of the laminated plate into metal layers of a predetermined pattern, respectively.

【0053】本発明のコア基板の製造方法では、ベース
金属板に予め絶縁用貫通孔を形成しておくので、形成す
るスルーホール導体層のうち、ベース絶縁貫通孔に形成
するものは、ベース金属板と絶縁される。一方、ベース
接続用貫通孔に形成するものは、ベース金属板と導通す
る。従って、ベース接続用貫通孔に形成したスルーホー
ル導体層によりベース金属板をある電位(例えば、アー
ス電位や電源電位)にしつつ、この電位の配線(例え
ば、アース配線や電源配線)をコア基板の表面と裏面と
の間に通し、表面や裏面から取り出すことができる。一
方、ベース絶縁貫通孔に形成したスルーホール導体層に
より、ベース金属板と絶縁した状態で、信号配線や他の
電位の配線(例えば、電源配線やアース配線)を、コア
基板の表面と裏面との間に通し、表面や裏面から取り出
すことができる。なお、これらのスルーホール導体と各
金属層とをどのように結ぶかは、配線基板に形成される
信号配線等他の配線、求められる電源配線やアース配線
の種類や位置、数等に応じて適宜決定すればよい。
In the method of manufacturing a core substrate according to the present invention, since the insulating through-hole is formed in the base metal plate in advance, the through-hole conductor layer to be formed in the base insulating through-hole is formed of the base metal. Insulated from board. On the other hand, what is formed in the base connection through hole is electrically connected to the base metal plate. Therefore, while the base metal plate is kept at a certain potential (for example, a ground potential or a power supply potential) by the through-hole conductor layer formed in the through hole for connecting the base, a wiring of this potential (for example, the ground wiring or the power supply wiring) is connected to the core substrate. It can be passed between the front and back surfaces and taken out from the front and back surfaces. On the other hand, in the state insulated from the base metal plate by the through-hole conductor layer formed in the base insulating through-hole, signal wiring and other potential wiring (for example, power supply wiring and ground wiring) are connected to the front and back surfaces of the core substrate. And can be taken out from the front or back surface. How these through-hole conductors are connected to each metal layer depends on other types of wiring such as signal wiring formed on the wiring board, the type, position, number, etc. of required power supply wiring and ground wiring. It may be determined appropriately.

【0054】さらに、上記コア基板の製造方法であっ
て、前記積層板形成工程は、前記ベース金属板の表面と
裏面のそれぞれに、半硬化の樹脂及び高誘電体粉末を含
む半硬化複合誘電体フィルムと金属箔とが積層された二
層フィルムを重ね、熱プレスして前記積層板を形成する
ベース積層工程を含むコア基板の製造方法とすると良
い。
Further, in the above-mentioned method of manufacturing a core substrate, the step of forming a laminated board includes the step of forming a semi-cured composite dielectric material containing a semi-cured resin and a high dielectric powder on each of a front surface and a back surface of the base metal plate. A method of manufacturing a core substrate including a base laminating step of laminating a two-layer film in which a film and a metal foil are laminated and hot-pressing to form the laminate is preferable.

【0055】本発明では、半硬化複合誘電体フィルムと
金属箔が積層された二層フィルムを用いるので、積層板
が容易に形成でき、従って、コア基板を容易かつ安価に
形成することができる。なお、金属箔と半硬化複合誘電
体層と補強フィルムとをこの順に有する補強フィルム付
二重フィルムを予め形成しておき、補強フィルムを剥が
して、二重フィルムを積層するのが好ましい。補強フィ
ルム付二層フィルムを用いると、複合誘電体層や金属層
のハンドリング容易であり、たとえ金属箔や(半硬化)
複合誘電体層の厚さを薄くした場合でも、作業性が良い
ため、容易にコア基板を製造することができる。また、
半硬化複合誘電体層が補強フィルムで覆われているた
め、半硬化のために粘着性がある状態の半硬化複合誘電
体層にゴミなどが付着することをも防止し、ゴミによる
不具合発生も防止することができるからである。
In the present invention, since a two-layer film in which a semi-cured composite dielectric film and a metal foil are laminated is used, a laminate can be easily formed, and therefore, a core substrate can be easily and inexpensively formed. Preferably, a double film with a reinforcing film having a metal foil, a semi-cured composite dielectric layer, and a reinforcing film in this order is formed in advance, the reinforcing film is peeled off, and the double films are laminated. The use of a two-layer film with a reinforcing film makes it easy to handle composite dielectric layers and metal layers, such as metal foil and (semi-cured)
Even when the thickness of the composite dielectric layer is reduced, the workability is good, so that the core substrate can be easily manufactured. Also,
Since the semi-cured composite dielectric layer is covered with a reinforcing film, it also prevents dust from adhering to the semi-cured composite dielectric layer that is sticky due to semi-curing, and also prevents problems caused by dust. This is because it can be prevented.

【0056】さらに他の解決手段は、ベース金属板、及
び、上記ベース金属板の表面及び裏面のそれぞれに交互
に積層された、樹脂および高誘電体粉末を含む複数の複
合誘電体層と上記ベース金属板より厚さの薄い複数の金
属層、を有し、上記ベース金属板とこれに隣り合う上記
金属層及び隣り合う上記金属層同士が、上記複合誘電体
層を挟んで対向して層状コンデンサを構成するコア基板
の製造方法であって、所定位置に絶縁用貫通孔を形成し
てなる上記ベース金属板の表面と裏面のそれぞれに、複
合誘電体層と所定パターンの金属層とがこの順に交互に
積層され、積層された最外の複合誘電体層の最外面にそ
れぞれ金属箔が積層された積層板を形成する積層板形成
工程と、上記積層板の表面と裏面の間に貫通孔を形成す
る貫通孔形成工程であって、上記ベース金属板が、また
はベース金属板及び上記所定パターンの金属層のうちベ
ース金属板から数えて偶数番目の金属層が内周面に露出
する第1貫通孔と、上記絶縁用貫通孔内を貫通し上記ベ
ース金属板が内周面に露出せず、上記所定パターンの金
属層のうちベース金属板から数えて奇数番目の金属層が
内周面に露出する第2貫通孔と、上記ベース金属板及び
上記所定パターンの金属層のいずれも内周面に露出しな
い第3貫通孔と、を形成する貫通孔形成工程と、上記貫
通孔内にスルーホール導体層を形成し、上記積層板の表
面及び裏面の金属箔をそれぞれ所定パターンの金属層に
成形するパターニング工程と、を備えるコア基板の製造
方法である。
Still another solution is to provide a base metal plate, a plurality of composite dielectric layers containing resin and high dielectric powder, which are alternately laminated on the front and back surfaces of the base metal plate, and the base metal plate. A plurality of metal layers having a thickness smaller than that of the metal plate, wherein the base metal plate, the metal layer adjacent thereto and the adjacent metal layers are opposed to each other with the composite dielectric layer interposed therebetween, and a layered capacitor. The method for manufacturing a core substrate, comprising: a composite dielectric layer and a metal layer having a predetermined pattern in this order, on each of the front and back surfaces of the base metal plate formed with insulating through holes at predetermined positions. Laminated alternately, a laminated plate forming step of forming a laminated plate in which a metal foil is laminated on the outermost surface of the laminated outermost composite dielectric layer, and a through hole between the front surface and the back surface of the laminated plate. Forming through hole forming process A first through-hole in which the base metal plate or an even-numbered metal layer of the base metal plate and the metal layer of the predetermined pattern counted from the base metal plate is exposed on an inner peripheral surface; A second through-hole which penetrates through the hole, wherein the base metal plate is not exposed to the inner peripheral surface, and among the metal layers of the predetermined pattern, an odd-numbered metal layer counted from the base metal plate is exposed to the inner peripheral surface; A through-hole forming step of forming a third through-hole in which neither the base metal plate nor the metal layer of the predetermined pattern is exposed on the inner peripheral surface; forming a through-hole conductor layer in the through-hole; A patterning step of forming the metal foils on the front and back surfaces of the plate into metal layers of a predetermined pattern, respectively.

【0057】本発明のコア基板の製造方法では、ベース
金属板に予め絶縁用貫通孔を形成しておき、ベース金属
板や所定の金属層が内周面に露出する、あるいは露出し
ない3種の貫通孔を形成するこれらの貫通孔内に形成す
るスルーホール導体層のうち、第1貫通孔に形成するも
のは、ベース金属板、またはベース金属板及びこれから
数えて偶数番目の金属層と導通する。一方、第2貫通孔
に形成されるものは、ベース金属板から数えて奇数番目
の金属層と導通する。また、第3貫通孔に形成されるも
のは、ベース金属板及び金属層とは絶縁する。
In the method of manufacturing a core substrate according to the present invention, three types of insulating through holes are formed in the base metal plate in advance, and the base metal plate and a predetermined metal layer are exposed or not exposed on the inner peripheral surface. Of the through-hole conductor layers formed in these through-holes forming the through-holes, those formed in the first through-hole are electrically connected to the base metal plate, or the base metal plate and the even-numbered metal layer counted therefrom. . On the other hand, what is formed in the second through hole conducts with the odd-numbered metal layer counted from the base metal plate. Also, what is formed in the third through hole is insulated from the base metal plate and the metal layer.

【0058】従って、第1貫通孔に形成したスルーホー
ル導体層によりベース金属板やこれから数えて偶数番目
の金属層をある電位(例えば、アース電位や電源電位)
にしつつ、この電位の配線(例えば、アース配線や電源
配線)をコア基板の表面と裏面との間に通し、表面や裏
面から取り出すことができる。一方、第2貫通孔に形成
したスルーホール導体層により、ベース金属板から数え
て奇数番目の金属層を他の電位(例えば、電源電位やア
ース電位)にしつつ、この電位の配線(例えば、電源配
線やアース配線)をコア基板の表面と裏面との間に通
し、表面や裏面から取り出すことができる。さらに、ベ
ース金属板や金属層と絶縁した状態で、信号配線を、コ
ア基板の表面と裏面との間に通し、表面や裏面から取り
出すことができる。また、上記のように3種のスルーホ
ール導体を形成すると、ベース金属板及びこれから数え
て偶数番目の金属層と、ベース金属層から数えて奇数番
目の金属層とは複合誘電体層を挟んで対向した状態とな
り、積層された層状コンデンサを容易に形成できる。
Accordingly, the base metal plate and the even-numbered metal layers counted from the base metal plate are placed at a certain potential (eg, ground potential or power supply potential) by the through-hole conductor layer formed in the first through hole.
In addition, the wiring of this potential (for example, a ground wiring or a power supply wiring) can be passed between the front surface and the back surface of the core substrate and taken out from the front surface or the back surface. On the other hand, while the odd-numbered metal layer counted from the base metal plate is kept at another potential (for example, power supply potential or ground potential) by the through-hole conductor layer formed in the second through-hole, a wiring of this potential (for example, power supply) Wiring or ground wiring) can be passed between the front and back surfaces of the core substrate and taken out from the front and back surfaces. Further, in a state in which the signal wiring is insulated from the base metal plate or the metal layer, the signal wiring can be passed between the front surface and the back surface of the core substrate and taken out from the front surface or the back surface. When the three types of through-hole conductors are formed as described above, the base metal plate and the even-numbered metal layers counted from the base metal plate and the odd-numbered metal layers counted from the base metal layer sandwich the composite dielectric layer therebetween. As a result, the stacked layered capacitors can be easily formed.

【0059】さらに、上記コア基板の製造方法であっ
て、前記積層板形成工程は、上記ベース金属板の表面お
よび裏面のそれぞれに、またはその表面及び裏面に所定
パターンの金属層を有する中間積層板の表面及び裏面の
それぞれに、半硬化複合誘電体フィルムと金属箔とを重
ね、熱プレスして上記ベース金属板または上記中間積層
板の表面および裏面に複合誘電体層と金属箔とを積層す
る積層プレス工程と、上記金属箔を所定パターンの金属
層に成形する金属箔パターニング工程と、を含むコア基
板の製造方法とすると良い。
Further, in the above-mentioned method for manufacturing a core substrate, the step of forming a laminated plate may include the step of forming an intermediate laminated plate having a predetermined pattern of metal layer on each of the front and back surfaces of the base metal plate or on the front and back surfaces thereof. A semi-cured composite dielectric film and a metal foil are superimposed on each of the front and back surfaces of the base metal plate, and the composite dielectric layer and the metal foil are laminated on the front and back surfaces of the base metal plate or the intermediate laminate by hot pressing. A method of manufacturing a core substrate including a lamination pressing step and a metal foil patterning step of forming the metal foil into a metal layer having a predetermined pattern is preferable.

【0060】本発明では、ベース金属板または中間積層
板の表面および裏面それぞれに、半硬化複合誘電体フィ
ルムと金属箔を積層し、その後、金属箔をパターンニン
グする。このように、順に積層して積層板を形成できる
ので、積層板さらにはコア基板を容易かつ安価に形成す
ることができる。なお、ベース金属板及び中間積層板に
半硬化複合誘電体フィルムと金属箔が積層された二層フ
ィルムを重ねて積層すると良い。即ち、上記コア基板の
製造方法であって、前記積層工程において、上記ベース
金属板の表面および裏面のそれぞれに、またはその表面
及び裏面に所定パターンの金属層を有する中間積層板の
表面及び裏面のそれぞれに、前記半硬化複合誘電体フィ
ルムと金属箔が積層された二層フィルムを重ねることを
特徴とするコア基板の製造方法とするのが好ましい。二
層フィルムを用いるので、積層板がさらに容易に形成で
き、コア基板をさらに容易かつ安価に形成することがで
きる。
In the present invention, the semi-cured composite dielectric film and the metal foil are laminated on the front and back surfaces of the base metal plate or the intermediate laminate, respectively, and then the metal foil is patterned. As described above, since the laminate can be formed by sequentially laminating the laminate, the laminate and the core substrate can be easily and inexpensively formed. Note that a two-layer film in which a semi-cured composite dielectric film and a metal foil are laminated on the base metal plate and the intermediate laminated plate is preferably laminated. That is, in the method of manufacturing the core substrate, in the laminating step, on each of the front and back surfaces of the base metal plate, or on the front and back surfaces of the intermediate laminate having a predetermined pattern of metal layers on the front and back surfaces. It is preferable to adopt a method of manufacturing a core substrate, wherein a two-layer film in which the semi-cured composite dielectric film and the metal foil are laminated is stacked on each of the two. Since the two-layer film is used, the laminated board can be formed more easily, and the core substrate can be formed more easily and inexpensively.

【0061】さらには、金属箔と半硬化複合誘電体層と
補強フィルムとをこの順に有する補強フィルム付二重フ
ィルムを予め形成しておき、補強フィルムを剥がして、
二重フィルムを積層すると良い。補強フィルム付二層フ
ィルムを用いると、複合誘電体層や金属層のハンドリン
グ容易であり、容易にコア基板を製造することができ
る。また、ゴミの付着による不具合発生も防止すること
ができるからである。
Further, a double film with a reinforcing film having a metal foil, a semi-cured composite dielectric layer and a reinforcing film in this order is formed in advance, and the reinforcing film is peeled off.
It is good to laminate a double film. When the two-layer film with the reinforcing film is used, handling of the composite dielectric layer and the metal layer is easy, and the core substrate can be easily manufactured. Further, it is also possible to prevent the occurrence of trouble due to the attachment of dust.

【0062】あるいは、上記コア基板の製造方法であっ
て、前記積層板形成工程は、前記ベース金属板の表面及
び裏面のそれぞれに、半硬化の樹脂及び高誘電体粉末を
含む半硬化複合誘電体フィルムと所定パターンに成形さ
れたパターン化金属箔とが積層されたパターン化二層フ
ィルムを少なくとも1枚以上積層し、半硬化の樹脂及び
高誘電体粉末を含む半硬化複合誘電体フィルムと金属箔
とが積層された二層フィルムを積層し、熱プレスして前
記積層板を形成する二層フィルム積層プレス工程を含む
コア基板の製造方法とすると良い。
Alternatively, in the method of manufacturing a core substrate, in the step of forming a laminate, the semi-cured composite dielectric material includes a semi-cured resin and a high dielectric powder on the front and back surfaces of the base metal plate, respectively. A semi-cured composite dielectric film containing a semi-cured resin and a high dielectric powder, and a metal foil in which at least one patterned two-layer film in which a film and a patterned metal foil formed in a predetermined pattern are laminated is laminated; It is preferable that the core substrate manufacturing method includes a two-layer film lamination press step of laminating a two-layer film on which the two layers are laminated and hot pressing to form the laminate.

【0063】本発明では、ベース金属板の表面および裏
面のそれぞれに、パターン化二層フィルムと二層フィル
ムと積層し熱プレスして一挙に積層板を形成するので、
積層板を容易に形成することができ、従って、二層フィ
ルム及びパターン化二層フィルムを予め別に形成してお
き、積層して積層板を形成できるので、コア基板製造の
工程が単純で短くなり、コア基板を安価に製造できる。
In the present invention, the patterned two-layer film and the two-layer film are laminated on the front and back surfaces of the base metal plate, respectively, and hot-pressed to form the laminated plate at once.
The laminate can be easily formed, and therefore, the two-layer film and the patterned two-layer film can be separately formed in advance and laminated to form the laminate, thereby simplifying and shortening the core substrate manufacturing process. Thus, the core substrate can be manufactured at low cost.

【0064】なお、二層フィルムとして、金属箔と半硬
化複合誘電体層と補強フィルムとをこの順に有する補強
フィルム付二層フィルムを用い、パターン化二層フィル
ムとして、パターン化金属箔と半硬化複合誘電体層と補
強フィルムとをこの順に有する補強フィルム付パターン
化二層フィルムを用いるとのが好ましい。これらのフィ
ルムを用いると、複合誘電体層や金属層のハンドリング
容易であり、たとえ金属箔や(半硬化)複合誘電体層の
厚さを薄くした場合でも、作業性が良いため、容易にコ
ア基板を製造することができる。また、半硬化複合誘電
体層が補強フィルムで覆われているため、半硬化のため
に粘着性がある状態の半硬化複合誘電体層にゴミなどが
付着することをも防止し、ゴミによる不具合発生も防止
することができるからである。
As the two-layer film, a two-layer film with a reinforcing film having a metal foil, a semi-cured composite dielectric layer and a reinforcing film in this order was used. As the patterned two-layer film, a patterned metal foil and a semi-cured film were used. It is preferable to use a patterned two-layer film with a reinforcing film having a composite dielectric layer and a reinforcing film in this order. When these films are used, the handling of the composite dielectric layer and the metal layer is easy, and even when the thickness of the metal foil or the (semi-cured) composite dielectric layer is reduced, the workability is good. A substrate can be manufactured. In addition, since the semi-cured composite dielectric layer is covered with the reinforcing film, it is possible to prevent dust and the like from adhering to the semi-cured composite dielectric layer which is in a tacky state due to the semi-curing, and has a problem due to dust. This is because generation can be prevented.

【0065】さらに、上記いずれかに記載のコア基板の
製造方法であって、前記貫通孔形成工程は、レーザによ
り前記貫通孔を形成するコア基板の製造方法とすると良
い。
Further, in any one of the above-described methods for manufacturing a core substrate, the step of forming a through-hole may be a method of manufacturing a core substrate in which the through-hole is formed by a laser.

【0066】本発明では、貫通孔形成工程で、レーザに
より貫通孔を形成する。このため、ドリルなどの機械加
工では困難な小径(例えば、φ150μm以下)の貫通
孔や、間隙の狭い(例えば、500μm以下)貫通孔
を、容易かつ正確に形成することができるから、小径や
間隔の狭いスルーホール導体を精度良く形成することが
でき、特性良好で安価な配線基板とすることが出来る。
また、これにより、1つの貫通孔に代えて、近接した位
置に複数の貫通孔を形成して、これらにより近接した複
数のスルーホール導体を並列に形成すれば、全体として
スルーホール導体が有するインダクタンスや抵抗をさら
に低減させることができる。さらに、一部のスルーホー
ル導体が不具合によって断線となっても、他のスルーホ
ール導体によって導通を確保するなど、歩留まり低下や
不具合発生を防止できる。即ち、前記貫通孔は、近接し
た位置に複数に形成されてなる貫通孔を含み、前記スル
ーホール導体は、上記近接した位置に形成された複数の
貫通孔に並列に形成されてなるスルーホール導体を含む
と好ましい。
In the present invention, a through hole is formed by a laser in the through hole forming step. For this reason, it is possible to easily and accurately form a through hole having a small diameter (for example, φ150 μm or less) or a narrow gap (for example, 500 μm or less) which is difficult to machine with a drill or the like. It is possible to accurately form a through-hole conductor having a small width, and to provide an inexpensive wiring board with good characteristics.
Further, by forming a plurality of through holes at close positions instead of one through hole and forming a plurality of through hole conductors in close proximity to each other, the inductance of the through hole conductor as a whole can be improved. And resistance can be further reduced. Further, even if some of the through-hole conductors are broken due to a failure, the other through-hole conductors ensure conduction, thereby preventing a decrease in yield and occurrence of a failure. That is, the through-hole includes a plurality of through-holes formed in proximity to each other, and the through-hole conductor is formed in parallel with the plurality of through-holes formed in the proximity to each other. It is preferable to include

【0067】[0067]

【発明の実施の形態】(実施形態1)次いで、本発明に
係るコア基板、配線基板及びその製造方法の実施の形態
を図面と共に説明する。図1に示すコア基板610は、
縦横40mm×40mm、厚さ40μmの無酸素銅から
なり、絶縁用貫通孔601Hを有するベース金属板60
1を中心として、その表裏面に2層ずつ合計4層の複合
誘電体層611,612,613,614及び所定パタ
ーンのCuからなる金属層602,603,604,6
05が交互に積層されている。さらに、図中最下層の複
合誘電体層614と最上層の複合誘電体層613との間
を貫通する貫通孔661が形成され、この貫通孔661
の内周面には、コア基板610の表面610A及び裏面
610Bまで延び、同じくCuからなるスルーホール導
体607が形成されている。また、スルーホール導体6
07内には、エポキシ樹脂が充填されてプラグ体616
をなしている。
(Embodiment 1) Next, embodiments of a core substrate, a wiring substrate and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described with reference to the drawings. The core substrate 610 shown in FIG.
A base metal plate 60 made of oxygen-free copper having a length of 40 mm × 40 mm and a thickness of 40 μm, and having an insulating through-hole 601 </ b> H.
The composite dielectric layers 611, 612, 613, 614, and the metal layers 602, 603, 604, 6 of a predetermined pattern are formed on the front and rear surfaces of the composite dielectric layer 611, two layers each on two sides.
05 are alternately stacked. Further, a through hole 661 penetrating between the lowermost composite dielectric layer 614 and the uppermost composite dielectric layer 613 in the figure is formed.
Are formed on the inner peripheral surface of the core substrate 610 to the front surface 610A and the back surface 610B, and a through-hole conductor 607 also made of Cu is formed. Also, the through-hole conductor 6
07 is filled with an epoxy resin to form a plug body 616.
Has made.

【0068】ベース金属板601とこれに隣り合う金属
層602,603、金属層602とこれに隣り合う金属
層604の一部604A、金属層603とこれに隣り合
う金属層605の一部605Aとは、複合誘電体層61
1等を介して対向し、5層の電極層及び4層の誘電体層
を有する層状のコンデンサC61を構成している。この
うち、内部に位置するベース金属板601は、第1スル
ーホール導体607Aによって、コア基板表面610A
あるいは裏面610Bの金属層604,605の一部分
604A,605Aに導通される。また、ベース金属板
から数えて1層目の金属層602,603は、絶縁用貫
通孔601Hを貫通する第2スルーホール導体607B
によって、コア基板表面610Aあるいはコア基板裏面
610Bの金属層604,605の他の一部分604
B,605Bに導通される。これにより、一方を接地電
位に他方を電源電位に接続することで、例えば、ベース
金属板601及び金属層604A,605Aを接地電位
とし、金属層602,603を電源電位(例えば+電
位)に接続することで、接地電位と電源電位間に層状コ
ンデンサC61を接続し、これらの間に重畳されるノイ
ズを除去することができる。
The base metal plate 601 and the metal layers 602 and 603 adjacent thereto, the metal layer 602 and a portion 604A of the metal layer 604 adjacent thereto, the metal layer 603 and a portion 605A of the metal layer 605 adjacent thereto and the like. Is a composite dielectric layer 61
1 and the like, and constitutes a layered capacitor C61 having five electrode layers and four dielectric layers. Among them, the base metal plate 601 located inside is provided with the core substrate surface 610A by the first through-hole conductor 607A.
Alternatively, conduction is made to portions 604A and 605A of the metal layers 604 and 605 on the back surface 610B. Also, the first metal layers 602 and 603 counted from the base metal plate are the second through-hole conductors 607B penetrating through the insulating through-holes 601H.
The other portions 604 of the metal layers 604 and 605 on the core substrate front surface 610A or the core substrate rear surface 610B
B, 605B. Thereby, by connecting one to the ground potential and the other to the power supply potential, for example, the base metal plate 601 and the metal layers 604A and 605A are set to the ground potential, and the metal layers 602 and 603 are connected to the power supply potential (for example, + potential). By doing so, it is possible to connect the layered capacitor C61 between the ground potential and the power supply potential and remove noise superimposed between them.

【0069】なお、スルーホール導体607には、第3
スルーホール導体607Cのように、信号配線等をコア
基板610の表裏面間を通すのに用いるため、金属層6
04,605の他の部分604C,605Cに接続し、
絶縁用管通孔601Hを貫通し、ベース金属板601及
び内部の金属層602,603とは導通しないものも形
成される。また、外側の金属層604,605は、上記
説明からも理解できるように、層状コンデンサC61を
構成する電極604A,605Aとして用いられる他、
配線層として用いられる部分もある。
The through-hole conductor 607 has a third
Like the through-hole conductor 607C, the metal layer 6 is used to pass signal wiring and the like between the front and back surfaces of the core substrate 610.
04, 605 connected to other parts 604C, 605C,
Some that penetrate the insulating tube through hole 601H and do not conduct with the base metal plate 601 and the inner metal layers 602 and 603 are also formed. As can be understood from the above description, the outer metal layers 604 and 605 are used as the electrodes 604A and 605A constituting the layered capacitor C61.
Some parts are used as wiring layers.

【0070】複合誘電体層611,612,613,6
14は、いずれも厚さ50μmとされ、BaTio3
末を32vol%及びCu粉末を20vol%、エポキシ樹脂
中に分散させたセラミック−金属−樹脂複合材料からな
るもので、高誘電率(比誘電率εr=約18000)の
BaTio3 粉末及びCu粉末の混入により通常の樹脂
より誘電率が高くされている(εr=30)。このた
め、コア基板610が構成(内蔵)する層状コンデンサ
C61の静電容量が比較的大きな値(静電容量25n
F)とされている。
The composite dielectric layers 611, 612, 613, 6
14 is a 50-μm-thick ceramic-metal-resin composite material in which 32 vol% of BaTiO 3 powder and 20 vol% of Cu powder are dispersed in epoxy resin, and has a high dielectric constant (relative dielectric constant). The dielectric constant is made higher than that of ordinary resin by mixing BaTiO 3 powder (εr = about 18000) and Cu powder (εr = 30). For this reason, the capacitance of the layered capacitor C61 formed (built-in) in the core substrate 610 has a relatively large value (capacitance 25n).
F).

【0071】さらに、このコア基板610では、中心
に、平面方向外形寸法がコア基板610とほぼ同寸で、
厚さ40μmのため剛性があるベース金属板を用い、こ
の表裏面上(図中上下方向)に複合誘電体層611等及
び金属層602等を積層している。従って、コア基板6
10の剛性もある程度高くなり、後述する配線基板60
0の製造の際にも、コア基板610やその工程流動品の
取り扱いが容易になる。しかも、ベース金属板601
は、ガラス−エポキシ樹脂複合材料などの材料をベース
に用いた場合にはその厚さが通常0.8〜1.2mm程
度であるのに比べると、厚さが40μmとこれらに比較
して薄いため、コア基板610全体の厚さも薄くでき
る。その上、絶縁性の材料を用いた場合には、その表面
や裏面などに別途電極層を形成することが必要であるの
に対し、ベース金属板601は導電性であるため、その
まま層状コンデンサC61の電極の1つとして利用する
ことができる。
Further, in the core substrate 610, the outer dimensions in the planar direction are substantially the same as the core substrate 610 at the center.
A base metal plate having a thickness of 40 μm and having rigidity is used, and a composite dielectric layer 611 and the like and a metal layer 602 and the like are laminated on the front and back surfaces (vertical direction in the figure). Therefore, the core substrate 6
The stiffness of the wiring board 10 is also increased to some extent.
In the case of manufacturing the core substrate 610, the handling of the core substrate 610 and the process flow product thereof becomes easy. Moreover, the base metal plate 601
The thickness is 40 μm, which is thinner as compared with the case where a material such as a glass-epoxy resin composite material is used as a base, whereas its thickness is usually about 0.8 to 1.2 mm. Therefore, the thickness of the entire core substrate 610 can be reduced. In addition, when an insulating material is used, it is necessary to separately form an electrode layer on the front surface, the back surface, and the like. On the other hand, since the base metal plate 601 is conductive, the layered capacitor C61 Can be used as one of the electrodes.

【0072】また、このコア基板610は、ベース金属
板601を中心として、その表面601Aおよび裏面6
01Bに、それぞれ2層の複合誘電体層611,613
及び612,614と、それぞれ2層の金属層602,
604及び603,605とをそれぞれ交互に積層して
形成している。しかも、表面が和と裏側に対応する層に
ついてみると、これらの材質は同材質で、同じ厚さにさ
れている。従って、このコア基板610は、これらのア
ンバランスによる反りが発生し難い。
The core substrate 610 has a front surface 601 A and a back surface 6, centered on the base metal plate 601.
01B, two composite dielectric layers 611, 613, respectively.
, 612 and 614, respectively, and two metal layers 602,
604, 603, and 605 are alternately laminated. Moreover, regarding the layers whose surfaces correspond to the sum and the back side, these materials are made of the same material and have the same thickness. Therefore, the core substrate 610 is unlikely to be warped due to these imbalances.

【0073】次いで、配線基板600について説明す
る。図2に示す配線基板600は、40mm×40m
m、厚さ0.5mmの略角板形状である。図2に示すよ
うに、このコア基板610の表裏面610A,610B
に、それぞれエポキシ樹脂からなる2層の樹脂絶縁層6
21,641,631,651およびCuからなる配線
層625,635を形成したものである。配線層625
は樹脂絶縁層621と641の層間に、配線層635は
樹脂絶縁層631と651の層間にそれぞれ形成され、
下層に位置する金属層604,605とそれぞれ接続す
るためのビア導体625V,635Vを含む。また、配
線層625のうち、樹脂絶縁層641の開口部641H
内に露出したパッド部625Pには、開口部641Hよ
り盛り上がり、頂部が平坦にされ、ICチップなどの電
子部品と接続するためのハンダバンプ647が形成され
ている。一方、配線層635のうち、樹脂絶縁層651
の開口部651H内に露出した部分は、マザーボードな
ど他の配線基板と接続するためのランド部635Lとさ
れている。なお、樹脂絶縁層641,651は、ソルダ
ーレジストの役割をも果たす。
Next, the wiring board 600 will be described. The wiring board 600 shown in FIG.
m, approximately 0.5 mm thick. As shown in FIG. 2, the front and back surfaces 610A, 610B of this core substrate 610
And two resin insulation layers 6 each made of epoxy resin.
21, 641, 631, 651 and wiring layers 625, 635 made of Cu. Wiring layer 625
Is formed between the resin insulating layers 621 and 641, and the wiring layer 635 is formed between the resin insulating layers 631 and 651, respectively.
Including via conductors 625V and 635V for connecting to metal layers 604 and 605 located below, respectively. In the wiring layer 625, the opening 641H of the resin insulating layer 641 is provided.
The pad portion 625P exposed to the inside is raised from the opening portion 641H, the top portion is flattened, and a solder bump 647 for connecting to an electronic component such as an IC chip is formed. On the other hand, among the wiring layers 635, the resin insulating layer 651
The portion exposed in the opening 651H is a land portion 635L for connecting to another wiring board such as a motherboard. Note that the resin insulating layers 641 and 651 also serve as a solder resist.

【0074】配線基板600自身は、コア基板610及
び樹脂絶縁層621等からなるので、さほど剛性が高く
ないため、ハンドリングやハンダバンプ647にICチ
ップCHなどを搭載した場合の信頼性を考慮し、補強板
680による補強を行っている。即ち、図3に示すよう
に、配線基板600の表面600Aに、無酸素銅からな
り縦横40mm×40mm、厚さ0.5mmで、中央に
17mm角の貫通孔を有する略ロ字形状の補強板680
が張りつけられている。このように、配線基板600
は、補強板680で補強されるため、逆にその剛性は、
製造途中や製造後のハンドリングなどに困難を来さない
程度の剛性があれば足りる。また、コア基板610の剛
性も、製造途中や製造後のハンドリングなどに困難を来
さない程度の剛性があれば足りる。このため、本実施形
態のように、比較的薄いベース金属板601を中心とし
てコア基板610を構成した。これにより、ベース金属
板601の厚さを薄した分だけ、コア基板610、さら
には配線基板600の厚さを薄くできた。また、これに
より、スルーホール導体607の厚さ方向寸法(図中上
下方向)を短くでき、スルーホール導体607の持つイ
ンダクタンスや抵抗を低減させることもできた。
Since the wiring substrate 600 itself is made of the core substrate 610 and the resin insulating layer 621 and the like, the rigidity is not so high. Therefore, the wiring substrate 600 is reinforced in consideration of the reliability in handling and mounting the IC chip CH on the solder bumps 647. Reinforcement by a plate 680 is performed. That is, as shown in FIG. 3, a substantially square-shaped reinforcing plate made of oxygen-free copper and having a length of 40 mm × 40 mm, a thickness of 0.5 mm, and a 17 mm square through hole in the center, as shown in FIG. 680
Is stuck. Thus, the wiring board 600
Is reinforced by the reinforcing plate 680, and conversely, its rigidity is
Sufficient rigidity that does not cause difficulty in handling during or after manufacturing is sufficient. In addition, the rigidity of the core substrate 610 only needs to have such a rigidity that does not cause difficulty in handling during or after manufacturing. Therefore, as in the present embodiment, the core substrate 610 is configured around the relatively thin base metal plate 601. As a result, the thickness of the core substrate 610 and further the thickness of the wiring substrate 600 could be reduced by the reduced thickness of the base metal plate 601. Further, thereby, the dimension in the thickness direction (vertical direction in the figure) of the through-hole conductor 607 could be shortened, and the inductance and resistance of the through-hole conductor 607 could be reduced.

【0075】また、この配線基板600は上記説明から
容易に理解できるように、コア基板610に形成した層
状コンデンサC61をその厚み方向略中心部に内蔵して
おり、ハンダバンプ647によって配線基板表面(IC
チップ搭載面)600Aに搭載するICチップ(図示し
ない)と層状コンデンサC61とを極めて近い距離で接
続することができる。従って、この間でのノイズの侵入
を防ぎ、ノイズ除去を確実に行うことができる。また、
例えば、樹脂配線層621,631自身を高誘電率のも
のとした場合と異なり、樹脂絶縁層621と641の層
間や樹脂絶縁層631と651との層間に形成する配線
層625,635のうち信号配線を、従来と同様の線幅
で設計し引き回すことができる。樹脂絶縁層621等
に、従来と同様のエポキシ樹脂を使用できるので、これ
らの誘電率が変わらず、従って、信号配線のインピーダ
ンスも変わらないからである。従って、信号配線層含む
配線層625等の設計等も容易にできる。
As can be easily understood from the above description, this wiring board 600 has a layered capacitor C61 formed on a core substrate 610 at a substantially central portion in the thickness direction thereof, and has a solder bump 647 to form a wiring board surface (IC).
An IC chip (not shown) mounted on the chip mounting surface (600A) and the layered capacitor C61 can be connected at a very short distance. Therefore, intrusion of noise during this time can be prevented, and noise can be reliably removed. Also,
For example, unlike the case where the resin wiring layers 621 and 631 themselves have a high dielectric constant, the signal of the wiring layers 625 and 635 formed between the resin insulating layers 621 and 641 and between the resin insulating layers 631 and 651 is different. Wiring can be designed and routed with the same line width as before. This is because the same epoxy resin as in the related art can be used for the resin insulating layer 621 and the like, so that their dielectric constants do not change, and therefore the impedance of the signal wiring does not change. Therefore, the design of the wiring layer 625 including the signal wiring layer and the like can be easily performed.

【0076】次いで、上記コア基板610の製造方法を
説明する。まず、積層板形成工程について説明する。ま
ず、図4に示すように、縦横40mm、厚さ40μmの
無酸素銅板の所定位置に、後述するように、後に形成す
るスルーホール導体と絶縁させるための、直径φ200
μmの絶縁用貫通孔601Hを形成したベース金属板6
01を用意する。ベース金属板601は、エッチングに
よって形成する。このベース金属板601としては、以
下に説明する製造工程あるいは工程間において、ハンド
リングに困難とならない程度の剛性が確保できる厚さを
選択している。
Next, a method of manufacturing the core substrate 610 will be described. First, the laminate forming step will be described. First, as shown in FIG. 4, at a predetermined position on an oxygen-free copper plate having a length and width of 40 mm and a thickness of 40 μm, as described later, a diameter φ200 for insulating a through-hole conductor to be formed later is used.
Base metal plate 6 having a through hole 601H for insulation of μm
01 is prepared. The base metal plate 601 is formed by etching. The thickness of the base metal plate 601 is selected so that rigidity can be secured to the extent that handling is not difficult during the manufacturing steps or steps described below.

【0077】続いて、ベース金属板601の表面610
A及び裏面601B上に、エポキシ樹脂ペーストにBa
TiO3の粉末を32wt%及びCu粉末を20wt%
分散させ、エポキシ樹脂を半硬化させた半硬化複合誘電
体フィルム、及び厚さ12μmの銅箔671,672を
それぞれ重ね、真空熱プレスする。これにより、図5に
示すように、ベース金属板601の表裏面に複合誘電体
層611,612及び銅箔671,672を積層した中
間積層板620を形成する。なお、ベース金属板601
に形成した絶縁用貫通孔601H内にも、真空熱プレス
時に流動化した複合誘電体が充填され、複合誘電体層6
11,612の一部となる。なお、銅箔671,672
としてベース金属板601よりも薄いものを用いたが、
ベース金属板601で、中間積層板620の剛性をある
程度確保できるので、ハンドリングに問題を生じること
はない。
Subsequently, the surface 610 of the base metal plate 601
A and Ba on epoxy resin paste on backside 601B
32 wt% of TiO 3 powder and 20 wt% of Cu powder
A semi-cured composite dielectric film obtained by dispersing and semi-curing an epoxy resin, and copper foils 671 and 672 each having a thickness of 12 μm are stacked on each other and subjected to vacuum hot pressing. Thus, as shown in FIG. 5, an intermediate laminated plate 620 in which the composite dielectric layers 611 and 612 and the copper foils 671 and 672 are laminated on the front and back surfaces of the base metal plate 601 is formed. The base metal plate 601
The dielectric through-hole 601H formed in the above is also filled with the composite dielectric fluidized at the time of vacuum hot pressing, and the composite dielectric layer 6
11,612. The copper foils 671, 672
Although a thinner than the base metal plate 601 was used as
Since the rigidity of the intermediate laminated plate 620 can be secured to some extent by the base metal plate 601, there is no problem in handling.

【0078】次いで、銅箔パターニング工程として、中
間積層板620の銅箔671,672を、エッチングに
より所定パターンにパターニングし、図6に示すよう
に、直径φ200μmの開口602H,603Hをそれ
ぞれ有する金属層602,603を形成する。さらに、
積層工程として、中間積層板620の表面620A及び
裏面620B、即ち、金属層602の表面602A及び
金属層603の裏面603Bに、上記と同様の半硬化複
合誘電体フィルム、及び厚さ12μmの銅箔673,6
74をそれぞれ重ね、真空熱プレスする。これにより、
図7に示すように、中間積層板620の表裏面620
A,620Bに複合誘電体層613,614及び銅箔6
73,674を積層した積層板630を形成する。即
ち、複合誘電体層611等と所定パターンの金属層60
2等とが交互に積層され、積層された最外の複合誘電体
層613,614の最外面613A,614Bに金属箔
673,674が積層された積層板630が形成され
た。なお、金属板602,603に形成した開口602
H,603H内にも、真空熱プレス時に流動化した複合
誘電体が充填され、複合誘電体層613あるいは614
の一部となる。
Next, as a copper foil patterning step, the copper foils 671 and 672 of the intermediate laminate 620 are patterned into a predetermined pattern by etching, and as shown in FIG. 6, metal layers having openings 602H and 603H having a diameter of 200 μm, respectively. 602 and 603 are formed. further,
As a laminating step, a semi-cured composite dielectric film similar to the above, and a copper foil having a thickness of 12 μm are formed on the front surface 620A and the back surface 620B of the intermediate laminate 620, that is, the front surface 602A of the metal layer 602 and the back surface 603B of the metal layer 603. 673,6
74 are stacked and vacuum hot pressed. This allows
As shown in FIG. 7, the front and back surfaces 620 of the intermediate laminate 620 are shown.
A, 620B and composite dielectric layers 613, 614 and copper foil 6
A laminated plate 630 in which 73 and 674 are laminated is formed. That is, the composite dielectric layer 611 and the like and the metal layer 60 having a predetermined pattern are formed.
2 and the like are alternately laminated to form a laminated plate 630 in which metal foils 673 and 674 are laminated on the outermost surfaces 613A and 614B of the laminated outermost composite dielectric layers 613 and 614. The openings 602 formed in the metal plates 602 and 603
H, 603H is also filled with the composite dielectric fluidized during the vacuum hot pressing, and the composite dielectric layer 613 or 614 is filled.
Become a part of.

【0079】続いて、貫通孔形成工程にとして、積層板
630の表面630Aと裏面630Bの間の所定位置
に、YAGレーザにより、図8に示すように、直径φ6
0μmの貫通孔661を形成する。なお、図8から容易
に理解できるように、この貫通孔661には、ベース金
属板601を貫通し、内周面にベース金属板601が露
出するベース接続貫通孔661Aが含まれる。さらに、
ベース金属板601に形成した絶縁用貫通孔601H内
部を、複合誘電体層611,612を残して貫通し、内
周面にベース金属板601が露出しないベース絶縁貫通
孔661B,661Cも含まれる。これらの貫通孔66
1のうち、貫通孔661Bは、ベース金属層601から
数えて1層目の金属層602,603をそれぞれ貫通
し、内周面に金属層602,603が露出する。また、
貫通孔661Cは、絶縁用貫通孔601H及び金属層6
02,603に形成した開口602H,603H内部
を、複合誘電体層611〜614を残して貫通し、内周
面にベース金属層601及び金属層602,603が露
出しない。
Subsequently, as a through-hole forming step, as shown in FIG. 8, a diameter φ6 is applied to a predetermined position between the front surface 630A and the back surface 630B of the laminated plate 630 by a YAG laser.
A 0 μm through hole 661 is formed. As can be easily understood from FIG. 8, the through hole 661 includes a base connection through hole 661A that penetrates the base metal plate 601 and exposes the base metal plate 601 on the inner peripheral surface. further,
Base insulating through-holes 661B and 661C which penetrate the inside of the insulating through-hole 601H formed in the base metal plate 601 except for the composite dielectric layers 611 and 612 and do not expose the base metal plate 601 on the inner peripheral surface are also included. These through holes 66
In one, the through-hole 661B passes through the first metal layers 602 and 603 counted from the base metal layer 601, respectively, and the metal layers 602 and 603 are exposed on the inner peripheral surface. Also,
The through hole 661C is formed by the insulating through hole 601H and the metal layer 6.
The base metal layer 601 and the metal layers 602 and 603 are not exposed on the inner peripheral surface through the openings 602H and 603H formed in the holes 02 and 603 except for the composite dielectric layers 611 to 614.

【0080】その後、パターニング工程として、公知の
無電解及び電解メッキ手法により、貫通孔661内にそ
れぞれスルーホール導体層607を形成する。その後ス
ルーホール導体607内にエポキシ樹脂を充填し、表面
630A及び裏面630Bを整面し、さらに、銅箔67
3,674及びその上に形成されたメッキ層をエッチン
グにより所定パターンの金属層604,605にパター
ニングして、図1に示すコア基板610を完成させる。
上記から容易に理解できるように、スルーホール導体層
607のうち、ベース接続貫通孔661Aに形成した第
1スルーホール導体607Aは、ベース金属板601と
直接接続され、金属層602,603とは絶縁されてい
る。一方、ベース絶縁貫通孔661Bに形成した第2ス
ルーホール導体607Bは、ベース金属板601とは絶
縁され、金属層602,603とは直接接続して導通し
ている。さらに、ベース絶縁貫通孔661Cに形成した
第3スルーホール導体607Cは、ベース金属板601
とも、金属層602,603とも絶縁されている。
Thereafter, as a patterning step, through-hole conductor layers 607 are formed in the through holes 661 by known electroless and electrolytic plating techniques. Thereafter, the through-hole conductor 607 is filled with epoxy resin, the front surface 630A and the back surface 630B are leveled, and the copper foil 67
The 3,674 and the plating layer formed thereon are patterned into metal layers 604, 605 of a predetermined pattern by etching to complete the core substrate 610 shown in FIG.
As can be easily understood from the above, the first through-hole conductor 607A formed in the base connection through-hole 661A of the through-hole conductor layer 607 is directly connected to the base metal plate 601 and is insulated from the metal layers 602 and 603. Have been. On the other hand, the second through-hole conductor 607B formed in the base insulating through-hole 661B is insulated from the base metal plate 601 and is directly connected to the metal layers 602 and 603 to conduct. Further, the third through-hole conductor 607C formed in the base insulating through-hole 661C is connected to the base metal plate 601.
In addition, both the metal layers 602 and 603 are insulated.

【0081】なお、厚さ40μmの無酸素銅からなるベ
ース金属板601を用いたので、コア基板610やその
途中工程品もある程度の剛性を保つことができ、容易に
ハンドリングすることができた。また、次述する配線基
板600の製造工程において、も配線基板600やその
途中工程品のハンドリングが容易である。しかも、通常
用いられるガラス−エポキシ樹脂複合材料などでは、例
えば、0.8mm〜1.2mm程度の厚さのものが用い
られる。これに対し、ベース金属板601は、これらの
約1/20程度の厚さであり、コア基板610の厚さを
その分薄くできる。従って、スルーホール導体層607
の軸方向(図中上下方向)の寸法を短くできるから、ス
ルーホール導体層607の有するインダクタンスや抵抗
を小さくすることが出来る。
Since the base metal plate 601 made of oxygen-free copper having a thickness of 40 μm was used, the rigidity of the core substrate 610 and the products on the way of the core substrate 610 could be maintained to some extent, and the handling was easy. Also, in the manufacturing process of the wiring substrate 600 described below, the handling of the wiring substrate 600 and the products in the middle of the process is easy. In addition, a commonly used glass-epoxy resin composite material having a thickness of, for example, about 0.8 mm to 1.2 mm is used. On the other hand, the thickness of the base metal plate 601 is about 1/20 of these, and the thickness of the core substrate 610 can be reduced accordingly. Therefore, the through-hole conductor layer 607
Can be reduced in the axial direction (vertical direction in the figure), so that the inductance and resistance of the through-hole conductor layer 607 can be reduced.

【0082】このコア基板610の状態で、層状コンデ
ンサC61のショート不良の有無や絶縁抵抗、あるい
は、静電容量をチェックする。これにより、例えばベー
ス金属板601と金属層602とが接触してショートし
ている場合など、層状コンデンサC1がショート不良で
ある場合、あるいは、静電容量が規格範囲外である場合
などでは、コア基板610は不良と判断され、廃棄され
る。コンデンサの静電容量が大きいほどノイズ除去能力
が高まるので、できるだけ静電容量を高くするのが好ま
しいが、そのためには、複合誘電体層611等の厚さを
薄く、あるいは、コア基板610の面積(具体的にはベ
ース金属板601や各金属層602等の面積)を広く、
さらには、複合誘電体層の誘電率を高くするために銅粉
末等の金属粉末の添加量を増加させる等の手法が考えら
れる。
In this state of the core substrate 610, the presence or absence of short-circuit failure, insulation resistance, or capacitance of the layered capacitor C61 is checked. Thus, for example, when the base metal plate 601 and the metal layer 602 are in contact with each other and short-circuited, such as when the layered capacitor C1 is short-circuited, or when the capacitance is out of the standard range, the core is not formed. The substrate 610 is determined to be defective and is discarded. Since the noise removal ability increases as the capacitance of the capacitor increases, it is preferable to increase the capacitance as much as possible. For this purpose, the thickness of the composite dielectric layer 611 or the like is reduced, or the area of the core substrate 610 is reduced. (Specifically, the area of the base metal plate 601 and each metal layer 602, etc.)
Furthermore, a method of increasing the amount of metal powder such as copper powder to increase the dielectric constant of the composite dielectric layer is conceivable.

【0083】しかし、この手法のいずれも、コンデンサ
のショート不良を生じさせやすくするものであるため、
層状コンデンサのショート不良が増加し、歩留まりが低
下しやすくなる。これに対し、本実施形態では、コア基
板610の状態で層状コンデンサのチェックができるの
で、樹脂絶縁層等が形成されておらず付加価値の比較的
低いコア基板610の段階で不具合品を除去できるか
ら、次述する配線基板600の製造工程中あるいは製造
後において、層状コンデンサ不良による歩留まりの低下
や廃棄品による損失を低く抑えることができる。
However, all of these methods tend to cause short-circuit failure of the capacitor.
Short-circuit failure of the layered capacitor increases, and the yield tends to decrease. On the other hand, in the present embodiment, since the layered capacitor can be checked in the state of the core substrate 610, defective products can be removed at a stage of the core substrate 610 having a relatively low added value without forming a resin insulating layer or the like. Therefore, during or after the manufacturing process of the wiring board 600 described below, it is possible to suppress a decrease in yield due to a defective layer capacitor and a loss due to waste products.

【0084】次いで、図9に示すように、このコア基板
610の表面610A、裏面610Bに、感光性エポキ
シ樹脂層を形成し、フォトリソグラフィ技術によりビア
ホール621VH,631VHを形成後硬化させる。さ
らに、セミアディティブ法あるいはサブトラクティブ法
により、ビア625V,635Vをそれぞれ有する配線
層625,635を形成する。
Next, as shown in FIG. 9, a photosensitive epoxy resin layer is formed on the front surface 610A and the back surface 610B of the core substrate 610, and via holes 621VH and 631VH are formed by photolithography and cured. Further, wiring layers 625 and 635 having vias 625V and 635V are formed by a semi-additive method or a subtractive method.

【0085】さらに同様に、感光性エポキシ樹脂層を形
成し、フォトリソグラフィ技術により開口部641H,
651Hを形成後硬化させ、開口部641H内にハンダ
ペーストを塗布し加熱して溶融させることによりハンダ
バンプ647を形成して、図2に示す配線基板600が
完成する。配線基板600やその途中工程品も、ベース
金属板601の剛性により、問題なくハンドリングして
製造することができた。また上記したように、コア基板
610内のスルーホール導体607のインダクタンスや
抵抗が小さく、しかも層状コンデンサC61を内蔵して
いるので、ハンダバンプ647に搭載するICチップな
どの電子部品の接地電位や電源電位のノイズを効果的に
除去することができる。
Similarly, a photosensitive epoxy resin layer is formed, and the openings 641H, 641H,
After the 651H is formed, it is cured, and a solder paste is applied in the opening 641H, heated and melted to form a solder bump 647, and the wiring board 600 shown in FIG. 2 is completed. The wiring substrate 600 and the products in the middle of the process could be handled and manufactured without any problem due to the rigidity of the base metal plate 601. Further, as described above, since the inductance and resistance of the through-hole conductor 607 in the core substrate 610 are small and the layered capacitor C61 is incorporated, the ground potential and the power supply potential of electronic components such as an IC chip mounted on the solder bump 647 are provided. Can be effectively removed.

【0086】なお、上記したように、配線基板600の
剛性を補い、ICチップ等を搭載した場合の信頼性を確
保するため、図3に示すように、補強板680を配線基
板表面600Aに貼り付ける。このような配線基板60
0は、補強板680によって剛性が確保できる上、配線
基板600自身の厚さは比較的薄くできるので、低背化
の要求にも応えることができる。
As described above, in order to compensate for the rigidity of the wiring board 600 and secure the reliability when an IC chip or the like is mounted, a reinforcing plate 680 is attached to the wiring board surface 600A as shown in FIG. wear. Such a wiring board 60
In the case of No. 0, the rigidity can be ensured by the reinforcing plate 680, and the thickness of the wiring board 600 itself can be made relatively thin, so that it is possible to meet the demand for a reduction in height.

【0087】(実施形態2)次いで、第2の実施の形態
について説明する。本実施形態では、上記実施形態で示
したコア基板610及び配線基板600と同様コア基板
及び配線基板を形成する。但し、上記実施形態1では、
コア基板610の製造に当たり、半硬化複合誘電体フィ
ルム及び銅箔671、672を積層して熱プレスして、
一旦中間積層板620を形成し、銅箔671,672を
パターニングする。さらに半硬化複合誘電体フィルムと
銅箔673,674を積層して熱プレスして積層板63
0を形成した。これに対し、本実施形態では、一度の熱
プレスで4層の複合誘電体層及び金属層(銅箔)を積層
して積層板を形成する点で異なる。従って、異なる部分
を中心に説明し、同様な部分については説明を省略ある
いは簡略化する。
(Embodiment 2) Next, a second embodiment will be described. In this embodiment, a core substrate and a wiring substrate are formed in the same manner as the core substrate 610 and the wiring substrate 600 described in the above embodiment. However, in the first embodiment,
In manufacturing the core substrate 610, the semi-cured composite dielectric film and the copper foils 671 and 672 are laminated and hot-pressed,
Once the intermediate laminate 620 is formed, the copper foils 671 and 672 are patterned. Further, the semi-cured composite dielectric film and the copper foils 673 and 674 are laminated and hot-pressed to form a laminate 63.
0 was formed. On the other hand, the present embodiment is different in that a laminated plate is formed by laminating four composite dielectric layers and a metal layer (copper foil) by a single hot press. Therefore, different parts will be mainly described, and description of similar parts will be omitted or simplified.

【0088】本実施形態では、積層に先立ち、二層フィ
ルム及びパターン化二層フィルムを形成する。まず、二
層フィルムの形成工程について説明する。図10(a)
に示すように、厚さ18μmの銅箔711を用意し、そ
の上面711Aにエポキシ樹脂ペーストにBaTiO3
の粉末及びCu粉末を分散させた複合誘電体ペーストを
厚さ10〜100μmの範囲(本例では、約60μm)
に塗布する。これを半硬化させて半硬化複合誘電体フィ
ルム(半硬化複合誘電体層)712を形成し、銅箔71
1に半硬化複合誘電体フィルム712が積層された二層
フィルム710を形成する。
In this embodiment, a two-layer film and a patterned two-layer film are formed prior to lamination. First, the step of forming a two-layer film will be described. FIG. 10 (a)
As shown in the figure, a copper foil 711 having a thickness of 18 μm is prepared, and an upper surface 711A is coated with an epoxy resin paste and BaTiO 3.
Powder and a composite dielectric paste in which Cu powder is dispersed is applied in a thickness of 10 to 100 μm (in this example, about 60 μm).
Apply to. This is semi-cured to form a semi-cured composite dielectric film (semi-cured composite dielectric layer) 712, and the copper foil 71
First, a two-layer film 710 in which a semi-cured composite dielectric film 712 is laminated is formed.

【0089】なお、具体的には、図10(b)に示すよ
うに、厚さ200μmのポリイミドやポリエステルから
なる補強フィルムRFを半硬化複合誘電体フィルム71
2の表面712Aに積層した、銅箔711,半硬化状態
の複合誘電体層712、補強フィルムRFをこの順に有
する補強フィルム付二層フィルム(以下、三層フィルム
ともいう)730を形成する。この三層フィルム730
は、補強フィルムRFで補強されているので、たとえ銅
箔711及び後述するパターン化銅箔713,714や
半硬化複合誘電体層712の厚さが薄くても、各工程に
おけるハンドリングに耐える剛性を持つため、取り扱い
が容易で、図1に示したような薄い金属層602等や薄
い複合誘電体層611等を持つコア基板を容易に形成で
きる。
More specifically, as shown in FIG. 10B, a reinforcing film RF made of polyimide or polyester having a thickness of 200 μm is applied to a semi-cured composite dielectric film 71.
A two-layer film with a reinforcing film (hereinafter also referred to as a three-layer film) 730 having a copper foil 711, a semi-cured composite dielectric layer 712, and a reinforcing film RF in this order, which is laminated on the surface 712 </ b> A, is formed. This three-layer film 730
Is reinforced by the reinforcing film RF, so that even if the thickness of the copper foil 711 and the patterned copper foils 713 and 714 described later and the semi-cured composite dielectric layer 712 are thin, the rigidity to withstand handling in each step is improved. Therefore, the core substrate having the thin metal layer 602 and the like and the thin composite dielectric layer 611 and the like as shown in FIG. 1 can be easily formed.

【0090】また、この三層フィルム730では、粘着
性のある半硬化複合誘電体層712を銅箔711および
補強フィルムRFで挟んだ構造となっているので、半硬
化複合誘電体層712にほこりが付着することも防止さ
れる。さらに、この三層フィルム730では、銅箔71
1上に複合誘電体ペーストを塗布し半硬化させて、半硬
化複合誘電体層712を形成したので、銅箔711と半
硬化複合誘電体層712との間に空気やほこりが介在せ
ず、また両者の密着性が良好である。なお、さらにこの
両者の密着性を向上させるため、銅箔711の上面71
1Aを予め、黒化処理、針状メッキ、粗化エッチング等
の手法により粗化しておくと、より好ましい。
Further, since the three-layer film 730 has a structure in which the adhesive semi-cured composite dielectric layer 712 is sandwiched between the copper foil 711 and the reinforcing film RF, the semi-cured composite dielectric layer 712 has dust. Is also prevented from adhering. Further, in the three-layer film 730, the copper foil 71
Since the composite dielectric paste was applied and semi-cured on 1 to form a semi-cured composite dielectric layer 712, no air or dust was interposed between the copper foil 711 and the semi-cured composite dielectric layer 712, Also, the adhesion between them is good. In order to further improve the adhesion between the two, the upper surface 71 of the copper foil 711
It is more preferable to previously roughen 1A by a method such as blackening treatment, needle-like plating, and roughening etching.

【0091】次いで、パターン化二層フィルムの形成工
程について説明する。図11(a)に示すように、三層
フィルム730のうち銅箔711の露出面711B(図
中上面)にドライフィルムDFを貼り、露光現像して所
定パターンの開口DFOを形成する。次いで、図11
(b)に示すように、銅箔711をエッチングして、開
口713Hなど所定パターンを有する第1パターン化銅
箔713とし、ドライフィルムDFを剥離して、補強フ
ィルム付の第1パターン化二層フィルム731を形成す
る。同様にして、図11(c)に示すように、開口71
4Hなどが形成され、第1パターン化二層フィルム73
1とは異なる第2パターン化銅箔714を有する第2パ
ターン化二層フィルム732も形成する。なお、次述す
る積層板形成工程において、積層した際、隣り合う半硬
化複合誘電体フィルム712との密着性を向上させるた
め、パターン化銅箔713,714の露出面を予め、黒
化処理、針状メッキ、粗化エッチング等の手法により粗
化しておくと、より好ましい。
Next, the step of forming a patterned two-layer film will be described. As shown in FIG. 11A, a dry film DF is attached to the exposed surface 711B (the upper surface in the figure) of the copper foil 711 of the three-layer film 730, and is exposed and developed to form an opening DFO having a predetermined pattern. Then, FIG.
As shown in (b), the copper foil 711 is etched to form a first patterned copper foil 713 having a predetermined pattern such as an opening 713H, and the dry film DF is peeled off to form a first patterned two-layer with a reinforcing film. A film 731 is formed. Similarly, as shown in FIG.
4H and the like, and the first patterned two-layer film 73
A second patterned bilayer film 732 having a second patterned copper foil 714 different from one is also formed. Note that, in the laminated plate forming step described below, when laminated, the exposed surfaces of the patterned copper foils 713 and 714 are previously subjected to blackening treatment in order to improve the adhesion between the adjacent semi-cured composite dielectric films 712. It is more preferable that the surface is roughened by a technique such as needle plating or roughening etching.

【0092】その後、積層板形成工程のうち二層フィル
ム積層プレス工程として、まず、図12に示すように、
実施形態1と同様のベース金属板601を中心として、
形成したパターン化二層フィルム及び二層フィルムを積
層する。つまり、ベース金属板601の表面601A
に、半硬化複合誘電体フィルム712を合わせるように
して、第1パターン化二層フィルム731(図11
(b)参照)から補強フィルムRFを剥がした第1パタ
ーン化二層フィルム721を積層する。さらに、その第
1パターン化銅箔721上(図中上方)に、三層フィル
ム730から補強フィルムRFを剥がした二層フィルム
710を積層する。一方、その裏面601Bにも、半硬
化複合誘電体フィルム712を合わせるようにして、第
2パターン化二層フィルム732(図11(c)参照)
から補強フィルムRFを剥がした第2パターン化二層フ
ィルム722を積層する。さらに、その第2パターン化
銅箔722上(図中下方)に、三層フィルム730から
補強フィルムRFを剥がした二層フィルム710を積層
する。その後、真空熱プレスによって、一挙に実施形態
1と同様の積層板630(図7参照)を形成する。
Then, as a two-layer film lamination pressing step in the lamination plate forming step, first, as shown in FIG.
Centering on the same base metal plate 601 as in the first embodiment,
The formed patterned two-layer film and the two-layer film are laminated. That is, the surface 601A of the base metal plate 601
Then, the semi-cured composite dielectric film 712 is combined with the first patterned bilayer film 731 (FIG. 11).
(B), the first patterned two-layer film 721 from which the reinforcing film RF is peeled off is laminated. Further, a two-layer film 710 obtained by removing the reinforcing film RF from the three-layer film 730 is laminated on the first patterned copper foil 721 (upper side in the figure). On the other hand, the second patterned two-layer film 732 (see FIG. 11 (c)) is also provided on the back surface 601B so that the semi-cured composite dielectric film 712 is also fitted.
The second patterned two-layer film 722 from which the reinforcing film RF has been peeled off is laminated. Further, a two-layer film 710 obtained by removing the reinforcing film RF from the three-layer film 730 is laminated on the second patterned copper foil 722 (the lower part in the figure). Thereafter, a laminate 630 (see FIG. 7) similar to that of the first embodiment is formed all at once by vacuum hot pressing.

【0093】以降は、実施形態1と同様にしてコア基板
及び配線基板を形成するので、説明を省略する。本実施
形態によれば、銅箔711と半硬化複合誘電体フィルム
712とを積層した二層フィルム710、及び所定パタ
ーンを形成したパターン化銅箔713,714と半硬化
複合誘電体フィルム712とを積層したパターン化二層
フィルム721,722を、ベース金属板701を中心
にして積層プレスして、積層板730を一挙に形成し
た。このため、真空熱プレスの回数を減らすことができ
る。またパターン化二層フィルム721,722は並行
して多種類を形成できるので、順に形成する実施形態1
の場合より全体として工程が短くなり、さらに容易かつ
安価にコア基板及び配線基板を形成できる。また、熱プ
レスを繰り返すことにより、複合誘電体層中のエポキシ
樹脂などが劣化する危険性もない。本実施形態では、4
層の複合誘電体層を積層したコア基板を形成した例を示
したが、さらに多数層(例えば6層、8層など)を積層
するときには、熱プレスの回数がより削減できる。
Thereafter, the core substrate and the wiring substrate are formed in the same manner as in the first embodiment, and the description is omitted. According to this embodiment, the two-layer film 710 in which the copper foil 711 and the semi-cured composite dielectric film 712 are laminated, and the patterned copper foils 713 and 714 in which a predetermined pattern is formed and the semi-cured composite dielectric film 712 The laminated patterned two-layer films 721 and 722 were laminated and pressed around the base metal plate 701 to form a laminated plate 730 at a stroke. For this reason, the number of times of vacuum heat press can be reduced. Since many types of patterned two-layer films 721 and 722 can be formed in parallel, the first embodiment is formed in order.
As a whole, the process is shorter than in the case of (1), and the core substrate and the wiring substrate can be formed more easily and inexpensively. Further, there is no danger of the epoxy resin and the like in the composite dielectric layer being deteriorated by repeating the hot pressing. In the present embodiment, 4
Although the example in which the core substrate in which the composite dielectric layers of the layers are stacked is shown, when a larger number of layers (for example, 6 layers, 8 layers, etc.) are stacked, the number of times of hot pressing can be further reduced.

【0094】なお、本実施形態では、補強によるハンド
リングの容易化やほこり付着防止のため、二層フィルム
710やパターン化二層フィルム721,722に、補
強フィルムRFを貼り付けた三層フィルム730や補強
フィルム付パターン化二層フィルム731,732を形
成した。しかし、補強が必要ない場合などには、補強フ
ィルムFRを用いないで済ますこともできる。
In this embodiment, in order to facilitate handling by reinforcement and prevent dust adhesion, the three-layer film 730 in which the reinforcing film RF is attached to the two-layer film 710 or the patterned two-layer films 721 and 722 is used. Patterned two-layer films 731 and 732 with a reinforcing film were formed. However, when no reinforcement is required, the use of the reinforcing film FR can be omitted.

【0095】(実施形態3)次いで、第3の実施の形態
について説明する。前期実施形態1,2にかかるコア基
板610では、その表面610Aと裏面610Bとの間
を貫通するスルーホール導体607は、いずれの箇所に
おいても1本の円筒形状で構成されていた。これに対
し、本実施形態にかかるコア基板810では、その表裏
面上の金属層を近接した位置に複数並列に形成した複数
のスルーホール導体の組で接続する。従って、実施形態
1とは、複合誘電体層や金属層を積層した積層板に形成
する貫通孔及びスルーホール導体が異なるのみであるの
で、異なる部分について説明し、同様な部分の説明は省
略あるいは簡略化する。
(Embodiment 3) Next, a third embodiment will be described. In the core substrate 610 according to the first and second embodiments, the through-hole conductor 607 penetrating between the front surface 610A and the back surface 610B is formed in a single cylindrical shape at any point. On the other hand, in the core substrate 810 according to the present embodiment, the metal layers on the front and back surfaces are connected by a set of a plurality of through-hole conductors formed in parallel at adjacent positions. Therefore, the first embodiment differs from the first embodiment only in the through-holes and the through-hole conductors formed in the laminated plate in which the composite dielectric layer and the metal layer are laminated. Simplify.

【0096】まず、実施形態1と同様にして、積層板8
30を形成する(図7参照)。但し、積層板830のう
ち、ベース金属板801の絶縁用貫通孔801Hは直径
φ350μm、金属層802,803の開口802H,
803Hは直径φ350μmと、実施形態1よりやや大
きくされている。その後、図13に示すように、YAG
レーザによって、所定位置に直径φ50μmの貫通孔8
61を穿孔する。但し、図から理解できるように、近接
して複数(図13では2ヶずつ)の貫通孔861を穿孔
する。即ち、実施形態1における貫通孔661A,66
1B,661C(図8参照)に代えて、貫通孔861A
1と861A2,861B1と861B2,861C1
と861C2というように、それぞれ2本ずつ組にして
形成する。
First, in the same manner as in the first embodiment,
30 are formed (see FIG. 7). However, among the laminated plates 830, the insulating through holes 801H of the base metal plate 801 have a diameter of φ350 μm, and the openings 802H of the metal layers 802 and 803 have the same diameter.
803H has a diameter φ350 μm, which is slightly larger than that of the first embodiment. Thereafter, as shown in FIG.
A through hole 8 having a diameter of 50 μm is formed at a predetermined position by a laser.
Drill 61. However, as can be understood from the drawing, a plurality of (two in FIG. 13) through holes 861 are formed in close proximity. That is, the through holes 661A, 66A in the first embodiment.
1B, 661C (see FIG. 8) instead of through-hole 861A
1 and 861A2, 861B1 and 861B2, 861C1
And 861C2 to form a pair.

【0097】その後、実施形態1と同様に、無電解銅メ
ッキ及び電解銅メッキにより、貫通孔861内にそれぞ
れメッキを形成して、それぞれスルーホール導体807
を形成する。さらに、スルーホール導体807内にエポ
キシ樹脂を充填してプラグ体816とし、表面830A
及び裏面830Bを整面し、さらに、銅箔873,87
4及びその上に形成されたメッキ層をエッチングにより
所定パターンの金属層804,805に形成して、図1
4に示すコア基板810を完成させる。
Thereafter, similarly to the first embodiment, plating is formed in the through-hole 861 by electroless copper plating and electrolytic copper plating, and the through-hole conductor 807
To form Further, an epoxy resin is filled in the through-hole conductor 807 to form a plug body 816, and the surface 830A
And rear surface 830B, and further, copper foils 873, 87
4 and the plating layer formed thereon were formed into metal layers 804 and 805 of a predetermined pattern by etching,
4 is completed.

【0098】このコア基板810でも、実施形態1のコ
ア基板610と同様に、ベース金属板801を中心とし
て、その表裏面に2層ずつ合計4層の複合誘電体層61
1,612,613,614及び所定パターンのCuか
らなる金属層802,803,804,805が交互に
積層されている。ベース金属板801とこれに隣り合う
金属層802,803、金属層802とこれに隣り合う
金属層804の一部804A、金属層803とこれに隣
り合う金属層805の一部805Aとは、複合誘電体層
611等を介して対向し、5層の電極層及び4層の誘電
体層を有する層状のコンデンサC81を構成している。
Similarly to the core substrate 610 of the first embodiment, a total of four composite dielectric layers 61 are provided on the front and back surfaces of the base metal plate 801 in the same manner as the core substrate 610 of the first embodiment.
1, 612, 613, 614 and metal layers 802, 803, 804, 805 of a predetermined pattern of Cu are alternately laminated. The base metal plate 801 and the metal layers 802 and 803 adjacent thereto, the metal layer 802 and a part 804A of the metal layer 804 adjacent thereto, and the metal layer 803 and a part 805A of the metal layer 805 adjacent thereto are combined. The layered capacitor C81 has five electrode layers and four dielectric layers facing each other with the dielectric layer 611 or the like interposed therebetween.

【0099】しかも、このコア基板810では、ベース
金属板801と導通し、金属層の一部804Aと805
Aとを結ぶスルーホール導体が、並列2本のスルーホー
ル導体807A1,807A2から構成されている。同
様に、ベース金属板801とは絶縁され、金属層80
2,803と導通し、金属層の一部804Bと805B
とを結ぶスルーホール導体も、並列2本のスルーホール
導体807B1,807B2から構成されている。従っ
て、実施形態1のスルーホール607A,607Bより
も、スルーホール導体のインダクタンス及び抵抗が低く
なる。
Further, the core substrate 810 is electrically connected to the base metal plate 801 and a part of the metal layers 804A and 805
The through-hole conductor connecting A is composed of two parallel through-hole conductors 807A1 and 807A2. Similarly, the base metal plate 801 is insulated and the metal layer 80
2, 803B and a part of the metal layer 804B and 805B
Are also composed of two parallel through-hole conductors 807B1 and 807B2. Therefore, the through-hole conductor has lower inductance and lower resistance than the through-holes 607A and 607B of the first embodiment.

【0100】また、ベース金属板801、金属層80
2,803のいずれとも絶縁され、金属層の一部804
Cと805Cとを結ぶスルーホール導体も、並列2本の
スルーホール導体807C1,807C2から構成され
ている。このように、信号配線なども、並列な複数のス
ルーホール導体で構成しておくと、信号配線の持つイン
ダクタンスや抵抗をも低減することができる。さらに、
万一、何らかの理由で、一方のスルーホール導体が断線
状態となっても、他のスルーホール導体が接続されてい
るので、導通不良などの致命欠陥とならないため、コア
基板や配線基板の歩留まりや信頼性を向上させることが
できる。
The base metal plate 801, the metal layer 80
2, 803, and a part 804 of the metal layer.
The through-hole conductor connecting C and 805C is also composed of two parallel through-hole conductors 807C1 and 807C2. As described above, when the signal wiring and the like are also configured by a plurality of parallel through-hole conductors, the inductance and resistance of the signal wiring can be reduced. further,
Even if one through-hole conductor is disconnected for some reason, the other through-hole conductor is connected, so it does not become a fatal defect such as conduction failure, so the yield of the core substrate and wiring substrate can be reduced. Reliability can be improved.

【0101】なお、上記実施形態では、それぞれ2本の
貫通孔を1組として形成した。しかし、各組に含まれる
貫通孔の数が多いほど、一般的にインダクタンスや抵抗
を低下させることができる。一方、多数の貫通孔を形成
すると、工数がかかり、貫通孔相互間の間隙が小さくな
るなど形成困難となり易い。従って、インダクタンス等
を考慮して適数の貫通孔を形成するのが好ましい。
In the above embodiment, two through holes are formed as one set. However, the greater the number of through holes included in each set, the more the inductance and resistance can generally be reduced. On the other hand, when a large number of through-holes are formed, man-hours are required and the formation tends to be difficult, for example, the gap between the through-holes is reduced. Therefore, it is preferable to form an appropriate number of through holes in consideration of inductance and the like.

【0102】(実施形態4)上記実施形態1,2,3に
おいては、いずれもベース金属板の表裏面にそれぞれ2
層の複合誘電体層(合計4層)及び金属層を積層した例
を示した。しかし、積層数は、所望の静電容量値に応じ
て適宜変更すれば良く、ベース金属板の表裏面に、さら
に多数の複合誘電体層及び金属層をそれぞれ積層するこ
ともできる。本実施形態4のコア基板910及び配線基
板900について、図面を参照して説明する。本実施形
態4のコア基板910及び配線基板900は、上記実施
形態1〜3のコア基板710,810及び配線基板70
0と同様な材質からなり、ほぼ同様な構造を有してい
る。
(Embodiment 4) In the above Embodiments 1, 2 and 3, each of the base metal plate has two
The example in which the composite dielectric layers (total of four layers) and the metal layers are stacked is shown. However, the number of layers may be appropriately changed according to a desired capacitance value, and a larger number of composite dielectric layers and metal layers may be further laminated on the front and back surfaces of the base metal plate. The core substrate 910 and the wiring substrate 900 according to the fourth embodiment will be described with reference to the drawings. The core substrate 910 and the wiring substrate 900 according to the fourth embodiment are the same as the core substrates 710 and 810 and the wiring substrate 70 according to the first to third embodiments.
0, and has a substantially similar structure.

【0103】但し、本実施形態のコア基板910では、
ベース金属層901の表面および裏面に、それぞれ3層
の複合誘電体層(合計6層)及び金属層を積層した点で
異なる。また、前記配線基板600(図2参照)では、
スルーホール導体607の上下端部は閉塞されていない
が、本実施形態では、スルーホール導体内にプラグ体を
充填され、その両端が閉塞され、このスルーホール導体
の閉塞部上にスルーホール導体と略同軸のビア導体を形
成する(図15参照)。またさらに、本実施形態の配線
基板900では、コア基板910の表面および裏面にそ
れぞれ3層の樹脂絶縁層を備え、これらの間を、貫通す
るビア導体として、ビア導体を厚さ方向に積み重ねて形
成するスタックドビアの形式で形成している(図17参
照)。また、本実施形態のコア基板910に形成する3
種のスルーホール導体908A,908B,908Cの
平面方向の配置に特徴がある点で異なる。従って、異な
る部分を中心に説明し、同様な部分は省略あるいは簡略
化して説明する。
However, in the core substrate 910 of the present embodiment,
The difference is that three composite dielectric layers (a total of six layers) and a metal layer are laminated on the front and back surfaces of the base metal layer 901 respectively. In the wiring board 600 (see FIG. 2),
Although the upper and lower ends of the through-hole conductor 607 are not closed, in the present embodiment, the plug body is filled in the through-hole conductor and both ends thereof are closed. A substantially coaxial via conductor is formed (see FIG. 15). Furthermore, in the wiring board 900 of the present embodiment, three resin insulation layers are provided on the front surface and the back surface of the core substrate 910, respectively, and via conductors are stacked between them in the thickness direction as via conductors penetrating therebetween. It is formed in the form of a stacked via to be formed (see FIG. 17). In addition, 3 formed on the core substrate 910 of the present embodiment.
The difference is that the arrangement of the through-hole conductors 908A, 908B, 908C in the plane direction is characterized. Therefore, different portions will be mainly described, and similar portions will be omitted or simplified.

【0104】まず、本実施形態4にかかるコア基板91
0について説明する。図15の部分拡大断面図に示すよ
うにベース金属板901は、実施形態1のベース金属板
601と同様に、絶縁用貫通孔901Hを有する。ま
た、ベース金属板901の表面901A、及び裏面90
1Bには、それぞれ3層ずつ複合誘電体層911,91
3,915,912,914,916が積層されてい
る。さらに、その層間と、コア基板の裏面901B方向
最外側、即ち、図15中最下層の複合誘電体層916の
下面と、及び表面901A方向最外側、即ち、図15中
最上層の複合誘電体層915の上面とには、それぞれC
uからなる金属層902,904,906,903,9
05,907を備える。また、複合誘電体層916の下
面と複合誘電体層915の上面との間を貫通する貫通孔
981が形成され、これらの内周面には、コア基板91
0の表面910Aと裏面910Bまで延び、同じくCu
からなるスルーホール導体908を備える。このスルー
ホール導体908の内部には、それぞれエポキシ樹脂か
らなるプラグ材917が充填され、金属層901,90
7にそれぞれ形成した閉塞部906D,907Dによっ
て閉じられている。
First, the core substrate 91 according to the fourth embodiment will be described.
0 will be described. As shown in the partial enlarged cross-sectional view of FIG. 15, the base metal plate 901 has an insulating through-hole 901H, like the base metal plate 601 of the first embodiment. Further, the front surface 901A and the back surface 90A of the base metal plate 901
1B includes three composite dielectric layers 911 and 91, respectively.
3,915,912,914,916 are laminated. Further, between the layers, the outermost surface in the back surface 901B direction of the core substrate, ie, the lower surface of the lowermost composite dielectric layer 916 in FIG. 15, and the outermost surface in the surface 901A direction, ie, the uppermost composite dielectric material in FIG. Each of the upper surfaces of the layers 915 has C
u, metal layers 902, 904, 906, 903, 9
05,907. Further, through holes 981 are formed to penetrate between the lower surface of the composite dielectric layer 916 and the upper surface of the composite dielectric layer 915.
0 to the front surface 910A and the back surface 910B,
Is provided. The inside of the through-hole conductor 908 is filled with a plug material 917 made of epoxy resin, respectively,
7 are closed by closing portions 906D and 907D formed respectively.

【0105】なお、貫通孔981には、ベース金属板9
01、及び複合誘電体層911等に挟まれる内側金属層
902〜905のうち、ベース金属板901から数えて
偶数番目(具体的には2番目)の第1内側金属層90
4,905がその内周面に露出する第1貫通孔981A
が含まれる。また、絶縁用貫通孔901H内を貫通し、
ベース金属板901から数えて奇数番目(具体的には1
番目)の第2内側金属層902,903がその内周面に
露出する第2貫通孔981Bと、同じく絶縁用貫通孔9
01H内を貫通し、ベース金属層901及び内側金属層
902のいずれも内周面に露出しない第3貫通孔981
Cも含まれる。
The through-hole 981 has a base metal plate 9
01 and even-numbered (specifically, second) first inner metal layers 90 counted from base metal plate 901 among inner metal layers 902 to 905 sandwiched between composite dielectric layers 911 and the like.
First through-hole 981A having 4,905 exposed on its inner peripheral surface
Is included. In addition, it penetrates through the insulating through-hole 901H,
Odd-numbered (specifically, 1
The second through-hole 981B in which the second inner metal layers 902 and 903 are exposed on the inner peripheral surface thereof, and the insulating through-hole 9
01H, the third through-hole 981 in which neither the base metal layer 901 nor the inner metal layer 902 is exposed on the inner peripheral surface.
C is also included.

【0106】このため、これらの貫通孔981内にスル
ーホール導体を形成すると、第1貫通孔981A内で
は、ベース金属板901及び第1内側金属層904,9
05が、第1スルーホール導体908Aに直接接続し、
それぞれコア基板表面910Aあるいはコア基板裏面9
10Bに形成された外側の金属層906,907の一部
906A,907Aに導通される。一方、第2貫通孔9
81B内では、第2内側金属層902,903が、第2
スルーホール導体908Bに直接接続して、同様に金属
層906,907の他の一部906B,907Bに導通
される。また、第3貫通孔981C内には、ベース金属
層901及び内側金属層902のいずれとも絶縁し、金
属層906,907の他の一部906C,907Cに導
通される第3スルーホール導体908Cが形成される。
外側の金属層906,907の一部(具体的には、金属
層906B,907B)は、層状コンデンサC91を構
成する電極として用いられる。また他の部分は、配線層
としても用いられる。
Therefore, when through-hole conductors are formed in these through holes 981, the base metal plate 901 and the first inner metal layers 904, 9
05 is directly connected to the first through-hole conductor 908A,
Core substrate front surface 910A or core substrate back surface 9
Conduction is made to portions 906A and 907A of the outer metal layers 906 and 907 formed in 10B. On the other hand, the second through hole 9
81B, the second inner metal layers 902 and 903
It is directly connected to the through-hole conductor 908B and is similarly electrically connected to other portions 906B and 907B of the metal layers 906 and 907. In the third through-hole 981C, a third through-hole conductor 908C that is insulated from both the base metal layer 901 and the inner metal layer 902 and is electrically connected to other portions 906C and 907C of the metal layers 906 and 907 is provided. It is formed.
Part of the outer metal layers 906 and 907 (specifically, metal layers 906B and 907B) are used as electrodes constituting the layered capacitor C91. Other portions are also used as wiring layers.

【0107】このコア基板910では、上記したように
ベース金属板901及び金属層904,905及び金属
層906,907の一部906A,907Aが互いに導
通している。また、金属層902,903及び金属層9
06,907の他の一部906B,907Bが互いに導
通している。従って、これらの金属層同士が、各複合誘
電体層911等を挟んで対向することにより、図15か
らも容易に理解できるように、ベース金属板901の表
面901Aおよび裏面901Bにそれぞれ3層ずつ、合
計6層の誘電体層を有する層状のコンデンサC91を構
成している。しかも、3種のスルーホール導体908
A,908B,908Cは、コア基板910の表面91
0A及び裏面910Bまで延びているので、次述するよ
うに、コア基板910の裏面910B側に形成する配線
層と表面910A側に形成する配線層とを、これらのス
ルーホール導体908を介して接続することができる。
ここで、例えば第1スルーホール導体908Aを電源配
線に、また第2スルーホール導体908Bを接地配線に
接続すると、電源電位と接地電位との間に層状コンデン
サC91を並列に挿入したことになるので、これらの電
位に重畳されるノイズを吸収することができる。一方、
信号配線などは、第3スルーホール導体908Cに接続
すれば、層状コンデンサC91と絶縁した状態で、コア
基板910内を通すことができる。
In the core substrate 910, as described above, the base metal plate 901 and the metal layers 904, 905 and the portions 906A, 907A of the metal layers 906, 907 are electrically connected to each other. The metal layers 902 and 903 and the metal layer 9
The other parts 906B and 907B of the parts 06 and 907 are electrically connected to each other. Therefore, these metal layers are opposed to each other with the respective composite dielectric layers 911 and the like interposed therebetween, so that three layers are respectively provided on the front surface 901A and the back surface 901B of the base metal plate 901 as easily understood from FIG. Constitute a layered capacitor C91 having a total of six dielectric layers. Moreover, three types of through-hole conductors 908
A, 908B and 908C correspond to the surface 91 of the core substrate 910.
0A and the back surface 910B, the wiring layer formed on the back surface 910B side of the core substrate 910 and the wiring layer formed on the front surface 910A side are connected via these through-hole conductors 908 as described below. can do.
Here, for example, when the first through-hole conductor 908A is connected to the power supply wiring and the second through-hole conductor 908B is connected to the ground wiring, the layered capacitor C91 is inserted in parallel between the power supply potential and the ground potential. And the noise superimposed on these potentials can be absorbed. on the other hand,
By connecting the signal wiring and the like to the third through-hole conductor 908C, the signal wiring and the like can pass through the core substrate 910 while being insulated from the layered capacitor C91.

【0108】次いで、本実施形態4にかかる配線基板9
00について説明する。図17に配線基板900の部分
拡大断面図を、図18にその平面図を、図19にその底
面図を示す。配線基板900は、このコア基板910の
表裏面910A,910Bに、それぞれエポキシ樹脂か
らなる3層の樹脂絶縁層921,941,961,93
1,951,971およびCuからなる2層の配線層9
25,945,935,955を形成したものである。
各配線層925等は、樹脂絶縁層921等の層間に形成
されると共に、下層に位置する金属層や配線層と接続す
るためのビア導体925V,945V,935V,95
5Vを含む。
Next, the wiring board 9 according to the fourth embodiment will be described.
00 will be described. FIG. 17 is a partially enlarged sectional view of the wiring board 900, FIG. 18 is a plan view thereof, and FIG. 19 is a bottom view thereof. The wiring board 900 includes three resin insulation layers 921, 941, 961, 93 made of epoxy resin on the front and back surfaces 910A, 910B of the core substrate 910, respectively.
Two wiring layers 9 made of 1,951,971 and Cu
25,945,935,955.
Each wiring layer 925 and the like are formed between layers such as the resin insulating layer 921 and the via conductors 925V, 945V, 935V, and 95 for connecting to a metal layer and a wiring layer located below.
5V included.

【0109】また、この配線基板900の表面900A
側は、図18の平面図に示すように、平面方向略中央部
にICチップCHを搭載するようになっており、中央部
にはICチップCHの端子CHBをフリップチップ接続
で接続できるように、樹脂絶縁層961に形成した開口
961Hが、略格子状に多数形成されている。この開口
961H内には、図17から容易に理解できるように、
配線層945あるいはビア導体945Vが露出してい
る。一方、配線基板900の裏面900B側は、図19
の底面図に示すように、樹脂絶縁層971の平面方向ほ
ぼ全面に格子状に開口971Hが形成され、マザーボー
ドなど他の配線基板との接続のため、開口971H内に
はビア導体955Vを含む配線層955が露出してい
る。なお、開口961H内の配線層945及びビア導体
945V上には、ハンダバンプを形成しておくこともで
きる。
The surface 900A of the wiring substrate 900
On the side, as shown in the plan view of FIG. 18, the IC chip CH is mounted at a substantially central portion in the plane direction, and the terminal CHB of the IC chip CH can be connected to the central portion by flip chip connection. A large number of openings 961H formed in the resin insulating layer 961 are formed in a substantially lattice shape. In this opening 961H, as can be easily understood from FIG.
The wiring layer 945 or the via conductor 945V is exposed. On the other hand, the back surface 900B side of the wiring substrate 900 is as shown in FIG.
As shown in the bottom view, openings 971H are formed in a grid pattern over substantially the entire surface of the resin insulating layer 971 in the plane direction, and wirings including via conductors 955V are provided in the openings 971H for connection with another wiring substrate such as a motherboard. Layer 955 is exposed. Note that a solder bump may be formed on the wiring layer 945 and the via conductor 945V in the opening 961H.

【0110】この配線基板900も、実施形態1の配線
基板600と同様、コア基板910に形成した層状コン
デンサC91を内蔵しており、ICチップ搭載面である
配線基板表面900Aに搭載するICチップCHと層状
コンデンサC91とを極めて近い距離で接続することが
できる。従って、ノイズ除去を確実に行うことができ
る。また、信号配線も従来と同様の線幅で設計し引き回
すことができ、信号配線含む配線層の設計等も容易にで
きる。樹脂絶縁層921等に、従来と同様のエポキシ樹
脂を使用できるので、これらの誘電率が変わらず、従っ
て、信号配線のインピーダンスも変わらないからであ
る。しかも、スルーホール導体908の両端部(図中上
下端部)には、閉塞部906D,907Dが形成され、
これらと配線層925,935とを、閉塞部906D,
907D上で直接接続する閉塞部上ビア導体925V,
935Vをを形成している部分もある。この部分では、
スルーホール導体908と閉塞部上ビア導体925V,
935Vとをごく短い距離で接続でき、配線層925等
の持つ抵抗やインダクタンスを低減させることができ
る。
This wiring board 900 also has a built-in layered capacitor C91 formed on a core substrate 910, similarly to wiring board 600 of the first embodiment, and has an IC chip CH mounted on wiring board surface 900A which is an IC chip mounting surface. And the layered capacitor C91 can be connected at an extremely short distance. Therefore, noise can be reliably removed. Also, the signal wiring can be designed and routed with the same line width as the conventional one, and the design of the wiring layer including the signal wiring can be easily performed. This is because the same epoxy resin as in the related art can be used for the resin insulating layer 921 and the like, so that their dielectric constants do not change, and therefore the impedance of the signal wiring does not change. In addition, closing portions 906D and 907D are formed at both ends (upper and lower ends in the figure) of the through-hole conductor 908,
These and the wiring layers 925, 935 are connected to the closed portions 906D,
925V on the closed part directly connected on 907D,
There is also a portion forming 935V. In this part,
The through-hole conductor 908 and the via conductor 925V on the closed portion,
935 V can be connected at a very short distance, and the resistance and inductance of the wiring layer 925 and the like can be reduced.

【0111】さらに、この配線基板900では、閉塞部
上ビア導体925V,935Vの上にそれぞれビア導体
945V,955Vを積み重ねたスタックドビア形式と
しているものもある。特に、図17に2点鎖線で示すよ
うに、配線基板900にICチップCHを搭載した際の
ICチップに対応する部分、即ち、ICチップCHを厚
さ方向に投影してなるIC対応部Q内の第1スルーホー
ル導体及び第2スルーホール導体908A,908Bと
ICチップCHの端子CHBとを結ぶ配線について、上
記のようなスタックドビア形式、つまり、ビア導体92
5Vの上にビア導体945Vを積み重ねた形式で形成し
ている。このようにスタックドビアの形式にすると、特
に、層状コンデンサC91とICチップとの間の配線を
短くできるので、さらに低抵抗、低インダクタンスにな
りノイズの侵入を防止するのに役立つ。
Further, the wiring board 900 may be of a stacked via type in which via conductors 945V and 955V are stacked on the closed portion upper via conductors 925V and 935V, respectively. In particular, as shown by a two-dot chain line in FIG. 17, a portion corresponding to the IC chip when the IC chip CH is mounted on the wiring board 900, that is, an IC corresponding portion Q obtained by projecting the IC chip CH in the thickness direction. The wiring connecting the first through-hole conductor and the second through-hole conductor 908A and 908B and the terminal CHB of the IC chip CH in the above-described stacked via form, that is, the via conductor 92
The via conductor 945V is formed on 5V in a stacked form. When the stacked via type is used, the wiring between the layered capacitor C91 and the IC chip can be particularly shortened, so that the resistance and inductance are further reduced, which is useful for preventing the intrusion of noise.

【0112】ここで、上述したように配線基板表面90
0A側にICチップCHを搭載し、裏面900B側で他
の配線基板と接続するので、配線基板900内では、開
口961H内に露出する配線層945及びビア導体94
5Vと、開口971H内に露出する配線層955との間
を結ぶ配線を形成する。そのため、コア基板910に、
上述したように3種のスルーホール導体908を形成す
るのであるが、本実施形態4のコア基板910では、さ
らにスルーホール導体908を、図16に示すようにし
て平面方向に配置する。なお、本図においては、第1ス
ルーホール導体908A及び第2スルーホール導体90
8Bは黒丸で、第3スルーホール導体908Cは白丸で
表して、スルーホール導体の種類による配置の違いを理
解しやすく表現している。なお、本図でも、2点鎖線で
囲まれた部分は、IC対応部Qを示す。このIC対応部
Qは、コア基板910のほぼ中央部に位置している。さ
らに、1点鎖線で示すPP’断面が、図15に示す断面
に相当する。
Here, as described above, the wiring board surface 90
Since the IC chip CH is mounted on the 0A side and connected to another wiring substrate on the back surface 900B side, the wiring layer 945 and the via conductor 94 exposed in the opening 961H are formed in the wiring substrate 900.
A wiring connecting between 5 V and the wiring layer 955 exposed in the opening 971H is formed. Therefore, on the core substrate 910,
The three types of through-hole conductors 908 are formed as described above. In the core substrate 910 of the fourth embodiment, the through-hole conductors 908 are further arranged in the plane direction as shown in FIG. In this figure, the first through-hole conductor 908A and the second through-hole conductor 90
8B is represented by a black circle, and the third through-hole conductor 908C is represented by a white circle, so that the difference in arrangement depending on the type of the through-hole conductor is easily understood. Note that, also in this drawing, a portion surrounded by a two-dot chain line indicates the IC corresponding portion Q. The IC corresponding section Q is located at a substantially central portion of the core substrate 910. Further, the cross section PP ′ indicated by the dashed line corresponds to the cross section shown in FIG.

【0113】図16から容易に理解できるように、コア
基板910のうち中央部であるIC対応部Q内では、3
種類のスルーホール導体908A,908B,908C
のうち、黒丸で示す第1スルーホール導体908Aと第
2スルーホール導体908Bとが数多く形成されてい
る。これに対し、第3スルーホール導体908Cは、少
数形成されているだけで、第1スルーホール導体908
A及び第2スルーホール導体908Bの数よりも少なく
なっている。一方、IC対応部Qの外側の周縁部には、
第3スルーホール導体908Cが数多く形成されてお
り、第3スルーホール導体908Cについてみると、I
C対応部Q内に形成された数よりも、その周縁部に形成
された数の方が多くされている。つまり、信号配線等に
用いる第3スルーホール導体908Cの多くは、IC対
応部Qよりもその周縁部に形成される。
As can be easily understood from FIG. 16, in the IC corresponding portion Q which is the central portion of the core substrate 910, 3
Types of through-hole conductors 908A, 908B, 908C
Among them, many first through-hole conductors 908A and second through-hole conductors 908B indicated by black circles are formed. On the other hand, only a small number of third through-hole conductors 908C are formed,
A and the number of the second through-hole conductors 908B. On the other hand, on the outer peripheral portion of the IC corresponding portion Q,
A large number of third through-hole conductors 908C are formed.
The number formed in the peripheral portion is larger than the number formed in the C corresponding portion Q. That is, most of the third through-hole conductors 908C used for the signal wiring and the like are formed on the periphery of the IC corresponding portion Q rather than the IC corresponding portion Q.

【0114】3種のスルーホール導体908をこのよう
に配置するのは、以下の理由からである。即ち、ICチ
ップCHの端子CHBを、コア基板910の層状コンデ
ンサC91の各電極(ベース金属板及び金属層)901
〜907と、従って、第1スルーホール導体908A及
び第2スルーホール導体908Bとをできるだけ短い距
離で接続するのが好ましい。このため、第1スルーホー
ル導体908A及び第2スルーホール導体908BをI
CチップCHの直下に位置させるのが好ましい。しか
も、多数の第1スルーホール導体908A、及び多数の
第2スルーホール導体908Bを形成して、それぞれ並
列に接続すると、第1スルーホール導体908A及び第
2スルーホール導体908BやこれらとICチップとを
結ぶ配線のインダクタンスや抵抗をさらに低減させるこ
とができる。従って、ICチップCHの直下、つまりI
C対応部Qに多数の第1スルーホール導体908A及び
第2スルーホール導体908Bを形成するのが好まし
い。
The three kinds of through-hole conductors 908 are arranged in this manner for the following reasons. That is, the terminal CHB of the IC chip CH is connected to each electrode (base metal plate and metal layer) 901 of the layered capacitor C91 of the core substrate 910.
907, and therefore, the first through-hole conductor 908A and the second through-hole conductor 908B are preferably connected at a distance as short as possible. Therefore, the first through-hole conductor 908A and the second through-hole conductor 908B are
It is preferable to be located immediately below the C chip CH. Moreover, when a large number of first through-hole conductors 908A and a large number of second through-hole conductors 908B are formed and connected in parallel, respectively, the first through-hole conductor 908A and the second through-hole conductor 908B and these and the IC chip Can be further reduced. Therefore, immediately below the IC chip CH, that is, I
It is preferable to form a large number of first through-hole conductors 908A and second through-hole conductors 908B in the C corresponding portion Q.

【0115】一方、第3スルーホール導体980Cを用
いる信号配線などは、それほど低抵抗や低インダクタン
スであることを求められないので、抵抗やインダクタン
スの面から言えば、必ずしもIC対応部Q内に形成する
必要はない。従って、できるだけ第3スルーホール導体
908CをIC対応部Qの周縁部に配置することによ
り、第3スルーホール導体908Cを考慮する必要が少
なくなり、多数の第1スルーホール導体908A及び第
2スルーホール導体908Bを、IC対応部Q内に容易
に配置することができるようになる。つまり、より低抵
抗、低インダクタンスで層状コンデンサC91とICチ
ップCHとを接続することができるようになる。
On the other hand, the signal wiring or the like using the third through-hole conductor 980C is not required to have such low resistance and low inductance. Therefore, in terms of resistance and inductance, it is not necessarily formed in the IC corresponding portion Q. do not have to. Therefore, by arranging the third through-hole conductor 908C on the periphery of the IC corresponding part Q as much as possible, it is not necessary to consider the third through-hole conductor 908C, and a large number of the first through-hole conductors 908A and the second through-hole The conductor 908B can be easily arranged in the IC corresponding portion Q. That is, the layer capacitor C91 and the IC chip CH can be connected with lower resistance and lower inductance.

【0116】このように、本実施形態4の配線基板90
0では、スルーホール導体908に設けた閉塞部906
D,907Dに閉塞部上ビア導体925V,935Vを
直接重ねて形成しただけでなく、ビア導体925Vと9
45V、あるいはビア導体935Vと955Vとを積み
重ねたスタックドビア形式で配線を形成している。この
ため、ICチップCHとさらに低抵抗、低インダクタン
スに接続することができる。
As described above, the wiring board 90 of the fourth embodiment is described.
0, the closing portion 906 provided in the through-hole conductor 908
D, 907D are not only formed by directly overlaying the closed via conductors 925V, 935V, but also via conductors 925V and 925V.
The wiring is formed in a stacked via format in which 45 V or via conductors 935 V and 955 V are stacked. Therefore, it can be connected to the IC chip CH with further lower resistance and lower inductance.

【0117】さらに、この配線基板900及びコア基板
910では、3種のスルーホール導体908の配置を考
慮し、中央部のIC対応部Qでは、第1スルーホール導
体908A及び第2スルーホール導体908Bが第3ス
ルーホール導体908Cよりも多くなるように配置し、
しかも、第3スルーホール導体908Cは、IC対応部
Qの周縁部の形成された数が、IC対応部Q内に形成さ
れたものの数より多くなるようにしたので、第1スルー
ホール導体908A及び第2スルーホール導体908B
を多数容易に形成することができ、層状コンデンサC9
1とICチップCHとを、さらに低抵抗、低インダクタ
ンスで接続することができる。なお、上記から容易に理
解できるように、IC対応部Qの周縁部に、すべての第
3スルーホール導体908Cを形成し、IC対応部Q内
には第3スルーホール導体を形成せず、第1スルーホー
ル導体908A及び第2スルーホール導体908Bのみ
形成するようにするのがさらに好ましい。IC対応部Q
における第1スルーホール導体908A及び第2スルー
ホール導体908Bの配置の自由度が、さらに大きくな
るからである。
Further, in the wiring board 900 and the core board 910, in consideration of the arrangement of the three types of through-hole conductors 908, the first through-hole conductor 908A and the second through-hole conductor 908B Is arranged to be larger than the third through-hole conductor 908C,
In addition, the third through-hole conductor 908C is configured such that the number of peripheral portions formed in the IC corresponding portion Q is larger than the number formed in the IC corresponding portion Q. Second through-hole conductor 908B
Can be easily formed, and the layered capacitor C9 can be easily formed.
1 and the IC chip CH can be connected with lower resistance and lower inductance. As can be easily understood from the above, all the third through-hole conductors 908C are formed on the peripheral portion of the IC corresponding portion Q, and the third through-hole conductor is not formed in the IC corresponding portion Q. More preferably, only the first through-hole conductor 908A and the second through-hole conductor 908B are formed. IC corresponding part Q
This is because the degree of freedom in the arrangement of the first through-hole conductor 908A and the second through-hole conductor 908B is further increased.

【0118】本実施形態のコア基板910及び配線基板
900は、上記実施形態1〜3に説明したのと同様の手
法によって形成すればよいので、同様な部分については
説明を省略する。なお、本実施形態4では、コア基板9
10において、スルーホール導体908の両端に閉塞部
906D,907Dを形成するので、閉塞部906D,
907Dの形成に関連する部分について、追加して説明
する。
Since the core substrate 910 and the wiring substrate 900 of this embodiment may be formed by the same method as described in the first to third embodiments, description of the same parts will be omitted. In the fourth embodiment, the core substrate 9
In FIG. 10, closing portions 906D and 907D are formed at both ends of the through-hole conductor 908.
Parts related to the formation of 907D will be additionally described.

【0119】まず、ベース金属板901の表面901A
及び裏面901Bに、それぞれ3層の複合誘電体層91
1〜916、及びこれらの層間に内側金属層902〜9
05を積層し、さらにその表面および裏面に銅箔を積層
した積層体を形成し、所定位置に貫通孔981を穿孔す
る。その後、貫通孔981内及び表面と裏面の銅箔に無
電解銅メッキ及び電解銅メッキを施し、貫通孔981内
にスルーホール導体908を形成する。このスルーホー
ル導体908内にエポキシ樹脂からなるプラグ材917
を充填し、上下面を整面した後に、銅箔の上部及びプラ
グ材の端部に無電解銅メッキ及び電解銅メッキを施す。
その後、積層体の表面および裏面の銅箔をサブトラクテ
ィブ法によりエッチングして、所定パターンの金属層9
06,907を形成する。これにより、スルーホール導
体908の両端は、閉塞部906D,907Dによって
閉塞され、この貫通孔981及びスルーホール導体90
8と略同軸で閉塞部906D,907D上に、ビア導体
925,935を形成できるようになる。
First, the surface 901A of the base metal plate 901
And three layers of composite dielectric layers 91 on the back surface 901B.
1 to 916, and an inner metal layer 902 to 9 between these layers.
Then, a laminate is formed by laminating copper foils on the front and back surfaces, and a through-hole 981 is formed at a predetermined position. Thereafter, electroless copper plating and electrolytic copper plating are performed on the copper foil inside the through hole 981 and on the front and back surfaces, and a through hole conductor 908 is formed inside the through hole 981. A plug material 917 made of epoxy resin is provided in the through-hole conductor 908.
After filling the upper and lower surfaces, electroless copper plating and electrolytic copper plating are applied to the upper part of the copper foil and the end of the plug material.
Thereafter, the copper foil on the front and back surfaces of the laminate is etched by a subtractive method to form a metal layer 9 having a predetermined pattern.
06,907. Thereby, both ends of the through-hole conductor 908 are closed by the closing portions 906D and 907D, and the through-hole 981 and the through-hole conductor 90 are closed.
8, via conductors 925 and 935 can be formed on the closed portions 906D and 907D.

【0120】(実施形態5)次いで、実施形態5につい
て説明する。上記実施形態1,2,3においては、いず
れもベース金属板の表裏面にそれぞれ2層の複合誘電体
層(合計4層)を積層し、実施形態4ではそれぞれ3層
の複合誘電体層(合計6層)を積層した例を示した。し
かし、これに対し、本実施形態5では、ベース金属板の
表裏面にそれぞれ1層ずつ積層する。即ち、図20に示
す本実施形態のコア基板1010は、上記実施形態1に
おいて、ベース金属板601の表裏面601A,601
Bにそれぞれ半硬化複合誘電体フィルム及び銅箔67
1,672を重ね、真空熱プレスして形成した中間積層
板620(図5参照)を積層板として用いる。
(Fifth Embodiment) Next, a fifth embodiment will be described. In the first, second, and third embodiments, two composite dielectric layers (a total of four layers) are respectively laminated on the front and back surfaces of the base metal plate. In this example, a total of six layers were stacked. On the other hand, in the fifth embodiment, one layer is laminated on each of the front and back surfaces of the base metal plate. That is, the core substrate 1010 of the present embodiment shown in FIG.
B shows a semi-cured composite dielectric film and a copper foil 67, respectively.
An intermediate laminate 620 (see FIG. 5) formed by laminating 1,672 layers and vacuum hot pressing is used as the laminate.

【0121】貫通孔形成工程として、この積層板620
の所定位置に、ベース金属板601を貫通し、内周面に
ベース金属板601が露出するベース接続用貫通孔10
61Aを穿孔する。また、ベース金属板601に形成し
た絶縁用貫通孔601Hの内部を、周囲に複合誘電体層
611,612を残して貫通し、内周面にベース金属板
601が露出しないベース絶縁用貫通孔1061B,1
061Cをも穿孔する。ついで、パターニング工程とし
て、無電解銅メッキ及び電解銅メッキにより、貫通孔1
061内にそれぞれメッキを形成して、それぞれスルー
ホール導体1007を形成する。さらに、スルーホール
導体1007内にエポキシ樹脂を充填してプラグ体10
16とし、表面620A及び裏面620Bを整面し、さ
らに、銅箔671,672及びその上に形成されたメッ
キ層をエッチングにより所定パターンの金属層100
2,1003に形成して、図20に示すコア基板101
0を完成させる。
As a through-hole forming step, this laminated plate 620 is formed.
At a predetermined position, the base connection through-hole 10 penetrating the base metal plate 601 and exposing the base metal plate 601 on the inner peripheral surface.
Drill 61A. A base insulating through hole 1061B penetrates through the inside of the insulating through hole 601H formed in the base metal plate 601 except for the composite dielectric layers 611 and 612 around the base metal plate 601 and the base metal plate 601 is not exposed on the inner peripheral surface. , 1
061C is also drilled. Then, as a patterning step, through-hole 1 was formed by electroless copper plating and electrolytic copper plating.
061 is plated to form through-hole conductors 1007, respectively. Further, the plug body 10 is filled by filling the through-hole conductor 1007 with epoxy resin.
16, the front surface 620A and the back surface 620B are leveled, and the copper foils 671, 672 and the plating layer formed thereon are etched to form a metal layer 100 having a predetermined pattern.
2, 1003, and the core substrate 101 shown in FIG.
Complete 0.

【0122】なお、上記実施形態5では、ベース積層工
程として、実施形態1における中間積層板の形成と同様
に、半硬化複合誘電体フィルム及び銅箔671,672
を重ね、真空熱プレスして積層板620を形成した。し
かし、図21に示すように、実施形態2で用いた二層フ
ィルム710を、ベース金属板601の表裏面に重ね、
真空熱プレスして、積層板620を形成しても良い。こ
のようにすると、半硬化複合誘電体フィルム及び銅箔6
71,672を別々にベース金属板601の表裏面に重
ねるよりも、取り扱いが容易になる。
In the fifth embodiment, the semi-cured composite dielectric film and the copper foils 671, 672 are used as the base laminating step, similarly to the formation of the intermediate laminate in the first embodiment.
Were stacked and vacuum hot pressed to form a laminate 620. However, as shown in FIG. 21, the two-layer film 710 used in the second embodiment is overlapped on the front and back surfaces of the base metal plate 601,
The laminate 620 may be formed by vacuum hot pressing. In this way, the semi-cured composite dielectric film and copper foil 6
The handling becomes easier than the case where 71 and 672 are separately stacked on the front and back surfaces of the base metal plate 601.

【0123】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、実施形態1で
は、半硬化複合誘電体フィルム及び銅箔671,672
を別々にベース金属板601の表裏面に重ね、あるいは
半硬化複合誘電体フィルム及び銅箔673,674を中
間積層板620の表裏面に重ねて真空熱プレスした。し
かし、上記実施形態4と同様に、ベース金属板601や
中間積層板620の表裏面に、実施形態2で用いた二層
フィルム710を重ねて真空熱プレスをすることもでき
る。このようにすると、熱プレスの回数は変化しない
が、半硬化複合誘電体フィルムと銅箔とを別々の重ねる
よりも、取り扱いが容易になる。また、例えば実施形態
1では、ビアホール621VH,631VH、開口部6
41H,651Hの形成には、フォトリソグラフィ技術
を用いたが、樹脂絶縁層621,631,641,65
1の形成の際、YAG,CO2、エキシマなどのレーザ
により孔あけしても良い。
In the above, the present invention has been described with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it is needless to say that the present invention can be appropriately modified and applied without departing from the gist thereof. Nor. For example, in the first embodiment, the semi-cured composite dielectric film and the copper foils 671, 672
Were separately laminated on the front and back surfaces of the base metal plate 601, or a semi-cured composite dielectric film and copper foils 673 and 674 were laminated on the front and back surfaces of the intermediate laminated plate 620 and vacuum hot pressed. However, similarly to the fourth embodiment, the two-layer film 710 used in the second embodiment can be stacked on the front and back surfaces of the base metal plate 601 and the intermediate laminated plate 620 and subjected to vacuum hot pressing. In this case, the number of times of hot pressing does not change, but the handling becomes easier than the case where the semi-cured composite dielectric film and the copper foil are separately laminated. Further, for example, in the first embodiment, the via holes 621VH and 631VH, the opening 6
Although the photolithography technique was used to form 41H and 651H, the resin insulating layers 621, 631, 641, 65
At the time of forming 1, holes may be formed by a laser such as YAG, CO 2, excimer, or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1にかかるコア基板の部分拡大断面図
である。
FIG. 1 is a partially enlarged cross-sectional view of a core substrate according to a first embodiment.

【図2】実施形態1にかかる配線基板の部分拡大断面図
である。
FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of the wiring board according to the first exemplary embodiment.

【図3】実施形態1にかかる配線基板であって、補強板
を含む配線基板全体を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the wiring board according to the first embodiment, showing the entire wiring board including a reinforcing plate.

【図4】実施形態1にかかるコア基板及び配線基板の製
造方法のうち、絶縁用貫通孔を形成した銅板を示す部分
拡大断面図である。
FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view showing a copper plate having an insulating through-hole formed in the method of manufacturing the core substrate and the wiring substrate according to the first embodiment.

【図5】実施形態1にかかるコア基板及び配線基板の製
造方法のうち、銅板の表面および裏面に複合誘電体層及
び銅箔を積層した状態、即ち中間積層板を示す部分拡大
断面図である。
FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view showing a state in which the composite dielectric layer and the copper foil are laminated on the front and back surfaces of the copper plate, that is, the intermediate laminated plate, in the method of manufacturing the core substrate and the wiring substrate according to the first embodiment. .

【図6】実施形態1にかかるコア基板及び配線基板の製
造方法のうち、積層した銅箔を所定パターンにパターン
ニングして金属層を形成した状態を示す部分拡大断面図
である。
FIG. 6 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a state in which a metal layer is formed by patterning a laminated copper foil into a predetermined pattern in the method for manufacturing a core substrate and a wiring substrate according to the first embodiment.

【図7】実施形態1にかかるコア基板及び配線基板の製
造方法のうち、さらに複合誘電体層及び銅箔を積層した
状態を示す部分拡大断面図である。
FIG. 7 is a partially enlarged cross-sectional view showing a state in which a composite dielectric layer and a copper foil are further laminated in the method of manufacturing the core substrate and the wiring substrate according to the first embodiment.

【図8】実施形態1にかかるコア基板及び配線基板の製
造方法のうち、積層板に貫通孔を穿孔した状態を示す部
分拡大断面図である。
FIG. 8 is a partially enlarged cross-sectional view showing a state in which a through hole is formed in the laminated board in the method of manufacturing the core board and the wiring board according to the first embodiment.

【図9】実施形態1にかかる配線基板の製造方法のう
ち、図8に示すコア基板の表裏面上に樹脂絶縁層及び配
線層を形成した状態を示す部分拡大断面図である。
9 is a partially enlarged cross-sectional view showing a state in which a resin insulating layer and a wiring layer are formed on the front and back surfaces of the core substrate shown in FIG. 8 in the method of manufacturing the wiring board according to the first embodiment.

【図10】実施形態2のコア基板の製造方法にかかり、
(a)は銅箔上に半硬化複合誘電体フィルムを形成した
二層フィルムの部分拡大断面図、(b)はさらに補強フ
ィルムを積層した補強フィルム付二層フィルム(三層フ
ィルム)の部分拡大断面図である。
FIG. 10 shows a method for manufacturing a core substrate according to the second embodiment,
(A) is a partially enlarged sectional view of a two-layer film in which a semi-cured composite dielectric film is formed on a copper foil, and (b) is a partially enlarged view of a two-layer film with a reinforcing film further laminated with a reinforcing film (three-layer film). It is sectional drawing.

【図11】実施形態2のコア基板の製造方法にかかり、
(a)は補強フィルム付二層フィルムの金属箔上にレジ
スト層を形成した状態、(b)はパターン化二層フィル
ム(パターン化三層フィルム)を形成した状態を示す部
分拡大断面図、(c)は他のパターン化二層フィルムの
部分拡大断面図である。
FIG. 11 shows a method for manufacturing a core substrate according to the second embodiment,
(A) is a state in which a resist layer is formed on a metal foil of a two-layer film with a reinforcing film, (b) is a partially enlarged cross-sectional view showing a state in which a patterned two-layer film (a patterned three-layer film) is formed, c) is a partially enlarged cross-sectional view of another patterned two-layer film.

【図12】実施形態2にかかるコア基板及び配線基板の
製造方法のうち、ベース金属板の表裏面に、それぞれパ
ターン化二層フィルム及び二層フィルム(補強フィルム
を剥がしたパターン化三層フィルム及び三層フィルム)
を順に積層する積層工程を示す説明図である。
FIG. 12 shows a method of manufacturing a core substrate and a wiring substrate according to the second embodiment, in which a patterned two-layer film and a two-layer film (a patterned three-layer film obtained by removing a reinforcing film, Three-layer film)
Is an explanatory view showing a laminating step of sequentially laminating the layers.

【図13】実施形態3にかかるコア基板及び配線基板の
製造方法にかかり、コア基板に形成するスルーホール導
体を並列に形成するため、積層板に貫通孔を穿孔した状
態を示す部分拡大断面図である。
FIG. 13 is a partially enlarged cross-sectional view showing a state in which a through-hole is perforated in a laminated board in order to form a through-hole conductor formed in the core substrate in parallel according to the method of manufacturing the core substrate and the wiring substrate according to the third embodiment. It is.

【図14】実施形態3にかかるコア基板の部分拡大断面
図である。
FIG. 14 is a partially enlarged cross-sectional view of a core substrate according to a third embodiment.

【図15】実施形態4にかかるコア基板の部分拡大断面
図である。
FIG. 15 is a partially enlarged cross-sectional view of a core substrate according to a fourth embodiment.

【図16】実施形態4にかかるコア基板のスルーホール
導体の配置を示す図である。
FIG. 16 is a diagram illustrating an arrangement of through-hole conductors of a core substrate according to a fourth embodiment.

【図17】実施形態4にかかる配線基板の部分拡大断面
図である。
FIG. 17 is a partially enlarged sectional view of a wiring board according to a fourth embodiment;

【図18】実施形態4にかかる配線基板の平面図であ
る。
FIG. 18 is a plan view of a wiring board according to a fourth embodiment.

【図19】実施形態4にかかる配線基板の底面図であ
る。
FIG. 19 is a bottom view of the wiring board according to the fourth embodiment.

【図20】実施形態5にかかるコア基板の部分拡大断面
図である。
FIG. 20 is a partially enlarged cross-sectional view of a core substrate according to a fifth embodiment.

【図21】実施形態5にかかるコア基板の製造方法のう
ち、ベース金属板の表裏面に、それぞれ二層フィルム
(補強フィルムを剥がした三層フィルム)を積層するベ
ース積層工程を示す説明図である。
FIG. 21 is an explanatory view showing a base laminating step of laminating two-layer films (three-layer films from which a reinforcing film has been removed) on the front and back surfaces of a base metal plate, respectively, in the method for manufacturing a core substrate according to the fifth embodiment. is there.

【図22】下面にチップコンデンサを搭載した従来の配
線基板を示す部分拡大断面図である。
FIG. 22 is a partially enlarged cross-sectional view showing a conventional wiring board having a chip capacitor mounted on a lower surface.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

610,810,910,1010 コア基板 610A,810A,910A コア基板表面 610B,810B,910B コア基板裏面 600,900 配線基板 601,801,901 ベース金属板 601H,801H,901H 絶縁用貫通孔 611,612,613,614,911,912,9
13,914,915,916 複合誘電体層 602,603,604,605,802,803,8
04,805,902,903,904,905,10
02,1003 金属層 661,861,981,1061 貫通孔 607,807,908,1007 スルーホール導体 C61,C81,C91 層状コンデンサ 621,631,641,651、921,931,9
41,951,961,971 樹脂絶縁層 625,635,925,935,945,955 配
線層 625V,635V,925V,935V,945V,
955V ビア導体 671,672,673,674,711 銅箔(金属
箔) 710 二層フィルム 730 補強フィルム付二層フィルム(三層フィルム) 712 半硬化複合誘電体フィルム 713,714 パターン化銅箔(パターン化金属箔) RF 補強フィルム 630,830 積層板
610, 810, 910, 1010 Core substrate 610A, 810A, 910A Core substrate front surface 610B, 810B, 910B Core substrate rear surface 600, 900 Wiring substrate 601, 801 901 Base metal plate 601H, 801H, 901H Insulating through holes 611, 612 , 613,614,911,912,9
13,914,915,916 Composite dielectric layer 602,603,604,605,802,803,8
04,805,902,903,904,905,10
02,1003 Metal layer 661,861,981,1061 Through hole 607,807,908,1007 Through hole conductor C61, C81, C91 Layered capacitor 621,631,641,651,921,931,9
41,951,961,971 Resin insulating layer 625,635,925,935,945,955 Wiring layer 625V, 635V, 925V, 935V, 945V,
955V Via conductor 671, 672, 673, 674, 711 Copper foil (metal foil) 710 Two-layer film 730 Two-layer film with reinforcing film (three-layer film) 712 Semi-cured composite dielectric film 713, 714 Patterned copper foil (pattern) Metal foil) RF reinforcing film 630,830 Laminated plate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 幸樹 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 小寺 英司 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yuki Ogawa 14-18 Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Inside Japan Special Ceramics Co., Ltd. (72) Eiji Kodera 14th Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture No. 18 Japan Special Ceramics Co., Ltd.

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】コア基板と、上記コア基板の表面及び裏面
にそれぞれ積層された樹脂絶縁層と、上記コア基板の表
面側及び裏面側において、上記コア基板と上記樹脂絶縁
層の間及び上記樹脂絶縁層同士の間の少なくともいずれ
かに形成された配線層と、を有する配線基板であって、 上記コア基板は、 ベース金属板と、 樹脂および高誘電体粉末を含む複数の複合誘電体層と、 上記ベース金属板より厚さの薄い複数の金属層と、 を備え、 上記複合誘電体層と金属層とは、上記ベース金属板の表
面と裏面のそれぞれに交互に積層され、 上記ベース金属板とこれに隣り合う金属層とが、また
は、上記ベース金属板とこれに隣り合う金属層及び隣り
合う金属層同士が、上記複合誘電体層を挟んで対向して
層状コンデンサを構成する配線基板。
A core substrate, a resin insulating layer laminated on the front surface and the back surface of the core substrate, and a resin substrate between the core substrate and the resin insulating layer on the front surface and the back surface of the core substrate; A wiring layer formed on at least one of the insulating layers, wherein the core substrate comprises: a base metal plate; a plurality of composite dielectric layers containing a resin and a high dielectric powder; A plurality of metal layers having a thickness smaller than that of the base metal plate; and the composite dielectric layer and the metal layer are alternately laminated on the front surface and the back surface of the base metal plate, respectively. And a metal layer adjacent thereto, or a wiring board which constitutes a layered capacitor in which the base metal plate and the metal layer adjacent thereto and the adjacent metal layers face each other with the composite dielectric layer interposed therebetween.
【請求項2】請求項1に記載の配線基板であって、前記
配線基板には、配線基板の剛性を補強する補強板が貼り
付けられてなる配線基板。
2. The wiring board according to claim 1, wherein a reinforcing plate for reinforcing the rigidity of the wiring board is attached to the wiring board.
【請求項3】請求項1または請求項2に記載の配線基板
であって、 前記コア基板は、 前記コア基板の表面と裏面との間を貫通する貫通孔の内
部に形成されたスルーホール導体を備え、 上記スルーホール導体は、 前記層状コンデンサの一方の電極に接続する第1スルー
ホール導体と、 上記層状コンデンサの他方の電極に接続する第2スルー
ホール導体と、 上記一方の電極及び他方の電極のいずれとも絶縁する第
3スルーホール導体と、 を含む、配線基板。
3. The wiring board according to claim 1, wherein the core substrate is a through-hole conductor formed inside a through-hole penetrating between a front surface and a back surface of the core substrate. A first through-hole conductor connected to one electrode of the layered capacitor; a second through-hole conductor connected to the other electrode of the layered capacitor; and the one electrode and the other A third through-hole conductor insulated from any of the electrodes;
【請求項4】請求項1〜請求項3のいずれかに記載の配
線基板であって、 前記コア基板の貫通孔は、レーザ加工により形成されて
なる配線基板。
4. The wiring board according to claim 1, wherein the through holes in the core board are formed by laser processing.
【請求項5】コア基板と、上記コア基板の表面及び裏面
にそれぞれ積層された樹脂絶縁層と、上記コア基板の表
面側及び裏面側において、上記コア基板と上記樹脂絶縁
層の間及び上記樹脂絶縁層同士の間の少なくともいずれ
かに形成された配線層と、を有する配線基板であって、 上記コア基板は、 表面および裏面を有するベース金属板と、 樹脂および高誘電体粉末を含む複数の複合誘電体層と、 上記ベース金属板より厚さの薄い複数の金属層と、 複数のスルーホール導体と、 を備え、 上記複合誘電体層と金属層とは、上記ベース金属板の表
面と裏面のそれぞれに上記複合誘電体層、金属層の順に
交互に積層され、 上記金属層は、複合誘電体層の層間、コア基板裏面方向
最外側の上記複合誘電体層の裏面及びコア基板表面方向
最外側の上記複合誘電体層の表面に位置し、 上記ベース金属板とこれに隣り合う金属層、または上記
ベース金属板とこれに隣り合う金属層及び隣り合う金属
層同士が、上記複合誘電体層を挟んで対向して層状コン
デンサを構成し、 上記複数のスルーホール導体は、 上記ベース金属板、複数の複合誘電体層及び複数の金属
層を貫通する貫通孔内に形成され、上記コア基板表面及
びコア基板裏面まで延び、 上記ベース金属板に、または上記ベース金属板及び上記
複合誘電体層の層間に形成された内側の金属層のうち上
記ベース金属板から数えて偶数番目の内側金属層に直接
接続する複数の第1スルーホール導体と、 上記内側の金属層のうち上記ベース金属板から数えて奇
数番目の内側金属層に直接接続する複数の第2スルーホ
ール導体と、 上記ベース金属層及び上記内側の金属層のいずれとも非
導通の複数の第3スルーホール導体と、 を含む、配線基板。
5. A core substrate, a resin insulating layer laminated on a front surface and a rear surface of the core substrate, respectively, and a space between the core substrate and the resin insulating layer and the resin resin on a front surface and a rear surface of the core substrate. A wiring layer formed on at least one of the insulating layers, wherein the core substrate comprises: a base metal plate having a front surface and a back surface; and a plurality of resins including a resin and a high dielectric powder. A composite dielectric layer, a plurality of metal layers thinner than the base metal plate, and a plurality of through-hole conductors, wherein the composite dielectric layer and the metal layer are a front surface and a back surface of the base metal plate. Are alternately laminated in the order of the composite dielectric layer and the metal layer in this order. The metal layer is located between the composite dielectric layers, the outermost surface of the composite dielectric layer on the outermost side in the core substrate rear surface direction, and the outermost in the core substrate surface direction. On the outside Located on the surface of the composite dielectric layer, the base metal plate and the metal layer adjacent thereto, or the base metal plate and the metal layer adjacent thereto and the adjacent metal layers sandwich the composite dielectric layer The plurality of through-hole conductors are opposed to each other, and the plurality of through-hole conductors are formed in through-holes penetrating the base metal plate, the plurality of composite dielectric layers, and the plurality of metal layers. Extends to the back surface, and is directly connected to the base metal plate or to an even-numbered inner metal layer counted from the base metal plate among the inner metal layers formed between the base metal plate and the composite dielectric layer A plurality of first through-hole conductors; a plurality of second through-hole conductors directly connected to an odd-numbered inner metal layer of the inner metal layer counted from the base metal plate; A plurality of third through-hole conductors that are non-conductive to both the layer and the inner metal layer.
【請求項6】請求項5に記載の配線基板であって、前記
配線基板には、配線基板の剛性を補強する補強板が貼り
付けられてなる配線基板。
6. The wiring board according to claim 5, wherein a reinforcing plate for reinforcing the rigidity of the wiring board is attached to the wiring board.
【請求項7】請求項5または請求項6に記載の配線基板
であって、 前記コア基板の貫通孔は、レーザ加工により形成されて
なる配線基板。
7. The wiring board according to claim 5, wherein the through-hole of the core substrate is formed by laser processing.
【請求項8】請求項5〜請求項7のいずれかに記載の配
線基板であって、 前記第1スルーホール導体、第2スルーホール導体、及
び第3スルーホール導体に属するスルーホール導体のう
ち少なくともいずれかは、互いに近接した位置に形成さ
れた複数の前記貫通孔内にそれぞれ形成され、かつ、互
いに導通する複数のスルーホール導体からなるスルーホ
ール導体の組である配線基板。
8. The wiring board according to claim 5, wherein the first through-hole conductor, the second through-hole conductor, and the third through-hole conductor belong to the third through-hole conductor. At least one of the wiring boards is a set of through-hole conductors formed in a plurality of through-holes formed at positions adjacent to each other and formed of a plurality of through-hole conductors that are conductive to each other.
【請求項9】請求項5〜請求項8のいずれかに記載の配
線基板であって、 前記コア基板のうち、 上記配線基板の表面に搭載されるICチップの搭載位置
を厚さ方向に投影してなるIC対応部には、前記3種の
スルーホール導体のうち、前記第1スルーホール導体及
び第2スルーホール導体が形成され、前記第3スルーホ
ール導体は、形成されない、またはこのIC対応部に形
成された前記第1スルーホール導体と第2スルーホール
導体の和よりも少数形成され、 上記IC対応部の周縁部には、上記第3スルーホール導
体が上記IC対応部よりも多く形成されている配線基
板。
9. The wiring board according to claim 5, wherein a mounting position of an IC chip mounted on a surface of the wiring board in the core board is projected in a thickness direction. The first through-hole conductor and the second through-hole conductor among the three types of through-hole conductors are formed in the IC-compatible portion, and the third through-hole conductor is not formed, or The number of the first through-hole conductors and the number of the second through-hole conductors formed in the portion are smaller than the sum of the first through-hole conductors and the second through-hole conductors. Wiring board.
【請求項10】請求項5〜請求項9のいずれかに記載の
配線基板であって、 前記ベース金属板の厚さは、30μm以上、100μm
以下である配線基板。
10. The wiring board according to claim 5, wherein said base metal plate has a thickness of 30 μm or more and 100 μm or more.
A wiring board that is:
【請求項11】その表面及び裏面に樹脂絶縁層及び配線
層を形成して配線基板とするためのコア基板であって、 ベース金属板と、 樹脂および高誘電体粉末を含む複数の複合誘電体層と、 上記ベース金属板より厚さの薄い複数の金属層と、を備
え、 上記複合誘電体層と金属層とは、上記ベース金属板の表
面と裏面のそれぞれに交互に積層され、 上記ベース金属板とこれに隣り合う金属層とが、また
は、上記ベース金属板とこれに隣り合う金属層及び隣り
合う金属層同士が、上記複合誘電体層を挟んで対向して
層状コンデンサを構成するコア基板。
11. A core substrate for forming a wiring substrate by forming a resin insulating layer and a wiring layer on the front and back surfaces thereof, comprising: a base metal plate; a plurality of composite dielectrics including a resin and a high dielectric powder. And a plurality of metal layers having a thickness smaller than that of the base metal plate. The composite dielectric layer and the metal layer are alternately stacked on the front surface and the back surface of the base metal plate, respectively. A core comprising a metal plate and a metal layer adjacent thereto, or the base metal plate and a metal layer adjacent thereto and adjacent metal layers facing each other with the composite dielectric layer interposed therebetween to constitute a layered capacitor; substrate.
【請求項12】その表面及び裏面に1または複数の樹脂
絶縁層及び配線層を形成して配線基板とするためのコア
基板であって、 表面および裏面を有するベース金属板と、 樹脂および高誘電体粉末を含む複数の複合誘電体層と、 上記ベース金属板より厚さの薄い複数の金属層と、 複数のスルーホール導体と、を備え、 上記複合誘電体層と金属層とは、上記ベース金属板の表
面と裏面のそれぞれに上記複合誘電体層、金属層の順に
交互に積層され、 上記金属層は、複合誘電体層の層間、コア基板裏面方向
最外側の上記複合誘電体層の裏面及びコア基板表面方向
最外側の上記複合誘電体層の表面に位置し、 上記ベース金属板とこれに隣り合う金属層、または上記
ベース金属板とこれに隣り合う金属層及び隣り合う金属
層同士が、上記複合誘電体層を挟んで対向して層状コン
デンサを構成し、 上記複数のスルーホール導体は、 上記ベース金属板、複数の複合誘電体層及び複数の金属
層を貫通する貫通孔内に形成され、上記コア基板表面及
びコア基板裏面まで延び、 上記ベース金属板に、または上記ベース金属板及び上記
複合誘電体層の層間に形成された内側の金属層のうち上
記ベース金属板から数えて偶数番目の内側金属層に直接
接続する複数の第1スルーホール導体と、 上記内側の金属層のうち上記ベース金属層から数えて奇
数番目の内側金属層に直接接続する複数の第2スルーホ
ール導体と、 上記ベース金属層及び上記内側の金属層のいずれとも非
導通の複数の第3スルーホール導体と、 を含む、コア基板。
12. A core substrate for forming a wiring substrate by forming one or more resin insulating layers and wiring layers on the front and rear surfaces thereof, comprising: a base metal plate having front and rear surfaces; A plurality of composite dielectric layers containing body powder, a plurality of metal layers thinner than the base metal plate, and a plurality of through-hole conductors, wherein the composite dielectric layer and the metal layer are The composite dielectric layer and the metal layer are alternately laminated on the front surface and the rear surface of the metal plate in this order, and the metal layer is between the composite dielectric layers and the back surface of the outermost composite dielectric layer in the core substrate rear surface direction. And located on the outermost surface of the composite dielectric layer in the core substrate surface direction, the base metal plate and the metal layer adjacent thereto, or the base metal plate and the metal layer adjacent thereto and the adjacent metal layer , The above composite dielectric A plurality of through-hole conductors are formed in a through-hole penetrating the base metal plate, the plurality of composite dielectric layers and the plurality of metal layers; An even-numbered inner metal layer extending from the base metal plate, extending to the front surface and the back surface of the core substrate, among the inner metal layers formed on the base metal plate or between the base metal plate and the composite dielectric layer A plurality of first through-hole conductors directly connected to the base metal layer; a plurality of second through-hole conductors directly connected to an odd-numbered inner metal layer counted from the base metal layer in the inner metal layer; And a plurality of third through-hole conductors that are non-conductive to any of the inner metal layers.
【請求項13】請求項12に記載のコア基板であって、 前記第1スルーホール導体、第2スルーホール導体、及
び第3スルーホール導体に属するスルーホール導体のう
ち少なくともいずれかが、互いに近接した位置に形成さ
れ組をなす複数の前記貫通孔内にそれぞれ形成され、か
つ、互いに導通する複数のスルーホール導体からなるス
ルーホール導体の組であるコア基板。
13. The core substrate according to claim 12, wherein at least one of the first through-hole conductor, the second through-hole conductor, and the through-hole conductor belonging to the third through-hole conductor are close to each other. A core substrate, which is a set of through-hole conductors formed in a plurality of through-hole conductors formed in a set and formed in a plurality of through-hole conductors and electrically connected to each other.
【請求項14】請求項12または請求項13に記載のコ
ア基板であって、 コア基板の平面方向中央部には、前記3種のスルーホー
ル導体のうち、前記第1スルーホール導体及び第2スル
ーホール導体が形成され、前記第3スルーホール導体
は、形成されない、またはこの中央部に形成された前記
第1スルーホール導体と第2スルーホール導体との和よ
りも少数形成されており、 コア基板の平面方向周縁部には、上記第3スルーホール
導体が上記中央部よりも多数形成されているコア基板。
14. The core substrate according to claim 12, wherein the first through-hole conductor and the second through-hole conductor of the three types of through-hole conductors are provided at a central portion in the plane direction of the core substrate. A through-hole conductor is formed, and the third through-hole conductor is not formed, or is formed in a smaller number than the sum of the first through-hole conductor and the second through-hole conductor formed at the center thereof; A core substrate, wherein a larger number of the third through-hole conductors are formed at a peripheral edge in a planar direction of the substrate than at the central portion.
【請求項15】ベース金属板、及び、上記ベース金属板
の表面及び裏面に1層ずつ積層された、樹脂および高誘
電体粉末を含む複合誘電体層と上記ベース金属板より厚
さの薄い金属層とを有し、上記ベース金属板とこれに隣
り合う上記金属層とが、上記複合誘電体層を挟んで対向
して層状コンデンサを構成するコア基板の製造方法であ
って、 所定位置に絶縁用貫通孔を形成してなる上記ベース金属
板の表面と裏面のそれぞれに、複合誘電体層と金属箔と
がこの順に積層された積層板を形成する積層板形成工程
と、 上記積層板の表面と裏面との間に貫通孔を形成する貫通
孔形成工程であって、上記ベース金属板に形成した上記
絶縁用貫通孔の内部を、周囲に上記複合誘電体層を残し
て貫通し、内周面に上記ベース金属板が露出しないベー
ス絶縁用貫通孔と、上記ベース金属板を貫通し、内周面
に上記ベース金属板が露出するベース接続用貫通孔と、
を形成する貫通孔形成工程と、 上記ベース絶縁用貫通孔及びベース接続用貫通孔内にス
ルーホール導体層を形成し、上記積層板の表面及び裏面
の金属箔をそれぞれ所定パターンの金属層に成形するパ
ターニング工程と、を備えるコア基板の製造方法。
15. A base metal plate, a composite dielectric layer containing a resin and a high dielectric powder laminated one by one on the front and back surfaces of the base metal plate, and a metal thinner than the base metal plate. A method of manufacturing a core substrate, comprising: a base capacitor, wherein the base metal plate and the metal layer adjacent to the base metal plate face each other with the composite dielectric layer interposed therebetween to form a layered capacitor. A laminate forming step of forming a laminate in which a composite dielectric layer and a metal foil are laminated in this order on the front and back surfaces of the base metal plate having the through holes formed therein, respectively; A through-hole forming step of forming a through-hole between the base metal plate, and penetrates through the inside of the insulating through-hole formed in the base metal plate, leaving the composite dielectric layer therearound. Above the base where the base metal plate is not exposed And use the through-hole, and the base metal plate and the through-base connection through holes exposing the said base metal plate on the inner peripheral surface,
Forming a through-hole conductor layer in the base insulating through-hole and the base connecting through-hole, and forming the metal foils on the front and back surfaces of the laminate into metal layers of a predetermined pattern, respectively. And a patterning step.
【請求項16】請求項15に記載のコア基板の製造方法
であって、 前記積層板形成工程は、 前記ベース金属板の表面と裏面のそれぞれに、半硬化の
樹脂及び高誘電体粉末を含む半硬化複合誘電体フィルム
と金属箔とが積層された二層フィルムを重ね、熱プレス
して前記積層板を形成するベース積層工程を含むコア基
板の製造方法。
16. The method for manufacturing a core substrate according to claim 15, wherein in the step of forming a laminated plate, a semi-cured resin and a high dielectric powder are respectively provided on a front surface and a back surface of the base metal plate. A method of manufacturing a core substrate, comprising a base laminating step of laminating a two-layer film in which a semi-cured composite dielectric film and a metal foil are laminated, and hot pressing to form the laminate.
【請求項17】ベース金属板、及び、上記ベース金属板
の表面及び裏面のそれぞれに交互に積層された、樹脂お
よび高誘電体粉末を含む複数の複合誘電体層と上記ベー
ス金属板より厚さの薄い複数の金属層、を有し、上記ベ
ース金属板とこれに隣り合う上記金属層及び隣り合う上
記金属層同士が、上記複合誘電体層を挟んで対向して層
状コンデンサを構成するコア基板の製造方法であって、 所定位置に絶縁用貫通孔を形成してなる上記ベース金属
板の表面と裏面のそれぞれに、複合誘電体層と所定パタ
ーンの金属層とがこの順に交互に積層され、積層された
最外の複合誘電体層の最外面にそれぞれ金属箔が積層さ
れた積層板を形成する積層板形成工程と、 上記積層板の表面と裏面の間に貫通孔を形成する貫通孔
形成工程であって、 上記ベース金属板が、または上記ベース金属板及び上記
所定パターンの金属層のうちベース金属板から数えて偶
数番目の金属層が内周面に露出する第1貫通孔と、 上記絶縁用貫通孔内を貫通し上記ベース金属板が内周面
に露出せず、上記所定パターンの金属層のうちベース金
属板から数えて奇数番目の金属層が内周面に露出する第
2貫通孔と、 上記ベース金属板及び上記所定パターンの金属層のいず
れも内周面に露出しない第3貫通孔と、 を形成する貫通孔形成工程と、 上記貫通孔内にスルーホール導体層を形成し、上記積層
板の表面及び裏面の金属箔をそれぞれ所定パターンの金
属層に成形するパターニング工程と、を備えるコア基板
の製造方法。
17. A base metal plate, and a plurality of composite dielectric layers containing resin and high dielectric powder alternately laminated on the front and back surfaces of the base metal plate, respectively, and a thickness greater than that of the base metal plate. Core substrate having a plurality of thin metal layers, the base metal plate and the adjacent metal layers and the adjacent metal layers facing each other with the composite dielectric layer interposed therebetween to constitute a layered capacitor. The manufacturing method of, wherein a composite dielectric layer and a metal layer of a predetermined pattern are alternately laminated in this order on each of the front and back surfaces of the base metal plate formed with insulating through holes at predetermined positions, A laminate forming step of forming a laminate in which a metal foil is laminated on the outermost surface of the laminated outermost composite dielectric layer, and a through-hole forming a through-hole between the front surface and the back surface of the laminate Process A metal plate or a first through hole in which an even-numbered metal layer of the base metal plate and the predetermined pattern of metal layers counted from the base metal plate is exposed on an inner peripheral surface; and a through hole in the insulating through hole. A second through-hole in which the base metal plate is not exposed on the inner peripheral surface and an odd-numbered metal layer counted from the base metal plate among the metal layers of the predetermined pattern is exposed on the inner peripheral surface; And a third through-hole in which none of the metal layers of the predetermined pattern is exposed on the inner peripheral surface; and a through-hole forming step of forming: a through-hole conductor layer in the through-hole; A patterning step of forming each of the metal foils on the back surface into a metal layer having a predetermined pattern.
【請求項18】請求項17に記載のコア基板の製造方法
であって、 前記積層板形成工程は、 上記ベース金属板の表面および裏面のそれぞれに、また
はその表面及び裏面に所定パターンの金属層を有する中
間積層板の表面及び裏面のそれぞれに、半硬化複合誘電
体フィルムと金属箔とを重ね、熱プレスして上記ベース
金属板または上記中間積層板の表面および裏面に複合誘
電体層と金属箔とを積層する積層プレス工程と、 上記金属箔を所定パターンの金属層に成形する金属箔パ
ターニング工程と、を含むコア基板の製造方法。
18. The method for manufacturing a core substrate according to claim 17, wherein the step of forming the laminated board includes the step of forming a metal layer having a predetermined pattern on each of a front surface and a back surface of the base metal plate. A semi-cured composite dielectric film and a metal foil are superimposed on each of the front and back surfaces of the intermediate laminate having, and hot pressed to form a composite dielectric layer and metal on the front and back surfaces of the base metal plate or the intermediate laminate. A method for manufacturing a core substrate, comprising: a laminating press step of laminating a foil; and a metal foil patterning step of forming the metal foil into a metal layer having a predetermined pattern.
【請求項19】請求項17に記載のコア基板の製造方法
であって、 前記積層板形成工程は、 前記ベース金属板の表面及び裏面のそれぞれに、半硬化
の樹脂及び高誘電体粉末を含む半硬化複合誘電体フィル
ムと所定パターンに成形されたパターン化金属箔とが積
層されたパターン化二層フィルムを少なくとも1枚以上
積層し、半硬化の樹脂及び高誘電体粉末を含む半硬化複
合誘電体フィルムと金属箔とが積層された二層フィルム
を積層し、熱プレスして前記積層板を形成する二層フィ
ルム積層プレス工程を含むコア基板の製造方法。
19. The method for manufacturing a core substrate according to claim 17, wherein the step of forming the laminate includes a semi-cured resin and a high dielectric powder on each of a front surface and a back surface of the base metal plate. At least one or more patterned two-layer films in which a semi-cured composite dielectric film and a patterned metal foil formed in a predetermined pattern are laminated, and a semi-cured composite dielectric containing a semi-cured resin and a high dielectric powder A method for manufacturing a core substrate, comprising: a two-layer film laminating press step of laminating a two-layer film in which a body film and a metal foil are laminated, and hot pressing to form the laminate.
【請求項20】請求項15〜請求項19のいずれかに記
載のコア基板の製造方法であって、 前記貫通孔形成工程は、 レーザにより前記貫通孔を形成するコア基板の製造方
法。
20. The method of manufacturing a core substrate according to claim 15, wherein said through hole forming step includes forming said through hole by a laser.
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