JP2000198066A - Cmp研磨装置 - Google Patents

Cmp研磨装置

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Publication number
JP2000198066A
JP2000198066A JP280699A JP280699A JP2000198066A JP 2000198066 A JP2000198066 A JP 2000198066A JP 280699 A JP280699 A JP 280699A JP 280699 A JP280699 A JP 280699A JP 2000198066 A JP2000198066 A JP 2000198066A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
wafer
workpiece
polishing tool
tool
Prior art date
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Pending
Application number
JP280699A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Nishihara
浩巳 西原
Hiroshi Kondo
寛 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP280699A priority Critical patent/JP2000198066A/ja
Publication of JP2000198066A publication Critical patent/JP2000198066A/ja
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ表面全面における除去研磨量のバラツ
キをなくして、ウエハ表面の均一性を向上させたCMP
研磨装置を提供する。 【解決手段】 ウエハ21を装着して回転する回転定盤
22上のウエハ21の外周側に接触させて、ウエハ21
の研磨表面と同一の高さに調整可能なダミープレート1
を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウ
エハのポリッシングに使用される化学的機械研磨装置
(以下CMP研磨装置という)に係る。
【0002】
【従来の技術】従来のCMP研磨装置を図4、図5に示
す。図4において、21は被加工物であるウエハで、図
示しない吸引装置により吸引されて回転定盤22上に装
着されている。回転定盤22の直径は被加工物21の直
径よりわずかに大きく、回転定盤が回転駆動すると共に
X方向に往復移動する。23は工具軸で、その下部に研
磨工具24が装着され、図示しない工具軸23内部のモ
ータによって研磨工具24が回転する。研磨工具24は
装置を小型化する為に被加工物の直径より小さくなって
いる。25は研磨ヘッドを示し、前述の工具軸23及び
研磨工具24とから構成される。研磨ヘッド25は上下
方向(Z方向)に移動すると共に、回転定盤22の移動
方向(X方向)に対して直行する方向(Y方向)に水平
移動する。図5は、図4に示す研磨ヘッド25のY方向
移動にかえて、旋回軸26と研磨ヘッド25を装着する
アーム27を設けて、回転定盤22上を研磨ヘッド25
が揺動移動できるようにしたものである。
【0003】次に、ウエハ21を研磨する動作について
説明する。まず、ウエハ21を装着した回転定盤22を
回転起動させる。研磨ヘッド25が下降し、ウエハ21
に研磨工具24が接近したところで研磨工具24を回転
させる。研磨工具24のウエハ21に対する位置は、研
磨工具24の1/3〜1/2程度の面積がウエハ21に
接触するようにさせる。ウエハ21に研磨工具24が接
触したのを検知すると、研磨ヘッド25の水平方向の位
置は固定した状態で、回転定盤22をX方向に移動させ
る。ウエハ21の外径端部が研磨工具24の外径部より
外側に到達した時点で、研磨ヘッド25をウエハ21の
中心方向にY方向移動させると共に回転定盤22のX方
向移動をリターンさせて、ウエハ21全面が研磨できる
ようにしていた。
【0004】しかしながら、上述した従来のCMP研磨
装置においては、ウエハ21の外径部と中心部における
研磨工具のウエハ表面に対する接触面積が異なり、特
に、ウエハ21の外径部において接触面積が少なくなる
ため、研磨量が増大して面だれ及び削りすぎが発生す
る。その為、ウエハ全面における平坦度が低下するとい
う問題点があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の様な
従来のCMP研磨装置の問題点に鑑みなされたもので、
研磨工具のウエハ表面に対する接触面積を研磨工程中に
おいて均一化し、ウエハ表面全面における除去研磨量の
バラツキをなくして、ウエハ表面の均一性を向上させた
CMP研磨装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、上面に円板上の被加工物が装着され、回
転駆動する回転定盤と、回転定盤に対向してその上方に
配置され、下部に回転駆動する研磨工具が装着された研
磨ヘッドとを備え、研磨工具および被加工物の一方を他
方に対して相対的に直線又は揺動移動させて、前記研磨
工具の研磨面を被加工物の表面に押し付けて研磨を行う
CMP研磨装置において、研磨工具の一部が研磨対象の
被加工物から外れた領域に研磨面を形成するダミー部材
を回転定盤部に設けていることを特徴とするCMP研磨
装置を提供する。なお、ダミー部材の材質が被加工物と
同じであること、更にダミー部材の表面を被加工物の研
磨表面と同一の高さに調整するための調整手段をさらに
備えることが好ましい。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
乃至図3を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の
CMP研磨装置の全体斜視図であり、図2及び図3は図
1に示すダミープレートの高さ調整機構の概略構成図を
示す。図1において、ダミープレート1及びダミープレ
ート高さ調整機構2が回転定盤22部に新たに設けら
れ、それ以外は従来装置図4と同じである。従って、従
来装置と同様の部分には同じ符号を付し詳しい説明は省
略する。
【0008】図1について説明すると、1はダミープレ
ートでウエハ21の外周に接触して設けられ、ある幅を
もって回転定盤22上に装着されている。2はダミープ
レート1の高さ調整機構であり、ダミープレート1の表
面を被加工物であるウエハ21表面と同じ高さに調整す
るものである。
【0009】次に、ダミープレート1の作用について説
明すると、研磨工具24を用いてウエハ21表面全面を
平坦化しようとすると、研磨工具24の外径の一部をウ
エハ21外周から外れた状態に双方のどちらかを移動さ
せる必要がある。その場合、研磨工具のウエハ表面との
接触面積が減少し、部分的に研磨量が増大する。従っ
て、ダミープレート1をウエハ21の外周部に設けるこ
とによって、研磨工具24のウエハ21表面との接触面
積の減少を補って部分的な研磨量の増大をおさえること
ができる。その為ウエハ表面全面における除去研磨量の
バラツキをなくして、ウエハ表面の均一性を向上させる
ことができる。
【0010】ダミープレート1の材質は被加工物と同じ
であると、研磨工具に対する研磨抵抗が同じになるので
望ましいが、別の材質であっても、研磨抵抗が被加工物
に近似したものであればよい。
【0011】図2はダミープレート1の高さ調整機構2
の一実施例を示す。図2において、1はダミープレート
で、材質は被加工物のウエハ21と同じものが望まし
い。3は弾性体からなるバッキングパットで、ウエハ2
1の下面に装着するものと同じである。4はプランジャ
を示しシール材5を挿入している。6はシリンダーを示
し回転定盤22の段付き部に装着している。7はプラン
ジャ4の下面の空間で、ダミープレートの高さ調整時に
圧縮空気8が供給される。9はダミープレート1の高さ
を下げる場合のエアー抜き用バルブを示す。
【0012】図3は、ダミープレートの高さ調整機構2
の他の実施例を示す。図3において、10はダイプレー
ト1の取付板で、バッキングパッド3とダミープレート
1を接着剤を用いてこの取付板10に装着している。1
1は、取付板10を介してダミープレート1を高さ調整
する三段方式のレベリングブロックを示し、ねじ部12
を調整部13を回転させて調整する。このレベリングブ
ロック11はウエハ21の外径の大きさに対応して複数
個所、例えば、3個所程度設ければよい。
【0013】
【発明の効果】本発明のCMP研磨装置によれば、研磨
工具の研磨面の一部が被加工物から外れた領域におい
て、研磨工具の被加工物表面との接触面積の減少をダミ
ープレートが補って、部分的な研磨量の増大をおさえる
ことができるので、被加工物表面の平坦化を向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のCMP研磨装置の全体斜視図。
【図2】本発明のダミープレート高さ調整機構の実施例
を示す図。
【図3】本発明のダミープレート高さ調整機構の他の実
施例を示す図。
【図4】従来のCMP研磨装置の図。
【図5】従来のCMP研磨装置で、被加工物に対して研
磨ヘッドを揺動移動させている図。
【符号の説明】
1 ダミープレート 2 ダミープレート高さ調整機構 3 バッキングパッド 4 プランジャ 6 シリンダー 8 圧縮空気 10 取付板 11 レベリングブロック 21 ウエハ 22 回転定盤 23 工具軸 24 研磨工具 25 研磨ヘッド

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上面に円板上の被加工物が装着され、回
    転駆動する回転定盤と、 前記回転定盤に対向してその上方に配置され、下部に回
    転駆動する研磨工具が装着された研磨ヘッドとを備え、 前記研磨工具および前記被加工物の一方を他方に対して
    相対的に直線又は揺動移動させて、前記研磨工具の研磨
    面を前記被加工物の表面に押し付けて研磨を行うCMP
    研磨装置において、 前記研磨工具の一部が研磨対象の被加工物から外れた領
    域に研磨面を形成するダミー部材を回転定盤部に設けて
    いることを特徴とするCMP研磨装置。
  2. 【請求項2】 前記ダミー部材の材質が被加工物と同じ
    であることを特徴とする請求項1記載のCMP研磨装
    置。
  3. 【請求項3】 前記ダミー部材の表面を被加工物の研磨
    表面と同一の高さに調整するための調整手段をさらに備
    えたことを特徴とする請求項1又は2にそれぞれ記載の
    CMP研磨装置。
JP280699A 1999-01-08 1999-01-08 Cmp研磨装置 Pending JP2000198066A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009095923A (ja) * 2007-10-16 2009-05-07 Sd Future Technology Co Ltd 研磨装置
JP2009166150A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Denso Corp ウェハの製造方法
JP2010188479A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Toppan Printing Co Ltd ベルト搬送研磨機

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