JP2000200334A - 非接触型ｉｃラベルおよびその製造方法 - Google Patents
非接触型ｉｃラベルおよびその製造方法Info
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- JP2000200334A JP2000200334A JP30456999A JP30456999A JP2000200334A JP 2000200334 A JP2000200334 A JP 2000200334A JP 30456999 A JP30456999 A JP 30456999A JP 30456999 A JP30456999 A JP 30456999A JP 2000200334 A JP2000200334 A JP 2000200334A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録または再生内容の表示に不具合を生じさ
せず、耐環境特性に優れた非接触型ＩＣラベルおよびそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 非接触型ＩＣラベル１は、ＩＣ２を有す
るアンテナ基板３と紙などのラベル４とをＰＥＴフィル
ムなどの基材５上に具備するものであり、アンテナ基板
３は、アンテナ基板３の少なくともＩＣ２を実装した面
全体を被覆された保護層６を有するとともに、アンテナ
基板３を、窓７を有する基材５の第１の主面８上に、Ｉ
Ｃ２が実装された面側からＩＣ２を窓７に挿入するよう
に載置して有し、第１の主面８上およびアンテナ基板３
のＩＣ２を実装した面と反対面上に、第１の粘着層９を
介してラベル４を有し、基材５の第２の主面１０上に第
２の粘着層１１を有して構成される。
せず、耐環境特性に優れた非接触型ＩＣラベルおよびそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 非接触型ＩＣラベル１は、ＩＣ２を有す
るアンテナ基板３と紙などのラベル４とをＰＥＴフィル
ムなどの基材５上に具備するものであり、アンテナ基板
３は、アンテナ基板３の少なくともＩＣ２を実装した面
全体を被覆された保護層６を有するとともに、アンテナ
基板３を、窓７を有する基材５の第１の主面８上に、Ｉ
Ｃ２が実装された面側からＩＣ２を窓７に挿入するよう
に載置して有し、第１の主面８上およびアンテナ基板３
のＩＣ２を実装した面と反対面上に、第１の粘着層９を
介してラベル４を有し、基材５の第２の主面１０上に第
２の粘着層１１を有して構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非接触型ＩＣラベル
およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、耐環境特
性に優れた非接触型ＩＣラベルおよびその製造方法に関
する。
およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、耐環境特
性に優れた非接触型ＩＣラベルおよびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ビデオカセットなどの情報記録媒体にお
いて、ビデオカセット自体をビデオデッキに装填し、記
録または再生を行うことなしに、その記録または再生内
容を表示する方法として、ビデオカセットに貼りつけた
非接触型ＩＣラベルのＩＣメモリに記録または再生内容
をあらかじめ入力しておいて、ビデオカセットをビデオ
デッキの受信部に近づけてかざすことによりその信号を
送信することにより表示する方法が開発されている。
（特開昭６２−１５７３９１号公報、特開平５−１９８
１３９号公報参照。）
いて、ビデオカセット自体をビデオデッキに装填し、記
録または再生を行うことなしに、その記録または再生内
容を表示する方法として、ビデオカセットに貼りつけた
非接触型ＩＣラベルのＩＣメモリに記録または再生内容
をあらかじめ入力しておいて、ビデオカセットをビデオ
デッキの受信部に近づけてかざすことによりその信号を
送信することにより表示する方法が開発されている。
（特開昭６２−１５７３９１号公報、特開平５−１９８
１３９号公報参照。）
【０００３】従来の非接触型ＩＣラベルの構成を、従来
の非接触型ＩＣラベルの一例を示す概略構成断面図であ
る図３を参照して説明する。非接触型ＩＣラベル１４
は、例えば、ＰＥＴフィルムなどの基材５の第１の主面
８上にＩＣ２を実装したアンテナ基板３を、第１の主面
８上に、ＩＣ２が実装された面側からＩＣ２が基材５の
窓７に挿入されるように載置するとともに、第１の主面
８上およびアンテナ基板３のＩＣ２が実装された面の反
対面上に、紙などのラベル４を第１の粘着層９を介して
貼り付け、さらに基材５の第２の主面１０上に第２の粘
着層１１を形成した構成となっている。アンテナ基板３
には、ＩＣ２が実装された面に、図示を省略する渦巻き
状のアンテナパターンが形成されており、その端子部が
ＩＣ２に接続されている。そして、この非接触型ＩＣラ
ベル１４は、図示を省略するビデオカセットなどの情報
記録媒体上に、第２の粘着層１１により貼り付けられて
使用される。
の非接触型ＩＣラベルの一例を示す概略構成断面図であ
る図３を参照して説明する。非接触型ＩＣラベル１４
は、例えば、ＰＥＴフィルムなどの基材５の第１の主面
８上にＩＣ２を実装したアンテナ基板３を、第１の主面
８上に、ＩＣ２が実装された面側からＩＣ２が基材５の
窓７に挿入されるように載置するとともに、第１の主面
８上およびアンテナ基板３のＩＣ２が実装された面の反
対面上に、紙などのラベル４を第１の粘着層９を介して
貼り付け、さらに基材５の第２の主面１０上に第２の粘
着層１１を形成した構成となっている。アンテナ基板３
には、ＩＣ２が実装された面に、図示を省略する渦巻き
状のアンテナパターンが形成されており、その端子部が
ＩＣ２に接続されている。そして、この非接触型ＩＣラ
ベル１４は、図示を省略するビデオカセットなどの情報
記録媒体上に、第２の粘着層１１により貼り付けられて
使用される。
【０００４】しかしながら、このような構成の非接触型
ＩＣラベル１４においては、高湿度の環境下において、
吸湿の影響により、送信周波数のずれが発生し、記録ま
たは再生内容の表示に不具合を生じることが問題となっ
ている。
ＩＣラベル１４においては、高湿度の環境下において、
吸湿の影響により、送信周波数のずれが発生し、記録ま
たは再生内容の表示に不具合を生じることが問題となっ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】記録または再生内容の
表示に不具合を生じさせず、耐環境特性に優れた非接触
型ＩＣラベルおよびその製造方法を提供することを課題
とする。
表示に不具合を生じさせず、耐環境特性に優れた非接触
型ＩＣラベルおよびその製造方法を提供することを課題
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の非接触
型ＩＣラベルは、ＩＣを有するアンテナ基板とラベルと
を基材上に具備する非接触型ＩＣラベルであって、アン
テナ基板は、アンテナ基板の少なくともＩＣを有する面
全体を被覆した保護層を有するとともに、アンテナ基板
を、窓を有する基材の第１の主面上に、ＩＣが実装され
た面側からＩＣを窓に挿入するように載置し、第１の主
面上およびアンテナ基板のＩＣが実装された面の反対面
上に、第１の粘着層を介してラベルを有し、基材の第２
の主面上に第２の粘着層を有することを特徴とする。
型ＩＣラベルは、ＩＣを有するアンテナ基板とラベルと
を基材上に具備する非接触型ＩＣラベルであって、アン
テナ基板は、アンテナ基板の少なくともＩＣを有する面
全体を被覆した保護層を有するとともに、アンテナ基板
を、窓を有する基材の第１の主面上に、ＩＣが実装され
た面側からＩＣを窓に挿入するように載置し、第１の主
面上およびアンテナ基板のＩＣが実装された面の反対面
上に、第１の粘着層を介してラベルを有し、基材の第２
の主面上に第２の粘着層を有することを特徴とする。
【０００７】請求項２に記載の非接触型ＩＣラベルは、
ＩＣを有するアンテナ基板とラベルとを基材上に具備す
る非接触型ＩＣラベルであって、アンテナ基板を、窓を
有する基材の第１の主面上に、ＩＣが実装された面側か
らＩＣを窓に挿入するように載置して有し、第１の主面
上およびアンテナ基板のＩＣが実装された面の反対面上
に、第１の粘着層を介してラベルを有する非接触型ＩＣ
ラベルの前駆体を有し、前駆体は前駆体全体を被覆され
た保護層を有するとともに、保護層は基材の第２の主面
側に第２の粘着層を有することを特徴とする。
ＩＣを有するアンテナ基板とラベルとを基材上に具備す
る非接触型ＩＣラベルであって、アンテナ基板を、窓を
有する基材の第１の主面上に、ＩＣが実装された面側か
らＩＣを窓に挿入するように載置して有し、第１の主面
上およびアンテナ基板のＩＣが実装された面の反対面上
に、第１の粘着層を介してラベルを有する非接触型ＩＣ
ラベルの前駆体を有し、前駆体は前駆体全体を被覆され
た保護層を有するとともに、保護層は基材の第２の主面
側に第２の粘着層を有することを特徴とする。
【０００８】請求項１または請求項２に記載の非接触型
ＩＣラベルにおいて、保護層は、ポリシロキサン系樹
脂、フッ素変性シリコーン系樹脂、シリコーン系樹脂、
酸化シリコン薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化シリコン
薄膜およびダイヤモンド状カーボン薄膜のうちの少なく
ともいずれか１種であることが望ましい。これら樹脂あ
るいは薄膜は、単体で用いてもよく積層して用いてもよ
い。
ＩＣラベルにおいて、保護層は、ポリシロキサン系樹
脂、フッ素変性シリコーン系樹脂、シリコーン系樹脂、
酸化シリコン薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化シリコン
薄膜およびダイヤモンド状カーボン薄膜のうちの少なく
ともいずれか１種であることが望ましい。これら樹脂あ
るいは薄膜は、単体で用いてもよく積層して用いてもよ
い。
【０００９】請求項４に記載の非接触型ＩＣラベルの製
造方法は、ＩＣを有するアンテナ基板とラベルとを基材
上に実装する非接触型ＩＣラベルの製造方法であって、
アンテナ基板の少なくともＩＣを実装した面全体を保護
層で被覆するとともに、基材に窓を形成し、保護層で被
覆されたアンテナ基板を、基材の第１の主面上に、ＩＣ
が実装された面側からＩＣを窓に挿入するように載置
し、第１の主面上およびアンテナ基板のＩＣが実装され
た面の反対面上に、第１の粘着層を用いてラベルを接合
し、基材の第２の主面上に第２の粘着層を形成すること
を特徴とする。
造方法は、ＩＣを有するアンテナ基板とラベルとを基材
上に実装する非接触型ＩＣラベルの製造方法であって、
アンテナ基板の少なくともＩＣを実装した面全体を保護
層で被覆するとともに、基材に窓を形成し、保護層で被
覆されたアンテナ基板を、基材の第１の主面上に、ＩＣ
が実装された面側からＩＣを窓に挿入するように載置
し、第１の主面上およびアンテナ基板のＩＣが実装され
た面の反対面上に、第１の粘着層を用いてラベルを接合
し、基材の第２の主面上に第２の粘着層を形成すること
を特徴とする。
【００１０】請求項５に記載の非接触型ＩＣラベルの製
造方法は、ＩＣを有するアンテナ基板とラベルとを基材
上に実装する非接触型ＩＣラベルの製造方法であって、
基材に窓を形成するとともに、アンテナ基板を、ＩＣが
実装された面側からＩＣを窓に挿入するように基材の第
１の主面上に載置し、第１の主面上およびアンテナ基板
のＩＣが実装された面の反対面上に、第１の粘着層を用
いてラベルを接合して、非接触型ＩＣラベルの前駆体を
形成し、前駆体全体を保護層を用いて被覆するととも
に、保護層上に基材の第２の主面側から第２の粘着層を
形成することを特徴とする。
造方法は、ＩＣを有するアンテナ基板とラベルとを基材
上に実装する非接触型ＩＣラベルの製造方法であって、
基材に窓を形成するとともに、アンテナ基板を、ＩＣが
実装された面側からＩＣを窓に挿入するように基材の第
１の主面上に載置し、第１の主面上およびアンテナ基板
のＩＣが実装された面の反対面上に、第１の粘着層を用
いてラベルを接合して、非接触型ＩＣラベルの前駆体を
形成し、前駆体全体を保護層を用いて被覆するととも
に、保護層上に基材の第２の主面側から第２の粘着層を
形成することを特徴とする。
【００１１】請求項４または請求項５に記載の非接触型
ＩＣラベルの製造方法において、保護層は、ポリシロキ
サン系樹脂、フッ素変性シリコーン系樹脂、シリコーン
系樹脂、酸化シリコン薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化
シリコン薄膜およびダイヤモンド状カーボン薄膜のうち
の少なくともいずれか１種が用いられることが望まし
い。これら樹脂あるいは薄膜は、単体で用いてもよく積
層して用いてもよい。
ＩＣラベルの製造方法において、保護層は、ポリシロキ
サン系樹脂、フッ素変性シリコーン系樹脂、シリコーン
系樹脂、酸化シリコン薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化
シリコン薄膜およびダイヤモンド状カーボン薄膜のうち
の少なくともいずれか１種が用いられることが望まし
い。これら樹脂あるいは薄膜は、単体で用いてもよく積
層して用いてもよい。
【００１２】本発明の非接触型ＩＣラベルおよびその製
造方法によれば、アンテナ基板または前駆体に保護層を
被覆することにより、耐環境特性に優れ、記録または再
生内容の表示に不具合を生じない非接触型ＩＣラベルを
提供できる。
造方法によれば、アンテナ基板または前駆体に保護層を
被覆することにより、耐環境特性に優れ、記録または再
生内容の表示に不具合を生じない非接触型ＩＣラベルを
提供できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、非接触型
ＩＣラベルの実施の形態例について、非接触型ＩＣラベ
ルの概略構成断面図である図１〜図２を参照して以下に
説明する。図１は、本発明に係わるアンテナ基板に保護
層を被覆した非接触型ＩＣラベルの一例であり、図２
は、本発明に係わる前駆体に保護層を被覆した非接触型
ＩＣラベルの一例である。
ＩＣラベルの実施の形態例について、非接触型ＩＣラベ
ルの概略構成断面図である図１〜図２を参照して以下に
説明する。図１は、本発明に係わるアンテナ基板に保護
層を被覆した非接触型ＩＣラベルの一例であり、図２
は、本発明に係わる前駆体に保護層を被覆した非接触型
ＩＣラベルの一例である。
【００１４】実施の形態例１ 非接触型ＩＣラベル１は、図１のように、ＩＣ２を有す
るアンテナ基板３と紙などのラベル４とをＰＥＴフィル
ムなどの基材５上に具備するものであり、ＩＣ２を実装
したアンテナ基板３は、アンテナ基板３の少なくともＩ
Ｃ２を実装した面全体を被覆された保護層６を有すると
ともに、アンテナ基板３を、窓７を有する基材５の第１
の主面８上に、ＩＣ２が実装された面側からＩＣ２を窓
７に挿入するように載置して有し、第１の主面８上およ
びアンテナ基板３のＩＣ２を実装した面と反対面上に、
第１の粘着層９を介してラベル４を有し、基材５の第２
の主面１０上に第２の粘着層１１を有して構成される。
アンテナ基板３には、ＩＣ２が実装された面に、図示を
省略する渦巻き状のアンテナパターンが形成されてお
り、その端子部がＩＣ２に接続されている。
るアンテナ基板３と紙などのラベル４とをＰＥＴフィル
ムなどの基材５上に具備するものであり、ＩＣ２を実装
したアンテナ基板３は、アンテナ基板３の少なくともＩ
Ｃ２を実装した面全体を被覆された保護層６を有すると
ともに、アンテナ基板３を、窓７を有する基材５の第１
の主面８上に、ＩＣ２が実装された面側からＩＣ２を窓
７に挿入するように載置して有し、第１の主面８上およ
びアンテナ基板３のＩＣ２を実装した面と反対面上に、
第１の粘着層９を介してラベル４を有し、基材５の第２
の主面１０上に第２の粘着層１１を有して構成される。
アンテナ基板３には、ＩＣ２が実装された面に、図示を
省略する渦巻き状のアンテナパターンが形成されてお
り、その端子部がＩＣ２に接続されている。
【００１５】保護層６には、ポリシロキサン系樹脂、フ
ッ素変性シリコーン系樹脂、シリコーン系樹脂を、１μ
ｍ以上、好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下塗布す
る。あるいは、酸化シリコン薄膜、窒化シリコン薄膜、
酸窒化シリコン薄膜およびダイヤモンド状カーボン薄膜
などを、４０ｎｍ以上、好ましくは１μｍ以下、さらに
好ましくは、０．５μｍ以下形成する。第１の粘着層ま
たは第２の粘着層には、共重合ポリエステルなどの粘着
剤が用いられる。
ッ素変性シリコーン系樹脂、シリコーン系樹脂を、１μ
ｍ以上、好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下塗布す
る。あるいは、酸化シリコン薄膜、窒化シリコン薄膜、
酸窒化シリコン薄膜およびダイヤモンド状カーボン薄膜
などを、４０ｎｍ以上、好ましくは１μｍ以下、さらに
好ましくは、０．５μｍ以下形成する。第１の粘着層ま
たは第２の粘着層には、共重合ポリエステルなどの粘着
剤が用いられる。
【００１６】非接触型ＩＣラベル１の製造方法は、図１
のように、ＩＣ２を実装したアンテナ基板３と紙などの
ラベル４とをＰＥＴフィルムなどの基材５上に実装する
ものであって、ＩＣ２を実装したアンテナ基板３の少な
くともＩＣ２を実装した面全体を保護層６で被覆すると
ともに、基材５に窓７を形成し、アンテナ基板３を、基
材５の第１の主面８上に、ＩＣ２が実装された面側から
ＩＣ２を窓７に挿入するように載置し、第１の主面８上
およびアンテナ基板３のＩＣが実装された面の反対面上
に、第１の粘着層９を用いてラベル４を積層し、基材５
の第２の主面１０上に第２の粘着層１１を形成して製造
される。
のように、ＩＣ２を実装したアンテナ基板３と紙などの
ラベル４とをＰＥＴフィルムなどの基材５上に実装する
ものであって、ＩＣ２を実装したアンテナ基板３の少な
くともＩＣ２を実装した面全体を保護層６で被覆すると
ともに、基材５に窓７を形成し、アンテナ基板３を、基
材５の第１の主面８上に、ＩＣ２が実装された面側から
ＩＣ２を窓７に挿入するように載置し、第１の主面８上
およびアンテナ基板３のＩＣが実装された面の反対面上
に、第１の粘着層９を用いてラベル４を積層し、基材５
の第２の主面１０上に第２の粘着層１１を形成して製造
される。
【００１７】保護層６としては、ポリシロキサン系樹
脂、フッ素変性シリコーン系樹脂またはシリコーン系樹
脂をディッピング法、傾斜コーティング法またはグラビ
アロール法などにより塗布するか、または酸化シリコン
薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化シリコン薄膜またはダ
イヤモンド状カーボン薄膜などをスパッタ法またはプラ
ズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法などの薄膜
形成法により形成することができる。第１の粘着層また
は第２の粘着層は、共重合ポリエステルなどの粘着剤
を、ロールコータなどにより塗布することにより形成さ
れる。なお本実施の形態例では、保護層６はアンテナ基
板３のＩＣ２を実装した面全体を被覆したが、この面と
ともにアンテナ基板の裏面や側面を被覆するように形成
してもよい。
脂、フッ素変性シリコーン系樹脂またはシリコーン系樹
脂をディッピング法、傾斜コーティング法またはグラビ
アロール法などにより塗布するか、または酸化シリコン
薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化シリコン薄膜またはダ
イヤモンド状カーボン薄膜などをスパッタ法またはプラ
ズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法などの薄膜
形成法により形成することができる。第１の粘着層また
は第２の粘着層は、共重合ポリエステルなどの粘着剤
を、ロールコータなどにより塗布することにより形成さ
れる。なお本実施の形態例では、保護層６はアンテナ基
板３のＩＣ２を実装した面全体を被覆したが、この面と
ともにアンテナ基板の裏面や側面を被覆するように形成
してもよい。
【００１８】実施の形態例２ 非接触型ＩＣラベル１２は、図２のように、ＩＣ２を有
するアンテナ基板３と紙などのラベル４とをＰＥＴフィ
ルムなどの基材５上に具備するものであり、アンテナ基
板３を、窓７を有する基材５の第１の主面８上に、ＩＣ
２が実装された面側からＩＣ２を窓７に挿入するように
載置して有し、第１の主面８上およびアンテナ基板３の
ＩＣ２が実装された面の反対面上に第１の粘着層９を介
してラベル４を有する非接触型ＩＣラベル１２の前駆体
１３を有し、前駆体１３は全体を被覆された保護層６を
有するとともに、保護層６は基材５の第２の主面１０側
に第２の粘着層１１を有して構成される。アンテナ基板
３には、ＩＣ２が実装された面に、図示を省略する渦巻
き状のアンテナパターンが形成されており、その端子部
がＩＣ２に接続されている。
するアンテナ基板３と紙などのラベル４とをＰＥＴフィ
ルムなどの基材５上に具備するものであり、アンテナ基
板３を、窓７を有する基材５の第１の主面８上に、ＩＣ
２が実装された面側からＩＣ２を窓７に挿入するように
載置して有し、第１の主面８上およびアンテナ基板３の
ＩＣ２が実装された面の反対面上に第１の粘着層９を介
してラベル４を有する非接触型ＩＣラベル１２の前駆体
１３を有し、前駆体１３は全体を被覆された保護層６を
有するとともに、保護層６は基材５の第２の主面１０側
に第２の粘着層１１を有して構成される。アンテナ基板
３には、ＩＣ２が実装された面に、図示を省略する渦巻
き状のアンテナパターンが形成されており、その端子部
がＩＣ２に接続されている。
【００１９】保護層６には、ポリシロキサン系樹脂、フ
ッ素変性シリコーン系樹脂、シリコーン系樹脂、酸化シ
リコン薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化シリコン薄膜お
よびダイヤモンド状カーボン薄膜などが用いられる。第
１の粘着層または第２の粘着層には、共重合ポリエステ
ルなどの粘着剤が用いられる。
ッ素変性シリコーン系樹脂、シリコーン系樹脂、酸化シ
リコン薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化シリコン薄膜お
よびダイヤモンド状カーボン薄膜などが用いられる。第
１の粘着層または第２の粘着層には、共重合ポリエステ
ルなどの粘着剤が用いられる。
【００２０】非接触型ＩＣラベル１２の製造方法は、図
２のように、ＩＣ２を有するアンテナ基板３と紙などの
ラベル４とをＰＥＴフィルムなどの基材５上に実装する
ものであり、基材５に窓７を形成し、アンテナ基板３
を、基材５の第１の主面８上に、ＩＣ２が実装された面
側からＩＣ２を窓７に挿入するように載置し、第１の主
面８上およびアンテナ基板３のＩＣ２が実装された面の
反対面上に第１の粘着層９を用いてラベル４を積層し
て、非接触型ＩＣラベル１２の前駆体１３を形成し、前
駆体１３の全体を保護層６を用いて被覆するとともに、
保護層６上に基材５の第２の主面１０側から第２の粘着
層１１を形成することにより製造される。
２のように、ＩＣ２を有するアンテナ基板３と紙などの
ラベル４とをＰＥＴフィルムなどの基材５上に実装する
ものであり、基材５に窓７を形成し、アンテナ基板３
を、基材５の第１の主面８上に、ＩＣ２が実装された面
側からＩＣ２を窓７に挿入するように載置し、第１の主
面８上およびアンテナ基板３のＩＣ２が実装された面の
反対面上に第１の粘着層９を用いてラベル４を積層し
て、非接触型ＩＣラベル１２の前駆体１３を形成し、前
駆体１３の全体を保護層６を用いて被覆するとともに、
保護層６上に基材５の第２の主面１０側から第２の粘着
層１１を形成することにより製造される。
【００２１】保護層６としては、ポリシロキサン系樹
脂、フッ素変性シリコーン系樹脂またはシリコーン系樹
脂をディッピングまたは塗布するか、または酸化シリコ
ン薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化シリコン薄膜または
ダイヤモンド状カーボン薄膜などをスパッタ法やプラズ
マＣＶＤ法などの薄膜形成法により形成することができ
る。第１の粘着層または第２の粘着層は、共重合ポリエ
ステルなどの粘着剤を、ロールコータなどにより塗布す
ることにより形成される。
脂、フッ素変性シリコーン系樹脂またはシリコーン系樹
脂をディッピングまたは塗布するか、または酸化シリコ
ン薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化シリコン薄膜または
ダイヤモンド状カーボン薄膜などをスパッタ法やプラズ
マＣＶＤ法などの薄膜形成法により形成することができ
る。第１の粘着層または第２の粘着層は、共重合ポリエ
ステルなどの粘着剤を、ロールコータなどにより塗布す
ることにより形成される。
【００２２】
【実施例】実施例１ 実施の形態例１と同様な構成の非接触型ＩＣラベルにつ
いて、種々の保護層を適用した場合に、以下のような信
頼性試験を行った。すなわち、保護層として、ポリシロ
キサン系樹脂、フッ素変性シリコーン系樹脂、シリコー
ン系樹脂を用い、これらの原料を有機溶剤に溶かし、粘
度調整した高分子溶液をアンテナ基板にディッピング法
により塗布後、有機溶剤を乾燥除去し、高分子膜を形成
する。そして、これらのアンテナ基板を用いて、非接触
型ＩＣラベルを作製し、次のような信頼性試験を行っ
た。４０℃９５％ＲＨの環境下で、非接触型ＩＣラベル
を２週間放置した後に、送信周波数が、試験前の周波数
１３．５６ＭＨｚから０．２Ｈｚずれた場合をＮＧとし
た。試験結果を表１に示す。
いて、種々の保護層を適用した場合に、以下のような信
頼性試験を行った。すなわち、保護層として、ポリシロ
キサン系樹脂、フッ素変性シリコーン系樹脂、シリコー
ン系樹脂を用い、これらの原料を有機溶剤に溶かし、粘
度調整した高分子溶液をアンテナ基板にディッピング法
により塗布後、有機溶剤を乾燥除去し、高分子膜を形成
する。そして、これらのアンテナ基板を用いて、非接触
型ＩＣラベルを作製し、次のような信頼性試験を行っ
た。４０℃９５％ＲＨの環境下で、非接触型ＩＣラベル
を２週間放置した後に、送信周波数が、試験前の周波数
１３．５６ＭＨｚから０．２Ｈｚずれた場合をＮＧとし
た。試験結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】上記の試験結果から、信頼性を保持するた
めには、保護層の高分子膜の厚さは１μｍ以上あればよ
いが、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好まし
い。これは、１００μｍ以上の膜厚とすると、粘度が大
きい高分子溶液を塗布する必要があり作業性が悪いため
である。
めには、保護層の高分子膜の厚さは１μｍ以上あればよ
いが、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好まし
い。これは、１００μｍ以上の膜厚とすると、粘度が大
きい高分子溶液を塗布する必要があり作業性が悪いため
である。
【００２５】実施例２ 実施の形態例１と同様な構成の非接触型ＩＣラベルにつ
いて、種々の保護層を適用した場合に、以下のような信
頼性試験を行った。すなわち、保護層として、酸化シリ
コン、窒化シリコン、酸窒化シリコン薄膜またはダイア
モンド状カーボンの薄膜を用いた場合、アンテナ基板
に、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により薄膜を形
成する。そして、これらのアンテナ基板を用いて、非接
触型ＩＣラベルを作製し、実施例１と同様な信頼性試験
を行った。試験結果を表２に示す。
いて、種々の保護層を適用した場合に、以下のような信
頼性試験を行った。すなわち、保護層として、酸化シリ
コン、窒化シリコン、酸窒化シリコン薄膜またはダイア
モンド状カーボンの薄膜を用いた場合、アンテナ基板
に、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により薄膜を形
成する。そして、これらのアンテナ基板を用いて、非接
触型ＩＣラベルを作製し、実施例１と同様な信頼性試験
を行った。試験結果を表２に示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】上記の試験結果から、信頼性を保持するた
めには、保護層の厚さは４０ｎｍ以上あればよいが、厚
すぎると薄膜の内部応力のためにクラックやはがれが生
じるので、１μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下であ
ることがさらに好ましい。なお酸窒化シリコン薄膜につ
いても、酸化シリコン薄膜および窒化シリコン薄膜と同
様の試験結果を得た。
めには、保護層の厚さは４０ｎｍ以上あればよいが、厚
すぎると薄膜の内部応力のためにクラックやはがれが生
じるので、１μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下であ
ることがさらに好ましい。なお酸窒化シリコン薄膜につ
いても、酸化シリコン薄膜および窒化シリコン薄膜と同
様の試験結果を得た。
【００２８】実施例３ 実施の形態例２と同様な構成の非接触型ＩＣラベルにつ
いて、種々の保護層を適用した場合に、以下のような信
頼性試験を行った。実施の形態例２と同様な、アンテナ
基板をＰＥＴフィルムなどの非接触型ＩＣラベル用の基
材に実装し、紙製のラベルをその上に貼り付けた非接触
型ＩＣラベルの前駆体に、保護層として、ポリシロキサ
ン系樹脂、フッ素変性シリコーン系樹脂またはシリコー
ン系樹脂を用い塗布する。この場合、紙にも浸透し、塗
布可能な材料を選択する必要があり、粘度が大きいと紙
に浸透せず塗布むらが生じる。保護層の塗布は、ディッ
ピングにより行ったが、塗布材料は紙により吸収される
ので、ディッピング時間により膜厚を調整した。信頼性
試験を、実施例１、２と同様な試験法により行い、その
試験結果を表３に示す。
いて、種々の保護層を適用した場合に、以下のような信
頼性試験を行った。実施の形態例２と同様な、アンテナ
基板をＰＥＴフィルムなどの非接触型ＩＣラベル用の基
材に実装し、紙製のラベルをその上に貼り付けた非接触
型ＩＣラベルの前駆体に、保護層として、ポリシロキサ
ン系樹脂、フッ素変性シリコーン系樹脂またはシリコー
ン系樹脂を用い塗布する。この場合、紙にも浸透し、塗
布可能な材料を選択する必要があり、粘度が大きいと紙
に浸透せず塗布むらが生じる。保護層の塗布は、ディッ
ピングにより行ったが、塗布材料は紙により吸収される
ので、ディッピング時間により膜厚を調整した。信頼性
試験を、実施例１、２と同様な試験法により行い、その
試験結果を表３に示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】上記の試験結果から、信頼性を保持するた
めには、高分子液の粘度にもよるが、１０秒以上ディッ
ピングすればよく、１分以上では効果は変わらなかっ
た。また、１０秒未満では効果がみられなかった。
めには、高分子液の粘度にもよるが、１０秒以上ディッ
ピングすればよく、１分以上では効果は変わらなかっ
た。また、１０秒未満では効果がみられなかった。
【００３１】
【発明の効果】本発明の非接触型ＩＣラベルおよびその
製造方法によれば、アンテナ基板または非接触型ＩＣラ
ベルの前駆体に保護層を形成することにより、耐環境特
性に優れ、記録または再生内容の表示に不具合を生じな
い非接触型ＩＣラベルを提供できる。
製造方法によれば、アンテナ基板または非接触型ＩＣラ
ベルの前駆体に保護層を形成することにより、耐環境特
性に優れ、記録または再生内容の表示に不具合を生じな
い非接触型ＩＣラベルを提供できる。
【図１】 本発明に係わるアンテナ基板に保護層を形成
した非接触型ＩＣラベルの概略構成断面図である。
した非接触型ＩＣラベルの概略構成断面図である。
【図２】 本発明に係わる前駆体に保護層を形成した非
接触型ＩＣラベルの概略構成断面図である。
接触型ＩＣラベルの概略構成断面図である。
【図３】 従来例の非接触型ＩＣラベルの概略構成断面
図である。
図である。
１，１２，１４…非接触型ＩＣラベル、２…ＩＣ、３…
アンテナ基板、４…ラベル、５…基材、６…保護層、７
…窓、８…第１の主面、９…第１の粘着層、１０…第２
の主面、１１…第２の粘着層、１３…前駆体
アンテナ基板、４…ラベル、５…基材、６…保護層、７
…窓、８…第１の主面、９…第１の粘着層、１０…第２
の主面、１１…第２の粘着層、１３…前駆体
Claims (6)
- 【請求項１】 ＩＣを有するアンテナ基板とラベルとを
基材上に具備する非接触型ＩＣラベルであって、 前記アンテナ基板は、該アンテナ基板の少なくとも前記
ＩＣを有する面全体を被覆した保護層を有するととも
に、前記アンテナ基板を、窓を有する前記基材の第１の
主面上に、前記ＩＣが実装された面側から前記ＩＣを前
記窓に挿入するように載置して有し、前記第１の主面上
および前記アンテナ基板の前記ＩＣが実装された面の反
対面上に、第１の粘着層を介して前記ラベルを有し、前
記基材の第２の主面上に第２の粘着層を有することを特
徴とする非接触型ＩＣラベル。 - 【請求項２】 ＩＣを有するアンテナ基板とラベルとを
基材上に具備する非接触型ＩＣラベルであって、 前記アンテナ基板を、窓を有する前記基材の第１の主面
上に、前記ＩＣが実装された面側から前記ＩＣを前記窓
に挿入するように載置して有し、前記第１の主面上およ
び前記アンテナ基板の前記ＩＣが実装された面の反対面
上に、第１の粘着層を介して前記ラベルを有する前記非
接触型ＩＣラベルの前駆体を有し、 前記前駆体は該前駆体全体を被覆された保護層を有する
とともに、前記保護層は前記基材の第２の主面側に第２
の粘着層を有することを特徴とする非接触型ＩＣラベ
ル。 - 【請求項３】 前記保護層は、ポリシロキサン系樹脂、
フッ素変性シリコーン系樹脂、シリコーン系樹脂、酸化
シリコン薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化シリコン薄膜
およびダイヤモンド状カーボン薄膜のうちの少なくとも
いずれか１種であることを特徴とする請求項１または請
求項２に記載の非接触型ＩＣラベル。 - 【請求項４】 ＩＣを有するアンテナ基板とラベルとを
基材上に実装する非接触型ＩＣラベルの製造方法であっ
て、 前記アンテナ基板の少なくとも前記ＩＣを実装した面全
体を保護層で被覆するとともに、前記基材に窓を形成
し、 前記保護層で被覆された前記アンテナ基板を、前記基材
の第１の主面上に、前記ＩＣが実装された面側から前記
ＩＣを前記窓に挿入するように載置し、前記第１の主面
上および前記アンテナ基板の前記ＩＣが実装された面の
反対面上に、第１の粘着層を用いて前記ラベルを接合
し、前記基材の第２の主面上に第２の粘着層を形成する
ことを特徴とする非接触型ＩＣラベルの製造方法。 - 【請求項５】 ＩＣを有するアンテナ基板とラベルとを
基材上に実装する非接触型ＩＣラベルの製造方法であっ
て、 前記基材に窓を形成するとともに、前記アンテナ基板
を、前記ＩＣが実装された面側から前記ＩＣを前記窓に
挿入するように前記基材の第１の主面上に載置し、前記
第１の主面上および前記アンテナ基板の前記ＩＣが実装
された面の反対面上に、第１の粘着層を用いて前記ラベ
ルを接合して、前記非接触型ＩＣラベルの前駆体を形成
し、前記前駆体全体を保護層を用いて被覆するととも
に、前記保護層上に前記基材の第２の主面側から第２の
粘着層を形成することを特徴とする非接触型ＩＣラベル
の製造方法。 - 【請求項６】 前記保護層は、ポリシロキサン系樹脂、
フッ素変性シリコーン系樹脂、シリコーン系樹脂、酸化
シリコン薄膜、窒化シリコン薄膜、酸窒化シリコン薄膜
およびダイヤモンド状カーボン薄膜のうちの少なくとも
いずれか１種が用いられたことを特徴とする請求項４ま
たは請求項５に記載の非接触型ＩＣラベルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30456999A JP4244470B2 (ja) | 1998-11-05 | 1999-10-26 | 非接触型ｉｃラベルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-315104 | 1998-11-05 | ||
| JP31510498 | 1998-11-05 | ||
| JP30456999A JP4244470B2 (ja) | 1998-11-05 | 1999-10-26 | 非接触型ｉｃラベルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200334A true JP2000200334A (ja) | 2000-07-18 |
| JP4244470B2 JP4244470B2 (ja) | 2009-03-25 |
Family
ID=26563958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30456999A Expired - Fee Related JP4244470B2 (ja) | 1998-11-05 | 1999-10-26 | 非接触型ｉｃラベルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4244470B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012033A (ja) * | 2005-05-31 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| US8508027B2 (en) | 2005-05-31 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1999
- 1999-10-26 JP JP30456999A patent/JP4244470B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012033A (ja) * | 2005-05-31 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| US8508027B2 (en) | 2005-05-31 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8928131B2 (en) | 2005-05-31 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4244470B2 (ja) | 2009-03-25 |
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