JP2000232179A - Substrate for pga electronic component, its manufacture and semiconductor device - Google Patents

Substrate for pga electronic component, its manufacture and semiconductor device

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JP2000232179A
JP2000232179A JP11032941A JP3294199A JP2000232179A JP 2000232179 A JP2000232179 A JP 2000232179A JP 11032941 A JP11032941 A JP 11032941A JP 3294199 A JP3294199 A JP 3294199A JP 2000232179 A JP2000232179 A JP 2000232179A
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insulating layer
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pga
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Naohiro Mashino
直寛 真篠
Shoichi Koyama
昌一 小山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for a PGA type electronic component capable of contributing to an improvement in adhesive strength of a pad with a resin of its lower layer and hence connecting reliability, by enhancing a mounting strength of a pin at the pad, a method for manufacturing it and a semiconductor device. SOLUTION: In the substrate for a PGA electronic component comprising a plurality of pads 30a formed on an insulating film of a plastic board, and a plurality of pins 33 of a nail head type head fixed to the respective pads through a solder 32, a surface of an insulating layer 28 of a region for forming at least the pads is formed to be a protrusion and recess pattern, an opening diameter of the recess is formed in an inverted tapered shape enlarging toward an inside of the insulating film, and the pads 30a and the solder 32 are hardly peeled off from the recess.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、PGA(Pin
Grid Array)型電子部品用基板、その製造方
法及び半導体装置に関し、特にビルドアップ基板等のプ
ラスチック製基板の外部接続端子となるピンが該基板の
面に多数立設されたPGA型配線基板において、ピンの
取り付け強度を高める技術に関する。
The present invention relates to PGA (Pin)
More particularly, the present invention relates to a PGA type wiring board in which a large number of pins serving as external connection terminals of a plastic substrate such as a build-up substrate are erected on a surface of the substrate. The present invention relates to a technique for increasing the mounting strength of a pin.

【0002】[0002]

【従来の技術】PGA型電子部品用基板は、隣接する入
出力端子間の間隔が極めて狭い半導体チップの入出力端
子間の間隔を平面的に拡げて取り出すことできることか
ら広く用いられている。この基板は、アルミナ等のセラ
ミックからなるセラミックタイプのものと、ガラス−エ
ポキシ樹脂複合板などを積層してなるプラスチックタイ
プのものとに大別される。
2. Description of the Related Art PGA-type electronic component substrates are widely used because the spacing between input / output terminals of a semiconductor chip, in which the spacing between adjacent input / output terminals is extremely small, can be widened and taken out. This substrate is roughly classified into a ceramic type substrate made of a ceramic such as alumina and a plastic type substrate obtained by laminating a glass-epoxy resin composite plate or the like.

【0003】このうち、プラスチックタイプのPGA型
電子部品用基板には、ガラス−エポキシ基板等のコア基
板上に、エポキシ樹脂等の樹脂や、銅メッキ、銅箔によ
り、絶縁層や配線を形成し、多層配線構造を形成したビ
ルドアップ多層基板がある。ところで、プラスチックタ
イプのものは、基板の耐熱性が低いので、セラミックタ
イプのように高温で接合を行うろう付けは困難であり、
比較的融点の低いはんだ付け接合が用いられる。
[0003] Among these, a plastic type PGA type electronic component substrate is formed by forming an insulating layer or wiring on a core substrate such as a glass-epoxy substrate, using a resin such as an epoxy resin, copper plating, or copper foil. There is a build-up multilayer substrate having a multilayer wiring structure. By the way, since the plastic type has low heat resistance of the substrate, it is difficult to perform brazing at a high temperature like the ceramic type.
A relatively low melting point solder joint is used.

【0004】つまり、従来のプラスチックタイプのPG
A型電子部品用基板では、ピンの取り付けは、ネイルヘ
ッド頭部の部分を基板のパッドに立ててはんだ付けによ
り行っていた。図13は従来のプラスチックタイプのP
GA型電子部品用基板である、ビルドアップ多層基板の
パッドにピンを取り付ける場合を説明する図である。
That is, the conventional plastic type PG
In the case of the A-type electronic component substrate, the pins are mounted by soldering with the head of the nail head standing on the pad of the substrate. FIG. 13 shows a conventional plastic type P
It is a figure explaining the case where a pin is attached to a pad of a build-up multilayer board which is a board for GA type electronic parts.

【0005】なお、説明の便宜上、図13は、ビルドア
ップ多層基板のパッド付近のみを示している。図13
(a)において、2は絶縁層1と絶縁層3との間に形成
された下層配線であり、4は絶縁層3に形成されたビア
ホール5を介して下層配線2に接続する最上層の配線で
ある。この配線4はソルダレジスト膜6の開口部7では
パッド4aを構成する。
[0005] For convenience of explanation, FIG. 13 shows only the vicinity of the pads of the build-up multilayer substrate. FIG.
2A, reference numeral 2 denotes a lower wiring formed between the insulating layer 1 and the insulating layer 3, and reference numeral 4 denotes an uppermost wiring connected to the lower wiring 2 via a via hole 5 formed in the insulating layer 3. It is. The wiring 4 forms a pad 4 a at the opening 7 of the solder resist film 6.

【0006】また、8は低融点のはんだであり、開口部
7を介してパッドの配線4の上に供給されている。9は
ネイルヘッド型頭部を備えたピンである。図13(b)
に示すように、ピン9の頭部を立設して仮止めした後、
熱処理を施すことにより、はんだ8をリフローしてピン
9をパッドに固着している。
Reference numeral 8 denotes a low melting point solder, which is supplied to the pad wiring 4 through the opening 7. 9 is a pin having a nail head type head. FIG. 13 (b)
As shown in the figure, after the head of the pin 9 is erected and temporarily fixed,
By performing the heat treatment, the solder 8 is reflowed to fix the pins 9 to the pads.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラスチックタイプのPGA型電子部品用基板では、基
板のパッド上にピンをはんだ付けで立設しているが、パ
ッド4a(通常は銅箔)はその下層の樹脂の上に薄く形
成されているために当該パッド4aと樹脂の密着性が弱
く、そのために、例えばピンに対し水平方向に何らかの
力が加わると、ピンがパッド4aに付いたままパッドご
と取れてしまうという問題がある。
However, in the conventional plastic type PGA type electronic component substrate, pins are erected on the pads of the substrate by soldering, but the pads 4a (usually a copper foil) are not provided. Since the pad 4a and the resin are weakly adhered to each other because of being formed thinly on the resin of the lower layer, if a certain force is applied to the pin in the horizontal direction, for example, the pad remains attached to the pad 4a. There is a problem that can be taken.

【0008】本願発明は、かかる問題点に鑑みて創作さ
れたものであり、パッドに対するピンの取り付け強度を
高めるとともに、パッドとその下層の樹脂の密着強度を
向上させ、ひいては接続信頼性の向上に寄与することが
できるPGA型電子部品用基板その製造方法及び半導体
装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has been made to improve the strength of attaching a pin to a pad, improve the adhesive strength between a pad and a resin under the pad, and thereby improve connection reliability. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a PGA type electronic component substrate and a semiconductor device which can contribute.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載のPGA
型電子部品用基板の発明は、図4に例示するように、プ
ラスチック製基板の絶縁層上に形成された複数の導電性
のパッドと、前記各パッドにはんだを介して固着された
ネイルヘッド型頭部の複数のピンとを有するPGA型電
子部品用基板において、少なくとも前記パッドを形成す
る領域の前記絶縁層28の表面が凹凸に形成されること
によりパッドの表面に凹凸が形成され、かつ該凹凸の凹
部の開口径は絶縁層の内側に向かうほど拡がる逆テーパ
状に形成されていることを特徴としている。
A PGA according to claim 1
As shown in FIG. 4, the invention of the electronic component substrate includes a plurality of conductive pads formed on an insulating layer of a plastic substrate, and a nail head type fixed to each of the pads via solder. In the PGA-type electronic component substrate having a plurality of pins on the head, at least the surface of the insulating layer 28 in the region where the pad is formed is formed with irregularities, so that irregularities are formed on the surface of the pad. The opening diameter of the concave portion is characterized in that it is formed in a reverse tapered shape that expands toward the inside of the insulating layer.

【0010】なお、凹凸の形態や大きさは適宜変更可能
であり、絶縁層の表面を粗にすることにより行ってもよ
い。請求項2に記載のPGA型電子部品用基板の発明
は、図9(d)に例示するように、プラスチック製基板
の絶縁層上に形成された複数の導電性のパッドと、前記
各パッドにはんだを介して固着されたネイルヘッド型頭
部の複数のピンとを有するPGA型電子部品用基板にお
いて、少なくとも前記パッドを形成する領域の前記絶縁
層の表面が凹凸に形成されることによりパッドの表面に
凹凸が形成され、かつ該凹凸の凹部の中途部に該凹部壁
面から凹部の内側に向かって突出する突出部が形成され
ていることを特徴としている。
The shape and size of the irregularities can be changed as appropriate, and may be performed by roughening the surface of the insulating layer. According to the invention of the substrate for a PGA-type electronic component according to the second aspect, as shown in FIG. 9D, a plurality of conductive pads formed on an insulating layer of a plastic substrate, In a PGA type electronic component substrate having a plurality of pins of a nail head type head fixed via solder, at least a surface of the insulating layer in a region where the pad is formed is formed with irregularities, so that a surface of the pad is formed. And a protrusion protruding from the wall surface of the recess toward the inside of the recess is formed in the middle of the recess of the recess.

【0011】なお、凹凸の形態や大きさは適宜変更可能
であり表面を粗にすることにより行ってもよい。請求項
3に記載のPGA型電子部品用基板の発明は、図11
(c)に例示するように、プラスチック製基板の絶縁層
上に形成された複数の導電性のパッドと、前記各パッド
にはんだを介して固着されたネイルヘッド型頭部の複数
のピンとを有するPGA型電子部品用基板において、少
なくとも前記パッドを形成する領域の前記絶縁層の表面
が凹凸になるように形成されることによりパッドの表面
に凹凸が形成され、該凹凸の凹部の下には該凹部の開口
領域よりも広い導電性のランドが前記パッドに接続して
形成され、かつ該ランドは互いに分離していることを特
徴としている。
Incidentally, the form and size of the irregularities can be changed as appropriate, and may be carried out by roughening the surface. The invention of the PGA type electronic component substrate according to the third aspect is shown in FIG.
As shown in (c), the pad has a plurality of conductive pads formed on an insulating layer of a plastic substrate, and a plurality of pins of a nail head type head fixed to each of the pads via solder. In the PGA type electronic component substrate, at least the surface of the insulating layer in the region where the pad is formed is formed so as to have irregularities, whereby irregularities are formed on the surface of the pad. A conductive land wider than the opening area of the concave portion is formed so as to be connected to the pad, and the land is separated from each other.

【0012】請求項4に記載のPGA型電子部品用基板
の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のPG
A型電子部品用基板のプラスチック製基板において、前
記ピンは、そのネイルヘッド型頭部の端面に凹凸が形成
されていることを特徴としている。請求項5に記載のP
GA型電子部品用基板の発明は、請求項1乃至4のいず
れか1項に記載のPGA型電子部品用基板のプラスチッ
ク製基板において、前記パッドの表面に形成される凹凸
の凹部が形成される位置は、前記ピンの端面に形成され
る凹凸の凸部が形成される位置に対応していることを特
徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate for a PGA-type electronic component.
In the plastic substrate of the A-type electronic component substrate, the pins are characterized in that irregularities are formed on an end face of a nail head type head thereof. P according to claim 5
In the invention of a substrate for a GA-type electronic component, in the plastic substrate of the substrate for a PGA-type electronic component according to any one of claims 1 to 4, a concave and convex portion formed on the surface of the pad is formed. The position is characterized in that it corresponds to a position where a convex portion of the unevenness formed on the end face of the pin is formed.

【0013】請求項6に記載のPGA型電子部品用基板
の発明は、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載
のPGA型電子部品用基板のプラスチック製基板におい
て、前記プラスチック製基板の絶縁層上に形成された凹
凸の凹部は、該絶縁層を貫通して形成されており、この
凹部に形成された導電性のパッドにより前記パッドと該
絶縁層の下層の配線とが電気的に接続されていることを
特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a PGA type electronic component substrate according to any one of the first to fifth aspects, wherein the PGA type electronic component substrate is a plastic substrate. The concave portion of the concavo-convex formed on the insulating layer is formed to penetrate the insulating layer, and the conductive pad formed in the concave portion electrically connects the pad and the wiring below the insulating layer. It is characterized by being connected to.

【0014】請求項7に記載のPGA型電子部品用基板
の製造方法の発明は、プラスチック製基板のパッド形成
領域の絶縁層の表面に、開口径が絶縁層の内側に向かう
ほど拡がる逆テーパ状の凹部を形成することにより凹凸
を形成する工程と、前記凹凸が形成された絶縁層上にパ
ッド形成用導電膜を形成し、導電性のパッドの表面に凹
凸を形成する工程と、前記凹凸が形成された導電性のパ
ッド上にはんだを供給する工程と、前記はんだ上にピン
のネイルヘッド型頭部を載置する工程と、前記ピンを前
記はんだを介して前記パッドに固着する工程とを有する
ことを特徴としている。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a substrate for a PGA type electronic component, wherein an opening diameter is increased toward the inside of the insulating layer on the surface of the insulating layer in a pad forming region of the plastic substrate. Forming a concave and a convex portion, forming a conductive film for forming a pad on the insulating layer on which the concave and convex portions are formed, and forming a concave and convex portion on the surface of the conductive pad; Supplying solder on the formed conductive pad, placing a nail head of a pin on the solder, and fixing the pin to the pad via the solder. It is characterized by having.

【0015】請求項8に記載のPGA型電子部品用基板
の製造方法の発明は、請求項7に記載の前記絶縁層は、
ポジ型感光性材料を用いて形成することを特徴としてい
る。請求項9に記載のPGA型電子部品用基板の製造方
法の発明は、プラスチック製基板上に第1の絶縁層を形
成する工程と、前記第1の絶縁層上に該第1の絶縁層よ
りもエッチングレートの低い第2の絶縁層を形成する工
程と、パッド形成領域の前記第1の絶縁層および第2の
絶縁層を同じパターンマスクを介してエッチングし、前
記第1の絶縁層に複数の第1の開口部を形成するととも
に、第1と第2の絶縁層のエッチングレートの差により
該第1の開口部の下の第2の絶縁層のに第1の開口部よ
りも大きな開口径の第2の開口部を形成する工程と、前
記第1および第2の開口部を含むパッド形成領域の絶縁
層上にパッド形成用導電膜を形成して導電性のパッドを
形成する工程と、前記パッド上にはんだを供給する工程
と、前記はんだ上にピンのネイルヘッド型頭部を載置す
る工程と、前記ピンを前記はんだを介して前記パッドに
固着する工程とを有することを特徴としている。
According to the invention of a method for manufacturing a PGA type electronic component substrate according to claim 8, the insulating layer according to claim 7 is characterized in that:
It is characterized by being formed using a positive photosensitive material. The method of manufacturing a PGA-type electronic component substrate according to claim 9, further comprising the steps of: forming a first insulating layer on a plastic substrate; and forming the first insulating layer on the first insulating layer. Forming a second insulating layer having a low etching rate, and etching the first insulating layer and the second insulating layer in the pad formation region through the same pattern mask, and forming a plurality of The first opening is formed, and an opening larger than the first opening is formed in the second insulating layer below the first opening due to a difference between the etching rates of the first and second insulating layers. Forming a second opening having a diameter; forming a conductive film for forming a pad on the insulating layer in a pad forming region including the first and second openings to form a conductive pad; Supplying solder on the pad; A step of placing the nail head-head portion, is characterized by a step of securing said pin to said pad through said solder.

【0016】請求項10に記載のPGA型電子部品用基
板の製造方法は、プラスチック製基板上の少なくともパ
ッド形成領域に互いに分離した複数の導電性のランドを
形成する工程と、前記ランドを被覆する絶縁層を形成す
る工程と、前記各ランドに対応する位置に、該ランドの
領域よりも狭い開口の開口部を前記絶縁層に形成する工
程と、前記パッド形成領域の絶縁層上にパッド形成用導
電膜を形成して導電性のパッドを形成し、該パッドを前
記開口部を介して対応する前記ランドと接続する工程
と、前記パッド上にはんだを供給する工程と、前記はん
だ上にピンのネイルヘッド型頭部を載置する工程と、前
記ピンを前記はんだを介して前記パッドに固着する工程
とを有することを特徴としている。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a PGA type electronic component substrate, wherein a plurality of conductive lands separated from each other are formed in at least a pad formation region on a plastic substrate, and the lands are covered. A step of forming an insulating layer; a step of forming an opening in the insulating layer at a position corresponding to each of the lands, the opening being narrower than the land area; and forming a pad on the insulating layer in the pad forming area. Forming a conductive pad by forming a conductive film, connecting the pad to the corresponding land via the opening, supplying solder on the pad, and forming a pin on the solder. The method includes a step of mounting a nail head, and a step of fixing the pin to the pad via the solder.

【0017】請求項11に記載の半導体装置は、請求項
1乃至請求項6のいずれか1項に記載のPGA型電子部
品用基板に、半導体チップが搭載されていることを特徴
としている。
A semiconductor device according to an eleventh aspect is characterized in that a semiconductor chip is mounted on the PGA-type electronic component substrate according to any one of the first to sixth aspects.

【0018】[0018]

【作用】請求項1および請求項7に記載の発明によれ
ば、パッドを形成する領域の絶縁層の表面が凹凸になる
ように形成されることによりパッドの表面に凹凸が形成
され、かつ該凹部の開口径は下側に向かうほど拡がる逆
テーパ形状に形成されている。
According to the first and seventh aspects of the present invention, the surface of the insulating layer in the region where the pad is to be formed is formed so as to have unevenness, whereby the unevenness is formed on the surface of the pad. The opening diameter of the concave portion is formed in a reverse tapered shape that expands toward the lower side.

【0019】これにより、パッド形成用導電膜およびそ
の上のはんだは、逆テーパ形状に形成された開口部中で
は、該開口部の庇に引っ掛かった状態で係合することに
なるので、パッド形成用導電膜およびその上のはんだと
絶縁層との密着度が向上する。従って、はんだを介して
パッド上に形成されたピンのパッドに対する接続強度も
向上する。
As a result, the pad-forming conductive film and the solder thereover engage in the opening formed in the inversely tapered shape while being caught by the eaves of the opening. The adhesion between the conductive film for use and the solder thereon and the insulating layer is improved. Therefore, the connection strength of the pin formed on the pad via the solder to the pad is also improved.

【0020】請求項2および請求項9に記載の発明によ
れば、パッドを形成する領域の絶縁層の表面が凹凸にな
るように形成されており、かつ、凹部の中段に該凹部の
内側に向かって突出した前記絶縁層の突出部が形成され
ているので、ピンの接続強度はさらに向上する。請求項
3および請求項10に記載のPGA型電子部品用基板の
発明によれば、該各凹部の下には該凹部の開口領域より
も広い領域の導電性ランドが該パッドに接続するように
形成されているので、導電性ランドの端部が絶縁層によ
って上から押さえられた状態となっている。このため、
導電性ランドに接続するパッドも絶縁層から剥がれ難く
なる。
According to the second and ninth aspects of the present invention, the surface of the insulating layer in the region where the pad is to be formed is formed so as to have irregularities, and is formed in the middle of the concave portion inside the concave portion. Since the protruding portion of the insulating layer protruding is formed, the connection strength of the pin is further improved. According to the PGA-type electronic component substrate according to the third and tenth aspects, a conductive land in a region wider than an opening region of the concave portion is connected to the pad under each concave portion. As a result, the end of the conductive land is pressed from above by the insulating layer. For this reason,
Pads connected to the conductive lands are also less likely to be separated from the insulating layer.

【0021】請求項4に記載の発明によれば、ピンのネ
イルヘッド型頭部の端面にも凹凸が形成されているの
で、はんだとの接触面積が増加する。このため、ピンの
パッドに対する接続強度もより強くなる。請求項5に記
載の発明によれば、前記パッドの表面に形成される凹凸
の凹部が形成される位置は、前記ピンのネイルヘッド型
頭部の端面に形成される凹凸の凸部が形成される位置に
対応しているので、凸部と凹部に嵌合した状態となる。
このため、ピンのパッドに対する接続強度も強くなる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the unevenness is also formed on the end face of the nail head of the pin, the contact area with the solder increases. For this reason, the connection strength of the pin to the pad is further increased. According to the invention as set forth in claim 5, the position where the concave and convex concave portions formed on the surface of the pad is formed with the convex and concave convex portions formed on the end face of the nail head type head of the pin. Corresponding to the positions of the projections and the recesses.
For this reason, the connection strength of the pin to the pad is also increased.

【0022】請求項6に記載のPGA型電子部品用基板
の発明によれば、ピンの接続強度が向上するとともに、
パッド形成領域にに形成された凹部の一部がビアホール
も兼ねるので、ビアホール形成のための特別の領域を必
要としない。このため、ビアホールやパッドの形成位置
の選択自由度が増し、ひいてはピンの集積度を向上させ
ることが可能となる。
According to the invention of the substrate for a PGA type electronic component according to claim 6, the connection strength of the pin is improved and
Since a part of the concave portion formed in the pad formation region also serves as a via hole, a special region for forming a via hole is not required. For this reason, the degree of freedom in selecting the formation positions of via holes and pads is increased, and the degree of integration of pins can be improved.

【0023】[0023]

【実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係るPGA
型電子部品用基板及びその製造方法について説明する。
図1は本発明の実施の形態に係るPGA型電子部品用基
板の全体構成を示す断面図である。図において、10は
PGA型電子部品用基板の中心にあるコア基板、11、
12、13および14はコア基板10を中心にして両側
に積層されたビルドアップ絶縁層、15、16、17、
18および19は絶縁層10〜13の間にそれぞれ積層
された配線である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a PGA according to an embodiment of the present invention will be described.
The electronic component substrate and a method for manufacturing the same will be described.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an overall configuration of a PGA-type electronic component substrate according to an embodiment of the present invention. In the figure, 10 is a core substrate at the center of the PGA type electronic component substrate, 11,
Reference numerals 12, 13, and 14 denote build-up insulating layers laminated on both sides of the core substrate 10, 15, 16, 17,
Reference numerals 18 and 19 are wirings laminated between the insulating layers 10 to 13, respectively.

【0024】20と21はそれぞれPGA型電子部品用
基板の最外面に形成されたソルダレジスト膜である。半
導体チップ22の入出力端子接続用バンプはソルダレジ
スト膜20の開口部を介して配線15に接続されてい
る。なお、25はバンプ部分を封止するアンダーフィル
材である。また、ピン24はソルダレジスト膜21の開
口部を介して配線19に接続されている。
Reference numerals 20 and 21 denote solder resist films formed on the outermost surface of the PGA type electronic component substrate, respectively. The bumps for connecting the input / output terminals of the semiconductor chip 22 are connected to the wiring 15 through the opening of the solder resist film 20. Reference numeral 25 denotes an underfill material for sealing the bump portion. Further, the pin 24 is connected to the wiring 19 via the opening of the solder resist film 21.

【0025】すなわち、半導体チップ22の各入出力端
子は、バンプ23、配線15,16,17,18,19
を介してピン24に引き出されている。このように、極
めて間隔の狭い半導体チップ22の入出力端子間がPG
A型電子部品用基板のピン24の間隔まで拡げられると
ともに、立設したピン24により容易に他の電子部品と
の接続をなすことができる。
That is, each input / output terminal of the semiconductor chip 22 is connected to the bump 23, the wiring 15, 16, 17, 18, 19.
Through the pin 24. As described above, the PG between the input / output terminals of the semiconductor chip 22 which is extremely narrow is
It can be expanded to the interval between the pins 24 of the A-type electronic component substrate, and can easily be connected to other electronic components by the pins 24 that are erected.

【0026】なお、図は、全体構成を説明するためのも
のであって、各層の膜厚や絶縁層の開口径の寸法は実際
の寸法とは異なるものである。例えば、絶縁層の厚さは
約50μm、ビアホールの径は約70μm、パッドの開
口径は約100μm程度である。説明の便宜上、以下の
説明では本願発明の実施の形態に係るピンの取り付け方
法に直接関係する工程について説明することとにし、直
接関係のない工程については説明を省略する。
The drawings are for explaining the overall structure, and the thickness of each layer and the dimensions of the opening of the insulating layer are different from the actual dimensions. For example, the thickness of the insulating layer is about 50 μm, the diameter of the via hole is about 70 μm, and the opening diameter of the pad is about 100 μm. For convenience of explanation, in the following description, steps directly related to the pin mounting method according to the embodiment of the present invention will be described, and steps not directly related will be omitted.

【0027】(第1の実施の形態)まず、図2(a)に
示すように、絶縁樹脂からなる絶縁層26上に銅メッキ
により、あるいは銅箔を被着し熱圧着して銅膜を形成す
る。その後、パターニングにより配線27を形成する。
ここで、絶縁層26は、図1の絶縁層12に対応し、配
線27は、図1の配線18に対応している。
(First Embodiment) First, as shown in FIG. 2A, a copper film is formed on an insulating layer 26 made of an insulating resin by copper plating or by applying a copper foil and thermocompression bonding. Form. After that, the wiring 27 is formed by patterning.
Here, the insulating layer 26 corresponds to the insulating layer 12 in FIG. 1, and the wiring 27 corresponds to the wiring 18 in FIG.

【0028】次に、図2(b)に示すように、絶縁層2
6上にネガ型感光性絶縁樹脂からなる絶縁層28を形成
する。ここで、絶縁層28は、図1の絶縁層11に対応
している。次いで、図2(c)に示すように、絶縁層2
8にレジスト膜29を形成した後、該レジスト膜のパタ
ーニングによって、ビア形成領域に開口部29aを形成
し、かつパッド形成領域に多数の開口部29bを形成す
る。その後、露光する。
Next, as shown in FIG.
An insulating layer 28 made of a negative photosensitive insulating resin is formed on 6. Here, the insulating layer 28 corresponds to the insulating layer 11 in FIG. Next, as shown in FIG.
After the formation of the resist film 29 in FIG. 8, openings 29a are formed in the via formation region and a large number of openings 29b are formed in the pad formation region by patterning the resist film. Thereafter, exposure is performed.

【0029】このとき、光は開口部29aおよび29b
を介して絶縁層28に入力するが、光の回折により、中
に進んでいくにつれて横側にも拡がる(破線部)。次
に、図2(d)に示すように、現像により絶縁層28に
ビアホール28aを形成するとともに、同時にパッド形
成領域の絶縁層28には多数の凹部28bを形成する。
なお、凹部形成用パターンとしては、例えば、図12
(a)、図12(b)または図12(c)に示すパター
ンが使用される。
At this time, the light passes through the openings 29a and 29b.
Is input to the insulating layer 28 through the optical path, but spreads to the lateral side as the light proceeds toward the inside due to diffraction of light (broken line portion). Next, as shown in FIG. 2D, via holes 28a are formed in the insulating layer 28 by development, and a large number of concave portions 28b are simultaneously formed in the insulating layer 28 in the pad formation region.
In addition, as the concave portion forming pattern, for example, FIG.
The pattern shown in FIG. 12A, FIG. 12B or FIG. 12C is used.

【0030】これにより、ビアホール28aおよび凹部
28bの断面は、開口径が下側に向かうほど拡がる逆テ
ーパ形状となる。また、開口パタンとしては、凹部形成
用の開口径をビアホール28aの開口径よりも小さくす
ることにより、絶縁層28を貫通しないで適当な深さの
凹部を形成することができる。勿論、パッド形成領域の
開口部の径とビアホールの径と同じにしてもよい。この
場合は深さもビアホールと同じ程度になるが、パッド形
成領域下方の絶縁層26上に配線を設けなければ、特に
不都合はない。
As a result, the cross section of the via hole 28a and the concave portion 28b has an inverted tapered shape in which the opening diameter increases toward the lower side. Further, as the opening pattern, by making the opening diameter for forming the concave portion smaller than the opening diameter of the via hole 28a, a concave portion having an appropriate depth can be formed without penetrating the insulating layer 28. Of course, the diameter of the opening in the pad formation region may be the same as the diameter of the via hole. In this case, the depth is almost the same as that of the via hole, but there is no particular problem unless wiring is provided on the insulating layer 26 below the pad formation region.

【0031】また、開口部の逆テーパの斜めの角度が小
さい場合には、露光中、基板または光源を一定の角度を
傾けて回転させて露光光の入射方向が斜めになるように
し、被露光範囲が開口部の下側にまで拡げるようにして
もよい。次いで、図3(a)に示すように、メッキ等に
より銅膜を形成した後、パターニングしてパッド形成用
導電膜としての配線30を形成する。これにより、ビア
ホール28aを介して配線27と配線30は電気的に接
続されるとともに、表面に凹部をもったパッド30aが
形成される。
When the oblique angle of the reverse taper of the opening is small, the substrate or the light source is rotated at a predetermined angle during the exposure so that the incident direction of the exposure light is oblique, and The range may extend to below the opening. Next, as shown in FIG. 3A, after forming a copper film by plating or the like, the wiring 30 is formed as a conductive film for pad formation by patterning. Thus, the wiring 27 and the wiring 30 are electrically connected via the via hole 28a, and the pad 30a having a concave portion on the surface is formed.

【0032】次に、図3(b)に示すように、ソルダレ
ジスト膜31を形成したのち、パターニングにより開口
部31aを形成する。次いで、図3(c)に示すよう
に、はんだ32を開口部31aに供給した後、ネイルヘ
ッド形頭部のピン33を、頭部を下にして該はんだ32
上に載置する。次に、図4に示すように、該はんだ32
が熔融する温度よりも高い温度の熱処理を施してはんだ
32をリフローし、ピン33を固着する。
Next, as shown in FIG. 3B, after a solder resist film 31 is formed, an opening 31a is formed by patterning. Next, as shown in FIG. 3 (c), after the solder 32 is supplied to the opening 31a, the pin 33 of the nail head type head is pressed down with the solder 32
Place on top. Next, as shown in FIG.
A heat treatment at a temperature higher than the temperature at which the solder is melted is performed to reflow the solder 32 and fix the pin 33.

【0033】本願発明の実施の形態によれば、配線30
は多数の凹部28bを介して下の絶縁層28にも密着形
成されているので、配線30と絶縁層28との接触面積
が大きくなり、これによりピン33のパッド30aに対
する接続強度も高くなる。さらに、各凹部28bの断面
は開口径が下側に向かうほど拡がる逆テーパ形状となっ
ているので、パッド30aおよびはんだ32は、凹部の
内側に食い込んだ状態にある。従って、ピン33に何ら
かの力が加わって、パッド30aおよびはんだ32が絶
縁層28から剥がれるといった不都合を大幅に解消する
ことが可能となる。
According to the embodiment of the present invention, the wiring 30
Is also in close contact with the lower insulating layer 28 via a number of recesses 28b, so that the contact area between the wiring 30 and the insulating layer 28 increases, thereby increasing the connection strength of the pin 33 to the pad 30a. Furthermore, since the cross section of each concave portion 28b has an inverse tapered shape in which the opening diameter increases toward the lower side, the pad 30a and the solder 32 are in a state of being cut into the inside of the concave portion. Therefore, the inconvenience that the pad 30a and the solder 32 are peeled off from the insulating layer 28 when some force is applied to the pin 33 can be largely solved.

【0034】(第2の実施の形態)図5は本発明の第2
の実施の形態に係るPGA型電子部品用基板の構成を示
す断面図である。第1の実施の形態に係るPGA型電子
部品用基板の製造方法と同じところは、説明の便宜上、
省略する。第2の実施の形態では、図5(a)に示すよ
うに、ピン34の頭部に凸部34aを形成している。こ
の凸部34aの形成位置は絶縁層28に形成した各凹部
28bの位置に対応している。これにより、ピン34を
はんだ32上に載置し、ピン34を押圧しながら該はん
だ32が熔融する温度よりも高い温度の熱処理を施して
はんだ32をリフローすると、図5(b)に示すよう
に、ピン34の凸部34aが絶縁層28に形成した凹部
28bに入り込みピン34が固着する。
(Second Embodiment) FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the structure of the board | substrate for PGA type electronic components which concerns on embodiment. The same points as those in the method for manufacturing the PGA-type electronic component substrate according to the first embodiment will be described for convenience of description.
Omitted. In the second embodiment, as shown in FIG. 5A, a protrusion 34a is formed on the head of the pin 34. The formation position of the convex portion 34a corresponds to the position of each concave portion 28b formed in the insulating layer 28. Thus, when the pins 34 are placed on the solders 32 and the pins 32 are pressed and subjected to a heat treatment at a temperature higher than the temperature at which the solders 32 melt, and the solders 32 are reflowed, as shown in FIG. Then, the protrusion 34a of the pin 34 enters the recess 28b formed in the insulating layer 28, and the pin 34 is fixed.

【0035】本願発明の第2の実施の形態によれば、は
んだ32の他にピン34の凸部34a自体も絶縁層28
の凹部28bに入り込んでいるので、第1の実施例の形
態による効果に加え、ピン34は凹部28bから抜け難
く、かつパッド30aが絶縁層28から剥がれるといっ
た不都合を更に改善することが可能となる。なお、凸部
34aが凹部28bに入り易いように、凸部の形状を適
宜、細めに形成してもよい。
According to the second embodiment of the present invention, in addition to the solder 32, the protrusions 34a of the pins 34 themselves are also formed on the insulating layer 28.
In this case, in addition to the effect of the first embodiment, the inconvenience that the pin 34 is hard to come off from the concave portion 28b and the pad 30a is peeled off from the insulating layer 28 can be further improved. . In addition, the shape of the convex portion may be appropriately narrowed so that the convex portion 34a easily enters the concave portion 28b.

【0036】(第3の実施の形態)図6は本発明の第3
の実施の形態に係るPGA型電子部品用基板の構成を示
す断面図である。図5に示す第2の実施の形態に係るP
GA型電子部品用基板の製造方法と同じところは、説明
の便宜上、省略する。第3の実施の形態では、図6に示
すように、下層配線35のランドをパッド形成領域の絶
縁層28の下に設けている。これにより、ビアホール3
6をパッド形成領域内に形成することができる。このた
め、ビアホールの形成領域を別に設ける必要がないの
で、ビアホールやパッド形成位置の余裕度が上がり、ひ
いてはピン数の集積度の向上を図ることが可能となる。
(Third Embodiment) FIG. 6 shows a third embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the structure of the board | substrate for PGA type electronic components which concerns on embodiment. P according to the second embodiment shown in FIG.
The same parts as those of the method for manufacturing the GA type electronic component substrate are omitted for convenience of description. In the third embodiment, as shown in FIG. 6, the lands of the lower wiring 35 are provided below the insulating layer 28 in the pad formation region. Thereby, the via hole 3
6 can be formed in the pad formation region. Therefore, there is no need to provide a separate via hole formation region, so that the margin of the via hole and pad formation positions is increased, and the integration of the number of pins can be improved.

【0037】(第4の実施の形態)図7は本発明の第4
の実施の形態に係るPGA型電子部品用基板の構成を示
す断面図である。図6に示す第3の実施の形態に係るP
GA型電子部品用基板の製造方法と同じところは、説明
の便宜上、省略する。第4の実施の形態では、図7に示
すように、ピン34の頭部の表面を粗面34bにしてい
る。例えば、ピン形成時の金型に粗面加工しておくこと
でこれが転写され、表面を粗くすることができる。
(Fourth Embodiment) FIG. 7 shows a fourth embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the structure of the board | substrate for PGA type electronic components which concerns on embodiment. P according to the third embodiment shown in FIG.
The same parts as those of the method for manufacturing the GA type electronic component substrate are omitted for convenience of description. In the fourth embodiment, as shown in FIG. 7, the surface of the head of the pin 34 is a rough surface 34b. For example, if the surface is roughened on a mold at the time of pin formation, this is transferred and the surface can be roughened.

【0038】これにより、ピン34と、はんだ32およ
びパッド30aとの接続はより強固なものとなる。 (第5の実施の形態)図8および図9は本発明の第5の
実施の形態に係るPGA型電子部品用基板の製造方法を
示す断面図である。
As a result, the connection between the pin 34, the solder 32 and the pad 30a becomes stronger. (Fifth Embodiment) FIGS. 8 and 9 are sectional views showing a method of manufacturing a PGA type electronic component substrate according to a fifth embodiment of the present invention.

【0039】まず、図8(a)に示すように、絶縁樹脂
からなる絶縁層38上に銅メッキにより、あるいは銅箔
を被着し熱圧着して銅膜を形成する。その後、パターニ
ングにより配線39を形成する。ここで、絶縁層38
は、図1の絶縁層12に対応し、配線39は、図1の配
線18に対応している。次に、図8(b)に示すよう
に、絶縁層38上に第1のエッチングレート特性をもつ
絶縁層40を形成し、その上に第2のエッチングレート
特性をもつ絶縁層41を形成する。ここで、第2のエッ
チングレートは第1のエッチングレートよりも低い。
First, as shown in FIG. 8A, a copper film is formed on an insulating layer 38 made of an insulating resin by copper plating or by applying a copper foil and thermocompression bonding. After that, the wiring 39 is formed by patterning. Here, the insulating layer 38
Corresponds to the insulating layer 12 in FIG. 1, and the wiring 39 corresponds to the wiring 18 in FIG. Next, as shown in FIG. 8B, an insulating layer 40 having a first etching rate characteristic is formed on the insulating layer 38, and an insulating layer 41 having a second etching rate characteristic is formed thereon. . Here, the second etching rate is lower than the first etching rate.

【0040】次いで、図8(c)に示すように、絶縁層
41にレジスト膜42を形成した後、該レジスト膜のパ
ターニングによって、ビア形成領域に開口部42aを形
成し、かつパッド形成領域に多数の開口部42bを形成
した後、露光する。次に、エッチング液によって、被露
光領域を等方性エッチングし、ビアホール形成領域にビ
アホール44を形成し、パッド形成領域には複数の凹部
45を形成する。
Next, as shown in FIG. 8C, after a resist film 42 is formed on the insulating layer 41, an opening 42a is formed in the via formation region by patterning the resist film, and the pad formation region is formed. After forming a large number of openings 42b, exposure is performed. Next, the exposed region is isotropically etched with an etchant, a via hole 44 is formed in the via hole formation region, and a plurality of concave portions 45 are formed in the pad formation region.

【0041】このとき、下層の絶縁層40の方が上層の
絶縁層41よりもエッチングレートが高いので、図8
(d)に示すように、凹部45の断面形状はその中段で
庇45aが形成された状態となる。次いで、図9(a)
に示すように、メッキ等により凹部45を含む絶縁層上
に銅膜を形成した後、パターニングしてパッド形成用導
電膜としての配線46を形成する。これにより、ビアホ
ール44を介して配線39と配線46は電気的に接続さ
れるとともに、表面に凹部をもったパッド46aが形成
される。
At this time, the etching rate of the lower insulating layer 40 is higher than that of the upper insulating layer 41.
As shown in (d), the cross-sectional shape of the recess 45 is such that the eaves 45a are formed in the middle. Next, FIG.
As shown in FIG. 7, after a copper film is formed on the insulating layer including the concave portion 45 by plating or the like, a wiring 46 is formed as a conductive film for pad formation by patterning. As a result, the wiring 39 and the wiring 46 are electrically connected via the via hole 44, and a pad 46a having a concave portion on the surface is formed.

【0042】次に、図9(b)に示すように、ソルダレ
ジスト膜47を形成したのち、ソルダレジスト膜47を
パターニングして開口部47aを形成する。次いで、図
9(c)に示すように、はんだ48を開口部47aに供
給した後、ネイルヘッド形頭部のピン49を、頭部を下
にして該はんだ48上に載置する。次に、図9(d)に
示すように、該はんだ48が熔融する温度よりも高い温
度の熱処理を施してはんだ48をリフローし、ピン49
を固着する。
Next, as shown in FIG. 9B, after a solder resist film 47 is formed, the solder resist film 47 is patterned to form an opening 47a. Next, as shown in FIG. 9C, after the solder 48 is supplied to the opening 47a, the pin 49 of a nail head type head is mounted on the solder 48 with the head down. Next, as shown in FIG. 9D, heat treatment is performed at a temperature higher than the temperature at which the solder 48 melts, and the solder 48 is reflowed.
Is fixed.

【0043】本願発明の実施の形態によれば、パッド4
6aは多数の凹部45を介して下の絶縁層28にも密着
形成されているので、パッド46aと絶縁層28との接
触面積が大きくなり、これによりピン49のパッド46
aに対する接続強度も高くなる。さらに、各凹部45の
断面形状は中段で庇45aを備えているので、はんだ4
8およびパッド46aは庇45aの下側に食い込んだ状
態にある。従って、ピン49に何らかの力が加わって、
パッド46aおよびはんだ48が絶縁層28から剥がれ
るといった不都合を大幅に解消することが可能となる。
According to the embodiment of the present invention, the pad 4
6a is also formed in close contact with the lower insulating layer 28 via a number of recesses 45, so that the contact area between the pad 46a and the insulating layer 28 is increased.
The connection strength with respect to a also increases. Further, since the cross-sectional shape of each recess 45 is provided with an eave 45a at the middle level, the solder 4
8 and the pad 46a are in a state of being cut under the eaves 45a. Therefore, some force is applied to the pin 49,
The disadvantage that the pad 46a and the solder 48 are separated from the insulating layer 28 can be largely eliminated.

【0044】(第6の実施の形態)図10および図11
は本発明の第6の実施の形態に係るPGA型電子部品用
基板の製造方法を示す断面図である。まず、図10
(a)に示すように、絶縁樹脂からなる絶縁層50上に
銅メッキにより、あるいは銅箔を被着し熱圧着して銅膜
を形成した後、パターニングにより下層の配線51aお
よびパッド形成領域に補強用ランド51bを形成する。
この補強用ランド51bのひとつひとつは浮島パターン
となっており、後述するようにパッドのアンカー効果を
生み出すために用いられるものである。
(Sixth Embodiment) FIGS. 10 and 11
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a PGA-type electronic component substrate according to a sixth embodiment of the present invention. First, FIG.
As shown in FIG. 3A, a copper film is formed on an insulating layer 50 made of an insulating resin by copper plating or a copper foil is applied and thermocompression-bonded to form a copper film. The reinforcing land 51b is formed.
Each of the reinforcing lands 51b has a floating island pattern, and is used for producing a pad anchor effect as described later.

【0045】次に、図10(b)に示すように、下層の
配線51a、補強用ランド51bおよび絶縁層50上に
絶縁層52を形成する。次いで、図10(c)に示すよ
うに、絶縁層52にレジスト膜53を形成した後、該レ
ジスト膜のパターニングによって、パッド形成領域に開
口部53aを形成した後、露光する。なお、これら各開
口部53aは、各補強ランド51b上に対応付けられて
形成される。
Next, as shown in FIG. 10B, an insulating layer 52 is formed on the lower wiring 51a, the reinforcing land 51b, and the insulating layer 50. Next, as shown in FIG. 10C, after a resist film 53 is formed on the insulating layer 52, an opening 53a is formed in the pad formation region by patterning the resist film, and then exposure is performed. The openings 53a are formed on the reinforcing lands 51b in association with each other.

【0046】その後、図10(d)に示すように、エッ
チングして開口部52aおよび52bを形成する。次い
で、図11(a)に示すように、メッキ等により絶縁層
52上に銅膜を形成した後、パターニングしてパッド5
4を形成する。これにより、パッド54は開口部52a
を介して配線51aに電気的に接続されるとともに、開
口部52bを介して補強用ランド51bに接続される。
Thereafter, as shown in FIG. 10D, the openings 52a and 52b are formed by etching. Next, as shown in FIG. 11A, after a copper film is formed on the insulating layer 52 by plating or the like, the pad 5
4 is formed. As a result, the pad 54 has the opening 52a.
Is electrically connected to the wiring 51a through the opening 52b, and is connected to the reinforcing land 51b through the opening 52b.

【0047】次に、図11(b)に示すように、ソルダ
レジスト膜55を形成したのち、ソルダレジスト膜55
をパターニングして開口部55aを形成する。次いで、
図11(c)に示すように、はんだ56を開口部55a
に供給した後、ネイルヘッド形頭部のピン57を、頭部
を下にして該はんだ56上に載置する。その後、はんだ
56が熔融する温度よりも高い温度の熱処理を施してリ
フローし、ピン57を固着する。
Next, as shown in FIG. 11B, after a solder resist film 55 is formed, the solder resist film 55 is formed.
Is patterned to form an opening 55a. Then
As shown in FIG. 11C, the solder 56 is connected to the opening 55a.
After that, the pin 57 of the nail head type head is placed on the solder 56 with the head down. Thereafter, heat treatment is performed at a temperature higher than the temperature at which the solder 56 melts, and reflow is performed to fix the pins 57.

【0048】本願発明の実施の形態によれば、パッド5
4は開口部52aおよび多数の開口部52bを介して下
の絶縁層52の側部にも密着形成されているので、パッ
ド54と絶縁層52との接触面積が大きくなり、これに
よりピン57のパッド54に対する接続強度も高くな
る。さらに、、パッド54は補強用ランド51bに接続
しており、これにより絶縁層52に対するアンカー効果
が得られるので、パッド54が剥がれ難くなる。従っ
て、ピン57に何らかの力が加わって、パッド54およ
びはんだ56が絶縁層52から剥がれるといった不都合
を大幅に解消することが可能となる。
According to the embodiment of the present invention, the pad 5
4 is also formed in close contact with the side of the lower insulating layer 52 through the opening 52a and a number of openings 52b, so that the contact area between the pad 54 and the insulating layer 52 is increased. The connection strength to the pad 54 also increases. Further, since the pad 54 is connected to the reinforcing land 51b, an anchor effect for the insulating layer 52 can be obtained, so that the pad 54 is hardly peeled off. Therefore, the inconvenience that the pad 54 and the solder 56 are peeled off from the insulating layer 52 when some force is applied to the pin 57 can be largely solved.

【0049】(他の実施の形態)図12は上述した本発
明の各実施の形態に係るパッド形成領域の絶縁層に形成
される多数の凹部のパタン形状を例示する上面図であ
る。図12(a)では多数の円形パタンが全体に配され
ており、図12(b)では、矩形状のパタンが同じ方向
を向かないように配されており、また、図12(c)で
は、多数の十字形パターンが多数配されている。
(Other Embodiments) FIG. 12 is a top view exemplifying a pattern shape of a large number of concave portions formed in an insulating layer in a pad formation region according to each embodiment of the present invention described above. In FIG. 12 (a), a large number of circular patterns are arranged on the whole, in FIG. 12 (b), rectangular patterns are arranged so as not to face the same direction, and in FIG. 12 (c), And a large number of cross-shaped patterns.

【0050】このようにパッド形成領域に多数の凹部を
形成することにより、またパターンの形状を工夫するこ
とにより、ピンの接続強度をより強いものにすることが
できる。勿論、このようなパタンは一例であり、本願発
明はこれらに限られるものではない。
By forming a large number of recesses in the pad formation region and by devising the shape of the pattern, the connection strength of the pins can be increased. Of course, such a pattern is an example, and the present invention is not limited to these.

【0051】[0051]

【発明の効果】本願発明によれば、パッドを形成する領
域の絶縁層の表面に凹凸を形成し、かつ該凹部の断面形
状は開口径が下側に向かうほど拡がる逆テーパ形状とし
たり、あるいは該凹部の中段に庇をもつようにしたり、
あるいは補強用ランドの形成によりアンカー効果が生ま
れるようにしているので、はんだやパッドが絶縁層から
剥がれ難くなっている。このためピンの取付け強度が増
すので、PGA型電子部品用基板の信頼性の向上を図る
ことができる。
According to the present invention, irregularities are formed on the surface of the insulating layer in the region where the pad is to be formed, and the cross-sectional shape of the concave portion is an inverted tapered shape in which the opening diameter increases toward the lower side, or To have an eave in the middle of the recess,
Alternatively, since the anchor effect is generated by forming the reinforcing land, the solder and the pad are hardly peeled off from the insulating layer. For this reason, the mounting strength of the pins is increased, so that the reliability of the PGA type electronic component substrate can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係るPGA型電子部品用
基板の全体構成を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an overall configuration of a PGA-type electronic component substrate according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態に係るPGA型電子
部品用基板の製造方法の説明図である(その1)。
FIG. 2 is an explanatory view of a method for manufacturing a PGA-type electronic component substrate according to the first embodiment of the present invention (part 1).

【図3】本発明の第1の実施の形態に係るPGA型電子
部品用基板の製造方法の説明図である(その2)。
FIG. 3 is an explanatory view of the method for manufacturing a PGA-type electronic component substrate according to the first embodiment of the present invention (part 2).

【図4】本発明の第1の実施の形態に係るPGA型電子
部品用基板の製造方法の説明図である(その3)。
FIG. 4 is an explanatory view of the method for manufacturing a PGA-type electronic component substrate according to the first embodiment of the present invention (part 3).

【図5】本発明の第2の実施の形態に係るPGA型電子
部品用基板の構成の説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a configuration of a PGA-type electronic component substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施の形態に係るPGA型電子
部品用基板の構成の説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a configuration of a PGA-type electronic component substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第4の実施の形態に係るPGA型電子
部品用基板の構成の説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of a configuration of a PGA-type electronic component substrate according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第5の実施の形態に係るPGA型電子
部品用基板の製造方法の説明図である(その1)。
FIG. 8 is an explanatory view of a method for manufacturing a PGA type electronic component substrate according to a fifth embodiment of the present invention (part 1).

【図9】本発明の第5の実施の形態に係るPGA型電子
部品用基板の製造方法の説明図である(その2)。
FIG. 9 is an explanatory view of a method for manufacturing a PGA-type electronic component substrate according to a fifth embodiment of the present invention (part 2).

【図10】本発明の第6の実施の形態に係るPGA型電
子部品用基板の製造方法の説明図である(その1)。
FIG. 10 is an explanatory diagram of the method for manufacturing the PGA-type electronic component substrate according to the sixth embodiment of the present invention (part 1).

【図11】本発明の第6の実施の形態に係るPGA型電
子部品用基板の製造方法の説明図である(その2)。
FIG. 11 is an explanatory view of the method for manufacturing the PGA-type electronic component substrate according to the sixth embodiment of the present invention (part 2).

【図12】本発明の実施の形態に係るPGA型電子部品
用基板のパッドに形成する開口パターンの説明図であ
る。
FIG. 12 is an explanatory diagram of an opening pattern formed on a pad of the PGA-type electronic component substrate according to the embodiment of the present invention.

【図13】従来例に係るPGA型電子部品用基板を形成
する工程の説明図である。
FIG. 13 is an explanatory view of a step of forming a PGA type electronic component substrate according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

26、28、38、40、41、50、52 絶縁層、 27、30、35、39、46、51a 配線、 28a、36、44 ビアホール、 28b、45 凹部、 29、53 レジスト膜、 30a、46a、54 パッド、 31、47、55 ソルダレジスト膜、 29a、29b、31a、42a、42b、47a、5
2a、52b、53a、55a 開口部、 32、48、56 はんだ、 33、34、49、57 ピン、 34a 凸部、 34b 粗面、 45a 庇、 51b 補強用ランド。
26, 28, 38, 40, 41, 50, 52 Insulating layer, 27, 30, 35, 39, 46, 51a Wiring, 28a, 36, 44 Via hole, 28b, 45 recess, 29, 53 Resist film, 30a, 46a , 54 pads, 31, 47, 55 solder resist film, 29a, 29b, 31a, 42a, 42b, 47a, 5
2a, 52b, 53a, 55a Opening, 32, 48, 56 Solder, 33, 34, 49, 57 pin, 34a Convex, 34b Rough surface, 45a Eave, 51b Reinforcing land.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プラスチック製基板の絶縁層上に形成さ
れた複数の導電性のパッドと、前記各パッドにはんだを
介して固着されたネイルヘッド型頭部の複数のピンとを
有するPGA型電子部品用基板において、 少なくとも前記パッドを形成する領域の前記絶縁層の表
面が凹凸に形成されることによりパッドの表面に凹凸が
形成され、かつ該凹凸の凹部の開口径は絶縁層の内側に
向かうほど拡がる逆テーパ状に形成されていることを特
徴とするPGA型電子部品用基板。
1. A PGA type electronic component having a plurality of conductive pads formed on an insulating layer of a plastic substrate, and a plurality of pins of a nail head type head fixed to each of the pads via solder. In the substrate for use, at least the surface of the insulating layer in the region where the pad is formed is formed with irregularities, whereby irregularities are formed on the surface of the pad, and the opening diameter of the concave portion of the irregularities increases toward the inside of the insulating layer. A PGA-type electronic component substrate characterized by being formed in an expanding inversely tapered shape.
【請求項2】 プラスチック製基板の絶縁層上に形成さ
れた複数の導電性のパッドと、前記各パッドにはんだを
介して固着されたネイルヘッド型頭部の複数のピンとを
有するPGA型電子部品用基板において、 少なくとも前記パッドを形成する領域の前記絶縁層の表
面が凹凸に形成されることによりパッドの表面に凹凸が
形成され、かつ該凹凸の凹部の中途部に該凹部の壁面か
ら凹部の内側に向かって突出する突出部が形成されてい
ることを特徴とするPGA型電子部品用基板。
2. A PGA type electronic component having a plurality of conductive pads formed on an insulating layer of a plastic substrate and a plurality of pins of a nail head type head fixed to each of the pads via solder. In the substrate for use, at least a surface of the insulating layer in a region where the pad is formed is formed with irregularities, so that irregularities are formed on the surface of the pad, and a concave portion is formed from a wall surface of the concave portion in the middle of the concave portion of the irregularity. A PGA-type electronic component substrate, wherein a protruding portion protruding inward is formed.
【請求項3】 プラスチック製基板の絶縁層上に形成さ
れた複数の導電性のパッドと、前記各パッドにはんだを
介して固着されたネイルヘッド型頭部の複数のピンとを
有するPGA型電子部品用基板において、 少なくとも前記パッドを形成する領域の前記絶縁層の表
面が凹凸になるように形成されることによりパッドの表
面に凹凸が形成され、該凹凸の凹部の下には該凹部の開
口領域よりも広い導電性のランドが前記パッドに接続し
て形成され、かつ該ランドは互いに分離していることを
特徴とするPGA型電子部品用基板。
3. A PGA type electronic component having a plurality of conductive pads formed on an insulating layer of a plastic substrate and a plurality of pins of a nail head type head fixed to each pad via solder. In the substrate for use, at least a surface of the insulating layer in a region where the pad is formed is formed to have irregularities, whereby irregularities are formed on the surface of the pad, and an opening region of the concave is formed below the concave of the irregularities. A substrate for a PGA-type electronic component, wherein a wider conductive land is formed to be connected to the pad, and the land is separated from each other.
【請求項4】 前記ピンは、そのネイルヘッド型頭部の
端面に凹凸が形成されていることを特徴とする請求項1
乃至請求項3のいずれか1項に記載のPGA型電子部品
用基板。
4. The pin according to claim 1, wherein the pin has an uneven surface on an end face of the nail head.
A substrate for a PGA-type electronic component according to claim 1.
【請求項5】 前記パッドの表面に形成される凹凸の凹
部が形成される位置は、前記ピンのネイルヘッド型頭部
の端面に形成される凹凸の凸部が形成される位置に対応
していることを特徴とする請求項4に記載のPGA型電
子部品用基板。
5. The position at which the concave and convex concave portions formed on the surface of the pad correspond to the positions where the concave and convex convex portions formed on the end face of the nail head type head of the pin are formed. The substrate for a PGA-type electronic component according to claim 4, wherein:
【請求項6】 前記絶縁層上に形成された凹凸の凹部
は、該絶縁層を貫通して形成されており、前記パッドと
該絶縁層の下層の配線とが電気的に接続されていること
を特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記
載のPGA型電子部品用基板。
6. The concave / convex concave portion formed on the insulating layer is formed so as to penetrate the insulating layer, and the pad is electrically connected to a wiring below the insulating layer. The PGA-type electronic component substrate according to any one of claims 1 to 5, characterized in that:
【請求項7】 プラスチック製基板上に絶縁層を形成す
る工程と、 パッド形成領域の前記絶縁層の表面に、開口径が絶縁層
の内側に向かうほど拡がる逆テーパ状の凹部を形成する
ことにより凹凸を形成する工程と、 前記凹凸が形成された絶縁層上にパッド形成用導電膜を
形成して、導電性のパッドの表面に凹凸を形成する工程
と、 前記凹凸が形成された導電性のパッド上にはんだを供給
する工程と、 前記はんだ上にピンのネイルヘッド型頭部を載置する工
程と、 前記ピンを前記はんだを介して前記パッドに固着する工
程とを有することを特徴とするPGA型電子部品用基板
の製造方法。
7. A step of forming an insulating layer on a plastic substrate, and forming a reverse-tapered recess having an opening diameter increasing toward the inside of the insulating layer on a surface of the insulating layer in a pad forming region. A step of forming irregularities; a step of forming a pad-forming conductive film on the insulating layer on which the irregularities are formed, and forming irregularities on the surface of the conductive pad; Supplying a solder on the pad; placing a nail head of a pin on the solder; and fixing the pin to the pad via the solder. A method for manufacturing a PGA type electronic component substrate.
【請求項8】 前記絶縁層は、ポジ型感光性材料を用い
て形成することを特徴とする請求項7項に記載のPGA
型電子部品用基板の製造方法。
8. The PGA according to claim 7, wherein the insulating layer is formed using a positive photosensitive material.
Method for manufacturing a substrate for electronic components.
【請求項9】 プラスチック製基板上に第1の絶縁層を
形成する工程と、前記第1の絶縁層上に該第1の絶縁層
よりもエッチングレートの低い第2の絶縁層を形成する
工程と、 パッド形成領域の前記第1の絶縁層および第2の絶縁層
を同じパターンマスクを介してエッチングし、前記第1
の絶縁層に複数の第1の開口部を形成するとともに、第
1と第2の絶縁層のエッチングレートの差により該第1
の開口部の下の第2の絶縁層に第1の開口部よりも大き
な開口径の第2の開口部を形成する工程と、 前記第1および第2の開口部を含むパッド形成領域の絶
縁層上にパッド形成用導電膜をして導電性のパッドを形
成する工程と、 前記パッド上にはんだを供給する工程と、 前記はんだ上にピンのネイルヘッド型頭部を載置する工
程と、 前記ピンを前記はんだを介して前記パッドに固着する工
程とを有することを特徴とするPGA型電子部品用基板
の製造方法。
9. A step of forming a first insulating layer on a plastic substrate and a step of forming a second insulating layer having a lower etching rate than the first insulating layer on the first insulating layer. Etching the first insulating layer and the second insulating layer in the pad formation region through the same pattern mask,
A plurality of first openings are formed in the first insulating layer, and the first opening is formed by a difference in etching rate between the first and second insulating layers.
Forming a second opening having an opening diameter larger than the first opening in the second insulating layer below the opening, and insulating a pad formation region including the first and second openings. Forming a conductive pad by forming a conductive film for forming a pad on the layer; supplying solder on the pad; placing a nail head of a pin on the solder; Fixing the pin to the pad via the solder.
【請求項10】 プラスチック製基板上の少なくともパ
ッド形成領域に互いに分離した複数の導電性のランドを
形成する工程と、 前記ランドを被覆する絶縁層を形成する工程と、 前記各ランドに対応する位置に、該ランドの領域よりも
狭い開口の開口部を前記絶縁層に形成する工程と、 前記パッド形成領域の絶縁層上にパッド形成用導電膜を
形成して導電性パッドを形成し、該パッドを前記開口部
を介して対応する前記ランドと接続する工程と、 前記パッド上にはんだを供給する工程と、 前記はんだ上にピンのネイルヘッド型頭部を載置する工
程と、 前記ピンを前記はんだを介して前記パッドに固着する工
程とを有することを特徴とするPGA型電子部品用基板
の製造方法。
10. A step of forming a plurality of conductive lands separated from each other on at least a pad formation region on a plastic substrate, a step of forming an insulating layer covering the lands, and a position corresponding to each of the lands. Forming an opening of an opening narrower than the land area in the insulating layer; forming a pad forming conductive film on the insulating layer in the pad forming area to form a conductive pad; Connecting the pin to the corresponding land via the opening; supplying solder on the pad; placing a nail head type head of a pin on the solder; And fixing the pad to the pad via solder.
【請求項11】 請求項1乃至請求項6のいずれか1項
に記載のPGA型電子部品用基板に半導体チップが搭載
されていることを特徴とする半導体装置。
11. A semiconductor device having a semiconductor chip mounted on the PGA-type electronic component substrate according to claim 1.
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