JP2000222764A - 光読取り装置、光読取り方法及び光記録媒体 - Google Patents
光読取り装置、光読取り方法及び光記録媒体Info
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- JP2000222764A JP2000222764A JP11023968A JP2396899A JP2000222764A JP 2000222764 A JP2000222764 A JP 2000222764A JP 11023968 A JP11023968 A JP 11023968A JP 2396899 A JP2396899 A JP 2396899A JP 2000222764 A JP2000222764 A JP 2000222764A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 近接場光を利用した高密度光メモリにおい
て、読取り信号のＳ／Ｎ比の良好な光読取り装置、光読
取り方法及び光記録媒体を得る。 【解決手段】 近接場光を発生するプローブ２０と、異
なる波長の光ビームＬＢ1，ＬＢ2を放射する光源１１，
１２と、光ビームをプローブ２０へ導く光学素子１５，
１６と、プローブ２０から浸み出して光記録媒体１を透
過した光ビームＬＢ1’，ＬＢ2’を検出する光検出器３
１，３２と、検出回路３７とからなる光読取り装置。光
記録媒体１の記録層は光ビームＬＢ1，ＬＢ2に対して透
過率が大きく異なる記録ピットが形成されており、検出
器３１，３２による検出値の差分を読取り信号とする。
て、読取り信号のＳ／Ｎ比の良好な光読取り装置、光読
取り方法及び光記録媒体を得る。 【解決手段】 近接場光を発生するプローブ２０と、異
なる波長の光ビームＬＢ1，ＬＢ2を放射する光源１１，
１２と、光ビームをプローブ２０へ導く光学素子１５，
１６と、プローブ２０から浸み出して光記録媒体１を透
過した光ビームＬＢ1’，ＬＢ2’を検出する光検出器３
１，３２と、検出回路３７とからなる光読取り装置。光
記録媒体１の記録層は光ビームＬＢ1，ＬＢ2に対して透
過率が大きく異なる記録ピットが形成されており、検出
器３１，３２による検出値の差分を読取り信号とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、近接場光現象を利
用した光読取り装置、光読取り方法及び光記録媒体に関
する。
用した光読取り装置、光読取り方法及び光記録媒体に関
する。
【０００２】
【発明の背景】近年、光学的に情報を記録／読取りする
光メモリの分野においては、コンピュータの高速化やマ
ルチメディアの発達に伴い、より大容量の情報を記録で
きる、即ち、記録密度の著しく向上した光ヘッドが望ま
れ、近接場光記録技術が提案されている。レーザ光を用
いた従来の光メモリにおいて、記録密度は光の回折限界
で上限が決まり、光の波長程度（約数１００ｎｍ）のマ
ークしか記録／読取りができなかった。近年提案されて
いる近接場光現象を用いた光メモリでは、光の波長以下
の微小開口を有するプローブやSolid Immersion Lens
（固浸レンズ）を用いて光記録媒体（光ディスク）に対
して光ヘッドと記録媒体との間隔を数１０ｎｍまで近づ
けた状態で記録／読取り用の光を照射することで、光の
回折限界を超えて数１０ｎｍという小さなマークを信号
として書き込み、読み取ることが可能である。
光メモリの分野においては、コンピュータの高速化やマ
ルチメディアの発達に伴い、より大容量の情報を記録で
きる、即ち、記録密度の著しく向上した光ヘッドが望ま
れ、近接場光記録技術が提案されている。レーザ光を用
いた従来の光メモリにおいて、記録密度は光の回折限界
で上限が決まり、光の波長程度（約数１００ｎｍ）のマ
ークしか記録／読取りができなかった。近年提案されて
いる近接場光現象を用いた光メモリでは、光の波長以下
の微小開口を有するプローブやSolid Immersion Lens
（固浸レンズ）を用いて光記録媒体（光ディスク）に対
して光ヘッドと記録媒体との間隔を数１０ｎｍまで近づ
けた状態で記録／読取り用の光を照射することで、光の
回折限界を超えて数１０ｎｍという小さなマークを信号
として書き込み、読み取ることが可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
近接場光記録技術においては、従来の光記録技術に比べ
て読取りが光ヘッドと光記録媒体とのギャップ誤差やト
ラッキング誤差に非常に敏感になり、これらの微小な誤
差によって検出信号の強度が大きく変動し、読取り信号
のＳ／Ｎ比が悪化するという問題点を有していた。
近接場光記録技術においては、従来の光記録技術に比べ
て読取りが光ヘッドと光記録媒体とのギャップ誤差やト
ラッキング誤差に非常に敏感になり、これらの微小な誤
差によって検出信号の強度が大きく変動し、読取り信号
のＳ／Ｎ比が悪化するという問題点を有していた。
【０００４】そこで、本発明の目的は、読取り信号のＳ
／Ｎ比の良好な光読取り装置、光読取り方法及びこれら
の装置及び方法に使用される光記録媒体を提供すること
にある。
／Ｎ比の良好な光読取り装置、光読取り方法及びこれら
の装置及び方法に使用される光記録媒体を提供すること
にある。
【０００５】
【発明の構成、作用及び効果】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る光読取り装置は、近接場光発生素子
と、互いに波長の異なる第１の光ビーム及び第２の光ビ
ームを放射する第１及び第２の光源と、第１及び第２の
光ビームを近接場光発生素子に入射させる光学手段と、
近接場光発生素子から浸み出して光記録媒体を透過又は
光記録媒体で反射した第１及び第２の光ビームを検出す
る第１及び第２の光検出器と、この第１及び第２の検出
器による検出値の差分を読取り信号とする検出手段とを
備えている。
め、本発明に係る光読取り装置は、近接場光発生素子
と、互いに波長の異なる第１の光ビーム及び第２の光ビ
ームを放射する第１及び第２の光源と、第１及び第２の
光ビームを近接場光発生素子に入射させる光学手段と、
近接場光発生素子から浸み出して光記録媒体を透過又は
光記録媒体で反射した第１及び第２の光ビームを検出す
る第１及び第２の光検出器と、この第１及び第２の検出
器による検出値の差分を読取り信号とする検出手段とを
備えている。
【０００６】また、本発明に係る光読取り方法は、互い
に波長の異なる第１及び第２の光ビームを近接場光発生
素子に入射させ、この素子から浸み出して光記録媒体を
透過又は光記録媒体で反射した第１及び第２の光ビーム
を検出し、該検出値の差分を読取り信号とする。
に波長の異なる第１及び第２の光ビームを近接場光発生
素子に入射させ、この素子から浸み出して光記録媒体を
透過又は光記録媒体で反射した第１及び第２の光ビーム
を検出し、該検出値の差分を読取り信号とする。
【０００７】以上の本発明において、光記録媒体の記録
層としては、情報が記録されるピットが、波長の異なる
第１光ビーム及び第２光ビームに対してそれぞれ特定の
透過率又は反射率を有しているものを使用する。この記
録層を透過又は反射する第１及び第２の光ビームを検出
すると、記録ピットの部分で検出値に大きな差分が得ら
れる。この差分はトラッキング誤差等で第１及び第２の
光ビームの検出信号自体の強度が変動しても一定の値を
保持する。本発明においては、この差分を読取り信号と
するため、検出信号自体の揺らぎに拘らず、Ｓ／Ｎ比の
高い良好な読取り信号を得ることができる。
層としては、情報が記録されるピットが、波長の異なる
第１光ビーム及び第２光ビームに対してそれぞれ特定の
透過率又は反射率を有しているものを使用する。この記
録層を透過又は反射する第１及び第２の光ビームを検出
すると、記録ピットの部分で検出値に大きな差分が得ら
れる。この差分はトラッキング誤差等で第１及び第２の
光ビームの検出信号自体の強度が変動しても一定の値を
保持する。本発明においては、この差分を読取り信号と
するため、検出信号自体の揺らぎに拘らず、Ｓ／Ｎ比の
高い良好な読取り信号を得ることができる。
【０００８】さらに、本発明において、近接場光発生素
子として微小開口又は微小光透過部を有するプローブを
使用してもよい。このようなプローブを使用すれば、第
１及び第２の光ビームの光軸を厳密に合わせる必要がな
く、装置の組立てが容易になる。
子として微小開口又は微小光透過部を有するプローブを
使用してもよい。このようなプローブを使用すれば、第
１及び第２の光ビームの光軸を厳密に合わせる必要がな
く、装置の組立てが容易になる。
【０００９】また、本発明に係る光記録媒体は、金属か
らなる膜と光吸収性の大きな材料からなる膜との多層記
録層を備えている。この種の多層記録層は、光ビームを
照射することで、光吸収材に吸収された熱で金属と光吸
収材とが相互拡散して記録ピットが形成される。この記
録ピットは異なる波長の光に対する透過率又は反射率が
異なる特性を有する。従って、この光記録媒体を使用す
ることによって前記光読取り装置及び光読取り方法にて
好適に情報を読み取ることができる。
らなる膜と光吸収性の大きな材料からなる膜との多層記
録層を備えている。この種の多層記録層は、光ビームを
照射することで、光吸収材に吸収された熱で金属と光吸
収材とが相互拡散して記録ピットが形成される。この記
録ピットは異なる波長の光に対する透過率又は反射率が
異なる特性を有する。従って、この光記録媒体を使用す
ることによって前記光読取り装置及び光読取り方法にて
好適に情報を読み取ることができる。
【００１０】さらに、本発明に係る光記録媒体は、前記
多層記録層上に光ビームを集光させることによって近接
場光を発生させる微小光透過部を形成する薄膜を備えて
いてもよい。この薄膜は光ビームを集光することで溶融
して微小光透過部が形成され、この微小光透過部が近接
場光を発生するプローブとして機能する。そして、ここ
で発生した近接場光が前記多層記録層を照射し、記録ピ
ットを形成することになる。
多層記録層上に光ビームを集光させることによって近接
場光を発生させる微小光透過部を形成する薄膜を備えて
いてもよい。この薄膜は光ビームを集光することで溶融
して微小光透過部が形成され、この微小光透過部が近接
場光を発生するプローブとして機能する。そして、ここ
で発生した近接場光が前記多層記録層を照射し、記録ピ
ットを形成することになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光読取り装
置、光読取り方法及び光記録媒体の実施形態について、
添付図面を参照して説明する。
置、光読取り方法及び光記録媒体の実施形態について、
添付図面を参照して説明する。
【００１２】図１は、第１実施形態としての光読取り装
置１０を示し、概略、レーザ光源１１，１２とプローブ
２０と、光検出器３１，３２と、検出回路３７とで構成
されている。レーザ光源１１，１２は互いに異なる波長
の光ビームＬＢ1，ＬＢ2を放射し、この光ビームＬ
Ｂ1，ＬＢ2（拡散光）はカップリングレンズ１３，１４
で平行光とされる。光ビームＬＢ1はダイクロイックミ
ラー１５、ミラー１６で反射され、プローブ２０へ入射
する。光ビームＬＢ2はダイクロイックミラー１５を透
過すると共にミラー１６で反射され、プローブ２０へ入
射する。
置１０を示し、概略、レーザ光源１１，１２とプローブ
２０と、光検出器３１，３２と、検出回路３７とで構成
されている。レーザ光源１１，１２は互いに異なる波長
の光ビームＬＢ1，ＬＢ2を放射し、この光ビームＬ
Ｂ1，ＬＢ2（拡散光）はカップリングレンズ１３，１４
で平行光とされる。光ビームＬＢ1はダイクロイックミ
ラー１５、ミラー１６で反射され、プローブ２０へ入射
する。光ビームＬＢ2はダイクロイックミラー１５を透
過すると共にミラー１６で反射され、プローブ２０へ入
射する。
【００１３】プローブ２０は、図２に示すように、高屈
折率物質２１を被覆する遮光膜２２に微小開口２３を形
成したもので、入射した光ビームＬＢ1，ＬＢ2を近接場
光として微小開口２３から浸み出させる。
折率物質２１を被覆する遮光膜２２に微小開口２３を形
成したもので、入射した光ビームＬＢ1，ＬＢ2を近接場
光として微小開口２３から浸み出させる。
【００１４】光検出器３１，３２は光記録媒体１の裏面
側に配置されている。即ち、プローブ２０から浸み出し
た近接場光は元の伝搬光に変換されて光記録媒体１を透
過する。この透過光ＬＢ1’，ＬＢ2’はカップリングレ
ンズ３３で集光され、透過光ＬＢ1’はダイクロイック
ミラー３４を透過して光検出器３１で検出される。透過
光ＬＢ2’はダイクロイックミラー３４で反射されて光
検出器３２で検出される。各光検出器３１，３２の検出
信号は検出回路３７に入力され、ここで読取り信号とし
て取り出される。
側に配置されている。即ち、プローブ２０から浸み出し
た近接場光は元の伝搬光に変換されて光記録媒体１を透
過する。この透過光ＬＢ1’，ＬＢ2’はカップリングレ
ンズ３３で集光され、透過光ＬＢ1’はダイクロイック
ミラー３４を透過して光検出器３１で検出される。透過
光ＬＢ2’はダイクロイックミラー３４で反射されて光
検出器３２で検出される。各光検出器３１，３２の検出
信号は検出回路３７に入力され、ここで読取り信号とし
て取り出される。
【００１５】一方、光記録媒体１は、図２に示すよう
に、ガラス基板２上に、Ａｕからなる薄膜３、Ｓｉから
なる薄膜４及びＳｉＮからなる保護膜５を設けたもので
ある。各膜３，４，５の厚さは、それぞれ６ｎｍ、２０
ｎｍ、２０ｎｍである。この光記録媒体１はＳｉ薄膜４
の表面を前記プローブ２０の微小開口２３に対して近接
場領域にまで近付けて近接場光を照射することで以下に
説明する情報の記録／読取りを行う。
に、ガラス基板２上に、Ａｕからなる薄膜３、Ｓｉから
なる薄膜４及びＳｉＮからなる保護膜５を設けたもので
ある。各膜３，４，５の厚さは、それぞれ６ｎｍ、２０
ｎｍ、２０ｎｍである。この光記録媒体１はＳｉ薄膜４
の表面を前記プローブ２０の微小開口２３に対して近接
場領域にまで近付けて近接場光を照射することで以下に
説明する情報の記録／読取りを行う。
【００１６】前記Ａｕ薄膜３とＳｉ薄膜４は記録層とし
て機能する。即ち、Ｓｉは光吸収材料であり、光を吸収
することによって発生した熱でＡｕとＳｉとが相互拡散
することで記録ピット６が形成される。ＡｕとＳｉの２
層薄膜にあっては、図３及び図４に示すように、薄膜を
加熱していくと２１０℃付近において波長４８８ｎｍの
光の透過率は急激に増加する（図３参照）。一方、波長
６８０ｎｍの光の透過率は２１０℃付近において急激に
減少する。
て機能する。即ち、Ｓｉは光吸収材料であり、光を吸収
することによって発生した熱でＡｕとＳｉとが相互拡散
することで記録ピット６が形成される。ＡｕとＳｉの２
層薄膜にあっては、図３及び図４に示すように、薄膜を
加熱していくと２１０℃付近において波長４８８ｎｍの
光の透過率は急激に増加する（図３参照）。一方、波長
６８０ｎｍの光の透過率は２１０℃付近において急激に
減少する。
【００１７】従って、本光記録媒体１にあっては、Ａｕ
−Ｓｉ薄膜３，４を４８８ｎｍと６８０ｎｍの各波長の
光に対して大きく異なる透過率を有する約２１０〜３２
０℃の範囲の任意の温度に局部的に加熱して記録ピット
６を形成することで情報を記録する。勿論、前述の光読
取り装置１０を用いて光ビームを照射し、情報を記録す
ることも可能である。
−Ｓｉ薄膜３，４を４８８ｎｍと６８０ｎｍの各波長の
光に対して大きく異なる透過率を有する約２１０〜３２
０℃の範囲の任意の温度に局部的に加熱して記録ピット
６を形成することで情報を記録する。勿論、前述の光読
取り装置１０を用いて光ビームを照射し、情報を記録す
ることも可能である。
【００１８】読取りには前記光読取り装置１０を使用す
る。即ち、レーザ光源１１からは波長４８８ｎｍの光ビ
ームＬＢ1を放射し、レーザ光源１２からは波長６８０
ｎｍの光ビームＬＢ2を放射する。この光ビームＬＢ1，
ＬＢ2は、前述の如く、プローブ２０の微小開口２３か
ら近接場光として浸み出し、Ａｕ−Ｓｉ薄膜３，４の同
一スポットを照射し、さらに元の伝搬光に変換されてガ
ラス基板２を透過する。この透過光ＬＢ1’，ＬＢ2’は
前記光検出器３１，３２で検出される。
る。即ち、レーザ光源１１からは波長４８８ｎｍの光ビ
ームＬＢ1を放射し、レーザ光源１２からは波長６８０
ｎｍの光ビームＬＢ2を放射する。この光ビームＬＢ1，
ＬＢ2は、前述の如く、プローブ２０の微小開口２３か
ら近接場光として浸み出し、Ａｕ−Ｓｉ薄膜３，４の同
一スポットを照射し、さらに元の伝搬光に変換されてガ
ラス基板２を透過する。この透過光ＬＢ1’，ＬＢ2’は
前記光検出器３１，３２で検出される。
【００１９】詳しくは、Ａｕ−Ｓｉ薄膜３，４に形成さ
れた記録ピット６は、４８８ｎｍの光ビームＬＢ1に対
しては透過率が高くなる（信号強度が強くなる）ように
形成され、６８０ｎｍの光ビームＬＢ2に対しては透過
率が低くなる（信号強度が弱くなる）ように形成されて
いる。従って、検出回路３７では、透過光ＬＢ1’，Ｌ
Ｂ2’の検出値の差分を記録ピット６の読取り信号とす
ることで、フォーカシングやトラッキングの誤差などで
生じる検出信号の揺らぎに影響されることのないＳ／Ｎ
比の良好な読取り信号を得ることができる。
れた記録ピット６は、４８８ｎｍの光ビームＬＢ1に対
しては透過率が高くなる（信号強度が強くなる）ように
形成され、６８０ｎｍの光ビームＬＢ2に対しては透過
率が低くなる（信号強度が弱くなる）ように形成されて
いる。従って、検出回路３７では、透過光ＬＢ1’，Ｌ
Ｂ2’の検出値の差分を記録ピット６の読取り信号とす
ることで、フォーカシングやトラッキングの誤差などで
生じる検出信号の揺らぎに影響されることのないＳ／Ｎ
比の良好な読取り信号を得ることができる。
【００２０】また、本読取り装置１０では微小開口２３
から近接場光を発生させるプローブ２０を使用している
ため、光ビームＬＢ1，ＬＢ2の光軸を厳密に合わせる必
要がなくなり、組立てや調整が容易になる。
から近接場光を発生させるプローブ２０を使用している
ため、光ビームＬＢ1，ＬＢ2の光軸を厳密に合わせる必
要がなくなり、組立てや調整が容易になる。
【００２１】なお、前記光記録媒体１において、記録用
薄膜３，４はＡｕ，Ｓｉ以外に種々の材料を使用するこ
とができる。金属としては、Ａｕ以外にＡｌ，Ｐｔ，Ａ
ｇなどを挙げることができる。光吸収材料としては、Ｓ
ｉ以外にＧｅ，Ｓｂなどを挙げることができる。保護膜
としては、光透過性及び耐熱性を有する種々の材料を使
用することができる。
薄膜３，４はＡｕ，Ｓｉ以外に種々の材料を使用するこ
とができる。金属としては、Ａｕ以外にＡｌ，Ｐｔ，Ａ
ｇなどを挙げることができる。光吸収材料としては、Ｓ
ｉ以外にＧｅ，Ｓｂなどを挙げることができる。保護膜
としては、光透過性及び耐熱性を有する種々の材料を使
用することができる。
【００２２】次に、近接場光発生素子を内蔵したタイプ
の光記録媒体４０について説明する。図５に示すよう
に、光記録媒体４０は、ガラス基板４１上に、ＳｉＮか
らなる干渉膜４２、Ｓｂからなるウィンドウ膜４３、Ｓ
ｉＮからなる中間膜４４、Ｓｉからなる薄膜４５、Ａｕ
からなる薄膜４６及びＳｉＮからなる保護膜４７を設け
たものである。各膜４２〜４７の厚さは、それぞれ１７
０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２
０ｎｍである。
の光記録媒体４０について説明する。図５に示すよう
に、光記録媒体４０は、ガラス基板４１上に、ＳｉＮか
らなる干渉膜４２、Ｓｂからなるウィンドウ膜４３、Ｓ
ｉＮからなる中間膜４４、Ｓｉからなる薄膜４５、Ａｕ
からなる薄膜４６及びＳｉＮからなる保護膜４７を設け
たものである。各膜４２〜４７の厚さは、それぞれ１７
０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２
０ｎｍである。
【００２３】前記光記録媒体４０に対しては、ガラス基
板４１側から対物レンズ４９によって光ビームＬＢをウ
ィンドウ膜４３に集光させて情報を記録する。この光照
射によって、ウィンドウ膜４３を構成するＳｂが光の吸
収で発熱して溶解し、微小な光透過部４３ａが形成され
る。なお、光透過部４３ａは光照射時のみ形成され、非
照射時には可逆的に透過率が低下する。そして、光透過
部４３ａから近接場光が浸み出し、Ｓｉ−Ａｕ薄膜４
５，４６が高温に加熱されて相互拡散することで記録ピ
ット４８が形成される。記録ピット４８の熱−光学特性
は前記記録ピット６と同様である。従って、波長が４８
８ｎｍ及び６８０ｎｍの光ビームをウィンドウ膜４３に
集光させることで、記録ピット４８を透過した光ビーム
を前記光検出器３１，３２で検出すれば、その検出値の
差分をＳ／Ｎ比の良好な読取り信号として得ることがで
きる。
板４１側から対物レンズ４９によって光ビームＬＢをウ
ィンドウ膜４３に集光させて情報を記録する。この光照
射によって、ウィンドウ膜４３を構成するＳｂが光の吸
収で発熱して溶解し、微小な光透過部４３ａが形成され
る。なお、光透過部４３ａは光照射時のみ形成され、非
照射時には可逆的に透過率が低下する。そして、光透過
部４３ａから近接場光が浸み出し、Ｓｉ−Ａｕ薄膜４
５，４６が高温に加熱されて相互拡散することで記録ピ
ット４８が形成される。記録ピット４８の熱−光学特性
は前記記録ピット６と同様である。従って、波長が４８
８ｎｍ及び６８０ｎｍの光ビームをウィンドウ膜４３に
集光させることで、記録ピット４８を透過した光ビーム
を前記光検出器３１，３２で検出すれば、その検出値の
差分をＳ／Ｎ比の良好な読取り信号として得ることがで
きる。
【００２４】この読取りに際しては、図１に示したプロ
ーブ２０は不要であり、これに代えて対物レンズを設け
ればよい。
ーブ２０は不要であり、これに代えて対物レンズを設け
ればよい。
【００２５】なお、ウィンドウ膜４３としては、光照射
時のみ光透過部を形成する材料であれば、Ｓｂ以外の材
料を用いてもよい。
時のみ光透過部を形成する材料であれば、Ｓｂ以外の材
料を用いてもよい。
【００２６】次に、第２実施形態としての光読取り装置
５０を図６を参照して説明する。この読取り装置５０
は、光記録媒体１’からの反射光を検出して予め記録さ
れている情報を読み取るようにしたものである。即ち、
入射用の光学素子及びプローブは前記第１実施形態（図
１参照）と同様であり、同じ符号を付して示す。反射光
ＬＢ1’はハーフミラー１６、ダイクロイックミラー３
４を透過し、カップリングレンズ３５を介して光検出器
３１へ入射するように構成されている。反射光ＬＢ2’
はダイクロイックミラー３４で反射し、カップリングレ
ンズ３６を介して光検出器３２へ入射するように構成さ
れている。
５０を図６を参照して説明する。この読取り装置５０
は、光記録媒体１’からの反射光を検出して予め記録さ
れている情報を読み取るようにしたものである。即ち、
入射用の光学素子及びプローブは前記第１実施形態（図
１参照）と同様であり、同じ符号を付して示す。反射光
ＬＢ1’はハーフミラー１６、ダイクロイックミラー３
４を透過し、カップリングレンズ３５を介して光検出器
３１へ入射するように構成されている。反射光ＬＢ2’
はダイクロイックミラー３４で反射し、カップリングレ
ンズ３６を介して光検出器３２へ入射するように構成さ
れている。
【００２７】光記録媒体１’は、図７に示すように、ガ
ラス基板２上に、Ｓｉからなる薄膜４、Ａｕからなる薄
膜３及びＳｉＮからなる保護膜５を設けたものである。
各膜４，３，５の厚さは、それぞれ１０ｎｍ、２０ｎ
ｍ、２０ｎｍである。Ａｕ−Ｓｉ薄膜３，４は前述の如
く記録層として機能し、光を吸収することで発熱するＳ
ｉとＡｕとが相互拡散することで記録ピット６’が形成
される。
ラス基板２上に、Ｓｉからなる薄膜４、Ａｕからなる薄
膜３及びＳｉＮからなる保護膜５を設けたものである。
各膜４，３，５の厚さは、それぞれ１０ｎｍ、２０ｎ
ｍ、２０ｎｍである。Ａｕ−Ｓｉ薄膜３，４は前述の如
く記録層として機能し、光を吸収することで発熱するＳ
ｉとＡｕとが相互拡散することで記録ピット６’が形成
される。
【００２８】この記録ピット６’を形成するＡｕ−Ｓｉ
薄膜３，４は、図８に示す反射率特性を有しており、波
長４８８ｎｍの光に対しては２３０℃付近で反射率が急
激に減少し、波長６３２ｎｍの光に対しては２３０℃付
近で反射率が急激に増加する。従って、本光記録媒体
１’にあっては、Ａｕ−Ｓｉ薄膜３，４を４８８ｎｍと
６３２ｎｍの各波長の光に対して大きく異なる反射率を
有する約２３０℃以上の温度に局部的に加熱して記録ピ
ット６’を形成することで情報を記録する。勿論、前述
の光読取り装置５０を用いて光ビームを照射し、情報を
記録することも可能である。
薄膜３，４は、図８に示す反射率特性を有しており、波
長４８８ｎｍの光に対しては２３０℃付近で反射率が急
激に減少し、波長６３２ｎｍの光に対しては２３０℃付
近で反射率が急激に増加する。従って、本光記録媒体
１’にあっては、Ａｕ−Ｓｉ薄膜３，４を４８８ｎｍと
６３２ｎｍの各波長の光に対して大きく異なる反射率を
有する約２３０℃以上の温度に局部的に加熱して記録ピ
ット６’を形成することで情報を記録する。勿論、前述
の光読取り装置５０を用いて光ビームを照射し、情報を
記録することも可能である。
【００２９】読取りには前記光読取り装置５０を使用す
る。即ち、レーザ光源１１からは波長４８８ｎｍの光ビ
ームＬＢ1を放射し、レーザ光源１２からは波長６３２
ｎｍの光ビームＬＢ2を放射する。この光ビームＬＢ1，
ＬＢ2はプローブ２０の微小開口２３から近接場光とし
て浸み出し、Ａｕ−Ｓｉ薄膜３，４の同一スポットを照
射し、さらに元の伝搬光に変換されて反射する。この反
射光ＬＢ1’，ＬＢ2’がプローブ２０等を介して前記光
検出器３１，３２で検出されることになる。
る。即ち、レーザ光源１１からは波長４８８ｎｍの光ビ
ームＬＢ1を放射し、レーザ光源１２からは波長６３２
ｎｍの光ビームＬＢ2を放射する。この光ビームＬＢ1，
ＬＢ2はプローブ２０の微小開口２３から近接場光とし
て浸み出し、Ａｕ−Ｓｉ薄膜３，４の同一スポットを照
射し、さらに元の伝搬光に変換されて反射する。この反
射光ＬＢ1’，ＬＢ2’がプローブ２０等を介して前記光
検出器３１，３２で検出されることになる。
【００３０】記録ピット６’は波長の異なる光ビームＬ
Ｂ1，ＬＢ2に対して反射率が大きく異なるように形成さ
れているため、検出回路３７で反射光ＬＢ1’，ＬＢ2’
の検出値の差分を読取り信号とする。これにて、フォー
カシングやトラッキングの誤差などで生じる検出信号の
揺らぎに影響されることのないＳ／Ｎ比の良好な読取り
信号を得ることができる。
Ｂ1，ＬＢ2に対して反射率が大きく異なるように形成さ
れているため、検出回路３７で反射光ＬＢ1’，ＬＢ2’
の検出値の差分を読取り信号とする。これにて、フォー
カシングやトラッキングの誤差などで生じる検出信号の
揺らぎに影響されることのないＳ／Ｎ比の良好な読取り
信号を得ることができる。
【００３１】また、光記録媒体１’において、記録用薄
膜３，４はＡｕ，Ｓｉ以外の種々の材料を使用すること
ができるのは、前記光記録媒体１と同様である。
膜３，４はＡｕ，Ｓｉ以外の種々の材料を使用すること
ができるのは、前記光記録媒体１と同様である。
【００３２】なお、本発明に係る光読取り装置、光読取
り方法及び光記録媒体は前記実施形態に限定するもので
はなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができ
る。例えば、近接場光発生素子としては前記プローブ２
０以外にも、固浸レンズ、ファイバプローブを用いるこ
とができる。また、入射用光学系や、読取り用の光検出
光学系及び検出回路の構成は任意である。
り方法及び光記録媒体は前記実施形態に限定するもので
はなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができ
る。例えば、近接場光発生素子としては前記プローブ２
０以外にも、固浸レンズ、ファイバプローブを用いるこ
とができる。また、入射用光学系や、読取り用の光検出
光学系及び検出回路の構成は任意である。
【図１】第１実施形態としての光読取り装置を示す概略
構成図。
構成図。
【図２】図１に示されているプローブと光記録媒体の断
面図。
面図。
【図３】記録用薄膜の熱−光学特性（波長：４８８ｎ
ｍ）を示すグラフ。
ｍ）を示すグラフ。
【図４】記録用薄膜の熱−光学特性（波長：６８０ｎ
ｍ）を示すグラフ。
ｍ）を示すグラフ。
【図５】いま一つの光記録媒体の断面図。
【図６】第２実施形態としての光読取り装置を示す概略
構成図。
構成図。
【図７】図６に示されているプローブと光記録媒体の断
面図。
面図。
【図８】記録用薄膜の熱−光学特性（波長：４８８ｎ
ｍ、６３２ｎｍ）を示すグラフ。
ｍ、６３２ｎｍ）を示すグラフ。
１，１’，４０…光記録媒体 ３，４６…Ａｕ薄膜 ４，４５…Ｓｉ薄膜 ６，６’，４８…記録ピット １０，５０…光読取り装置 １１，１２…レーザ光源 １５…ダイクロイックミラー ２０…プローブ ３１，３２…光検出器 ３７…検出回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 富永 淳二 茨城県つくば市東一丁目１番地４ 工業技 術院産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 阿刀田 伸史 茨城県つくば市東一丁目１番地４ 工業技 術院産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 佐藤 彰 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 JB03 JB05 JB17 JB47 JC02 JC03 JC04 KA24 5D119 AA11 AA22 BA01 DA01 DA05 EB12 EC14 EC47 JA35
Claims (4)
- 【請求項１】 近接場光発生素子と、 互いに波長の異なる第１の光ビーム及び第２の光ビーム
を放射する第１及び第２の光源と、 前記第１及び第２の光ビームを前記近接場光発生素子に
入射させる光学手段と、 前記近接場光発生素子から浸み出して光記録媒体を透過
又は光記録媒体で反射した第１及び第２の光ビームを検
出する第１及び第２の光検出器と、 前記第１及び第２の検出器による検出値の差分を読取り
信号とする検出手段と、 を備えたことを特徴とする光読取り装置。 - 【請求項２】 前記近接場光発生素子は微小開口又は微
小光透過部を有するプローブであることを特徴とする請
求項１記載の光読取り装置。 - 【請求項３】 互いに波長の異なる第１及び第２の光ビ
ームを近接場光発生素子に入射させ、 前記近接場光発生素子から浸み出して光記録媒体を透過
又は光記録媒体で反射した第１及び第２の光ビームを検
出し、該検出値の差分を読取り信号とすること、 を特徴とする光読取り方法。 - 【請求項４】 金属からなる膜と光吸収性の大きな材料
からなる膜との多層記録層を備えた光記録媒体であっ
て、前記多層記録層上に光ビームを集光させることによ
って近接場光を発生させる微小光透過部を形成する薄膜
を備えたことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11023968A JP2000222764A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | 光読取り装置、光読取り方法及び光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11023968A JP2000222764A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | 光読取り装置、光読取り方法及び光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000222764A true JP2000222764A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12125361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11023968A Pending JP2000222764A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | 光読取り装置、光読取り方法及び光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000222764A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025924A1 (fr) * | 2001-09-13 | 2003-03-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US7385893B2 (en) | 2001-12-28 | 2008-06-10 | Tdk Corporation | Method for forming marks on write-once medium than applying second beam with power level lower than read power set for a predetermined time |
| US7781146B2 (en) | 2002-11-22 | 2010-08-24 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
-
1999
- 1999-02-01 JP JP11023968A patent/JP2000222764A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025924A1 (fr) * | 2001-09-13 | 2003-03-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US7236440B2 (en) | 2001-09-13 | 2007-06-26 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US7385893B2 (en) | 2001-12-28 | 2008-06-10 | Tdk Corporation | Method for forming marks on write-once medium than applying second beam with power level lower than read power set for a predetermined time |
| US7781146B2 (en) | 2002-11-22 | 2010-08-24 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050622 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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