JP2000228262A - テストソケットのピン及び溝形成方法 - Google Patents
テストソケットのピン及び溝形成方法Info
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- JP2000228262A JP2000228262A JP11029727A JP2972799A JP2000228262A JP 2000228262 A JP2000228262 A JP 2000228262A JP 11029727 A JP11029727 A JP 11029727A JP 2972799 A JP2972799 A JP 2972799A JP 2000228262 A JP2000228262 A JP 2000228262A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣのファイナルテストの時に使用するテ
ストピンとＩＣのリードとの間に挟まってコンタクト不
良を起こすバリ・フィラーの有効な除去対策を提供す
る。 【解決手段】 テストソケットのピン３１のリード２
との接触面に横溝３２を設けて、複数の山状の凸部３
３，３４を形成するとともに、その先端部分の凸部３３
の山の方を、後端部分凸部３４より高くし、かつ先端部
分に弾性をもたせた。
ストピンとＩＣのリードとの間に挟まってコンタクト不
良を起こすバリ・フィラーの有効な除去対策を提供す
る。 【解決手段】 テストソケットのピン３１のリード２
との接触面に横溝３２を設けて、複数の山状の凸部３
３，３４を形成するとともに、その先端部分の凸部３３
の山の方を、後端部分凸部３４より高くし、かつ先端部
分に弾性をもたせた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣのファイナ
ルテストの時に使用するテストソケットの一部であっ
て、いわゆる、リードの下側から接触してテストするソ
ケットのピンの形状、及びその溝形成方法に関するもの
である。
ルテストの時に使用するテストソケットの一部であっ
て、いわゆる、リードの下側から接触してテストするソ
ケットのピンの形状、及びその溝形成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ファイナルテストのコンタクト
不良の不良率は約５％であり、このままでは満足できな
いので、その後数回、その不良品を再度テストして良品
を再発見し、最終的には、１％以下にして生産している
のが現状である。最初のテストから、結局良品になる５
％の不良率を１％以下に出来ない理由は、ＩＣのリード
とソケットのピン表面との間にごみが入り込むからであ
る。そして、このごみの内、コンタクト不良に結び付く
ごみは、ファイナルテストがクリーンルーム内であるこ
と、及び解析結果等からＩＣ自身のモールドパッケージ
にテストの前工程から付いてきたり、又は、テスト工程
で新たに発生するモールドパッケージのバリ・フィラー
であるといわれている。
不良の不良率は約５％であり、このままでは満足できな
いので、その後数回、その不良品を再度テストして良品
を再発見し、最終的には、１％以下にして生産している
のが現状である。最初のテストから、結局良品になる５
％の不良率を１％以下に出来ない理由は、ＩＣのリード
とソケットのピン表面との間にごみが入り込むからであ
る。そして、このごみの内、コンタクト不良に結び付く
ごみは、ファイナルテストがクリーンルーム内であるこ
と、及び解析結果等からＩＣ自身のモールドパッケージ
にテストの前工程から付いてきたり、又は、テスト工程
で新たに発生するモールドパッケージのバリ・フィラー
であるといわれている。
【０００３】この発明は、主として、このバリ・フィラ
ー対策に関するものである。図５は、従来のこの種のソ
ケットの構造及びコンタクト不良になる理由を説明する
ための概略横断面図であり、図において、１はＩＣの本
体、２はＩＣのリード、３はソケットのピン、４はリー
ドとピン間に挟まれたバリ・フィラーである。このよう
にピン表面が平坦である場合は、リードとピンの間に、
見付けられないほどに非常に小さく、硬い絶縁物が挟ま
れると、コンタクト不良に簡単になっていた。即ち、こ
のバリ・フィラーは、電気的には絶縁物であり、コンタ
クト間に入り込むとコンタクト不良になるが、特に、バ
リ・フィラーは、数十ミクロン径で非常に小さく、又、
シリカとも呼ばれ無色透明なガラス系のものであり、非
常に発見しにくく、また、リードの半田めっきにめり込
み、取り除きにくいものであった。しかしながら、現状
では、圧力空気または水、或いはまた、水の中に粉を混
ぜて吹き付けてごみを除去するなど、特別な洗浄液中で
超音波洗浄する等の対策を採っているが、これらの方法
も不完全であるとともに、作業が面倒で、高価である等
の課題があった。
ー対策に関するものである。図５は、従来のこの種のソ
ケットの構造及びコンタクト不良になる理由を説明する
ための概略横断面図であり、図において、１はＩＣの本
体、２はＩＣのリード、３はソケットのピン、４はリー
ドとピン間に挟まれたバリ・フィラーである。このよう
にピン表面が平坦である場合は、リードとピンの間に、
見付けられないほどに非常に小さく、硬い絶縁物が挟ま
れると、コンタクト不良に簡単になっていた。即ち、こ
のバリ・フィラーは、電気的には絶縁物であり、コンタ
クト間に入り込むとコンタクト不良になるが、特に、バ
リ・フィラーは、数十ミクロン径で非常に小さく、又、
シリカとも呼ばれ無色透明なガラス系のものであり、非
常に発見しにくく、また、リードの半田めっきにめり込
み、取り除きにくいものであった。しかしながら、現状
では、圧力空気または水、或いはまた、水の中に粉を混
ぜて吹き付けてごみを除去するなど、特別な洗浄液中で
超音波洗浄する等の対策を採っているが、これらの方法
も不完全であるとともに、作業が面倒で、高価である等
の課題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
バリ・フィラーの除去方法では、面倒であって、特別な
作業を必要とするにもかかわらず、完全に取り除くこと
ができないという問題点があった。
バリ・フィラーの除去方法では、面倒であって、特別な
作業を必要とするにもかかわらず、完全に取り除くこと
ができないという問題点があった。
【０００５】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたもので、ピン形状の簡単な改良で、コ
ンタクト不良を起こさずに支承なく円滑にテストできる
ソケットピンを提供せんとするものである。
るためになされたもので、ピン形状の簡単な改良で、コ
ンタクト不良を起こさずに支承なく円滑にテストできる
ソケットピンを提供せんとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
るテストソケットのピンは、ＩＣのファイナルテストの
時に使用するテストソケットのピンで、ＩＣのリードの
下側から接触してテストするものであって、リードとの
接触表面が縦長で、その横方向に溝を設けて複数の凸部
を形成するとともに、この凸部に関して、ピンの先端部
分の山の方が、その後端部分の山より高く形成されてお
り、かつ上記先端部分に上下方向の弾性をもたせたもの
である。
るテストソケットのピンは、ＩＣのファイナルテストの
時に使用するテストソケットのピンで、ＩＣのリードの
下側から接触してテストするものであって、リードとの
接触表面が縦長で、その横方向に溝を設けて複数の凸部
を形成するとともに、この凸部に関して、ピンの先端部
分の山の方が、その後端部分の山より高く形成されてお
り、かつ上記先端部分に上下方向の弾性をもたせたもの
である。
【０００７】この発明の請求項２に係るテストソケット
のピンは、ピンに設けた凸部に関して、ピン先端の凸部
の山部分を後端部の山部分より短く小としたものであ
る。
のピンは、ピンに設けた凸部に関して、ピン先端の凸部
の山部分を後端部の山部分より短く小としたものであ
る。
【０００８】この発明の請求項３に係るテストソケット
のピンは、横溝に縦溝を交差させて追加形成したもので
ある。
のピンは、横溝に縦溝を交差させて追加形成したもので
ある。
【０００９】この発明の請求項４に係るテストソケット
のピンの溝形成方法は、請求項１乃至３に記載のテスト
ソケットのピンにおけるものであって、研磨ディスク盤
或いはレーザにより、複数のピンを重ねた状態で、複数
本同時に加工するものである。
のピンの溝形成方法は、請求項１乃至３に記載のテスト
ソケットのピンにおけるものであって、研磨ディスク盤
或いはレーザにより、複数のピンを重ねた状態で、複数
本同時に加工するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．まず、本発明の基
本的な考え方について説明すると、再テストをしなく
て、一回のテストでコンタクト不良率を上述の１パーセ
ント以下にするには、上述のような特別な作業を実施し
てバリ・フィラーを除去する方向でなく、もともと少な
いバリ・フィラーに、ソケットのピンがこのバリ・フィ
ラーに当たってコンタクト不良になる確率を下げること
の方が、一番効果的で、簡便な方法であるという発想か
ら、本発明では、バリ・フィラーに当たる確率を下げる
ことによってコンタクト不良の発生を軽減するためピン
形状を改良したものである。
本的な考え方について説明すると、再テストをしなく
て、一回のテストでコンタクト不良率を上述の１パーセ
ント以下にするには、上述のような特別な作業を実施し
てバリ・フィラーを除去する方向でなく、もともと少な
いバリ・フィラーに、ソケットのピンがこのバリ・フィ
ラーに当たってコンタクト不良になる確率を下げること
の方が、一番効果的で、簡便な方法であるという発想か
ら、本発明では、バリ・フィラーに当たる確率を下げる
ことによってコンタクト不良の発生を軽減するためピン
形状を改良したものである。
【００１１】図１はこの発明の実施の形態１を示す断面
図であり、図１において、１はＩＣの本体、２はＩＣの
リード、３１はソケットのピン、４はリードとピンの間
に挟まれたバリ・フィラーである。そして、本実施形態
では、ピン３１の縦長に対して横方向に溝３２を切っ
て、この溝３２を介して、複数の、山の高さの異なった
凸部３３，３４を形成するとともに、その先端部分の凸
部３３の方が後端部分の凸部３４より高く形成されてお
り、かつ上記先端部分に上下方向の弾性をもたせるよう
に構成したものである。なお、図中、Ｈは高さの差を示
している。
図であり、図１において、１はＩＣの本体、２はＩＣの
リード、３１はソケットのピン、４はリードとピンの間
に挟まれたバリ・フィラーである。そして、本実施形態
では、ピン３１の縦長に対して横方向に溝３２を切っ
て、この溝３２を介して、複数の、山の高さの異なった
凸部３３，３４を形成するとともに、その先端部分の凸
部３３の方が後端部分の凸部３４より高く形成されてお
り、かつ上記先端部分に上下方向の弾性をもたせるよう
に構成したものである。なお、図中、Ｈは高さの差を示
している。
【００１２】次にその作用について説明する。以上のよ
うなものにおいては、ＩＣのリードに、たとえ、バリ・
フィラーが付着していても、ソケットのピンの表面には
溝を介在して複数個の山状の凸部があり、これに当たっ
たとしてもバリ・フィラーを前後左右に移動させて複数
個の山のどれかがＩＣのリードとコンタクトするととも
に、バリ・フィラーと当たったとしても、高さの違う先
端部の方のばね力により、複数個の山のどれかがＩＣの
リードとコンタクトし、コンタクト不良には至らないも
のである。
うなものにおいては、ＩＣのリードに、たとえ、バリ・
フィラーが付着していても、ソケットのピンの表面には
溝を介在して複数個の山状の凸部があり、これに当たっ
たとしてもバリ・フィラーを前後左右に移動させて複数
個の山のどれかがＩＣのリードとコンタクトするととも
に、バリ・フィラーと当たったとしても、高さの違う先
端部の方のばね力により、複数個の山のどれかがＩＣの
リードとコンタクトし、コンタクト不良には至らないも
のである。
【００１３】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２を示すもので、上記実施の形態１に加えて、先端部
分の凸部３３の山の幅Ｌ1＜後端部分の凸部３４の山の
幅Ｌ2、として、前後の山部分の剛性に差をもたせ、コ
ンタクト時の各山の曲がる量を変化させることで、ＩＣ
のリードに密着度良く当たるようにしたものである。
態２を示すもので、上記実施の形態１に加えて、先端部
分の凸部３３の山の幅Ｌ1＜後端部分の凸部３４の山の
幅Ｌ2、として、前後の山部分の剛性に差をもたせ、コ
ンタクト時の各山の曲がる量を変化させることで、ＩＣ
のリードに密着度良く当たるようにしたものである。
【００１４】実施の形態３．また、上記実施形態１及び
２に加え、上記横溝に対し縦溝を交差させて追加して形
成してもよい。
２に加え、上記横溝に対し縦溝を交差させて追加して形
成してもよい。
【００１５】なお、上記実施の形態１，２では、山の数
が２つのものを示したが、図３のように山の数を３つに
増やしてもよい。
が２つのものを示したが、図３のように山の数を３つに
増やしてもよい。
【００１６】実施の形態４．図４はこの発明の実施の形
態４を示すもので、ピン溝を形成する方法に関するもの
である。即ち、図４は、横溝でも容易に作れるダイシン
グ・ソーの一種を示すものであり、例えば、ダイヤモン
ドのような硬い砥石の付いた丸いブレード研磨ディスク
盤５を高速で回転させて、深さＤが数１００ミクロンの
溝３２を容易に作ることができる。この方法により、複
数のピンを重ねた状態で一気に加工すれば、非常に安価
で効率良く製作することが可能となる。なお、この方法
の他に、最近のレーザで溝を作ることもできる。
態４を示すもので、ピン溝を形成する方法に関するもの
である。即ち、図４は、横溝でも容易に作れるダイシン
グ・ソーの一種を示すものであり、例えば、ダイヤモン
ドのような硬い砥石の付いた丸いブレード研磨ディスク
盤５を高速で回転させて、深さＤが数１００ミクロンの
溝３２を容易に作ることができる。この方法により、複
数のピンを重ねた状態で一気に加工すれば、非常に安価
で効率良く製作することが可能となる。なお、この方法
の他に、最近のレーザで溝を作ることもできる。
【００１７】
【発明の効果】請求項１に係るテストソケットのピンに
よれば、ピンに横溝を設けることで複数の凸部を形成
し、その凸部の先端部分の山を、その後端部分の山より
高く形成し、かつその先端部分を弾性により撓むように
したので、リードにバリ・フィラーが付いていて当たっ
たとしても、ばね力により複数の山のどれかがリードと
コンタクトし、コンタクト不良には至らない。従って、
バリ・フィラーによるコンタクト不良が激減し、再テス
トの必要性がなくなるなど、コスト的にも時間的にも大
幅に削減される。
よれば、ピンに横溝を設けることで複数の凸部を形成
し、その凸部の先端部分の山を、その後端部分の山より
高く形成し、かつその先端部分を弾性により撓むように
したので、リードにバリ・フィラーが付いていて当たっ
たとしても、ばね力により複数の山のどれかがリードと
コンタクトし、コンタクト不良には至らない。従って、
バリ・フィラーによるコンタクト不良が激減し、再テス
トの必要性がなくなるなど、コスト的にも時間的にも大
幅に削減される。
【００１８】請求項２に係るテストソケットのピンによ
れば、ピン先端の凸部の山部分を後端部の山部分より短
く小として、剛性に差をもたせたことにより、コンタク
ト時の各凸部山の曲がる量を変化させることで、リード
との密着度を良好にすることが可能となる。
れば、ピン先端の凸部の山部分を後端部の山部分より短
く小として、剛性に差をもたせたことにより、コンタク
ト時の各凸部山の曲がる量を変化させることで、リード
との密着度を良好にすることが可能となる。
【００１９】請求項３に係るテストソケットのピンによ
れば、ピン上に、横溝と共に縦溝を交差させて形成する
ようにしたので、バリ・フィラーがリードとピンの間に
噛む率が少なくなる。
れば、ピン上に、横溝と共に縦溝を交差させて形成する
ようにしたので、バリ・フィラーがリードとピンの間に
噛む率が少なくなる。
【００２０】請求項４に係るピンの溝形成方法によれ
ば、数本のピンを横方向に並べて一気に加工し得るの
で、溝切り加工が非常に効率的に実施できる効果があ
る。
ば、数本のピンを横方向に並べて一気に加工し得るの
で、溝切り加工が非常に効率的に実施できる効果があ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１を示すもので、ＩＣ
のリードにテストピンが接触する状態を示す側面図であ
る。
のリードにテストピンが接触する状態を示す側面図であ
る。
【図２】 この発明の実施の形態２によるピン形状を示
す側面図である。
す側面図である。
【図３】 この発明の実施の形態３によるピン形状を示
す側面図である。
す側面図である。
【図４】 この発明の実施の形態４を示す概略斜視図で
ある。
ある。
【図５】 従来のＩＣリードとテストピンの接触状態の
一例を示す側面図である。
一例を示す側面図である。
１ ＩＣ、２ リード、３１ テストソケットピン、３
２ 横溝、３３，３４凸部、５ 研磨ディスク盤。
２ 横溝、３３，３４凸部、５ 研磨ディスク盤。
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩＣのファイナルテストの時に使用する
テストソケットのピンで、ＩＣのリードの下側から接触
してテストするピンであって、上記リードとの接触表面
が縦長で、その横方向に溝を設けて複数の凸部を形成す
るとともに、この凸部に関して、ピンの先端部分の山の
方が、その後端部分の山より高く形成されており、かつ
上記先端部分に上下方向の弾性をもたせたことを特徴と
するテストソケットのピン。 - 【請求項２】 ピンに設けた凸部に関して、ピン先端の
凸部の山部分を後端部の山部分より短く小としたことを
特徴とする請求項１記載のテストソケットのピン。 - 【請求項３】 横溝に縦溝を交差させて追加形成したこ
とを特徴とする請求項１または２記載のテストソケット
のピン。 - 【請求項４】 請求項１乃至３に記載のテストソケット
のピンにおける横溝形成方法であって、研磨ディスク盤
又はレーザにより、複数のピンを重ねた状態で、複数本
同時に加工することを特徴とするテストソケットのピン
の溝形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11029727A JP2000228262A (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | テストソケットのピン及び溝形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11029727A JP2000228262A (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | テストソケットのピン及び溝形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228262A true JP2000228262A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12284146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11029727A Pending JP2000228262A (ja) | 1999-02-08 | 1999-02-08 | テストソケットのピン及び溝形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000228262A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061439A1 (fr) * | 2001-01-29 | 2002-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sonde de contact, procede de fabrication de la sonde de contact et dispositif et procede de controle |
| KR20030078200A (ko) * | 2002-03-28 | 2003-10-08 | 인터스타 테크놀러지(주) | 반도체 디바이스 테스트 소켓의 콘택터 및 그 제조방법 |
| JP2007248460A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-27 | Johnstech Internatl Corp | 電子装置のテストセット及びそれに用いられる端子 |
| JPWO2014167693A1 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-02-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-02-08 JP JP11029727A patent/JP2000228262A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061439A1 (fr) * | 2001-01-29 | 2002-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sonde de contact, procede de fabrication de la sonde de contact et dispositif et procede de controle |
| US7151385B2 (en) | 2001-01-29 | 2006-12-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Contact probe, method of manufacturing the contact probe, and device and method for inspection |
| KR20030078200A (ko) * | 2002-03-28 | 2003-10-08 | 인터스타 테크놀러지(주) | 반도체 디바이스 테스트 소켓의 콘택터 및 그 제조방법 |
| JP2007248460A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-27 | Johnstech Internatl Corp | 電子装置のテストセット及びそれに用いられる端子 |
| JPWO2014167693A1 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-02-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9761501B2 (en) | 2013-04-11 | 2017-09-12 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and inspecting an electrical characteristic thereof using socket terminals |
| US9905482B2 (en) | 2013-04-11 | 2018-02-27 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and inspecting an electrical characteristic thereof using test socket terminals |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060123 |