JP2000196538A - 送受一体型光学系ユニット - Google Patents
送受一体型光学系ユニットInfo
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/38—Mechanical coupling means having fibre to fibre mating means
- G02B6/3807—Dismountable connectors, i.e. comprising plugs
- G02B6/3833—Details of mounting fibres in ferrules; Assembly methods; Manufacture
- G02B6/3865—Details of mounting fibres in ferrules; Assembly methods; Manufacture fabricated by using moulding techniques
-
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- G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 より少ない部品点数、製造工数で、且つ接続
損が少ない送受一体型光学系ユニットを得る。 【解決手段】 Ｓｉ基板４の一方の側面ＡにＶ字状のＶ
溝１０を構成し側面Ａに発光素子６を実装し、他方の側
面ＢにＶ溝１０を構成し側面Ｂに受光素子７を実装す
る。さらに、発光素子６へ接続された送信用光ファイバ
と受光素子へ接続された受光用光ファイバとを一体にモ
ールドし、送信用光ファイバおよび受光用光ファイバの
それぞれのモールド側の光ファイバの先端の端面を送受
光端部とし、光コネクタを構成する。よって、基板を、
送受両光ファイバの間隔と、光コネクタのファイバの間
隔が等しくなるような厚みとすれば、ファイバ間隔調整
用のポリマー光導波路が不要になる。このため、光ファ
イバにストレスを加えることなく、接合箇所のない一体
型で構成することができる。
損が少ない送受一体型光学系ユニットを得る。 【解決手段】 Ｓｉ基板４の一方の側面ＡにＶ字状のＶ
溝１０を構成し側面Ａに発光素子６を実装し、他方の側
面ＢにＶ溝１０を構成し側面Ｂに受光素子７を実装す
る。さらに、発光素子６へ接続された送信用光ファイバ
と受光素子へ接続された受光用光ファイバとを一体にモ
ールドし、送信用光ファイバおよび受光用光ファイバの
それぞれのモールド側の光ファイバの先端の端面を送受
光端部とし、光コネクタを構成する。よって、基板を、
送受両光ファイバの間隔と、光コネクタのファイバの間
隔が等しくなるような厚みとすれば、ファイバ間隔調整
用のポリマー光導波路が不要になる。このため、光ファ
イバにストレスを加えることなく、接合箇所のない一体
型で構成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レセプタクル対応
光トランシーバ用の送受一体型光学系ユニットに関す
る。
光トランシーバ用の送受一体型光学系ユニットに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、送受一体型光学系ユニットは、例
えば、レセプタクル対応光トランシーバ用として構成さ
れる。このように、光ファイバを用いたデータ通信の分
野において、送信機能および受光機能を一体化した光ト
ランシーバが広く用いられている。特に、オプトコム
（９８年４月号、Ｐ６０）に示されるように、小型の２
芯アレイ端末（例えば、ＩＥＣ８７４−１６に規定のＭ
Ｔフェルール）に対応したレセプタクル対応小型光トラ
ンシーバの開発が進められている。
えば、レセプタクル対応光トランシーバ用として構成さ
れる。このように、光ファイバを用いたデータ通信の分
野において、送信機能および受光機能を一体化した光ト
ランシーバが広く用いられている。特に、オプトコム
（９８年４月号、Ｐ６０）に示されるように、小型の２
芯アレイ端末（例えば、ＩＥＣ８７４−１６に規定のＭ
Ｔフェルール）に対応したレセプタクル対応小型光トラ
ンシーバの開発が進められている。
【０００３】一方、Ｓｉ基板上に光半導体素子を実装
し、更に、Ｓｉ基板に設けられたＶ溝にファイバを実装
することで、光半導体素子とファイバを光学的結合を行
う光学系ユニットがある。このような光学系ユニットの
構造は、’９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソ
サイエティ大会講演集、蔵田他「表面実装型光モジュー
ルの開発」（講演番号ＳＣ−１−１２）に示されてい
る。
し、更に、Ｓｉ基板に設けられたＶ溝にファイバを実装
することで、光半導体素子とファイバを光学的結合を行
う光学系ユニットがある。このような光学系ユニットの
構造は、’９５年電子情報通信学会エレクトロニクスソ
サイエティ大会講演集、蔵田他「表面実装型光モジュー
ルの開発」（講演番号ＳＣ−１−１２）に示されてい
る。
【０００４】上記のレセプタクル対応小型光トランシー
バにこの光学系ユニットを適用する場合、ＭＴフェルー
ルのファイバ間隔が０．７５ｍｍと非常に狭い。このた
め、同一Ｓｉ基板上に２本のＶ溝と発光および受光光半
導体素子とを実装するのは、構造が複雑になり困難であ
る。更に、送信部と受光部の距離が近いため、電気的な
クロストークが発生し易いという問題もある。
バにこの光学系ユニットを適用する場合、ＭＴフェルー
ルのファイバ間隔が０．７５ｍｍと非常に狭い。このた
め、同一Ｓｉ基板上に２本のＶ溝と発光および受光光半
導体素子とを実装するのは、構造が複雑になり困難であ
る。更に、送信部と受光部の距離が近いため、電気的な
クロストークが発生し易いという問題もある。
【０００５】従来は、上記の課題を解決するため、IEEE
Proceedings of the 46th Elec,Comp.and Tech.Conf.,
K.H.Hahn他(pp301-307) に示されるように、間隔調整用
ポリマ光導波路を介して光コネクタと光学系ユニット間
を光学的に結合している。
Proceedings of the 46th Elec,Comp.and Tech.Conf.,
K.H.Hahn他(pp301-307) に示されるように、間隔調整用
ポリマ光導波路を介して光コネクタと光学系ユニット間
を光学的に結合している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の方法では、部品点数が増え、製造工数が増え、更
に、接続箇所が一か所増える。こため、接続損が発生す
る問題点がある。なお、電気クロストークの改善効果は
生じ無い消極的な問題点もある。
来例の方法では、部品点数が増え、製造工数が増え、更
に、接続箇所が一か所増える。こため、接続損が発生す
る問題点がある。なお、電気クロストークの改善効果は
生じ無い消極的な問題点もある。
【０００７】本発明は、より少ない部品点数、製造工数
で、且つ接続損が少ない送受一体型光学系ユニットを提
供することを目的とする。
で、且つ接続損が少ない送受一体型光学系ユニットを提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、本発明の送受一体型光学系ユニットは、所定の基板
の側面ＡにＶ字状のＶ溝を構成し所定の基板の側面Ａに
実装された発光素子と、所定の基板の側面ＢにＶ字状の
Ｖ溝を構成し所定の基板の側面Ｂに実装された受光素子
と、発光素子へ接続された発光用光ファイバと受光素子
へ接続された受光用光ファイバとを一体にモールドし、
発光用光ファイバおよび受光用光ファイバのそれぞれの
モールド側の光ファイバの先端の端面を送受光端部とし
た光コネクタと、を有して構成されたことを特徴として
いる。
め、本発明の送受一体型光学系ユニットは、所定の基板
の側面ＡにＶ字状のＶ溝を構成し所定の基板の側面Ａに
実装された発光素子と、所定の基板の側面ＢにＶ字状の
Ｖ溝を構成し所定の基板の側面Ｂに実装された受光素子
と、発光素子へ接続された発光用光ファイバと受光素子
へ接続された受光用光ファイバとを一体にモールドし、
発光用光ファイバおよび受光用光ファイバのそれぞれの
モールド側の光ファイバの先端の端面を送受光端部とし
た光コネクタと、を有して構成されたことを特徴として
いる。
【０００９】上記の所定の基板の側面Ａと所定の基板の
側面Ｂとは同一基板の対向する両側面であるとするか、
または、側面Ａの所定の基板と側面Ｂの所定の基板は異
なる二つの基板であり、それぞれの他方の基板面は相互
に接合されているとするとよい。
側面Ｂとは同一基板の対向する両側面であるとするか、
または、側面Ａの所定の基板と側面Ｂの所定の基板は異
なる二つの基板であり、それぞれの他方の基板面は相互
に接合されているとするとよい。
【００１０】また、所定の基板はＳｉ基板であり、この
Ｓｉ基板の側面の厚さを調整することで、送受光用光フ
ァイバの間隔を光コネクタで必要とされるファイバ間隔
と一致させるとよい。
Ｓｉ基板の側面の厚さを調整することで、送受光用光フ
ァイバの間隔を光コネクタで必要とされるファイバ間隔
と一致させるとよい。
【００１１】さらに、上記の相互に接合された基板面は
メタライズ処理がされ、このメタライズ処理された側面
は電導性を有し接地接続が可能に構成され、所定の基板
の側面Ａおよび側面Ｂと直角方向の側面は、所定のパッ
ケージのパッケージ底面へ接合固定して構成され、パッ
ケージ底面は電導性を有し、このパッケージ底面へ接地
接続して構成されているとよい。
メタライズ処理がされ、このメタライズ処理された側面
は電導性を有し接地接続が可能に構成され、所定の基板
の側面Ａおよび側面Ｂと直角方向の側面は、所定のパッ
ケージのパッケージ底面へ接合固定して構成され、パッ
ケージ底面は電導性を有し、このパッケージ底面へ接地
接続して構成されているとよい。
【００１２】なお、上記のモールド側の送受光端部の近
傍にファイバの位置決め用のガイドピンをさらに有して
構成するとよい。
傍にファイバの位置決め用のガイドピンをさらに有して
構成するとよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
による送受一体型光学系ユニットの実施の形態を詳細に
説明する。図１から図５を参照すると本発明の送受一体
型光学系ユニットの実施形態が示されている。
による送受一体型光学系ユニットの実施の形態を詳細に
説明する。図１から図５を参照すると本発明の送受一体
型光学系ユニットの実施形態が示されている。
【００１４】（実施形態１）図１および図２は、本実施
形態の構成例を示す外観斜視図であり、図１が発光側、
図２が受光側の外観構造を示している。
形態の構成例を示す外観斜視図であり、図１が発光側、
図２が受光側の外観構造を示している。
【００１５】図１および図２を参照すると、本実施形態
１の送受信一体型光学系ユニットは、ＭＴ型フェルール
１、送信用光ファイバ２、受信用光ファイバ３、Ｓｉ基
板４、ファイバ押さえ５、送信用の発光素子６、受信用
の受光素子７、およびパッケージ底面８を有して構成さ
れる。
１の送受信一体型光学系ユニットは、ＭＴ型フェルール
１、送信用光ファイバ２、受信用光ファイバ３、Ｓｉ基
板４、ファイバ押さえ５、送信用の発光素子６、受信用
の受光素子７、およびパッケージ底面８を有して構成さ
れる。
【００１６】図１および図２において、発光素子６およ
び受信用の受光素子７を実装したＳｉ基板４の両側面に
設けられたＶ溝１０に、送信用光ファイバ２および受信
用光ファイバ３を固定する。この時、Ｓｉ基板４の側面
の厚さを調整し、送信用ファイバ２と受信用ファイバ３
との間隔を、ＭＴ型フェルール１に定められているファ
イバ間隔に合わせる。このことで、送信用光ファイバ２
および受信用光ファイバ３に容易にＭＴ型フェルール１
をモールド形成できる。
び受信用の受光素子７を実装したＳｉ基板４の両側面に
設けられたＶ溝１０に、送信用光ファイバ２および受信
用光ファイバ３を固定する。この時、Ｓｉ基板４の側面
の厚さを調整し、送信用ファイバ２と受信用ファイバ３
との間隔を、ＭＴ型フェルール１に定められているファ
イバ間隔に合わせる。このことで、送信用光ファイバ２
および受信用光ファイバ３に容易にＭＴ型フェルール１
をモールド形成できる。
【００１７】ＭＴ型フェルール１は、送信用光ファイバ
２および受信用光ファイバ３をエポキシ樹脂でモールド
し、端面研磨されている。また、ファイバ位置決め用ガ
イドピン９が設けられている。
２および受信用光ファイバ３をエポキシ樹脂でモールド
し、端面研磨されている。また、ファイバ位置決め用ガ
イドピン９が設けられている。
【００１８】Ｓｉ基板４の両側面には、発光素子６と受
光素子７とがそれぞれ実装され、更に、ファイバ実装用
のＶ溝１０が設けられ、送信用ファイバ２および受信用
ファイバ３がそれぞれ実装されている。なお、発光素子
６および受光素子７は、送信用光ファイバ２および受信
用光ファイバ３とそれぞれ光学的に直接結合されてい
る。
光素子７とがそれぞれ実装され、更に、ファイバ実装用
のＶ溝１０が設けられ、送信用ファイバ２および受信用
ファイバ３がそれぞれ実装されている。なお、発光素子
６および受光素子７は、送信用光ファイバ２および受信
用光ファイバ３とそれぞれ光学的に直接結合されてい
る。
【００１９】更に、Ｓｉ基板４は、Ｖ溝１０の設けられ
ていない面１１がメタライズされており、この面１１と
パッケージ底面８をハンダ固定することで、パッケージ
底面８へ実装されている。
ていない面１１がメタライズされており、この面１１と
パッケージ底面８をハンダ固定することで、パッケージ
底面８へ実装されている。
【００２０】次に図１および図２を用いて、本発明の動
作例の説明を行う。まず、予め発光素子６および受光素
子７を実装したＳｉ基板４の両側面に設けられたＶ溝１
０に、送信用光ファイバ２と受信用光ファイバ３とをフ
ァイバ押さえ５を用いてそれぞれ実装する。更に、送信
用光ファイバ２と受信用光ファイバ３の先端を、エポキ
シ系樹脂でモールドする。さらに、端面をモールド樹脂
ごと研磨し、ガイドピン９を取り付けることでＭＴフェ
ルール１を形成し、小型光トランシーバ用の送受一体型
光学系ユニットを形成する。
作例の説明を行う。まず、予め発光素子６および受光素
子７を実装したＳｉ基板４の両側面に設けられたＶ溝１
０に、送信用光ファイバ２と受信用光ファイバ３とをフ
ァイバ押さえ５を用いてそれぞれ実装する。更に、送信
用光ファイバ２と受信用光ファイバ３の先端を、エポキ
シ系樹脂でモールドする。さらに、端面をモールド樹脂
ごと研磨し、ガイドピン９を取り付けることでＭＴフェ
ルール１を形成し、小型光トランシーバ用の送受一体型
光学系ユニットを形成する。
【００２１】この際、Ｓｉ基板４は、Ｖ溝１０に搭載さ
れた送信用ファイバ２および受光用ファイバ３の間隔
と、ＭＴフェルールのファイバの間隔に等しくなるよう
な厚みで製作されている。そのため、容易に送信用ファ
イバ２と受信用ファイバ３の先端にＭＴフェルール１を
モールド形成することができる。
れた送信用ファイバ２および受光用ファイバ３の間隔
と、ＭＴフェルールのファイバの間隔に等しくなるよう
な厚みで製作されている。そのため、容易に送信用ファ
イバ２と受信用ファイバ３の先端にＭＴフェルール１を
モールド形成することができる。
【００２２】図１および図２に示すファイバ実装用Ｓｉ
基板の効果は次のようになる。第一に、光学系ユニット
のファイバ間隔がＭＴフェルールのファイバ間隔と等し
い。このため、光学系ユニット部のファイバにＭＴフェ
ルールを直接モールド可能となる。そのため、ファイバ
間隔調整用のポリマー光導波路が不要になり、構造が簡
潔になる。更に、ポリマー導波路を用いた場合と比較し
て、光学系ユニット部とファイバにＭＴフェルールとの
間における接続点が一か所減る。このため、光半導体素
子とＭＴフェルール間の接続損失を減らすことができ、
高光出力化および高受光感度化が可能となる。
基板の効果は次のようになる。第一に、光学系ユニット
のファイバ間隔がＭＴフェルールのファイバ間隔と等し
い。このため、光学系ユニット部のファイバにＭＴフェ
ルールを直接モールド可能となる。そのため、ファイバ
間隔調整用のポリマー光導波路が不要になり、構造が簡
潔になる。更に、ポリマー導波路を用いた場合と比較し
て、光学系ユニット部とファイバにＭＴフェルールとの
間における接続点が一か所減る。このため、光半導体素
子とＭＴフェルール間の接続損失を減らすことができ、
高光出力化および高受光感度化が可能となる。
【００２３】第二に、発光素子を含む送信部分と受光素
子を含む受光部分間にＳｉ基板が存在する。このため、
送信−受光間の電気的クロストークの改善が可能とな
る。
子を含む受光部分間にＳｉ基板が存在する。このため、
送信−受光間の電気的クロストークの改善が可能とな
る。
【００２４】（実施形態２）次に、図３〜図５に基づ
き、他の実施形態２および変化例について以下に説明す
る。
き、他の実施形態２および変化例について以下に説明す
る。
【００２５】図３を参照すると、送信用光学系ユニット
１７は、発光素子６を搭載したＳｉ基板４の片側面にフ
ァイバ実装用のＶ溝１０を設け、送信用ファイバ２を実
装している。なお、裏面は全面がメタライズ１２されて
いる。同様にして、受信用光学系ユニット１８も、受光
素子７を搭載したＳｉ基板４の片側面にファイバ実装用
のＶ溝１０を設け、受光用ファイバ３を実装している。
なお、送信用と同様に裏面はメタライズ１２がされてい
る。この送信用光学系ユニット１７と受光用光学系ユニ
ット１８とは、裏面のメタライズ面１２でハンダ固定さ
れている。この構造においても、効果を得ることができ
る。更に、Ｓｉ基板４間のメタライズ１２およびハンダ
層を接地することで、前項の構造と比較して電気的クロ
ストークの抑圧効果を高めることができる。
１７は、発光素子６を搭載したＳｉ基板４の片側面にフ
ァイバ実装用のＶ溝１０を設け、送信用ファイバ２を実
装している。なお、裏面は全面がメタライズ１２されて
いる。同様にして、受信用光学系ユニット１８も、受光
素子７を搭載したＳｉ基板４の片側面にファイバ実装用
のＶ溝１０を設け、受光用ファイバ３を実装している。
なお、送信用と同様に裏面はメタライズ１２がされてい
る。この送信用光学系ユニット１７と受光用光学系ユニ
ット１８とは、裏面のメタライズ面１２でハンダ固定さ
れている。この構造においても、効果を得ることができ
る。更に、Ｓｉ基板４間のメタライズ１２およびハンダ
層を接地することで、前項の構造と比較して電気的クロ
ストークの抑圧効果を高めることができる。
【００２６】図４は、実施形態２の変化例１を示す外観
斜視図である。図４を参照すると、送受一体型光学系ユ
ニットは、送信用光学系ユニット１７および受光用光学
系ユニット１８間に金属等の導体板１５を挟んで、パッ
ケージ底面８で接地している。導体板１５の材質および
大きさを変更するこの構造でも、効果は実施形態１と同
様に得られ、送受信間のクロストークを抑圧できる。
斜視図である。図４を参照すると、送受一体型光学系ユ
ニットは、送信用光学系ユニット１７および受光用光学
系ユニット１８間に金属等の導体板１５を挟んで、パッ
ケージ底面８で接地している。導体板１５の材質および
大きさを変更するこの構造でも、効果は実施形態１と同
様に得られ、送受信間のクロストークを抑圧できる。
【００２７】図５は、実施形態２の変化例２を示す外観
斜視図である。図５では、送信用ＬＳＩ１３やチップ抵
抗１４を実装したセラミック基板１６に、送信用光学系
ユニット１７を実装し、受信機を構成している。更に、
図５では不図示であるが、セラミック基板１６の裏面に
は受信用ＬＳＩや受光用光学系ユニット１７が実装さ
れ、受信機が構成されている。
斜視図である。図５では、送信用ＬＳＩ１３やチップ抵
抗１４を実装したセラミック基板１６に、送信用光学系
ユニット１７を実装し、受信機を構成している。更に、
図５では不図示であるが、セラミック基板１６の裏面に
は受信用ＬＳＩや受光用光学系ユニット１７が実装さ
れ、受信機が構成されている。
【００２８】この構造においても、実施形態１と同様の
効果が得られる。更に、セラッミク基板１６上に、送信
回路および受光回路を構成できるので、レセプタクル型
光トランシーバの小型化が可能になる。
効果が得られる。更に、セラッミク基板１６上に、送信
回路および受光回路を構成できるので、レセプタクル型
光トランシーバの小型化が可能になる。
【００２９】尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明より明かなように、本発明の
送受一体型光学系ユニットは、所定の基板の側面ＡにＶ
字状のＶ溝を構成し側面Ａに発光素子を実装し、所定の
基板の側面ＢにＶ字状のＶ溝を構成し側面Ｂに受光素子
を実装し、発光素子へ接続された発光用光ファイバと受
光素子へ接続された受光用光ファイバとを一体にモール
ドしている。よって、基板を、送受両光ファイバの間隔
と、光コネクタのファイバの間隔が等しくなるような厚
みとすれば、ファイバ間隔調整用のポリマー光導波路が
不要になる。このため、光ファイバにストレスを加える
ことなく、接合箇所のない一体型で構成することができ
る。
送受一体型光学系ユニットは、所定の基板の側面ＡにＶ
字状のＶ溝を構成し側面Ａに発光素子を実装し、所定の
基板の側面ＢにＶ字状のＶ溝を構成し側面Ｂに受光素子
を実装し、発光素子へ接続された発光用光ファイバと受
光素子へ接続された受光用光ファイバとを一体にモール
ドしている。よって、基板を、送受両光ファイバの間隔
と、光コネクタのファイバの間隔が等しくなるような厚
みとすれば、ファイバ間隔調整用のポリマー光導波路が
不要になる。このため、光ファイバにストレスを加える
ことなく、接合箇所のない一体型で構成することができ
る。
【図１】本発明の送受一体型光学系ユニットの実施形態
１を示す外観斜視図１である。
１を示す外観斜視図１である。
【図２】図１と側面の異なる外観斜視図２である。
【図３】送受一体型光学系ユニットの実施形態２を示す
外観斜視図である。
外観斜視図である。
【図４】実施形態２の変化例１を示す外観斜視図であ
る。
る。
【図５】実施形態２の変化例２を示す外観斜視図であ
る。
る。
１ ＭＴ型フェルール ２ 送信用光ファイバ ３ 受信用光ファイバ ４ Ｓｉ基板 ５ ファイバ押さえ ６ 発光素子 ７ 受光素子 ８ パッケージ底面 ９ ガイドピン １０ Ｖ溝 １１ メタライズ １２ メタライズ １３ 送信用ＬＳＩ １４ チップ抵抗 １５ 導体板 １６ セラミック基板 １７ 送信用光学系ユニット １８ 受信用光学系ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/12
Claims (9)
- 【請求項１】 所定の基板の側面ＡにＶ字状のＶ溝を構
成し前記所定の基板の側面Ａに実装された発光素子と、 所定の基板の側面ＢにＶ字状のＶ溝を構成し前記所定の
基板の側面Ｂに実装された受光素子と、 前記発光素子へ接続された発光用光ファイバと前記受光
素子へ接続された受光用光ファイバとを一体にモールド
し、前記発光用光ファイバおよび前記受光用光ファイバ
のそれぞれの前記モールド側の光ファイバの先端の端面
を送受光端部とした光コネクタと、を有して構成された
ことを特徴とする送受一体型光学系ユニット。 - 【請求項２】 前記所定の基板の側面Ａと前記所定の基
板の側面Ｂとは同一基板の対向する両側面であることを
特徴とする請求項１に記載の送受一体型光学系ユニッ
ト。 - 【請求項３】 前記側面Ａの所定の基板と前記側面Ｂの
所定の基板は異なる二つの基板であり、それぞれの他方
の基板面は相互に接合されていることを特徴とする請求
項１に記載の送受一体型光学系ユニット。 - 【請求項４】 前記所定の基板はＳｉ基板であり、該Ｓ
ｉ基板の側面の厚さを調整することで、前記送受光用光
ファイバの間隔を前記光コネクタで必要とされるファイ
バ間隔と一致させていることを特徴とする請求項２また
は３に記載の送受一体型光学系ユニット。 - 【請求項５】 前記相互に接合された基板面は、メタラ
イズ処理がされていることを特徴とする請求項３または
４に記載の送受一体型光学系ユニット。 - 【請求項６】 前記メタライズ処理された側面は、電導
性を有し接地接続が可能に構成されていることを特徴と
する請求項５に記載の送受一体型光学系ユニット。 - 【請求項７】 前記所定の基板の側面Ａおよび側面Ｂと
直角方向の側面は、所定のパッケージのパッケージ底面
へ接合固定して構成されていることを特徴とする請求項
１から６の何れかに記載の送受一体型光学系ユニット。 - 【請求項８】 前記パッケージ底面は電導性を有し、該
パッケージ底面へ前記接地接続して構成されていること
を特徴とする請求項６または７に記載の送受一体型光学
系ユニット。 - 【請求項９】 前記モールド側の送受光端部の近傍に前
記ファイバの位置決め用のガイドピンをさらに有して構
成されていることを特徴とする請求項１から８の何れか
に記載の送受一体型光学系ユニット。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP10371028A JP2000196538A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 送受一体型光学系ユニット |
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| EP99125806A EP1014133A3 (en) | 1998-12-25 | 1999-12-23 | Bidirectional optoelectronic transceiver module |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371028A JP2000196538A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 送受一体型光学系ユニット |
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|---|---|
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ID=18498015
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| EP (1) | EP1014133A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000196538A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001100064A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Kyocera Corp | 光部品実装用基板及びそれを用いた光モジュール |
| KR20020032296A (ko) * | 2000-10-20 | 2002-05-03 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 광분산 등화기 |
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- 1998-12-25 JP JP10371028A patent/JP2000196538A/ja active Pending
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1999
- 1999-12-22 US US09/469,392 patent/US6597484B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-23 EP EP99125806A patent/EP1014133A3/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1014133A3 (en) | 2001-09-19 |
| EP1014133A2 (en) | 2000-06-28 |
| US6597484B1 (en) | 2003-07-22 |
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