JP2000215501A - 光ヘッド、光ディスク装置、および光ヘッドの製造方法 - Google Patents
光ヘッド、光ディスク装置、および光ヘッドの製造方法Info
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- JP2000215501A JP2000215501A JP11014317A JP1431799A JP2000215501A JP 2000215501 A JP2000215501 A JP 2000215501A JP 11014317 A JP11014317 A JP 11014317A JP 1431799 A JP1431799 A JP 1431799A JP 2000215501 A JP2000215501 A JP 2000215501A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で、高記録密度化を可能とし、色収差の
発生防止を図った光ヘッド、光ディスク装置、および光
ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ2から出射されたレーザビ
ーム3aはコリメータレンズ4によって平行ビーム3b
に整形され、集光レンズ4’によって集光ビーム3b’
として集光され、透明集光用媒体6の入射面6aに垂直
に入射する。入射面6aから入射した集光ビーム3b’
は、第1の焦点Faに集光された後、遮光反射膜7Bに
よって反射面6bに向けて反射され、反射膜7Aにより
反射されてスポット形成面6c上の第2の焦点Fbに集
光され、光スポット9aを形成する。この光スポット9
aに集光された光は、スポット形成面6cからピンホー
ル7aを通って近接場光9bとして透明集光用媒体6の
外部に滲み出す。この近接場光9bにより、光ディスク
8の記録層8aを照射することにより、記録・再生がな
される。
発生防止を図った光ヘッド、光ディスク装置、および光
ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ2から出射されたレーザビ
ーム3aはコリメータレンズ4によって平行ビーム3b
に整形され、集光レンズ4’によって集光ビーム3b’
として集光され、透明集光用媒体6の入射面6aに垂直
に入射する。入射面6aから入射した集光ビーム3b’
は、第1の焦点Faに集光された後、遮光反射膜7Bに
よって反射面6bに向けて反射され、反射膜7Aにより
反射されてスポット形成面6c上の第2の焦点Fbに集
光され、光スポット9aを形成する。この光スポット9
aに集光された光は、スポット形成面6cからピンホー
ル7aを通って近接場光9bとして透明集光用媒体6の
外部に滲み出す。この近接場光9bにより、光ディスク
8の記録層8aを照射することにより、記録・再生がな
される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、近接場光を利用し
た光ヘッド、光ディスク装置および光ヘッドの製造方法
に関し、特に、小型で、高記録密度化を可能とし、色収
差の発生防止を図った光ヘッド、光ディスク装置および
光ヘッドの製造方法に関する。
た光ヘッド、光ディスク装置および光ヘッドの製造方法
に関し、特に、小型で、高記録密度化を可能とし、色収
差の発生防止を図った光ヘッド、光ディスク装置および
光ヘッドの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスク装置においては、光ディスク
はコンパクトディスク(CD)からディジタルビデオデ
ィスク(DVD)へと高密度・大容量化が進められてい
るが、コンピュータの高性能化やディスプレイ装置の高
精細化に伴い、ますます大容量化が求められている。
はコンパクトディスク(CD)からディジタルビデオデ
ィスク(DVD)へと高密度・大容量化が進められてい
るが、コンピュータの高性能化やディスプレイ装置の高
精細化に伴い、ますます大容量化が求められている。
【0003】光ディスクの記録密度は、基本的には記録
媒体上に形成される光スポットの径で抑えられる。近
年、光スポット径を小さくする技術として顕微鏡の近接
場光の技術が光記録に応用されている。この近接場光を
用いた従来の光ディスク装置としては、例えば、文献
(Jpn.J.Appl.Phys.,Vo1.35
(1996)P.443)、米国特許公報USP549
7359、および文献「Technical Digest of Data Sto
rage,('98)P.137 」に記載されたものがある。
媒体上に形成される光スポットの径で抑えられる。近
年、光スポット径を小さくする技術として顕微鏡の近接
場光の技術が光記録に応用されている。この近接場光を
用いた従来の光ディスク装置としては、例えば、文献
(Jpn.J.Appl.Phys.,Vo1.35
(1996)P.443)、米国特許公報USP549
7359、および文献「Technical Digest of Data Sto
rage,('98)P.137 」に記載されたものがある。
【0004】図16(a) ,(b) は、文献(Jpn.J.
Appl.Phys.,VOL.35(1996)P.
443)に記載された光ディスク装置を示す。この光デ
ィスク装置190は、同図(a) に示すように、レーザ光
191aを出射する半導体レーザ191と、半導体レー
ザ191からのレーザ光191aを平行ビーム191b
に整形するカプリングレンズ192と、入射端193a
から出射端193bに向かって細くなるようにテーパ状
に研磨された光ファイバ193を有し、カプリングレン
ズ192からの平行ビーム191bを入射端193aか
ら導入するプローブ194と、光ファイバ193の出射
端193bから漏れ出す近接場光191cによって記録
される記録媒体195とを有する。
Appl.Phys.,VOL.35(1996)P.
443)に記載された光ディスク装置を示す。この光デ
ィスク装置190は、同図(a) に示すように、レーザ光
191aを出射する半導体レーザ191と、半導体レー
ザ191からのレーザ光191aを平行ビーム191b
に整形するカプリングレンズ192と、入射端193a
から出射端193bに向かって細くなるようにテーパ状
に研磨された光ファイバ193を有し、カプリングレン
ズ192からの平行ビーム191bを入射端193aか
ら導入するプローブ194と、光ファイバ193の出射
端193bから漏れ出す近接場光191cによって記録
される記録媒体195とを有する。
【0005】記録媒体195は、相変化媒体のGeSb
Teからなる記録層195aを有し、近接場光191c
が入射されることによって加熱され、結晶/アモルファ
ス間の相変化を引き起こし、両者間の反射率変化を用い
て記録されるものである。
Teからなる記録層195aを有し、近接場光191c
が入射されることによって加熱され、結晶/アモルファ
ス間の相変化を引き起こし、両者間の反射率変化を用い
て記録されるものである。
【0006】光ラァイバ193は、入射端193aが直
径10μm、出射端193bが直径50nmに加工さ
れ、クラッド194aを介してアルミニウム等の金属膜
194bでコーティングされており、出射端193b以
外への光の漏れ出しを防いでいる。近接場光191cの
直径は、出射端193bの直径と同程度となるため、十
GB/inch2 の高記録密度が可能となる。
径10μm、出射端193bが直径50nmに加工さ
れ、クラッド194aを介してアルミニウム等の金属膜
194bでコーティングされており、出射端193b以
外への光の漏れ出しを防いでいる。近接場光191cの
直径は、出射端193bの直径と同程度となるため、十
GB/inch2 の高記録密度が可能となる。
【0007】再生には,同図(b) に示すように、記録時
と同様の光ヘッドを用いて、相変化を引き起こさない程
度の低パワーの近接場光191cを記録層195aに照
射し、そこからの反射光191dを集光レンズ196に
より光電子増倍管(以下「フォトマル」と略称する。)
197に集光して検出することにより行う。
と同様の光ヘッドを用いて、相変化を引き起こさない程
度の低パワーの近接場光191cを記録層195aに照
射し、そこからの反射光191dを集光レンズ196に
より光電子増倍管(以下「フォトマル」と略称する。)
197に集光して検出することにより行う。
【0008】図17は、米国特許公報USP54973
59に記載された光ディスク装置の光ヘッドを示す。こ
の光ヘッド50は、平行光51を集光する対物レンズ5
2と、この対物レンズ52からの収束光53に対して底
面54aが直交するように配置された裁底球状のSIL
(Solid Immersion Lens)54とを有する。平行光51
を対物レンズ52によって収束させ、その収東光53を
球面状の入射面54bに入射させると、収束光53は入
射面54bで屈折して底面54aに集光し、底面54a
に光スポット55が形成される。SIL54内部では、
光の波長はSIL54の屈折率に逆比例して短くなるた
め、光スポット55もそれに比例して小さくなる。この
光スポット55に集光された光の大半は入射面54bに
向かって全反射されるが、その一部は光スポット55か
らSIL54の外部に近接場光57として滲み出す。底
面54aから光の波長より十分小さい距離にSIL54
と同程度の屈折率を有する記録媒体56を配置すると、
近接場光57が記録媒体56とカップルして記録媒体5
6内を伝播する伝播光となる。この伝播光によって、記
録媒体56に情報が記録される。
59に記載された光ディスク装置の光ヘッドを示す。こ
の光ヘッド50は、平行光51を集光する対物レンズ5
2と、この対物レンズ52からの収束光53に対して底
面54aが直交するように配置された裁底球状のSIL
(Solid Immersion Lens)54とを有する。平行光51
を対物レンズ52によって収束させ、その収東光53を
球面状の入射面54bに入射させると、収束光53は入
射面54bで屈折して底面54aに集光し、底面54a
に光スポット55が形成される。SIL54内部では、
光の波長はSIL54の屈折率に逆比例して短くなるた
め、光スポット55もそれに比例して小さくなる。この
光スポット55に集光された光の大半は入射面54bに
向かって全反射されるが、その一部は光スポット55か
らSIL54の外部に近接場光57として滲み出す。底
面54aから光の波長より十分小さい距離にSIL54
と同程度の屈折率を有する記録媒体56を配置すると、
近接場光57が記録媒体56とカップルして記録媒体5
6内を伝播する伝播光となる。この伝播光によって、記
録媒体56に情報が記録される。
【0009】SIL54を平行光51が半球面54bの
中心54cからr/n(rはSILの半径)の位置に集
光するような構成にすることにより(これをSuper
SIL構造と称する。)、SIL54による球面収差
が小さく、かつ、SIL54内部での開口数を上げるこ
とができ、さらに光スポット55の微小化を図ることが
可能になる。すなわち、光スポット55は次式のように
微小化される。 D1/2 =kλ/(n・NAi)=kλ/(n2 ・NA
o) ここに、k:光ビームの強度分布に依存する比例常数
(通常0.5程度) λ:光ビームの波長 n:SIL54の屈折率 NAi:SIL54内部での開口数 NAo:SIL54への入射光の開口数 平行光51が光路上で吸収されることなく光スポット5
5として集光されるため、高い光利用効率が得られる。
この結果、比較的低出力の光源を用いることができ、ホ
トマルを用いなくても反射光の検出を行うことができ
る。
中心54cからr/n(rはSILの半径)の位置に集
光するような構成にすることにより(これをSuper
SIL構造と称する。)、SIL54による球面収差
が小さく、かつ、SIL54内部での開口数を上げるこ
とができ、さらに光スポット55の微小化を図ることが
可能になる。すなわち、光スポット55は次式のように
微小化される。 D1/2 =kλ/(n・NAi)=kλ/(n2 ・NA
o) ここに、k:光ビームの強度分布に依存する比例常数
(通常0.5程度) λ:光ビームの波長 n:SIL54の屈折率 NAi:SIL54内部での開口数 NAo:SIL54への入射光の開口数 平行光51が光路上で吸収されることなく光スポット5
5として集光されるため、高い光利用効率が得られる。
この結果、比較的低出力の光源を用いることができ、ホ
トマルを用いなくても反射光の検出を行うことができ
る。
【0010】図19は、反射集光面を主に用いて集光す
る手段として、文献「Technical Digest of Data Stora
ge,('98)P.137 」に示されたカタデイオプテイク型の光
ヘッドを示す。この光ヘッドは、平行レーザビーム2b
が入射する凹球面状の入射面101a、入射面101a
に対向する位置に設けられた集光面101b、集光面1
01bの周囲に設けられた平面状反射面101c、およ
び入射面101aの周囲に形成された非球面状反射面1
01dを有する透明集光用媒体101と、平面状反射面
101cの表面に形成された平面状反射膜102と、非
球面状反射面101dの表面に形成された非球面状反射
膜103とを有する。このように構成された光ヘッドに
おいて、平行レーザビーム2bが透明集光用媒体101
の入射面101aに入射すると、入射面101aに入射
した平行レーザビーム2bは、入射面101aで拡散さ
れ、その拡散光2dは、平面状反射謨102で反射し、
その反射光2eは、非球面状反射膜103でさらに反射
して集光面101bに集光し、集光面101bに光スポ
ット9aが形成される。集光面101bから滲み出す近
接場光9bによって光ディスク8の記録層8aへの記録
および読み出しが可能になる。この透明集光用媒体10
1の平面状反射面101cの開口数NAは、0.8程
度、透明集光用媒体101の屈折率は1.83であり、
透明集光用媒体101内部でのNAは約1.5が可能に
なる。
る手段として、文献「Technical Digest of Data Stora
ge,('98)P.137 」に示されたカタデイオプテイク型の光
ヘッドを示す。この光ヘッドは、平行レーザビーム2b
が入射する凹球面状の入射面101a、入射面101a
に対向する位置に設けられた集光面101b、集光面1
01bの周囲に設けられた平面状反射面101c、およ
び入射面101aの周囲に形成された非球面状反射面1
01dを有する透明集光用媒体101と、平面状反射面
101cの表面に形成された平面状反射膜102と、非
球面状反射面101dの表面に形成された非球面状反射
膜103とを有する。このように構成された光ヘッドに
おいて、平行レーザビーム2bが透明集光用媒体101
の入射面101aに入射すると、入射面101aに入射
した平行レーザビーム2bは、入射面101aで拡散さ
れ、その拡散光2dは、平面状反射謨102で反射し、
その反射光2eは、非球面状反射膜103でさらに反射
して集光面101bに集光し、集光面101bに光スポ
ット9aが形成される。集光面101bから滲み出す近
接場光9bによって光ディスク8の記録層8aへの記録
および読み出しが可能になる。この透明集光用媒体10
1の平面状反射面101cの開口数NAは、0.8程
度、透明集光用媒体101の屈折率は1.83であり、
透明集光用媒体101内部でのNAは約1.5が可能に
なる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光ディ
スク装置190によると、記録媒体上に数十nm程度の
微小の光スポットを形成できるが、光ファイバ193は
テーパ状であるため、光ファイバ193に入射したレー
ザの一部が内部に吸収され、光利用効率が1/1000
以下と低くなるという問題がある。このため、反射光1
91dの検出にフォトマル197を使用せざるを得ず、
光ヘッド部が大型で高価となる。また、フォトマル19
7の応答速度が遅く、光ヘッド部が重いため、高速のト
ラッキングができない。従って、光ディスクを高速回転
させることができないので転送レートが低い等の多く問
題があり、実用化には多くの改良を必要とする。
スク装置190によると、記録媒体上に数十nm程度の
微小の光スポットを形成できるが、光ファイバ193は
テーパ状であるため、光ファイバ193に入射したレー
ザの一部が内部に吸収され、光利用効率が1/1000
以下と低くなるという問題がある。このため、反射光1
91dの検出にフォトマル197を使用せざるを得ず、
光ヘッド部が大型で高価となる。また、フォトマル19
7の応答速度が遅く、光ヘッド部が重いため、高速のト
ラッキングができない。従って、光ディスクを高速回転
させることができないので転送レートが低い等の多く問
題があり、実用化には多くの改良を必要とする。
【0012】図18は、図17に示す従来の光ヘッド5
0の問題点を説明するための図で、鈴木氏がAsia―
Pasific Data Storage Conf
erence(Taiwan、’97.7.)の#OC
−1において解析したものであり、SIL54の屈折率
nとNAoの関係を示す。SIL54への入射光のN
A、すなわち入射角θの最大値θmaxとSIL54の
屈折率nには相反関係があり、両者を独立に大きくでき
る訳ではない。同図から分かるように、SIL54の屈
折率nを上げて行くと、入射光のNAoの採り得る最大
値NAomaxは次第に小さくなる。これは、最大値N
Aomax以上にNAoが増加して入射角がさらに大き
くなると、その光はSIL54を通らずに直接記録媒体
56に入射するため、記録媒体56の位置における光ス
ポット55が却って広がるからである。例えば、屈折率
n=2のとき、NAomaxは0.44であり、両者の
積n・NAomaxは、両者のどのような組合せでも
0.8〜0.9までである。これは理論限界であり、実
際にはそれよりもさらに小さな値(0.7〜0.8)と
なる。
0の問題点を説明するための図で、鈴木氏がAsia―
Pasific Data Storage Conf
erence(Taiwan、’97.7.)の#OC
−1において解析したものであり、SIL54の屈折率
nとNAoの関係を示す。SIL54への入射光のN
A、すなわち入射角θの最大値θmaxとSIL54の
屈折率nには相反関係があり、両者を独立に大きくでき
る訳ではない。同図から分かるように、SIL54の屈
折率nを上げて行くと、入射光のNAoの採り得る最大
値NAomaxは次第に小さくなる。これは、最大値N
Aomax以上にNAoが増加して入射角がさらに大き
くなると、その光はSIL54を通らずに直接記録媒体
56に入射するため、記録媒体56の位置における光ス
ポット55が却って広がるからである。例えば、屈折率
n=2のとき、NAomaxは0.44であり、両者の
積n・NAomaxは、両者のどのような組合せでも
0.8〜0.9までである。これは理論限界であり、実
際にはそれよりもさらに小さな値(0.7〜0.8)と
なる。
【0013】このSuper SILによる集光実験に
ついては、B.D.Terris他がAppl.Phy
s.Lett.,Vo1.68,(’96),P.14
1.において報告している。この報告によると、屈折率
n=1.83のSuperSILを対物レンズと記録媒
体の間に置き、波長0.83μmのレーザ光を集光する
ことにより0.317μmの光スポット径を得ている。
すなわち、D1/2 =λ/2.3相当の集光を達成してい
るが、この場合のNAは0.4、n・NAmaxは0.
73程度である。また、この系を用いて従来の数倍程度
の記録密度0.38×Gbits/cm2 の可能性を検
証している。
ついては、B.D.Terris他がAppl.Phy
s.Lett.,Vo1.68,(’96),P.14
1.において報告している。この報告によると、屈折率
n=1.83のSuperSILを対物レンズと記録媒
体の間に置き、波長0.83μmのレーザ光を集光する
ことにより0.317μmの光スポット径を得ている。
すなわち、D1/2 =λ/2.3相当の集光を達成してい
るが、この場合のNAは0.4、n・NAmaxは0.
73程度である。また、この系を用いて従来の数倍程度
の記録密度0.38×Gbits/cm2 の可能性を検
証している。
【0014】すなわち、従来の光ヘッド50によると、
光利用効率は高いが、SILの屈折率nと最大NAom
axとに相反関係があるため、両者の積n・NAoma
xの理論限界は0.8〜0.9であり、実際には0.7
〜0.8に抑えられ、波長400nmのレーザ光を使用
しても光スポットはせいぜい直径0.2μm程度までし
か絞れず、プローブ194を用いて集光する従来例に比
べて光スポット径が数倍以上大きく、高記録密度化が図
れないという問題がある。
光利用効率は高いが、SILの屈折率nと最大NAom
axとに相反関係があるため、両者の積n・NAoma
xの理論限界は0.8〜0.9であり、実際には0.7
〜0.8に抑えられ、波長400nmのレーザ光を使用
しても光スポットはせいぜい直径0.2μm程度までし
か絞れず、プローブ194を用いて集光する従来例に比
べて光スポット径が数倍以上大きく、高記録密度化が図
れないという問題がある。
【0015】また、図19に示す従来の光ヘッドによる
と、平行レーザビーム2bを光ディスク面に垂直方向か
ら入射するため、光ヘッドの高さが高くなり、小型化で
きないという問題がある。また、入射面101aで入射
光を屈折させるため、従来例2と同様に色収差が発生し
て焦点がずれるので、自動焦点制御が必要になるという
問題がある。
と、平行レーザビーム2bを光ディスク面に垂直方向か
ら入射するため、光ヘッドの高さが高くなり、小型化で
きないという問題がある。また、入射面101aで入射
光を屈折させるため、従来例2と同様に色収差が発生し
て焦点がずれるので、自動焦点制御が必要になるという
問題がある。
【0016】従って、本発明の目的は、小型で、高記録
密度化を可能とし、色収差の発生防止を図った光ヘッ
ド、光ディスク装置、および光ヘッドの製造方法を提供
することにある。
密度化を可能とし、色収差の発生防止を図った光ヘッ
ド、光ディスク装置、および光ヘッドの製造方法を提供
することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、レーザ光を集光して光スポットを形成する
光ヘッドにおいて、前記レーザ光を出射するレーザ光出
射手段と、前記レーザ光出射手段からの前記レーザ光を
集光する集光手段と、前記集光手段によって前記レーザ
光が集光された第1の点と前記光スポットが形成される
第2の点とを2焦点とする回転楕円面の一部からなり外
側に反射体が形成された反射面、前記レーザ光出射手段
からの前記レーザ光が入射される入射面、および前記光
スポットが形成されるスポット形成面を有し、前記集光
手段によって集光され、前記第1の点で反射あるいは屈
折して前記反射面に向かう前記レーザ光を前記反射体で
反射させて前記スポット形成面上の前記第2の点に前記
光スポットを形成する透明集光用媒体と、前記光スポッ
トを遮る位置に、前記光スポットより径が小なる微小孔
を有して前記透明集光用媒体の前記スポット形成面の表
面に設けられた遮光膜とを備えたことを特徴とする光ヘ
ッドを提供する。上記構成によれば、回転楕円面の一部
からなる反射面は、集光手段からのレーザ光の光軸をほ
ぼ垂直に曲げることが可能であるため、集光手段の光軸
をスポット形成面にほぼ平行に配置することが可能にな
り、高さ方向が小型になる。また、反射面で反射するレ
ーザ光の半頂角は、集光手段によって第1の点に集光さ
れるレーザ光の半頂角より増大させることが可能になる
ため、スポット形成面上に形成される光スポットの微小
化が可能になる。スポット形成面上に形成される光スポ
ットを微小孔を有する遮光膜によって遮光することによ
り、スポット形成面上に形成される光スポットより微小
の近接場光スポットが得られる。
成するため、レーザ光を集光して光スポットを形成する
光ヘッドにおいて、前記レーザ光を出射するレーザ光出
射手段と、前記レーザ光出射手段からの前記レーザ光を
集光する集光手段と、前記集光手段によって前記レーザ
光が集光された第1の点と前記光スポットが形成される
第2の点とを2焦点とする回転楕円面の一部からなり外
側に反射体が形成された反射面、前記レーザ光出射手段
からの前記レーザ光が入射される入射面、および前記光
スポットが形成されるスポット形成面を有し、前記集光
手段によって集光され、前記第1の点で反射あるいは屈
折して前記反射面に向かう前記レーザ光を前記反射体で
反射させて前記スポット形成面上の前記第2の点に前記
光スポットを形成する透明集光用媒体と、前記光スポッ
トを遮る位置に、前記光スポットより径が小なる微小孔
を有して前記透明集光用媒体の前記スポット形成面の表
面に設けられた遮光膜とを備えたことを特徴とする光ヘ
ッドを提供する。上記構成によれば、回転楕円面の一部
からなる反射面は、集光手段からのレーザ光の光軸をほ
ぼ垂直に曲げることが可能であるため、集光手段の光軸
をスポット形成面にほぼ平行に配置することが可能にな
り、高さ方向が小型になる。また、反射面で反射するレ
ーザ光の半頂角は、集光手段によって第1の点に集光さ
れるレーザ光の半頂角より増大させることが可能になる
ため、スポット形成面上に形成される光スポットの微小
化が可能になる。スポット形成面上に形成される光スポ
ットを微小孔を有する遮光膜によって遮光することによ
り、スポット形成面上に形成される光スポットより微小
の近接場光スポットが得られる。
【0018】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光を集光して光スポットを形成する光ヘッドを有し、
回転する光ディスク上の記録トラックに対し、前記光ス
ポットに基づいて情報の記録あるいは再生を行う光ディ
スク装置において、前記光ヘッドは、前記レーザ光を出
射するレーザ光出射手段と、前記レーザ光出射手段から
の前記レーザ光を集光する集光手段と、前記集光手段に
よって前記レーザ光が集光される第1の点と前記光スポ
ットが形成される第2の点とを2焦点とする回転楕円面
の一部からなり外側に反射体が形成された反射面、前記
レーザ光出射手段からの前記レーザ光が入射される入射
面、および前記光スポットが形成されるスポット形成面
を有し、前記集光手段によって集光され、前記第1の点
で反射あるいは屈折して前記反射面に向かうレーザ光を
前記反射体で反射させて前記スポット形成面上の前記第
2の点に前記光スポットを形成する透明集光用媒体と、
前記光スポットを遮る位置に、前記光スポットより径が
小なる微小孔を有して前記透明集光用媒体の前記スポッ
ト形成面の表面に設けられた遮光膜とを備えたことを特
徴とする光ディスク装置を提供する。上記構成によれ
ば、回転楕円面の一部からなる反射面は、集光手段から
のレーザ光の光軸をほぼ垂直に曲げることが可能である
ため、集光手段の光軸をスポット形成面にほぼ平行に配
置することが可能になり、高さ方向が小型になり、光デ
ィスク装置の小型化が図れる。また、反射面で反射する
レーザ光の半頂角は、集光手段によって第1の点に集光
されるレーザ光の半頂角より増大させることが可能にな
るため、スポット形成面上に形成される光スポットの微
小化が可能になる。スポット形成面上に形成される光ス
ポットを微小孔を有する遮光膜によって遮光することに
より、スポット形成面上に形成される光スポットより微
小の近接場光スポットが得られる。
ザ光を集光して光スポットを形成する光ヘッドを有し、
回転する光ディスク上の記録トラックに対し、前記光ス
ポットに基づいて情報の記録あるいは再生を行う光ディ
スク装置において、前記光ヘッドは、前記レーザ光を出
射するレーザ光出射手段と、前記レーザ光出射手段から
の前記レーザ光を集光する集光手段と、前記集光手段に
よって前記レーザ光が集光される第1の点と前記光スポ
ットが形成される第2の点とを2焦点とする回転楕円面
の一部からなり外側に反射体が形成された反射面、前記
レーザ光出射手段からの前記レーザ光が入射される入射
面、および前記光スポットが形成されるスポット形成面
を有し、前記集光手段によって集光され、前記第1の点
で反射あるいは屈折して前記反射面に向かうレーザ光を
前記反射体で反射させて前記スポット形成面上の前記第
2の点に前記光スポットを形成する透明集光用媒体と、
前記光スポットを遮る位置に、前記光スポットより径が
小なる微小孔を有して前記透明集光用媒体の前記スポッ
ト形成面の表面に設けられた遮光膜とを備えたことを特
徴とする光ディスク装置を提供する。上記構成によれ
ば、回転楕円面の一部からなる反射面は、集光手段から
のレーザ光の光軸をほぼ垂直に曲げることが可能である
ため、集光手段の光軸をスポット形成面にほぼ平行に配
置することが可能になり、高さ方向が小型になり、光デ
ィスク装置の小型化が図れる。また、反射面で反射する
レーザ光の半頂角は、集光手段によって第1の点に集光
されるレーザ光の半頂角より増大させることが可能にな
るため、スポット形成面上に形成される光スポットの微
小化が可能になる。スポット形成面上に形成される光ス
ポットを微小孔を有する遮光膜によって遮光することに
より、スポット形成面上に形成される光スポットより微
小の近接場光スポットが得られる。
【0019】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光を集光して光スポットを形成する光ヘッドと、同軸
上に所定の間隔を有して配置された回転する複数の光デ
ィスクとを有し、前記複数の光ディスク上の記録トラッ
クに対し、前記光スポットに基づいて記録あるいは再生
を行う光ディスク装置において、前記光ヘッドは、前記
レーザ光を出射するレーザ光出射手段と、前記レーザ光
出射手段からの前記レーザ光を集光する集光手段と、前
記集光手段によって前記レーザ光が集光される第1の点
と前記光スポットが形成される第2の点とを2焦点とす
る回転楕円面の一部からなり外側に反射体が形成された
反射面、前記レーザ光出射手段からの前記レーザ光が入
射される入射面、および前記光スポットが形成されるス
ポット形成面を有し、前記集光手段によって集光され、
前記第1の点で反射あるいは屈折して前記反射面に向か
うレーザ光を前記反射体で反射させて前記スポット形成
面上の前記第2の点に前記光スポットを形成する透明集
光用媒体と、前記光スポットを遮る位置に、前記光スポ
ットより径が小なる微小孔を有して前記透明集光用媒体
の前記スポット形成面の表面に設けられた遮光膜とを備
えたことを特徴とする光ディスク装置を提供する。上記
構成によれば、回転楕円面の一部からなる反射面は、集
光手段からのレーザ光の光軸をほぼ垂直に曲げることが
可能であるため、集光手段の光軸をスポット形成面にほ
ぼ平行に配置することが可能になり、高さ方向が小型に
なり、光ディスクの間隔を小さくできる。また、反射面
で反射するレーザ光の半頂角は、集光手段によって第1
の点に集光されるレーザ光の半頂角より増大させること
が可能になるため、スポット形成面上に形成される光ス
ポットの微小化が可能になる。スポット形成面上に形成
される光スポットを微小孔を有する遮光膜によって遮光
することにより、スポット形成面上に形成される光スポ
ットより微小の近接場光スポットが得られる。
ザ光を集光して光スポットを形成する光ヘッドと、同軸
上に所定の間隔を有して配置された回転する複数の光デ
ィスクとを有し、前記複数の光ディスク上の記録トラッ
クに対し、前記光スポットに基づいて記録あるいは再生
を行う光ディスク装置において、前記光ヘッドは、前記
レーザ光を出射するレーザ光出射手段と、前記レーザ光
出射手段からの前記レーザ光を集光する集光手段と、前
記集光手段によって前記レーザ光が集光される第1の点
と前記光スポットが形成される第2の点とを2焦点とす
る回転楕円面の一部からなり外側に反射体が形成された
反射面、前記レーザ光出射手段からの前記レーザ光が入
射される入射面、および前記光スポットが形成されるス
ポット形成面を有し、前記集光手段によって集光され、
前記第1の点で反射あるいは屈折して前記反射面に向か
うレーザ光を前記反射体で反射させて前記スポット形成
面上の前記第2の点に前記光スポットを形成する透明集
光用媒体と、前記光スポットを遮る位置に、前記光スポ
ットより径が小なる微小孔を有して前記透明集光用媒体
の前記スポット形成面の表面に設けられた遮光膜とを備
えたことを特徴とする光ディスク装置を提供する。上記
構成によれば、回転楕円面の一部からなる反射面は、集
光手段からのレーザ光の光軸をほぼ垂直に曲げることが
可能であるため、集光手段の光軸をスポット形成面にほ
ぼ平行に配置することが可能になり、高さ方向が小型に
なり、光ディスクの間隔を小さくできる。また、反射面
で反射するレーザ光の半頂角は、集光手段によって第1
の点に集光されるレーザ光の半頂角より増大させること
が可能になるため、スポット形成面上に形成される光ス
ポットの微小化が可能になる。スポット形成面上に形成
される光スポットを微小孔を有する遮光膜によって遮光
することにより、スポット形成面上に形成される光スポ
ットより微小の近接場光スポットが得られる。
【0020】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光が集光される点と前記レーザ光によって光スポット
が形成される点とを2焦点とする略回転楕円体状を有
し、前記光スポットが形成されるスポット形成面を備え
た透明集光用媒体を準備し、前記透明集光用媒体の前記
スポット形成面に前記光スポットの径より寸法が小なる
外径を有するホトレジスト層を形成し、前記透明集光用
媒体の前記スポット形成面の前記ホトレジスト層の存在
しない領域を前記レーザ光の波長以下の所定の深さでエ
ッチングによって除去することにより凹部を形成し、前
記凹部に遮光材料を堆積させて前記外径に対応する開口
を有した遮光膜を形成することを特徴とする光ヘッドの
製造方法を提供する。上記構成によれば、ホトリソグラ
フィー法によってスポット形成面上に形成される光スポ
ットより小なる外径の開口を有する遮光膜を形成でき
る。
ザ光が集光される点と前記レーザ光によって光スポット
が形成される点とを2焦点とする略回転楕円体状を有
し、前記光スポットが形成されるスポット形成面を備え
た透明集光用媒体を準備し、前記透明集光用媒体の前記
スポット形成面に前記光スポットの径より寸法が小なる
外径を有するホトレジスト層を形成し、前記透明集光用
媒体の前記スポット形成面の前記ホトレジスト層の存在
しない領域を前記レーザ光の波長以下の所定の深さでエ
ッチングによって除去することにより凹部を形成し、前
記凹部に遮光材料を堆積させて前記外径に対応する開口
を有した遮光膜を形成することを特徴とする光ヘッドの
製造方法を提供する。上記構成によれば、ホトリソグラ
フィー法によってスポット形成面上に形成される光スポ
ットより小なる外径の開口を有する遮光膜を形成でき
る。
【0021】
【発明の実施の形態】図1(a) ,(b) は、本発明の第1
の実施の形態に係る光ヘッドを示す。この光ヘッド1
は、レーザビーム3aを出射する半導体レーザ2と、半
導体レーザ2の出力光3aを平行ビーム3bに整形する
コリメータレンズ4と、平行ビーム3bを集光する集光
レンズ4’と、集光レンズ4’から集光ビーム3cが入
射される略半回転楕円体状の透明集光用媒体6とを有す
る。
の実施の形態に係る光ヘッドを示す。この光ヘッド1
は、レーザビーム3aを出射する半導体レーザ2と、半
導体レーザ2の出力光3aを平行ビーム3bに整形する
コリメータレンズ4と、平行ビーム3bを集光する集光
レンズ4’と、集光レンズ4’から集光ビーム3cが入
射される略半回転楕円体状の透明集光用媒体6とを有す
る。
【0022】透明集光用媒体6は、集光レンズ4’から
集光ビーム3cが入射される入射面6aと、回転楕円面
の一部から形成された反射面6bと、回転楕円面の第1
および第2の焦点Fa,Fbを有するスポット形成面6
cとを有する。透明集光用媒体6の反射面6bの表面に
は、反射膜7Aが被着され、スポット形成面6c上の表
面には、光ディスク8上のトラック方向Xに直交する方
向Yのピンホール7aを有する遮光反射膜7Bが被着さ
れている。入射面6aは、曲率中心を第1の焦点Faと
一致させた凸球面状に形成されている。
集光ビーム3cが入射される入射面6aと、回転楕円面
の一部から形成された反射面6bと、回転楕円面の第1
および第2の焦点Fa,Fbを有するスポット形成面6
cとを有する。透明集光用媒体6の反射面6bの表面に
は、反射膜7Aが被着され、スポット形成面6c上の表
面には、光ディスク8上のトラック方向Xに直交する方
向Yのピンホール7aを有する遮光反射膜7Bが被着さ
れている。入射面6aは、曲率中心を第1の焦点Faと
一致させた凸球面状に形成されている。
【0023】図2は、透明集光用媒体6の詳細形状を示
す。同図に示すように、回転楕円面の断面(6b)の主
軸をx軸に、垂直軸をy軸、x軸およびy軸に直交する
方向をz軸に採り、長径をa、短径をbとすると、断面
(6b)は、
す。同図に示すように、回転楕円面の断面(6b)の主
軸をx軸に、垂直軸をy軸、x軸およびy軸に直交する
方向をz軸に採り、長径をa、短径をbとすると、断面
(6b)は、
【数1】 と表され、2焦点Fa,Fbの座標は、
【数2】 と表され、中央点Pの座標は、(a,b)、離心率e
は、 e=(a2 −b2 )/a2 と表される。入射光3c,3c’は、第1の焦点Faで
3d,3d’で示すように反射し、さらに3e,3e’
で示すように第2の焦点Fbに集光する。反射光3dと
反射面6bの交点が中央点Pの右側にある場合は、集光
光3eの半頂角θeの値は入射光3cの半頂角θcより
大きくなる。従って、集光光3eのNAを入射光3cの
それより増大することが可能となる。例えば、回転楕円
面の長軸a,短軸bをそれぞれ1.2mm,1mmと
し、集光レンズ4’のNAを0.5とし、図2に示すよ
うに第1の焦点Faを中心とする球面状の入射面6aに
垂直に入射し、入射光3cのx軸となす角を70度とす
ると、入射光3cの半頂角θcは30度、反射光3dの
x軸となす角は−70度、集光光3eのx軸となす角は
約42度となる。一方、入射光3c’のx軸となす角は
10度、集光光3e’のx軸となす角は約20度とな
る。従って、第2の焦点Fbに集光する集光光3eのN
Aは約0.86と、従来例に比べて大きくできる。ま
た、この値は、離心率をさらに大きくすることによっ
て、さらに増大することが可能である。また、設計に応
じて長軸a、短軸bの値を選ぶことにより、NAの値を
保ったまま、第2の焦点Fbの原点からの距離を適当に
調節することができる。これは楕円面を設定する自由度
が2つあることによる。集光光3eのNAをNAiとす
ると、第2の焦点Fbでの光スポット9aの直径D1/2
は、次式で与えられる。 D1/2 =k・λ/(n・NAi ) ここに、kは入射光の強度分布で決まる定数で、ガウス
ビームの場合、約0.5である。また、λは光源の波
長、nは透明集光用媒体6の屈折率であり、光源として
GalnAIP系の赤色レーザ(波長0.63μm)、透明集
光用媒体6として重フリントガラス(n=1.83)を
使用した場合、光スポット9aの直径D 1/2 として約
0.2μmが得られる。これは図19に示す従来例など
で得られている値のほぼ半分である。
は、 e=(a2 −b2 )/a2 と表される。入射光3c,3c’は、第1の焦点Faで
3d,3d’で示すように反射し、さらに3e,3e’
で示すように第2の焦点Fbに集光する。反射光3dと
反射面6bの交点が中央点Pの右側にある場合は、集光
光3eの半頂角θeの値は入射光3cの半頂角θcより
大きくなる。従って、集光光3eのNAを入射光3cの
それより増大することが可能となる。例えば、回転楕円
面の長軸a,短軸bをそれぞれ1.2mm,1mmと
し、集光レンズ4’のNAを0.5とし、図2に示すよ
うに第1の焦点Faを中心とする球面状の入射面6aに
垂直に入射し、入射光3cのx軸となす角を70度とす
ると、入射光3cの半頂角θcは30度、反射光3dの
x軸となす角は−70度、集光光3eのx軸となす角は
約42度となる。一方、入射光3c’のx軸となす角は
10度、集光光3e’のx軸となす角は約20度とな
る。従って、第2の焦点Fbに集光する集光光3eのN
Aは約0.86と、従来例に比べて大きくできる。ま
た、この値は、離心率をさらに大きくすることによっ
て、さらに増大することが可能である。また、設計に応
じて長軸a、短軸bの値を選ぶことにより、NAの値を
保ったまま、第2の焦点Fbの原点からの距離を適当に
調節することができる。これは楕円面を設定する自由度
が2つあることによる。集光光3eのNAをNAiとす
ると、第2の焦点Fbでの光スポット9aの直径D1/2
は、次式で与えられる。 D1/2 =k・λ/(n・NAi ) ここに、kは入射光の強度分布で決まる定数で、ガウス
ビームの場合、約0.5である。また、λは光源の波
長、nは透明集光用媒体6の屈折率であり、光源として
GalnAIP系の赤色レーザ(波長0.63μm)、透明集
光用媒体6として重フリントガラス(n=1.83)を
使用した場合、光スポット9aの直径D 1/2 として約
0.2μmが得られる。これは図19に示す従来例など
で得られている値のほぼ半分である。
【0024】遮光反射膜7Bは、チタン(Ti)からな
り、レーザ光の波長より小なる厚さ(例えば10nm)
を有し、光スポット9aに対応する位置にピンホール7
aを形成し、光スポット9aから外部へ直接出射する光
を遮断し、かつ、ピンホール7aを介して近接場光9b
を形成するものである。ピンホール7aの径をDo、光
スポット9aの直径をD1/2 とすると、DoとD1/2 の
関係が Do<D1/2 となるように設定している。これにより、径約D1/2 の
近接場光9bが形成される。本実施の形態では、径Dを
光スポット9aの径D1/2 の数分の1程度以下、すなわ
ち、レーザ光の波長の1/10程度(例えば50nm)
にしている。なお、ピンホールは、必ずしも円形である
必要はなく、矩形や多角形でもよく、その最大の差し渡
し長さを光スポット9aの径より小さく形成することに
より円形ピンホールと同様の効果が得られる。また、ピ
ンホールの径は、光ディスクの高記録密度化技術および
ピンホール形成技術の進展に応じて50nmより小さく
してもよい。また、遮光反射膜7Bは、ピンホール7a
の周辺にレーザ光を吸収する処理(例えば黒色処理)が
施されていてもよく、レーザ光を吸収する材料で形成さ
れていてもよい。これにより遮光反射膜7Bのピンホー
ル7aの周辺で反射したレーザ光によるS/N比の低下
を防げる。
り、レーザ光の波長より小なる厚さ(例えば10nm)
を有し、光スポット9aに対応する位置にピンホール7
aを形成し、光スポット9aから外部へ直接出射する光
を遮断し、かつ、ピンホール7aを介して近接場光9b
を形成するものである。ピンホール7aの径をDo、光
スポット9aの直径をD1/2 とすると、DoとD1/2 の
関係が Do<D1/2 となるように設定している。これにより、径約D1/2 の
近接場光9bが形成される。本実施の形態では、径Dを
光スポット9aの径D1/2 の数分の1程度以下、すなわ
ち、レーザ光の波長の1/10程度(例えば50nm)
にしている。なお、ピンホールは、必ずしも円形である
必要はなく、矩形や多角形でもよく、その最大の差し渡
し長さを光スポット9aの径より小さく形成することに
より円形ピンホールと同様の効果が得られる。また、ピ
ンホールの径は、光ディスクの高記録密度化技術および
ピンホール形成技術の進展に応じて50nmより小さく
してもよい。また、遮光反射膜7Bは、ピンホール7a
の周辺にレーザ光を吸収する処理(例えば黒色処理)が
施されていてもよく、レーザ光を吸収する材料で形成さ
れていてもよい。これにより遮光反射膜7Bのピンホー
ル7aの周辺で反射したレーザ光によるS/N比の低下
を防げる。
【0025】ピンホール7aの径Doはレーザ波長の1
/10程度と小さいため、このピンホール7aからは伝
搬光は出射せず、トラック方向X、およびトラック方向
Xに直交する方向Yにはピンホール7aの径Doと同程
度、垂直方向にはその数倍の大きさの近接場光9bが波
長と同程度の近接の距離にまで滲み出している。この近
接場光9bに透明集光用媒体6と同程度の屈折率を有す
る媒体、例えば、光ディスク8を近接配置することによ
り、近接場光9bが光ディスク8のプラスチック基板8
a上の記録層8a中に伝播光となって入射し、この光に
よって記録層8aへの記録および読み出しが可能にな
る。この伝播光の光量は、次式で表される。
/10程度と小さいため、このピンホール7aからは伝
搬光は出射せず、トラック方向X、およびトラック方向
Xに直交する方向Yにはピンホール7aの径Doと同程
度、垂直方向にはその数倍の大きさの近接場光9bが波
長と同程度の近接の距離にまで滲み出している。この近
接場光9bに透明集光用媒体6と同程度の屈折率を有す
る媒体、例えば、光ディスク8を近接配置することによ
り、近接場光9bが光ディスク8のプラスチック基板8
a上の記録層8a中に伝播光となって入射し、この光に
よって記録層8aへの記録および読み出しが可能にな
る。この伝播光の光量は、次式で表される。
【数3】 ここに、Io:レーザの全パワー ω :集光面6bでの光スポット9aの半径 a :ピンホール7aの半幅 すなわち、赤色レーザの場合、ピンホール7aを通過す
るレーザ光の光量は光スポット9aの全パワーの約8
%、青色光の場合は約12%となり、従来の光ファイバ
を使用した場合の100倍以上に集光効率を改善するこ
とができる。
るレーザ光の光量は光スポット9aの全パワーの約8
%、青色光の場合は約12%となり、従来の光ファイバ
を使用した場合の100倍以上に集光効率を改善するこ
とができる。
【0026】図3(a) 〜(d) は、遮光反射膜7Bの被着
方法およびピンホール7aの形成方法を示す。まず、略
半回転楕円体状の透明集光用媒体6の底面6dに電子ビ
ーム露光用のフォトレジスト膜70を塗布し、ピンホー
ル7aに対応する部分を残すように電子ビームにより露
光し(図3(a) )、現像の後、底面6dをドライエッチ
ングにより約100Å異方性にエッチングし、スポット
形成面6cを形成する(図3(b) )。エッチングガスと
してはCF4 系のガスを使用する。次に、全面に遮光膜
用のTi膜71をスパッタリングにより約100Å被着
した後(図3(c) )、フォトレジスト膜70を溶解する
ことにより、ピンホール7aに対応するTi膜71をリ
フトオフする(図3(d) )。このようにしてピンホール
7aを有する遮光反射膜7Bが形成される。なお、遮光
反射膜7Bは、遮光性、およびガラスとの優れた被着性
を有する膜であれば、Ti膜以外の他の膜でもよい。ま
た、本光ヘッドを光磁気ディスクに使用する場合、遮光
膜にパーマロイを用いると、記録磁界の強度を強められ
るので、コイルの巻き数を減らすことができる。このた
め、コイルのインダクタンスが下げられ、記録磁界の高
速変調ができるので、高速記録が可能になる。なお、遮
光反射膜7Bは、第1の焦点Faの近傍に入射光3cを
反射する反射膜を形成し、第2の焦点Fbの近傍にピン
ホール7aを有する遮光膜を形成してもよい。この場
合、ピンホール7aに対応する部分と遮光膜の周辺にホ
トレジスト膜を形成し、上述したホトリソグラフィー法
によって反射膜および遮光膜を形成できる。
方法およびピンホール7aの形成方法を示す。まず、略
半回転楕円体状の透明集光用媒体6の底面6dに電子ビ
ーム露光用のフォトレジスト膜70を塗布し、ピンホー
ル7aに対応する部分を残すように電子ビームにより露
光し(図3(a) )、現像の後、底面6dをドライエッチ
ングにより約100Å異方性にエッチングし、スポット
形成面6cを形成する(図3(b) )。エッチングガスと
してはCF4 系のガスを使用する。次に、全面に遮光膜
用のTi膜71をスパッタリングにより約100Å被着
した後(図3(c) )、フォトレジスト膜70を溶解する
ことにより、ピンホール7aに対応するTi膜71をリ
フトオフする(図3(d) )。このようにしてピンホール
7aを有する遮光反射膜7Bが形成される。なお、遮光
反射膜7Bは、遮光性、およびガラスとの優れた被着性
を有する膜であれば、Ti膜以外の他の膜でもよい。ま
た、本光ヘッドを光磁気ディスクに使用する場合、遮光
膜にパーマロイを用いると、記録磁界の強度を強められ
るので、コイルの巻き数を減らすことができる。このた
め、コイルのインダクタンスが下げられ、記録磁界の高
速変調ができるので、高速記録が可能になる。なお、遮
光反射膜7Bは、第1の焦点Faの近傍に入射光3cを
反射する反射膜を形成し、第2の焦点Fbの近傍にピン
ホール7aを有する遮光膜を形成してもよい。この場
合、ピンホール7aに対応する部分と遮光膜の周辺にホ
トレジスト膜を形成し、上述したホトリソグラフィー法
によって反射膜および遮光膜を形成できる。
【0027】次に、光ヘッド1の動作を説明する。半導
体レーザ2からレーザビーム3aを出射すると、そのレ
ーザビーム3はコリメータレンズ4によって平行ビーム
3bに整形され、集光レンズ4’によって集光ビーム3
b’として集光され、透明集光用媒体6の入射面6aに
垂直に入射する。このようにして、入射面6aから入射
した集光ビーム3b’は、一旦第1の焦点Faに集光さ
れた後、遮光反射膜7Bによって反射面6bに向けて反
射され、さらに反射面6bの反射膜7Aにより反射され
て、スポット形成面6c上の第2の焦点Fbに集光さ
れ、スポット形成面6c上に光スポット9aを形成す
る。この光スポット9aに集光された光は、スポット形
成面6cから遮光反射膜7B上のピンホール7aを通し
て近接場光9bとして透明集光用媒体6の外部に滲み出
す。この近接場光9bにより、光ディスク8の記録層8
aを照射することにより、記録・再生がなされる。ま
た、スポット形成面6cは、光ディスク8上を浮上走行
するためのスライダー面としても使用される。浮上高
は、光の波長やスポット径によっても異なるが、数十か
ら200nmである。
体レーザ2からレーザビーム3aを出射すると、そのレ
ーザビーム3はコリメータレンズ4によって平行ビーム
3bに整形され、集光レンズ4’によって集光ビーム3
b’として集光され、透明集光用媒体6の入射面6aに
垂直に入射する。このようにして、入射面6aから入射
した集光ビーム3b’は、一旦第1の焦点Faに集光さ
れた後、遮光反射膜7Bによって反射面6bに向けて反
射され、さらに反射面6bの反射膜7Aにより反射され
て、スポット形成面6c上の第2の焦点Fbに集光さ
れ、スポット形成面6c上に光スポット9aを形成す
る。この光スポット9aに集光された光は、スポット形
成面6cから遮光反射膜7B上のピンホール7aを通し
て近接場光9bとして透明集光用媒体6の外部に滲み出
す。この近接場光9bにより、光ディスク8の記録層8
aを照射することにより、記録・再生がなされる。ま
た、スポット形成面6cは、光ディスク8上を浮上走行
するためのスライダー面としても使用される。浮上高
は、光の波長やスポット径によっても異なるが、数十か
ら200nmである。
【0028】上記構成の光ヘッド1によれば以下の効果
が得られる。 (イ) 反射面6bを回転楕円面状に形成することにより、
入射光の光軸をほぼディスクに平行な方向から垂直な方
向に変換すると共に、透明集光用媒体6内部でのNAを
増大し、スポット形成面6cに微小スポットを形成する
ことが可能となる。例えば、回転楕円面の長軸a、短軸
bをそれぞれ1.2mm、1mmとしたとき、集光ビー
ムのNAは、0.86となり、従来のSIL等の集光系
を用いた光ヘッドと比べて、NAを大きくできる。 ま
た、離心率eを更に大きくすることで、NAをさらに大
きくすることも可能である。 また、高NAが得られるこ
とから、光スポット9aの微小化が可能になる。 (ロ) 反射型の集光系のため、色収差が生じない。 (ハ) 反射面6bにより光軸をほぼ垂直に曲げることがで
きるため、光学素子はディスク面に対してほぼ水平にな
らべることができ、光ヘッドの高さを低くすることがで
きる。これによって、特に光ディスクを複数枚重ねて使
用する場合に、大容量化を図ることができる。また、光
ディスク装置全体を薄くできるので、携帯用端末のメモ
リとして使用する場合、小型化でき、有効である。 (ニ) 微小化された光スポット9aから滲み出す近接場光
を遮光反射膜7Bに形成したピンホール7aによって絞
っているので、従来のSuper SILを用いた場合
と比較して、近接場光9bの径を数分の1に小さくでき
るので、記録密度を20倍以上に増大させることができ
る。 (ホ) 近接場光9bの直径を微小化できたことから、トラ
ックピッチも縮小させることができる。 (ヘ) 近接場光9bをレーザビーム3の波長より小さい径
のピンホール7aで絞ってもピンホール7aからの伝播
光の中心部の光強度は変わらないため、高い光利用効率
が得られる。従って、数ミリワットの比較的低出力の半
導体レーザ2が光源として使用できる。また、光ディス
ク8からの反射光もピンホール7aからの伝播光に比例
して増大するため、再生光の検出に従来光ディスクメモ
リに常用されているSi光検出器が使用でき、ホトマル
を使用しなくて済み、光ヘッド1が小型・軽量化できる
とともに、高速度の読み出しが可能となる。
が得られる。 (イ) 反射面6bを回転楕円面状に形成することにより、
入射光の光軸をほぼディスクに平行な方向から垂直な方
向に変換すると共に、透明集光用媒体6内部でのNAを
増大し、スポット形成面6cに微小スポットを形成する
ことが可能となる。例えば、回転楕円面の長軸a、短軸
bをそれぞれ1.2mm、1mmとしたとき、集光ビー
ムのNAは、0.86となり、従来のSIL等の集光系
を用いた光ヘッドと比べて、NAを大きくできる。 ま
た、離心率eを更に大きくすることで、NAをさらに大
きくすることも可能である。 また、高NAが得られるこ
とから、光スポット9aの微小化が可能になる。 (ロ) 反射型の集光系のため、色収差が生じない。 (ハ) 反射面6bにより光軸をほぼ垂直に曲げることがで
きるため、光学素子はディスク面に対してほぼ水平にな
らべることができ、光ヘッドの高さを低くすることがで
きる。これによって、特に光ディスクを複数枚重ねて使
用する場合に、大容量化を図ることができる。また、光
ディスク装置全体を薄くできるので、携帯用端末のメモ
リとして使用する場合、小型化でき、有効である。 (ニ) 微小化された光スポット9aから滲み出す近接場光
を遮光反射膜7Bに形成したピンホール7aによって絞
っているので、従来のSuper SILを用いた場合
と比較して、近接場光9bの径を数分の1に小さくでき
るので、記録密度を20倍以上に増大させることができ
る。 (ホ) 近接場光9bの直径を微小化できたことから、トラ
ックピッチも縮小させることができる。 (ヘ) 近接場光9bをレーザビーム3の波長より小さい径
のピンホール7aで絞ってもピンホール7aからの伝播
光の中心部の光強度は変わらないため、高い光利用効率
が得られる。従って、数ミリワットの比較的低出力の半
導体レーザ2が光源として使用できる。また、光ディス
ク8からの反射光もピンホール7aからの伝播光に比例
して増大するため、再生光の検出に従来光ディスクメモ
リに常用されているSi光検出器が使用でき、ホトマル
を使用しなくて済み、光ヘッド1が小型・軽量化できる
とともに、高速度の読み出しが可能となる。
【0029】図4(a) ,(b) は、遮光反射膜7Bの変形
例を示す。遮光反射膜7Bは、図4(a) に示すように、
透明集光用媒体6の底面のエッチング時に、スポット形
成面6cのピンホール7a近傍の領域6c’を傾ける等
の操作により被エッチング面を入射光に対して傾斜さ
せ、凸型あるいは凹型の円錐面状にしてもよい。また、
図4(b) に示すように、透明集光用媒体6の底面のエッ
チング時に、比較的大電流で高速にエッチングする等の
操作によりエッチング面に細かい凹凸を形成してもよ
い。遮光反射膜7Bのピンホール7a近傍の領域6c’
の反射率が高いと、遮光反射膜7Bで反射した光強度
が、ピンホール7aから戻る信号光に比べて強くなり、
信号処理時の前段増幅の増幅率を大きく取れなくなるた
め、S/Nが低下する。一方、遮光反射膜7Bでの吸収
率が高いと、遮光反射膜7Bの光スポット9aが照射さ
れた部分の温度が上昇し、この熱が記録に影響を与える
ため好ましくない。そこで、図4(a) ,(b) に示すよう
な構造にすることにより、反射光3fが集光レンズ4’
に戻らなくなり、S/Nを向上させることができる。一
方、ピンホール7aを通過する反射光は、入射光3eと
同じ経路をたどり、光検出器(図略)に入射する。これ
により、光検出器に入る迷光の割合を減らすことができ
るため、DC型の前置増幅器の増幅率をあげることがで
き、S/Nを改善することが可能となる。
例を示す。遮光反射膜7Bは、図4(a) に示すように、
透明集光用媒体6の底面のエッチング時に、スポット形
成面6cのピンホール7a近傍の領域6c’を傾ける等
の操作により被エッチング面を入射光に対して傾斜さ
せ、凸型あるいは凹型の円錐面状にしてもよい。また、
図4(b) に示すように、透明集光用媒体6の底面のエッ
チング時に、比較的大電流で高速にエッチングする等の
操作によりエッチング面に細かい凹凸を形成してもよ
い。遮光反射膜7Bのピンホール7a近傍の領域6c’
の反射率が高いと、遮光反射膜7Bで反射した光強度
が、ピンホール7aから戻る信号光に比べて強くなり、
信号処理時の前段増幅の増幅率を大きく取れなくなるた
め、S/Nが低下する。一方、遮光反射膜7Bでの吸収
率が高いと、遮光反射膜7Bの光スポット9aが照射さ
れた部分の温度が上昇し、この熱が記録に影響を与える
ため好ましくない。そこで、図4(a) ,(b) に示すよう
な構造にすることにより、反射光3fが集光レンズ4’
に戻らなくなり、S/Nを向上させることができる。一
方、ピンホール7aを通過する反射光は、入射光3eと
同じ経路をたどり、光検出器(図略)に入射する。これ
により、光検出器に入る迷光の割合を減らすことができ
るため、DC型の前置増幅器の増幅率をあげることがで
き、S/Nを改善することが可能となる。
【0030】図5は、本発明の第2の実施の形態に係る
光ヘッドを示す。この光ヘッド1は、第1の実施の形態
において、コリメータレンズ4と、集光レンズ4’との
間にプリズム5を配置したものであり、他は第1の実施
の形態と同様に構成されている。このようにプリズム5
を使用することにより、半導体レーザ2やコリメータレ
ンズ4をディスク面に対して平行に配置することがで
き、さらに、光ヘッド1全体を薄型化できる。透明集光
用媒体6の高さは約1mm、ディスク面からプリズム5
上部までの高さは2mm程度とすることが可能であり、
磁気ハードディスク用の磁気ヘッドと同程度の高さとな
る。また、プリズム5と集光レンズ4’を一枚のホログ
ラムで置き換えることも可能であり、それにより部品点
数を減らすとともに、光ヘッドを小型・薄型化すること
が可能となる。
光ヘッドを示す。この光ヘッド1は、第1の実施の形態
において、コリメータレンズ4と、集光レンズ4’との
間にプリズム5を配置したものであり、他は第1の実施
の形態と同様に構成されている。このようにプリズム5
を使用することにより、半導体レーザ2やコリメータレ
ンズ4をディスク面に対して平行に配置することがで
き、さらに、光ヘッド1全体を薄型化できる。透明集光
用媒体6の高さは約1mm、ディスク面からプリズム5
上部までの高さは2mm程度とすることが可能であり、
磁気ハードディスク用の磁気ヘッドと同程度の高さとな
る。また、プリズム5と集光レンズ4’を一枚のホログ
ラムで置き換えることも可能であり、それにより部品点
数を減らすとともに、光ヘッドを小型・薄型化すること
が可能となる。
【0031】図6は、本発明の第3の実施の形態に係る
光ヘッドを示す。この光ヘッド1は、第2の実施の形態
において、透明集光用媒体6の入射面6aを凹球面とし
たものであり、他は第2の実施の形態と同様に構成され
ている。この凹球面の入射面6aの中心は第1の焦点F
aと一致しており、その第1の焦点Faは反射面6bを
構成する回転楕円面の内側に配置される。このような配
置により、集光レンズ4’により第1の焦点Faに集光
された光は反射膜7Bにより反射されて入射面6aに入
射する。この場合、入射面6aに垂直に入射するため、
第1の実施の形態と同様に屈折せずに反射面6bに到達
し、第2の焦点Fbに集光する。この場合の光スポット
9aの径は第1の実施の形態と同程度に絞ることが可能
である。
光ヘッドを示す。この光ヘッド1は、第2の実施の形態
において、透明集光用媒体6の入射面6aを凹球面とし
たものであり、他は第2の実施の形態と同様に構成され
ている。この凹球面の入射面6aの中心は第1の焦点F
aと一致しており、その第1の焦点Faは反射面6bを
構成する回転楕円面の内側に配置される。このような配
置により、集光レンズ4’により第1の焦点Faに集光
された光は反射膜7Bにより反射されて入射面6aに入
射する。この場合、入射面6aに垂直に入射するため、
第1の実施の形態と同様に屈折せずに反射面6bに到達
し、第2の焦点Fbに集光する。この場合の光スポット
9aの径は第1の実施の形態と同程度に絞ることが可能
である。
【0032】図7(a) ,(b) は、本発明の第4の実施の
形態に係る光ヘッドを示す。この光ヘッド1は、第1の
実施の形態において、入射面6aをディスク面に対して
ほぼ垂直にし、スポット形成面6cに対して回転楕円体
の長軸Lを傾け、入射面6aに第1の焦点Faを形成
し、スポット形成面6cに第2の焦点Fbを形成し、遮
光反射膜7Bの代わりにピンホール7aを有する遮光膜
7Cを設けたものであり、他は第1の実施の形態と同様
に構成されている。このように構成することにより、入
射光3cは、ディスク面に対して平行に入射することが
でき、半導体レーザ2や他の光学系4,4’などをディ
スク面に対して平行に配置できるため、さらに光ヘッド
の薄型化が可能となるとともに、光ヘッドの組み立てが
簡単となる。なお、第1および第3の実施の形態におい
ても、スポット形成面6cに対して回転楕円体の長軸L
を傾けることにより、第1の焦点Faをスポット形成面
6cから離すことができ、スライダの設計がしやすくな
るとともに、本実施の形態と同様に他の光学系をディス
ク面に平行に配置できるため、同様の効果が期待でき
る。
形態に係る光ヘッドを示す。この光ヘッド1は、第1の
実施の形態において、入射面6aをディスク面に対して
ほぼ垂直にし、スポット形成面6cに対して回転楕円体
の長軸Lを傾け、入射面6aに第1の焦点Faを形成
し、スポット形成面6cに第2の焦点Fbを形成し、遮
光反射膜7Bの代わりにピンホール7aを有する遮光膜
7Cを設けたものであり、他は第1の実施の形態と同様
に構成されている。このように構成することにより、入
射光3cは、ディスク面に対して平行に入射することが
でき、半導体レーザ2や他の光学系4,4’などをディ
スク面に対して平行に配置できるため、さらに光ヘッド
の薄型化が可能となるとともに、光ヘッドの組み立てが
簡単となる。なお、第1および第3の実施の形態におい
ても、スポット形成面6cに対して回転楕円体の長軸L
を傾けることにより、第1の焦点Faをスポット形成面
6cから離すことができ、スライダの設計がしやすくな
るとともに、本実施の形態と同様に他の光学系をディス
ク面に平行に配置できるため、同様の効果が期待でき
る。
【0033】図8(a) は、本発明の第1の実施の形態に
係る光ディスク装置を示し、同図(b) は、同図(a) のA
−A断面図である。この光ディスク装置100は、円盤
状のプラスチック板120の一方の面にGeSbTe相
変化材料からなる記録層121が形成され、図示しない
モータによって回転軸11を介して回転する光ディスク
12と、光ディスク12の記録層121に対し光記録/
光再生を行う光ヘッド1と、光ヘッド1をトラッキング
方向13に移動させるリニアモータ14と、リニアモー
タ14側から光ヘッド1を支持するサスペンション15
と、光ヘッド1を駆動する光ヘッド駆動系16と、光ヘ
ッド1から得られた信号を処理するとともに、光ヘッド
駆動系16を制御する信号処理系17とを有する。リニ
アモータ14は、トラッキング方向13に沿って設けら
れた一対の固定部14A,14Aと、一対の固定部14
A,14A上を移動する可動コイル14Bとを備える。
この可動コイル14Bから上記サスペンション15によ
って光ヘッド1を支持している。
係る光ディスク装置を示し、同図(b) は、同図(a) のA
−A断面図である。この光ディスク装置100は、円盤
状のプラスチック板120の一方の面にGeSbTe相
変化材料からなる記録層121が形成され、図示しない
モータによって回転軸11を介して回転する光ディスク
12と、光ディスク12の記録層121に対し光記録/
光再生を行う光ヘッド1と、光ヘッド1をトラッキング
方向13に移動させるリニアモータ14と、リニアモー
タ14側から光ヘッド1を支持するサスペンション15
と、光ヘッド1を駆動する光ヘッド駆動系16と、光ヘ
ッド1から得られた信号を処理するとともに、光ヘッド
駆動系16を制御する信号処理系17とを有する。リニ
アモータ14は、トラッキング方向13に沿って設けら
れた一対の固定部14A,14Aと、一対の固定部14
A,14A上を移動する可動コイル14Bとを備える。
この可動コイル14Bから上記サスペンション15によ
って光ヘッド1を支持している。
【0034】図9は、光ディスク12の詳細を示す。こ
の光ディスク12は、光ヘッド1によって形成される光
スポット9aの微小化に対応して高記録密度化を図った
ものである。プラスチック板120は、例えば、ポリカ
ーボネート基板等が用いられ、その一方の面にグルーブ
部12aが形成される。この光ディスク12は、プラス
チック板120のグルーブ部12aが形成された側の面
に、Al反射膜層(100nm厚)122、SiO2 層
(100nm厚)123、GeSbTe記録層(15n
m厚)121、SiN保護層(50nm厚)124を積
層したものである。本実施の形態では、ランド部12b
に情報が記録してあり、トラックのピッチは0.1μ
m、グルーブ部12aの深さは約0.1μmとしてい
る。マーク長は0.05μm、記録密度は120Gbi
ts/inch2 であり、12cmディスクでは170
GBの記録容量に相当し、従来の7.6倍に高記録密度
化できた。
の光ディスク12は、光ヘッド1によって形成される光
スポット9aの微小化に対応して高記録密度化を図った
ものである。プラスチック板120は、例えば、ポリカ
ーボネート基板等が用いられ、その一方の面にグルーブ
部12aが形成される。この光ディスク12は、プラス
チック板120のグルーブ部12aが形成された側の面
に、Al反射膜層(100nm厚)122、SiO2 層
(100nm厚)123、GeSbTe記録層(15n
m厚)121、SiN保護層(50nm厚)124を積
層したものである。本実施の形態では、ランド部12b
に情報が記録してあり、トラックのピッチは0.1μ
m、グルーブ部12aの深さは約0.1μmとしてい
る。マーク長は0.05μm、記録密度は120Gbi
ts/inch2 であり、12cmディスクでは170
GBの記録容量に相当し、従来の7.6倍に高記録密度
化できた。
【0035】図10は、第1の実施の形態に係る光ディ
スク装置100の光ヘッド1を示し、同図(a) はその側
面図、同図(b) はその平面図である。光ヘッド1は、光
ディスク12上を浮上する浮上スライダ18を有し、こ
の浮上スライダ18上に、例えば、AlGalnPから
なり、波長630nmのレーザビーム3aを出射する端
面発光型の半導体レーザ2と、半導体レーザ2から出射
されたレーザビーム3aを平行ビーム3bに整形するコ
リメータレンズ4と、半導体レーザ2を浮上スライダ1
8上に取り付ける溶融石英板からなるホルダ20と、半
導体レーザ2を圧電素子41を介して支持するホルダ3
7Cと、半導体レーザ2からの平行ビーム3bと光ディ
スク12からの反射光とを分離する偏光ビームスプリッ
タ22と、半導体レーザ2からの平行ビーム3bの直線
偏光を円偏光にする1/4波長板23と、1/4波長板
23からの平行ビーム3bを集光させる集光レンズ4’
および透明集光用媒体6と、浮上スライダ18上に取り
付けられ、光ディスク12からの反射光をビームスプリ
ッタ22を介して入力する光検出器24とを各々配置し
ている。また、全体はヘッドケース25内に収納され、
ヘッドケース25は、サスペンション15の先端に固定
されている。
スク装置100の光ヘッド1を示し、同図(a) はその側
面図、同図(b) はその平面図である。光ヘッド1は、光
ディスク12上を浮上する浮上スライダ18を有し、こ
の浮上スライダ18上に、例えば、AlGalnPから
なり、波長630nmのレーザビーム3aを出射する端
面発光型の半導体レーザ2と、半導体レーザ2から出射
されたレーザビーム3aを平行ビーム3bに整形するコ
リメータレンズ4と、半導体レーザ2を浮上スライダ1
8上に取り付ける溶融石英板からなるホルダ20と、半
導体レーザ2を圧電素子41を介して支持するホルダ3
7Cと、半導体レーザ2からの平行ビーム3bと光ディ
スク12からの反射光とを分離する偏光ビームスプリッ
タ22と、半導体レーザ2からの平行ビーム3bの直線
偏光を円偏光にする1/4波長板23と、1/4波長板
23からの平行ビーム3bを集光させる集光レンズ4’
および透明集光用媒体6と、浮上スライダ18上に取り
付けられ、光ディスク12からの反射光をビームスプリ
ッタ22を介して入力する光検出器24とを各々配置し
ている。また、全体はヘッドケース25内に収納され、
ヘッドケース25は、サスペンション15の先端に固定
されている。
【0036】透明集光用媒体6は、例えば、屈折率n=
1.91を有する重フリントガラスからなり、高さ1m
m、長さ2mmを有する。この透明集光用媒体6は、図
7に示す透明集光用媒体6と同様に、入射面6aおよび
反射面6bを有するが、浮上スライダ18を透明集光用
媒体6と等しい屈折率を有する透明媒体から構成し、浮
上スライダ18の面18aがスポット形成面6cに相当
するように構成されており、浮上スライダ18のスポッ
ト形成面18aに光スポット9aが形成される。浮上ス
ライダ18のスポット形成面18aには、図7に示した
のと同様に、ピンホール7aを有する遮光膜7Cが被着
形成されている。
1.91を有する重フリントガラスからなり、高さ1m
m、長さ2mmを有する。この透明集光用媒体6は、図
7に示す透明集光用媒体6と同様に、入射面6aおよび
反射面6bを有するが、浮上スライダ18を透明集光用
媒体6と等しい屈折率を有する透明媒体から構成し、浮
上スライダ18の面18aがスポット形成面6cに相当
するように構成されており、浮上スライダ18のスポッ
ト形成面18aに光スポット9aが形成される。浮上ス
ライダ18のスポット形成面18aには、図7に示した
のと同様に、ピンホール7aを有する遮光膜7Cが被着
形成されている。
【0037】浮上スライダ18は、図10(a) に示すよ
うに、スポット形成面18aに形成される光スポット9
aの周辺部以外の部分に負圧を生じるように溝18bを
形成している。この溝18bによる負圧とサスペンショ
ン15のばね力との作用によって浮上スライダ18と光
ディスク12との間隔が、浮上量として一定に保たれ
る。本実施の形態では、浮上量は約0.06μmであ
る。
うに、スポット形成面18aに形成される光スポット9
aの周辺部以外の部分に負圧を生じるように溝18bを
形成している。この溝18bによる負圧とサスペンショ
ン15のばね力との作用によって浮上スライダ18と光
ディスク12との間隔が、浮上量として一定に保たれ
る。本実施の形態では、浮上量は約0.06μmであ
る。
【0038】光ヘッド駆動系16は、記録時に、半導体
レーザ2の出力光を記録信号により変調することによ
り、記録層121に結晶/アモルファス間の相変化を生
じさせ、その間の反射率の違いとして記録し、再生時に
は、半導体レーザ2の出力光を変調せずに、連続して照
射し、記録層121での上記の反射率の違いを反射光の
変動として光検出器24により検出するようになってい
る。
レーザ2の出力光を記録信号により変調することによ
り、記録層121に結晶/アモルファス間の相変化を生
じさせ、その間の反射率の違いとして記録し、再生時に
は、半導体レーザ2の出力光を変調せずに、連続して照
射し、記録層121での上記の反射率の違いを反射光の
変動として光検出器24により検出するようになってい
る。
【0039】信号処理系17は、光検出器24が検出し
た光ディスク12からの反射光に基づいてトラッキング
制御用の誤差信号およびデータ信号を生成し、誤差信号
をハイパスフィルタとローパスフィルタによって高周波
域の誤差信号と低周波域の誤差信号を形成し、これらの
誤差信号に基づいて光ヘッド駆動系16に対しトラッキ
ング制御を行うものである。ここでは、トラッキング用
の誤差信号をサンプルサーボ方式(光ディスク技術、ラ
ジオ技術社、P.95)によって生成するようになって
おり、このサンプルサーボ方式は、干鳥マーク(Wob
bled Track)を間欠的にトラック上に設け、
それからの反射強度の変動から誤差信号を生成する方式
である。サンプルサーボ方式の場合、記録信号とトラッ
キング誤差信号とは時分割的に分離されているので、両
者の分離は再生回路におけるゲート回路によって行う。
なお、グルーブ部12aからの反射光との干渉を利用す
るプッシュプル方式で誤差信号を生成してもよい。
た光ディスク12からの反射光に基づいてトラッキング
制御用の誤差信号およびデータ信号を生成し、誤差信号
をハイパスフィルタとローパスフィルタによって高周波
域の誤差信号と低周波域の誤差信号を形成し、これらの
誤差信号に基づいて光ヘッド駆動系16に対しトラッキ
ング制御を行うものである。ここでは、トラッキング用
の誤差信号をサンプルサーボ方式(光ディスク技術、ラ
ジオ技術社、P.95)によって生成するようになって
おり、このサンプルサーボ方式は、干鳥マーク(Wob
bled Track)を間欠的にトラック上に設け、
それからの反射強度の変動から誤差信号を生成する方式
である。サンプルサーボ方式の場合、記録信号とトラッ
キング誤差信号とは時分割的に分離されているので、両
者の分離は再生回路におけるゲート回路によって行う。
なお、グルーブ部12aからの反射光との干渉を利用す
るプッシュプル方式で誤差信号を生成してもよい。
【0040】図11は、圧電素子41を示す。圧電素子
41は、一対の電極端子410,410に接続された複
数の電極膜411と、電極膜411間に形成された多層
PZT薄膜(厚さ約20μm)412とからなり、上記
ホルダ37Cに被着形成されておいる。この圧電素子4
1によりトラック方向Xに直交する方向Y(トラッキン
グ方向)に走査する。
41は、一対の電極端子410,410に接続された複
数の電極膜411と、電極膜411間に形成された多層
PZT薄膜(厚さ約20μm)412とからなり、上記
ホルダ37Cに被着形成されておいる。この圧電素子4
1によりトラック方向Xに直交する方向Y(トラッキン
グ方向)に走査する。
【0041】次に、上記第1の実施の形態に係る光ディ
スク装置100の動作を説明する。光ディスク12は、
図示しないモータによって所定の回転速度で回転し、浮
上スライダ18は、光ディスク12の回転によって発生
する負圧とサスペンション15のばね力との作用によっ
て光ディスク12上を浮上走行する。光ヘッド駆動系1
6による駆動によって半導体レーザ2からレーザビーム
3aが出射されると、半導体レーザ2の出力光3aは、
コリメータレンズ4により平行光ビーム3bに整形され
た後、偏光ビームスプリッタ22および1/4波長板2
3を通り、透明集光用媒体6の入射面6aの第1の焦点
Faに入射する。平行光ビーム3bは、1/4波長板2
3を通過する際に、1/4波長板23によって直線偏光
から円偏光に変わる。透明集光用媒体6の入射面6aの
第1の焦点Faに入射した円偏光の平行光ビーム3b
は、屈折して反射面6bに到達し、反射面6bに被着形
成された反射層7Aで反射して浮上スライダ18のスポ
ット形成面18aの第2の焦点Fbに集光する。浮上ス
ライダ18のスポット形成面18aに微小の光スポット
9aが形成される。この光スポット9a下のピンホール
7aから光スポット9aの光の一部が近接場光9bとし
て浮上スライダ18の下面の外側に漏れ出し、この近接
場光9bが光ディスク12の記録層121に伝播して光
記録あるいは光再生が行われる。光ディスク12で反射
した反射光は、入射光の経路を逆にたどり、透明集光用
媒体6の反射面6bに被着形成された反射層7Aで反射
して偏光ビームスプリッタ22で90度方向に反射し、
光検出器24に入射する。信号処理系17は、光検出器
24に入射した光ディスク12からの反射光に基づいて
トラッキング制御用の誤差信号およびデータ信号を生成
し、誤差信号に基づいて光ヘッド駆動系16に対しトラ
ッキング制御を行う。
スク装置100の動作を説明する。光ディスク12は、
図示しないモータによって所定の回転速度で回転し、浮
上スライダ18は、光ディスク12の回転によって発生
する負圧とサスペンション15のばね力との作用によっ
て光ディスク12上を浮上走行する。光ヘッド駆動系1
6による駆動によって半導体レーザ2からレーザビーム
3aが出射されると、半導体レーザ2の出力光3aは、
コリメータレンズ4により平行光ビーム3bに整形され
た後、偏光ビームスプリッタ22および1/4波長板2
3を通り、透明集光用媒体6の入射面6aの第1の焦点
Faに入射する。平行光ビーム3bは、1/4波長板2
3を通過する際に、1/4波長板23によって直線偏光
から円偏光に変わる。透明集光用媒体6の入射面6aの
第1の焦点Faに入射した円偏光の平行光ビーム3b
は、屈折して反射面6bに到達し、反射面6bに被着形
成された反射層7Aで反射して浮上スライダ18のスポ
ット形成面18aの第2の焦点Fbに集光する。浮上ス
ライダ18のスポット形成面18aに微小の光スポット
9aが形成される。この光スポット9a下のピンホール
7aから光スポット9aの光の一部が近接場光9bとし
て浮上スライダ18の下面の外側に漏れ出し、この近接
場光9bが光ディスク12の記録層121に伝播して光
記録あるいは光再生が行われる。光ディスク12で反射
した反射光は、入射光の経路を逆にたどり、透明集光用
媒体6の反射面6bに被着形成された反射層7Aで反射
して偏光ビームスプリッタ22で90度方向に反射し、
光検出器24に入射する。信号処理系17は、光検出器
24に入射した光ディスク12からの反射光に基づいて
トラッキング制御用の誤差信号およびデータ信号を生成
し、誤差信号に基づいて光ヘッド駆動系16に対しトラ
ッキング制御を行う。
【0042】上記第1の実施の形態に係る光ディスク装
置100によれば、透明集光用媒体6の集光ビームのN
Aは0.86となり、この結果、スポット径D1/2 約
0.2μmの微小の光スポット9bが得られ、その約8
%を幅50nmのピンホール7aを通して近接場光9b
として光ディスク12の記録層121に入射でき、超高
密度(170Gbits/inch2 )の超高密度の光
記録/光再生が可能になった。また、自動焦点制御を行
わずに記録再生ができるため、自動焦点制御機構が不要
となり、光ヘッド1の重量を大幅に減らすことができ、
小型化が図れた。すなわち、光ヘッド1のサイズは、高
さ6mm、幅4mm、長さ8mm、重量は0.6gと軽
量となった。このため、リニアモータ14の可動コイル
14Bとサスペンション15を含めて可動部の重量を
2.0g以下にできた。この結果、リニアモータ14の
みで帯域50kHz以上、利得60以上が得られた。従
って、600rpmの回転下においてトラッキング可能
であり、平均転送レートは60Mbpsが得られた。ま
た、サンプルサーボ方式の採用により、記録信号とトラ
ッキング誤差信号とは時分割的に分離されているので、
光検出器24としては、分割型のものは必要なく、例え
ば、1mm角のPINフォトダイオードを用いることが
できる。光検出器24として分割型である必要がないた
め、検出系を大幅に簡素・軽量化できる。また、透明集
光用媒体6の重量は、5mg以下と軽いため、透明集光
用媒体6を支持する系の共振周波数を300kHz以上
にでき、電極端子410,410間への印加電圧5Vで
0.5μm以上の変位が得られた。また、この圧電素子
41とリニアモータ14による2段制御により、80d
Bの利得で300kHzの帯域が得られ、高速回転時
(3600rpm)下において5nmの精度でトラッキ
ングを行うことができた。これにより、本実施の形態で
は転送レートを圧電素子41を用いない場合の光ディス
ク装置100の6倍、すなわち、360Mbpsに上げ
ることができた。また、後述するマルチビームの光ヘッ
ドを使用した場合には、さらに8倍となり、500Mb
ps近くの転送レートが得られた。また、12cmのデ
ィスクにおいて10ms以下の平均シーク速度を達成し
た。これにより、3600rpm回転時のアクセス時間
は20ms以下となる。
置100によれば、透明集光用媒体6の集光ビームのN
Aは0.86となり、この結果、スポット径D1/2 約
0.2μmの微小の光スポット9bが得られ、その約8
%を幅50nmのピンホール7aを通して近接場光9b
として光ディスク12の記録層121に入射でき、超高
密度(170Gbits/inch2 )の超高密度の光
記録/光再生が可能になった。また、自動焦点制御を行
わずに記録再生ができるため、自動焦点制御機構が不要
となり、光ヘッド1の重量を大幅に減らすことができ、
小型化が図れた。すなわち、光ヘッド1のサイズは、高
さ6mm、幅4mm、長さ8mm、重量は0.6gと軽
量となった。このため、リニアモータ14の可動コイル
14Bとサスペンション15を含めて可動部の重量を
2.0g以下にできた。この結果、リニアモータ14の
みで帯域50kHz以上、利得60以上が得られた。従
って、600rpmの回転下においてトラッキング可能
であり、平均転送レートは60Mbpsが得られた。ま
た、サンプルサーボ方式の採用により、記録信号とトラ
ッキング誤差信号とは時分割的に分離されているので、
光検出器24としては、分割型のものは必要なく、例え
ば、1mm角のPINフォトダイオードを用いることが
できる。光検出器24として分割型である必要がないた
め、検出系を大幅に簡素・軽量化できる。また、透明集
光用媒体6の重量は、5mg以下と軽いため、透明集光
用媒体6を支持する系の共振周波数を300kHz以上
にでき、電極端子410,410間への印加電圧5Vで
0.5μm以上の変位が得られた。また、この圧電素子
41とリニアモータ14による2段制御により、80d
Bの利得で300kHzの帯域が得られ、高速回転時
(3600rpm)下において5nmの精度でトラッキ
ングを行うことができた。これにより、本実施の形態で
は転送レートを圧電素子41を用いない場合の光ディス
ク装置100の6倍、すなわち、360Mbpsに上げ
ることができた。また、後述するマルチビームの光ヘッ
ドを使用した場合には、さらに8倍となり、500Mb
ps近くの転送レートが得られた。また、12cmのデ
ィスクにおいて10ms以下の平均シーク速度を達成し
た。これにより、3600rpm回転時のアクセス時間
は20ms以下となる。
【0043】なお、トラッキング制御用の誤差信号の生
成には、上記実施の形態では、サンプルサーボ方式を用
いたが、周囲的に記録トラックを蛇行させて、それによ
る反射光の変調を蛇行周波数に同期させて検出し、誤差
信号を生成するウォブルドトラック方式を用いてもよ
い。また、再生専用ディスクのトラッキングには、CD
で行われているように3スポット方式を用いることも可
能である。すなわち、コリメータレンズ5と偏光ビーム
スプリッタ22の間に回折格子を挿入し、かっ、その±
一次光それぞれのディスクからの反射光を検出する光検
出素子を主ビーム検出用素子の両側に配置し、その出力
の差分を取ることにより、誤差信号の生成が可能とな
る。また、記録トラック側面部からの回折光の左右のア
ンバランスを検出して誤差信号を生成するプッシュプル
型の制御を行うことも可能である。この場合はその回折
光を2分割型の光検出素子に入射し、その差動出力誤差
信号を生成する。また、本実施の形態の光ヘッド1をそ
のまま追記型光ディスク(色素の光吸収により凹凸ビッ
トを形成したディスク)への記録および再生に用いるこ
とができる。また、浮上スライダ18のスポット形成面
18aに形成される光スポット9aの周辺に薄膜コイル
を装着し、磁界変調を行うことにより、光磁気媒体を用
いての光磁気記録も可能となる。但し、再生の場合に
は、光の偏波面の回転を偏光解析によって検出して信号
を生成するため、偏光ビームスプリッタ22を非偏光の
スプリッタに変え、光検出素子の手前に検光子を配置す
る必要がある。また、レーザ源として本実施の形態で
は、端面発光型レーザを用いたが、面発光型レーザ(V
CSEL)を用いることも可能である。面発光型レーザ
の場合、基本モード(TEM00)の最大出力は、2m
W程度と端面発光型レーザの1/10以下であるが、本
実施の形態では従来の光ディスク装置で使用されている
光スポット径の数分の1に絞られているため、光密度が
1桁以上高くできることから、面発光型半導体レーザで
も記録が可能となる。また、面発光型半導体レーザの場
合、温度による波長変動が小さく、色収差補正を不要に
できる。また、本実施の形態では、光スポットの駆動に
圧電素子を用いたが、これに限るものではなく、後述す
る図15に示すような光スポット駆動型の半導体レーザ
を使用してもよい。
成には、上記実施の形態では、サンプルサーボ方式を用
いたが、周囲的に記録トラックを蛇行させて、それによ
る反射光の変調を蛇行周波数に同期させて検出し、誤差
信号を生成するウォブルドトラック方式を用いてもよ
い。また、再生専用ディスクのトラッキングには、CD
で行われているように3スポット方式を用いることも可
能である。すなわち、コリメータレンズ5と偏光ビーム
スプリッタ22の間に回折格子を挿入し、かっ、その±
一次光それぞれのディスクからの反射光を検出する光検
出素子を主ビーム検出用素子の両側に配置し、その出力
の差分を取ることにより、誤差信号の生成が可能とな
る。また、記録トラック側面部からの回折光の左右のア
ンバランスを検出して誤差信号を生成するプッシュプル
型の制御を行うことも可能である。この場合はその回折
光を2分割型の光検出素子に入射し、その差動出力誤差
信号を生成する。また、本実施の形態の光ヘッド1をそ
のまま追記型光ディスク(色素の光吸収により凹凸ビッ
トを形成したディスク)への記録および再生に用いるこ
とができる。また、浮上スライダ18のスポット形成面
18aに形成される光スポット9aの周辺に薄膜コイル
を装着し、磁界変調を行うことにより、光磁気媒体を用
いての光磁気記録も可能となる。但し、再生の場合に
は、光の偏波面の回転を偏光解析によって検出して信号
を生成するため、偏光ビームスプリッタ22を非偏光の
スプリッタに変え、光検出素子の手前に検光子を配置す
る必要がある。また、レーザ源として本実施の形態で
は、端面発光型レーザを用いたが、面発光型レーザ(V
CSEL)を用いることも可能である。面発光型レーザ
の場合、基本モード(TEM00)の最大出力は、2m
W程度と端面発光型レーザの1/10以下であるが、本
実施の形態では従来の光ディスク装置で使用されている
光スポット径の数分の1に絞られているため、光密度が
1桁以上高くできることから、面発光型半導体レーザで
も記録が可能となる。また、面発光型半導体レーザの場
合、温度による波長変動が小さく、色収差補正を不要に
できる。また、本実施の形態では、光スポットの駆動に
圧電素子を用いたが、これに限るものではなく、後述す
る図15に示すような光スポット駆動型の半導体レーザ
を使用してもよい。
【0044】図12は、本発明の第2の実施の形態に係
る光ディスク装置を示す。第1の実施の形態では、シー
ク動作にリニアモータ14を使用したが、この第2の実
施の形態では、ハードディスクに使用する回転型リニア
モータ43を使用したものである。光ヘッド1は回動軸
33aに回動可能に支持されたサスペンション33によ
って回転型リニアモータ43に接続されている。このよ
うな構成とすることにより、回転型リニアモータ43は
光ディスク12の外側に配置できるため、光へッド1を
さらに薄型にでき、光ディスク装置100全体を小型化
できる。また、これにより、光ディスク12を高速(3
600rpm)に回転することができ、平均360Mb
ps以上のデータ転送レートが可能になる。
る光ディスク装置を示す。第1の実施の形態では、シー
ク動作にリニアモータ14を使用したが、この第2の実
施の形態では、ハードディスクに使用する回転型リニア
モータ43を使用したものである。光ヘッド1は回動軸
33aに回動可能に支持されたサスペンション33によ
って回転型リニアモータ43に接続されている。このよ
うな構成とすることにより、回転型リニアモータ43は
光ディスク12の外側に配置できるため、光へッド1を
さらに薄型にでき、光ディスク装置100全体を小型化
できる。また、これにより、光ディスク12を高速(3
600rpm)に回転することができ、平均360Mb
ps以上のデータ転送レートが可能になる。
【0045】図13は、本発明の第3の実施の形態に係
る光ディスク装置を示す。この光ディスク装置100
は、図12に示す第2の実施の形態において、光ヘッド
1から半導体レーザ2、コリメータレンズ3、ホルダ3
7C、圧電素子41からなるレーザビーム発生系、およ
びビームスプリッタ22、1/4波長板23、光検出器
24からなる光検出系を分離して固定ユニット200内
に配置し、光ヘッド1と固定ユニット200とを光ファ
イバ201で光学的に接続したものである。
る光ディスク装置を示す。この光ディスク装置100
は、図12に示す第2の実施の形態において、光ヘッド
1から半導体レーザ2、コリメータレンズ3、ホルダ3
7C、圧電素子41からなるレーザビーム発生系、およ
びビームスプリッタ22、1/4波長板23、光検出器
24からなる光検出系を分離して固定ユニット200内
に配置し、光ヘッド1と固定ユニット200とを光ファ
イバ201で光学的に接続したものである。
【0046】上記第3の実施の形態に係る光ディスク装
置100によれば、光ファイバー201からスポット形
成面までの距離が約1mmと短く、この間での熱膨張・
収縮による焦点ずれは少なく、かつ、ピンホールの幅に
より近接場光のトラック方向の幅が一定とされているた
め、温度変動の影響が少ないため、自動焦点制御を省く
ことができる。また、第2の実施の形態の光ヘッド1か
らレーザビーム発生系および光検出系を分離したので、
光ヘッド1のサイズは、高さ1mm、長さ/幅2mmと
なり、重量は約10mgとなった。このような超軽量・
薄型の光ヘッド1を用いることにより、回転型リニアモ
ー夕43による高速のトラッキングが可能となり、高転
送レート、小型の光ディスク装置を提供できる。また、
この光ディスク装置を後述する図14の光ディスク装置
と同様のスタック型として、大容量の光ディスク装置を
提供することもできる。なお、高速のトラッキングを行
うためには、従来提案されているように、サスペンショ
ン33にピエゾ素子(図示せず)を取付け、それにより
サスペンダ33先端部および光ヘッドを駆動してもよ
い。
置100によれば、光ファイバー201からスポット形
成面までの距離が約1mmと短く、この間での熱膨張・
収縮による焦点ずれは少なく、かつ、ピンホールの幅に
より近接場光のトラック方向の幅が一定とされているた
め、温度変動の影響が少ないため、自動焦点制御を省く
ことができる。また、第2の実施の形態の光ヘッド1か
らレーザビーム発生系および光検出系を分離したので、
光ヘッド1のサイズは、高さ1mm、長さ/幅2mmと
なり、重量は約10mgとなった。このような超軽量・
薄型の光ヘッド1を用いることにより、回転型リニアモ
ー夕43による高速のトラッキングが可能となり、高転
送レート、小型の光ディスク装置を提供できる。また、
この光ディスク装置を後述する図14の光ディスク装置
と同様のスタック型として、大容量の光ディスク装置を
提供することもできる。なお、高速のトラッキングを行
うためには、従来提案されているように、サスペンショ
ン33にピエゾ素子(図示せず)を取付け、それにより
サスペンダ33先端部および光ヘッドを駆動してもよ
い。
【0047】図14は、本発明の第4の実施の形態に係
る光ディスク装置を示す。この光ディスク装置100
は、図7に示す透明集光用媒体6を用いた光ヘッド1
を、5枚重ねのディスクスタック型の光ディスク装置に
適用したものであり、プラスチック基板120の上下面
に記録層121,121がそれぞれ被着された5枚の光
ディスク12と、各光ディスク12の記録層121上を
浮上走行する10個の光ヘッド1と、回動軸44によっ
て光ヘッド1を回動可能に支持するサスペンション33
と、サスペンション33を駆動する回転型リニアモータ
45とを有する。記録層121としては、相変化型の媒
体でも光磁気型の媒体でもよい。回転型リニアモータ4
5は、サスペンション33が結合された可動片45a
と、ヨーク45bによって連結され、可動片45aを駆
動する電磁石45c,45cとからなる。この光ヘッド
1の構造は、基本的には図7に示すものと同様であり、
回転放物面を有する透明集光用媒体6とAlGalnN
系のレーザ(630nm)を使用しており、光スポット
径は0.2μmである。ディスク径は12cm、トラッ
クピッチとマーク長はそれぞれ0.07μm、0.05
μmであり、片面の容量は300GB、全体では3TB
である。
る光ディスク装置を示す。この光ディスク装置100
は、図7に示す透明集光用媒体6を用いた光ヘッド1
を、5枚重ねのディスクスタック型の光ディスク装置に
適用したものであり、プラスチック基板120の上下面
に記録層121,121がそれぞれ被着された5枚の光
ディスク12と、各光ディスク12の記録層121上を
浮上走行する10個の光ヘッド1と、回動軸44によっ
て光ヘッド1を回動可能に支持するサスペンション33
と、サスペンション33を駆動する回転型リニアモータ
45とを有する。記録層121としては、相変化型の媒
体でも光磁気型の媒体でもよい。回転型リニアモータ4
5は、サスペンション33が結合された可動片45a
と、ヨーク45bによって連結され、可動片45aを駆
動する電磁石45c,45cとからなる。この光ヘッド
1の構造は、基本的には図7に示すものと同様であり、
回転放物面を有する透明集光用媒体6とAlGalnN
系のレーザ(630nm)を使用しており、光スポット
径は0.2μmである。ディスク径は12cm、トラッ
クピッチとマーク長はそれぞれ0.07μm、0.05
μmであり、片面の容量は300GB、全体では3TB
である。
【0048】上記第4の実施の形態に係る光ディスク装
置100によれば、5枚の光ディスク12に情報を記録
できるので、15TBの大容量化が可能になる。なお、
光ヘッド1は、図1乃至図6に示すものを用いてもよ
い。これにより、光ヘッド1の高さを3m以下にでき、
光ディスク装置の高さを小型化でき、体積容量を上げる
ことができる。
置100によれば、5枚の光ディスク12に情報を記録
できるので、15TBの大容量化が可能になる。なお、
光ヘッド1は、図1乃至図6に示すものを用いてもよ
い。これにより、光ヘッド1の高さを3m以下にでき、
光ディスク装置の高さを小型化でき、体積容量を上げる
ことができる。
【0049】図15(a) ,(b) ,(c) は、本発明の第5
の実施の形態に係る光ディスク装置の主要部を示す。こ
の光ディスク装置100は、図10に示す第1の実施の
形態の光ディスク装置100において、半導体レーザ2
を独立駆動可能な複数(例えば、8個)のレーザ素子を
備え、複数のレーザ素子から複数のレーザビーム3aを
出射するものとし、遮光膜7Cに複数のピンホール7a
を形成し、光検出器24を8分割のものを使用したもの
であり、他は第1の実施の形態と同様に構成されてい
る。
の実施の形態に係る光ディスク装置の主要部を示す。こ
の光ディスク装置100は、図10に示す第1の実施の
形態の光ディスク装置100において、半導体レーザ2
を独立駆動可能な複数(例えば、8個)のレーザ素子を
備え、複数のレーザ素子から複数のレーザビーム3aを
出射するものとし、遮光膜7Cに複数のピンホール7a
を形成し、光検出器24を8分割のものを使用したもの
であり、他は第1の実施の形態と同様に構成されてい
る。
【0050】半導体レーザ2は、同図(b) に示すよう
に、端面発光半導体レーザであり、活性層19a、p型
電極19b、n型電極19cを有する。p型電極19b
の間隔d1 を例えば15μmにすることにより、レーザ
ビーム3aの間隔を15μmにしている。
に、端面発光半導体レーザであり、活性層19a、p型
電極19b、n型電極19cを有する。p型電極19b
の間隔d1 を例えば15μmにすることにより、レーザ
ビーム3aの間隔を15μmにしている。
【0051】遮光膜7Cは、同図(c) に示すように、レ
ーザビーム3aの数に対応して8つのピンホール7aを
有する。コリメータレンズ4のNAは0.16、透明集
光用媒体6でのNAは0.8、レーザビーム3aの間隔
d1 は15μmであるので、スポット形成面6cでの光
スポット9aの間隔、すなわち、ピンホール7aの間隔
d2 は3μmにしている。ピンホール7aのアレイ軸方
向X’は、各ピンホール7aがそれぞれ隣接するトラッ
クの真上に位置するように、光ディスク12のトラック
方向Xに対してわずかに傾けてある。すなわち、それぞ
れの隣接ピンホール7aの記録トラックに対する垂直方
向の間隔はトラックピッチ(この場合、0.07μm)
pに等しくなるように配列されている。トラック方向X
に対するピンホール7aのアレイ軸方向X’の傾き角は
23ミリラジアンであり、この傾きはレーザアレイでは
その支持台の傾き、ピンホールアレイでは形成時のフォ
トリソグラフィによる調整で行う。
ーザビーム3aの数に対応して8つのピンホール7aを
有する。コリメータレンズ4のNAは0.16、透明集
光用媒体6でのNAは0.8、レーザビーム3aの間隔
d1 は15μmであるので、スポット形成面6cでの光
スポット9aの間隔、すなわち、ピンホール7aの間隔
d2 は3μmにしている。ピンホール7aのアレイ軸方
向X’は、各ピンホール7aがそれぞれ隣接するトラッ
クの真上に位置するように、光ディスク12のトラック
方向Xに対してわずかに傾けてある。すなわち、それぞ
れの隣接ピンホール7aの記録トラックに対する垂直方
向の間隔はトラックピッチ(この場合、0.07μm)
pに等しくなるように配列されている。トラック方向X
に対するピンホール7aのアレイ軸方向X’の傾き角は
23ミリラジアンであり、この傾きはレーザアレイでは
その支持台の傾き、ピンホールアレイでは形成時のフォ
トリソグラフィによる調整で行う。
【0052】次に、上記第5の実施の形態に係る光ディ
スク装置100の動作を説明する。半導体レーザ2から
複数のレーザビーム3aが出射されると、半導体レーザ
2からの複数のレーザビーム3aは、コリメータレンズ
4により平行光ビーム3bに整形された後、偏光ビーム
スプリッタ22および1/4波長板23を通り、透明集
光用媒体6の入射面6aの第1の焦点Faに入射する。
平行光ビーム3bは、1/4波長板23を通過する際
に、1/4波長板23によって直線偏光から円偏光に変
わる。透明集光用媒体6の入射面6aの第1の焦点Fa
に入射した円偏光の平行光ビーム3bは、屈折して反射
面6bに到達し、反射面6bに被着形成された反射層7
Aで反射してスポット形成面6cの第2の焦点Fbに集
光する。スポット形成面6cに微小の複数の光スポット
9aが形成される。この複数の光スポット9a下の複数
のピンホール7aから複数の近接場光9bが透明集光用
媒体6の外側に滲み出し、この近接場光9bが光ディス
ク12の記録層121に伝播して光記録あるいは光再生
が行われる。光ディスク12で反射した反射光は、入射
光の経路を逆にたどり、透明集光用媒体6の反射面6b
に被着形成された反射層7Aで反射して偏光ビームスプ
リッタ22で入射ビームと分離された後、集光レンズ2
6により8分割の光検出器24に集光される。
スク装置100の動作を説明する。半導体レーザ2から
複数のレーザビーム3aが出射されると、半導体レーザ
2からの複数のレーザビーム3aは、コリメータレンズ
4により平行光ビーム3bに整形された後、偏光ビーム
スプリッタ22および1/4波長板23を通り、透明集
光用媒体6の入射面6aの第1の焦点Faに入射する。
平行光ビーム3bは、1/4波長板23を通過する際
に、1/4波長板23によって直線偏光から円偏光に変
わる。透明集光用媒体6の入射面6aの第1の焦点Fa
に入射した円偏光の平行光ビーム3bは、屈折して反射
面6bに到達し、反射面6bに被着形成された反射層7
Aで反射してスポット形成面6cの第2の焦点Fbに集
光する。スポット形成面6cに微小の複数の光スポット
9aが形成される。この複数の光スポット9a下の複数
のピンホール7aから複数の近接場光9bが透明集光用
媒体6の外側に滲み出し、この近接場光9bが光ディス
ク12の記録層121に伝播して光記録あるいは光再生
が行われる。光ディスク12で反射した反射光は、入射
光の経路を逆にたどり、透明集光用媒体6の反射面6b
に被着形成された反射層7Aで反射して偏光ビームスプ
リッタ22で入射ビームと分離された後、集光レンズ2
6により8分割の光検出器24に集光される。
【0053】上記第5の実施の形態に係る光ディスク装
置100によれば、8個のピンホール7aからの8個の
独立に変調可能な近接場光9bにより、独立に8本の記
録トラックを同時に記録・再生することができ、記録再
生の転送レートを8倍にすることができる。なお、ピン
ホール7aのアレイの長さは20μm程度であり、その
間のトラックの曲がりは0.007μmとトラック幅の
1/10程度であるので、これによるトラックずれは無
視できる。また、ピンホール7aの数は必ずしも8個に
限るものではなく、用途により増減可能である。なお、
透明集光用媒体6は、図1乃至図6に示すものを用いて
もよい。
置100によれば、8個のピンホール7aからの8個の
独立に変調可能な近接場光9bにより、独立に8本の記
録トラックを同時に記録・再生することができ、記録再
生の転送レートを8倍にすることができる。なお、ピン
ホール7aのアレイの長さは20μm程度であり、その
間のトラックの曲がりは0.007μmとトラック幅の
1/10程度であるので、これによるトラックずれは無
視できる。また、ピンホール7aの数は必ずしも8個に
限るものではなく、用途により増減可能である。なお、
透明集光用媒体6は、図1乃至図6に示すものを用いて
もよい。
【0054】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
集光手段からのレーザ光の光軸を回転楕円面の一部から
なる反射面によってほぼ垂直に曲げることが可能である
ため、集光手段の光軸をスポット形成面にほぼ平行に配
置することが可能になり、高さ方向の小型化を図ること
ができる。また、透明集光用媒体内部での開口数を大き
くできるので、スポット形成面上に形成される光スポッ
トを微小化でき、さらにその光スポットを微小孔を有す
る遮光膜によって遮光しているので、スポット形成面上
に形成される光スポットより微小の近接場光スポットが
得られ、高記録密度が可能になる。また、透明集光媒体
の入射面にレーザ光が垂直に入射するような形状とする
ことにより、色収差の発生防止が図れる。
集光手段からのレーザ光の光軸を回転楕円面の一部から
なる反射面によってほぼ垂直に曲げることが可能である
ため、集光手段の光軸をスポット形成面にほぼ平行に配
置することが可能になり、高さ方向の小型化を図ること
ができる。また、透明集光用媒体内部での開口数を大き
くできるので、スポット形成面上に形成される光スポッ
トを微小化でき、さらにその光スポットを微小孔を有す
る遮光膜によって遮光しているので、スポット形成面上
に形成される光スポットより微小の近接場光スポットが
得られ、高記録密度が可能になる。また、透明集光媒体
の入射面にレーザ光が垂直に入射するような形状とする
ことにより、色収差の発生防止が図れる。
【図1】(a) は本発明の第1の実施の形態に係る光ヘッ
ドの主要部を示す図、(b) はその底面図である。
ドの主要部を示す図、(b) はその底面図である。
【図2】第1の実施の形態に係る透明集光用媒体の詳細
形状を示す図である。
形状を示す図である。
【図3】(a) 〜(d) は第1の実施の形態に係る遮光反射
膜の形成方法を示す図である。
膜の形成方法を示す図である。
【図4】(a) ,(b) は第1の実施の形態に係る遮光反射
膜の変形例を示す図である。
膜の変形例を示す図である。
【図5】本発明の第2の実施の形態に係る光ヘッドの主
要部を示す図である。
要部を示す図である。
【図6】本発明の第3の実施の形態に係る光ヘッドの主
要部を示す図である。
要部を示す図である。
【図7】(a) は本発明の第4の実施の形態に係る光ヘッ
ドの主要部を示す図、(b) はその底面図である。
ドの主要部を示す図、(b) はその底面図である。
【図8】(a) は本発明の第1の実施の形態に係る光ディ
スク装置を示す図、(b) は(a)のA−A断面図である。
スク装置を示す図、(b) は(a)のA−A断面図である。
【図9】第1の実施の形態に係る光ディスクの詳細を示
す断面図である。
す断面図である。
【図10】(a) は第1の実施の形態に係る光ヘッドの縦
断面図、(b) は横断面図である。
断面図、(b) は横断面図である。
【図11】第1の実施の形態に係る圧電素子の断面図で
ある。
ある。
【図12】本発明の第2の実施の形態に係る光ディスク
装置の斜視図である。
装置の斜視図である。
【図13】本発明の第3の実施の形態に係る光ディスク
装置の斜視図である。
装置の斜視図である。
【図14】本発明の第4の実施の形態に係る光ディスク
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図15】(a) は本発明の第5の実施の形態に係る光デ
ィスク装置の主要部を示す図、(b) はその半導体レーザ
を示す図、(c) はその遮光膜を示す図である。
ィスク装置の主要部を示す図、(b) はその半導体レーザ
を示す図、(c) はその遮光膜を示す図である。
【図16】(a) は従来の光ディスク装置を示す図、(b)
はその再生時の動作を示す図である。
はその再生時の動作を示す図である。
【図17】従来の他の光ディスク装置を示す図である。
【図18】図17における屈折率nとNAの関係を示す
図である。
図である。
【図19】従来の光ヘッドを示す図である。
1 光ヘッド 2 半導体レーザ 3a,3b,3c,3c’,3d,3d’,3e,3
e’ レーザビーム 4 コリメータレンズ 4’ 集光レンズ 5 プリズム 6 透明集光用媒体 6a 入射面 6b 反射面 6c スポット形成面 6c’ ピンホール近傍の領域 6d 底面 7A 反射膜 7B 遮光反射膜 7C 遮光膜 7a ピンホール 8 光ディスク 9a 光スポット 9b 近接場光 12 光ディスク 12a グルーブ部 13 トラッキング方向 14 リニアモータ 15 サスペンション 16 光ヘッド駆動系 17 信号処理系 18 浮上スライダ 18a スポット形成面 18b 溝 19a 活性層 19b p型電極 19c n型電極 20 ホルダ 22 偏光ビームスプリッタ 23 1/4波長板 24 光検出器 25 ヘッドケース 26 集光レンズ 33 サスペンション 33a 回動軸 37C ホルダ 41 圧電素子 43 回転型リニアモータ 44 回動軸 45 回転型リニアモータ 45a 可動片 45b ヨーク 45c 電磁石 46 半導体レーザ 70 フォトレジスト膜 71 Ti膜 100 光ディスク装置 120 プラスチック基板 121 記録層 200 固定ユニット 201 光ファイバ 410 電極端子 411 電極膜 412 多層PZT薄膜 460 基板 461 上部電極 461a 主部電極 461b 先端部電極 462 下部電極 463 活性層 464a 発振狭窄部の主部 464b 発振狭窄部の先端部 463 活性層 d1 p型電極の間隔 d2 ピンホールの間隔 Fa 第1の焦点 Fb 第2の焦点 L 回転楕円体の長軸 X トラック方向 X’ ピンホールのアレイ軸方向 Y トラック方向に直交する方向 P 中央点 p トラックピッチ θe 集光光の半頂角 θc 入射光の半頂角
e’ レーザビーム 4 コリメータレンズ 4’ 集光レンズ 5 プリズム 6 透明集光用媒体 6a 入射面 6b 反射面 6c スポット形成面 6c’ ピンホール近傍の領域 6d 底面 7A 反射膜 7B 遮光反射膜 7C 遮光膜 7a ピンホール 8 光ディスク 9a 光スポット 9b 近接場光 12 光ディスク 12a グルーブ部 13 トラッキング方向 14 リニアモータ 15 サスペンション 16 光ヘッド駆動系 17 信号処理系 18 浮上スライダ 18a スポット形成面 18b 溝 19a 活性層 19b p型電極 19c n型電極 20 ホルダ 22 偏光ビームスプリッタ 23 1/4波長板 24 光検出器 25 ヘッドケース 26 集光レンズ 33 サスペンション 33a 回動軸 37C ホルダ 41 圧電素子 43 回転型リニアモータ 44 回動軸 45 回転型リニアモータ 45a 可動片 45b ヨーク 45c 電磁石 46 半導体レーザ 70 フォトレジスト膜 71 Ti膜 100 光ディスク装置 120 プラスチック基板 121 記録層 200 固定ユニット 201 光ファイバ 410 電極端子 411 電極膜 412 多層PZT薄膜 460 基板 461 上部電極 461a 主部電極 461b 先端部電極 462 下部電極 463 活性層 464a 発振狭窄部の主部 464b 発振狭窄部の先端部 463 活性層 d1 p型電極の間隔 d2 ピンホールの間隔 Fa 第1の焦点 Fb 第2の焦点 L 回転楕円体の長軸 X トラック方向 X’ ピンホールのアレイ軸方向 Y トラック方向に直交する方向 P 中央点 p トラックピッチ θe 集光光の半頂角 θc 入射光の半頂角
Claims (20)
- 【請求項1】レーザ光を集光して光スポットを形成する
光ヘッドにおいて、 前記レーザ光を出射するレーザ光出射手段と、 前記レーザ光出射手段からの前記レーザ光を集光する集
光手段と、 前記集光手段によって前記レーザ光が集光された第1の
点と前記光スポットが形成される第2の点とを2焦点と
する回転楕円面の一部からなり外側に反射体が形成され
た反射面、前記レーザ光出射手段からの前記レーザ光が
入射される入射面、および前記光スポットが形成される
スポット形成面を有し、前記集光手段によって集光さ
れ、前記第1の点で反射あるいは屈折して前記反射面に
向かう前記レーザ光を前記反射体で反射させて前記スポ
ット形成面上の前記第2の点に前記光スポットを形成す
る透明集光用媒体と、 前記光スポットを遮る位置に、前記光スポットより径が
小なる微小孔を有して前記透明集光用媒体の前記スポッ
ト形成面の表面に設けられた遮光膜とを備えたことを特
徴とする光ヘッド。 - 【請求項2】前記透明集光用媒体は、前記第1の点に設
けられ、前記集光手段によって前記第1の点に集光され
た前記レーザ光を前記反射面に向けて反射させる反射部
材を備えた構成の請求項1記載の光ヘッド。 - 【請求項3】前記透明集光用媒体の前記入射面は、前記
第1の点を中心とする凹球面の一部からなり、前記反射
部材で反射した前記レーザ光が入射される構成の請求項
2記載の光ヘッド。 - 【請求項4】前記透明集光用媒体の前記入射面は、前記
第1の点を中心とする凸球面の一部からなり、前記集光
手段によって集光された前記レーザ光が入射される構成
の請求項1記載の光ヘッド。 - 【請求項5】前記透明集光用媒体は、前記第1の点を前
記入射面上に有し、前記集光手段によって前記第1の点
に集光された前記レーザ光を前記反射面に向けて屈折さ
せる構成の請求項1記載の光ヘッド。 - 【請求項6】前記透明集光用媒体の前記スポット形成面
は、平面からなる構成の請求項1記載の光ヘッド。 - 【請求項7】前記透明集光用媒体の前記入射面は、平面
からなる構成の請求項1記載の光ヘッド。 - 【請求項8】前記透明集光用媒体の前記入射面および前
記スポット形成面は、それぞれ平面からなり、互いに直
交する構成の請求項1記載の光ヘッド。 - 【請求項9】前記透明集光用媒体の前記入射面および前
記スポット形成面は、同一の平面からなり、前記第1お
よび第2の点を前記平面上に有する構成の請求項1記載
の光ヘッド。 - 【請求項10】前記透明集光用媒体の前記スポット形成
面は、平面からなり、前記第1および第2の点を前記平
面上に有し、前記反射部材および前記遮光膜は、前記平
面上に形成された単一の遮光反射膜からなる構成の請求
項2記載の光ヘッド。 - 【請求項11】前記集光手段は、集光レンズである構成
の請求項1記載の光ヘッド。 - 【請求項12】前記レーザ光出射手段は、前記レーザ光
を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源からの前記レ
ーザ光を平行光に整形するコリメートレンズとを備えた
構成の請求項1記載の光ヘッド。 - 【請求項13】前記レーザ光出射手段は、前記レーザ光
を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源からの前記レ
ーザ光を所定の方向に偏向する偏向部材とを備えた構成
の請求項1記載の光ヘッド。 - 【請求項14】レーザ光を集光して光スポットを形成す
る光ヘッドを有し、回転する光ディスク上の記録トラッ
クに対し、前記光スポットに基づいて情報の記録あるい
は再生を行う光ディスク装置において、 前記光ヘッドは、 前記レーザ光を出射するレーザ光出射手段と、 前記レーザ光出射手段からの前記レーザ光を集光する集
光手段と、 前記集光手段によって前記レーザ光が集光される第1の
点と前記光スポットが形成される第2の点とを2焦点と
する回転楕円面の一部からなり外側に反射体が形成され
た反射面、前記レーザ光出射手段からの前記レーザ光が
入射される入射面、および前記光スポットが形成される
スポット形成面を有し、前記集光手段によって集光さ
れ、前記第1の点で反射あるいは屈折して前記反射面に
向かうレーザ光を前記反射体で反射させて前記スポット
形成面上の前記第2の点に前記光スポットを形成する透
明集光用媒体と、 前記光スポットを遮る位置に、前記光スポットより径が
小なる微小孔を有して前記透明集光用媒体の前記スポッ
ト形成面の表面に設けられた遮光膜とを備えたことを特
徴とする光ディスク装置。 - 【請求項15】前記透明集光用媒体は、互いに密着し、
同一の屈折率を有する第1の透明媒体と第2の透明媒体
とからなり、 前記第1の透明媒体は、前記入射面および前記反射面を
有し、 前記第2の透明媒体は、前記光ディスクの回転に伴って
前記光ディスク上を浮上走査する浮上スライダであり、
前記浮上スライダが前記スポット形成面を有し、 前記レーザ光出射手段、および前記記録あるいは前記再
生に必要な光学系を前記浮上スライダ上に配置した構成
の請求項14記載の光ディスク装置。 - 【請求項16】レーザ光を集光して光スポットを形成す
る光ヘッドと、同軸上に所定の間隔を有して配置された
回転する複数の光ディスクとを有し、前記複数の光ディ
スク上の記録トラックに対し、前記光スポットに基づい
て記録あるいは再生を行う光ディスク装置において、 前記光ヘッドは、 前記レーザ光を出射するレーザ光出射手段と、 前記レーザ光出射手段からの前記レーザ光を集光する集
光手段と、 前記集光手段によって前記レーザ光が集光される第1の
点と前記光スポットが形成される第2の点とを2焦点と
する回転楕円面の一部からなり外側に反射体が形成され
た反射面、前記レーザ光出射手段からの前記レーザ光が
入射される入射面、および前記光スポットが形成される
スポット形成面を有し、前記集光手段によって集光さ
れ、前記第1の点で反射あるいは屈折して前記反射面に
向かうレーザ光を前記反射体で反射させて前記スポット
形成面上の前記第2の点に前記光スポットを形成する透
明集光用媒体と、 前記光スポットを遮る位置に、前記光スポットより径が
小なる微小孔を有して前記透明集光用媒体の前記スポッ
ト形成面の表面に設けられた遮光膜とを備えたことを特
徴とする光ディスク装置。 - 【請求項17】レーザ光が集光される点と前記レーザ光
によって光スポットが形成される点とを2焦点とする略
回転楕円体状を有し、前記光スポットが形成されるスポ
ット形成面を備えた透明集光用媒体を準備し、 前記透明集光用媒体の前記スポット形成面に前記光スポ
ットの径より寸法が小なる外径を有するホトレジスト層
を形成し、 前記透明集光用媒体の前記スポット形成面の前記ホトレ
ジスト層の存在しない領域を前記レーザ光の波長以下の
所定の深さでエッチングによって除去することにより凹
部を形成し、 前記凹部に遮光材料を堆積させて前記外径に対応する開
口を有した遮光膜を形成することを特徴とする光ヘッド
の製造方法。 - 【請求項18】前記ホトレジスト層の形成する段階は、
前記透明集光用媒体の前記スポット形成面の外緑に前記
遮光膜の外径を決定するホトレジスト層を形成する段階
を含む構成の請求項17記載の光ヘッドの製造方法。 - 【請求項19】前記凹部を形成する段階は、前記凹部の
前記ホトレジスト層近傍の座面に光散乱用の複数の微小
の凹凸を形成する段階を含む構成の請求項17記載の光
ヘッドの製造方法。 - 【請求項20】前記凹部を形成する段階は、前記凹部の
前記ホトレジスト層近傍の座面を傾斜面に形成する段階
を含む構成の請求項17記載の光ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11014317A JP2000215501A (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | 光ヘッド、光ディスク装置、および光ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11014317A JP2000215501A (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | 光ヘッド、光ディスク装置、および光ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000215501A true JP2000215501A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11857726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11014317A Pending JP2000215501A (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | 光ヘッド、光ディスク装置、および光ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000215501A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176118A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Minolta Co Ltd | 光ヘッド、記録再生装置、および固浸レンズ |
| JP2003085808A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Konica Corp | 光学素子、光ピックアップ装置及び光学素子の製造方法 |
-
1999
- 1999-01-22 JP JP11014317A patent/JP2000215501A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176118A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Minolta Co Ltd | 光ヘッド、記録再生装置、および固浸レンズ |
| JP2003085808A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Konica Corp | 光学素子、光ピックアップ装置及び光学素子の製造方法 |
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