JP2000243557A - Organic electroluminescence element and its manufacture - Google Patents

Organic electroluminescence element and its manufacture

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JP2000243557A
JP2000243557A JP11358652A JP35865299A JP2000243557A JP 2000243557 A JP2000243557 A JP 2000243557A JP 11358652 A JP11358652 A JP 11358652A JP 35865299 A JP35865299 A JP 35865299A JP 2000243557 A JP2000243557 A JP 2000243557A
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electrode
substrate
resin
organic electroluminescent
electroluminescent device
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義夫 姫島
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescence element capable of efficiently, stably suppressing time-dependent enlargement of a dark spot and provide its production method. SOLUTION: A luminescent layer containing a first electrode 2 formed on a substrate 1, a thin film layer formed on the first electrode 2 and containing a luminescent layer 6 made of at least an organic compound, and a second electrode 8 formed on the thin film layer is sealed with the substrate 1 and a sealing plate 21 arranged on the second electrode 8 side, and heat resistant temperature after curing of adhesive resin used in sealing is specified to higher than 80 deg.C.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トパネルディスプレイ、バックライト、インテリアなど
の分野に利用可能な有機電界発光素子およびその製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device that can be used in fields such as display devices, flat panel displays, backlights, and interiors, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】有機電界発光素子は陽極から注入された
正孔と陰極から注入された電子とが両極に挟まれた有機
発光層内で再結合することにより発光するものである。
その代表的な構造は、ガラス基板上に透明な第一電極
(陽極)、正孔輸送層、有機発光層、第二電極(陰極)
を積層したものであり、駆動により生じた発光は第一電
極およびガラス基板を通じて外部に取り出される。この
ような有機電界発光素子では薄型、低電圧駆動下での高
輝度発光や、有機発光材料を選択することによる多色発
光が可能であり、発光デバイスやディスプレイなどに応
用する検討が盛んである。
2. Description of the Related Art An organic electroluminescent device emits light when holes injected from an anode and electrons injected from a cathode are recombined in an organic light emitting layer sandwiched between both electrodes.
A typical structure is a transparent first electrode (anode), hole transport layer, organic light emitting layer, and second electrode (cathode) on a glass substrate.
The light emission generated by the driving is extracted to the outside through the first electrode and the glass substrate. Such an organic electroluminescent element can be thin, emit high-intensity light under low-voltage driving, and emit multicolor light by selecting an organic light-emitting material. Applications to light-emitting devices and displays are being studied. .

【0003】有機電界発光素子における問題点の1つと
して、ダークスポットと呼ばれる非発光部分の面積が経
時的に大きくなることが挙げられる。このような特性劣
化を引き起こす原因は水分であることが知られている。
すなわち、水分が第二電極の欠陥などから有機薄膜層内
に浸入し、素子を不活性化するものである。
One of the problems in the organic electroluminescent device is that the area of a non-light-emitting portion called a dark spot increases with time. It is known that the cause of such characteristic deterioration is moisture.
That is, moisture enters the organic thin film layer due to a defect of the second electrode or the like, and inactivates the element.

【0004】このようなダークスポットの拡大を防止す
るためには、有機電界発光素子を低湿度雰囲気下に保つ
ことが必要であり、通常は水分等の外的環境から素子を
保護する目的で封止手段が用いられてきた。該手段は素
子と封止材とを接着手段を介して封止するにあたり、素
子が2枚の基板で封着されている方法(特開平1−31
3892号公報)を始めとし、酸化物やフッ化物等の水
分遮蔽性を有する保護膜を形成する方法(特開平4−2
12284号公報)、乾燥剤を封止素子内部に封入する
方法(特開平6−176867号公報)など多岐にわた
る。
[0004] In order to prevent such dark spots from expanding, it is necessary to keep the organic electroluminescent device in a low humidity atmosphere. Usually, the organic electroluminescent device is sealed for the purpose of protecting the device from an external environment such as moisture. Stop means have been used. In this method, when the element and the sealing material are sealed via the bonding means, the element is sealed with two substrates (Japanese Patent Laid-Open No. 1-31).
3892) and a method of forming a protective film having a moisture shielding property such as an oxide or a fluoride (Japanese Patent Laid-Open No. 4-2).
12284), and a method of encapsulating a desiccant in a sealing element (Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-176867).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術では主に接着手段の水分遮蔽能の低下による素子内部
への水分侵入や、水分遮蔽能を有する無機保護膜では成
膜時に素子にダメージを与え易いなど多くの問題点があ
り、ダークスポットの拡大を充分に抑制することは出来
なかった。
However, in the prior art, the penetration of water into the element mainly due to the decrease in the moisture shielding ability of the bonding means, and the inorganic protective film having the moisture shielding ability may damage the element at the time of film formation. There are many problems such as ease of use, and the enlargement of dark spots cannot be sufficiently suppressed.

【0006】本発明はかかる問題を解決し、乾燥剤等が
なくてもダークスポットの経時的拡大を十分かつ安定に
抑制することが可能な有機電界発光素子およびその製造
方法を提供することが目的である。
An object of the present invention is to solve such a problem and to provide an organic electroluminescent device capable of sufficiently and stably suppressing the temporal expansion of a dark spot without a desiccant or the like, and a method of manufacturing the same. It is.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された第一電極と、前記第一電極上に形成された少なく
とも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層と、前記薄
膜層上に形成された第二電極とを含む発光素子が、基板
と第二電極側に配置された封止板によって封止され、封
止に用いられる接着樹脂の硬化後の耐熱温度が80℃よ
り大きいことを特徴とする有機電界発光素子およびその
製造方法である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a first electrode formed on a substrate, a thin film layer formed on the first electrode, the light emitting layer comprising at least an organic compound, and a thin film layer formed on the thin film layer. The light-emitting element including the second electrode formed on the substrate is sealed with a substrate and a sealing plate disposed on the second electrode side, and the heat-resistant temperature after curing of the adhesive resin used for sealing is higher than 80 ° C. An organic electroluminescent device and a method for manufacturing the same.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下では本発明を詳しく説明する
が、本発明は例示した形式や構造をもつ有機電界発光素
子の製造方法に限定されるわけではない。したがって、
単一発光素子、セグメント型、単純マトリクス型、アク
ティブマトリクス型などの発光素子の形式や、カラー、
モノクロなどの発光色数を問わず任意の構造の有機電界
発光素子に適用することが可能である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited to a method of manufacturing an organic electroluminescent device having the exemplified form and structure. Therefore,
Single light emitting element, segment type, simple matrix type, active matrix type and other light emitting element types, colors,
The present invention can be applied to an organic electroluminescent device having an arbitrary structure irrespective of the number of emission colors such as monochrome.

【0009】本発明における有機電界発光素子の構成部
材には、例えば図1に示す素子では、基板1、封止板2
1、接着手段22など封止内部空間23に接するすべて
の部材が含まれる。素子構成によっては、配線、コネク
ター、引き出し電極、素子表面を覆う保護フィルムなど
も含まれる場合があり、構成部材は特に限定されるわけ
ではない。
The components of the organic electroluminescent device according to the present invention include, for example, a substrate 1 and a sealing plate 2 in the device shown in FIG.
1, all the members in contact with the sealing internal space 23, such as the bonding means 22, are included. Depending on the element configuration, a wiring, a connector, a lead electrode, a protective film covering the element surface, and the like may be included, and the constituent members are not particularly limited.

【0010】接着手段22は室温以上において安定な接
着強度を保持する耐熱性の樹脂が用いられる。樹脂とし
ては、エポキシ系、シリコーン系、アクリル系、ウレタ
ン系などの材料を用いることができるが、比較的優れた
耐熱性及び接着性を有するエポキシ系接着剤を用いるこ
とが望ましい。エポキシ樹脂は1液硬化型、2液硬化
型、紫外線硬化型など種々のものがあるが、いずれのも
のであっても構わない。
The bonding means 22 is made of a heat-resistant resin which maintains stable bonding strength at room temperature or higher. As the resin, an epoxy-based material, a silicone-based material, an acrylic-based material, a urethane-based material, or the like can be used, and it is preferable to use an epoxy-based adhesive having relatively excellent heat resistance and adhesiveness. There are various types of epoxy resins, such as a one-component curing type, a two-component curing type, and an ultraviolet curing type, but any one may be used.

【0011】有機電界発光素子は薄型、低電圧駆動下の
高輝度発光など優れた特性を有することから様々な分野
での応用が検討されている。例えば車載用のディスプレ
イや屋外展示用ディスプレイとして用いられる場合、保
存や使用環境における温度は氷点下から80℃以上の高
温にまで至るが、この時安定な封止特性を有する有機電
界発光素子を得るためには出来るだけ広い使用温度範囲
を持つ接着樹脂を用いることが必要となる。特に樹脂は
高温において、外部からの不純物や水分等の侵入が顕著
になったり、樹脂内部からも水分および揮発成分が発生
したり、また接着強度減少による界面剥離等により素子
内部に水分その他が侵入してダークスポットを拡大させ
る場合がある。このような素子劣化を防ぐためには、接
着樹脂の耐熱温度は、使用環境における温度よりも高い
ことが必要であり、具体的には80℃より高いことが望
ましく、100℃以上であることがより好ましい。ここ
で、本発明における接着樹脂の耐熱温度とは、JIS
K 6850規格に基づいた引っ張りせん断接着強度が
3N/mm2 以上を維持する温度範囲の上限の温度を指
す。
Since the organic electroluminescent device has excellent characteristics such as thinness and high-brightness light emission under low voltage driving, applications in various fields are being studied. For example, when used as an in-vehicle display or a display for outdoor exhibition, the temperature in storage and use environment ranges from below freezing to a high temperature of 80 ° C. or higher. It is necessary to use an adhesive resin having a temperature range as wide as possible. In particular, at high temperatures, infiltration of impurities and moisture from the outside becomes remarkable at the high temperature, moisture and volatile components are generated from inside the resin, and moisture and the like enter the inside of the element due to interface peeling due to a decrease in adhesive strength. To enlarge dark spots. In order to prevent such element deterioration, the heat resistance temperature of the adhesive resin needs to be higher than the temperature in the use environment, and specifically, it is preferably higher than 80 ° C, more preferably 100 ° C or higher. preferable. Here, the heat-resistant temperature of the adhesive resin in the present invention is defined by JIS
It refers to the upper limit of the temperature range in which the tensile shear adhesive strength based on the K 6850 standard maintains 3 N / mm 2 or more.

【0012】透水率や吸水率をさらに小さくするため
に、接着樹脂にはフィラーを混入することができる。フ
ィラーはシリカなどの無機材料からなる微小粒子であ
り、粒子の大きさや形状、混入割合は特に制限されるも
のではなく、必要に応じて最適化される。
In order to further reduce the water permeability and the water absorption, a filler can be mixed into the adhesive resin. The filler is a fine particle made of an inorganic material such as silica, and the size, shape, and mixing ratio of the particle are not particularly limited, and are optimized as needed.

【0013】本発明で用いられる樹脂の粘度は、封止時
において5000cP以上50000cP以下の範囲が
好ましい。粘度が50000cPより大きな樹脂を用い
て封止を行う際には、基板あるいは封止板表面の微少な
凹凸に起因する空隙を完全に埋めることは困難であり、
この空隙を介して水分等が素子内部に侵入しダークスポ
ット拡大の原因となる。また樹脂中の気泡は水分等の透
過パスと成り得るが、樹脂の粘度が50000cP以上
の高粘度であるとき、該気泡を除去するために真空脱気
等のプロセスが別途必要となる。一方、樹脂の粘度が5
000cPよりも小さいときは、封止に際して基板と封
止板間に樹脂層の極めて薄い場所が局所的に存在し、こ
の不安定な界面が水分等の侵入する経路となる。またこ
のような低粘度の樹脂を接着手段として用いるとき、封
着時に樹脂が素子内部に侵入し易くなり、素子を劣化さ
せるなどの問題がある。
The viscosity of the resin used in the present invention is preferably in the range of 5,000 cP to 50,000 cP at the time of sealing. When performing sealing using a resin having a viscosity greater than 50,000 cP, it is difficult to completely fill the voids caused by minute irregularities on the surface of the substrate or the sealing plate,
Moisture or the like invades the inside of the element through this gap, causing dark spots to expand. In addition, bubbles in the resin can serve as a permeation path for moisture and the like, but when the viscosity of the resin is as high as 50,000 cP or more, a process such as vacuum degassing is required separately to remove the bubbles. On the other hand, when the viscosity of the resin is 5
When it is smaller than 000 cP, an extremely thin portion of the resin layer locally exists between the substrate and the sealing plate at the time of sealing, and this unstable interface becomes a path for moisture and the like to enter. Further, when such a low-viscosity resin is used as the bonding means, there is a problem that the resin easily enters the inside of the element at the time of sealing, and the element is deteriorated.

【0014】基板あるいは封止板と樹脂とが形成する界
面状態は非常に重要であり、多くの場合樹脂硬化時に接
着界面に歪み応力が発生し、この歪み応力により接着界
面が剥離を起こすことがある。樹脂が剥離した界面は容
易に水分等が透過する経路となり、素子劣化の原因とな
る。該歪み応力は特に樹脂硬化時に問題となる。このた
め樹脂が硬化を開始してから、該樹脂のJIS K 68
50規格に基づいた引っ張りせん断接着強度が10N/
mm2に達するまでの時間をまでを硬化時間とすると
き、該硬化時間は接着剤硬化時の歪み応力を緩和して剥
離を抑制するためにゆっくりと硬化する必要があり、あ
る程度以上の硬化時間であることが望ましい。具体的に
は室温における硬化時間が20時間以上であるとき該歪
み応力を効果的に緩和することが出来る。
The state of the interface between the substrate or the sealing plate and the resin is very important. In many cases, a stress is generated at the bonding interface when the resin is cured, and the bonding stress may cause separation at the bonding interface. is there. The interface from which the resin is peeled becomes a path through which moisture or the like easily passes, and causes deterioration of the element. The strain stress becomes a problem particularly when the resin is cured. Therefore, after the resin starts to be cured, the JIS K 68
Tensile shear bond strength based on 50 standard is 10N /
When the time to reach mm 2 is the curing time, the curing time needs to be slowly cured in order to alleviate the strain stress at the time of curing the adhesive and to suppress peeling. It is desirable that Specifically, when the curing time at room temperature is 20 hours or more, the strain stress can be effectively reduced.

【0015】なおこれらの樹脂を用いて封止を行う際に
は、室温での硬化に限定されるわけではなく、必要に応
じて温度条件を選択できるのはもちろんである。さらに
樹脂と封止板との接着性を向上させるためには、封止板
を適当な溶剤を用いて洗浄したり、UV処理を施して封
止板の表面を清浄化する方法などが効果的である。
When sealing with these resins, it is not limited to curing at room temperature, but it goes without saying that temperature conditions can be selected as needed. In order to further improve the adhesion between the resin and the sealing plate, it is effective to wash the sealing plate with an appropriate solvent or to perform a UV treatment to clean the surface of the sealing plate. It is.

【0016】本発明における封止方法としては基板と封
止板とを貼り合わせればよく、特に限定されない。した
がって、封止内部空間を低湿度の液体やガスで満たすこ
とができる。前者の例としてはシリコーン系オイルやグ
リース、フッ化炭素系オイルなどの不活性液体が挙げら
れる。後者の例としてはヘリウム、アルゴンなどの希ガ
ス類、窒素、二酸化炭素などの不活性ガスが挙げられ
る。これらの中に酸素など比較的活性な気体が若干量含
まれていてもよく、積極的に支燃性ガスを導入すること
もできるが、一般的に良好な封止効果を得るためには、
酸素濃度が1%以下、より好ましくは10-2%以下、更
に好ましくは10-4%以下の不活性雰囲気であることが
望ましい。また、封止空間内部を真空に保持することも
可能である。
The sealing method in the present invention is not particularly limited, as long as the substrate and the sealing plate are bonded together. Therefore, the sealed internal space can be filled with a low-humidity liquid or gas. Examples of the former include inert liquids such as silicone oil, grease, and fluorocarbon oil. Examples of the latter include rare gases such as helium and argon, and inert gases such as nitrogen and carbon dioxide. These may contain a relatively small amount of a relatively active gas such as oxygen, and it is also possible to positively introduce a supporting gas, but in general to obtain a good sealing effect,
It is desirable that the atmosphere be an inert atmosphere having an oxygen concentration of 1% or less, more preferably 10 -2 % or less, and still more preferably 10 -4 % or less. Further, the inside of the sealed space can be kept at a vacuum.

【0017】封止空間を低湿度ガスで満たす上記の方法
においては基板と封止板とを低湿度雰囲気下で貼り合わ
せることで、容易に達成することができる。十分な封止
効果を得るためには、低湿度雰囲気の露点は−30℃以
下であることが好ましく、−60℃以下、さらには−1
00℃以下であればより好ましい。
The above method of filling the sealing space with a low-humidity gas can be easily achieved by bonding the substrate and the sealing plate in a low-humidity atmosphere. In order to obtain a sufficient sealing effect, the dew point in a low humidity atmosphere is preferably -30 ° C or lower, -60 ° C or lower, and more preferably -1 ° C or lower.
It is more preferable that the temperature is not higher than 00 ° C.

【0018】封止板にはガラス、樹脂、あるいはアルミ
ニウムやステンレス等の金属など水分透過率の小さい材
料を板状もしくはフィルム状に形成したものを用いるこ
とができる。これらは単独系であっても、例えばポリエ
チレンなどの樹脂フィルム上にアルミニウムなどの金属
を蒸着した複合系であってもよい。
As the sealing plate, a plate or film formed of a material having low moisture permeability such as glass, resin, or metal such as aluminum or stainless steel can be used. These may be a single type or a composite type obtained by depositing a metal such as aluminum on a resin film such as polyethylene.

【0019】封止板21の形状は特に限定されず、図3
に示すような凹部24を形成したり、図4に示すような
脚部25を形成するなどして、基板と封止板との接着位
置を規定することもできる。このようにすることで、封
止内部空間23にガスやオイルを満たしたり、吸湿剤を
設けるための容積を確保することもできる。同様の効果
は接着手段の厚みを大きくすることなどによっても得る
ことができる。さらに本発明の封止法を用いれば、必要
に応じてあらかじめ封止板表面に、吸湿効果を有するゲ
ッター膜などを形成したり、反射防止効果を有する黒色
膜あるいは光吸収膜を形成しておくこともできる。前記
吸湿剤としてはシリカゲル、ゼオライト、活性炭、酸化
カルシウム、酸化ゲルマニウム、酸化バリウム、酸化マ
グネシウム、五酸化リン、塩化カルシウムなどを、前記
ゲッター膜としてはアルミニウム、マグネシウム、バリ
ウム、チタンなどの金属蒸着膜を例示することができ
る。
The shape of the sealing plate 21 is not particularly limited.
The adhesion position between the substrate and the sealing plate can be defined by forming a recess 24 as shown in FIG. 4 or forming a leg 25 as shown in FIG. By doing so, it is also possible to secure a volume for filling the sealing internal space 23 with gas or oil or for providing a moisture absorbent. Similar effects can be obtained by increasing the thickness of the bonding means. Furthermore, if the sealing method of the present invention is used, a getter film having a moisture absorbing effect or the like, or a black film or a light absorbing film having an anti-reflection effect is formed on the surface of the sealing plate in advance as necessary. You can also. As the hygroscopic agent, silica gel, zeolite, activated carbon, calcium oxide, germanium oxide, barium oxide, magnesium oxide, phosphorus pentoxide, calcium chloride and the like, and as the getter film aluminum, magnesium, barium, titanium and other metal deposited film. Examples can be given.

【0020】基板と封止板との接着位置についても特に
限定されず、接着手段が素子全体を覆うように位置して
もよいが、発光の安定性の観点からは接着手段が発光領
域に接しないように位置していることが好ましい。さら
に、電力供給の観点からは、第一電極および第二電極そ
れぞれの一部分が外部に露出するように封止されること
が好ましい。また、基板に設けられたスルーホールを通
じて電極を取り出すことも可能である。
The bonding position between the substrate and the sealing plate is not particularly limited, and the bonding means may be positioned so as to cover the entire device. However, from the viewpoint of light emission stability, the bonding means is in contact with the light emitting region. It is preferable that they are not located. Furthermore, from the viewpoint of power supply, it is preferable that each of the first electrode and the second electrode is sealed so as to be exposed to the outside. Further, it is also possible to take out the electrode through a through hole provided in the substrate.

【0021】また本発明の発光素子の基板上には、少な
くとも一部分が薄膜層の厚さを上回る高さをもつスペー
サーを形成することもできる。このスペーサーは隔壁法
において第二電極をパターニングするための隔壁として
機能させたり、マスク蒸着法においてシャドーマスクが
薄膜層を傷つけることを防止する層として機能させた
り、発光領域を規定したり第一電極のエッジ部分を覆う
ための絶縁層などとして機能させることができる。
On the substrate of the light emitting device of the present invention, a spacer having a height at least partially exceeding the thickness of the thin film layer can be formed. This spacer functions as a partition for patterning the second electrode in the partitioning method, functions as a layer for preventing the shadow mask from damaging the thin film layer in the mask deposition method, defines a light emitting region, and defines the first electrode. Can be functioned as an insulating layer or the like for covering the edge portion.

【0022】第一電極と第二電極は素子の発光のために
十分な電流を供給するための役割を有するものであり、
光を取り出すために少なくとも一方は透明であることが
望ましい。通常、基板上に形成される第一電極を透明電
極とし、これを陽極とする。
The first electrode and the second electrode serve to supply a sufficient current for light emission of the device.
It is desirable that at least one of them is transparent in order to extract light. Usually, the first electrode formed on the substrate is a transparent electrode, and this is an anode.

【0023】好ましい透明電極材料としては、酸化錫、
酸化亜鉛、酸化インジウム、ITOなどをあげることが
できる。パターニングを施す目的からは、加工性に優れ
たITOを用いることが好ましい。
Preferred transparent electrode materials include tin oxide,
Zinc oxide, indium oxide, ITO, and the like can be given. For the purpose of patterning, it is preferable to use ITO having excellent workability.

【0024】第一電極をパターニングする場合には、ウ
エットエッチングを伴うフォトリソグラフィ法を用いる
ことができる。第一電極のパターン形状は特に限定され
ず、用途によって最適パターンを選択すればよい。本発
明では一定の間隔をあけて配置された複数のストライプ
状電極を好的な例として挙げることができる。
When patterning the first electrode, a photolithography method involving wet etching can be used. The pattern shape of the first electrode is not particularly limited, and an optimum pattern may be selected depending on the application. In the present invention, a plurality of stripe-shaped electrodes arranged at regular intervals can be cited as a preferred example.

【0025】透明電極の表面抵抗を下げたり、電圧降下
抑制のために、ITOには少量の銀や金などの金属が含
まれていてもよく、また、錫、金、銀、亜鉛、インジウ
ム、アルミニウム、クロム、ニッケルをITOのガイド
電極として使用することも可能である。特に、クロムは
ブラックマトリックスとガイド電極の両方の機能を持た
せることができることから好適な金属である。素子の消
費電力の観点からは、ITOは低抵抗であることが望ま
しい。例えば、300Ω/□以下のITO基板(ITO
薄膜を形成した透明基板)であれば素子電極として機能
するが、現在では10Ω/□程度のITO基板の供給も
可能になっていることから、低抵抗品を使用することも
可能である。ITOの厚みは抵抗値と関係があり一概に
規定できないが、通常50〜300nmである。ITO
膜形成方法は、電子ビーム法、スパッタリング法、化学
反応法、コーティング法など特に制限を受けるものでは
ない。
In order to lower the surface resistance of the transparent electrode and to suppress the voltage drop, ITO may contain a small amount of metal such as silver or gold, and tin, gold, silver, zinc, indium, Aluminum, chromium, and nickel can also be used as ITO guide electrodes. In particular, chromium is a suitable metal because it can have both functions of a black matrix and a guide electrode. From the viewpoint of power consumption of the device, it is desirable that ITO has low resistance. For example, an ITO substrate of 300Ω / □ or less (ITO
If it is a transparent substrate on which a thin film is formed), it functions as an element electrode, but at present, an ITO substrate of about 10 Ω / □ can be supplied, so that a low-resistance product can be used. The thickness of ITO has a relationship with the resistance value and cannot be specified unconditionally, but is usually 50 to 300 nm. ITO
The film forming method is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method, a chemical reaction method, and a coating method.

【0026】透明電極は可視光線透過率が30%以上あ
れば使用に大きな障害はないが、理想的には100%に
近い方が好ましい。基本的には可視光全域において同程
度の透過率をもつことが好ましいが、発光色を変化させ
たい場合には積極的に光吸収性を付与させることも可能
である。このような場合にはカラーフィルターや干渉フ
ィルターを用いて変色させる方法が技術的に容易であ
る。
Although the use of the transparent electrode does not cause any major obstacle as long as the visible light transmittance is 30% or more, it is ideally close to 100%. Basically, it is preferable to have the same transmittance in the entire visible light range, but if it is desired to change the emission color, it is possible to positively impart light absorbency. In such a case, it is technically easy to change the color using a color filter or an interference filter.

【0027】基板の材料は、表示または発光素子として
機能するに適した光学的透明性、機械的強度、耐熱性な
どを有するものであれば、材質は特に限定されない。ポ
リメチルメタクリレート、ポリカーボネート、無定形ポ
リオレフィンなどのプラスチック板やフィルム類を用い
ることができるが、ガラス板を用いるのが最も好まし
い。ガラスの材質については、無アルカリガラスや酸化
珪素膜などのバリアコートを施したソーダライムガラス
などが使用できる。厚みは機械的強度を保つのに十分な
厚みがあればよいので、0.5mm以上あれば十分であ
る。なお、上記第一電極もしくは基板には、公知技術を
用いて反射防止機能を付加することができる。
The material of the substrate is not particularly limited as long as it has optical transparency, mechanical strength, heat resistance, etc. suitable for functioning as a display or a light emitting element. Although plastic plates and films such as polymethyl methacrylate, polycarbonate and amorphous polyolefin can be used, it is most preferable to use a glass plate. As the glass material, non-alkali glass, soda lime glass coated with a barrier coat such as a silicon oxide film, or the like can be used. Since the thickness only needs to be sufficient to maintain the mechanical strength, 0.5 mm or more is sufficient. In addition, an antireflection function can be added to the first electrode or the substrate by using a known technique.

【0028】既に述べたスペーサーは、第一電極に接す
る状態で形成されることが多いので、十分な電気絶縁性
を有することが好ましい。導電性のスペーサーを用いる
こともできるが、その場合は電極間の短絡を防止するた
めの電気絶縁性部分を形成すればよい。スペーサー材料
としては公知の材料を用いることが可能であり、無機物
では酸化ケイ素をはじめとする酸化物材料、ガラス材
料、セラミックス材料などを、有機物ではポリビニル
系、ポリイミド系、ポリスチレン系、アクリル系、ノボ
ラック系、シリコーン系などのポリマー系樹脂材料を好
ましい例として挙げることができる。さらに、スペーサ
ーの全体、もしくは基板あるいは第一電極と接する部分
を黒色化することで、有機電界発光装置の表示コントラ
スト向上に寄与するブラックマトリクス的な機能をスペ
ーサーに付加することもできる。このような場合のスペ
ーサー材料としては、無機物ではケイ素、砒化ガリウ
ム、二酸化マンガン、酸化チタンや酸化クロムと金属ク
ロムとの積層膜などを、有機物では上記樹脂材料に、電
気絶縁性を高めるために表面処理の施されたカーボンブ
ラック系、フタロシアニン系、アントラキノン系、モノ
アゾ系、ビスアゾ系、金属錯塩型モノアゾ系、トリアリ
ルメタン系、アニリン系などの公知の顔料や染料、ある
いは上記無機材料粉末を混合した材料を好ましい例とし
て挙げることができる。
Since the above-described spacer is often formed in a state of being in contact with the first electrode, it is preferable that the spacer has sufficient electric insulation. A conductive spacer can be used, but in that case, an electrically insulating portion for preventing a short circuit between the electrodes may be formed. As the spacer material, a known material can be used. For an inorganic material, an oxide material such as silicon oxide, a glass material, a ceramic material, and the like, and for an organic material, a polyvinyl, polyimide, polystyrene, acrylic, and novolak are used. Preferred examples include polymer-based resin materials such as silicone-based and silicone-based resins. Further, by blackening the entire spacer or a portion in contact with the substrate or the first electrode, a function like a black matrix that contributes to an improvement in display contrast of the organic electroluminescent device can be added to the spacer. In such a case, as a spacer material, an inorganic substance such as silicon, gallium arsenide, manganese dioxide, titanium oxide or a laminated film of chromium oxide and metal chromium, and an organic substance to the above-described resin material, and a surface layer for enhancing electrical insulation. Known pigments and dyes such as treated carbon black, phthalocyanine, anthraquinone, monoazo, bisazo, metal complex salt type monoazo, triallylmethane, aniline, or the above inorganic material powder were mixed. Materials can be mentioned as preferred examples.

【0029】スペーサーのパターニング方法は特に限定
されないが、第一電極のパターニング工程後に基板全面
にスペーサー層を形成し、公知のフォトリソ法を用いて
パターニングする方法が工程的に容易である。フォトレ
ジストを使用したエッチング法あるいはリフトオフ法に
よってスペーサーをパターニングしてもよいし、例示し
た上記樹脂材料に感光性を付加させた感光性スペーサー
材料を用い、スペーサー層を直接露光、現像することで
パターニングすることもできる。
The method of patterning the spacer is not particularly limited, but a method of forming a spacer layer on the entire surface of the substrate after the step of patterning the first electrode and patterning the spacer layer using a known photolithography method is easy in terms of process. The spacer may be patterned by an etching method using a photoresist or a lift-off method, or by patterning by directly exposing and developing a spacer layer using a photosensitive spacer material obtained by adding photosensitivity to the above-described resin material. You can also.

【0030】有機電界発光素子に含まれる薄膜層として
は、1)正孔輸送層/発光層、2)正孔輸送層/発光層
/電子輸送層、3)発光層/電子輸送層、そして4)以
上の組合せ物質を一層に混合した形態の発光層、のいず
れであってもよい。すなわち、素子構成として有機化合
物からなる発光層が存在していれば、上記1)〜3)の
多層積層構造の他に4)のように発光材料単独または発
光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含む発光層を一
層設けるだけでも良い。
The thin film layers included in the organic electroluminescent device include 1) a hole transport layer / a light emitting layer, 2) a hole transport layer / a light emitting layer / an electron transport layer, 3) a light emitting layer / an electron transport layer, and 4) And e) a light-emitting layer in which the above-mentioned combined substances are mixed in a single layer. That is, if a light-emitting layer made of an organic compound is present as an element configuration, a light-emitting material alone or a light-emitting material and a hole-transport material or an electron-transport, as described in 4), in addition to the multi-layer structure of 1) to 3) above Only one light-emitting layer containing a material may be provided.

【0031】正孔輸送層は正孔輸送性物質単独で、ある
いは正孔輸送性物質と高分子結着剤により形成される。
正孔輸送性物質としては、N,N’−ジフェニル−N,
N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’−ジフェニ
ル−4,4’−ジアミン(TPD)やN,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ジナフチル−1,1’−ジフェニル−
4,4’−ジアミン(NPD)などに代表されるトリフ
ェニルアミン類、N−イソプロピルカルバゾール、ビス
カルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系
化合物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体
やフタロシアニン誘導体に代表される複素環化合物、ポ
リマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネー
トやポリスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポ
リシラン、ポリフェニレンビニレンなどが好ましいが、
特に限定されるものではない。
The hole transporting layer is formed of a hole transporting substance alone or a hole transporting substance and a polymer binder.
As the hole transporting substance, N, N'-diphenyl-N,
N'-di (3-methylphenyl) -1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD) and N, N'-diphenyl-N, N'-dinaphthyl-1,1'-diphenyl-
Triphenylamines represented by 4,4'-diamine (NPD), N-isopropylcarbazole, biscarbazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, oxadiazole derivatives and phthalocyanine derivatives Heterocyclic compounds, in the polymer system, polycarbonate and polystyrene derivatives having the monomer in the side chain, polyvinyl carbazole, polysilane, polyphenylene vinylene and the like are preferable,
There is no particular limitation.

【0032】第一電極上にパターニングして形成される
発光層の材料は、アントラセンやピレン、そして8−ヒ
ドロキシキノリンアルミニウムの他には、例えば、ビス
スチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエ
ン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、
ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペ
リノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾ
ロピリジン誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビ
ニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そしてポリ
チオフェン誘導体などが使用できる。また、発光層に添
加するドーパントとしては、ルブレン、キナクリドン誘
導体、フェノキサゾン660,DCM1、ペリノン、ペ
リレン、クマリン540,ジアザインダセン誘導体など
がそのまま使用できる。
The material of the light emitting layer formed by patterning on the first electrode is anthracene, pyrene, and 8-hydroxyquinoline aluminum, for example, bisstyrylanthracene derivative, tetraphenylbutadiene derivative, coumarin derivative, Oxadiazole derivatives,
A distyrylbenzene derivative, a pyrrolopyridine derivative, a perinone derivative, a cyclopentadiene derivative, a thiadiazolopyridine derivative, and a polymer system include polyphenylenevinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polythiophene derivatives. As the dopant to be added to the light emitting layer, rubrene, quinacridone derivative, phenoxazone 660, DCM1, perinone, perylene, coumarin 540, diazaindacene derivative, and the like can be used as they are.

【0033】電子輸送性物質としては、電界を与えられ
た電極間において陰極からの電子を効率よく輸送するこ
とが必要で、電子注入効率が高く、注入された電子を効
率よく輸送することが望ましい。そのためには電子親和
性が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性
に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に
発生しにくい物質であることが要求される。このような
条件を満たす物質として8−ヒドロキシキノリンアルミ
ニウム(Alq3)、ヒドロキシベンゾキノリンベリリ
ウム、2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチル
フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(t−Bu
PBD)などのオキサジアゾール系誘導体、薄膜安定性
を向上させたオキサジアゾール二量体系誘導体の1,3
−ビス(4−t−ブチルフェニル−1,3,4−オキサ
ジゾリル)ビフェニレン(OXD−1)、1,3−ビス
(4−t−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジゾリ
ル)フェニレン(OXD−7)、トリアゾール系誘導
体、フェナントロリン系誘導体などがある。
As the electron transporting substance, it is necessary to efficiently transport electrons from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied, and it is desirable to have a high electron injection efficiency and to transport the injected electrons efficiently. . For this purpose, it is required that the material has a high electron affinity, a high electron mobility, a high stability, and a small amount of impurities serving as traps during production and use. As materials satisfying such conditions, 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq 3 ), hydroxybenzoquinoline beryllium, 2- (4-biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiene Azole (t-Bu
Oxadiazole derivatives such as PBD) and 1,3 oxadiazole dimer derivatives having improved thin film stability
-Bis (4-t-butylphenyl-1,3,4-oxadizolyl) biphenylene (OXD-1), 1,3-bis (4-t-butylphenyl-1,3,4-oxadizolyl) phenylene (OXD- 7), triazole derivatives, phenanthroline derivatives and the like.

【0034】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレン
エーテル、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂などの溶剤可溶
性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石油樹脂、
ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの硬
化性樹脂などに分散させて用いることも可能である。
The above materials used for the hole transporting layer, the light emitting layer and the electron transporting layer can be used alone to form each layer. As the polymer binder, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, poly (N- (Vinyl carbazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene ether, polybutadiene, hydrocarbon resins, ketone resins, phenoxy resins, polyurethane resins, and other solvent-soluble resins, phenol resins, xylene resins, petroleum resins,
Urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin,
It is also possible to use the resin dispersed in a curable resin such as an alkyd resin, an epoxy resin, and a silicone resin.

【0035】上記正孔輸送層、発光層、電子輸送層など
の有機層の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸
着、スパッタリング法などがある。特に限定されるもの
ではないが、通常は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着な
どの蒸着法が特性面で好ましい。層の厚みは、有機層の
抵抗値にもよるので限定することはできないが、経験的
には10〜1000nmの間から選ばれる。
The method for forming the organic layers such as the hole transport layer, the light emitting layer and the electron transport layer includes resistance heating evaporation, electron beam evaporation, and sputtering. Although not particularly limited, an evaporation method such as resistance heating evaporation or electron beam evaporation is usually preferable in terms of characteristics. Although the thickness of the layer depends on the resistance value of the organic layer and cannot be limited, it is empirically selected from the range of 10 to 1000 nm.

【0036】第二電極となる陰極は、電子を本素子の発
光層に効率よく注入できる物質であれば特に限定されな
い。従って、アルカリ金属などの低仕事関数金属の使用
も可能であるが、電極の安定性を考えると、白金、金、
銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、マグネシウム、インジ
ウムなどの金属、またはこれら金属と低仕事関数金属と
の合金などが好ましい例として挙げられる。また、あら
かじめ有機層に低仕事関数金属を微量ドーピングしてお
き、その後に比較的安定な金属を陰極として成膜するこ
とで、電極注入効率を高く保ちながら安定な電極を得る
こともできる。これらの電極の作製法も抵抗加熱蒸着、
電子ビーム蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ法などのドライプロセスが好ましい。
The cathode serving as the second electrode is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the light emitting layer of the device. Therefore, it is possible to use a low work function metal such as an alkali metal, but considering the stability of the electrode, platinum, gold,
Preferable examples include metals such as silver, copper, iron, tin, aluminum, magnesium and indium, and alloys of these metals with low work function metals. In addition, a stable electrode can be obtained while maintaining high electrode injection efficiency by doping the organic layer with a small amount of a low work function metal in advance and then forming a film of a relatively stable metal as a cathode. These electrodes are also manufactured by resistance heating evaporation,
Dry processes such as electron beam evaporation, sputtering, and ion plating are preferred.

【0037】第二電極上には必要に応じて保護層を形成
することができる。保護層としては既に例示した第一電
極および第二電極材料の他に、酸化ケイ素、酸化ガリウ
ム、酸化チタン、窒化ケイ素などの無機材料、各種高分
子材料、有機電界発光素子を構成する有機材料を用いる
ことができる。なかでも窒化ケイ素は水分に対するバリ
ア性に優れた好適な保護層材料である。これら保護膜は
蒸着法、スパッタリング法、CVD法などによって形成
される。
A protective layer can be formed on the second electrode as needed. As the protective layer, in addition to the first electrode and second electrode materials already exemplified, inorganic materials such as silicon oxide, gallium oxide, titanium oxide, and silicon nitride, various polymer materials, and organic materials constituting an organic electroluminescent element are used. Can be used. Among them, silicon nitride is a suitable protective layer material having excellent moisture barrier properties. These protective films are formed by an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like.

【0038】[0038]

【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0039】実施例1 厚さ1.1mmの無アルカリガラス表面にスパッタリン
グ蒸着法によって厚さ130nmのITO透明電極膜が
形成されたITO基板(ジオマテック社製)を用意し
た。このITO膜をフォトリソ法を用いてパターニング
した後、46mm×38mmの大きさに切断して、基板
中央部に幅12mmのITO膜(第一電極)が存在する
ようにパターニングして基板を作製した。
Example 1 An ITO substrate (manufactured by Geomatic) having a 130-nm thick ITO transparent electrode film formed on a 1.1 mm-thick non-alkali glass surface by a sputtering deposition method was prepared. After patterning this ITO film using a photolithography method, it was cut into a size of 46 mm × 38 mm, and patterned so that a 12 mm-wide ITO film (first electrode) was present at the center of the substrate to prepare a substrate. .

【0040】この基板を洗浄してから蒸着機にセット
し、2×10-4Paの真空度まで排気した。15mm角
の開口部を有する発光層用シャドーマスクを配置した状
態で、水晶振動子による膜厚モニター表示値で銅フタロ
シアニン20nm、N,N’−ジフェニル−N,N’−
ジナフチル−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミ
ン(α−NPD)100nmおよびトリス(8−キノリ
ノラト)アルミニウム(Alq3)100nmを蒸着し
た。その後、薄膜層をリチウム蒸気に曝してドーピング
(膜厚換算量0.5nm)した。次に、5×12mmの
開口部を4つ有する第二電極用シャドーマスクに交換
し、真空度3×10-4Paでアルミニウムを20012
0nmの厚さに蒸着して、第二電極をパターニングし
た。このようにして基板上に4つの緑色発光領域を有す
る有機電界発光素子を作製した。
After washing the substrate, it was set in a vapor deposition machine and evacuated to a vacuum of 2 × 10 −4 Pa. With a shadow mask for a light emitting layer having an opening of 15 mm square arranged, copper phthalocyanine 20 nm, N, N'-diphenyl-N, N'-
Dinaphthyl-1,1′-diphenyl-4,4′-diamine (α-NPD) 100 nm and tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ) 100 nm were deposited. After that, the thin film layer was exposed to lithium vapor to dope (0.5 nm in equivalent film thickness). Next, the shadow mask was replaced with a shadow mask for a second electrode having four 5 × 12 mm openings, and aluminum was removed at a vacuum degree of 3 × 10 −4 Pa in 2012.
The second electrode was patterned by evaporation to a thickness of 0 nm. Thus, an organic electroluminescent device having four green light emitting regions on the substrate was manufactured.

【0041】本素子を蒸着機から取り出し、ロータリー
ポンプによる減圧雰囲気下で20分間保持した後に、酸
素濃度が10-4%、露点−100℃のアルゴン雰囲気下
に移した。該乾燥雰囲気下で硬化前の樹脂粘度が100
00cP、硬化後の耐熱温度が100℃、硬化時間が2
4時間で、シリカのフィラーが混入されたエポキシ樹脂
(AW136N+HY994、チバ・スペシャルティ・
ケミカルズ社製)を接着手段として封止を行った。得ら
れた素子を60℃、80%RHの雰囲気下に放置したと
ころ、初期状態で平均15μmであったダークスポット
径は200時間経過後には30μmであり充分なダーク
スポット抑制効果が得られた。
The device was taken out of the vapor deposition machine, kept in a reduced pressure atmosphere by a rotary pump for 20 minutes, and then transferred to an argon atmosphere having an oxygen concentration of 10 -4 % and a dew point of -100 ° C. Under the dry atmosphere, the resin viscosity before curing is 100.
00cP, heat resistant temperature after curing is 100 ° C, curing time is 2
After 4 hours, epoxy resin mixed with silica filler (AW136N + HY994, Ciba Specialty Co., Ltd.)
(Manufactured by Chemicals Co., Ltd.) as the bonding means. When the obtained device was left in an atmosphere of 60 ° C. and 80% RH, the dark spot diameter, which was 15 μm on average in the initial state, was 30 μm after 200 hours, and a sufficient dark spot suppressing effect was obtained.

【0042】実施例2 接着手段に樹脂粘度が25000cP、耐熱温度120
℃、硬化時間24時間のエポキシ樹脂(XNR3101
+XNH3101、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ
社製)を用いる以外は実施例1と同様の工程で素子を作
製した。得られた素子を60℃、80%RHの雰囲気下
に放置したところ、初期状態で平均22μmであったダ
ークスポット径は200時間経過後には25μmであり
充分なダークスポット抑制効果が得られた。
Example 2 A resin having a resin viscosity of 25000 cP and a heat resistance temperature of 120 was used for the bonding means.
Epoxy resin (XNR3101
+ XNH3101 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) was used, and an element was produced in the same process as in Example 1. When the obtained device was left in an atmosphere of 60 ° C. and 80% RH, the dark spot diameter, which was 22 μm on average in the initial state, was 25 μm after 200 hours, and a sufficient dark spot suppression effect was obtained.

【0043】実施例3 実施例2と同様に接着樹脂に樹脂粘度が25000c
P、耐熱温度120℃、硬化時間24時間のエポキシ樹
脂(XNR3101+XNH3101、チバ・スペシャ
ルティ・ケミカルズ社製)を用いる以外は実施例1と同
様の工程で素子を作製した。得られた素子を80℃、8
0%RHの雰囲気下の放置したところ、初期状態で平均
25μmであったダークスポット径は200時間経過後
には38μmであり充分なダークスポット抑制効果が得
られた。
Example 3 As in Example 2, the adhesive resin had a resin viscosity of 25,000 c.
A device was manufactured in the same process as in Example 1 except that an epoxy resin (XNR3101 + XNH3101, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) having a heat resistance of 120 ° C. and a curing time of 24 hours was used. The obtained device was heated at 80 ° C. for 8 hours.
When left in an atmosphere of 0% RH, the dark spot diameter, which averaged 25 μm in the initial state, was 38 μm after 200 hours, and a sufficient dark spot suppression effect was obtained.

【0044】比較例1 接着樹脂に樹脂粘度が35000cP、耐熱温度80
℃、硬化時間1時間のエポキシ樹脂(AW2104+H
W2934、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)
を用いる以外は実施例1と同様の工程で素子を作製し
た。得られた素子を60℃、80%RHの雰囲気下に放
置したところ、初期状態で平均55μmであったダーク
スポット径は100時間経過後には200μmであり充
分なダークスポット抑制効果は得られなかった。
Comparative Example 1 The adhesive resin had a resin viscosity of 35,000 cP and a heat resistance temperature of 80.
Epoxy resin (AW2104 + H
W2934, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
An element was manufactured in the same steps as in Example 1 except that When the obtained device was left in an atmosphere of 60 ° C. and 80% RH, the dark spot diameter which was 55 μm on average in the initial state was 200 μm after 100 hours, and a sufficient dark spot suppression effect was not obtained. .

【0045】比較例2 接着樹脂に樹脂粘度が380000cP、耐熱温度80
℃、硬化時間16時間のエポキシ樹脂(XNR3311
+XNH3311、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ
社製)を用いる以外は実施例1と同様の工程で素子を作
製した。得られた素子を60℃、80%RHの雰囲気下
に放置したところ、初期状態で平均45μmであったダ
ークスポット径は200時間経過後には220μmであ
り充分なダークスポット抑制効果は得られなかった。
Comparative Example 2 The adhesive resin had a resin viscosity of 380000 cP and a heat resistance temperature of 80.
Epoxy resin (XNR3311
+ XNH3311 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) was used, and an element was produced in the same process as in Example 1. When the obtained device was left in an atmosphere of 60 ° C. and 80% RH, the dark spot diameter which was 45 μm on average in the initial state was 220 μm after 200 hours, and a sufficient dark spot suppressing effect was not obtained. .

【0046】比較例3 接着樹脂に樹脂粘度が33000cP、耐熱温度60
℃、硬化時間12時間のエポキシ樹脂(AW106+H
Y994、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)を
用いる以外は実施例1と同様の工程で素子を作製した。
得られた素子を60℃、80%RHの雰囲気下に放置し
たところ、初期状態で平均20μmであったダークスポ
ットは、200時間経過後には270μmであり充分な
ダークスポット抑制効果は得られなかった。
Comparative Example 3 The adhesive resin had a resin viscosity of 33000 cP and a heat resistance temperature of 60.
℃, epoxy resin (AW106 + H
An element was manufactured in the same manner as in Example 1 except that Y994 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) was used.
When the obtained device was left in an atmosphere of 60 ° C. and 80% RH, the dark spot having an average of 20 μm in the initial state was 270 μm after 200 hours, and a sufficient dark spot suppressing effect was not obtained. .

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明の有機電界発光素子では、接着樹
脂に硬化後の耐熱温度が80℃より大きい樹脂を用いる
ことにより、ダークスポットの経時的拡大を再現性よく
抑制することができる。
According to the organic electroluminescent device of the present invention, by using a resin having a heat-resistant temperature after curing of more than 80 ° C. as the adhesive resin, it is possible to suppress the temporal expansion of dark spots with good reproducibility.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明で製造される有機電界発光素子の一例を
示す断面図。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an organic electroluminescent device manufactured according to the present invention.

【図2】本発明で製造される有機電界発光素子の別の一
例を示す断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing another example of the organic electroluminescent device manufactured by the present invention.

【図3】本発明で製造される有機電界発光素子の別の一
例を示す断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing another example of the organic electroluminescent device manufactured by the present invention.

【図4】本発明で製造される有機電界発光素子の別の一
例を示す断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of the organic electroluminescent device manufactured by the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 第一電極 3 駆動源 5 正孔輸送層 6 発光層 8 第二電極 9 保護層 21 封止板 22 接着樹脂 23 封止内部空間 24 凹部 25 脚部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 1st electrode 3 Drive source 5 Hole transport layer 6 Light emitting layer 8 2nd electrode 9 Protective layer 21 Sealing plate 22 Adhesive resin 23 Sealing internal space 24 Depression 25 Leg

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に形成された第一電極と、前記第一
電極上に形成された少なくとも有機化合物からなる発光
層を含む薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極
とを含む発光素子が、基板と第二電極側に配置された封
止板によって封止され、封止に用いられる接着樹脂の硬
化後の耐熱温度が80℃より大きいことを特徴とする有
機電界発光素子。
A first electrode formed on a substrate, a thin film layer formed on the first electrode, the light emitting layer including at least an organic compound, and a second electrode formed on the thin film layer. Wherein the light-emitting element containing is sealed by a sealing plate arranged on the substrate and the second electrode side, and the heat-resistant temperature after curing of the adhesive resin used for sealing is higher than 80 ° C. element.
【請求項2】硬化後の接着樹脂の耐熱温度が100℃以
上であることを特徴とする請求項1記載の有機電界発光
素子。
2. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the heat resistant temperature of the cured adhesive resin is 100 ° C. or higher.
【請求項3】硬化前の室温における接着樹脂の粘度が5
000cP以上50000cP以下の範囲にあり、か
つ、室温におけるその硬化時間が20時間以上であるこ
とを特徴とする請求項1記載の有機電界発光素子。
3. The adhesive resin has a viscosity of 5 at room temperature before curing.
2. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the curing temperature is in the range of 000 cP to 50,000 cP and the curing time at room temperature is 20 hours or more.
【請求項4】接着樹脂がエポキシ樹脂であることを特徴
とする請求項1記載の有機電界発光素子。
4. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the adhesive resin is an epoxy resin.
【請求項5】請求項1記載の有機電界発光素子の製造方
法であって、基板と封止板とを露点−60℃以下の低湿
度雰囲気中で接着することを特徴とする有機電界発光素
子の製造方法。
5. The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the substrate and the sealing plate are bonded in a low humidity atmosphere having a dew point of −60 ° C. or less. Manufacturing method.
【請求項6】基板と封止板とを酸素濃度1%以下の不活
性雰囲気中で接着することを特徴とする請求項5記載の
有機電界発光素子の製造方法。
6. The method according to claim 5, wherein the substrate and the sealing plate are bonded in an inert atmosphere having an oxygen concentration of 1% or less.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208477A (en) * 2000-11-10 2002-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emission device
JP2002324662A (en) * 2001-04-23 2002-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its manufacturing method
KR20030063990A (en) * 2002-01-25 2003-07-31 (주)네스디스플레이 Method of preparing a sealing cover for an organic electroluminescent device
US7633223B2 (en) 2000-11-10 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device provided with drying agent at side surfaces of a sealing member
JP2011066008A (en) * 2010-11-19 2011-03-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device
JP2013140809A (en) * 2013-03-12 2013-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208477A (en) * 2000-11-10 2002-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emission device
US7633223B2 (en) 2000-11-10 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device provided with drying agent at side surfaces of a sealing member
JP4632337B2 (en) * 2000-11-10 2011-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
JP2002324662A (en) * 2001-04-23 2002-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its manufacturing method
US8415881B2 (en) 2001-04-23 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US8853940B2 (en) 2001-04-23 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with seal member
KR20030063990A (en) * 2002-01-25 2003-07-31 (주)네스디스플레이 Method of preparing a sealing cover for an organic electroluminescent device
JP2011066008A (en) * 2010-11-19 2011-03-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device
JP2013140809A (en) * 2013-03-12 2013-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device

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