JP2000231883A - ガス放電パネルおよびガス放電パネルの製造方法 - Google Patents
ガス放電パネルおよびガス放電パネルの製造方法Info
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- JP2000231883A JP2000231883A JP3405099A JP3405099A JP2000231883A JP 2000231883 A JP2000231883 A JP 2000231883A JP 3405099 A JP3405099 A JP 3405099A JP 3405099 A JP3405099 A JP 3405099A JP 2000231883 A JP2000231883 A JP 2000231883A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電特性の良好な優れた表示品位を実現す
る。 【解決手段】 一対の基板の少なくとも一方の基板４に
形成した電極１を誘電体膜２で被膜し、その誘電体膜２
の表面に形成され、誘電体膜２を放電から保護するため
の保護膜において、誘電体膜２上での領域ごとに膜構成
材料の組成比が異なる改質された保護膜３ａを用いる、
また、誘電体膜上での領域ごとに異なる絶縁性の保護膜
を用いることを特徴とする。また、酸化物からなる保護
膜において、前記誘電体膜上での領域ごとに酸素含有比
率の異なる保護膜を用いることを特徴とする。
る。 【解決手段】 一対の基板の少なくとも一方の基板４に
形成した電極１を誘電体膜２で被膜し、その誘電体膜２
の表面に形成され、誘電体膜２を放電から保護するため
の保護膜において、誘電体膜２上での領域ごとに膜構成
材料の組成比が異なる改質された保護膜３ａを用いる、
また、誘電体膜上での領域ごとに異なる絶縁性の保護膜
を用いることを特徴とする。また、酸化物からなる保護
膜において、前記誘電体膜上での領域ごとに酸素含有比
率の異なる保護膜を用いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極と誘電体層と
保護層が形成された基板を用いたガス放電パネルおよび
その製造方法に関する。
保護層が形成された基板を用いたガス放電パネルおよび
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のガス放電パネルとして
は、図５に示すＡＣ型のプラズマディスプレイパネル
（以下、ＰＤＰという）が知られている。
は、図５に示すＡＣ型のプラズマディスプレイパネル
（以下、ＰＤＰという）が知られている。
【０００３】このＰＤＰは、内表面上に複数本の電極
１，誘電体膜２および保護膜３が形成されたガラス製の
上部パネル側の基板４と、電極１とは直交する向きに沿
って配置された複数本の電極５及び誘電体層６が内表面
上に形成され、かつ、誘電体層６上の所定位置毎には発
光領域を区画する低融点ガラス製の隔壁７が並列形成さ
れたガラス製の下部パネル側の基板８とを対向配置した
うえで、外周端縁を低融点ガラスからなる封着部材９で
もって封着した構成の外囲器１０を備えている。
１，誘電体膜２および保護膜３が形成されたガラス製の
上部パネル側の基板４と、電極１とは直交する向きに沿
って配置された複数本の電極５及び誘電体層６が内表面
上に形成され、かつ、誘電体層６上の所定位置毎には発
光領域を区画する低融点ガラス製の隔壁７が並列形成さ
れたガラス製の下部パネル側の基板８とを対向配置した
うえで、外周端縁を低融点ガラスからなる封着部材９で
もって封着した構成の外囲器１０を備えている。
【０００４】そして、隔壁７によって区画された各発光
領域ごとの誘電体層６の上にはカラー表示を実現するた
めの蛍光体１１が塗布されており、外囲器１０内には放
電空間１２で放電を行わせるため、ネオン及びキセノン
を混合してなる放電ガスが下部パネル基板８の孔８ａと
チップ管１３を通して約５００Ｔｏｒｒの圧力で封入さ
れている。なお、封入後、図に示すようにチップ管１３
は封止されている。
領域ごとの誘電体層６の上にはカラー表示を実現するた
めの蛍光体１１が塗布されており、外囲器１０内には放
電空間１２で放電を行わせるため、ネオン及びキセノン
を混合してなる放電ガスが下部パネル基板８の孔８ａと
チップ管１３を通して約５００Ｔｏｒｒの圧力で封入さ
れている。なお、封入後、図に示すようにチップ管１３
は封止されている。
【０００５】次に電極１、誘電体膜２，保護膜３が形成
された基板４の概略断面図を図６に示す。電極は紙面に
垂直な方向に細長く形成されており、また、紙面の横方
向に同じように多数の電極が形成されている。
された基板４の概略断面図を図６に示す。電極は紙面に
垂直な方向に細長く形成されており、また、紙面の横方
向に同じように多数の電極が形成されている。
【０００６】ガス放電パネルにおける放電制御につい
て、図７の放電制御機構概略図を用いて説明する。次の
ような順序で制御される。 図６（１）「全画面消去」 保護膜側の一対の各々の電極に１００Ｖ，０Ｖを印加
し、初期化する。 図６（２）「全画面書き込み」 保護膜側の一対の各々の電極に０Ｖ，４００Ｖを印加
し、壁電荷を形成する。 図６（３）「全画面消去」 保護膜側の一対の各々の電極に１００Ｖ，０Ｖを印加
し、不要な電荷を除去する。 図６（４）「デ−タ書き込み」 保護膜側の一対の各々の電極に２５０Ｖ，０Ｖを印加
し、蛍光体側の電極に６０Ｖを印加し、表示させたい画
素を選択し、壁電荷を形成する。 図６（５）「全画面放電維持」 保護膜側の一対の各々の電極に、０Ｖ，２５０Ｖを印加
し、放電させる。
て、図７の放電制御機構概略図を用いて説明する。次の
ような順序で制御される。 図６（１）「全画面消去」 保護膜側の一対の各々の電極に１００Ｖ，０Ｖを印加
し、初期化する。 図６（２）「全画面書き込み」 保護膜側の一対の各々の電極に０Ｖ，４００Ｖを印加
し、壁電荷を形成する。 図６（３）「全画面消去」 保護膜側の一対の各々の電極に１００Ｖ，０Ｖを印加
し、不要な電荷を除去する。 図６（４）「デ−タ書き込み」 保護膜側の一対の各々の電極に２５０Ｖ，０Ｖを印加
し、蛍光体側の電極に６０Ｖを印加し、表示させたい画
素を選択し、壁電荷を形成する。 図６（５）「全画面放電維持」 保護膜側の一対の各々の電極に、０Ｖ，２５０Ｖを印加
し、放電させる。
【０００７】すぐに逆の電圧２５０Ｖ，０Ｖを印加し、
放電する。これを交互に繰り返し、表示期間の間、放電
を継続させ、その回数により輝度を制御する。
放電する。これを交互に繰り返し、表示期間の間、放電
を継続させ、その回数により輝度を制御する。
【０００８】そして（１）に戻り、（１）工程から
（５）工程を繰り返す。
（５）工程を繰り返す。
【０００９】以上の放電制御機構において、（４）工程
のデ−タの書き込みにおいて、（２）、（３）工程によ
り蛍光体側の電極に印加された電圧に蛍光体表面に蓄積
されたイオンによる壁電圧が重畳されるために、蛍光体
表面にイオンが蓄積されない場合と比較して低い電圧で
放電し、表示電極上に壁電荷が形成される。その後、放
電維持パルスを印加すると、壁電荷が形成された放電セ
ルだけが放電し、表示を行う。
のデ−タの書き込みにおいて、（２）、（３）工程によ
り蛍光体側の電極に印加された電圧に蛍光体表面に蓄積
されたイオンによる壁電圧が重畳されるために、蛍光体
表面にイオンが蓄積されない場合と比較して低い電圧で
放電し、表示電極上に壁電荷が形成される。その後、放
電維持パルスを印加すると、壁電荷が形成された放電セ
ルだけが放電し、表示を行う。
【００１０】なお、ガス放電パネルにおいて表示するた
めの多数の電極において、（１）〜（３）、（５）の工
程は全ての電極で同時に実施され、（４）の工程のみ、
保護膜側の一対の電極からなるラインを次々に選択（電
圧を印加する）し、その選択されたときに、蛍光体側の
電極に電圧が印加された画素のみが、（５）の工程によ
り放電し、表示期間の間、放電する。
めの多数の電極において、（１）〜（３）、（５）の工
程は全ての電極で同時に実施され、（４）の工程のみ、
保護膜側の一対の電極からなるラインを次々に選択（電
圧を印加する）し、その選択されたときに、蛍光体側の
電極に電圧が印加された画素のみが、（５）の工程によ
り放電し、表示期間の間、放電する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記ガス放電パネルの
放電電圧などで示される放電特性は、保護膜３の膜質に
より大きく左右されている。特に、（３）工程において
壁電荷がパネル前面に蓄えられた後、（４）工程におい
ては一対の電極ごとに選択し、（３）工程で蓄えられた
壁電荷を利用し、デ−タの書き込みをするための壁電荷
を生じさせているが、例えば、ガス放電パネルにおい
て、（４）工程で最初に選択した一対の電極でのライン
では（３）工程からすぐ（４）工程にはいるため、問題
は少ないが、パネル上の一対の電極を順次選択し、
（４）工程を行っていくと、最後に選択された一対の電
極では、（３）工程で蓄えられた壁電荷が蓄えられた時
間からは、〈（４）工程の一対の電極の選択時間〉×
〈ガス放電パネル上の一対の電極の本数〉の時間だけ、
最初に選択された一対の電極より、遅れて選択されるこ
とになる。
放電電圧などで示される放電特性は、保護膜３の膜質に
より大きく左右されている。特に、（３）工程において
壁電荷がパネル前面に蓄えられた後、（４）工程におい
ては一対の電極ごとに選択し、（３）工程で蓄えられた
壁電荷を利用し、デ−タの書き込みをするための壁電荷
を生じさせているが、例えば、ガス放電パネルにおい
て、（４）工程で最初に選択した一対の電極でのライン
では（３）工程からすぐ（４）工程にはいるため、問題
は少ないが、パネル上の一対の電極を順次選択し、
（４）工程を行っていくと、最後に選択された一対の電
極では、（３）工程で蓄えられた壁電荷が蓄えられた時
間からは、〈（４）工程の一対の電極の選択時間〉×
〈ガス放電パネル上の一対の電極の本数〉の時間だけ、
最初に選択された一対の電極より、遅れて選択されるこ
とになる。
【００１２】この選択が遅れている間に、壁電荷がリ−
クし、壁電荷量が減少してしまい、（４）工程でデ−タ
の書き込みを行っても十分な放電が行われず、壁電荷が
蓄積されない、もしくは放電が行われず、壁電荷が蓄積
されないために、（５）工程で全画面放電維持を実施し
ようとしても放電が維持されず、表示不良を起こしてし
まう。
クし、壁電荷量が減少してしまい、（４）工程でデ−タ
の書き込みを行っても十分な放電が行われず、壁電荷が
蓄積されない、もしくは放電が行われず、壁電荷が蓄積
されないために、（５）工程で全画面放電維持を実施し
ようとしても放電が維持されず、表示不良を起こしてし
まう。
【００１３】このため、壁電荷の蓄積量を増加させ、放
電を確実に生じさせようとすると、電極への印加電圧を
上昇させねばならず、低消費電力化のための低電圧化の
障害となっていた。
電を確実に生じさせようとすると、電極への印加電圧を
上昇させねばならず、低消費電力化のための低電圧化の
障害となっていた。
【００１４】また、保護膜は従来、塗布法、蒸着法等で
ＭｇＯ（酸化マグネシウム）膜を用いているが、膜形成
時の基板の温度分布、基板近傍の酸素の存在状態（雰囲
気ガスの分布状態）等により、膜質分布を生じている。
これが部分的な壁電荷の蓄積度合いを変えてしまうた
め、表示ムラの影響となったり、低消費電力のためのさ
らなる電圧の低下の障害になっていると考えられる。
ＭｇＯ（酸化マグネシウム）膜を用いているが、膜形成
時の基板の温度分布、基板近傍の酸素の存在状態（雰囲
気ガスの分布状態）等により、膜質分布を生じている。
これが部分的な壁電荷の蓄積度合いを変えてしまうた
め、表示ムラの影響となったり、低消費電力のためのさ
らなる電圧の低下の障害になっていると考えられる。
【００１５】本発明は、上記課題を鑑み、放電特性の良
好な優れた表示品位を実現するガス放電パネルと、その
ガス放電パネルの製造方法を提供することを目的する。
好な優れた表示品位を実現するガス放電パネルと、その
ガス放電パネルの製造方法を提供することを目的する。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板の
少なくとも一方の基板に形成した電極を誘電体膜で被膜
し、その誘電体膜の表面に形成され、前記誘電体膜を放
電から保護するための保護膜において、前記誘電体膜上
での領域ごとに膜構成材料の組成比が異なる保護膜を用
いることを特徴とする。
少なくとも一方の基板に形成した電極を誘電体膜で被膜
し、その誘電体膜の表面に形成され、前記誘電体膜を放
電から保護するための保護膜において、前記誘電体膜上
での領域ごとに膜構成材料の組成比が異なる保護膜を用
いることを特徴とする。
【００１７】また、一対の基板の少なくとも一方の基板
に形成した電極を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表
面に形成される前記誘電体膜を放電から保護するための
保護膜において、前記誘電体膜上での領域ごとに異なる
絶縁性の保護膜を用いることを特徴とする。
に形成した電極を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表
面に形成される前記誘電体膜を放電から保護するための
保護膜において、前記誘電体膜上での領域ごとに異なる
絶縁性の保護膜を用いることを特徴とする。
【００１８】また、一対の基板の少なくとも一方の基板
に形成した電極を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表
面に形成される前記誘電体膜を放電から保護するための
酸化物からなる保護膜において、前記誘電体膜上での領
域ごとに酸素含有比率の異なる保護膜を用いることを特
徴とする。
に形成した電極を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表
面に形成される前記誘電体膜を放電から保護するための
酸化物からなる保護膜において、前記誘電体膜上での領
域ごとに酸素含有比率の異なる保護膜を用いることを特
徴とする。
【００１９】また、一対の基板の少なくとも一方の基板
に形成した電極を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表
面に形成される前記誘電体膜を放電から保護するための
保護膜において、前記誘電体膜上での領域ごとに保護膜
が形成されている領域と形成されていない領域が存在す
ることを特徴とする。
に形成した電極を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表
面に形成される前記誘電体膜を放電から保護するための
保護膜において、前記誘電体膜上での領域ごとに保護膜
が形成されている領域と形成されていない領域が存在す
ることを特徴とする。
【００２０】この本発明によると、放電特性の良好な優
れた表示品位を実現するガス放電パネルが製造できる。
れた表示品位を実現するガス放電パネルが製造できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】請求項１記載のガス放電パネル
は、一対の基板の少なくとも一方の基板に形成した電極
を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表面に形成され、
前記誘電体膜を放電から保護するための保護膜におい
て、前記誘電体膜上での領域ごとに膜構成材料の組成比
が異なる保護膜を用いることを特徴とする。
は、一対の基板の少なくとも一方の基板に形成した電極
を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表面に形成され、
前記誘電体膜を放電から保護するための保護膜におい
て、前記誘電体膜上での領域ごとに膜構成材料の組成比
が異なる保護膜を用いることを特徴とする。
【００２２】請求項２記載のガス放電パネルは、一対の
基板の少なくとも一方の基板に形成した電極を誘電体膜
で被膜し、その誘電体膜の表面に形成され、前記誘電体
膜を放電から保護するための保護膜において、前記誘電
体膜上での領域ごとに異なる絶縁性の保護膜を用いるこ
とを特徴とする。
基板の少なくとも一方の基板に形成した電極を誘電体膜
で被膜し、その誘電体膜の表面に形成され、前記誘電体
膜を放電から保護するための保護膜において、前記誘電
体膜上での領域ごとに異なる絶縁性の保護膜を用いるこ
とを特徴とする。
【００２３】請求項３記載のガス放電パネルは、一対の
基板の少なくとも一方の基板に形成した電極を誘電体膜
で被膜し、前記誘電体膜の表面に形成され、前記誘電体
膜を放電から保護するための酸化物からなる保護膜にお
いて、前記誘電体膜上での領域ごとに酸素含有比率の異
なる保護膜を用いることを特徴とする。
基板の少なくとも一方の基板に形成した電極を誘電体膜
で被膜し、前記誘電体膜の表面に形成され、前記誘電体
膜を放電から保護するための酸化物からなる保護膜にお
いて、前記誘電体膜上での領域ごとに酸素含有比率の異
なる保護膜を用いることを特徴とする。
【００２４】請求項４記載のガス放電パネルは、一対の
基板の少なくとも一方の基板に形成した電極を誘電体膜
で被膜し、その誘電体膜の表面に形成される前記誘電体
膜を放電から保護するための保護膜において、前記誘電
体膜上での領域ごとに保護膜が形成されている領域と形
成されていない領域が存在することを特徴とする。
基板の少なくとも一方の基板に形成した電極を誘電体膜
で被膜し、その誘電体膜の表面に形成される前記誘電体
膜を放電から保護するための保護膜において、前記誘電
体膜上での領域ごとに保護膜が形成されている領域と形
成されていない領域が存在することを特徴とする。
【００２５】請求項５記載のガス放電パネルは、基板上
に形成された電極近傍に対応する領域付近と電極間近傍
に対応する領域の誘電体膜上に形成される保護膜におい
て、各々の領域で膜構成材料の組成比が異なることを特
徴とする。
に形成された電極近傍に対応する領域付近と電極間近傍
に対応する領域の誘電体膜上に形成される保護膜におい
て、各々の領域で膜構成材料の組成比が異なることを特
徴とする。
【００２６】請求項６記載のガス放電パネルは、基板上
に形成された電極近傍に対応する領域付近と電極間近傍
に対応する領域の誘電体上に形成される保護膜におい
て、各々の領域で絶縁性が異なることを特徴とする。
に形成された電極近傍に対応する領域付近と電極間近傍
に対応する領域の誘電体上に形成される保護膜におい
て、各々の領域で絶縁性が異なることを特徴とする。
【００２７】請求項７記載のガス放電パネルは、基板上
に形成された電極近傍に対応する領域付近と電極間近傍
に対応する領域の誘電体膜上に形成される酸化物からな
る保護膜において、各々の領域で酸素含有比率の異なる
ことを特徴とする。
に形成された電極近傍に対応する領域付近と電極間近傍
に対応する領域の誘電体膜上に形成される酸化物からな
る保護膜において、各々の領域で酸素含有比率の異なる
ことを特徴とする。
【００２８】請求項８記載のガス放電パネルは、基板上
に形成された電極近傍に対応する領域付近と電極間近傍
に対応する領域の誘電体膜上で、前記誘電体上での領域
ごとに保護膜が形成されている領域と形成されていない
領域が存在することを特徴とする。
に形成された電極近傍に対応する領域付近と電極間近傍
に対応する領域の誘電体膜上で、前記誘電体上での領域
ごとに保護膜が形成されている領域と形成されていない
領域が存在することを特徴とする。
【００２９】請求項９記載のガス放電パネルは、基板上
に形成された一対の組み合わせからなる電極において、
一対の組み合わせの各々の電極近傍に対応する領域の誘
電体膜上に形成される保護膜が、各々の領域で膜構成材
料の組成比が異なることを特徴とする。
に形成された一対の組み合わせからなる電極において、
一対の組み合わせの各々の電極近傍に対応する領域の誘
電体膜上に形成される保護膜が、各々の領域で膜構成材
料の組成比が異なることを特徴とする。
【００３０】請求項１０記載のガス放電パネルは、基板
上に形成された一対の組み合わせからなる電極におい
て、一対の組み合わせの各々の電極近傍に対応する領域
の誘電体膜上に形成される保護膜が、各々の領域で絶縁
性が異なることを特徴とする。
上に形成された一対の組み合わせからなる電極におい
て、一対の組み合わせの各々の電極近傍に対応する領域
の誘電体膜上に形成される保護膜が、各々の領域で絶縁
性が異なることを特徴とする。
【００３１】請求項１１記載のガス放電パネルは、基板
上に形成された一対の組み合わせからなる電極におい
て、一対の組み合わせの各々の電極近傍に対応する領域
の誘電体膜上に形成される酸化物からなる保護膜が、各
々の領域で酸素含有比率の異なることを特徴とする。
上に形成された一対の組み合わせからなる電極におい
て、一対の組み合わせの各々の電極近傍に対応する領域
の誘電体膜上に形成される酸化物からなる保護膜が、各
々の領域で酸素含有比率の異なることを特徴とする。
【００３２】請求項１２記載のガス放電パネルは、基板
上に形成された一対の組み合わせからなる電極におい
て、一対の組み合わせの各々の電極近傍に対応する領域
の誘電体膜上で、保護膜が形成されている領域と形成さ
れていない領域が存在することを特徴とする。
上に形成された一対の組み合わせからなる電極におい
て、一対の組み合わせの各々の電極近傍に対応する領域
の誘電体膜上で、保護膜が形成されている領域と形成さ
れていない領域が存在することを特徴とする。
【００３３】請求項１３記載のガス放電パネルおよびガ
ス放電パネルの製造方法は、誘電体膜上に保護膜を形成
した後、酸素を含む雰囲気中でレ−ザ−照射により保護
膜の部分的な改質することを特徴とする。
ス放電パネルの製造方法は、誘電体膜上に保護膜を形成
した後、酸素を含む雰囲気中でレ−ザ−照射により保護
膜の部分的な改質することを特徴とする。
【００３４】請求項１４記載のガス放電パネルの製造方
法は、酸素を含むイオンビ−ムにより、保護膜の部分的
な改質することを特徴とする。
法は、酸素を含むイオンビ−ムにより、保護膜の部分的
な改質することを特徴とする。
【００３５】請求項１５記載のガス放電パネルの製造方
法は、基板上に、電極、誘電体、保護層が形成された基
板を、電極に電圧を印加した状態で酸素を含むプラズマ
中に曝すことにより、保護膜の部分的な改質することを
特徴とする。
法は、基板上に、電極、誘電体、保護層が形成された基
板を、電極に電圧を印加した状態で酸素を含むプラズマ
中に曝すことにより、保護膜の部分的な改質することを
特徴とする。
【００３６】本発明により、誘電体膜上に形成される保
護膜の膜質が領域ごとに異なることで放電特性の向上が
図られ、低電圧で良好な表示性能を有するガス放電パネ
ルが得られる。
護膜の膜質が領域ごとに異なることで放電特性の向上が
図られ、低電圧で良好な表示性能を有するガス放電パネ
ルが得られる。
【００３７】以下、本発明のガス放電パネルおよびガス
放電パネルの製造方法を具体的な各実施の形態に基づい
て説明する。なお、従来例を示す図５と同様の作用をな
すものには同一の符号を付けて説明する。
放電パネルの製造方法を具体的な各実施の形態に基づい
て説明する。なお、従来例を示す図５と同様の作用をな
すものには同一の符号を付けて説明する。
【００３８】（実施の形態１）図１（ａ）は本発明の実
施の形態１における電極１ａ、１ｂ、誘電体膜２、保護
膜３ａ，３ｂが形成された基板４の概略断面図を示す。
図１（ｂ）、（ｃ）は保護膜側より見た概略上面図を示
す。
施の形態１における電極１ａ、１ｂ、誘電体膜２、保護
膜３ａ，３ｂが形成された基板４の概略断面図を示す。
図１（ｂ）、（ｃ）は保護膜側より見た概略上面図を示
す。
【００３９】保護膜は蒸着法により形成された酸化マグ
ネシウム膜とする。従来の手法で図６に示す様に電極
１、誘電体膜２、保護膜３が形成された基板４に対し
て、酸素を含む雰囲気中に設置し、電極１が形成された
近傍の保護膜にアルゴンレ−ザ−もしくはエキシマレ−
ザ−を照射する。レ−ザ−のエネルギ−により保護膜の
表面近傍は活性化され、雰囲気中の酸素と結合が促進さ
れる。レ−ザ−を走査することで任意の領域の保護膜を
改質することができる。
ネシウム膜とする。従来の手法で図６に示す様に電極
１、誘電体膜２、保護膜３が形成された基板４に対し
て、酸素を含む雰囲気中に設置し、電極１が形成された
近傍の保護膜にアルゴンレ−ザ−もしくはエキシマレ−
ザ−を照射する。レ−ザ−のエネルギ−により保護膜の
表面近傍は活性化され、雰囲気中の酸素と結合が促進さ
れる。レ−ザ−を走査することで任意の領域の保護膜を
改質することができる。
【００４０】上記処理により、図１（ａ）に示すように
レ−ザ−を照射した領域の保護膜３ａと照射しない領域
の保護膜３ｂに区分され、その膜質を比較すると、膜構
成材料の組成比が異なることになる。また、絶縁性が高
まることになる。また、酸素含有率が高くなる。
レ−ザ−を照射した領域の保護膜３ａと照射しない領域
の保護膜３ｂに区分され、その膜質を比較すると、膜構
成材料の組成比が異なることになる。また、絶縁性が高
まることになる。また、酸素含有率が高くなる。
【００４１】電極１ａ，１ｂ近傍に対応する絶縁性が向
上した保護膜３ａにより、壁電荷が減少しにくくなるた
め、低電圧で良好な表示特性を得ることができる。
上した保護膜３ａにより、壁電荷が減少しにくくなるた
め、低電圧で良好な表示特性を得ることができる。
【００４２】レ−ザ−を走査し、保護膜３ａの状態にす
る際、図１（ｂ）の様に、電極上近傍を全て行ってもよ
く、また、図１（ｃ）に示すように、相対する基板の隔
壁が近傍にある領域を除いた、放電空間に面する保護膜
のみを改質してもよく、本実施例に限定されるものでは
ない。
る際、図１（ｂ）の様に、電極上近傍を全て行ってもよ
く、また、図１（ｃ）に示すように、相対する基板の隔
壁が近傍にある領域を除いた、放電空間に面する保護膜
のみを改質してもよく、本実施例に限定されるものでは
ない。
【００４３】本実施例の形態においては、保護膜として
酸化マグネシウム膜（ＭｇＯ）を用いたが、アルカリ土
類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物また
はこれらの混合物でも良く、本実施例に限定されるもの
ではない。
酸化マグネシウム膜（ＭｇＯ）を用いたが、アルカリ土
類金属の酸化物またはアルカリ土類金属のフッ化物また
はこれらの混合物でも良く、本実施例に限定されるもの
ではない。
【００４４】また、本実施の形態においては電極近傍に
対応する保護膜の改質を、一対の電極において両電極に
対応する保護膜で実施したが、図２（ａ），（ｂ），
（ｃ）に示すように、一対の電極の内、片方の電極のみ
に対応する保護膜のみに、レ−ザ−処理により改質を行
っても放電特性は改善が見られる。
対応する保護膜の改質を、一対の電極において両電極に
対応する保護膜で実施したが、図２（ａ），（ｂ），
（ｃ）に示すように、一対の電極の内、片方の電極のみ
に対応する保護膜のみに、レ−ザ−処理により改質を行
っても放電特性は改善が見られる。
【００４５】また、本実施の形態においては電極近傍に
対応する保護膜の改質を行ったが、逆に、電極間近傍に
対応する保護膜の改質を行い、電極間近傍に対応する保
護膜の絶縁性をより向上させることにより、同様に、電
極近傍に対応する位置に蓄えられた壁電荷が減少しにく
くなる効果が得ることができ、本実施の形態に限定され
るものではない。
対応する保護膜の改質を行ったが、逆に、電極間近傍に
対応する保護膜の改質を行い、電極間近傍に対応する保
護膜の絶縁性をより向上させることにより、同様に、電
極近傍に対応する位置に蓄えられた壁電荷が減少しにく
くなる効果が得ることができ、本実施の形態に限定され
るものではない。
【００４６】また、本実施の形態においてはレ−ザ−に
より保護膜の部分的な改質を行ったが、酸素を含むイオ
ンビ−ムを照射することにより改質を行ってもよく、本
実施例に限定されるものではない。
より保護膜の部分的な改質を行ったが、酸素を含むイオ
ンビ−ムを照射することにより改質を行ってもよく、本
実施例に限定されるものではない。
【００４７】また、本実施の形態においてはレ−ザ−に
より保護膜の部分的な改質を行ったが、電極に電圧を印
加した状態で、酸素を含むプラズマに曝すことにより改
質を行ってもよく、本実施例に限定されるものではな
い。
より保護膜の部分的な改質を行ったが、電極に電圧を印
加した状態で、酸素を含むプラズマに曝すことにより改
質を行ってもよく、本実施例に限定されるものではな
い。
【００４８】また、本実施例においては誘電体膜上に形
成された保護膜を、レ−ザ−により部分的に改質した
が、誘電体膜上に保護膜を形成する際に、領域ごとに膜
の構成材料の組成比が異なっている、または領域ごとに
異なる絶縁性をもたす、または領域ごとに酸素含有比率
が異なるように保護膜を形成する、また形成後改質して
もよく、本実施例に限定されるものではない。
成された保護膜を、レ−ザ−により部分的に改質した
が、誘電体膜上に保護膜を形成する際に、領域ごとに膜
の構成材料の組成比が異なっている、または領域ごとに
異なる絶縁性をもたす、または領域ごとに酸素含有比率
が異なるように保護膜を形成する、また形成後改質して
もよく、本実施例に限定されるものではない。
【００４９】（実施の形態２）図３（ａ）は本発明の電
極１ａ、１ｂ、誘電体膜２、保護膜３が形成された基板
４の概略断面図を示す。図３（ｂ）、（ｃ）は保護膜側
より見た概略上面図を示す。
極１ａ、１ｂ、誘電体膜２、保護膜３が形成された基板
４の概略断面図を示す。図３（ｂ）、（ｃ）は保護膜側
より見た概略上面図を示す。
【００５０】保護膜は蒸着法により形成された酸化マグ
ネシウム膜とする。従来の手法で図６に示す様に形成さ
れた電極１、誘電体膜２、保護膜３が形成された基板４
に対して、電極１ａ，１ｂ間に対応する領域の近傍に形
成された保護膜にアルゴンレ−ザ−、もしくはエキシマ
レ−ザ−を照射し、保護膜を蒸発させ除去する。
ネシウム膜とする。従来の手法で図６に示す様に形成さ
れた電極１、誘電体膜２、保護膜３が形成された基板４
に対して、電極１ａ，１ｂ間に対応する領域の近傍に形
成された保護膜にアルゴンレ−ザ−、もしくはエキシマ
レ−ザ−を照射し、保護膜を蒸発させ除去する。
【００５１】これにより図３に示すような電極１ａ，１
ｂ近傍に対応する誘電体上にのみ、保護膜３を形成した
状態にすることにより、保護膜３の存在しない表面層は
絶縁性の高い誘電体膜であるため、保護膜３近傍にでき
る壁電荷がリ−クする領域が限定され、減少が抑えられ
るため、低電圧で良好な表示特性を有するガス放電パネ
ルを得ることができる。
ｂ近傍に対応する誘電体上にのみ、保護膜３を形成した
状態にすることにより、保護膜３の存在しない表面層は
絶縁性の高い誘電体膜であるため、保護膜３近傍にでき
る壁電荷がリ−クする領域が限定され、減少が抑えられ
るため、低電圧で良好な表示特性を有するガス放電パネ
ルを得ることができる。
【００５２】また、レ−ザ−を走査し、保護膜を除去す
る際、図３（ｂ）の様に、電極間近傍を全て行ってもよ
く、また、図３（ｃ）に示すように、相対する基板の隔
壁が近傍にある領域を除いた、放電空間に面する保護膜
のみを残すように除去してもよく本実施例に限定される
ものではない。
る際、図３（ｂ）の様に、電極間近傍を全て行ってもよ
く、また、図３（ｃ）に示すように、相対する基板の隔
壁が近傍にある領域を除いた、放電空間に面する保護膜
のみを残すように除去してもよく本実施例に限定される
ものではない。
【００５３】また、本実施の形態においては、電極１
ａ，１ｂ近傍に対応する誘電体上にのみ、保護膜３を形
成した状態にしたが、図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に示
すように、一対の電極の内、片方の電極に対応する誘電
体膜上の保護膜のみ存在しない構成にすることにより本
実施の形態に近い、放電特性の改善が見られるため、本
実施の形態に限定されるものではない。
ａ，１ｂ近傍に対応する誘電体上にのみ、保護膜３を形
成した状態にしたが、図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に示
すように、一対の電極の内、片方の電極に対応する誘電
体膜上の保護膜のみ存在しない構成にすることにより本
実施の形態に近い、放電特性の改善が見られるため、本
実施の形態に限定されるものではない。
【００５４】また、本実施例においては誘電体膜上に形
成された保護膜を、レ−ザ−により除去したが、誘電体
膜上に保護膜を形成する際に、領域ごとに保護膜が存在
する領域と存在しない領域を作成してもよく、また、保
護膜を形成後、他の方式により保護膜を選択的に除去し
てもよく、本実施例に限定されるものではない。
成された保護膜を、レ−ザ−により除去したが、誘電体
膜上に保護膜を形成する際に、領域ごとに保護膜が存在
する領域と存在しない領域を作成してもよく、また、保
護膜を形成後、他の方式により保護膜を選択的に除去し
てもよく、本実施例に限定されるものではない。
【００５５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、誘電体膜
上の領域ごとに保護膜を改質する、または、領域ごとに
保護膜の存在する領域と存在しない領域を設けることに
より、低電圧で良好な表示特性を有するガス放電パネル
を実現できる。
上の領域ごとに保護膜を改質する、または、領域ごとに
保護膜の存在する領域と存在しない領域を設けることに
より、低電圧で良好な表示特性を有するガス放電パネル
を実現できる。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１の保護膜の部分的
な改質を実施した際の電極、誘電体膜、保護膜が形成さ
れた基板の概略断面図 （ｂ）同保護膜の部分的な改質を実施した際の保護膜側
から見た上面概略図 （ｃ）同保護膜の部分的な改質を実施した際の保護膜側
から見た上面概略図
な改質を実施した際の電極、誘電体膜、保護膜が形成さ
れた基板の概略断面図 （ｂ）同保護膜の部分的な改質を実施した際の保護膜側
から見た上面概略図 （ｃ）同保護膜の部分的な改質を実施した際の保護膜側
から見た上面概略図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１の保護膜の部分的
な改質を実施した際の電極、誘電体膜、保護膜が形成さ
れた基板の他の例を示す概略断面図 （ｂ）同保護膜の部分的な改質を実施した際の保護膜側
から見た上面概略図 （ｃ）同保護膜の部分的な改質を実施した際の保護膜側
から見た上面概略図
な改質を実施した際の電極、誘電体膜、保護膜が形成さ
れた基板の他の例を示す概略断面図 （ｂ）同保護膜の部分的な改質を実施した際の保護膜側
から見た上面概略図 （ｃ）同保護膜の部分的な改質を実施した際の保護膜側
から見た上面概略図
【図３】（ａ）本発明の実施の形態２の保護膜が部分的
に存在する電極、誘電体膜、保護膜が形成された基板の
概略断面図 （ｂ）同保護膜が部分的に存在する際の保護膜側から見
た上面概略図 （ｃ）同保護膜が部分的に存在する際の保護膜側から見
た上面概略図
に存在する電極、誘電体膜、保護膜が形成された基板の
概略断面図 （ｂ）同保護膜が部分的に存在する際の保護膜側から見
た上面概略図 （ｃ）同保護膜が部分的に存在する際の保護膜側から見
た上面概略図
【図４】（ａ）本発明の実施の形態２の保護膜が部分的
に存在する電極、誘電体膜、保護膜が形成された基板の
他の例を示す概略断面図 （ｂ）同保護膜が部分的に存在する際の保護膜側から見
た上面概略図 （ｃ）同保護膜が部分的に存在する際の保護膜側から見
た上面概略図
に存在する電極、誘電体膜、保護膜が形成された基板の
他の例を示す概略断面図 （ｂ）同保護膜が部分的に存在する際の保護膜側から見
た上面概略図 （ｃ）同保護膜が部分的に存在する際の保護膜側から見
た上面概略図
【図５】従来のＰＤＰの破断斜視図
【図６】従来の電極、誘電体膜、保護膜が形成された基
板の概略断面図
板の概略断面図
【図７】従来のガス放電パネルの放電制御の示す概略図
１，１ａ，１ｂ 電極 ２ 誘電体膜 ３ 保護膜 ３ａ 改質された保護膜 ４ 基板 ５ 電極 ６ 誘電体層 ７ 隔壁 ８ 基板 ８ａ 孔 ９ 封着部材 １０ 外囲器 １１ 蛍光体 １２ 放電空間 １３ チップ管
フロントページの続き (72)発明者 長谷川 和之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5C027 AA10 5C040 FA01 FA04 GA09 GB02 GE07 GE09 JA40 KB19 KB28 KB29 MA12
Claims (16)
- 【請求項１】一対の基板の少なくとも一方の基板に形成
した電極を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表面に形
成され、前記誘電体膜を放電から保護するための保護膜
において、前記誘電体膜上での領域ごとに膜構成材料の
組成比が異なる保護膜を用いたことを特徴とするガス放
電パネル。 - 【請求項２】一対の基板の少なくとも一方の基板に形成
した電極を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表面に形
成され、前記誘電体膜を放電から保護するための保護膜
において、前記誘電体膜上での領域ごとに異なる絶縁性
の保護膜を用いたことを特徴とするガス放電パネル。 - 【請求項３】一対の基板の少なくとも一方の基板に形成
した電極を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表面に形
成され、前記誘電体膜を放電から保護するための酸化物
からなる保護膜において、前記誘電体上での領域膜ごと
に酸素含有比率の異なる保護膜を用いたことを特徴とす
るガス放電パネル。 - 【請求項４】一対の基板の少なくとも一方の基板に形成
した電極を誘電体膜で被膜し、前記誘電体膜の表面に形
成され、前記誘電体膜を放電から保護するための保護膜
において、前記誘電体膜上での領域毎に保護膜が形成さ
れている領域と形成されていない領域が存在することを
特徴とするガス放電パネル。 - 【請求項５】基板上に形成された電極近傍に対応する領
域付近と電極間近傍に対応する領域の誘電体膜上に形成
される保護膜が、各々の領域で膜構成材料の組成比が異
なることを特徴とする請求項１記載のガス放電パネル。 - 【請求項６】基板上に形成された電極近傍に対応する領
域付近と電極間近傍に対応する領域の誘電体膜上に形成
される保護膜が、各々の領域で絶縁性が異なることを特
徴とする請求項２記載のガス放電パネル。 - 【請求項７】基板上に形成された電極近傍に対応する領
域付近と電極間近傍に対応する領域の誘電体膜上に形成
される酸化物からなる保護膜において、各々の領域で酸
素含有比率の異なることを特徴とする請求項３記載のガ
ス放電パネル。 - 【請求項８】基板上に形成された電極近傍に対応する領
域付近と電極間近傍に対応する領域の誘電体膜上で、保
護膜が形成されている領域と形成されていない領域が存
在することを特徴とする請求項４記載のガス放電パネ
ル。 - 【請求項９】基板上に形成された一対の組み合わせから
なる電極において、一対の組み合わせの各々の電極近傍
に対応する領域の誘電体膜上に形成される保護膜が、各
々の領域で膜構成材料の組成比が異なることを特徴とす
る請求項１記載のガス放電パネル。 - 【請求項１０】基板上に形成された一対の組み合わせか
らなる電極において、一対の組み合わせの各々の電極近
傍に対応する領域の誘電体膜上に形成される保護膜が、
各々の領域で絶縁性が異なることを特徴とする請求項２
記載のガス放電パネル。 - 【請求項１１】基板上に形成された一対の組み合わせか
らなる電極において、一対の組み合わせの各々の電極近
傍に対応する領域の誘電体膜上に形成される酸化物から
なる保護膜が、各々の領域で酸素含有比率の異なること
を特徴とする請求項３記載のガス放電パネル。 - 【請求項１２】基板上に形成された一対の組み合わせか
らなる電極において、一対の組み合わせの各々の電極近
傍に対応する領域の誘電体膜上で、保護膜が形成されて
いる領域と形成されていない領域が存在することを特徴
とする請求項４記載のガス放電パネル。 - 【請求項１３】誘電体膜上に保護膜を形成した後、酸素
を含む雰囲気中でレ−ザ−照射により保護膜の部分的な
改質することを特徴とするガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項１４】酸素を含むイオンビ−ムにより、保護膜
の部分的な改質することを特徴とするガス放電パネルの
製造方法。 - 【請求項１５】基板上に、電極、誘電体、保護層が形成
された基板を、電極に電圧を印加した状態で酸素を含む
プラズマ中に曝すことにより、保護膜の部分的な改質す
ることを特徴とするガス放電パネルの製造方法。 - 【請求項１６】レ−ザ−照射により部分的に保護膜の除
去を行うことを特徴とするガス放電パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3405099A JP3777851B2 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | ガス放電パネルおよびガス放電パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3405099A JP3777851B2 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | ガス放電パネルおよびガス放電パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000231883A true JP2000231883A (ja) | 2000-08-22 |
| JP3777851B2 JP3777851B2 (ja) | 2006-05-24 |
Family
ID=12403482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3405099A Expired - Fee Related JP3777851B2 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | ガス放電パネルおよびガス放電パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3777851B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004075235A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルのエージング方法 |
| WO2004075236A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルおよびそのエージング方法 |
| WO2009081471A1 (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
-
1999
- 1999-02-12 JP JP3405099A patent/JP3777851B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004075235A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルのエージング方法 |
| WO2004075236A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルおよびそのエージング方法 |
| US7270585B2 (en) | 2003-02-19 | 2007-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel and its aging method |
| US7303456B2 (en) | 2003-02-19 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel and method of aging the same |
| US7338337B2 (en) | 2003-02-19 | 2008-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Aging method of plasma display panel |
| WO2009081471A1 (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3777851B2 (ja) | 2006-05-24 |
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