JP2000232248A - 多波長励起光合波用デバイスおよびこの多波長励起光合波用デバイスを組み込んだ多波長励起用光源と光増幅器 - Google Patents

多波長励起光合波用デバイスおよびこの多波長励起光合波用デバイスを組み込んだ多波長励起用光源と光増幅器

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JP2000232248A
JP2000232248A JP11033524A JP3352499A JP2000232248A JP 2000232248 A JP2000232248 A JP 2000232248A JP 11033524 A JP11033524 A JP 11033524A JP 3352499 A JP3352499 A JP 3352499A JP 2000232248 A JP2000232248 A JP 2000232248A
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良三 山内
Akira Wada
朗 和田
Kenji Nishide
研二 西出
Shigefumi Yamazaki
成史 山崎
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高出力の励起光を出力でき、構成部品の波長
精度や温度制御を軽減できる多波長励起光合波用デバイ
スおよびこの多波長励起光合波用デバイスを組み込んだ
光源と光増幅器を提供する。 【解決手段】 複数の入力端子２４ａ，２４ｂ，…，２
４ｃを有し、複数の波長λ1，λ2，…λnの光を合波す
る機能を有する光合波素子２４の出力端子２４ｄの出力
側近傍に、当該合波光を低反射率で反射する反射素子３
０を挿入して多波長励起光源合波用デバイスを構成し、
前記光合波素子２４の入力端子２４ａ，２４ｂ，…，２
４ｃに、それぞれレーザ２１ａ，２２ａ，…，２３ａを
接続して多波長励起用光源を構成し、これを組み込んで
光増幅器を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ通信、
光計測、レーザ加工などに使用する光増幅器および、そ
のレーザ用の励起光源に関し、より高出力の製品を得る
ための手段を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７（ａ）は従来の長距離用光ファイバ
通信システムの一例を示した概略構成図である。この図
に示したように、従来の通信システムにおいては、送信
機１と受信機２とを結ぶ光ファイバ３の途中で、数十ｋ
ｍ毎に再生中継器４，４によって光信号を光・電気変換
した後、電気・光変換する再生中継を繰り返す必要があ
った。図７（ｂ）はこの再生中継器４の構成の一例を示
したもので、送信機１側の光ファイバ３からの光信号
が、光検出器５、波形整形回路６、レーザ用ドライバ
７、レーザ８を介することにより、光・電気変換され、
さらに電気・光変換されて受信機２側の光ファイバ３に
送られる。
【０００３】さらに近年は、光技術の進歩によって高出
力のレーザが安価に得られるようになった。このため、
図８（ａ）に示したように、送信機１と受信機２との間
の光ファイバ３の途中に光増幅器１０を挿入し、この光
増幅器１０によって光信号を直接的に増幅する長距離用
光ファイバ通信システムが実用化された。
【０００４】図８（ｂ）は光増幅器１０の構成の一例を
示したものである。この光増幅器１０において、希土類
添加光ファイバ１１は実際に増幅を行う活性媒質であ
る。そして、この希土類添加光ファイバ１１の手前に設
けられた光合波素子１２に接続された光ファイバ１３を
介して、レーザ（励起光源）１４から前記希土類添加光
ファイバ１１に励起光を入力することによって光信号が
増幅され、この増幅された光信号が希土類添加光ファイ
バ１１から出力される。なお、希土類添加光ファイバ１
１の後方側のアイソレータ１５は、戻り光を阻止してレ
ーザ１４の動作を安定させるために設けられている。こ
のような光増幅器の実用化によって、減衰した光信号を
直接増幅し、数千ｋｍの伝送であっても再生中継を行わ
ない伝送が可能となった。
【０００５】現在の光ファイバ通信において、希土類添
加光ファイバ１１としては、効率が高いことで知られて
いる１．５μｍ帯増幅用エルビウム添加光ファイバが主
に用いられている。希土類添加光ファイバ１１を構成す
る希土類元素は、その種類によって異なる吸収スペクト
ルを有する。例えばエルビウム添加光ファイバは、図９
に示したように９８０ｎｍと１４８０ｎｍ帯付近に比較
的広い波長幅の吸収スペクトルを有している。よって、
１．５μｍ帯増幅用エルビウム添加光ファイバ増幅器
（以下、ＥＤＦＡと略記する）においては、一般に０．
９８μｍ付近または１．４８μｍ付近の励起光によって
１．５μｍ帯の光信号を増幅することができる。また、
励起光を発振するレーザ１４としては、一般に半導体レ
ーザが用いられる。中でも比較的安価にパワーが得られ
るファブリペロ型半導体レーザ（以下、ファブリペロレ
ーザと示す）が主に使用されている。
【０００６】一方、複数の波長の信号光を多重伝送する
波長多重方式の光ファイバ通信システムが実用化され、
光ファイバ１本で伝送可能な情報量をさらに増大させる
ことができるようになった。図８（ａ）に示した光通信
システムにて波長多重通信を行う場合、光ファイバ増幅
器１０に要求される出力は、１波を伝送する場合と比ベ
て大きくなる。そのため、レーザ１４から供給される励
起光のパワーも、より大きなものが要求されるようにな
ってきた。
【０００７】励起光の総合的なパワーを増大させる方法
としては、例えばレーザの出力を増大させる方法が考え
られる。しかし、一般のレーザの出力は限られているた
め、限界があり、十分な効果は得られない。
【０００８】そこで、以下のような方法が考えられる。
すなわち、複数のレーザを用意する。これらのレーザ
は、希土類添加光ファイバ中の希土類元素を励起可能な
波長帯の光を発振し、かつそれぞれの発振波長が若干ず
つ異なるものである。そして、これらのレーザから出力
した光を合波し、この合波光を励起光とする。例えば、
ＥＤＦＡにおける１．４８μｍ付近の励起波長幅は、図
９に示したように、１．４５〜１．４９μｍ程度、０．
９８μｍ付近の励起波長幅は数ｎｍ程度であり、比較的
広い。よって、これらの波長帯内の複数の異なる波長の
光を合波すると、これら複数の光のパワーの合計が励起
光のパワーとなる。すなわち、レーザをｎ個用意する
と、ひとつのレーザを用いた場合と比較して、理論的に
は（合波時などに損失がないものとすれば）ｎ倍のパワ
ーが得られることになる。
【０００９】しかし、レーザ１４として一般に用いられ
ているファブリペロレーザの発振波長には、図１０に示
したように多くの縦モードが存在しており、前記発振波
長は１５〜２０ｎｍ程度の広い波長幅を有している。こ
のように広い波長幅を有する複数の光の合波は一般に困
難である。ただし、ファブリペロレーザから出力される
光においては、偏波が保存されているため、直行２偏波
を合波して２倍のパワーの励起光を得る方法は行われて
いる。しかし、この方法でも理論上、通常の２倍をこえ
るパワーの励起光を得ることはできない。さらに、あま
り発振波長幅の広い光を合波すると、合波光の波長帯幅
が前記励起波長帯からはみ出し、励起光としての効果が
低減する。
【００１０】そこで、以下のような方法が考えられてい
る。まず、図１１（ａ）に示したように、ファブリペロ
レーザ２０ａの後方に、特定の狭い波長帯の光を低反射
率で反射する反射素子２０ｂ（外部共振器）を取り付け
る。すると、このファブリペロレーザ２０ａと反射素子
２０ｂとの組み合わせは、ファブリペロレーザの一方の
反射面をＤＢＲ（分布ブラッグ反射器）で置き換えた構
造の、いわゆる分布ブラッグ反射素子レーザ（ＤＢＲレ
ーザ）と同様の構成となる。つまり、反射素子２０ｂに
よって選択的に反射される波長帯の光のみが発振するレ
ーザ発振素子２０が構成される。そして、反射素子２０
ｂを経て得られる光は、結果的に図１１（ｂ）に示した
ように狭スペクトル化される。
【００１１】図１２（ａ）は、このようなファブリペロ
レーザと反射素子とからなるレーザ発振素子を用いた波
長多重方式の多波長励起用光源の一例と、これを組み込
んだ光増幅器の構成を示したもので、この光増幅器を波
長多重伝送方式による光通信システムに適用した例を示
した概略構成図である。すなわち、上述のレーザ発振素
子をｎ個用意する。符号２１は波長λ1を中心とする狭
帯域の光を発振するレーザ発振素子であり、このレーザ
発振素子２１はファブリペロレーザ２１ａと反射素子２
１ｂとから構成されている。同様に波長λ2を中心とす
る光を発振するレーザ発振素子２２はファブリペロレー
ザ２２ａと反射素子２２ｂとから構成されている。ま
た、ｎ番目のレーザ発振素子２３は、ファブリペロレー
ザ２３ａと反射素子２３ｂとからなり、波長λnを中心
とする光を発振するものである。これらレーザ発振素子
２１，２２，２３の発振波長λ1，λ2，λnは適当な波
長間隔で異なるように設定されている。
【００１２】希土類添加光ファイバ１１としてエルビウ
ム添加光ファイバを用いる場合は、９８０ｎｍ帯または
１４８０ｎｍ帯の励起波長帯に、所定間隔で異なる発振
波長を有するレーザ発振素子を複数用意し、図１２
（ａ）に示したような光増幅器を構成する。
【００１３】この多波長励起用光源においては、これら
のレーザ発振素子２１，２２，…，２３から発振した光
が、それぞれ光合波素子２４の入力端子２４ａ，２４
ｂ，…２４ｃに入力し、合波素子２４にて合波され、そ
の出力端子２４ｄから出力される。そして、この合波光
においては、図１２（ｂ）に示したように、波長幅の狭
いλ1，λ2，…，λnの複数のピークが並列した波長ス
ペクトルが得られる。この合波光のパワーは、これらの
ピークのそれぞれのパワーの合計となる。そして、この
合波光を光合波素子１２を介して希土類添加光ファイバ
１１に入力することにより、伝送用の光ファイバ３を波
長多重方式によって伝搬して希土類添加光ファイバ１１
に入力したλ1’，λ2’，…，λn’の光信号が、前記
合波光による励起効果によって増幅される。
【００１４】図１３は、図１２に示した光合波素子２４
の一例として、アレイド・ウェーブガイド・グレーティ
ング（Arrayed Waveguide Grating：ＡＷＧ）形光合波
回路と呼ばれる合波素子を示したものである（以下、Ａ
ＷＧと略記する）。すなわち、このＡＷＧは、基板２５
上に複数の略Ｕ字状のアレイ導波路２６，２６…が略平
行に設けられている。これらのアレイ導波路２６…は、
隣接するアレイ導波路２６どうしの導波路差（光路長
差）がΔＬに設定されている。これらのアレイ導波路２
６…の入力側と出力側には、複数のアレイ導波路２６…
を導波する光が干渉するスラブ導波路２７ａ，２７ｂが
設けられている。そして、出力側のスラブ導波路２７ｂ
よりも後方には１本の導波路２８が設けられている。す
なわち、このＡＷＧにおいては、アレイ導波路２６…の
入力側の端部が複数の入力端子２４ａ，２４ｂ，２４ｃ
…であり、導波路２８の出力側の端部が出力端子２４ｄ
となっている。
【００１５】そして、入力端子２４ａ，２４ｂ…からそ
れぞれのアレイ導波路２６…に入力した波長λ1，λ2，
…，λnの光は、入力側のスラブ導波路２７ａにて、こ
のスラブ導波路２７ａよりも後方のアレイ導波路２６…
に分配される。そして、これらのアレイ導波路２６…を
通るうちに導波路差を生じ、出力側のスラブ導波路２７
ｂにてこれらの光が干渉して合波され、導波路２８を経
て出力端子２４ｄから出力するようになっている。
【００１６】前記基板２５としてはシリコン基板などが
用いられる。そして、このＡＷＧは、例えば、シリコン
基板上に石英薄膜層を設け、この石英薄膜層に導波路パ
ターンに従ってゲルマニウムをドープして作製すること
ができる。ＡＷＧは高分解能の分光特性を有するため、
上述のような波長多重方式に好適である。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１２
（ａ）に示した、複数の異なる波長の光を合波する方式
においては、以下のような問題点があった。第１の問題
は反射素子２１ｂ，２２ｂ，…，２３ｂに高い波長精度
が要求されることである。これは、レーザ発振素子２
１，２２，…，２３毎に発振波長を厳密に合わせる必要
があるためである。そして、反射素子２１ｂ…の波長精
度が低いと発振波長が安定せず、大きなパワーの合波光
が得られない。
【００１８】例えば、ＥＤＦＡを構成するにあたり、励
起波長帯として９８０ｎｍ帯を利用する場合、例えば、
具体的には、それぞれ９７７ｎｍ、９７８．５ｎｍ、９
８０ｎｍ、９８１．５ｎｍの反射波長特性を有する複数
の反射素子２１ｂ，…，２３ｂを用意し、それぞれのレ
ーザ発振素子２１，…，２３の発振波長を合わせなけれ
ばならない。すなわち、複数のレーザ発振素子２１，
…，２３の発振波長が近接しているため、反射素子２１
ｂ，…，２３ｂに対してかなりの高精度が要求される。
【００１９】第２の問題は、第１の問題に加えて、レー
ザ発振素子２１，…，２３の発振波長は、これらの発振
波長を合波する光合波素子２４の透過波長特性と合致し
ていなければならないことである。これらが合致してい
なければ、レーザ発振素子２１，…，２３から発振した
光は光合波素子２４において減衰し、光合波素子２４の
出力側に高効率で伝達されない。しかもこの現象は相対
的なものであり、上述の（１）の問題が解決されてお
り、レーザ発振素子２１，…，２３のそれぞれの発振波
長が安定であっても、光合波素子２４の透過波長が変動
すれば、光合波素子２４において光が減衰し、合波光の
パワーは大きく変化する。
【００２０】しかしながら、光合波素子２４として好適
な図１３に示したＡＷＧの透過波長特性の温度依存性は
意外に大きい。現実には、ＡＷＧの透過波長特性は、例
えば０．０１３ｎｍ／℃の温度依存性を有している。し
たがって、ＡＷＧの温度補償を行わない場合、使用温度
環境が温度幅で５０℃変化すると、０．６５ｎｍだけ透
過波長が波長軸と平行にシフトする。すると、ＡＷＧの
透過波長がレーザ発振素子２１，…，２３の発振波長と
食い違い、ＡＷＧにおける透過損失が急激に増大してし
まう。したがって、ＡＷＧの精密な温度補償が必要であ
った。温度依存性の問題はＡＷＧにおいて顕著である
が、一般に他の光合波素子も温度依存性を有しているた
め、同様の問題が発生した。
【００２１】一方、ファブリペロレーザ２１ａ，…，２
３ａの発振波長自体も、温度制御しない場合、例えば０
℃から４０℃に温度が変化すると、その中心波長が１０
ｎｍ以上変化することが知られている。したがって、反
射素子２１ｂ，…，２３ｂの反射波長および光合波素子
２４の透過波長と、ファブリペロレーザ２１ａ，…，２
３ａの発振波長とを合致させるためには、ファブリペロ
レーザ２１ａ，…，２３ａの厳密な温度補償も必要であ
った。
【００２２】また、光通信分野のみならず、光計測、レ
ーザ加工などに使用する光増幅器およびそのレーザ用の
励起光源にいても、このような高出力のものが求められ
ている。
【００２３】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、高出力の励起光を出力できる多波長励起光合波用デ
バイスおよびこの多波長励起光合波用デバイスを組み込
んだ光源と光増幅器であって、温度変化に対して特性が
変化しにくいものを提供することを課題とする。さら
に、従来よりも構成部品に高い波長精度が要求されない
ものを提供することを課題とする。そして、構成部品の
温度制御を軽減できる、多波長励起光合波用デバイスお
よびこの多波長励起光合波用デバイスを組み込んだ光源
と光増幅器を提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明においては、前記
課題を解決するために以下のような解決手段を提案す
る。すなわち、第１の発明は２つ以上の入力端子を有
し、異なる２つ以上の波長の光を合波する機能を有する
光合波素子の出力端子の出力側近傍に、当該合波光を低
反射率で反射する反射素子を挿入したことを特徴とする
多波長励起光合波用デバイスである。第２の発明は、第
１の発明の多波長励起光合波用デバイスの光合波素子の
入力端子に、それぞれレーザを接続したことを特徴とす
る多波長励起用光源である。第３の発明は、第２の発明
の多波長励起用光源を組み込んだことを特徴とする光増
幅器である。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は本発明の多波長励起
光合波用デバイスと、これを組み込んだ多波長励起用光
源（レーザ発振素子）の実施形態例を示したものであ
る。図１２（ａ）、、図１２（ｂ）、図１３に示したも
のと同様の構成には同符号を付して説明を省略する。す
なわち、この多波長励起用光源は、光合波素子２４と、
その出力端子２４ｄに接続された光ファイバ３の途中に
挿入された反射素子（反射素子）３０とからなる多波長
励起光合波用デバイスと、この光合波素子２４のｎ個の
アレイ導波路２６…の入力端子２４ａ，２４ｂ，…，２
４ｃのそれぞれに、光ファイバ（ピグテイル）３…を介
して接続されたｎ個のファブリペロレーザ２１ａ，２２
ｂ，…，２３ｂとから構成されている。前記多波長励起
光合波用デバイスにおいて、反射素子３０は光合波素子
２４の出力端子２４ｄの出力側近傍に設けられていれば
よく、光合波素子２４と反射素子３０との距離は特に限
定されない。例えば出力端子２４ｄと反射素子３０との
距離が３ｍ以下程度であると好ましい。
【００２６】また、この例において、光源はファブリペ
ロレーザ２１ａ，２２ａ，…，２３ａを用いているが、
縦モードに関する多モードレーザであって、目的とする
励起波長帯の光を発振できる半導体レーザであればファ
ブリペロレーザに限定することはない。この例のファブ
リペロレーザ２１ａ，…，２３ａは、ＥＤＦＡの励起波
長帯である１４６０〜１４９０ｎｍ帯に対応した発振波
長を有するものが用いられている。また、光合波素子２
４は図１３に示したＡＷＧと同様のものであって、比較
的高密度の波長多重が可能なものである。この例のＡＷ
Ｇは、図２に示したような波長−損失特性を有してい
る。すなわち、それぞれのアレイ導波路２６…は特定の
狭い波長帯の光が透過するものであって、１４６０〜１
４９０ｎｍの励起波長帯において、これら複数のアレイ
導波路２６…の透過光の波長λ1，λ2，…，λnが、所
定間隔ずつ異なっている。この例において、具体的に
は、１４７０ｎｍを中心に各波長間隔が約１．６ｎｍに
設定されている。
【００２７】反射素子３０は上述の励起波長帯の光を比
較的低い反射率で反射するものである。反射素子３０の
反射率はレーザ（ファブリペロレーザ２１ａ，…，２３
ａ）の特性により決定すべきものである。例えば、図８
（ｂ）に示したような構成のＥＤＦＡの励起に使用する
９８０ｎｍ帯、１４８０ｎｍ帯の波長域の光を発振する
ファブリペロレーザの場合、２〜１０％程度の反射率に
設定すると適当な解が与えられる。この例において、反
射器３０としては、図３に示した誘電体多層膜からなる
多層膜干渉フィルタ３１を用い、１４６０〜１４８０ｎ
ｍ付近で、ほぼ５％の反射率が得られるものである。
【００２８】ここで、光合波素子（ＡＷＧ）２４のひと
つのアレイ導波路２６と、その入力端子２４ａに接続さ
れたひとつのファブリペロレーザ２１ａに着目して説明
する。このアレイ導波路２６においては、波長λ1を中
心とする狭帯域の光のみが透過するようになっている。
ファブリペロレーザ２１ａからひとつのアレイ導波路２
６に、波長幅の広い光を入射すると、このアレイ導波路
２６に割り当てられている波長λ1の光のみが反射素子
３０にむかって出力される。そして、この特定波長λ1
の光は、反射素子３０において、比較的、低反射率で反
射する。
【００２９】アレイ導波路２６を透過する光は、入力側
から出力側に向かう場合と出力側から入力側に向かう場
合とにおいて同じ波長が選択されるので、前記反射光は
出力端子２４ｄから光合波素子２４に入射し、同じアレ
イ導波路２６を透過してファブリペロレーザ２１ａに至
る。そして、ファブリペロレーザ２１ａからは、前記反
射光の波長λ1に対応した光が発振される。
【００３０】すなわち、この多波長励起用光源において
は、アレイ導波路２６を透過する波長が、ファブリペロ
レーザ２１ａから発振する光の波長（発振波長）にな
る。この作用は、２番目のファブリペロレーザ２２ａ，
…，ｎ番目のファブリペロレーザ２３ａにおいてそれぞ
れ同様であって、これらが接続されたアレイ導波路２６
…のそれぞれを透過する波長λ2，…，λnによって、フ
ァブリペロレーザ２２ａ，…，２３ａの発振波長が決定
される。このため、ファブリペロレーザ２１ａ，２２
ａ，…，２３ａから発振したそれぞれの光を光合波素子
２４にて合波した後には、図１（ｂ）に示したような、
狭帯域のλ1，λ2，…，λnのピークが所定間隔で複数
並列した波長スペクトルが得られる。つまり、ファブリ
ペロレーザ２１ａ，２２ａ，…，２３ａのそれぞれから
出力される光の波長スペクトルは、これらの狭帯域のλ
1，λ2，…λnのピークにそれぞれ対応している。
【００３１】このように、この多波長励起用光源におい
ては、光合波素子２４のアレイ導波路２６…の選択波長
特性（透過特性）によってファブリペロレーザ２１ａ，
２２ａ，…，２３ａの発振波長が決定される。このた
め、例え環境温度変化などによって、複数のアレイ導波
路２６…の透過波長が同じ波長幅だけ波長軸に平行にシ
フトしたとしても、そのシフトした透過波長によってフ
ァブリペロレーザ２１ａ，…，２３ａの発振波長が決定
される。すなわち、光合波素子２４の特性変化に応じて
ファブリペロレーザ２１ａ，２２ａ，…，２３ａの発振
波長も変化する。つまり、この例の多波長励起用光源に
おいては、個々のファブリベロレーザ２１ａ，…，２３
ａから見た共振器はあくまでも、ＡＷＧの出力側に接続
された反射素子３０である。
【００３２】その結果、温度変化によって光合波素子２
４の特性が変化しても、光合波素子２４において、ファ
ブリペロレーザ２１ａ，…，２３ａから発振した光の損
失が増加しにくくなる。すなわち、温度変化によって合
波光のパワーが変化しにくくなる。また、反射素子３０
は合波光の波長帯の光を反射する特性を有するものであ
ればよく、高い波長精度は要求されない。
【００３３】より具体的には、ＡＷＧの透過波長特性
は、例えば０．０１３ｎｍ／℃の温度依存性を有してい
る。したがって、光合波素子２４として温度補償を行わ
ずにＡＷＧを用いた場合、使用温度が５０℃変化する
と、ＡＷＧの透過波長は波長軸と平行に０．６５ｎｍシ
フトする。すなわち、光合波素子２４から得られる励起
光（合波光）の波長が０．６５ｎｍ程度変化する。ＥＤ
ＦＡにおいては、図９に示したように、使用可能な励起
光の波長幅は比較的広い。よって、多数のレーザで励起
する場合、この５０℃の温度変化による０．６５ｎｍ程
度の合波光の波長のシフトは励起可能な波長帯の許容幅
の中にある。つまり、この程度合波光の波長が変化した
としても、ＥＤＦＡにおいて、十分に光信号を増幅可能
である。
【００３４】このように、上述の多波長励起光合波用デ
バイスおよびこれを組み込んだ多波長励起用光源におい
ては、光合波素子の温度制御を緩和することができ、か
つ、反射素子などの構成部品に対してそれ程高い波長精
度が要求されない。また、ひとつのレーザに対してひと
つの反射素子を用いていた従来の構成と比較して部品数
が少ない。よって、部品コストや損失を低減することが
き、低コストである。そして、この多波長励起用光源
を、例えば図８（ａ），図８（ｂ）に示した光増幅器に
組み込むことによって、波長多重伝送方式の光通信シス
テムなどに適した高出力の光増幅器が得られる。また、
本発明の多波長励起光合波用デバイスおよび多波長励起
用光源は、このように高出力であるため、光通信分野の
みならず、光計測、レーザ加工などに使用する光増幅器
およびそのレーザ用の励起光源に好適である。
【００３５】図１（ａ）に示した多波長励起光合波用デ
バイスにおいて、光合波素子２４としては、上述のよう
にＡＷＧ以外のものを用いることができる。上述のよう
に光合波素子２４によってファブリペロレーザ２１ａ，
２２ａ，…２３ａの発振波長が決定されるのは、ＡＷＧ
以外の光合波素子においても同様である。図４、図５は
光合波素子の他の例を示したもので、この光合波素子は
マッハツェンダー型の波長フィルタを組み合わせた実用
性の高い素子である。図４（ａ）はマッハツェンダー型
波長フィルタの基本形を示したもので、この基本形４０
はふたつの光ファイバカプラ４１，４１間を、干渉計で
ある第１のアームと第２のアームにて接続した構造とな
っている。第１のアームと第２のアームとは長さが異な
る光ファイバ３，３からなり、これらの導波路差はΔＬ
である。光ファイバカプラ４１は例えば、２本の光ファ
イバを並列させ、その途中を融着延伸して製造した入力
端子と出力端子とをふたつずつ有する融着延伸型の通常
のものを用いることができる。
【００３６】この基本形４０における光の合波分波の動
作を、ひとつの入力端子４２とふたつの出力端子４３
ａ，４３ｂを設定した場合を例として説明する。使用し
ない端子については、常法によって無反射処理をしてお
くと好ましい。図４（ｂ）はこの基本形４０における波
長−結合度の関係を示したグラフである。結合度とは、
例えば１本の光ファイバに入力した光が他方の光ファイ
バに結合する割合を示している。この基本形４０におい
ては、第１ないし第２のアームの導波路差ΔＬによっ
て、このグラフに示されているように、波長に対して結
合度が周期的に変化する特性が得られる。つまり、入力
端子４２から光を入力すると、図４（ｂ）に示したグラ
フにおいて、結合度の低い波長の光は第１の出力端子４
３ａから出力し（第１の出力）、結合度の高い波長の光
は第２の出力端子４３ｂから出力する（第２の出力）。
この波長選択特性は、入出力の端子を逆にした場合も同
様であって、例えば上述の場合と逆に、第１の入力端子
４３ａ’と第２の入力端子４３ｂ’とに比較的広い波長
帯の光を入力すると、第１の入力端子４３ａ’と第２の
入力端子４３ｂ’とにそれぞれ割当られた、特定波長の
狭帯域の光の合波光が出力端子４２’から出力する。
【００３７】この基本形４０は、２つの異なる波長の光
を合波する合波素子として使用できるが、３つ以上の光
を合波する場合には、例えば図５（ａ）に示した構成と
する。図５（ａ）は入力端子をふたつ、出力端子をひと
つ有する２×１の基本形４０を３段接続することによっ
て、８つの波長の光がそれぞれ選択的に透過する導波路
を形成し、これらの８つの光を合波する光合波素子を構
成したものである。前記導波路の入力端子は図中符号４
４ａ，４４ｂ，４４ｃ，…，４４ｄで示されている。
【００３８】すなわち、この光合波素子は、出力側の１
段目の基本形のふたつの入力端子のそれぞれに、２段目
の２つの基本形の出力端子がそれぞれ接続され、さらに
この２段目の基本形の合計４つの入力端子のそれぞれ
に、３段目の４つの基本形の出力端子が接続されてい
る。この光合波素子においては、図５（ｂ）に示したよ
うに、入力端子４４ａ，…，４４ｄに光を入力すると、
それぞれに割り当てられたλ1，λ2，…λ8の特定波長
の光が選択的に透過する。そして、これらの透過光が合
波して出力端子４５から出力される。
【００３９】また、図１（ａ）に示した反射素子３０と
しては、上述の例に示した誘電体多層膜を用いたもの以
外に、いわゆる反射型のファイバグレーティングを用い
ることができる。ファイバグレーティングとは、光ファ
イバの長さ方向に、コアの屈折率やコア径の周期的な変
化などの摂動を形成したものである。そして、この周期
的な変化の作用によって、特定波長帯の光を反射する特
性が得られる。
【００４０】図６はコアの屈折率の周期的な変化を形成
するファイバグレーティングの製造方法の一例を示した
ものである。まず、中心のコア３ａと、このコア３ａよ
りも低屈折率のクラッド３ｂとを備えた光ファイバ３を
用意する。コア３ａはゲルマニウム添加石英ガラスから
なり、クラッド３ｂは純石英ガラスまたはフッ素添加石
英ガラスからなるものである。光ファイバにおいて、屈
折率を増加させる添加物として一般に使用されるゲルマ
ニウムは、特定波長の紫外光を照射すると屈折率が上昇
する特性（いわゆるフォトリフラクティブ効果）が大き
い。このため、ゲルマニウム添加石英ガラスからなるコ
ア３ａを備えた光ファイバ３は、ファイバグレーティン
グの素材ファイバとして好適である。一方、符号５２は
位相マスクである。この位相マスク５２は石英ガラスな
どからなり、その片面には所定の周期で複数の格子５２
ａ…が形成されている。
【００４１】ついで、図６に示したように、光ファイバ
３の側面に格子５２ａ…の形成面が対峙するように位相
マスク５２を配置し、この光ファイバ３の側面に位相マ
スク５２を介して紫外光を照射する。すると、格子５２
ａ…によって＋１次回折光と−１次回折光とが回折して
干渉縞が生じ、紫外光の強度パターンが形成される。そ
の結果、前記干渉縞が生じた部分のコア３ａの屈折率が
変化し、この紫外光の強度パターンが半永久的なコア３
ａの屈折率変化としてコア３ａに転写される。このよう
にして光ファイバ３の長さ方向にコア３ａの屈折率の周
期的な変化が形成されたグレーティング部５３が得られ
る。
【００４２】ファイバグレーティングは、例えば複数の
レーザの発振波長域全体をカバーする必要があるため、
比較的広い反射波長特性を有するものが好ましい。この
ため、広い反射波長帯を有する、いわゆるチャープトフ
ァイバグレーティングが好適である。チャープトファイ
バグレーティングは、前記周期的な変化の周期（グレー
ティングピッチという）が光ファイバの長さ方向におい
て一定ではなく、変化しているものである。例えばグレ
ーティング部の中央付近が最もグレーティングピッチが
狭く、グレーティング部の両端に向かってグレーティン
グピッチが徐々に広くなっているものなどが例示でき
る。グレーティングピッチは、例えば図６に示した例に
おいて、格子５２ａ…の周期を変化させることによって
調整することができる。また、ファイバグレーティング
の反射率、反射波長帯などの特性は、要求される特性に
よって適宜調整される。ファイバグレーティングの特性
は、グレーティングピッチ、グレーティングピッチの変
化量、グレーティング長、屈折率変化量などを変化させ
ることによって変更することができる。
【００４３】
【実施例】以下、本発明を実施例を示して詳しく説明す
る。すなわち、図１（ａ）に示した多波長励起用光源と
同様のものを作製した。このとき、ファブリペロレーザ
２１ａ，２２ａ，…，２３ａとして、ひとつ当たりの出
力（光ファイバ３端のピグテイル出力）が約１００ｍＷ
のものを用いた。この多波長励起用光源を、図８（ｂ）
に示したＥＤＦＡに組み込んだところ、光合波素子（Ａ
ＷＧ）２４の透過損失を考慮して、おおよそ３５０ｍ
Ｗのパワーの合波光を、励起光としてをエルビウム添加
光ファイバに入力することができた。ついで、環境温度
を５０℃変化させて同様の実験を行ったところ、同様の
結果が得られた。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、２つ以
上の入力端子を有し、異なる２つ以上の波長の光を合波
する機能を有する光合波素子の出力端子の出力側近傍
に、当該合波光を低反射率で反射する反射素子を挿入し
て多波長励起光合波用デバイスを構成したものである。
また、前記入力端子のそれぞれにレーザを接続すること
によって多波長励起用光源を構成したものである。その
結果以下のような効果が得られる。すなわち、レーザの
それぞれの発振波長は光合波素子によって決定されるた
め、温度変化などによって光合波素子の透過特性が変化
しても、レーザの発振波長がこれに連動して変化する。
このため、光合波素子を経て得られる合波光のパワーが
温度変化などによって変動しにくく、高出力の励起光を
安定に供給することができる。したがって、光合波素子
の温度制御を緩和することができ、かつ、反射素子など
の構成部品に対して、それ程高い波長精度が要求されな
い。また、ひとつのレーザに対してひとつの反射素子を
用いていた従来の構成と比較して部品数が少ない。よっ
て、部品コストや損失を低減することができ、低コスト
である。また、本発明の多波長励起用光源を、光増幅器
に組み込むことによって、波長多重伝送方式の光通信シ
ステムなどに適した高出力の光増幅器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１（ａ）は本発明の多波長励起光合波用デ
バイスと、これを組み込んだ多波長励起用光源の実施形
態例を示した概略構成図である。図１（ｂ）はこの多波
長励起用光源において得られる波長スペクトルを示した
グラフである。
【図２】 図１（ａ）に示した例に用いるＡＷＧ形光合
波回路の波長−損失特性を示したグラフである。
【図３】 図１（ａ）に示した例に用いる誘電体多層膜
からなる多層膜干渉フィルタを示した斜視図である。
【図４】 図４（ａ）はマッハツェンダー型波長フィル
タの基本形を示した概略構成図である。図４（ｂ）は、
この基本形において得られる波長−結合度特性を示した
グラフである。
【図５】 図５（ａ）は図４（ａ）に示した基本形を組
み合わせた光合波素子を示した概略構成図である。図５
（ｂ）はこの光合波素子において得られる波長スペクト
ルを示したグラフである。
【図６】 コアの屈折率の周期的な変化を形成するファ
イバグレーティングの製造方法の一例を示した説明図で
ある。
【図７】 図７（ａ）は従来の長距離用光ファイバ通信
システムの一例を示した概略構成図、図７（ｂ）は図７
（ａ）に用いる再生中継器の構成の一例を示した概略構
成図である。
【図８】 図８（ａ）は光増幅器を用いた長距離用光フ
ァイバ通信システムの一例を示した概略構成図、図８
（ｂ）は光増幅器の一例を示した概略構成図である。
【図９】 １．５μｍ帯増幅用エルビウム添加光ファイ
バの吸収スペクトルの一例を示したグラフである。
【図１０】 ファブリペロレーザの出力の発振波長を示
したグラフである。
【図１１】 図１１（ａ）は、ファブリペロレーザと反
射素子からなるレーザ発振素子の概略構成図である。図
１１（ｂ）はこのレーザ発振素子にて得られる光の波長
スペクトルを示したグラフである。
【図１２】 図１２（ａ）は、図１１（ａ）に示したレ
ーザ発振素子を用いた波長多重方式の多波長励起用光源
の一例と、これを組み込んだ光増幅器の概略構成図、図
１２（ｂ）はこの多波長励起用光源において得られる励
起光の波長スペクトルを示したグラフである。
【図１３】 図１２（ａ）に示した光合波素子の一例と
して、アレイド・ウェーブガイド・グレーティング形光
合波回路（ＡＷＧ）を示した説明図である。
【符号の説明】
１０…光増幅器、１１…希土類添加光ファイバ、１２…
光合波素子、１４…励起光源、１５…アイソレータ、２
１ａ，２２ａ，２３ａ…ファブリペロレーザ（レー
ザ）、２４…光合波素子、２４ａ，２４ｂ，２４ｃ…入
力端子、２４ｄ…出力端子、３０…反射素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西出 研二 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉工場内 (72)発明者 山崎 成史 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉工場内 Ｆターム(参考） 5F072 AB13 HH05 JJ12 KK07 RR01 YY06 YY11 YY17

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ２つ以上の入力端子を有し、異なる２つ
    以上の波長の光を合波する機能を有する光合波素子の出
    力端子の出力側近傍に、当該合波光を低反射率で反射す
    る反射素子を挿入したことを特徴とする多波長励起光合
    波用デバイス。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の多波長励起光合波用デバ
    イスの光合波素子の入力端子に、それぞれレーザを接続
    したことを特徴とする多波長励起用光源。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の多波長励起用光源を組み
    込んだことを特徴とする光増幅器。
JP11033524A 1999-02-10 1999-02-10 多波長励起光合波用デバイスおよびこの多波長励起光合波用デバイスを組み込んだ多波長励起用光源と光増幅器 Pending JP2000232248A (ja)

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US09/497,343 US6459829B1 (en) 1999-02-10 2000-02-03 Multiple wavelength excitation optical multiplexing device, multiple wavelength excitation light source incorporating aforementioned device, and optical amplifier
EP00400367A EP1028333B1 (en) 1999-02-10 2000-02-09 Multiple wavelength optical multiplexing device, multiple wavelength light source incorporating aforementioned device, and optical amplifier
DE60019658T DE60019658T2 (de) 1999-02-10 2000-02-09 Optische Vielfachwellenlängen-Multiplex-Vorrichtung, Vielfachwellenlängen-Lichtquelle mit einer solchen Vorrichtung und optischer Verstärker
HK00106672A HK1027630A1 (en) 1999-02-10 2000-10-20 Multiple wavelength optical multiplexing device, multiple wavelength light source incorporating aforementioed device, and optical amplifier.

Applications Claiming Priority (1)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001089045A1 (fr) * 2000-05-19 2001-11-22 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Amplificateur a fibre dopee a un element des terres rares et a sources lumineuses de pompage, et amplificateur raman
US7127183B2 (en) 2000-09-29 2006-10-24 Nec Corporation Output monitor/control apparatus and optical communication system

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6888668B2 (en) * 2001-12-13 2005-05-03 Intel Corporation Optical amplifier with multiple wavelength pump
US7130111B2 (en) * 2001-12-13 2006-10-31 Intel Corporation Optical amplifier with transverse pump
US6721087B2 (en) * 2001-12-13 2004-04-13 Intel Corporation Optical amplifier with distributed evanescently-coupled pump
US6937389B1 (en) * 2001-12-13 2005-08-30 Corvis Corporation Optical communication systems and optical amplifiers employing periodic combiners and methods
US6891983B2 (en) * 2002-12-02 2005-05-10 Photodigm, Inc. Wavelength filter and polarizer
US6931034B2 (en) * 2003-08-15 2005-08-16 Optovia Corporation Feedback mechanisms for stabilizing a laser system
US7212708B2 (en) * 2003-10-22 2007-05-01 Jds Uniphase Corporation Optical grating based multiplexer device with power tap capability
US7031354B2 (en) * 2004-02-11 2006-04-18 Optovia Corporation Stable high efficiency multiple wavelength laser sources
US7031355B2 (en) * 2004-02-11 2006-04-18 Optovia Corporation High efficiency single and multiple wavelength stabilized systems
US6975797B2 (en) * 2004-02-11 2005-12-13 Optovia Corporation Single and multiple wavelength reflection and transmission filter arrangements
CN1328830C (zh) * 2004-04-12 2007-07-25 武汉华工飞腾光子科技有限公司 喇曼光纤放大器
US7212554B2 (en) 2004-05-26 2007-05-01 Jds Uniphase Corporation Wavelength stabilized laser
US7366210B2 (en) 2005-11-18 2008-04-29 Jds Uniphase Corporation Single spatial mode output multi-mode interference laser diode with external cavity
EP3402093B1 (en) * 2016-01-28 2021-09-29 Huawei Technologies Co., Ltd. Light emission device with tunable wavelength
WO2018053442A1 (en) * 2016-09-16 2018-03-22 Kaiam Corp. Qsfp double density module
JP7096481B2 (ja) * 2018-02-05 2022-07-06 富士通株式会社 光伝送装置、光分波器、および光分波制御方法
JP7302430B2 (ja) * 2019-10-24 2023-07-04 富士通株式会社 波長可変光源、これを用いた光伝送装置、及び波長可変光源の制御方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0727149B2 (ja) 1986-11-04 1995-03-29 沖電気工業株式会社 光結合器
US5478371A (en) 1992-05-05 1995-12-26 At&T Corp. Method for producing photoinduced bragg gratings by irradiating a hydrogenated glass body in a heated state
US5337382A (en) 1992-05-29 1994-08-09 At&T Bell Laboratories Article comprising an optical waveguide with in-line refractive index grating
US5712715A (en) 1992-12-23 1998-01-27 Lucent Technologies Inc. Optical transmission system with spatially-varying Bragg reflector
US5327515A (en) 1993-01-14 1994-07-05 At&T Laboratories Method for forming a Bragg grating in an optical medium
US5629992A (en) * 1995-09-14 1997-05-13 Bell Communications Research, Inc. Passband flattening of integrated optical filters
JP3250428B2 (ja) * 1995-09-28 2002-01-28 三菱電機株式会社 光増幅装置
US6212310B1 (en) * 1996-10-22 2001-04-03 Sdl, Inc. High power fiber gain media system achieved through power scaling via multiplexing
CN1060572C (zh) 1996-11-13 2001-01-10 陈祖培 熔锥型高密度波分复用器
US5936763A (en) * 1996-11-15 1999-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical fiber amplifier, semiconductor laser module for pumping and optical signal communication system
US6130899A (en) * 1996-12-12 2000-10-10 Nortel Networks Corporation Laser assembly
US6052394A (en) * 1997-09-12 2000-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. High power pumping device for optical fiber amplification
ITTO980306A1 (it) * 1998-04-10 1999-10-10 Cselt Centro Studi Lab Telec O Modulo laser a cavita' esterna con riflettore in fibra ottica.
US6229937B1 (en) * 1998-09-17 2001-05-08 Corning Incorporated Circularly polarized fiber in optical circuits

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001089045A1 (fr) * 2000-05-19 2001-11-22 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Amplificateur a fibre dopee a un element des terres rares et a sources lumineuses de pompage, et amplificateur raman
US7127183B2 (en) 2000-09-29 2006-10-24 Nec Corporation Output monitor/control apparatus and optical communication system

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