JP2000235968A - ドライエッチング装置及びそれを用いたドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング装置及びそれを用いたドライエッチング方法Info
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- JP2000235968A JP2000235968A JP11035752A JP3575299A JP2000235968A JP 2000235968 A JP2000235968 A JP 2000235968A JP 11035752 A JP11035752 A JP 11035752A JP 3575299 A JP3575299 A JP 3575299A JP 2000235968 A JP2000235968 A JP 2000235968A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜種が異なる場合や積層膜の場合でも所望の
エッチング特性と均一性を両立させたエッチングを行う
ことを可能にする。 【解決手段】 このエッチング装置は、エッチングチャ
ンバ９と、チャンバ９内のウェハ若しくは液晶基板の被
エッチング物１０の上下に設置された電極２，３と、高
周波電圧の供給される高周波電源４ａ，４ｂと、チャン
バ９に反応ガスを導入するガス導入口１ａ，１ｂと、ガ
ス導入口１ａに接続されたプラズマ発生室７と、チャン
バ９内へのガス導入を切り換える弁８ａ，８ｂと、ター
ボ分子ポンプ６と、ドライポンプ５と、エッチング終了
を検出する終点検出装置１１と、チャンバ９内へガスを
導入するガス導入管１２とを備えている。
エッチング特性と均一性を両立させたエッチングを行う
ことを可能にする。 【解決手段】 このエッチング装置は、エッチングチャ
ンバ９と、チャンバ９内のウェハ若しくは液晶基板の被
エッチング物１０の上下に設置された電極２，３と、高
周波電圧の供給される高周波電源４ａ，４ｂと、チャン
バ９に反応ガスを導入するガス導入口１ａ，１ｂと、ガ
ス導入口１ａに接続されたプラズマ発生室７と、チャン
バ９内へのガス導入を切り換える弁８ａ，８ｂと、ター
ボ分子ポンプ６と、ドライポンプ５と、エッチング終了
を検出する終点検出装置１１と、チャンバ９内へガスを
導入するガス導入管１２とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体及び液晶基
板等に素子及び電極を形成するための微細加工技術の一
つであるドライエッチング装置及びそれを用いたドライ
エッチング方法に関する。
板等に素子及び電極を形成するための微細加工技術の一
つであるドライエッチング装置及びそれを用いたドライ
エッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エッチング技術には、化学薬品によるウ
ェット方式と、ガスを利用したドライ方式とがあり、い
ずれも化学反応が基本となっている。ドライ方式には、
プラズマエッチングや反応性イオンエッチングやケミカ
ルドライエッチング等がある。プラズマエッチングは、
放電プラズマ中にウェハ若しくは液晶基板を置き、被エ
ッチング材料を、主としてプラズマ中で作られたラジカ
ル種と反応させてエッチングするものである。また、反
応性イオンエッチングは、ラジカル種（活性種）の化学
反応のみならず反応性イオンのスパッタリング効果を利
用するものである。また、ケミカルドライエッチング
は、マイクロ波で励起することにより生成されたラジカ
ル種をチャンバ（反応室）内に導入してエッチングする
ものである。
ェット方式と、ガスを利用したドライ方式とがあり、い
ずれも化学反応が基本となっている。ドライ方式には、
プラズマエッチングや反応性イオンエッチングやケミカ
ルドライエッチング等がある。プラズマエッチングは、
放電プラズマ中にウェハ若しくは液晶基板を置き、被エ
ッチング材料を、主としてプラズマ中で作られたラジカ
ル種と反応させてエッチングするものである。また、反
応性イオンエッチングは、ラジカル種（活性種）の化学
反応のみならず反応性イオンのスパッタリング効果を利
用するものである。また、ケミカルドライエッチング
は、マイクロ波で励起することにより生成されたラジカ
ル種をチャンバ（反応室）内に導入してエッチングする
ものである。
【０００３】一般的に、高融点金属、アルミ等の金属に
ついては、比較的早いエッチング速度が確保できる反応
性イオンエッチングが使用され、その他のシリコン系の
金属については、プラズマエッチングあるいはケミカル
ドライエッチングが使用される。しかし、半導体素子等
をエッチングする場合、反応性イオンエッチングを使用
すると、半導体の特性が取れなくなる現象（半導体層の
ダメージ）が起きるため、金属と半導体の両方をエッチ
ングする必要がある場合には、まず、反応性イオンエッ
チングでメタルエッチングを行った後に、プラズマエッ
チングを行い、金属部分と半導体素子に対して、異なる
エッチングをする手法がとられている。
ついては、比較的早いエッチング速度が確保できる反応
性イオンエッチングが使用され、その他のシリコン系の
金属については、プラズマエッチングあるいはケミカル
ドライエッチングが使用される。しかし、半導体素子等
をエッチングする場合、反応性イオンエッチングを使用
すると、半導体の特性が取れなくなる現象（半導体層の
ダメージ）が起きるため、金属と半導体の両方をエッチ
ングする必要がある場合には、まず、反応性イオンエッ
チングでメタルエッチングを行った後に、プラズマエッ
チングを行い、金属部分と半導体素子に対して、異なる
エッチングをする手法がとられている。
【０００４】また、図４に示すように、特開平９−６４
０１７号公報にあるような反応性イオンエッチングとケ
ミカルドイエッチングの利点を合わせたエッチング装置
が存在する。このエッチング装置は、エッチングチャン
バ９と、チャンバ９内のウエハ１０の上下に設置された
高周波電圧の供給される電極２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂ
と、チャンバ９に反応ガスを導入するガス導入口１ａ，
１ｂと、高周波発信器４ａ，４ｂと、真空排気ポンプ５
を備えている。上部電極２ｂは、円形状をなし、それに
対して同心円状に電極２ａを配置し、電極２ａ，２ｂの
間は、石英１２で絶縁する。
０１７号公報にあるような反応性イオンエッチングとケ
ミカルドイエッチングの利点を合わせたエッチング装置
が存在する。このエッチング装置は、エッチングチャン
バ９と、チャンバ９内のウエハ１０の上下に設置された
高周波電圧の供給される電極２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂ
と、チャンバ９に反応ガスを導入するガス導入口１ａ，
１ｂと、高周波発信器４ａ，４ｂと、真空排気ポンプ５
を備えている。上部電極２ｂは、円形状をなし、それに
対して同心円状に電極２ａを配置し、電極２ａ，２ｂの
間は、石英１２で絶縁する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年は，二層、三層と
いった多層膜が素子の材料として用いられることが多く
なり、同一反応室内で連続的にエッチングされる事が多
くなっている。しかし、異なる種類の膜をエッチングす
る場合や同一の膜種であっても半導体装置の機能の違い
により要求されるエッチング性能（形状、選択比等）が
異なる場合においては、それぞれに応じたプロセスガス
やエッチングモード、エッチング装置を選択する必要が
あり、装置の汎用性が低下してしまう。
いった多層膜が素子の材料として用いられることが多く
なり、同一反応室内で連続的にエッチングされる事が多
くなっている。しかし、異なる種類の膜をエッチングす
る場合や同一の膜種であっても半導体装置の機能の違い
により要求されるエッチング性能（形状、選択比等）が
異なる場合においては、それぞれに応じたプロセスガス
やエッチングモード、エッチング装置を選択する必要が
あり、装置の汎用性が低下してしまう。
【０００６】また、複数の異なる膜を積層した積層構造
膜をエッチングする場合においては、ある１種類の膜に
最適な装置、条件を選択すると、他の膜のエッチングに
対しては必ずしも最良の均一性が得られないため、積層
膜全体では良好な均一性が得られなくなる。
膜をエッチングする場合においては、ある１種類の膜に
最適な装置、条件を選択すると、他の膜のエッチングに
対しては必ずしも最良の均一性が得られないため、積層
膜全体では良好な均一性が得られなくなる。
【０００７】また、特開平９−６４０１７号公報に開示
されているドライエッチング装置を使用した場合、プロ
セスチャンバ９内に違う周波数の高周波電圧がかかるた
め、異常放電等の危険性が高まる。また、上部電極、下
部電極のそれぞれを２分割しないといけないため、それ
ぞれの電極の間に石英等で絶縁する必要がある。この石
英等の絶縁物が放電にさらされ発塵し、ウェハーや液晶
基板上にパターン不良を発生させる可能性がある。
されているドライエッチング装置を使用した場合、プロ
セスチャンバ９内に違う周波数の高周波電圧がかかるた
め、異常放電等の危険性が高まる。また、上部電極、下
部電極のそれぞれを２分割しないといけないため、それ
ぞれの電極の間に石英等で絶縁する必要がある。この石
英等の絶縁物が放電にさらされ発塵し、ウェハーや液晶
基板上にパターン不良を発生させる可能性がある。
【０００８】本発明の目的は、膜種が異なる場合や積層
膜の場合でも所望のエッチング特性と均一性を両立させ
たエッチングを行うことを可能にしたドライエッチング
装置及びそれを用いたドライエッチング方法を提供する
ことにある。
膜の場合でも所望のエッチング特性と均一性を両立させ
たエッチングを行うことを可能にしたドライエッチング
装置及びそれを用いたドライエッチング方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、被エ
ッチング物の上下に対向して配置された１対の電極を備
えた反応室を有し、該反応室の外側から内部にエッチン
グガスを導入し、電極間のプラズマにより生成したエッ
チングガスのラジカル種を用いてエッチングを行うドラ
イエッチング装置において、エッチングガスをプラズマ
により励起させてラジカルを生成するプラズマ発生室を
備え、該プラズマ発生室で生成したラジカル種を前記反
応室に導入することを特徴とする。
ッチング物の上下に対向して配置された１対の電極を備
えた反応室を有し、該反応室の外側から内部にエッチン
グガスを導入し、電極間のプラズマにより生成したエッ
チングガスのラジカル種を用いてエッチングを行うドラ
イエッチング装置において、エッチングガスをプラズマ
により励起させてラジカルを生成するプラズマ発生室を
備え、該プラズマ発生室で生成したラジカル種を前記反
応室に導入することを特徴とする。
【００１０】請求項２の発明は、請求項１記載のドライ
エッチング装置を用いたドライエッチング方法におい
て、被エッチング物の少なくとも２層以上の被処理膜を
各層毎に、前記電極間のプラズマにより励起されたラジ
カル種と、プラズマ発生室で励起されたラジカル種によ
り連続的にエッチングを行うことを特徴とする。
エッチング装置を用いたドライエッチング方法におい
て、被エッチング物の少なくとも２層以上の被処理膜を
各層毎に、前記電極間のプラズマにより励起されたラジ
カル種と、プラズマ発生室で励起されたラジカル種によ
り連続的にエッチングを行うことを特徴とする。
【００１１】請求項３の発明は、請求項１記載のドライ
エッチング装置を用いたドライエッチング方法におい
て、前記電極間のプラズマにより励起されたラジカル種
によるエッチングと、プラズマ発生室で励起されたラジ
カル種によるエッチングとを選択して連続してエッチン
グを行うことを特徴とする。
エッチング装置を用いたドライエッチング方法におい
て、前記電極間のプラズマにより励起されたラジカル種
によるエッチングと、プラズマ発生室で励起されたラジ
カル種によるエッチングとを選択して連続してエッチン
グを行うことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図１及び、図２は本
発明によるドライエッチング装置の構造を示す図であ
る。図１は、反応性イオンエッチング装置であり、図２
は、プラズマエッチング装置である。従来の平行平板型
ドライエッチング装置と同様に、このエッチング装置
は、エッチングチャンバ９と、チャンバ９内のウェハ若
しくは液晶基板の被エッチング物１０の上下に設置され
た電極２，３と、高周波電圧の供給される高周波電源４
ａ，４ｂと、チャンバ９に反応ガスを導入するガス導入
口１ａ，１ｂと、ガス導入口１ａに接続されたプラズマ
発生室７と、チャンバ９内へのガス導入を切り換える弁
８ａ，８ｂと、ターボ分子ポンプ６と、ドライポンプ５
と、エッチング終了を検出する終点検出装置１１と、チ
ャンバ９内へガスを導入するガス導入管１２とを備えて
いる。プラズマ発生室７には、高周波電源４ａが接続さ
れて、ガス導入口１ａから導入されたガスに高周波を印
加してプラズマによりラジカルを生成する。プラズマ発
生室７で生成されたラジカルは、ガス切換弁８ａを開い
てガス導入管１５を通って、チャンバ９に導入される。
て、図面を参照しながら説明する。図１及び、図２は本
発明によるドライエッチング装置の構造を示す図であ
る。図１は、反応性イオンエッチング装置であり、図２
は、プラズマエッチング装置である。従来の平行平板型
ドライエッチング装置と同様に、このエッチング装置
は、エッチングチャンバ９と、チャンバ９内のウェハ若
しくは液晶基板の被エッチング物１０の上下に設置され
た電極２，３と、高周波電圧の供給される高周波電源４
ａ，４ｂと、チャンバ９に反応ガスを導入するガス導入
口１ａ，１ｂと、ガス導入口１ａに接続されたプラズマ
発生室７と、チャンバ９内へのガス導入を切り換える弁
８ａ，８ｂと、ターボ分子ポンプ６と、ドライポンプ５
と、エッチング終了を検出する終点検出装置１１と、チ
ャンバ９内へガスを導入するガス導入管１２とを備えて
いる。プラズマ発生室７には、高周波電源４ａが接続さ
れて、ガス導入口１ａから導入されたガスに高周波を印
加してプラズマによりラジカルを生成する。プラズマ発
生室７で生成されたラジカルは、ガス切換弁８ａを開い
てガス導入管１５を通って、チャンバ９に導入される。
【００１３】図１の反応性イオンエッチング装置では、
高周波電源４ｂが下部電極３に接続され、上部電極２は
接地されている。一方、図２のプラズマエッチング装置
では、高周波電源４ｂが上部電極２に接続され、下部電
極３は接地されている。どちらも基本的には同様の構造
をしており、反応室内の電極間で生成するラジカル種と
プラズマ発生室で生成するラジカル種を組み合わせてエ
ッチングが可能である。そのため、被エッチング物の膜
種が異なる場合や積層膜の場合でも所望のエッチング特
性と均一性を両立させたエツチングを行うことが可能で
ある。この装置を使ったエッチング方法を具体的に説明
する。
高周波電源４ｂが下部電極３に接続され、上部電極２は
接地されている。一方、図２のプラズマエッチング装置
では、高周波電源４ｂが上部電極２に接続され、下部電
極３は接地されている。どちらも基本的には同様の構造
をしており、反応室内の電極間で生成するラジカル種と
プラズマ発生室で生成するラジカル種を組み合わせてエ
ッチングが可能である。そのため、被エッチング物の膜
種が異なる場合や積層膜の場合でも所望のエッチング特
性と均一性を両立させたエツチングを行うことが可能で
ある。この装置を使ったエッチング方法を具体的に説明
する。
【００１４】図１の反応性イオンエッチング装置を用い
て、連続して液晶基板のソース電極と半導体層のチャネ
ルを形成する場合を説明する。図３は、液晶基板のソー
ス電極と半導体層のチャネルを形成する場合の工程説明
図である。図３（ａ）に示すように、液晶基板２７に対
し、上から順に、チタニウム膜２２、アルミニウム膜２
３、チタニウム膜２４、ｎ+−ａ−Ｓｉ層２５、半導体
層２６と積層されている。この総膜厚２００ｎｍの金属
膜上にフォトリソ法で膜厚２μｍのレジスト２１を形成
する。
て、連続して液晶基板のソース電極と半導体層のチャネ
ルを形成する場合を説明する。図３は、液晶基板のソー
ス電極と半導体層のチャネルを形成する場合の工程説明
図である。図３（ａ）に示すように、液晶基板２７に対
し、上から順に、チタニウム膜２２、アルミニウム膜２
３、チタニウム膜２４、ｎ+−ａ−Ｓｉ層２５、半導体
層２６と積層されている。この総膜厚２００ｎｍの金属
膜上にフォトリソ法で膜厚２μｍのレジスト２１を形成
する。
【００１５】次に、図３（ｂ）の状態にソース電極を形
成するために、図１の反応性イオンエッチング装置を用
いてエッチングを行う。ガス導入口１ｂからガス切換弁
８ｂを開いてエッチングガスをチャンバ９内に導入す
る。このときガス切換弁８ａは閉じられている。高周波
電源４ｂに２０００Ｗの高周波電圧を印加してプラズマ
によるラジカル種を生成し、図３（ａ）のフォトレジス
ト開口部に対して異方性エッチングを行う。
成するために、図１の反応性イオンエッチング装置を用
いてエッチングを行う。ガス導入口１ｂからガス切換弁
８ｂを開いてエッチングガスをチャンバ９内に導入す
る。このときガス切換弁８ａは閉じられている。高周波
電源４ｂに２０００Ｗの高周波電圧を印加してプラズマ
によるラジカル種を生成し、図３（ａ）のフォトレジス
ト開口部に対して異方性エッチングを行う。
【００１６】例えば、流量５０ｓｃｃｍのＢＣｌ3と流
量１５０ｓｃｃｍのＣｌ2をガス導入口１ｂより供給
し、圧力３０ｍＴｏｒｒでエッチングを行う。このと
き、より異方的なエッチングを行い、面内に均一なエッ
チングを行うために、電極間の距離は２００ｍｍ以上離
れていることが望ましい。そして、終点検出装置１１に
より、金属膜のエッチング終了を確認し、金属膜のエッ
チングを終了する。こうして図３（ｂ）に示すように、
フォトレジスト２１の開口部のチタニウム膜２２、アル
ミニウム膜２３、チタニウム膜２４がエッチングされ
る。
量１５０ｓｃｃｍのＣｌ2をガス導入口１ｂより供給
し、圧力３０ｍＴｏｒｒでエッチングを行う。このと
き、より異方的なエッチングを行い、面内に均一なエッ
チングを行うために、電極間の距離は２００ｍｍ以上離
れていることが望ましい。そして、終点検出装置１１に
より、金属膜のエッチング終了を確認し、金属膜のエッ
チングを終了する。こうして図３（ｂ）に示すように、
フォトレジスト２１の開口部のチタニウム膜２２、アル
ミニウム膜２３、チタニウム膜２４がエッチングされ
る。
【００１７】次に、図３（ｃ）に示すように、ｎ+−ａ
−Ｓｉ層２５、半導体層２６をエッチングする。流量２
００ｓｃｃｍのＳＦ6と流量２００ｓｃｃｍのＨＣｌを
ガス導入口１ａからプラズマ発生室７に供給し、プラズ
マ発生室７の電源４ａに１０００Ｗの高周波電圧を印加
する。プラズマ発生室７内では、プラズマによりラジカ
ル種を励起させる。この時の圧力は１００ｍＴｏｒｒで
ある。これらにより生成されたラジカル種は、ガス切換
弁８ａを開いてチャンバ９に供給され、先にエッチング
された金属膜から露出したｎ+−ａ−Ｓｉ層２５、半導
体層２６と等方的に反応し、ダメージの無いエッチング
が行われる。
−Ｓｉ層２５、半導体層２６をエッチングする。流量２
００ｓｃｃｍのＳＦ6と流量２００ｓｃｃｍのＨＣｌを
ガス導入口１ａからプラズマ発生室７に供給し、プラズ
マ発生室７の電源４ａに１０００Ｗの高周波電圧を印加
する。プラズマ発生室７内では、プラズマによりラジカ
ル種を励起させる。この時の圧力は１００ｍＴｏｒｒで
ある。これらにより生成されたラジカル種は、ガス切換
弁８ａを開いてチャンバ９に供給され、先にエッチング
された金属膜から露出したｎ+−ａ−Ｓｉ層２５、半導
体層２６と等方的に反応し、ダメージの無いエッチング
が行われる。
【００１８】この場合は、被エッチング物の種類によっ
ては、プラズマ発生室７からのラジカル種を用いてエッ
チングし、その後反応室の電極間で生成したラジカル種
を用いて連続エッチングする場合もある。一つのドライ
エッチング装置により２種類のエッチングが連続で行え
るので、エッチングレートの均一性が、非常に向上す
る。そして、所望のエッチング方法を選択することがで
き、所望のエッチング特性が得られる。
ては、プラズマ発生室７からのラジカル種を用いてエッ
チングし、その後反応室の電極間で生成したラジカル種
を用いて連続エッチングする場合もある。一つのドライ
エッチング装置により２種類のエッチングが連続で行え
るので、エッチングレートの均一性が、非常に向上す
る。そして、所望のエッチング方法を選択することがで
き、所望のエッチング特性が得られる。
【００１９】反応性イオンエッチングモードによるエッ
チングにおいて、基板面内のエッチングの均一性が悪い
場合に、ケミカルドライエッチングを補助的に用いるこ
とも可能である。図１に示す反応性イオンエッチング装
置を用いて、例えば膜厚３００ｎｍのアルミニウムを配
線加工のためにエッチングする場合について述べる。従
来のアルミニウム膜をエッチングする反応性イオンエッ
チングと同様に流量５０ｓｃｃｍのＢＣｌ3と流量１５
０ｓｃｃｍのＣｌ2を反応ガス導入口１ａ，１ｂから、
プラズマ発生室７とチャンバ９に同時に供給する。さら
に電源４ｂに２０００Ｗの高周波電圧を、同時に電源４
ａに１０００Ｗの高周波電圧を印加する。こうして、電
極間に発生するプラズマによるラジカル種と、プラズマ
発生室７から供給されるラジカル種によってエッチング
が行われる。このように、両ラジカル種を用いてエッチ
ングするので、基板面内のエッチングレートの均一性
が、非常に向上する。基板面内のエッチングレートの均
一性を調査したところ、±５．１％となり、従来の反応
性イオンエッチングのみのときの土１０．８％に比べて
非常に向上し、また、レジストに対するエッチング選択
比の劣化や残滓は観察されていない。
チングにおいて、基板面内のエッチングの均一性が悪い
場合に、ケミカルドライエッチングを補助的に用いるこ
とも可能である。図１に示す反応性イオンエッチング装
置を用いて、例えば膜厚３００ｎｍのアルミニウムを配
線加工のためにエッチングする場合について述べる。従
来のアルミニウム膜をエッチングする反応性イオンエッ
チングと同様に流量５０ｓｃｃｍのＢＣｌ3と流量１５
０ｓｃｃｍのＣｌ2を反応ガス導入口１ａ，１ｂから、
プラズマ発生室７とチャンバ９に同時に供給する。さら
に電源４ｂに２０００Ｗの高周波電圧を、同時に電源４
ａに１０００Ｗの高周波電圧を印加する。こうして、電
極間に発生するプラズマによるラジカル種と、プラズマ
発生室７から供給されるラジカル種によってエッチング
が行われる。このように、両ラジカル種を用いてエッチ
ングするので、基板面内のエッチングレートの均一性
が、非常に向上する。基板面内のエッチングレートの均
一性を調査したところ、±５．１％となり、従来の反応
性イオンエッチングのみのときの土１０．８％に比べて
非常に向上し、また、レジストに対するエッチング選択
比の劣化や残滓は観察されていない。
【００２０】こうして、分離してエッチングしていた工
程が、１台の装置でエッチングが終了するので、装置コ
ストを抑えることになる。
程が、１台の装置でエッチングが終了するので、装置コ
ストを抑えることになる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、エッチングガ
スをプラズマにより励起させてラジカルを生成するプラ
ズマ発生室を備え、該プラズマ発生室で生成したラジカ
ル種を前記反応室に導入するので、反応室内の電極間で
生成するラジカル種とプラズマ発生室で生成するラジカ
ル種を組み合わせてエッチングが可能であり、被エッチ
ング物の膜種が異なる場合や積層膜の場合でも、所望の
エッチング特性と均一性を両立させたエツチングを行う
ことを可能とする。従って、この装置で複数のドライエ
ッチング方法を組み合わせて実施でき、装置の汎用性が
向上する。また、分離してエッチングしていた工程が１
台の装置でエッチングが終了するので、装置コストを抑
えることにもなる。
スをプラズマにより励起させてラジカルを生成するプラ
ズマ発生室を備え、該プラズマ発生室で生成したラジカ
ル種を前記反応室に導入するので、反応室内の電極間で
生成するラジカル種とプラズマ発生室で生成するラジカ
ル種を組み合わせてエッチングが可能であり、被エッチ
ング物の膜種が異なる場合や積層膜の場合でも、所望の
エッチング特性と均一性を両立させたエツチングを行う
ことを可能とする。従って、この装置で複数のドライエ
ッチング方法を組み合わせて実施でき、装置の汎用性が
向上する。また、分離してエッチングしていた工程が１
台の装置でエッチングが終了するので、装置コストを抑
えることにもなる。
【００２２】請求項２の発明によれば、このエッチング
装置を用いて、前記電極間のプラズマにより励起された
ラジカル種と、プラズマ発生室で励起されたラジカル種
により連続的にエッチングを行うので、被エッチング物
内のエッチングレートの均一性が、非常に向上する。
装置を用いて、前記電極間のプラズマにより励起された
ラジカル種と、プラズマ発生室で励起されたラジカル種
により連続的にエッチングを行うので、被エッチング物
内のエッチングレートの均一性が、非常に向上する。
【００２３】請求項３の発明によれば、このエッチング
装置を用いて、電極間のプラズマにより励起されたラジ
カル種によるエッチングと、プラズマ発生室で励起され
たラジカル種によるエッチングと選択してエッチングを
行うので、それぞれの所望のエッチング方法を選択する
ことができ、所望のエッチング特性が得られる。
装置を用いて、電極間のプラズマにより励起されたラジ
カル種によるエッチングと、プラズマ発生室で励起され
たラジカル種によるエッチングと選択してエッチングを
行うので、それぞれの所望のエッチング方法を選択する
ことができ、所望のエッチング特性が得られる。
【図１】本発明に係るドライエッチング装置（反応性イ
オンエッチング型）の概略構成図である。
オンエッチング型）の概略構成図である。
【図２】本発明に係るドライエッチング装置（プラズマ
エッチング型）の概略構成図である。
エッチング型）の概略構成図である。
【図３】液晶基板のソース電極と半導体層のチャネルを
形成する場合の工程説明図である。
形成する場合の工程説明図である。
【図４】従来のドライエッチング装置の概略構成図であ
る。
る。
１ａ，１ｂ ガス導入口 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ａ，４ｂ 高周波電源 ５ ドライポンプ ６ ターボ分子ポンプ ７ プラズマ発生室 ８ａ，８ｂ ガス切換弁 ９ チャンバ １０ ウェハー及び液晶基板 １１ 終点検出装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 DA02 DA14 DA16 DB05 DB08 DD01 DD07 DD08 DE01 DE04 DE06 DG12 DM17 DM28 DM37 DN01 5F004 AA01 BA03 BA04 BB13 CA01 CB15 DA04 DA11 DA18 DA29 DB08 DB09 DB30 EA28 EB02
Claims (3)
- 【請求項１】 被エッチング物の上下に対向して配置さ
れた１対の電極を備えた反応室を有し、該反応室の外側
から内部にエッチングガスを導入し、電極間のプラズマ
により生成したエッチングガスのラジカル種を用いてエ
ッチングを行うドライエッチング装置において、 エッチングガスをプラズマにより励起させてラジカルを
生成するプラズマ発生室を備え、該プラズマ発生室で生
成したラジカル種を前記反応室に導入することを特徴と
するドライエッチング装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のドライエッチング装置を
用いたドライエッチング方法において、 被エッチング物の少なくとも２層以上の被処理膜を各層
毎に、前記電極間のプラズマにより励起されたラジカル
種と、プラズマ発生室で励起されたラジカル種により連
続的にエッチングを行うことを特徴とするドライエッチ
ング方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のドライエッチング装置を
用いたドライエッチング方法において、 前記電極間のプラズマにより励起されたラジカル種によ
るエッチングと、プラズマ発生室で励起されたラジカル
種によるエッチングとを選択して連続してエッチングを
行うことを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11035752A JP2000235968A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | ドライエッチング装置及びそれを用いたドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11035752A JP2000235968A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | ドライエッチング装置及びそれを用いたドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000235968A true JP2000235968A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12450571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11035752A Pending JP2000235968A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | ドライエッチング装置及びそれを用いたドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000235968A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180028949A (ko) | 2016-09-09 | 2018-03-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라스마 에칭 방법 |
| KR20180133221A (ko) | 2017-06-05 | 2018-12-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 및 에칭 장치 |
-
1999
- 1999-02-15 JP JP11035752A patent/JP2000235968A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180028949A (ko) | 2016-09-09 | 2018-03-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라스마 에칭 방법 |
| KR20180133221A (ko) | 2017-06-05 | 2018-12-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 및 에칭 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040408 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040615 |