JP2000206679A - パタン形成方法および半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】遠紫外線、電子線、Ｘ線、その他の活性化学線
に対して高透過性でドライエッチング耐性を持ち、かつ
高感度で良好な水性アルカリ水溶液現像特性を有するパ
タン形成材料を提供する。 【解決手段】側鎖に環状炭化水素基とアルコール性水酸
基とカルボン酸を含む水性アルカリ可溶性樹脂および活
性化学線照射により酸を生じる化合物および酸触媒反応
によりアルカリ水溶液に対し溶解性を減少または増加さ
せる反応性を有する化合物とイオン解離性の化合物を含
む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の製
造に用いられるフォトリソグラフィプロセスにおいて使
用されるパタン形成材料並びにこれを使用したパタン形
成方法、およびフォトリソグラフィプロセスを含む半導
体装置等の製造方法に関する。さらに詳しくは、ＡｒＦ
エキシマレーザ光等の波長２２０nm以下の遠紫外線を用
いたフォトリソグラフィプロセスに好適なネガ型の感光
性組成物を用いたパタン形成材料およびパタン形成方法
ならびに半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の高集積化並びに高密度化に
伴い、最小加工寸法が０．２５ミクロンよりさらに小さ
い領域のフォトリソグラフィ技術として、ＡｒＦエキシ
マレーザ（１９３nm）を光源に用いたフォトリソグラフ
ィ技術が注目されている。ＡｒＦエキシマレーザの波長
は芳香族フェニル基の吸収極大にあたり、フェノール樹
脂を主成分とする従来のフォトレジスト材料では、単層
レジストプロセスは困難となる。このため、ＡｒＦエキ
シマレーザの波長１９３nmで透過率が高く、かつドライ
エッチング耐性があり、水性アルカリ現像可能な種々の
レジスト用高分子材料が提案されている（例えば、特開
平４−３９６６５、特開平４−１８４３４５、特開平４
−２２６４６１、特開平５−８０５１５、特開平５−２
６５２１２、特開平５−２５７２８４、特開平５−３４
６６６８、特開平７−２８２３７、特開平７−１９９４
６７、特開平７−２３４５１１、特開平８−８２９２
５、特開平８−２５９６２６号各公報など）。

【０００３】一方、高精度な微細加工を実現するレジス
トプロセスの技術の一つとして、露光波長よりも微細な
パタン形成が可能な位相シフト露光法が提案されてい
る。位相シフト露光法は主に配線パタンを形成するのに
用いられるが、光学原理上の制限のため、ポジ型レジス
トでは実現しにくいパタン配置があり、ネガ型レジスト
が必要となる。ところが、上記列挙した従来技術に開示
されている樹脂並びに感光性組成物は、すべてポジ型レ
ジストであり、ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３nmを
含む遠紫外線領域において、透明性に優れかつ十分なド
ライエッチング耐性を持つカルボン酸系樹脂を用いた十
分な感度のネガ型レジストは得られていない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】カルボン酸基を有する
樹脂を架橋タイプのネガ型レジストに応用した場合、現
像時における膨潤が生じやすいという問題がある。例え
ば特開昭６２−１６４０４５に見られるような架橋剤を
用いると、架橋した部分にカルボン酸が残存するために
水性アルカリ現像の際に現像液が染み込みやすく、露光
部分が膨潤し、パタンの剥がれ、パタン倒れ等が生じ
る。この膨潤現象は、サブミクロン以下のパタン形成が
要求されるＡｒＦリソグラフィにおいて大きな問題とな
り、従来の技術では高解像性を維持することは困難であ
る。

【０００５】膨潤を避けるために、樹脂中に含まれるカ
ルボン酸基の数をできるだけ少なくすることが考えられ
る。しかし、水性アルカリ溶解に重要な役割を果たすカ
ルボン酸基の数が減少すると、現像時においてクラッ
ク、パタンの剥がれ、パタンの倒れ、不均一な溶解、層
分離などが生じてパタン形状悪化の原因になる。さらに
樹脂中に含まれるカルボン酸基の数を極端に減少させる
と、樹脂が水性アルカリ現像液に対して不溶になる。

【０００６】従って、本発明は、ＡｒＦエキシマレーザ
の波長１９３nmを含む遠紫外線領域において透明でドラ
イエッチング耐性も高く、水性アルカリ可溶性を有する
カルボン酸を側鎖に含む高分子材料を含み、非膨潤な水
性アルカリ現像特性を示し、かつ高解像度であるカルボ
ン酸系パタン形成材料を使用したネガ型パタン形成方法
を提供することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、塗膜を形成
するパタン形成材料であって、（ａ）側鎖に環状炭化水
素基とアルコール性水酸基とカルボン酸基を少なくとも
有する水性アルカリ可溶性樹脂および（ｂ）活性化学線
照射により酸を発生する化合物および（ｃ）酸触媒反応
によりアルカリ水溶液に対し当該塗膜の溶解性を減少さ
せる反応性を有する化合物および（ｄ）一般式（１）ま
たは一般式（２）で示されるイオン解離性化合物

【０００８】

【化４】

【０００９】（式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，およびＲ₄は水素
または炭素数１〜７のアルキル基またはアリール基で、
Ｙ₁は塩素，臭素，ヨウ素，水酸基，炭素数１〜７のカ
ルボナート基または炭素数１〜７のスルホナート基を表
す）

【００１０】

【化５】

【００１１】（式中、Ｒ₅，Ｒ₆，およびＲ₇は水素また
は炭素数１〜７のアルキル基またはアリール基で、Ｙ₂
は塩素，臭素，ヨウ素，水酸基，炭素数１〜７のカルボ
ナート基を表す）を少なくとも含むことを特徴とするパ
タン形成材料であって、上記成分（ａ）において側鎖の
官能基に占めるカルボン酸基の数が２０％以上５０％未
満であることを特徴とするパタン形成材料を使用したパ
タン形成方法により達成できる。

【００１２】このとき、上記（ａ）成分の側鎖に環状炭
化水素基とアルコール性水酸基とカルボン酸基を少なく
とも有する水性アルカリ可溶性樹脂の例として、一般式
（４）で表される樹脂を使用することが可能である。

【００１３】

【化６】

【００１４】（ただしＲ₁₂，Ｒ₁₃は脂肪族炭化水素化合
物の誘導体または環状脂肪族炭化水素化合物の誘導体
で、Ｘは環状炭化水素基、Ｙはアルコール性水酸基、Ｚ
はカルボン酸基の数をそれぞれ示し、Ｘは３０以上３５
未満、Ｚは２０以上５０未満、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００とす
る） 側鎖に環状炭化水素基とアルコール性水酸基とカルボン
酸基を少なくとも有する水性アルカリ可溶性樹脂の例と
して、メタクリル酸とエステル部に環状脂肪族炭化水素
化合物が導入されたメタクリル酸エステルとエステル部
にアルコール性水酸基が導入されたメタクリル酸エステ
ルとの３成分共重合体が挙げられる。上記以外のカルボ
ン酸を側鎖に含むアルカリ可溶性樹脂の使用も可能であ
る。

【００１５】上記の（ｂ）成分の活性化学線により酸を
発生する化合物の例として、各種ジアゾニウム塩、各種
のオニウム塩、フェノール性水酸基を複数含む化合物と
アルキルスルホン酸とのエステル、各種ハロゲン化合物
が挙げられる。本発明における塩の対アニオンは、テト
ラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、トリ
フルオロメタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トルエ
ンスルホン酸等のルイス酸が挙げられる。上記以外の活
性化学線照射により酸を発生する化合物の使用も可能で
ある。

【００１６】上記の（ｃ）成分の酸触媒反応によりアル
カリ水溶液に対し溶解性を減少させる反応性を有する化
合物として、少なくとも１つのアルコール性水酸基を持
つ脂肪族炭化水素化合物の誘導体または環状脂肪族炭化
水素化合物の誘導体が望ましい。例えば、１−アダマン
タノール，２−メチル−２−アダマンタノール，exo−
ノルボルネンオール，endo−ノルボルネンオール、１，
２−シクロヘキサンジオール、１，４−ジオキサン−
２，３−ジオール、等のように、環状脂肪族炭化水素骨
格を持つ２級ないし３級アルコール化合物が挙げられ
る。上記以外の少なくとも１つのアルコール性水酸基を
持つ脂肪族炭化水素化合物の誘導体または環状脂肪族炭
化水素化合物の誘導体の使用も可能である。さらに、少
なくとも１つのアルコール性水酸基を持つ脂肪族炭化水
素化合物の誘導体または環状脂肪族炭化水素化合物の誘
導体を２種類以上組み合わせて使用することも可能であ
る。

【００１７】また、上記の（ｃ）成分の酸触媒反応によ
りアルカリ水溶液に対し溶解性を減少させる反応性を有
する化合物として、少なくとも１つのエポキシ基を持つ
脂肪族炭化水素化合物の誘導体または環状脂肪族炭化水
素化合物の誘導体を用いることも可能である。

【００１８】上記（ｄ）の一般式（１）または一般式
（２）で示されるイオン解離性の化合物としては、塩化
テトラペンチルアンモニウム、酢酸アンモニウム等のア
ンモニウム塩が挙げられる。また、ヨウ化トリメチルス
ルホニウム、ヨウ化エチルジメチルスルホニウム等のス
ルホニウム塩の使用も可能である。

【００１９】これらの塗膜中にあるイオン解離性化合物
は、水性アルカリ現像液に接触すると塗膜中のカルボン
酸基と水性アルカリ現像液に対し難溶性の塩を形成し、
水性アルカリ現像液の塗膜中への急激な染み込みを防止
し、溶解速度をコントロールする。その結果、水性アル
カリ現像液でノボラック樹脂等のフェノール性樹脂の塗
膜を現像するときに観察されるように、干渉縞を生じた
逐次的かつ均一な塗膜の現像が可能となる。さらに、塗
膜中にあるイオン解離性化合物は、露光で発散した酸の
拡散を抑制する効果があるため、露光部分の酸濃度が増
加し架橋密度が高くなる。その結果、水性アルカリ現像
液で現像すると、露光部と未露光部の溶解コントラスト
が高くなりパタンの解像性が向上する。

【００２０】本発明中、パタン形成の際に照射する活性
化学線として、電子線、Ｘ線、紫外線が挙げられる。紫
外線の光源としては波長２４８nmのＫｒＦエキシマレー
ザが挙げられる。波長２００nm以下の遠紫外光は、重水
素ランプ、ＳＯＲ光、波長１９３nmのＡｒＦエキシマレ
ーザ等を光源とすることが可能である。これら以外の真
空紫外光源を使用することも可能である。

【００２１】また、本発明において現像に使用する水性
アルカリ現像液として、水酸化テトラメチルアンモニウ
ムの希薄水溶液を使用することが可能である。特に、水
酸化テトラメチルアンモニウムの０．０５重量％以上
０．２５重量％未満の濃度の水溶液で現像することが望
ましい。カルボン酸基はフェノール性水酸基よりも酸性
度が高いので、カルボン酸基を含む樹脂はフェノール性
水酸基を含む樹脂よりも水性アルカリ現像液に対する溶
解速度が大きくなる。このため、カルボン酸基を含む樹
脂を架橋型のネガ型レジストに使用した場合、希薄な水
性アルカリ現像液を使用すれば、露光部分に急激に現像
液が染み込むことがなくなり、露光部の膨潤によって生
じるパタン形状の悪化を避けることが可能となる。

【００２２】本発明中、現像後のリンス工程において、
通常使用するような純水によるリンスだけではなく、一
般式（３）で表される水溶性化合物の水溶液をリンス液
に使用することも可能である。

【００２３】

【化７】

【００２４】（式中、Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₀，およびＲ₁₁は水
素または炭素数１〜４のアルキル基で、Ｙ₃は塩素，臭
素，ヨウ素，炭素数１〜７のカルボナート基または炭素
数１〜７のスルホナート基を表す） 上記一般式（３）で示される水溶性化合物の例として、
ハロゲン化アルキル化合物が挙げられる。例えば、塩化
テトラメチルアンモニウム，ヨウ化テトラメチルアンモ
ニウム，臭化テトラメチルアンモニウム等が挙げられ
る。また、一般式（３）で示される水溶性化合物を水に
添加して水溶液を作る際、水性アルカリ現像液のイオン
強度と等しくなるように水溶液の濃度を調整するのが望
ましい。一般式（３）で示される水溶性化合物の水溶液
でウェハをリンスすると、現像液とリンス液のイオン強
度が等しいため、リンス液の未露光部分に対する急激な
染み込みが防止できる。その結果、リンスの際に生じる
未露光部の膨潤、スカム、パタンの剥がれ、倒れを防止
する作用があるため、更なるパタン形状の向上が可能と
なる。

【００２５】

【発明の実施の形態】次に、本発明をさらに具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定さ
れるものではない。

【００２６】（実施例１）一般式（５）で表されるメタ
クリル酸およびエステル部に環状脂肪族炭化水素化合物
が導入されたメタクリル酸エステルおよびエステル部に
アルコール性水酸基が導入されたメタクリル酸エステル
との３成分共重合体からなる樹脂：１００重量部と、
１，４−ジオキサン−２，３−ジオール：２０重量部
と、トリフェニルスルホニウムトリフレート：５重量部
と、塩化テトラペンチルアンモニウム１重量部をシクロ
ヘキサノンに溶解して、固形分濃度約１５重量％の溶液
を配合した。

【００２７】

【化８】

【００２８】（ただしＲ₁₄，Ｒ₁₅は脂肪族炭化水素化合
物の誘導体または環状脂肪族炭化水素化合物の誘導体で
あり、Ｘは環状炭化水素基、Ｙはアルコール性水酸基、
Ｚはカルボン酸基の数をそれぞれ示し、Ｘは３３、Ｙは
３３、Ｚは３４である） シリコンウェハ上に上述の組成の溶液を滴下し回転塗布
した後、１００℃で５分間プリベークして膜厚０．４５
ミクロンのレジスト膜を得た。この基板に２５０nmの干
渉フィルタ（日本真空光学製）を介した水銀キセノンラ
ンプ（６００Ｗ）の光を照射した後、１００℃で５分間
熱処理した。次に、水酸化テトラメチルアンモニウム
０．１１９重量％を含む水溶液で、上記の基板を現像
し、純水でリンスした。その結果、露光量３０mJ／cm²
以上で残膜率１のネガ型レジストパタンを得た。

【００２９】（実施例２）前記の実施例１に記載の手法
において、リンス液を濃度が０．１２重量％である塩化
テトラメチルアンモニウムの水溶液とした。その結果、
露光量３０mJ／cm²以上で残膜率１のネガ型レジストパ
タンを得た。

【００３０】（実施例３）ヘキサメチルジシラザンで処
理したシリコン基板上に、実施例１のレジスト溶液を回
転塗布し、塗布後１００℃で２分間加熱処理して、膜厚
０．４５μmのレジスト膜を形成した。これをＩＳＩ社
製ｃエキシマレーザステッパ（ＮＡ０．６）を用いて微
細パタンの露光を行った。露光後ベークを１００℃で２
分間を行った。現像は水酸化テトラメチルアンモニウム
水溶液（０．１１９重量％）で、２３℃で９０秒間行
い、続けて６０秒間純水でリンスした。その結果、露光
量３０mJ／cm²のときに、レジスト膜の未露光部のみが
現像液に溶解除去され、ネガ型の０．２μmラインアン
ドスペースパタンが得られた。このレジストを現像する
際に、パタンの剥離、膨潤、クラックなどは観察されな
かった。

【００３１】（実施例４）実施例３に記載の手法におい
て、リンス液を塩化テトラメチルアンモニウム０．１２
重量％を含む水溶液とした。その結果、露光量５０mJ／
cm²のときに、レジスト膜の未露光部のみが現像液に溶
解除去され、ネガ型の０．２μmラインアンドスペース
パタンが得られた。このレジストを現像する際に、パタ
ンの剥離、膨潤、クラックなどは観察されなかった。

【００３２】（実施例５）所定の工程を行いアルミニウ
ム膜を形成した基板上に、実施例１で使用した組成のパ
タン形成材料を滴下し回転塗布した後、１００℃で５分
間プリベークして膜厚０．５ミクロンのレジスト膜を得
た。この基板に位相シフトマスクを介した波長１９３nm
のＡｒＦエキシマレーザの光を照射した後、１００℃で
５分間熱処理した。次に、水酸化テトラメチルアンモニ
ウム０．１１９重量％を含む水溶液で上記の基板を現像
し、純水でリンスした。その結果、良好なネガ型のライ
ンアンドスペースパタンを得ることができた。

【００３３】上記基板上に形成されたレジストパタンを
マスクとして下地のアルミニウム膜を塩素ガス並びに３
塩化ホウ素ガスを含むガスを用いて所定の条件でドライ
エッチングした。次に上記レジストパタンを除去して、
所望のアルミニウム配線パタンを形成した。走査型電子
顕微鏡で観察した結果、加工寸法０．４ミクロンの良好
なアルミニウム配線パタンを形成することができた。

【００３４】（実施例６）実施例５に記載の手法におい
て、リンス液を塩化テトラメチルアンモニウム０．１２
重量％を含む水溶液とした。その結果、実施例５同様に
良好なネガ型のラインアンドスペースパタンを得ること
ができた。

【００３５】上記基板上に形成されたレジストパタンを
マスクとして下地のアルミニウム膜を塩素ガス並びに３
塩化ホウ素ガスを含むガスを用いて所定の条件でドライ
エッチングした。次に上記レジストパタンを除去して、
所望のアルミニウム配線パタンを形成した。走査型電子
顕微鏡で観察した結果、加工寸法０．４ミクロンの良好
なアルミニウム配線パタンを形成することができた。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、遠紫外線、電子線、Ｘ
線、その他の活性化学線に対して高透過性でドライエッ
チング耐性を持ち且つ高感度で良好な水性アルカリ現像
特性を持つネガ型パタン形成材料を利用したパタン形成
方法を得ることができた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白石 洋 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA01 AA02 AA03 AA04 AA09 AB16 AC04 AC08 AD01 BE00 CB41 CB43 CB45 CB52 CC17 CC20 EA04 FA03 FA17

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】塗膜を形成するパタン形成材料であって、
   側鎖に環状炭化水素基とアルコール性水酸基とカルボン
   酸を少なくとも有する水性アルカリ可溶性樹脂と、活性
   化学線照射により酸を生じる化合物と、酸触媒反応によ
   りアルカリ水溶液に対し上記塗膜の溶解性を減少または
   増加させる反応性を有する化合物と、一般式（１）で示
   されるイオン解離性の化合物または一般式（２）で示さ
   れるイオン解離性の化合物 【化１】 （式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，およびＲ₄は水素または炭素数
   １〜７のアルキル基またはアリール基で、Ｙ₁は塩素，
   臭素，ヨウ素，水酸基，炭素数１〜７のカルボナート基
   または炭素数１〜７のスルホナート基を表す） 【化２】 （式中、Ｒ₅，Ｒ₆，およびＲ₇は水素または炭素数１〜
   ７のアルキル基またはアリール基で、Ｙ₂は塩素，臭
   素，ヨウ素，水酸基，炭素数１〜７のカルボナート基を
   表す）を少なくとも含み、前記水性アルカリ可溶性樹脂
   において側鎖の官能基に占めるカルボン酸の基の数が２
   ０％以上５０％未満であるパタン形成材料からなる塗膜
   を、所定の基板上に形成する工程と、上記塗膜に活性放
   射線を照射して所定のパタン潜像を形成する工程と、ア
   ルカリ水溶液で現像する工程と、水または水溶性の化合
   物の水溶液でリンスして上記塗膜に所定のネガ型パタン
   を形成する工程からなることを特徴とするパタン形成方
   法。
2. 【請求項２】請求項１において、上記イオン解離性の化
   合物がテトラペンチルアンモニウムのハロゲン化物であ
   ることを特徴とするパタン形成方法。
3. 【請求項３】請求項２において、上記テトラペンチルア
   ンモニウムのハロゲン化物が塩化テトラペンチルアンモ
   ニウムであることを特徴とするパタン形成方法。
4. 【請求項４】請求項１記載の側鎖に環状炭化水素基とア
   ルコール性水酸基とカルボン酸基を少なくとも有する水
   性アルカリ可溶性樹脂において、側鎖における環状炭化
   水素基とアルコール性水酸基とカルボン酸基の数の比率
   が、Ｘ：Ｙ：Ｚ（ただしＸは環状炭化水素基、Ｙはアル
   コール性水酸基、Ｚはカルボン酸基の数をそれぞれ示
   し、Ｘは３０以上３５未満、Ｚは２０以上５０未満、Ｘ
   ＋Ｙ＋Ｚ＝１００）であることを特徴とするパタン形成
   方法。
5. 【請求項５】請求項４記載の側鎖に環状炭化水素基とア
   ルコール性水酸基とカルボン酸基を少なくとも有する水
   性アルカリ可溶性樹脂において、側鎖における環状炭化
   水素基とアルコール性水酸基とカルボン酸基の数の比率
   が、Ｘ：Ｙ：Ｚ＝３３：３３：３４（ただしＸは環状炭
   化水素基、Ｙはアルコール性水酸基、Ｚはカルボン酸基
   の数）であることを特徴とするパタン形成方法。
6. 【請求項６】請求項１において、酸触媒反応によりアル
   カリ水溶液に対し、塗膜の溶解性を減少させる反応性を
   有する化合物が、少なくとも１つのアルコール性水酸基
   を持つ脂肪族炭化水素化合物の誘導体または環状脂肪族
   炭化水素化合物の誘導体であるパタン形成方法。
7. 【請求項７】請求項６において、少なくとも１つのアル
   コール性水酸基を持つ脂肪族炭化水素化合物の誘導体ま
   たは環状脂肪族炭化水素化合物の誘導体が、１，４−ジ
   オキサン−２，３−ジオールであることを特徴とするパ
   タン形成方法。
8. 【請求項８】請求項１において、酸触媒反応によりアル
   カリ水溶液に対し上記塗膜の溶解性を減少させる反応性
   を有する化合物が、少なくとも１つのエポキシ基を持つ
   脂肪族炭化水素化合物の誘導体または環状脂肪族炭化水
   素化合物の誘導体であるパタン形成方法。
9. 【請求項９】請求項１において、上記活性放射線が波長
   ２５０nm以下の遠紫外光であるパタン形成方法。
10. 【請求項１０】請求項１において、上記活性放射線が波
    長２２０nm以下の遠紫外光であるパタン形成方法。
11. 【請求項１１】請求項１において、上記活性放射線が波
    長１９３nmのＡｒＦエキシマレーザであるパタン形成方
    法。
12. 【請求項１２】請求項１において、上記現像工程に使用
    されるアルカリ水溶液が、水酸化テトラメチルアンモニ
    ウムの０．０５重量％以上、０．２５重量％未満の濃度
    の水溶液であるパタン形成方法。
13. 【請求項１３】請求項１において、上記リンス工程に使
    用される水溶性化合物の水溶液が、一般式（３）で示さ
    れるイオン解離性の化合物の水溶液であることを特徴と
    するパタン形成方法。 【化３】 （式中、Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₀，およびＲ₁₁は水素または炭素
    数１〜４のアルキル基で、Ｙ₃は塩素，臭素，ヨウ素，
    炭素数１〜７のカルボナート基または炭素数１〜７のス
    ルホナート基を表す）
14. 【請求項１４】請求項１３において、上記イオン解離性
    の化合物がテトラメチルアンモニウムのハロゲン化物で
    あることを特徴とするパタン形成方法。
15. 【請求項１５】請求項１から１４のいずれか記載のパタ
    ン形成方法を使用することを特徴とする半導体素子の製
    造方法。
16. 【請求項１６】請求項１から１４のいずれか記載のパタ
    ン形成方法を使用した半導体素子の製造方法であって、
    上記活性放射線の照射が所定パタンの位相シフトマスク
    を介した照射であることを特徴とした半導体素子の製造
    方法。