JP2000223951A - 周波数逓倍器及びそれを用いた無線機器 - Google Patents
周波数逓倍器及びそれを用いた無線機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高次逓倍が可能な小型の周波数逓倍器及びそ
れを用いた無線機器を提供する。 【解決手段】 周波数逓倍器１０は、入力信号が入力さ
れる入力端子１１、入力信号の周波数（ω）に共振する
第１の共振回路１２、入力信号のｎ倍の周波数（ｎω）
に共振する第２の共振回路１３及びアイドラ回路１４、
可変リアクタンス素子であるバラクタダイオード１５、
結合度調整用コンデンサＣ１，Ｃ２、バイアス抵抗Ｒ
ｂ、逓倍された出力信号を出力する出力端子１６を備え
る。そして、電流励振型の周波数逓倍器であるため、第
１及び第２の共振回路１２，１３がＬＣ直列共振回路か
らなり、その第１及び第２の共振回路１２，１３が入力
端子１１と出力端子１６との間に直列接続される。ま
た、アイドラ回路１４とバラクタダイオード１５とから
なる並列回路が入力端子１１と出力端子１６との間に接
続されている。
れを用いた無線機器を提供する。 【解決手段】 周波数逓倍器１０は、入力信号が入力さ
れる入力端子１１、入力信号の周波数（ω）に共振する
第１の共振回路１２、入力信号のｎ倍の周波数（ｎω）
に共振する第２の共振回路１３及びアイドラ回路１４、
可変リアクタンス素子であるバラクタダイオード１５、
結合度調整用コンデンサＣ１，Ｃ２、バイアス抵抗Ｒ
ｂ、逓倍された出力信号を出力する出力端子１６を備え
る。そして、電流励振型の周波数逓倍器であるため、第
１及び第２の共振回路１２，１３がＬＣ直列共振回路か
らなり、その第１及び第２の共振回路１２，１３が入力
端子１１と出力端子１６との間に直列接続される。ま
た、アイドラ回路１４とバラクタダイオード１５とから
なる並列回路が入力端子１１と出力端子１６との間に接
続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、局部発振部に使用
される周波数逓倍器及び及びそれを用いた無線機器に関
する。
される周波数逓倍器及び及びそれを用いた無線機器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、入力信号の整数倍の周波数をもつ
出力を得る周波数逓倍器としては、トランジスタをＣ級
動作させることによって高調波成分を生成するものがあ
った。
出力を得る周波数逓倍器としては、トランジスタをＣ級
動作させることによって高調波成分を生成するものがあ
った。
【０００３】図６は、従来の周波数逓倍器の概略構成を
示す回路図である。周波数逓倍器５０は、入力信号が入
力される入力端子５１、前段のカップリング回路５２、
正電源が接続されている端子５３、トランジスタ５４、
後段のカップリング回路５５、出力端子５６を備える。
示す回路図である。周波数逓倍器５０は、入力信号が入
力される入力端子５１、前段のカップリング回路５２、
正電源が接続されている端子５３、トランジスタ５４、
後段のカップリング回路５５、出力端子５６を備える。
【０００４】この周波数逓倍器５０では、まず、入力端
子５１から入力された周波数ωの入力信号が前段のカッ
プリング回路５２を介してトランジスタ５４に入力され
る。このトランジスタ５４は、通常の直線領域を利用し
た増幅を行う場合と異なり、浅いバイアスあるいは無バ
イアスを用いるＣ級動作で使用されるものである。図６
のように、トランジスタ５４としてＳｉバイオポーラト
ランジスタをエミッタ接地で使用する場合には、ベース
電圧が０．６Ｖより高くなければコレクタ電流はほとん
ど流れないため、コレクタからの出力の波形はコレクタ
電流の流通角が限定され、歪んだ波形で高調波成分を含
んだものとなる。そして、トランジスタ５４のコレクタ
から出力された信号が、後段のカップリング回路５５を
介して出力端子５６から出力される。
子５１から入力された周波数ωの入力信号が前段のカッ
プリング回路５２を介してトランジスタ５４に入力され
る。このトランジスタ５４は、通常の直線領域を利用し
た増幅を行う場合と異なり、浅いバイアスあるいは無バ
イアスを用いるＣ級動作で使用されるものである。図６
のように、トランジスタ５４としてＳｉバイオポーラト
ランジスタをエミッタ接地で使用する場合には、ベース
電圧が０．６Ｖより高くなければコレクタ電流はほとん
ど流れないため、コレクタからの出力の波形はコレクタ
電流の流通角が限定され、歪んだ波形で高調波成分を含
んだものとなる。そして、トランジスタ５４のコレクタ
から出力された信号が、後段のカップリング回路５５を
介して出力端子５６から出力される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
トランジスタのＣ級動作による周波数逓倍器において
は、トランジスタのコレクタ効率の点から１つの周波数
逓倍器で４逓倍が限度で、逓倍数が大きい場合には周波
数逓倍器の段数を多くしなければならず、そのため部品
サイズが大きくなるとともに、価格が高くなるといった
問題があった。
トランジスタのＣ級動作による周波数逓倍器において
は、トランジスタのコレクタ効率の点から１つの周波数
逓倍器で４逓倍が限度で、逓倍数が大きい場合には周波
数逓倍器の段数を多くしなければならず、そのため部品
サイズが大きくなるとともに、価格が高くなるといった
問題があった。
【０００６】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、ことを目的とする。
めになされたものであり、ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の周波数逓倍器は、入力信号の周波数に共
振する第１の共振回路と、入力信号のｎ倍の周波数に共
振する第２の共振回路及びアイドラ回路と、可変リアク
タンス素子とを備え、前記第１及び第２の共振回路が入
力と出力との間に直列接続され、前記アイドラ回路と前
記可変リアクタンス素子とからなる並列回路が入力と出
力との間に並列接続される電流励振型の周波数逓倍器で
あって、前記アイドラ回路が複数の誘電体層からなる多
層基板に内蔵され、前記可変リアクタンス素子が前記多
層基板に搭載されることを特徴とする。
るため本発明の周波数逓倍器は、入力信号の周波数に共
振する第１の共振回路と、入力信号のｎ倍の周波数に共
振する第２の共振回路及びアイドラ回路と、可変リアク
タンス素子とを備え、前記第１及び第２の共振回路が入
力と出力との間に直列接続され、前記アイドラ回路と前
記可変リアクタンス素子とからなる並列回路が入力と出
力との間に並列接続される電流励振型の周波数逓倍器で
あって、前記アイドラ回路が複数の誘電体層からなる多
層基板に内蔵され、前記可変リアクタンス素子が前記多
層基板に搭載されることを特徴とする。
【０００８】また、入力信号の周波数に共振する第１の
共振回路と、入力信号のｎ倍の周波数に共振する第２の
共振回路及びアイドラ回路と、可変リアクタンス素子と
を備え、前記第１及び第２の共振回路が入力と出力との
間に並列接続され、前記アイドラ回路と前記可変リアク
タンス素子とからなる並列回路が入力と出力との間に直
列接続される電圧励振型の周波数逓倍器であって、前記
アイドラ回路が複数の誘電体層からなる多層基板に内蔵
され、前記可変リアクタンス素子が前記多層基板に搭載
されることを特徴とする。
共振回路と、入力信号のｎ倍の周波数に共振する第２の
共振回路及びアイドラ回路と、可変リアクタンス素子と
を備え、前記第１及び第２の共振回路が入力と出力との
間に並列接続され、前記アイドラ回路と前記可変リアク
タンス素子とからなる並列回路が入力と出力との間に直
列接続される電圧励振型の周波数逓倍器であって、前記
アイドラ回路が複数の誘電体層からなる多層基板に内蔵
され、前記可変リアクタンス素子が前記多層基板に搭載
されることを特徴とする。
【０００９】また、前記第１及び第２の共振回路の少な
くとも一方が前記多層基板に内蔵されることを特徴とす
る。
くとも一方が前記多層基板に内蔵されることを特徴とす
る。
【００１０】本発明の無線機器は、上述の周波数逓倍器
を用いたことを特徴とする。
を用いたことを特徴とする。
【００１１】本発明の周波数逓倍器によれば、周波数逓
倍器を構成するアイドラ回路が多層基板に内蔵されてい
るため、高Ｑ値のアイドラ回路を得ることができる。
倍器を構成するアイドラ回路が多層基板に内蔵されてい
るため、高Ｑ値のアイドラ回路を得ることができる。
【００１２】本発明の無線機器によれば、１つで高次逓
倍が可能な周波数逓倍器を用いているため、無線機器の
小型化が可能となる。
倍が可能な周波数逓倍器を用いているため、無線機器の
小型化が可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１に、本発明に係る周波数逓倍器の
第１の実施例の概略構成を示す回路図を示す。周波数逓
倍器１０は、入力信号が入力される入力端子１１、入力
信号の周波数（ω）に共振する第１の共振回路１２、入
力信号のｎ倍の周波数（ｎω）に共振する第２の共振回
路１３及びアイドラ回路１４、可変リアクタンス素子で
あるバラクタダイオード１５、結合度調整用コンデンサ
Ｃ１，Ｃ２、バイアス抵抗Ｒｂ、逓倍された出力信号を
出力する出力端子１６を備える。
施例を説明する。図１に、本発明に係る周波数逓倍器の
第１の実施例の概略構成を示す回路図を示す。周波数逓
倍器１０は、入力信号が入力される入力端子１１、入力
信号の周波数（ω）に共振する第１の共振回路１２、入
力信号のｎ倍の周波数（ｎω）に共振する第２の共振回
路１３及びアイドラ回路１４、可変リアクタンス素子で
あるバラクタダイオード１５、結合度調整用コンデンサ
Ｃ１，Ｃ２、バイアス抵抗Ｒｂ、逓倍された出力信号を
出力する出力端子１６を備える。
【００１４】なお、この周波数逓倍器１０は電流励振型
であるため、第１及び第２の共振回路１２，１３がＬＣ
直列共振回路からなり、その第１及び第２の共振回路１
２，１３が入力端子１１と出力端子１６との間に直列接
続される。また、アイドラ回路１４とバラクタダイオー
ド１５とからなる並列回路が入力端子１１と出力端子１
６との間に接続されている。
であるため、第１及び第２の共振回路１２，１３がＬＣ
直列共振回路からなり、その第１及び第２の共振回路１
２，１３が入力端子１１と出力端子１６との間に直列接
続される。また、アイドラ回路１４とバラクタダイオー
ド１５とからなる並列回路が入力端子１１と出力端子１
６との間に接続されている。
【００１５】周波数逓倍器１０では、周波数ωの入力信
号が周波数ωの信号のみを通す第１の共振回路１２を介
してバラクタダイオード１５を通るとき、入力信号の複
数の高調波が発生する。そして、その中から、アイドラ
回路１４が共振する入力信号のｎ倍の周波数（ｎω）の
みを取り出し、周波数ωの信号のみを通す第２の共振回
路１３を介して出力端子１６からｎ逓倍の出力信号を出
力する。
号が周波数ωの信号のみを通す第１の共振回路１２を介
してバラクタダイオード１５を通るとき、入力信号の複
数の高調波が発生する。そして、その中から、アイドラ
回路１４が共振する入力信号のｎ倍の周波数（ｎω）の
みを取り出し、周波数ωの信号のみを通す第２の共振回
路１３を介して出力端子１６からｎ逓倍の出力信号を出
力する。
【００１６】したがって、例えば、第２の共振回路１３
及びアイドラ回路１４を入力信号の３倍の周波数（３
ω）に共振するようにしておけば、出力端子１６から３
逓倍の出力信号が取り出せることになる。
及びアイドラ回路１４を入力信号の３倍の周波数（３
ω）に共振するようにしておけば、出力端子１６から３
逓倍の出力信号が取り出せることになる。
【００１７】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、図１の周波
数逓倍器の構造を示す断面図及び斜視図である。周波数
逓倍器１０は多層基板１７を備え、多層基板１７の下面
から側面に架けて複数の外部電極１８が設けられる。こ
のような多層基板１７は、例えば、次のような方法で製
造される。
数逓倍器の構造を示す断面図及び斜視図である。周波数
逓倍器１０は多層基板１７を備え、多層基板１７の下面
から側面に架けて複数の外部電極１８が設けられる。こ
のような多層基板１７は、例えば、次のような方法で製
造される。
【００１８】低温焼結セラミック材料からなるグリーン
シートを積層した誘電体層１７１〜１７５を用意する。
次いで、誘電体層１７１〜１７５上に、アイドラ回路１
４を構成するコンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ２、インダク
タ電極Ｌｐ１，Ｌｐ２、グランド電極Ｇｐ１，Ｇｐ２及
び配線パターン（図示せず）を銅ペーストを用いてスク
リーン印刷する。
シートを積層した誘電体層１７１〜１７５を用意する。
次いで、誘電体層１７１〜１７５上に、アイドラ回路１
４を構成するコンデンサ電極Ｃｐ１，Ｃｐ２、インダク
タ電極Ｌｐ１，Ｌｐ２、グランド電極Ｇｐ１，Ｇｐ２及
び配線パターン（図示せず）を銅ペーストを用いてスク
リーン印刷する。
【００１９】次いで、必要に応じてビアホール電極ＶＨ
となる穴を設ける。ビアホール電極を形成するための穴
には、銅ペーストが充填される。このようにして得られ
た誘電体層１７１〜１７５を積み重ね、プレスする。次
いで、これを、中性あるいは弱還元性雰囲気中、９６０
℃で１時間程度焼成し、その下面から側面に架けての所
定の箇所に銅ペーストを塗布して焼付けることにより複
数の外部電極１８を形成する。
となる穴を設ける。ビアホール電極を形成するための穴
には、銅ペーストが充填される。このようにして得られ
た誘電体層１７１〜１７５を積み重ね、プレスする。次
いで、これを、中性あるいは弱還元性雰囲気中、９６０
℃で１時間程度焼成し、その下面から側面に架けての所
定の箇所に銅ペーストを塗布して焼付けることにより複
数の外部電極１８を形成する。
【００２０】次いで、多層基板１７の平坦な上面に、バ
ラクターダイオード１５や、第１及び第２の共振回路１
２，１３、結合度調整用コンデンサＣ１，Ｃ２、バイア
ス抵抗Ｒｂを構成する受動素子１９などが搭載されるこ
とにより、周波数逓倍器１０が完成する。なお、図示し
ていないが、複数の外部電極１８のいずれかが入力端子
１１及び出力端子１６になる。
ラクターダイオード１５や、第１及び第２の共振回路１
２，１３、結合度調整用コンデンサＣ１，Ｃ２、バイア
ス抵抗Ｒｂを構成する受動素子１９などが搭載されるこ
とにより、周波数逓倍器１０が完成する。なお、図示し
ていないが、複数の外部電極１８のいずれかが入力端子
１１及び出力端子１６になる。
【００２１】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、図１の周波
数逓倍器の別の構造を示す断面図及び斜視図である。周
波数逓倍器１０ａは図２の周波数逓倍器１０と比較し
て、第１の共振回路１２を構成するコンデンサ電極Ｃｐ
３，Ｃｐ４、インダクタ電極Ｌｐ３，Ｌｐ４が多層基板
１７ａに内蔵される点で異なる。
数逓倍器の別の構造を示す断面図及び斜視図である。周
波数逓倍器１０ａは図２の周波数逓倍器１０と比較し
て、第１の共振回路１２を構成するコンデンサ電極Ｃｐ
３，Ｃｐ４、インダクタ電極Ｌｐ３，Ｌｐ４が多層基板
１７ａに内蔵される点で異なる。
【００２２】上記のように、第１の実施例の周波数逓倍
器によれば、周波数逓倍器を構成するアイドラ回路が多
層基板に内蔵されているため、アイドラ回路の高Ｑ化が
可能となる。したがって、高効率の周波数逓倍器を得る
ことができる。これは効率を維持しつつ高次逓倍が可能
になることを示している。
器によれば、周波数逓倍器を構成するアイドラ回路が多
層基板に内蔵されているため、アイドラ回路の高Ｑ化が
可能となる。したがって、高効率の周波数逓倍器を得る
ことができる。これは効率を維持しつつ高次逓倍が可能
になることを示している。
【００２３】また、図３に示すように、第１の共振回路
も多層基板に内蔵した場合には、第１の同調回路の周波
数バラツキを抑えることができる。したがって、さらに
特性の良い周波数逓倍器を得ることができる。
も多層基板に内蔵した場合には、第１の同調回路の周波
数バラツキを抑えることができる。したがって、さらに
特性の良い周波数逓倍器を得ることができる。
【００２４】図４は、本発明に係る周波数逓倍器の第２
の実施例の概略構成を示す回路図を示す。周波数逓倍器
２０は、入力信号が入力される入力端子２１、入力信号
の周波数（ω）に共振する第１の共振回路２２、入力信
号のｎ倍の周波数（ｎω）に共振する第２の共振回路２
３及びアイドラ回路２４、可変リアクタンス素子である
バラクタダイオード２５、結合度調整用コンデンサＣ
１，Ｃ２、バイアス抵抗Ｒｂ、逓倍された出力信号を出
力する出力端子２６を備える。
の実施例の概略構成を示す回路図を示す。周波数逓倍器
２０は、入力信号が入力される入力端子２１、入力信号
の周波数（ω）に共振する第１の共振回路２２、入力信
号のｎ倍の周波数（ｎω）に共振する第２の共振回路２
３及びアイドラ回路２４、可変リアクタンス素子である
バラクタダイオード２５、結合度調整用コンデンサＣ
１，Ｃ２、バイアス抵抗Ｒｂ、逓倍された出力信号を出
力する出力端子２６を備える。
【００２５】なお、この周波数逓倍器２０は電圧励振型
であるため、第１及び第２の共振回路２２，２３がＬＣ
並列共振回路からなり、その第１及び第２の共振回路２
２，２３が入力端子２１と出力端子２６との間に並列接
続され、アイドラ回路２４とバラクタダイオード２５と
からなる並列回路が入力端子２１と出力端子２６との間
に直列接続されている。
であるため、第１及び第２の共振回路２２，２３がＬＣ
並列共振回路からなり、その第１及び第２の共振回路２
２，２３が入力端子２１と出力端子２６との間に並列接
続され、アイドラ回路２４とバラクタダイオード２５と
からなる並列回路が入力端子２１と出力端子２６との間
に直列接続されている。
【００２６】そして、第１の実施例の周波数逓倍器１０
（図１）と同様の動作をする。また、その構造は図２に
示した第１の実施例の場合と同様に多層基板を備えたも
のとなる。
（図１）と同様の動作をする。また、その構造は図２に
示した第１の実施例の場合と同様に多層基板を備えたも
のとなる。
【００２７】上述のような第２の実施例の周波数逓倍器
によれば、周波数逓倍器を構成するアイドラ回路が多層
基板に内蔵されているため、アイドラ回路の高Ｑ化が可
能となる。したがって、高効率の周波数逓倍器を得るこ
とができる。これは効率を維持しつつ高次逓倍が可能に
なることを示している。
によれば、周波数逓倍器を構成するアイドラ回路が多層
基板に内蔵されているため、アイドラ回路の高Ｑ化が可
能となる。したがって、高効率の周波数逓倍器を得るこ
とができる。これは効率を維持しつつ高次逓倍が可能に
なることを示している。
【００２８】また、電圧励振型であるため、過励振動作
でさらに高次逓倍を備えた周波数逓倍器を得ることがで
きる。
でさらに高次逓倍を備えた周波数逓倍器を得ることがで
きる。
【００２９】図５は、図１あるいは図４の周波数逓倍器
を無線機器の送信系の局部発振部に用いた場合のブロッ
ク図である。周波数逓倍器１０（２０）において発振器
３１の出力をｎ逓倍して局部発振信号Ｌｏとし、これを
ミキサ３２においてＩＦ入力端子３３の信号を周波数変
換してＲＦ出力端子３４から出力する。
を無線機器の送信系の局部発振部に用いた場合のブロッ
ク図である。周波数逓倍器１０（２０）において発振器
３１の出力をｎ逓倍して局部発振信号Ｌｏとし、これを
ミキサ３２においてＩＦ入力端子３３の信号を周波数変
換してＲＦ出力端子３４から出力する。
【００３０】周波数逓倍器１０において、ｎ＝９として
９逓倍の周波数逓倍器を構成し、発振器３１に発振周波
数１４．４ＭＨｚの水晶発振器を用いて、周波数１２
９．６ＭＨｚの局部発振信号Ｌｏを得ることができた。
９逓倍の周波数逓倍器を構成し、発振器３１に発振周波
数１４．４ＭＨｚの水晶発振器を用いて、周波数１２
９．６ＭＨｚの局部発振信号Ｌｏを得ることができた。
【００３１】上述のような無線機器によれば、１つで高
次逓倍が可能な周波数逓倍器を用いているため、この周
波数逓倍器を用いた無線機器の小型化が可能となる。
次逓倍が可能な周波数逓倍器を用いているため、この周
波数逓倍器を用いた無線機器の小型化が可能となる。
【００３２】なお、上記の第１及び第２実施例では、可
変リアクタンス素子としてバラクタダイオードを用いる
場合について説明したが、ステップ・リカバリー・ダイ
オードを用いてもよい。
変リアクタンス素子としてバラクタダイオードを用いる
場合について説明したが、ステップ・リカバリー・ダイ
オードを用いてもよい。
【００３３】この場合には、使用電圧範囲を順方向域に
まで及ぼすことができるため、豊富な高調波成分を発生
させることができ、その結果、より高次の周波数逓倍器
に適している。
まで及ぼすことができるため、豊富な高調波成分を発生
させることができ、その結果、より高次の周波数逓倍器
に適している。
【００３４】
【発明の効果】請求項１の周波数逓倍器によれば、周波
数逓倍器を構成するアイドラ回路が多層基板に内蔵され
ているため、アイドラ回路の高Ｑ化が可能となる。した
がって、高効率の周波数逓倍器を得ることができるとと
もに、効率を維持しつつ高次逓倍が可能となる。
数逓倍器を構成するアイドラ回路が多層基板に内蔵され
ているため、アイドラ回路の高Ｑ化が可能となる。した
がって、高効率の周波数逓倍器を得ることができるとと
もに、効率を維持しつつ高次逓倍が可能となる。
【００３５】請求項２の周波数逓倍器によれば、周波数
逓倍器を構成するアイドラ回路が多層基板に内蔵されて
いるため、アイドラ回路の高Ｑ化が可能となる。したが
って、高効率の周波数逓倍器を得ることができるととも
に、効率を維持しつつ高次逓倍が可能になる。
逓倍器を構成するアイドラ回路が多層基板に内蔵されて
いるため、アイドラ回路の高Ｑ化が可能となる。したが
って、高効率の周波数逓倍器を得ることができるととも
に、効率を維持しつつ高次逓倍が可能になる。
【００３６】また、電圧励振型であるため、過励振動作
でさらに高次逓倍を備えた周波数逓倍器を得ることがで
きる。
でさらに高次逓倍を備えた周波数逓倍器を得ることがで
きる。
【００３７】請求項３の周波数逓倍器によれば、周波数
逓倍器を構成する第１及び第２の共振回路の少なくとも
一方が多層基板に内蔵されるため、同調回路の周波数バ
ラツキを抑えることができる。したがって、さらに特性
の良い周波数逓倍器を得ることができる。
逓倍器を構成する第１及び第２の共振回路の少なくとも
一方が多層基板に内蔵されるため、同調回路の周波数バ
ラツキを抑えることができる。したがって、さらに特性
の良い周波数逓倍器を得ることができる。
【００３８】請求項４無線機器によれば、１つで高次逓
倍が可能で、かつ高効率の周波数逓倍器を用いるため、
無線機器の小型化及び高効率化が可能となる。
倍が可能で、かつ高効率の周波数逓倍器を用いるため、
無線機器の小型化及び高効率化が可能となる。
【図１】本発明に係る周波数逓倍器の第１の実施例の概
略構成を示す回路図である。
略構成を示す回路図である。
【図２】図１の周波数逓倍器の構造を示す（ａ）断面
図、（ｂ）斜視図である。
図、（ｂ）斜視図である。
【図３】図１の周波数逓倍器の別の構造を示す（ａ）断
面図、（ｂ）斜視図である。
面図、（ｂ）斜視図である。
【図４】本発明に係る周波数逓倍器の第２の実施例の概
略構成を示す回路図である。
略構成を示す回路図である。
【図５】図１あるいは図３の周波数逓倍器を無線機器の
送信系の局部発振部に用いた場合のブロック図である。
送信系の局部発振部に用いた場合のブロック図である。
【図６】従来の周波数逓倍器の回路図である。
１０，２０ 周波数逓倍器 １２，２２ 第１の共振回路 １３，２３ 第２の共振回路 １４，２４ アイドラ回路 １５，２５ 可変リアクタンス素子 １７ 多層基板 １７１〜１７５ 誘電体層
Claims (4)
- 【請求項１】 入力信号の周波数に共振する第１の共振
回路と、入力信号のｎ倍の周波数に共振する第２の共振
回路及びアイドラ回路と、可変リアクタンス素子とを備
え、前記第１及び第２の共振回路が入力と出力との間に
直列接続され、前記アイドラ回路と前記可変リアクタン
ス素子とからなる並列回路が入力と出力との間に並列接
続される電流励振型の周波数逓倍器であって、 前記アイドラ回路が複数の誘電体層からなる多層基板に
内蔵され、前記可変リアクタンス素子が前記多層基板に
搭載されることを特徴とする周波数逓倍器。 - 【請求項２】 入力信号の周波数に共振する第１の共振
回路と、入力信号のｎ倍の周波数に共振する第２の共振
回路及びアイドラ回路と、可変リアクタンス素子とを備
え、前記第１及び第２の共振回路が入力と出力との間に
並列接続され、前記アイドラ回路と前記可変リアクタン
ス素子とからなる並列回路が入力と出力との間に直列接
続される電圧励振型の周波数逓倍器であって、 前記アイドラ回路が複数の誘電体層からなる多層基板に
内蔵され、前記可変リアクタンス素子が前記多層基板に
搭載されることを特徴とする周波数逓倍器。 - 【請求項３】 前記第１及び第２の共振回路の少なくと
も一方が前記多層基板に内蔵されることを特徴とする請
求項１あるいは請求項２に記載の周波数逓倍器。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の周波数逓倍器を用いたことを特徴とする無線機器。
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|---|---|---|---|
| JP11018702A JP2000223951A (ja) | 1999-01-27 | 1999-01-27 | 周波数逓倍器及びそれを用いた無線機器 |
| US09/492,926 US6456836B1 (en) | 1999-01-27 | 2000-01-27 | Frequency multiplier and wireless device incorporating same |
| US10/147,235 US6640095B2 (en) | 1999-01-27 | 2002-05-15 | Frequency multiplier and wireless device incorporating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11018702A JP2000223951A (ja) | 1999-01-27 | 1999-01-27 | 周波数逓倍器及びそれを用いた無線機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223951A true JP2000223951A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=11978984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11018702A Pending JP2000223951A (ja) | 1999-01-27 | 1999-01-27 | 周波数逓倍器及びそれを用いた無線機器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6456836B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000223951A (ja) |
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| JP4780865B2 (ja) * | 2001-07-19 | 2011-09-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 周波数逓倍装置 |
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-
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- 1999-01-27 JP JP11018702A patent/JP2000223951A/ja active Pending
-
2000
- 2000-01-27 US US09/492,926 patent/US6456836B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-05-15 US US10/147,235 patent/US6640095B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6456836B1 (en) | 2002-09-24 |
| US6640095B2 (en) | 2003-10-28 |
| US20020132602A1 (en) | 2002-09-19 |
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