JP2000226241A - 塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法 - Google Patents
塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、塩素バイパス排気による最終排
気中のＳＯｘの増加を最小限に抑えることができる塩素
バイパス排気のＳＯｘ低減方法を提供することを課題と
する。 【解決手段】 バイパスファン７によって誘引され集塵
機１３を通過した塩素バイパス排気はＮＳＰキルンの仮
焼炉２６に戻され、脱硫反応が活発に起こっている温度
８００〜１２００℃程度のプレヒータ２５の下部におい
て十分に脱硫反応に供され、塩素バイパス排気中のＳＯ
ｘが脱硫される。これにより、煙突２４から排出される
最終排気中のＳＯｘは数ｐｐｍ以下となる。
気中のＳＯｘの増加を最小限に抑えることができる塩素
バイパス排気のＳＯｘ低減方法を提供することを課題と
する。 【解決手段】 バイパスファン７によって誘引され集塵
機１３を通過した塩素バイパス排気はＮＳＰキルンの仮
焼炉２６に戻され、脱硫反応が活発に起こっている温度
８００〜１２００℃程度のプレヒータ２５の下部におい
て十分に脱硫反応に供され、塩素バイパス排気中のＳＯ
ｘが脱硫される。これにより、煙突２４から排出される
最終排気中のＳＯｘは数ｐｐｍ以下となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、塩素バイパス排
気のＳＯｘ低減方法に係り、特に塩素バイパス設備でバ
イパスダストが回収された後の塩素バイパス排気をセメ
ント製造設備内の脱硫領域に通してＳＯｘを低減する方
法に関する。
気のＳＯｘ低減方法に係り、特に塩素バイパス設備でバ
イパスダストが回収された後の塩素バイパス排気をセメ
ント製造設備内の脱硫領域に通してＳＯｘを低減する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セメント製造設備のキルン内では、燃料
中の硫黄分の酸化反応や原料中の硫酸塩の分解反応によ
ってＳＯｘが発生している。しかし、これらのＳＯｘの
大部分はプレヒータ系内においてセメント原料中に含ま
れるＣａＯやアルカリと反応する、いわゆる脱硫反応に
より再び原料に取り込まれ、最終的にクリンカの一部と
して系外へ排出される。その結果、キルン排ガスとして
系外へ排出されるＳＯｘはごくわずかであり、キルンの
運転条件等によって変化するが、煙突から排出される最
終排気中のＳＯｘは１００ｐｐｍ以下、一般には数ｐｐ
ｍ以下となる。
中の硫黄分の酸化反応や原料中の硫酸塩の分解反応によ
ってＳＯｘが発生している。しかし、これらのＳＯｘの
大部分はプレヒータ系内においてセメント原料中に含ま
れるＣａＯやアルカリと反応する、いわゆる脱硫反応に
より再び原料に取り込まれ、最終的にクリンカの一部と
して系外へ排出される。その結果、キルン排ガスとして
系外へ排出されるＳＯｘはごくわずかであり、キルンの
運転条件等によって変化するが、煙突から排出される最
終排気中のＳＯｘは１００ｐｐｍ以下、一般には数ｐｐ
ｍ以下となる。
【０００３】ＣａＯによる脱硫反応は、ＣａＯ＋ＳＯ2
＋１／２Ｏ2→ＣａＳＯ4で表され、ＣａＯと共に酸素が
必要であり、８００〜１２００℃という最適温度域が存
在することが広く知られている。この温度域は、キルン
尻からプレヒータの下部までの領域に相当し、この領域
で脱硫反応が活発に起こっている。
＋１／２Ｏ2→ＣａＳＯ4で表され、ＣａＯと共に酸素が
必要であり、８００〜１２００℃という最適温度域が存
在することが広く知られている。この温度域は、キルン
尻からプレヒータの下部までの領域に相当し、この領域
で脱硫反応が活発に起こっている。
【０００４】また、キルン・プレヒータ系から揮発性成
分を除去する方法としてアルカリバイパスシステムが知
られている。この技術を改良し、キルン・プレヒータ系
から塩素を効率良く除去することを目的として、本出願
人は特願平９−５２１９１８号や特願平１０−２４３３
９２号により塩素バイパスシステムを提案している。こ
のような塩素バイパスシステムを適用したセメント製造
設備を図６に示す。この図は仮焼炉２６を有するＮＳＰ
キルン（ニューサスペンションプレヒータ付きキルン）
に塩素バイパスシステムを適用したものである。
分を除去する方法としてアルカリバイパスシステムが知
られている。この技術を改良し、キルン・プレヒータ系
から塩素を効率良く除去することを目的として、本出願
人は特願平９−５２１９１８号や特願平１０−２４３３
９２号により塩素バイパスシステムを提案している。こ
のような塩素バイパスシステムを適用したセメント製造
設備を図６に示す。この図は仮焼炉２６を有するＮＳＰ
キルン（ニューサスペンションプレヒータ付きキルン）
に塩素バイパスシステムを適用したものである。
【０００５】調合原料サイロ１からプレヒータ２５の上
部へ投入された原料は、プレヒータ２５及び仮焼炉２６
で予熱され、キルン３で焼成された後、クーラ４で冷却
ファン５から送り込まれる大気により冷却され、クリン
カサイロ６に貯蔵される。なお、仮焼炉２６にはクーラ
４から燃焼空気用ダクト２７を介して燃焼用空気が導入
されている。ここで、バイパスファン７の駆動により塩
素等の揮発性成分が高濃度で濃縮されているキルン３の
キルン尻ガスの一部がプローブ８によって抽気されると
同時に冷却ファン９からの冷却空気により塩素化合物の
融点である６００〜７００℃以下にまで急冷される。そ
して、冷却により生成した塩素化合物を多く含むダスト
は微粉側に多く存在することから、分級機１０で５〜１
０μmを分級点として抽気ガスに含まれるダストを粗粉
と微粉とに分離し、粗粉を調合原料サイロ１からプレヒ
ータ２５へ投入される原料に戻す一方、分離された微粉
を含む排ガスを冷却器１１で冷却ファン１２からの冷却
空気により冷却した後、集塵機１３で微粉をバイパスダ
ストとして回収してバイパスダストタンク１４に収容す
る。このバイパスダストタンク１４とバイパスダストを
セメントへ添加するための設備とは互いの距離が離れて
いることが多く、一般的にバイパスダストタンク１４内
のバイパスダストをトラック等によりもう一つのバイパ
スダストタンク１５へ運搬する。そして、フィーダー１
６を用いてバイパスダストをクリンカサイロ６から搬出
されたクリンカ中に添加し、仕上ミル１７で混合した
後、セメントサイロ１８に貯蔵する。
部へ投入された原料は、プレヒータ２５及び仮焼炉２６
で予熱され、キルン３で焼成された後、クーラ４で冷却
ファン５から送り込まれる大気により冷却され、クリン
カサイロ６に貯蔵される。なお、仮焼炉２６にはクーラ
４から燃焼空気用ダクト２７を介して燃焼用空気が導入
されている。ここで、バイパスファン７の駆動により塩
素等の揮発性成分が高濃度で濃縮されているキルン３の
キルン尻ガスの一部がプローブ８によって抽気されると
同時に冷却ファン９からの冷却空気により塩素化合物の
融点である６００〜７００℃以下にまで急冷される。そ
して、冷却により生成した塩素化合物を多く含むダスト
は微粉側に多く存在することから、分級機１０で５〜１
０μmを分級点として抽気ガスに含まれるダストを粗粉
と微粉とに分離し、粗粉を調合原料サイロ１からプレヒ
ータ２５へ投入される原料に戻す一方、分離された微粉
を含む排ガスを冷却器１１で冷却ファン１２からの冷却
空気により冷却した後、集塵機１３で微粉をバイパスダ
ストとして回収してバイパスダストタンク１４に収容す
る。このバイパスダストタンク１４とバイパスダストを
セメントへ添加するための設備とは互いの距離が離れて
いることが多く、一般的にバイパスダストタンク１４内
のバイパスダストをトラック等によりもう一つのバイパ
スダストタンク１５へ運搬する。そして、フィーダー１
６を用いてバイパスダストをクリンカサイロ６から搬出
されたクリンカ中に添加し、仕上ミル１７で混合した
後、セメントサイロ１８に貯蔵する。
【０００６】また、キルン３内で発生する排ガスの大部
分は、塩素バイパスシステムのプローブ８で抽気されず
に誘引ファン１９の誘引力によりプレヒータ２５及び廃
熱ボイラ２０内を通過する。この際にガス中に含まれる
ＳＯｘは脱硫作用を有するプレヒータ下部で大幅に減少
する。この排ガスは、さらに例えば原料乾燥工程を通過
し、熱利用される。すなわち、排ガスは誘引ファン２１
で誘引され、ドライヤ２２で生原料の乾燥に寄与した
後、電気集塵機２３で排ガス中のダストが回収され、煙
突２４から最終排気として大気中へ放出される。一方、
塩素バイパスシステムのプローブ８で抽気されるキルン
３の排ガスの一部、すなわち約１０００℃のキルン尻ガ
スは相当量のＳＯｘを含んでいるが、抽気ガスが冷却フ
ァン９からの冷却空気により温度６００〜７００℃以下
にまで直ちに急冷され、脱硫温度域の通過時間が極めて
短いため、ガス中に含まれるＳＯｘは脱硫作用を受けに
くい。従って、バイパスファン７によって誘引され集塵
機１３を通過した塩素バイパス排気には例えば５００〜
３０００ｐｐｍという相当量のＳＯｘが含まれている。
分は、塩素バイパスシステムのプローブ８で抽気されず
に誘引ファン１９の誘引力によりプレヒータ２５及び廃
熱ボイラ２０内を通過する。この際にガス中に含まれる
ＳＯｘは脱硫作用を有するプレヒータ下部で大幅に減少
する。この排ガスは、さらに例えば原料乾燥工程を通過
し、熱利用される。すなわち、排ガスは誘引ファン２１
で誘引され、ドライヤ２２で生原料の乾燥に寄与した
後、電気集塵機２３で排ガス中のダストが回収され、煙
突２４から最終排気として大気中へ放出される。一方、
塩素バイパスシステムのプローブ８で抽気されるキルン
３の排ガスの一部、すなわち約１０００℃のキルン尻ガ
スは相当量のＳＯｘを含んでいるが、抽気ガスが冷却フ
ァン９からの冷却空気により温度６００〜７００℃以下
にまで直ちに急冷され、脱硫温度域の通過時間が極めて
短いため、ガス中に含まれるＳＯｘは脱硫作用を受けに
くい。従って、バイパスファン７によって誘引され集塵
機１３を通過した塩素バイパス排気には例えば５００〜
３０００ｐｐｍという相当量のＳＯｘが含まれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この塩素バイパス排気
は直接排出せず、キルン排ガス系へ戻し、キルン排ガス
と共に最終排気している。具体的には、キルン３の運転
への影響を最小限にするため、誘引ファン１９の後段に
戻し、キルン排ガスと共に例えば原料乾燥工程や原料粉
砕工程を通過して最終排気されていた。この場合、塩素
バイパス排気は大量のキルン排ガスにより希釈されるも
のの、キルン尻通過排ガス量、バイパス率、誘引ファン
１９から煙突２４までの排ガス処理工程によっても異な
るが、特に誘引ファン１９から電気集塵機２３の間に原
料ミル乾燥同時粉砕工程あるいは石灰石をドライヤで乾
燥する工程等の脱硫効果のある工程が存在しない場合に
は、煙突２４から排出される最終排気中のＳＯｘの増加
を余儀なくされていた。
は直接排出せず、キルン排ガス系へ戻し、キルン排ガス
と共に最終排気している。具体的には、キルン３の運転
への影響を最小限にするため、誘引ファン１９の後段に
戻し、キルン排ガスと共に例えば原料乾燥工程や原料粉
砕工程を通過して最終排気されていた。この場合、塩素
バイパス排気は大量のキルン排ガスにより希釈されるも
のの、キルン尻通過排ガス量、バイパス率、誘引ファン
１９から煙突２４までの排ガス処理工程によっても異な
るが、特に誘引ファン１９から電気集塵機２３の間に原
料ミル乾燥同時粉砕工程あるいは石灰石をドライヤで乾
燥する工程等の脱硫効果のある工程が存在しない場合に
は、煙突２４から排出される最終排気中のＳＯｘの増加
を余儀なくされていた。
【０００８】この発明の目的は、このような従来技術の
問題点に鑑み、塩素バイパス排気による最終排気中のＳ
Ｏｘの増加を最小限に抑えることができる塩素バイパス
排気のＳＯｘ低減方法を提供することにある。
問題点に鑑み、塩素バイパス排気による最終排気中のＳ
Ｏｘの増加を最小限に抑えることができる塩素バイパス
排気のＳＯｘ低減方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る塩素バイ
パス排気のＳＯｘ低減方法は、セメント製造設備のキル
ンから排出されるガスの一部を抽気すると同時にこれを
塩素化合物の凝固点以下にまで冷却し、冷却した抽気ガ
スから粗粉を分離してキルン系内へ戻すと共に抽気ガス
をさらに冷却した後に抽気ガスからバイパスダストを回
収する塩素バイパスシステムにおいて、バイパスダスト
を回収した後の抽気ガスをセメント製造設備内の温度８
００〜１２００℃の領域を通過させることにより抽気ガ
ス中のＳＯｘを低減する方法である。なお、脱硫領域は
セメント製造設備のキルン尻からプレヒータ下部までの
領域とすることができる。具体的には、バイパスダスト
を回収した後の抽気ガスを、ＮＳＰキルンの仮焼炉、Ｎ
ＳＰキルンの仮焼炉に接続されている燃焼空気用ダク
ト、ＳＰキルンのライジングダクトのいずれかに導入す
る、あるいはクリンカクーラの冷却ファンに導入し、キ
ルンまたは仮焼炉の燃焼用空気として回収させればよ
い。
パス排気のＳＯｘ低減方法は、セメント製造設備のキル
ンから排出されるガスの一部を抽気すると同時にこれを
塩素化合物の凝固点以下にまで冷却し、冷却した抽気ガ
スから粗粉を分離してキルン系内へ戻すと共に抽気ガス
をさらに冷却した後に抽気ガスからバイパスダストを回
収する塩素バイパスシステムにおいて、バイパスダスト
を回収した後の抽気ガスをセメント製造設備内の温度８
００〜１２００℃の領域を通過させることにより抽気ガ
ス中のＳＯｘを低減する方法である。なお、脱硫領域は
セメント製造設備のキルン尻からプレヒータ下部までの
領域とすることができる。具体的には、バイパスダスト
を回収した後の抽気ガスを、ＮＳＰキルンの仮焼炉、Ｎ
ＳＰキルンの仮焼炉に接続されている燃焼空気用ダク
ト、ＳＰキルンのライジングダクトのいずれかに導入す
る、あるいはクリンカクーラの冷却ファンに導入し、キ
ルンまたは仮焼炉の燃焼用空気として回収させればよ
い。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を添
付図面に基づいて説明する。 実施の形態１．図１にこの発明の実施の形態１に係る塩
素バイパス排気のＳＯｘ低減方法を採用したセメント製
造設備を示す。このセメント製造設備は、図６に示した
従来のセメント製造設備において、バイパスファン７に
より誘引され集塵機１３を通過した塩素バイパス排気を
誘引ファン１９の後段へ戻す代わりにＮＳＰキルンの仮
焼炉２６に戻すようにしたものである。その他の構成は
図６のセメント製造設備と同様である。
付図面に基づいて説明する。 実施の形態１．図１にこの発明の実施の形態１に係る塩
素バイパス排気のＳＯｘ低減方法を採用したセメント製
造設備を示す。このセメント製造設備は、図６に示した
従来のセメント製造設備において、バイパスファン７に
より誘引され集塵機１３を通過した塩素バイパス排気を
誘引ファン１９の後段へ戻す代わりにＮＳＰキルンの仮
焼炉２６に戻すようにしたものである。その他の構成は
図６のセメント製造設備と同様である。
【００１１】次に、この実施の形態１の動作について説
明する。まず、調合原料サイロ１からプレヒータ２５の
上部へ原料が投入され、この原料はプレヒータ２５及び
仮焼炉２６で予熱され、キルン３で焼成された後、クー
ラ４で冷却ファン５から送り込まれる大気により冷却さ
れ、クリンカサイロ６に貯蔵される。また、バイパスフ
ァン７の駆動により塩素等の揮発性成分が高濃度で濃縮
されているキルン３のキルン尻ガスの一部がプローブ８
によって抽気されると同時に冷却ファン９からの冷却空
気により塩素化合物の融点である６００〜７００℃以下
にまで急冷される。そして、冷却により生成した塩素高
含有ダストを含む抽気ガス中のダストを分級機１０で５
〜１０μmを分級点として粗粉と微粉とに分離し、粗粉
を調合原料サイロ１からプレヒータ２５へ投入される原
料に戻す一方、分離された塩素含有率の高い微粉を含む
排ガスを冷却器１１で冷却ファン１２からの冷却空気に
より冷却した後、集塵機１３で微粉をバイパスダストと
して回収してバイパスダストタンク１４に収容する。バ
イパスダストタンク１４内のバイパスダストをトラック
等によりもう一つのバイパスダストタンク１５へ運搬
し、フィーダー１６を用いてバイパスダストをクリンカ
サイロ６から搬出されたクリンカ中に添加し、仕上ミル
１７で混合した後、セメントサイロ１８に貯蔵する。
明する。まず、調合原料サイロ１からプレヒータ２５の
上部へ原料が投入され、この原料はプレヒータ２５及び
仮焼炉２６で予熱され、キルン３で焼成された後、クー
ラ４で冷却ファン５から送り込まれる大気により冷却さ
れ、クリンカサイロ６に貯蔵される。また、バイパスフ
ァン７の駆動により塩素等の揮発性成分が高濃度で濃縮
されているキルン３のキルン尻ガスの一部がプローブ８
によって抽気されると同時に冷却ファン９からの冷却空
気により塩素化合物の融点である６００〜７００℃以下
にまで急冷される。そして、冷却により生成した塩素高
含有ダストを含む抽気ガス中のダストを分級機１０で５
〜１０μmを分級点として粗粉と微粉とに分離し、粗粉
を調合原料サイロ１からプレヒータ２５へ投入される原
料に戻す一方、分離された塩素含有率の高い微粉を含む
排ガスを冷却器１１で冷却ファン１２からの冷却空気に
より冷却した後、集塵機１３で微粉をバイパスダストと
して回収してバイパスダストタンク１４に収容する。バ
イパスダストタンク１４内のバイパスダストをトラック
等によりもう一つのバイパスダストタンク１５へ運搬
し、フィーダー１６を用いてバイパスダストをクリンカ
サイロ６から搬出されたクリンカ中に添加し、仕上ミル
１７で混合した後、セメントサイロ１８に貯蔵する。
【００１２】一方、キルン３内で発生した排ガスの大部
分は、プローブ８で抽気されずに誘引ファン１９の誘引
力によりプレヒータ２５及び廃熱ボイラ２０内を通り、
さらにこの排ガスは誘引ファン２１で誘引され、ドライ
ヤ２２で生原料の乾燥に寄与した後、電気集塵機２３で
排ガス中のダストが回収され、煙突２４から最終排気と
して大気中へ放出される。
分は、プローブ８で抽気されずに誘引ファン１９の誘引
力によりプレヒータ２５及び廃熱ボイラ２０内を通り、
さらにこの排ガスは誘引ファン２１で誘引され、ドライ
ヤ２２で生原料の乾燥に寄与した後、電気集塵機２３で
排ガス中のダストが回収され、煙突２４から最終排気と
して大気中へ放出される。
【００１３】この実施の形態１では、相当量のＳＯｘが
含まれている塩素バイパス排気がバイパスファン７から
仮焼炉２６に戻され、ここで例えば９００〜１０００℃
程度の高温雰囲気中に晒された後、プレヒータ２５から
廃熱ボイら２０へと導かれる。このとき、プレヒータ２
５の下部には温度８００〜１０００℃程度の脱硫領域が
形成されており、ここで塩素バイパス排気中のＳＯｘが
脱硫される。これにより、煙突２４から排出される最終
排気中のＳＯｘを、塩素バイパスシステムを設置しない
場合と同様の数ｐｐｍ以下とすることができた。
含まれている塩素バイパス排気がバイパスファン７から
仮焼炉２６に戻され、ここで例えば９００〜１０００℃
程度の高温雰囲気中に晒された後、プレヒータ２５から
廃熱ボイら２０へと導かれる。このとき、プレヒータ２
５の下部には温度８００〜１０００℃程度の脱硫領域が
形成されており、ここで塩素バイパス排気中のＳＯｘが
脱硫される。これにより、煙突２４から排出される最終
排気中のＳＯｘを、塩素バイパスシステムを設置しない
場合と同様の数ｐｐｍ以下とすることができた。
【００１４】なお、この実施の形態１においては、塩素
バイパス排気を仮焼炉２６に戻したので、低酸素濃度
（１７〜１８％）のバイパス排気の導入によるキルン３
内での燃焼悪化の懸念がない。また、通常キルン３の窯
尻側に配置されるバイパスファン７から仮焼炉２６まで
塩素バイパス排気を導くダクトが短くて済み、設備費が
安価となる。
バイパス排気を仮焼炉２６に戻したので、低酸素濃度
（１７〜１８％）のバイパス排気の導入によるキルン３
内での燃焼悪化の懸念がない。また、通常キルン３の窯
尻側に配置されるバイパスファン７から仮焼炉２６まで
塩素バイパス排気を導くダクトが短くて済み、設備費が
安価となる。
【００１５】実施の形態２．図２にこの発明の実施の形
態２に係る塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法を採用し
たセメント製造設備を示す。このセメント製造設備は、
図１に示した実施の形態１のセメント製造設備におい
て、バイパスファン７により誘引され集塵機１３を通過
した塩素バイパス排気を仮焼炉２６に戻す代わりに、ク
ーラ４から仮焼炉２６に接続されている燃焼空気用ダク
ト２７に戻すようにしたものである。その他の構成は図
１のセメント製造設備と同様である。
態２に係る塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法を採用し
たセメント製造設備を示す。このセメント製造設備は、
図１に示した実施の形態１のセメント製造設備におい
て、バイパスファン７により誘引され集塵機１３を通過
した塩素バイパス排気を仮焼炉２６に戻す代わりに、ク
ーラ４から仮焼炉２６に接続されている燃焼空気用ダク
ト２７に戻すようにしたものである。その他の構成は図
１のセメント製造設備と同様である。
【００１６】この実施の形態２では、相当量のＳＯｘが
含まれている塩素バイパス排気がバイパスファン７から
燃焼空気用ダクト２７に戻され、クーラ４からの燃焼用
空気と共に仮焼炉２６に導入される。従って、図１に示
した実施の形態１と同様にプレヒータ２５の下部におい
て塩素バイパス排気中のＳＯｘが脱硫される。これによ
り、実施の形態１と同様に煙突２４から排出される最終
排気中のＳＯｘを数ｐｐｍ以下とすることができた。
含まれている塩素バイパス排気がバイパスファン７から
燃焼空気用ダクト２７に戻され、クーラ４からの燃焼用
空気と共に仮焼炉２６に導入される。従って、図１に示
した実施の形態１と同様にプレヒータ２５の下部におい
て塩素バイパス排気中のＳＯｘが脱硫される。これによ
り、実施の形態１と同様に煙突２４から排出される最終
排気中のＳＯｘを数ｐｐｍ以下とすることができた。
【００１７】なお、この実施の形態２においては、塩素
バイパス排気を仮焼炉２６に接続されている燃焼空気用
ダクト２７に戻したので、バイパス排気中の酸素が燃焼
に利用されることにより総排気ガス量の増加が比較的少
ない上、通常キルン３の窯尻側に配置されるバイパスフ
ァン７から燃焼空気用ダクト２７まで塩素バイパス排気
を導くダクトが短くて済み、設備費が安価となる。
バイパス排気を仮焼炉２６に接続されている燃焼空気用
ダクト２７に戻したので、バイパス排気中の酸素が燃焼
に利用されることにより総排気ガス量の増加が比較的少
ない上、通常キルン３の窯尻側に配置されるバイパスフ
ァン７から燃焼空気用ダクト２７まで塩素バイパス排気
を導くダクトが短くて済み、設備費が安価となる。
【００１８】実施の形態３．図３にこの発明の実施の形
態３に係る塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法を採用し
たセメント製造設備を示す。このセメント製造設備は、
図１に示した実施の形態１のセメント製造設備におい
て、バイパスファン７により誘引され集塵機１３を通過
した塩素バイパス排気を仮焼炉２６に戻す代わりに、ク
リンカクーラ４の冷却ファン５に戻すようにしたもので
ある。その他の構成は図１のセメント製造設備と同様で
ある。
態３に係る塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法を採用し
たセメント製造設備を示す。このセメント製造設備は、
図１に示した実施の形態１のセメント製造設備におい
て、バイパスファン７により誘引され集塵機１３を通過
した塩素バイパス排気を仮焼炉２６に戻す代わりに、ク
リンカクーラ４の冷却ファン５に戻すようにしたもので
ある。その他の構成は図１のセメント製造設備と同様で
ある。
【００１９】この実施の形態３では、相当量のＳＯｘが
含まれている塩素バイパス排気がバイパスファン７から
クーラ４の冷却ファン５の吸気口に戻され、大気と共に
クーラ４を通り、キルン３及びプレヒータ２５へと導か
れる。このとき、キルン尻からプレヒータ２５下部の温
度８００〜１２００℃程度の脱硫領域において、塩素バ
イパス排気中のＳＯｘが脱硫される。これにより、実施
の形態１と同様に煙突２４から排出される最終排気中の
ＳＯｘを数ｐｐｍ以下とすることができた。
含まれている塩素バイパス排気がバイパスファン７から
クーラ４の冷却ファン５の吸気口に戻され、大気と共に
クーラ４を通り、キルン３及びプレヒータ２５へと導か
れる。このとき、キルン尻からプレヒータ２５下部の温
度８００〜１２００℃程度の脱硫領域において、塩素バ
イパス排気中のＳＯｘが脱硫される。これにより、実施
の形態１と同様に煙突２４から排出される最終排気中の
ＳＯｘを数ｐｐｍ以下とすることができた。
【００２０】なお、この実施の形態３においては、塩素
バイパス排気を低温部であるクーラ４の冷却ファン５に
戻したので、キルン３内での熱損失がないばかりでな
く、冷却空気との置き換えとなるので、総排気ガス量の
増加がほとんどない。ただし、通常キルン３の窯尻側に
配置されたバイパスファン７からクーラ４の冷却ファン
５にまで塩素バイパス排気を導くダクトが長くなる。
バイパス排気を低温部であるクーラ４の冷却ファン５に
戻したので、キルン３内での熱損失がないばかりでな
く、冷却空気との置き換えとなるので、総排気ガス量の
増加がほとんどない。ただし、通常キルン３の窯尻側に
配置されたバイパスファン７からクーラ４の冷却ファン
５にまで塩素バイパス排気を導くダクトが長くなる。
【００２１】実施の形態４．図４にこの発明の実施の形
態４に係る塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法を採用し
たセメント製造設備を示す。このセメント製造設備は、
図６に示したＮＳＰキルンとは仮焼炉を有しない点で相
違するＳＰキルン（サスペンションプレヒータ付きキル
ン）方式からなる従来のセメント製造設備において、バ
イパスファン７により誘引され集塵機１３を通過した塩
素バイパス排気を誘引ファン１９の後段へ戻す代わり
に、ＳＰキルンのプレヒータ２のライジングダクト２ａ
に戻すようにしたものである。その他の構成は図６のセ
メント製造設備と同様である。
態４に係る塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法を採用し
たセメント製造設備を示す。このセメント製造設備は、
図６に示したＮＳＰキルンとは仮焼炉を有しない点で相
違するＳＰキルン（サスペンションプレヒータ付きキル
ン）方式からなる従来のセメント製造設備において、バ
イパスファン７により誘引され集塵機１３を通過した塩
素バイパス排気を誘引ファン１９の後段へ戻す代わり
に、ＳＰキルンのプレヒータ２のライジングダクト２ａ
に戻すようにしたものである。その他の構成は図６のセ
メント製造設備と同様である。
【００２２】この実施の形態４では、相当量のＳＯｘが
含まれている塩素バイパス排気がプレヒータ２のライジ
ングダクト２ａに戻される。プレヒータ２の下部は通常
８００〜１２００℃程度の温度を有し、脱硫反応が活発
に起こっている。このため、プレヒータ２のライジング
ダクト２ａに戻された塩素バイパス排気はプレヒータ２
の上部に至るまでに十分に脱硫反応に供され、塩素バイ
パス排気中のＳＯｘが脱硫される。これにより、実施の
形態１と同様に、煙突２４から排出される最終排気中の
ＳＯｘを、塩素バイパスシステムを設置しない場合と同
様の数ｐｐｍ以下とすることができた。
含まれている塩素バイパス排気がプレヒータ２のライジ
ングダクト２ａに戻される。プレヒータ２の下部は通常
８００〜１２００℃程度の温度を有し、脱硫反応が活発
に起こっている。このため、プレヒータ２のライジング
ダクト２ａに戻された塩素バイパス排気はプレヒータ２
の上部に至るまでに十分に脱硫反応に供され、塩素バイ
パス排気中のＳＯｘが脱硫される。これにより、実施の
形態１と同様に、煙突２４から排出される最終排気中の
ＳＯｘを、塩素バイパスシステムを設置しない場合と同
様の数ｐｐｍ以下とすることができた。
【００２３】なお、この実施の形態４においては、塩素
バイパス排気をプレヒータ２のライジングダクト２ａに
戻したので、低酸素濃度（１７〜１８％）のバイパス排
気の導入によるキルン３内での燃焼悪化の懸念がない。
また、プローブ８からバイパスファン７に至る塩素バイ
パスシステムは通常キルン３の窯尻側に配置されるた
め、バイパスファン７からプレヒータ２のライジングダ
クト２ａまで塩素バイパス排気を導くダクトが短くて済
み、設備費が安価となる。
バイパス排気をプレヒータ２のライジングダクト２ａに
戻したので、低酸素濃度（１７〜１８％）のバイパス排
気の導入によるキルン３内での燃焼悪化の懸念がない。
また、プローブ８からバイパスファン７に至る塩素バイ
パスシステムは通常キルン３の窯尻側に配置されるた
め、バイパスファン７からプレヒータ２のライジングダ
クト２ａまで塩素バイパス排気を導くダクトが短くて済
み、設備費が安価となる。
【００２４】実施の形態５．図５にこの発明の実施の形
態５に係る塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法を採用し
たセメント製造設備を示す。このセメント製造設備は、
図４に示した実施の形態４のセメント製造設備におい
て、バイパスファン７により誘引され集塵機１３を通過
した塩素バイパス排気をプレヒータ２のライジングダク
ト２ａに戻す代わりに、クリンカクーラ４の冷却ファン
５に戻すようにしたものである。その他の構成は図４の
セメント製造設備と同様である。
態５に係る塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法を採用し
たセメント製造設備を示す。このセメント製造設備は、
図４に示した実施の形態４のセメント製造設備におい
て、バイパスファン７により誘引され集塵機１３を通過
した塩素バイパス排気をプレヒータ２のライジングダク
ト２ａに戻す代わりに、クリンカクーラ４の冷却ファン
５に戻すようにしたものである。その他の構成は図４の
セメント製造設備と同様である。
【００２５】この実施の形態５では、相当量のＳＯｘが
含まれている塩素バイパス排気がバイパスファン７から
クーラ４の冷却ファン５の吸気口に戻され、大気と共に
クーラ４を通り、キルン３及びプレヒータ２へと導かれ
る。このとき、キルン尻からプレヒータ２下部の温度８
００〜１２００℃程度の脱硫領域において、塩素バイパ
ス排気中のＳＯｘが脱硫される。これにより、実施の形
態１と同様に煙突２４から排出される最終排気中のＳＯ
ｘを数ｐｐｍ以下とすることができた。
含まれている塩素バイパス排気がバイパスファン７から
クーラ４の冷却ファン５の吸気口に戻され、大気と共に
クーラ４を通り、キルン３及びプレヒータ２へと導かれ
る。このとき、キルン尻からプレヒータ２下部の温度８
００〜１２００℃程度の脱硫領域において、塩素バイパ
ス排気中のＳＯｘが脱硫される。これにより、実施の形
態１と同様に煙突２４から排出される最終排気中のＳＯ
ｘを数ｐｐｍ以下とすることができた。
【００２６】なお、この実施の形態５においては、実施
の形態３と同様に、塩素バイパス排気を低温部であるク
ーラ４の冷却ファン５に戻したので、キルン３内での熱
損失がないばかりでなく、冷却空気との置き換えとなる
ので総排気ガス量の増加がほとんどない。ただし、通常
キルン３の窯尻側に配置されたバイパスファン７からク
ーラ４の冷却ファン５にまで塩素バイパス排気を導くダ
クトが長くなる。
の形態３と同様に、塩素バイパス排気を低温部であるク
ーラ４の冷却ファン５に戻したので、キルン３内での熱
損失がないばかりでなく、冷却空気との置き換えとなる
ので総排気ガス量の増加がほとんどない。ただし、通常
キルン３の窯尻側に配置されたバイパスファン７からク
ーラ４の冷却ファン５にまで塩素バイパス排気を導くダ
クトが長くなる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、塩素バイパスシステムでバイパスダストを回収した
後の抽気ガスを、セメント製造設備のキルン尻からプレ
ヒータ下部までの領域、具体的には、ＮＳＰキルンの仮
焼炉、ＮＳＰキルンの仮焼炉に接続されている燃焼空気
用ダクト、ＳＰキルンのライジングダクト、クリンカク
ーラの冷却ファンのいずれかに導入するので、温度８０
０〜１２００℃程度の脱硫領域において塩素バイパス排
気中のＳＯｘが脱硫され、最終排気中のＳＯｘの増加を
最小限に抑えることが可能となる。
ば、塩素バイパスシステムでバイパスダストを回収した
後の抽気ガスを、セメント製造設備のキルン尻からプレ
ヒータ下部までの領域、具体的には、ＮＳＰキルンの仮
焼炉、ＮＳＰキルンの仮焼炉に接続されている燃焼空気
用ダクト、ＳＰキルンのライジングダクト、クリンカク
ーラの冷却ファンのいずれかに導入するので、温度８０
０〜１２００℃程度の脱硫領域において塩素バイパス排
気中のＳＯｘが脱硫され、最終排気中のＳＯｘの増加を
最小限に抑えることが可能となる。
【図１】この発明の実施の形態１に係る塩素バイパス排
気のＳＯｘ低減方法を採用したセメント製造設備を示す
フロー図である。
気のＳＯｘ低減方法を採用したセメント製造設備を示す
フロー図である。
【図２】発明の実施の形態２に係る塩素バイパス排気の
ＳＯｘ低減方法を採用したセメント製造設備を示すフロ
ー図である。
ＳＯｘ低減方法を採用したセメント製造設備を示すフロ
ー図である。
【図３】発明の実施の形態３に係る塩素バイパス排気の
ＳＯｘ低減方法を採用したセメント製造設備を示すフロ
ー図である。
ＳＯｘ低減方法を採用したセメント製造設備を示すフロ
ー図である。
【図４】発明の実施の形態４に係る塩素バイパス排気の
ＳＯｘ低減方法を採用したセメント製造設備を示すフロ
ー図である。
ＳＯｘ低減方法を採用したセメント製造設備を示すフロ
ー図である。
【図５】発明の実施の形態５に係る塩素バイパス排気の
ＳＯｘ低減方法を採用したセメント製造設備を示すフロ
ー図である。
ＳＯｘ低減方法を採用したセメント製造設備を示すフロ
ー図である。
【図６】従来のセメント製造設備を示すフロー図であ
る。
る。
２，２５ プレヒータ ２ａ ライジングダクト ３ キルン ４ クーラ ５ 冷却ファン ７ バイパスファン ８ プローブ ２６ 仮焼炉 ２７ 燃焼空気用ダクト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 宏 埼玉県熊谷市三ケ尻5378番地 太平洋セメ ント株式会社設備技術部内 (72)発明者 須藤 勘三郎 東京都千代田区西神田三丁目８番１号 太 平洋セメント株式会社設備技術部内 Ｆターム(参考） 4D002 AA02 AA18 AC05 BA03 BA12 BA13 BA14 DA05 DA11 EA02 GA01 GB02 GB03
Claims (4)
- 【請求項１】 セメント製造設備のキルンから排出され
るガスの一部を抽気すると同時にこれを塩素化合物の凝
固点以下にまで冷却し、冷却した抽気ガスから粗粉を分
離してキルン系内へ戻すと共に抽気ガスをさらに冷却し
た後に抽気ガスからバイパスダストを回収する塩素バイ
パスシステムにおいて、 バイパスダストを回収した後の抽気ガスをセメント製造
設備内の温度８００〜１２００℃の領域を通過させるこ
とにより抽気ガス中のＳＯｘを低減することを特徴とす
る塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法。 - 【請求項２】 前記領域はセメント製造設備のキルン尻
からプレヒータ下部までの領域である請求項１に記載の
塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法。 - 【請求項３】 バイパスダストを回収した後の抽気ガス
を、ＮＳＰキルンの仮焼炉、ＮＳＰキルンの仮焼炉に接
続されている燃焼空気用ダクト、ＳＰキルンのライジン
グダクトのいずれかに導入する請求項２に記載の塩素バ
イパス排気のＳＯｘ低減方法。 - 【請求項４】 バイパスダストを回収した後の抽気ガス
を、クリンカクーラの冷却ファンに導入し、キルンまた
は仮焼炉の燃焼用空気として回収させる請求項２に記載
の塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03105399A JP4388615B2 (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03105399A JP4388615B2 (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000226241A true JP2000226241A (ja) | 2000-08-15 |
| JP4388615B2 JP4388615B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=12320753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03105399A Expired - Lifetime JP4388615B2 (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 塩素バイパス排気のＳＯｘ低減方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4388615B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002282639A (ja) * | 2000-12-29 | 2002-10-02 | Fcb Ciment Sa | 煙霧流れからの揮発性成分、特に塩化物及び／又は硫酸塩の除去方法及び装置 |
| JP2004510677A (ja) * | 2000-10-05 | 2004-04-08 | エフ エル シュミット アー エス | セメントクリンカ製造設備からのｓｏｘの放出を低減する方法及びそのような設備 |
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| JP2007063079A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Ube Ind Ltd | セメントキルンの抽気排ガスの処理方法及び装置 |
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| CN101559321B (zh) * | 2009-05-15 | 2011-06-15 | 武汉凯迪电力环保有限公司 | 循环流化床烟气脱硫系统的物料循环装置 |
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-
1999
- 1999-02-09 JP JP03105399A patent/JP4388615B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP4553050B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2010-09-29 | 三菱マテリアル株式会社 | セメント製造設備の排ガス臭気測定方法及び測定装置 |
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|---|---|
| JP4388615B2 (ja) | 2009-12-24 |
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