JP2000223555A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2000223555A JP2000223555A JP2249299A JP2249299A JP2000223555A JP 2000223555 A JP2000223555 A JP 2000223555A JP 2249299 A JP2249299 A JP 2249299A JP 2249299 A JP2249299 A JP 2249299A JP 2000223555 A JP2000223555 A JP 2000223555A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の透過率や受光部の感度の変動に左右さ
れることなく、基板の有無を検知することができる基板
検出装置を備えた基板処理装置を得る。 【解決手段】 ウェハ３に対して光を照射する投光部１
と、ウェハを介して、投光部１より照射された光を受光
する受光部２と、投光部１より投光された投光量と受光
部２により受光された受光量とを比較する減算部１０
と、その減算値に基づいて、ウェハ３の有無を検知する
判断部１１とから成る基板検知装置を備えた。
れることなく、基板の有無を検知することができる基板
検出装置を備えた基板処理装置を得る。 【解決手段】 ウェハ３に対して光を照射する投光部１
と、ウェハを介して、投光部１より照射された光を受光
する受光部２と、投光部１より投光された投光量と受光
部２により受光された受光量とを比較する減算部１０
と、その減算値に基づいて、ウェハ３の有無を検知する
判断部１１とから成る基板検知装置を備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光の投光量と受
光量とを比較することにより、基板による光の吸収量を
検出し、該吸収量に基づいて基板の有無を検知する基板
検知装置を備えた基板処理装置に関するものである。
光量とを比較することにより、基板による光の吸収量を
検出し、該吸収量に基づいて基板の有無を検知する基板
検知装置を備えた基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の基板処理装置における基板
検知装置を示す概略説明図である。図４において、１は
投光部、２は受光部、３はこれら投光部１と受光部２と
の間に挿入されたウェハ（またはウェハに設けられる光
検出用マーク）である。従来の基板処理装置におけるウ
ェハ３の検出は、投光部１より受光部２に向けて光を投
光し、受光部２で検出される光がウェハ３（又はそれに
付される前記マーク）により遮られることで、ウェハ３
が有ることを判断している。
検知装置を示す概略説明図である。図４において、１は
投光部、２は受光部、３はこれら投光部１と受光部２と
の間に挿入されたウェハ（またはウェハに設けられる光
検出用マーク）である。従来の基板処理装置におけるウ
ェハ３の検出は、投光部１より受光部２に向けて光を投
光し、受光部２で検出される光がウェハ３（又はそれに
付される前記マーク）により遮られることで、ウェハ３
が有ることを判断している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成は、受光の有無によりウェハの有無を検知して
いるため、ウェハ（又はそれに付されるマーク）の透過
率が変わった場合、又は受光部２の感度が変わった場
合、その検知のための閾値もそれらに応じて変化させな
ければならず、一つの閾値により種々のウェハの有無を
一定の精度をもって検知することができなかった。例え
ば、透過率Ｎ％以下のウェハの有無を検出するように、
受光部感度と閾値が定められた場合に、透過率がＮ％よ
り大きなウェハの有無を検知しようとすると、ウェハが
有るにも拘わらず、ウェハが無いと判断する場合が生じ
る。
うな構成は、受光の有無によりウェハの有無を検知して
いるため、ウェハ（又はそれに付されるマーク）の透過
率が変わった場合、又は受光部２の感度が変わった場
合、その検知のための閾値もそれらに応じて変化させな
ければならず、一つの閾値により種々のウェハの有無を
一定の精度をもって検知することができなかった。例え
ば、透過率Ｎ％以下のウェハの有無を検出するように、
受光部感度と閾値が定められた場合に、透過率がＮ％よ
り大きなウェハの有無を検知しようとすると、ウェハが
有るにも拘わらず、ウェハが無いと判断する場合が生じ
る。
【０００４】そこで、この発明は、かかる従来の課題を
解決するためになされたものであり、基板の透過率や受
光部の感度の変動に左右されることなく、基板の有無を
検知することができる検知装置を備えた基板処理装置を
提供することを目的としている。
解決するためになされたものであり、基板の透過率や受
光部の感度の変動に左右されることなく、基板の有無を
検知することができる検知装置を備えた基板処理装置を
提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、この発明に係る基板処理装置は、基板に対して光
を照射する投光手段と、前記基板を介して、前記投光手
段より照射された光を受光する受光手段と、前記投光手
段より投光された投光量と前記受光手段により受光され
た受光量とを比較し、その比較結果に基づいて、前記基
板の有無を検知する判断手段とから成る基板検知装置を
備えたものである。
ため、この発明に係る基板処理装置は、基板に対して光
を照射する投光手段と、前記基板を介して、前記投光手
段より照射された光を受光する受光手段と、前記投光手
段より投光された投光量と前記受光手段により受光され
た受光量とを比較し、その比較結果に基づいて、前記基
板の有無を検知する判断手段とから成る基板検知装置を
備えたものである。
【０００６】このような構成によれば、判断手段が投光
量と受光量を比較して、基板による光の吸収または反射
の有無を判断できるので、投光手段と受光手段と比較手
段の初期設定を行っておけば、後は種々の透過率を有す
る基板の有無をそれぞれの透過率などを考慮することな
く検知することができる。
量と受光量を比較して、基板による光の吸収または反射
の有無を判断できるので、投光手段と受光手段と比較手
段の初期設定を行っておけば、後は種々の透過率を有す
る基板の有無をそれぞれの透過率などを考慮することな
く検知することができる。
【０００７】なお、実施の形態においては、透過率の大
きいウェハの検出において、受光量と投光量との差を大
きくして、検出の確度を高めるために、投光部１から投
光された光がウェハを複数回（２回）通過した後、受光
部２に到達するように構成されている。また、実施の形
態では、基板に対する透過光を検出するようにしている
が、反射光を検出するようにしても良い。
きいウェハの検出において、受光量と投光量との差を大
きくして、検出の確度を高めるために、投光部１から投
光された光がウェハを複数回（２回）通過した後、受光
部２に到達するように構成されている。また、実施の形
態では、基板に対する透過光を検出するようにしている
が、反射光を検出するようにしても良い。
【０００８】実施の形態に示される、光をウェハに２回
通して受光部２に検出させるための構成は、ウェハ３に
対して光を投光する投光部１と、投光部１（投光用反射
体６）からウェハ３を通して到達する光を反射する第１
の反射体７と、第１の反射体７により反射された光をウ
ェハ３に向けて反射する第２の反射体８と、第２の反射
体８により反射され、ウェハ３を通して（更に受光用反
射体９を通して）到達する光を受光する受光手段２と、
受光手段２の受光量と投光手段１の投光量を比較して、
その比較結果（減算値）に基づいてウェハの有無を検知
する判断手段１２（図３における減算部１０と判断部１
１）とを備えてなるものである。なお、実施の形態にお
いて、投光部１と受光部２とは静電シールドされた筐体
４内に配置され、投光部１からの光を投光用反射体６を
介してウェハ方向（第１の反射体方向）に反射し、ま
た、第２の反射体からの光を受光用反射体９を介して受
光部２に導くようにしている。静電シールドされた筐体
４内に投光部１と受光部２を配置することにより、これ
らセンサ部が静電気により破損するのを防止することが
できる。
通して受光部２に検出させるための構成は、ウェハ３に
対して光を投光する投光部１と、投光部１（投光用反射
体６）からウェハ３を通して到達する光を反射する第１
の反射体７と、第１の反射体７により反射された光をウ
ェハ３に向けて反射する第２の反射体８と、第２の反射
体８により反射され、ウェハ３を通して（更に受光用反
射体９を通して）到達する光を受光する受光手段２と、
受光手段２の受光量と投光手段１の投光量を比較して、
その比較結果（減算値）に基づいてウェハの有無を検知
する判断手段１２（図３における減算部１０と判断部１
１）とを備えてなるものである。なお、実施の形態にお
いて、投光部１と受光部２とは静電シールドされた筐体
４内に配置され、投光部１からの光を投光用反射体６を
介してウェハ方向（第１の反射体方向）に反射し、ま
た、第２の反射体からの光を受光用反射体９を介して受
光部２に導くようにしている。静電シールドされた筐体
４内に投光部１と受光部２を配置することにより、これ
らセンサ部が静電気により破損するのを防止することが
できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
を用いて説明する。図１はこの発明に係る基板処理装置
の基板検知装置を示す概略斜視図、図２は導光路形成ガ
イドを示す図、図３は基板検出装置の構成を示すブロッ
ク図である。これらの図において、１は投光部、２は受
光部、３は基板であるウェハ（またはウェハに付された
マーク）、４は投光部１と受光部２が設置された筐体で
ある。筐体４の側部にはその高さ方向に一列に複数の導
光路形成ガイド５が設けられている。
を用いて説明する。図１はこの発明に係る基板処理装置
の基板検知装置を示す概略斜視図、図２は導光路形成ガ
イドを示す図、図３は基板検出装置の構成を示すブロッ
ク図である。これらの図において、１は投光部、２は受
光部、３は基板であるウェハ（またはウェハに付された
マーク）、４は投光部１と受光部２が設置された筐体で
ある。筐体４の側部にはその高さ方向に一列に複数の導
光路形成ガイド５が設けられている。
【００１０】これらのガイドは、図２に示されるよう
に、略コ字形状（くし歯状）をなし、二つの基部５ａ，
５ｂとその先端側に形成される第１コーナ部５ｃ、第２
コーナ部５ｄとを有し、二つの基部５ａ、５ｂそれぞれ
の近傍における筐体４内にそれぞれ投光部１と受光部２
が設けられている。なお、図２（ｂ）は、左側が図２
（ａ）のＡ方向矢視図、右側が同じくＢ方向矢視図であ
る。
に、略コ字形状（くし歯状）をなし、二つの基部５ａ，
５ｂとその先端側に形成される第１コーナ部５ｃ、第２
コーナ部５ｄとを有し、二つの基部５ａ、５ｂそれぞれ
の近傍における筐体４内にそれぞれ投光部１と受光部２
が設けられている。なお、図２（ｂ）は、左側が図２
（ａ）のＡ方向矢視図、右側が同じくＢ方向矢視図であ
る。
【００１１】これら各ガイドには、基部５ａに対する先
端部（第１コーナ部５ｃ）の左右いずれか一方側（図２
（ａ）のＡ方向視では右側）に設けられ、基部５ａ側
（投光部）から進行してきた光を隣設ガイド５Ａ（図で
は右側の隣設ガイド）方向に反射する投光用反射体６
と、隣接ガイド５Ａの第１コーナ部５ｃ（ガイド５側で
ある左側）に前記投光用反射体６に対向して設けられ、
投光用反射体６より反射された光を上記隣設ガイド５Ａ
の先端辺に沿って第２コーナ部５ｄに進行するように反
射する第１反射体７（なお、第１コーナ部５ｃの右側に
は、その基部側の投光部１Ａより投光された光を更に右
側隣ガイド５Ｂに反射させる投光用反射体６Ａが設けら
れている）と、隣設ガイド５Ａの第２コーナ部５ｄ左側
（ガイド５に対向する側）に設けられ、第１反射体７に
より反射された光をガイド５の第２コーナ部５ｄに反射
する第２反射体８（なお、ガイド５Ａの第２コーナ部５
ｄの右側には受光部２Ａに光を反射させる受光用反射体
９Ａが設けられている）と、ガイド５の第２コーナ部５
ｄに設けられ、第２反射体８により反射された光を基部
５ｂ側に設けられた受光部２に進行させる受光用反射体
９とが設けられてなる光学系ユニットが並設されてい
る。
端部（第１コーナ部５ｃ）の左右いずれか一方側（図２
（ａ）のＡ方向視では右側）に設けられ、基部５ａ側
（投光部）から進行してきた光を隣設ガイド５Ａ（図で
は右側の隣設ガイド）方向に反射する投光用反射体６
と、隣接ガイド５Ａの第１コーナ部５ｃ（ガイド５側で
ある左側）に前記投光用反射体６に対向して設けられ、
投光用反射体６より反射された光を上記隣設ガイド５Ａ
の先端辺に沿って第２コーナ部５ｄに進行するように反
射する第１反射体７（なお、第１コーナ部５ｃの右側に
は、その基部側の投光部１Ａより投光された光を更に右
側隣ガイド５Ｂに反射させる投光用反射体６Ａが設けら
れている）と、隣設ガイド５Ａの第２コーナ部５ｄ左側
（ガイド５に対向する側）に設けられ、第１反射体７に
より反射された光をガイド５の第２コーナ部５ｄに反射
する第２反射体８（なお、ガイド５Ａの第２コーナ部５
ｄの右側には受光部２Ａに光を反射させる受光用反射体
９Ａが設けられている）と、ガイド５の第２コーナ部５
ｄに設けられ、第２反射体８により反射された光を基部
５ｂ側に設けられた受光部２に進行させる受光用反射体
９とが設けられてなる光学系ユニットが並設されてい
る。
【００１２】なお、各反射体は金属表面にミラー蒸着を
施して形成されている。また、各ガイドの間隔は４．７
６ｍｍであり、また各ガイドの間隔方向の厚さは薄く
（１．５ｍｍ）されて、約１．７ｍｍの厚さを有するウ
ェハがこれらガイドに当接することなく挿入できるよう
挿入間隔が設けられている。
施して形成されている。また、各ガイドの間隔は４．７
６ｍｍであり、また各ガイドの間隔方向の厚さは薄く
（１．５ｍｍ）されて、約１．７ｍｍの厚さを有するウ
ェハがこれらガイドに当接することなく挿入できるよう
挿入間隔が設けられている。
【００１３】以上の構成において、ウェハ３は各ガイド
（ここでは、ガイド５，５Ａ，５Ｂ）間に挿入され、例
えば、投光部１より投光された光は各ガイド間で２回、
すなわち、投光用反射体６と第１反射体７との間と、第
２反射体８と受光用反射体９との間でそれぞれ１回ずつ
ウェハを透過した後、受光部１により受光される。
（ここでは、ガイド５，５Ａ，５Ｂ）間に挿入され、例
えば、投光部１より投光された光は各ガイド間で２回、
すなわち、投光用反射体６と第１反射体７との間と、第
２反射体８と受光用反射体９との間でそれぞれ１回ずつ
ウェハを透過した後、受光部１により受光される。
【００１４】このように、投光部１からの光を２度ウェ
ハ３を透過させて受光部２で検出するようにしたのは、
透明に近い（透過率の高い）ウェハ３による光の減衰量
を大きくして、受光部２で検出させることで、投光量に
対する受光量の差を大きくしてウェハ３の検出の正確性
を高めるためである。
ハ３を透過させて受光部２で検出するようにしたのは、
透明に近い（透過率の高い）ウェハ３による光の減衰量
を大きくして、受光部２で検出させることで、投光量に
対する受光量の差を大きくしてウェハ３の検出の正確性
を高めるためである。
【００１５】図３に示されるように、判断手段１２の減
算部１０において投光量と受光量とを比較演算する場合
に、その差が大きくなるように光学系路を構成すること
により、判断部１１によるウェハ３の検出の正確性を高
めることができる。ガラスウェハの場合、一般的な透過
率は９２％であるので、光を２回通すことにより、受光
量は投光量に対して８４％まで減衰するので、投光量の
１６％以上の精度を有する光センサを使用することが可
能となる。
算部１０において投光量と受光量とを比較演算する場合
に、その差が大きくなるように光学系路を構成すること
により、判断部１１によるウェハ３の検出の正確性を高
めることができる。ガラスウェハの場合、一般的な透過
率は９２％であるので、光を２回通すことにより、受光
量は投光量に対して８４％まで減衰するので、投光量の
１６％以上の精度を有する光センサを使用することが可
能となる。
【００１６】なお、従来の基板検出装置は、実施の形態
で示した導光路形成ガイドに代わり、くし歯状の突起片
の先端部に受光部または投光部を設けていたので、静電
気や衝撃による破損の恐れがあった（±８ＫＶの静電ノ
イズで誤動作又は故障していた）が、この実施の形態に
おいては、静電シールドが施された筐体４内に投光部１
や受光部２を設けるようにしたので、静電気や衝撃によ
る破損の恐れが無くなる（±１０ＫＶの静電ノイズによ
っても誤動作しない）。特に、ウェハには高圧の静電気
が発生し易いので、静電シールドされる構成は、ウェハ
検出装置を効果的に保護し得る。
で示した導光路形成ガイドに代わり、くし歯状の突起片
の先端部に受光部または投光部を設けていたので、静電
気や衝撃による破損の恐れがあった（±８ＫＶの静電ノ
イズで誤動作又は故障していた）が、この実施の形態に
おいては、静電シールドが施された筐体４内に投光部１
や受光部２を設けるようにしたので、静電気や衝撃によ
る破損の恐れが無くなる（±１０ＫＶの静電ノイズによ
っても誤動作しない）。特に、ウェハには高圧の静電気
が発生し易いので、静電シールドされる構成は、ウェハ
検出装置を効果的に保護し得る。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、この発
明は、基板に対して光を照射する投光手段と、前記基板
を介して、前記投光手段より照射された光を受光する受
光手段と、前記投光手段より投光された投光量と前記受
光手段により受光された受光量とを比較し、その比較結
果に基づいて、前記基板の有無を検知する判断手段とか
ら成る基板検知装置を備え、投光量と受光量とに基づい
て、基板の有無を検知するようにしたので、基板の透過
率や受光部の感度の変動に左右されることなく、基板の
有無を検知することができる検知装置を備えた基板処理
装置を得ることができるという効果を奏する。
明は、基板に対して光を照射する投光手段と、前記基板
を介して、前記投光手段より照射された光を受光する受
光手段と、前記投光手段より投光された投光量と前記受
光手段により受光された受光量とを比較し、その比較結
果に基づいて、前記基板の有無を検知する判断手段とか
ら成る基板検知装置を備え、投光量と受光量とに基づい
て、基板の有無を検知するようにしたので、基板の透過
率や受光部の感度の変動に左右されることなく、基板の
有無を検知することができる検知装置を備えた基板処理
装置を得ることができるという効果を奏する。
【図１】この発明の実施の形態における基板検知装置を
備えた基板処理装置を示す概略斜視図である。
備えた基板処理装置を示す概略斜視図である。
【図２】実施の形態における導光路形成ガイドを示す図
である。
である。
【図３】基板検知装置の構成を示すブロック図である。
【図４】従来の基板処理装置の基板検知装置を示す図で
ある。
ある。
１，１Ａ 投光部（投光手段） ２，２Ａ 受光部（受光手段） ３ ウェハ ４ 筐体 ５，５Ａ，５Ｂ 導光路形成ガイド ６，６Ａ 投光用反射体 ７ 第１反射体 ８ 第２反射体 ９，９Ａ 受光用反射体 １０ 減算部 １１ 判断部 １２ 判断手段
Claims (1)
- 【請求項１】 基板に対して光を照射する投光手段と、 前記基板を介して、前記投光手段より照射された光を受
光する受光手段と、 前記投光手段より投光された投光量と前記受光手段によ
り受光された受光量とを比較し、その比較結果に基づい
て、前記基板の有無を検知する判断手段とから成る基板
検知装置を備えた基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2249299A JP2000223555A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2249299A JP2000223555A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223555A true JP2000223555A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12084242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2249299A Pending JP2000223555A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000223555A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135514A (ja) * | 2009-01-26 | 2009-06-18 | Omron Corp | ウェハ検出用センサ |
| US8688006B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-04-01 | Ricoh Company, Ltd. | Drive transmission device including a detection device and a protection member made of a conductive material |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP2249299A patent/JP2000223555A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135514A (ja) * | 2009-01-26 | 2009-06-18 | Omron Corp | ウェハ検出用センサ |
| US8688006B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-04-01 | Ricoh Company, Ltd. | Drive transmission device including a detection device and a protection member made of a conductive material |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050329 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050413 |
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