JP2000199727A - 静電容量式圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】特性と信頼性とが優れ、良品率が高く、且つ製
造工程数が少なく安価な静電容量式圧力センサを提供す
る。 【解決手段】この圧力センサは、リング状溝12に囲まれ
た可動電極部11を備えたシリコン部品1aと固定電極21を
備えた硝子部品２とが静電接合されて構成される。シリ
コン部品1aには、両電極で構成されるコンデンサ３のギ
ャップを確保するためのギャップ部13と同時に形成され
た凹部14があり、その凹部14の底面に絶縁性薄膜15が成
膜されている。この薄膜15が、ガラス部品２の固定電極
用スルーホール22の加工時のバリによる電極間短絡を防
止して良品率を向上させ、スルーホール22から侵入する
塵埃の大きさを制限して信頼性を高める。絶縁性薄膜15
に替えて凹部14にざぐり穴を形成するのも有効であり、
両者の併用もできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ガス等の流体の
圧力を検出して圧力に応じた信号を出力する静電容量式
圧力センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】ガスメータ等に搭載される小型軽量で安
価な静電容量式圧力センサ（以下では圧力センサと略称
する）としては、リング状溝の内側の部分を可動電極と
する単結晶シリコン板からなるシリコン部品と、この可
動電極に対向する位置に固定電極を形成した硼硅酸ガラ
スからなるガラス部品とを、可動電極と固定電極との間
に所定のギャップをもたせて接合した構造の圧力センサ
がある。リング状溝に対応する肉薄部が印加された圧力
によって変形することによって、可動電極が変位し、両
電極間の静電容量値が変化する。図９は、このような圧
力センサの一例の構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）
はそのＡＡ断面図である。

【０００３】単結晶シリコン板からなるシリコン部品１
には、上面から、コンデンサ３のギャップとなるギャッ
プ部13と上側のリング状溝12とリング状溝12の外側に位
置する凹部14とが選択エッチングによって形成されてお
り、下面から、下側のリング状溝12が選択エッチングに
よって形成されている。このシリコン部品１のいずれか
の面に圧力が印加されると、この上下のリング状溝12に
よって囲まれた領域が、リング状溝12によって薄肉にな
った部分の変形によって変位する。すなわち、このリン
グ状溝12によって囲まれた領域が可動電極部11として機
能する。凹部14は、ガラス部品２のスルーホール電極24
の下端とシリコン部品１とが接触することを避けるため
に形成される。スルーホール電極24は、ガラス部品に形
成された固定電極21を外部回路と接続するために固定電
極用スルーホール22の内面及び下側開口部周辺に形成さ
れたメタライズ層である。ガラス部品２のスルーホール
電極24とシリコン部品１とが接触すると、可動電極部11
と固定電極21とが短絡された状態となり、このセンサの
機能が失われる。

【０００４】単結晶シリコン板の選択エッチング方法と
しては、アルミをマスク材料とするプラズマエッチング
法が最も一般的であり、浅いエッチング加工であるギャ
ップ部13の加工及び凹部14の加工が先に実施され、次
に、深いエッチング加工である上下のリング状溝12の加
工が別々の工程で実施される。

【０００５】硼硅酸ガラスからなるガラス部品２には、
シリコン部品１の凹部14の中央部に対応して固定電極用
スルーホール22が形成され、固定電極用スルーホール22
の対角位置の角に可動電極用スルーホール23が形成さ
れ、シリコン部品１の可動電極部11に対向する位置に固
定電極21が形成されている。固定電極21には、可動電極
部11に対向する部分だけではなく固定電極用スルーホー
ル22までのリード部も含まれている。固定電極用スルー
ホール22の内面及び開口部周辺には、固定電極21が形成
されている側からスルーホール電極24が形成され、固定
電極21を固定電極用スルーホール22の上端まで引き出し
ている。可動電極用スルーホール23は、図９では円形の
４分の１に表現されているが、隣り合う４つの分と合わ
せると円形をしている。

【０００６】ガラス部品２は次のようにして製造され
る。まず、固定電極21を形成するための導電性薄膜、例
えばクロムと金との積層金属膜、がスパッタリング法に
よって下面に生成され、この積層金属膜がフォトリソグ
ラフィ技術によってパターニングされて、固定電極21が
形成される。フォトリソグラフィ技術によるのは高い寸
法精度を得るためである。次に、固定電極用スルーホー
ル22及び可動電極用スルーホール23が、例えばサンドブ
ラスト等の方法で同時に形成される。最後に、例えばク
ロムと金との積層金属膜からなるスルーホール電極24
が、金属マスクを用いるマスクスパッタリング法によっ
て形成される。

【０００７】以上のようなシリコン部品１とガラス部品
２とが、可動電極部11と固定電極21とがギャップ部13を
挟んで対向し、凹部14の中央部に固定電極用スルーホー
ル22が位置するように位置決めされて、外周部で静電接
合される。静電接合の後、ガラス部品２の上面側から、
固定電極用スルーホール22の内面及び開口部周辺に固定
電極の端子25が形成され、可動電極用スルーホール23の
内面（図９では側面）及び開口部周辺（図９では上面）
に可動電極の端子26が形成されて、固定電極21と可動電
極部11とからなるコンデンサ３を備えた圧力センサが完
成する。固定電極の端子25及び可動電極の端子26は、ス
ルーホール電極24と同様に、例えばクロムと金との積層
金属膜からなり、マスクスパッタリング法によって形成
される。固定電極の端子25の形成によって、固定電極の
端子25とスルーホール電極24とが固定電極用スルーホー
ル22の内面で接続され、外部回路と接続するための固定
電極の端子25に固定電極21が接続された状態になる。一
方、可動電極の端子26の形成によって、シリコン部品１
の可動電極部11の電気配線が、固定電極の端子25と同じ
平面上に取り出された状態になる。同一平面上に両端子
25及び26が形成されることによって、外部回路との接続
が非常に容易となる。なお、固定電極の端子25と可動電
極の端子26とは、同時に形成できる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ガラス部品２の固定電
極用スルーホール22及び可動電極用スルーホール23を形
成する方法として、加工時間が短くて済むサンドブラス
ト等の機械的加工方法を採用すると、固定電極用スルー
ホール22等の端部にバリを発生する。このバリの大きさ
がシリコン部品１の凹部14の深さから固定電極用スルー
ホール22の下面開口部周辺の金属層の厚さを差し引いた
値より大きい場合には、凹部14と固定電極用スルーホー
ル22の下面開口部周辺の金属層とが接触し、コンデンサ
３が短絡状態となり、必要なセンサ機能が得られなくな
る。その結果、作成した圧力センサの良品率が低下す
る。また、完全な短絡状態にならない場合にも、特性を
ばらつかせ、信頼性を悪化させる。

【０００９】また、コンデンサ３のギャップ相当の大き
さの塵埃が、固定電極用スルーホール22を通ってコンデ
ンサ３にまで到達すると、この塵埃がコンデンサ３を短
絡したり可動電極部11の変位を妨げたりする。その結
果、必要なセンサ機能が得られなくなり、圧力センサの
信頼性が悪化する。

【００１０】また、ガラス部品２に固定電極21等を高精
度で形成するためには、フォトリソグラフィ技術の適用
が必要である。しかし、従来のフォトレジストによるフ
ォトリソグラフィ技術では、スルーホールの内面に形成
された金属層を残すことは困難である。そのため、金属
層のパターニング後にスルーホールを形成し、次いでス
ルーホール内面に金属層を形成しなければならず、２回
の金属層形成工程が必要である。

【００１１】この発明の課題は、上記の良品率の低下や
信頼性の悪化や工程の多さという問題点を解決して、特
性と信頼性とが優れ、良品率が高く、且つ工程数が少な
い安価な圧力センサを提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明においては、固
定電極付きのガラス部品と、溝によって囲まれ溝部肉薄
部の変形で変位する可動電極を有するシリコン部品とが
接合されてなり、シリコン部品の溝の外側には溝につな
がる凹部が形成され、この凹部の中央部の直上に相当す
るガラス部品の部分にはスルーホールが形成され、この
スルーホールを通して固定電極からの配線がガラス部品
の外側表面に引き出され、測定対象である圧力が可動電
極と固定電極とのギャップの変化を介してその静電容量
値の変化分として検知される圧力センサにおいて、シリ
コン部品が単結晶シリコンからなり、ガラス部品が硼硅
酸ガラスからなり、シリコン部品の凹部表面には絶縁性
薄膜が形成され、シリコン部品とガラス部品とが静電接
合によって接合されている（請求項１の発明）。

【００１３】シリコン単結晶は優れた弾性特性をもち、
プラズマエッチング等の微細加工に適した導電性材料で
あり、硼硅酸ガラスはシリコン単結晶と非常に近い熱膨
張係数をもつ絶縁性材料であり、静電接合によりシリコ
ンと強固に接合することができる材料である。静電接合
は接着剤のような接合材料を必要としない非常に優れた
接合方法である。このような優れた材料と接合方法とに
加えて、シリコン部品の凹部に形成された絶縁性薄膜
が、ガラス部品のスルーホール周辺にシリコン部品の凹
部に接触するようなバリが存在する場合においても、ス
ルーホールの内部側開口部周辺に形成されたメタライズ
層とシリコン部品の凹部とが導通状態になることを防止
する。

【００１４】また、固定電極付きのガラス部品と、溝に
よって囲まれ溝部肉薄部の変形で変位する可動電極を有
するシリコン部品とが接合されてなり、シリコン部品の
溝の外側には溝につながる凹部が形成され、この凹部の
中央部の直上に相当するガラス部品の部分にはスルーホ
ールが形成され、このスルーホールを通して固定電極か
らの配線がガラス部品の外側表面に引き出され、測定対
象である圧力が可動電極と固定電極とのギャップの変化
を介してその静電容量値の変化分として検知される圧力
センサにおいて、シリコン部品が単結晶シリコンからな
り、ガラス部品が硼硅酸ガラスからなり、シリコン部品
の凹部の前記スルーホールに対応する位置には、前記ス
ルーホールより一回り大きいざぐり穴が形成され、シリ
コン部品とガラス部品とが静電接合によって接合されて
いる（請求項２の発明）。

【００１５】シリコン単結晶は優れた弾性特性をもち、
プラズマエッチング等の微細加工に適した導電性材料で
あり、硼硅酸ガラスはシリコン単結晶と非常に近い熱膨
張係数をもつ絶縁性材料であり、静電接合によりシリコ
ンと強固に接合することができる材料である。静電接合
は接着剤のような接合材料を必要としない非常に優れた
接合方法である。このような優れた材料と接合方法とに
加えて、シリコン部品の凹部に形成されたざぐり穴が、
ガラス部品のスルーホール周辺にシリコン部品の凹部に
接触するようなバリが存在する場合においても、スルー
ホール部の開口部周辺に形成されたメタライズ層とシリ
コン部品の凹部とが導通状態になることを防止する。

【００１６】更に、固定電極付きのガラス部品と、溝に
よって囲まれ溝部肉薄部の変形で変位する可動電極を有
するシリコン部品とが接合されてなり、シリコン部品の
溝の外側には溝につながる凹部が形成され、この凹部の
中央部の直上に相当するガラス部品の部分にはスルーホ
ールが形成され、このスルーホールを通して固定電極か
らの配線がガラス部品の外側表面に引き出され、測定対
象である圧力が可動電極と固定電極とのギャップの変化
を介してその静電容量値の変化分として検知される圧力
センサにおいて、シリコン部品が単結晶シリコンからな
り、ガラス部品が硼硅酸ガラスからなり、シリコン部品
の凹部の前記スルーホールに対応する位置には、前記ス
ルーホールより一回り大きいざぐり穴が形成され、前記
凹部のざぐり穴の外周には絶縁性薄膜が形成され、シリ
コン部品とガラス部品とが静電接合によって接合されて
いる（請求項３の発明）。

【００１７】シリコン単結晶は優れた弾性特性をもち、
プラズマエッチング等の微細加工に適した導電性材料で
あり、硼硅酸ガラスはシリコン単結晶と非常に近い熱膨
張係数をもつ絶縁性材料であり、静電接合によりシリコ
ンと強固に接合することができる材料である。静電接合
は接着剤のような接合材料を必要としない非常に優れた
接合方法である。このような優れた材料と接合方法とに
加えて、シリコン部品の凹部に形成されたざぐり穴とそ
の周辺の絶縁性薄膜とが、ガラス部品のスルーホール周
辺にシリコン部品の凹部に接触するようなバリが存在す
る場合においても、スルーホール部の開口部周辺に形成
されたメタライズ層とシリコン部品の凹部とが導通状態
になることを防止する。更に、ざぐり穴周辺の絶縁性薄
膜は、ガラス部品との間隔を狭くするので、スルーホー
ル部から侵入してきた塵埃が更に内部へ侵入することを
防止する。

【００１８】請求項１の発明または請求項３の発明にお
いて、前記スルーホールの内部側開口部周辺におけるシ
リコン部品とガラス部品との距離が、定格圧力を受けた
状態における固定電極と可動電極とのギャップ（以下で
は定格圧力時ギャップという）より小さい（請求項４の
発明）。

【００１９】スルーホールの内部側開口部周辺における
シリコン部品とガラス部品との距離が定格圧力時ギャッ
プより小さいので、スルーホールから侵入してきた塵埃
の内で更に内部へ侵入できる塵埃はその距離未満の大き
さのものに限定され、定格圧力までの圧力を受けて変位
する可動電極の動きが妨げられたり、両電極間が短絡状
態になったりすることが非常に少なくなる。

【００２０】請求項４に記載の圧力センサの製造方法と
して、前記スルーホールの内部側開口部周辺におけるシ
リコン部品とガラス部品との距離を凹部表面に形成する
絶縁膜の厚さで制御し、その距離を定格圧力時ギャップ
より小さくする（請求項５の発明）。

【００２１】凹部に形成する絶縁膜の厚さを制御するこ
とによって、前記スルーホールの内部側開口部周辺にお
けるシリコン部品とガラス部品との距離を定格圧力時ギ
ャップより小さくすることは、非常に容易な作業であ
る。

【００２２】また、請求項１から請求項３のいずれかに
記載の圧力センサの製造方法として、前記シリコン部品
の凹部を、可動電極と固定電極とのギャップを形成する
ためにシリコン部品を凹み加工する際に同時に形成する
（請求項６の発明）。凹部とギャップとが同時に形成さ
れるので、凹部を形成するために追加の工程を必要とし
ない。

【００２３】更に、請求項２または請求項３に記載の圧
力センサの製造方法として、前記シリコン部品のざぐり
穴を、シリコン部品の溝を形成するためにシリコン部品
を凹み加工する際に同時に形成する（請求項７の発
明）。ざぐり穴と溝とが同時に形成されるので、ざぐり
穴を形成するために追加の工程を必要としない。

【００２４】更にまた、請求項１から請求項３のいずれ
かに記載の圧力センサの製造方法として、前記ガラス部
品を、スルーホールを形成する工程、両面及びスルーホ
ール内面に導電性薄膜を成膜する工程、ドライフィルム
レジストによる導電性薄膜のパターニング工程の順で作
製する（請求項８の発明）。この工程によれば、スルー
ホールを形成した後に導電性薄膜を成膜するので、スル
ーホール内面に導電性薄膜を成膜する専用工程は不要と
なる。

【００２５】

【発明の実施の形態】この発明による圧力センサの実施
の形態を実施例を用いて説明する。なお、従来技術と同
じ機能の部分には同じ符号を付している。

【００２６】〔第１の実施例〕図１は、この発明による
圧力センサの実施例の構造を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）はそのＡＡ断面図である。図２は、この実施例の
シリコン部品1aの製造工程を示し、（ａ）はギャップ部
13の形成工程後のシリコン部品1a-1の平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡＡ断面図、（ｃ）は絶縁膜15の形成工程後の
シリコン部品1a-2の平面図、（ｄ）は（ｃ）のＡＡ断面
図、（ｅ）はリング状溝12の形成工程後のシリコン部品
1a-3の平面図、（ｆ）は（ｅ）のＡＡ断面図である。図
３は、ガラス部品２の製造工程を示し、（ａ）は固定電
極21及び格子電極27の形成工程後のガラス部品2-1 の平
面図、（ｂ）は（ａ）のＡＡ断面図、（ｃ）は固定電極
用スルーホール22及び可動電極用スルーホール23の形成
工程後のガラス部品2-2 の平面図、（ｄ）は（ｃ）のＡ
Ａ断面図、（ｅ）はスルーホール電極24の形成工程後の
ガラス部品2-3 の平面図、（ｆ）は（ｅ）のＡＡ断面図
である。

【００２７】この実施例においては、従来技術と同様
に、測定対象圧力によってその静電容量値を変化させる
コンデンサ３が、上下のリング状溝12によって囲まれ、
ギャップ部13分だけ凹まされたシリコン部品1aの可動電
極部11と、ガラス部品２のシリコン部品1a側の面に形成
された固定電極21とで構成されている。可動電極部11は
可動電極用スルーホール23に形成された可動電極の端子
26によって、固定電極21は固定電極用スルーホール22に
形成されたスルーホール電極24及び固定電極の端子25に
よってガラス部品２の上面まで接続されている。シリコ
ン部品1aの凹部14には絶縁膜15が形成されており、この
ことが従来技術のシリコン部品１と異なる点である。

【００２８】凹部14は、ガラス部品２のスルーホール電
極24とシリコン部品１とが接触してコンデンサ17が短絡
状態になることを避けるために形成されるが、その底面
に形成されている絶縁膜15が両者の電気的絶縁状態をよ
り完全なものにする。この点に関して更に詳しく説明す
ると、スルーホール電極24は、ガラス部品に形成された
固定電極21を外部回路と接続するために固定電極用スル
ーホール22の内面及び下側開口部周辺に形成されたメタ
ライズ層であるので、ガラス部品２のスルーホール電極
24とシリコン部品１の凹部14とが接触して導通状態にな
ると、可動電極部11と固定電極21とが短絡された状態と
なり、センサの機能が失われる。そのため、両者が接触
して導通状態になることを防止することは必要不可欠の
条件なのである。

【００２９】ここで、シリコン部品1aの製造工程を、図
２を用いて説明する。単結晶シリコン板からなるシリコ
ン部品1aは、まず、その上面から、コンデンサ３のギャ
ップとなるギャップ部13と凹部14とが、フォトリソグラ
フィによってパターニングされたアルミパターンをマス
クとするプラズマエッチングによって同時に形成され
〔図２（ａ）及び（ｂ）〕、次いで、絶縁膜15が、所定
領域だけに成膜できる金属マスクを用いた石英のスパッ
タリングによって凹部14の底面に形成され〔図２（ｃ）
及び（ｄ）〕、最後に上面及び下面から、上下のリング
状溝12がアルミをマスクとするプラズマエッチングによ
って形成される〔図２（ｅ）及び（ｆ）〕。

【００３０】絶縁膜15の形成領域は、ガラス部品１のス
ルーホール22の加工時にバリが発生する範囲をカバーす
るために、スルーホール22の大きさより一回り大きく設
定されている。

【００３１】なお、ギャップ部13及び凹部14の形成工程
においては、アルミマスクに替えて熱酸化によるシリコ
ン酸化膜をフォトリソグラフィによってパターニングし
てマスクにすることもできる。また、絶縁膜15の形成に
は熱酸化膜をフォトリソグラフィによりパターニングす
る方法を採用することもできる。

【００３２】このシリコン部品1aのいずれかの面に圧力
が印加されると、この上下のリング状溝12によって囲ま
れた領域が、リング状溝12によって薄肉になった部分の
変形によって変位し、このリング状溝12によって囲まれ
た領域が可動電極部11として機能する。

【００３３】次に、ガラス部品２の製造工程を図３を用
いて説明する。まず、硼硅酸ガラスからなるガラス板の
両面に、例えばクロムと金の積層膜からなる厚さ数百〜
数千オングストロームの導電性薄膜が蒸着あるいはスパ
ッタリングによって形成された後、両面マスク合わせに
よるフォトリソグラフィによって、下面にはシリコン部
品１の可動電極部11に対向する位置に固定電極21が形成
され、上面には外周部に幅数十〜数百μm の格子電極27
が形成される〔図３（ａ）及び（ｂ）〕。格子電極27は
ウェハ状態で製造した場合の切断位置を示し、更に静電
接合時の電極の役目をする。この格子電極27の存在によ
って、静電接合のために印加する電圧がウェハ全体に均
一に行きわたり、静電接合の良品率が大幅に向上し、接
合時間も短縮される。

【００３４】続いて、シリコン部品1aの凹部14の中央部
に対応する固定電極用スルーホール22と、固定電極用ス
ルーホール22の対角位置の角の可動電極用スルーホール
23とが、サンドブラスト等によって形成され〔図３
（ｃ）及び（ｄ）〕、スルーホール電極24が、固定電極
21が形成されている側から、固定電極用スルーホール22
の内面及び開口部周辺に、上記と同じクロムと金の積層
膜としてマスクスパッタリングによって形成され〔図３
（ｅ）及び（ｆ）〕、固定電極21を固定電極用スルーホ
ール22の上端まで引き出している。この場合の積層膜形
成にスパッタリングを採用するのは、スルーホール内部
への十分な膜形成を確保するためである。なお、可動電
極用スルーホール23は、図１及び図３では円形の４分の
１に表現されているが、隣り合う４つの分と合わせると
円形をしている。

【００３５】ガラス部品２に使用される硼硅酸ガラスと
しては、パイレックスガラスが最も適している。それ
は、パイレックスガラスの熱膨張係数がシリコンの熱膨
張係数に極めて近いため、両者を静電接合等の方法で接
合した場合に発生する歪みが非常に小さくなるからであ
る。

【００３６】以上のようなシリコン部品1aとガラス部品
２とが、可動電極部11と固定電極21とがギャップ部13を
挟んで対向し、凹部14の中央部に固定電極用スルーホー
ル22が位置するように位置決めされて、外周部で静電接
合される。静電接合の後、ガラス部品２の表面側から、
固定電極の端子25が固定電極用スルーホール22の内面及
び開口部周辺に上記と同じクロムと金の積層膜としてマ
スクスパッタリングで形成され、同時に可動電極の端子
26が可動電極用スルーホール23の内面及び開口部周辺に
形成されて、固定電極21と可動電極部11とからなるコン
デンサ３を備えた圧力センサが完成する。固定電極の端
子25の形成によって、固定電極の端子25とスルーホール
電極24とがスルーホール22内面で接続され、固定電極24
が外部回路と接続するための固定電極の端子25に接続さ
れた状態になる。一方、可動電極の端子26の形成によっ
て、シリコン部品１の可動電極部11の電気配線が、固定
電極の端子25と同じ平面上に取り出された状態になる。
同一平面上に両端子25及び26が形成されることによっ
て、外部回路との接続が非常に容易となる。

【００３７】図１から図３に示した図及び以上の説明に
おいては、１つの圧力センサの単位で説明してきたが、
実際に圧力センサを製造する場合には、ウエハの状態で
以上に述べた全ての工程が実施され、最後に、そのウェ
ハが格子電極27にしたがって切断されて、個々の圧力セ
ンサに分離される。したがって、製造工程においては、
可動電極用スルーホール23は円形をしており、格子電極
27は格子状をしている。

【００３８】以上の説明から明らかなように、この実施
例においては、シリコン部品1aの凹部14に絶縁膜15が形
成されているので、固定電極用スルーホール22の開口部
周辺にバリを有するガラス部品２がシリコン部品1aに接
合され、バリの表面に形成されたスルーホール電極24が
シリコン部品1aの凹部14に接触しても、シリコン部品1a
とスルーホール電極24とが導通状態になることがなく、
圧力センサの機能を失うことはない。したがって、この
絶縁膜15の形成によって、固定電極用スルーホール22の
加工に伴って発生するバリに起因する特性不良をなくす
ることができ、圧力センサの良品率を向上させることが
でき、不安定な接触に伴う特性の不安定さも解消され
る。

【００３９】〔第２の実施例〕この実施例は、第１の実
施例において、シリコン部品1aの凹部14に形成される絶
縁性薄膜15の厚さが制御されて、固定電極用スルーホー
ル22の内側開口部周辺におけるシリコン部品1aとガラス
部品２との距離が定格圧力時ギャップより小さくなるよ
うに製造されている。このような絶縁性薄膜15の厚さの
制御は、例えば絶縁性薄膜15を形成するスパッタリング
の時間の設定を変えるだけで容易に実施できる。

【００４０】絶縁性薄膜15の厚さについて、ギャップ部
13と同時に凹部14を形成する場合を例にとって具体的に
数値を示す。圧力が印加されていない状態におけるコン
デンサ３の固定電極21と可動電極部11とのギャップ（以
下では圧力無印加時ギャップという）を1.5 μm とする
と、凹部14の凹み量はギャップ部13の凹み量と同じで、
〔1.5 μm ＋固定電極21の厚さ〕となる。定格圧力によ
るギャップの変化量は圧力無印加時ギャップの70％に設
定されているので、定格圧力時ギャップは0.45μm とな
る。固定電極用スルーホール22の開口部周辺にはスルー
ホール電極24が形成されるので、その厚さが固定電極の
厚さと同じであるとし、固定電極21の厚さを0.2 μm と
すると、必要な絶縁性薄膜15の厚さは、最少で0.85μm
であり、最大で（1.5 μm −α）となる。この最大値
は、シリコン部品1aとガラス部品２とが静電接合される
場合に、絶縁性薄膜15が開口部周辺のスルーホール電極
24に突き当たって、静電接合されるべき部分が接触でき
なくなることを避ける条件と基準圧導入のための間隙を
確保する条件とから決められる。

【００４１】このように絶縁性薄膜15の厚さを制御する
ことによって、固定電極用スルーホール22から圧力セン
サ内部に侵入する塵埃の大きさが制限され、固定電極11
と可動電極部21とが短絡されることや可動電極部11の変
位が妨げられることが防止され、良品率と信頼性とに優
れた圧力センサを製造することができる。

【００４２】〔第３の実施例〕この実施例は、第１の実
施例におけるシリコン部品１と固定電極21との短絡防止
のための絶縁性薄膜15に替えて、凹部14にざぐり穴16を
形成したシリコン部品1bと、ガラス部品の製作におい
て、スルーホール加工の後でメタライズ加工をして各面
１回ずつの金属層生成として金属層生成回数を少なくし
たガラス部品2aとが静電接合されたものである。

【００４３】図４は第３の実施例の構造を示し、（ａ）
は平面図、（ｂ）はそのＡＡ断面図である。図５はこの
実施例のシリコン部品1bの製造工程を示し、（ａ）はギ
ャップ部形成工程後のシリコン部品1b-1の平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡＡ断面図、（ｃ）は上面のリング溝
形成工程後のシリコン部品1b-2の平面図、（ｄ）は
（ｃ）のＡＡ断面図、（ｅ）は下面のリング溝形成工程
後のシリコン部品1b-3の平面図、（ｆ）は（ｅ）のＡＡ
断面図である。図６はこの実施例のガラス部品2aの製造
工程を示し、（ａ）はスルーホール形成工程後のガラス
部品2a-1の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡＡ断面図、
（ｃ）は導電性薄膜形成工程後のガラス部品2a-2の平面
図、（ｄ）は（ｃ）のＡＡ断面図、（ｅ）はドライフィ
ルムレジストのパターニング工程後のガラス部品2a-3の
平面図、（ｆ）は（ｅ）のＡＡ断面図、（ｇ）は電極形
成工程後のガラス部品2a-4の平面図、（ｈ）は（ｇ）の
ＡＡ断面図である。

【００４４】ざぐり穴16は、ガラス部品2aの固定電極用
スルーホール22の直下に形成され、その大きさは、固定
電極用スルーホール22の直径より一回り大きく、スルー
ホール加工によってバリが発生する領域をカバーしてお
り、その深さは、スルーホール加工によって発生するバ
リが接触する可能性の極めて低い深さにしてある。

【００４５】図５を用いてシリコン部品1bの製造工程を
説明する。単結晶シリコン板からなるシリコン部品1b
は、まず、その上面から、コンデンサ３のギャップとな
るギャップ部13と凹部14とが、フォトリソグラフィでパ
ターニングされたアルミパターンをマスクとするプラズ
マエッチングによって同時に形成され〔図５（ａ）及び
（ｂ）〕、次いで、上面から、上のリング状溝12及びざ
ぐり穴16がアルミをマスクとするプラズマエッチングに
よって形成され〔図５（ｃ）及び（ｄ）〕、最後に下面
から、下のリング状溝12がアルミをマスクとするプラズ
マエッチングによって形成される〔図２（ｅ）及び
（ｆ）〕。

【００４６】次に、ガラス部品２の製造工程を図６を用
いて説明する。まず、硼硅酸ガラスからなるガラス板
に、シリコン部品1bの凹部14の中央部に対応する固定電
極用スルーホール22と、固定電極用スルーホール22の対
角位置の角の可動電極用スルーホール23とが、サンドブ
ラスト等によって形成され〔図６（ａ）及び（ｂ）〕、
次に、その両面にクロムと金の積層膜からなる導電性薄
膜28a 及び28b がスパッタリングによって形成される
〔図６（ｃ）及び（ｄ）〕。続いて、両面にドライフィ
ルムレジストが貼り付けられた後、両面マスク合わせに
よるフォトリソグラフィによって、上面では固定電極の
端子25及び格子電極27に相当するドライフィルムレジス
トのパターン41a 及び41b が形成され、下面では固定電
極21とスルーホール電極24とが一体となったパターンに
相当するドライフィルムレジストのパターン41c が形成
され〔図６（ｅ）及び（ｆ）〕、そのパターンニングさ
れたドライフィルムレジストによって導電性薄膜28a 及
び28b がパタニーングされた後、ドライフィルムレジス
ト41a, 41b及び41c が除去されて、図６（ｇ）及び
（ｈ）に示すガラス部品2a（図６では2a-4）が完成す
る。

【００４７】この実施例におけるガラス部品2aの製造工
程が可能となるのは、ドライフィルムレジストがフォト
レジストとしての機能を保持しながら、固定電極用スル
ーホール22等のスルーホールを完全に塞いで、導電性薄
膜28a 及び28b をパターニングする際のエッチングに耐
えるからである。

【００４８】この実施例を第１の実施例と比較すると、
次のような利点がある。シリコン部品1bの製作において
は、絶縁性薄膜の形成が必要なく、ざぐり穴16は上面の
リング状溝12の形成時に同時に形成できる。また、ガラ
ス部品2aの製作においては、固定電極21とスルーホール
電極24とが一体で形成できるため、導電性薄膜の形成回
数が２回で済む。したがって、この実施例による圧力セ
ンサは少ない製造工数で製作することができる。

【００４９】〔第４の実施例〕この実施例は、第３の実
施例に第２の実施例のような塵埃侵入防止対策を施した
ものであり、第３の実施例と異なる点は、ざぐり穴16の
外周に厚さを制御された絶縁性薄膜17が形成されている
ことである。この絶縁性薄膜17の厚さは、第２の実施例
における絶縁性薄膜15と同じである。したがって、この
実施例の圧力センサは、第３の実施例のシリコン部品1b
のざぐり穴16の外周に厚さを制御された絶縁性薄膜17が
形成されているシリコン部品1cと、第３の実施例と同じ
ガラス部品2aとが静電接合されて構成されている。

【００５０】図７は第４の実施例の構造を示し、（ａ）
は平面図、（ｂ）はそのＡＡ断面図であり、図８はこの
実施例のシリコン部品1cの製造工程を示し、（ａ）はギ
ャップ部形成工程後のシリコン部品1c-1の平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡＡ断面図、（ｃ）は絶縁性薄膜形成
工程後のシリコン部品1c-2の平面図、（ｄ）は（ｃ）の
ＡＡ断面図、（ｅ）は上面のリング溝形成工程後のシリ
コン部品1c-3の平面図、（ｆ）は（ｅ）のＡＡ断面図、
（ｅ）は下面のリング溝形成工程後のシリコン部品1c-4
の平面図、（ｆ）は（ｅ）のＡＡ断面図である。

【００５１】図８を用いてシリコン部品1cの製造工程を
説明する。単結晶シリコン板からなるシリコン部品1c
は、まず、その上面から、コンデンサ３のギャップとな
るギャップ部13と凹部14とが、フォトリソグラフィでパ
ターニングされたアルミパターンをマスクとするプラズ
マエッチングによって同時に形成され〔図８（ａ）及び
（ｂ）〕、次いで、全面に熱酸化によって所定の厚さの
酸化膜が生成された後、フォトリソグラフィによって、
後工程で形成されるざぐり穴16の外周部相当位置にリン
グ状の絶縁性薄膜17が形成される〔図８（ｃ）及び
（ｄ）〕。続いて、上面から、上のリング状溝12及びざ
ぐり穴16がアルミをマスクとするプラズマエッチングに
よって形成され〔図８（ｅ）及び（ｆ）〕、最後に下面
から、下のリング状溝12がアルミをマスクとするプラズ
マエッチングによって形成される〔図８（ｇ）及び
（ｈ）〕。

【００５２】この実施例は、第３の実施例に比べると絶
縁性薄膜17を形成する工数分だけ工数が増加する。しか
し、絶縁性薄膜17とガラス部品2aとの制御された狭い間
隔が、固定電極用スルーホール22を通って侵入してくる
塵埃の内の前記間隔以上の大きさのもののより内部へ侵
入を阻止し、信頼性に優れた圧力センサを提供すること
ができる。

【００５３】この実施例においては、シリコン部品1bの
ギャップ部13と凹部14とがプラズマエッチングによって
同時に形成され、塵埃侵入防止対策としては、ざぐり穴
16の外周部にリング状の絶縁性薄膜17が形成されてい
る。同様の塵埃侵入防止対策としては、凹部14の形成工
程とギャップ部13の形成工程とを別工程にして、凹部14
をギャップ部13より浅く加工し、ざぐり穴16の外周部の
シリコン部品とガラス部品との距離を所定値以下にする
ことによっても実現することができる。

【００５４】なお、以上４つの実施例の説明において
は、シリコン部品1a等の可動電極部11がリング状溝12で
囲まれているものを説明したが、この発明は、可動電極
部を囲む溝がリング状のものに限定されるものではな
く、例えば方形状溝のものにも有効である。

【００５５】

【発明の効果】この発明によれば、固定電極付きのガラ
ス部品と、溝によって囲まれ溝部肉薄部の変形で変位す
る可動電極を有するシリコン部品とが接合されてなり、
シリコン部品の溝の外側には溝につながる凹部が形成さ
れ、この凹部の中央部の直上に相当するガラス部品の部
分にはスルーホールが形成され、このスルーホールを通
して固定電極からの配線がガラス部品の外側表面に引き
出され、測定対象である圧力が可動電極と固定電極との
ギャップの変化を介してその静電容量値の変化分として
検知される圧力センサにおいて、シリコン部品が単結晶
シリコンからなり、ガラス部品が硼硅酸ガラスからな
り、シリコン部品の凹部表面には絶縁膜が形成され、シ
リコン部品とガラス部品とが静電接合によって接合され
ている。

【００５６】シリコン単結晶は優れた弾性特性をもち、
プラズマエッチング等の微細加工に適した導電性材料で
あり、硼硅酸ガラスはシリコン単結晶と非常に近い熱膨
張係数をもつ絶縁性材料であり、静電接合によりシリコ
ンと強固に接合することができる材料である。静電接合
は接着剤のような接合材料を必要としない非常に優れた
接合方法である。このような優れた材料と接合方法とに
加えて、シリコン部品の凹部に形成された絶縁性薄膜
が、ガラス部品のスルーホール周辺にシリコン部品の凹
部に接触するようなバリが存在する場合においても、ス
ルーホールの内部側開口部周辺に形成されたメタライズ
層とシリコン部品の凹部とが導通状態になることを防止
する。したがって、特性と信頼性とが優れ、良品率が高
い圧力センサを提供することができる（請求項１の発
明）。

【００５７】また、固定電極付きのガラス部品と、溝に
よって囲まれ溝部肉薄部の変形で変位する可動電極を有
するシリコン部品とが接合されてなり、シリコン部品の
溝の外側には溝につながる凹部が形成され、この凹部の
中央部の直上に相当するガラス部品の部分にはスルーホ
ールが形成され、このスルーホールを通して固定電極か
らの配線がガラス部品の外側表面に引き出され、測定対
象である圧力が可動電極と固定電極とのギャップの変化
を介してその静電容量値の変化分として検知される圧力
センサにおいて、シリコン部品が単結晶シリコンからな
り、ガラス部品が硼硅酸ガラスからなり、シリコン部品
の凹部の前記スルーホールに対応する位置には、前記ス
ルーホールより一回り大きいざぐり穴が形成され、シリ
コン部品とガラス部品とが静電接合によって接合されて
いる。

【００５８】シリコン単結晶は優れた弾性特性をもち、
プラズマエッチング等の微細加工に適した導電性材料で
あり、硼硅酸ガラスはシリコン単結晶と非常に近い熱膨
張係数をもつ絶縁性材料であり、静電接合によりシリコ
ンと強固に接合することができる材料である。静電接合
は接着剤のような接合材料を必要としない非常に優れた
接合方法である。このような優れた材料と接合方法とに
加えて、シリコン部品の凹部に形成されたざぐり穴が、
ガラス部品のスルーホール周辺にシリコン部品の凹部に
接触するようなバリが存在する場合においても、スルー
ホール部の開口部周辺に形成されたメタライズ層とシリ
コン部品の凹部とが導通状態になることを防止する。し
たがって、特性と信頼性とが優れ、良品率が高い圧力セ
ンサを提供することができる（請求項２の発明）。

【００５９】更に、固定電極付きのガラス部品と、溝に
よって囲まれ溝部肉薄部の変形で変位する可動電極を有
するシリコン部品とが接合されてなり、シリコン部品の
溝の外側には溝につながる凹部が形成され、この凹部の
中央部の直上に相当するガラス部品の部分にはスルーホ
ールが形成され、このスルーホールを通して固定電極か
らの配線がガラス部品の外側表面に引き出され、測定対
象である圧力が可動電極と固定電極とのギャップの変化
を介してその静電容量値の変化分として検知される圧力
センサにおいて、シリコン部品が単結晶シリコンからな
り、ガラス部品が硼硅酸ガラスからなり、シリコン部品
の凹部の前記スルーホールに対応する位置には、前記ス
ルーホールより一回り大きいざぐり穴が形成され、前記
凹部のざぐり穴の外周には絶縁性薄膜が形成され、シリ
コン部品とガラス部品とが静電接合によって接合されて
いる。

【００６０】シリコン単結晶は優れた弾性特性をもち、
プラズマエッチング等の微細加工に適した導電性材料で
あり、硼硅酸ガラスはシリコン単結晶と非常に近い熱膨
張係数をもつ絶縁性材料であり、静電接合によりシリコ
ンと強固に接合することができる材料である。静電接合
は接着剤のような接合材料を必要としない非常に優れた
接合方法である。このような優れた材料と接合方法とに
加えて、シリコン部品の凹部に形成されたざぐり穴とそ
の周辺の絶縁性薄膜とが、ガラス部品のスルーホール周
辺にシリコン部品の凹部に接触するようなバリが存在す
る場合においても、スルーホール部の開口部周辺に形成
されたメタライズ層とシリコン部品の凹部とが導通状態
になることを防止する。更に、ざぐり穴周辺の絶縁性薄
膜は、ガラス部品との間隔を狭くするので、スルーホー
ル部から侵入してきた塵埃が更に内部へ侵入することを
防止する。したがって、特性と信頼性とがより優れ、良
品率が高い圧力センサを提供することができる（請求項
３の発明）。

【００６１】請求項１の発明または請求項３の発明にお
いて、前記スルーホールの内部側開口部周辺におけるシ
リコン部品とガラス部品との距離が、定格圧力時ギャッ
プより小さいので、スルーホールから侵入してきた塵埃
の内で更に内部へ侵入できる塵埃はその距離未満の大き
さのものに限定され、定格圧力までの圧力を受けて変位
する可動電極の動きが妨げられたり、両電極間が短絡状
態になったりすることが非常に少なくなる。したがっ
て、特性と信頼性とが更により優れ、良品率が高い圧力
センサを提供することができる（請求項４の発明）。

【００６２】請求項４に記載の圧力センサの製造方法と
して、前記スルーホールの内部側開口部周辺におけるシ
リコン部品とガラス部品との距離を凹部表面に形成する
絶縁膜の厚さで制御し、その距離を定格圧力時ギャップ
より小さくする。凹部に形成する絶縁膜の厚さを制御す
ることによって、前記スルーホールの内部側開口部周辺
におけるシリコン部品とガラス部品との距離を定格圧力
時ギャップより小さくすることは、非常に容易な作業で
ある。したがって、請求項４に記載の圧力センサを容易
に製造することができる（請求項５の発明）。

【００６３】また、請求項１から請求項３のいずれかに
記載の圧力センサの製造方法として、前記シリコン部品
の凹部を、可動電極と固定電極とのギャップを形成する
ためにシリコン部品を凹み加工する際に同時に形成する
ので、凹部を形成するために追加の工程を必要としな
い。したがって、請求項１から請求項３のいずれかに記
載の圧力センサを少ない工程数で製造することができる
（請求項６の発明）。

【００６４】更に、請求項２または請求項３に記載の圧
力センサの製造方法として、前記シリコン部品のざぐり
穴を、シリコン部品の溝を形成するためにシリコン部品
を凹み加工する際に同時に形成するので、ざぐり穴を形
成するために追加の工程を必要としない。したがって、
請求項２または請求項３に記載の圧力センサを少ない工
程数で製造することができる（請求項７の発明）。

【００６５】更にまた、請求項１から請求項３のいずれ
かに記載の圧力センサの製造方法として、前記ガラス部
品を、スルーホールを形成する工程、両面及びスルーホ
ール内面に導電性薄膜を成膜する工程、ドライフィルム
レジストによる導電性薄膜のパターニング工程の順で作
製する。この製造工程によれば、スルーホールを形成し
た後に導電性薄膜を成膜するので、スルーホール内部に
導電性薄膜を成膜する専用工程は不要となる。したがっ
て、請求項１から請求項３のいずれかに記載の圧力セン
サを少ない工程数で製造することができる（請求項８の
発明）。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による圧力センサの第１の実施例の構
造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡＡ断面図

【図２】第１の実施例のシリコン部品の製造工程を示
し、（ａ）はギャップ部形成工程後のシリコン部品の平
面図、（ｂ）は（ａ）のＡＡ断面図、（ｃ）は絶縁膜形
成工程後のシリコン部品の平面図、（ｄ）は（ｃ）のＡ
Ａ断面図、（ｅ）はリング溝形成工程後のシリコン部品
の平面図、（ｆ）は（ｅ）のＡＡ断面図

【図３】ガラス部品の製造工程を示し、（ａ）は電極形
成工程後のガラス部品の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡＡ
断面図、（ｃ）はスルーホール形成工程後のガラス部品
の平面図、（ｄ）は（ｃ）のＡＡ断面図、（ｅ）はスル
ーホール電極形成工程後のガラス部品の平面図、（ｆ）
は（ｅ）のＡＡ断面図

【図４】第３の実施例の構造を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）はそのＡＡ断面図

【図５】第３の実施例のシリコン部品の製造工程を示
し、（ａ）はギャップ部形成工程後のシリコン部品の平
面図、（ｂ）は（ａ）のＡＡ断面図、（ｃ）は上面のリ
ング溝形成工程後のシリコン部品の平面図、（ｄ）は
（ｃ）のＡＡ断面図、（ｅ）は下面のリング溝形成工程
後のシリコン部品の平面図、（ｆ）は（ｅ）のＡＡ断面
図

【図６】第３の実施例のガラス部品の製造工程を示し、
（ａ）はスルーホール形成工程後のガラス部品の平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡＡ断面図、（ｃ）は導電性薄膜
形成工程後のガラス部品の平面図、（ｄ）は（ｃ）のＡ
Ａ断面図、（ｅ）はドライフィルムレジストのパターニ
ング工程後のガラス部品の平面図、（ｆ）は（ｅ）のＡ
Ａ断面図、（ｇ）は電極形成工程後のガラス部品の平面
図、（ｈ）は（ｇ）のＡＡ断面図

【図７】第４の実施例の構造を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）はそのＡＡ断面図

【図８】第４の実施例のシリコン部品の製造工程を示
し、（ａ）はギャップ部形成工程後のシリコン部品の平
面図、（ｂ）は（ａ）のＡＡ断面図、（ｃ）は絶縁性薄
膜形成工程後のシリコン部品の平面図、（ｄ）は（ｃ）
のＡＡ断面図、（ｅ）は上面のリング溝形成工程後のシ
リコン部品の平面図、（ｆ）は（ｅ）のＡＡ断面図、
（ｇ）は下面のリング溝形成工程後のシリコン部品の平
面図、（ｈ）は（ｇ）のＡＡ断面図

【図９】従来技術による圧力センサの一例の構造を示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡＡ断面図

【符号の説明】

１, 1a, 1b, 1c シリコン部品 11 可動電極部 12 リング状溝 13 ギャップ部 14 凹部 15, 17 絶縁性薄膜 16 ざぐり穴 ２, 2a ガラス部品 21 固定電極 22 固定電極用スルーホール 23 可動電極用スルーホール 24 スルーホール電極 25 固定電極の端子 26 可動電極の端子 27 格子電極 28a, 28b 導電性薄膜 ３ コンデンサ 41a, 41b, 41c ドライフィルムレジスト

フロントページの続き (72)発明者 後藤 友章 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 松下 浩二 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2F055 AA39 BB20 CC02 DD05 EE25 FF11 FF38 FF43 GG01 GG12 GG15 4M112 AA01 BA07 CA22 CA31 CA36 DA18 EA03 EA13

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】固定電極付きのガラス部品と、溝によって
   囲まれ溝部肉薄部の変形で変位する可動電極を有するシ
   リコン部品とが接合されてなり、シリコン部品の溝の外
   側には溝につながる凹部が形成され、この凹部の中央部
   の直上に相当するガラス部品の部分にはスルーホールが
   形成され、このスルーホールを通して固定電極からの配
   線がガラス部品の外側表面に引き出され、測定対象であ
   る圧力が可動電極と固定電極とのギャップの変化を介し
   てその静電容量値の変化分として検知される静電容量式
   圧力センサにおいて、 シリコン部品が単結晶シリコンからなり、 ガラス部品が硼硅酸ガラスからなり、 シリコン部品の凹部表面には絶縁性薄膜が形成され、 シリコン部品とガラス部品とが静電接合によって接合さ
   れていることを特徴とする静電容量式圧力センサ。
2. 【請求項２】固定電極付きのガラス部品と、溝によって
   囲まれ溝部肉薄部の変形で変位する可動電極を有するシ
   リコン部品とが接合されてなり、シリコン部品の溝の外
   側には溝につながる凹部が形成され、この凹部の中央部
   の直上に相当するガラス部品の部分にはスルーホールが
   形成され、このスルーホールを通して固定電極からの配
   線がガラス部品の外側表面に引き出され、測定対象であ
   る圧力が可動電極と固定電極とのギャップの変化を介し
   てその静電容量値の変化分として検知される静電容量式
   圧力センサにおいて、 シリコン部品が単結晶シリコンからなり、 ガラス部品が硼硅酸ガラスからなり、 シリコン部品の凹部の前記スルーホールに対応する位置
   には、前記スルーホールより一回り大きいざぐり穴が形
   成され、 シリコン部品とガラス部品とが静電接合によって接合さ
   れていることを特徴とする静電容量式圧力センサ。
3. 【請求項３】固定電極付きのガラス部品と、溝によって
   囲まれ溝部肉薄部の変形で変位する可動電極を有するシ
   リコン部品とが接合されてなり、シリコン部品の溝の外
   側には溝につながる凹部が形成され、この凹部の中央部
   の直上に相当するガラス部品の部分にはスルーホールが
   形成され、このスルーホールを通して固定電極からの配
   線がガラス部品の外側表面に引き出され、測定対象であ
   る圧力が可動電極と固定電極とのギャップの変化を介し
   てその静電容量値の変化分として検知される静電容量式
   圧力センサにおいて、 シリコン部品が単結晶シリコンからなり、 ガラス部品が硼硅酸ガラスからなり、 シリコン部品の凹部の前記スルーホールに対応する位置
   には、前記スルーホールより一回り大きいざぐり穴が形
   成され、 前記凹部のざぐり穴の外周には絶縁性薄膜が形成され、 シリコン部品とガラス部品とが静電接合によって接合さ
   れていることを特徴とする静電容量式圧力センサ。
4. 【請求項４】前記スルーホールの内部側開口部周辺にお
   けるシリコン部品とガラス部品との距離が、定格圧力を
   受けた状態における固定電極と可動電極とのギャップよ
   り小さいことを特徴とする請求項１または請求項３に記
   載の静電容量式圧力センサ。
5. 【請求項５】請求項４に記載の静電容量式圧力センサの
   製造方法であって、 前記スルーホールの内部側開口部周辺におけるシリコン
   部品とガラス部品との距離を凹部表面に形成する絶縁性
   薄膜の厚さで制御し、その距離を、定格圧力を受けた状
   態における固定電極と可動電極とのギャップより小さく
   することを特徴とする静電容量式圧力センサの製造方
   法。
6. 【請求項６】請求項１から請求項３のいずれかに記載の
   静電容量式圧力センサの製造方法であって、 前記シリコン部品の凹部を、可動電極と固定電極とのギ
   ャップを形成するためにシリコン部品を凹み加工する際
   に同時に形成することを特徴とする静電容量式圧力セン
   サの製造方法。
7. 【請求項７】請求項２または請求項３に記載の静電容量
   式圧力センサの製造方法であって、 前記シリコン部品のざぐり穴を、シリコン部品の溝を形
   成するためにシリコン部品を凹み加工する際に同時に形
   成することを特徴とする静電容量式圧力センサの製造方
   法。
8. 【請求項８】請求項１から請求項３のいずれかに記載の
   静電容量式圧力センサの製造方法であって、 前記ガラス部品を、スルーホールを形成する工程、両面
   及びスルーホール内面に導電性薄膜を成膜する工程、ド
   ライフィルムレジストにより導電性薄膜をパターニング
   する工程の順で作製することを特徴とする静電容量式圧
   力センサの製造方法。