JP2000195886A - ウェハバンプの検査装置及び検査方法 - Google Patents

ウェハバンプの検査装置及び検査方法

Info

Publication number
JP2000195886A
JP2000195886A JP10369520A JP36952098A JP2000195886A JP 2000195886 A JP2000195886 A JP 2000195886A JP 10369520 A JP10369520 A JP 10369520A JP 36952098 A JP36952098 A JP 36952098A JP 2000195886 A JP2000195886 A JP 2000195886A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
bump
light
laser beam
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10369520A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Rokkaku
正 六角
Takeshi Kiji
剛 木地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP10369520A priority Critical patent/JP2000195886A/ja
Publication of JP2000195886A publication Critical patent/JP2000195886A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 測定対象表面の勾配の影響を受けずに、ハン
ダ又は金バンプの高さ、形状寸法等を検査して良否判定
を行うことにある。 【解決手段】 ウェハ1に形成されたバンプ6に向けて
ウェハ上から第1のレーザ光10を投光する第1のレー
ザ装置9と、上記バンプ6に向けてウェハ上から上記第
1のレーザ光10とは別角度で第2のレーザ光12を投
光する第2のレーザ装置11と、上記バンプ表面から反
射される上記第1のレーザ光10の散乱光16を受光す
る第1の受光装置15と、上記ウェハ表面から反射され
る上記第2のレーザ光12の正反射光14を受光する第
2の受光装置13と、上記第1、第2の受光装置13,
15の受光データを2値化して合成する画像処理装置1
9と、上記画像処理装置で得られたデータに基づき上記
バンプの良否を判定する判定装置と、を備えることを特
徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハバンプの検
査装置及び検査方法に関する。詳しくは、半導体ウェハ
上に形成された金メッキバンプ又はハンダバンプの高
さ、形状寸法等を検査する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術を図6に示す。図6(a)
(b)は、正反射光を用いた三角測量法に関する。図6
(a)に示すように、ウェハ1の上に金メッキバンプ2
が形成された場合、金メッキバンプ2の表面はウェハ1
の表面に対して通常平行である。
【0003】このような金メッキバンプ2に対しては、
レーザー光3を用いた三角測量法によって、次のように
比較的正確に金メッキバンプ2のウェハ1に対する高さ
(厚み)が測定できる。即ち、レーザー光3は金メッキ
バンプ2の表面で正反射されて反射光4sとなり、ま
た、ウェハ1の表面で正反射されたて反射光4bとな
り、これら反射光4s,4bは平行光となって受光位置
センサー5の受光面で点A及び点A0に到達する。
【0004】そのため、金メッキバンプ2の高さは受光
位置センサー5上では、点A,A0間の距離Hに比例す
る値として検出される。しかるに図6(b)に示すよう
に球形のハンダバンプ6がウェハ1に形成された場合、
正反射光を用いた三角測量法ではハンダバンプ6表面の
勾配の影響を受けて、ハンダバンプ6の高さ測定精度の
信頼性が著しく低下する。
【0005】即ち、ウェハ1の表面に投射されたレーザ
ー光3bは、正反射光4bとなって受光位置センサー5
の受光面の点A0に到達する。一方、ハンダバンプ6の
表面で、その法線7がウェハ表面の法線8に対して角度
θ傾いている点Rに投射されたレーザー光3sは、正反
射光4fとなって受光位置センサー5の点Bに到達す
る。
【0006】ここで、仮に点Rで反射する正反射光4f
が正反射光4bと平行な架空の反射光4tとなって受光
位置センサー5の点A1で受光されたとすれば、ハンダ
バンプ6の点Rのウェハ1の表面からの高さは、受光位
置センサー5での点A0,A1間の距離H1に比例した
値として正確に測定することができる。しかしながら、
実際には、正反射光4fは正反射光4bと平行ではな
く、受光位置センサー5の点Bで受光されるため、距離
H1に比例したものではなく、距離H1に誤差距離E1
を含んだ値を出力してしまう。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術の不
具合は、測定対象表面の勾配によって正反射光の方向が
変化することに起因している。これを解決するために
は、正反射光を用いずに、散乱光を用いた三角測量法を
適用すればよい。しかしながら、ウェハ表面は一般に鏡
面であって、散乱光を用いた三角測量法では、高さ測定
の基準となるウェハ表面の高さ方向の位置を検出できな
い。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の請求項1に係るウェハバンプの検査装置は、ウェハ
に形成されたバンプに向けてウェハ上から第1のレーザ
光を投光する第1のレーザ装置と、上記バンプに向けて
ウェハ上から上記第1のレーザ光とは別角度で第2のレ
ーザ光を投光する第2のレーザ装置と、上記バンプ表面
から反射される上記第1のレーザ光の散乱光を受光する
第1の受光装置と、上記ウェハ表面から反射される上記
第2のレーザ光の正反射光を受光する第2の受光装置
と、上記第1、第2の受光装置の受光データを2値化し
て合成する画像処理装置と、上記画像処理装置で得られ
たデータに基づき上記バンプの良否を判定する判定装置
と、を備えることを特徴とする。
【0009】上記課題を解決する本発明の請求項2に係
るウェハバンプの検査装置は、ウェハに形成されたバン
プに向けてウェハ上から第1のレーザ光を投光する第1
のレーザ装置と、上記バンプに向けてウェハ上から上記
第1のレーザ光とは別角度で第2のレーザ光を投光する
第2のレーザ装置と、上記バンプ表面から反射される上
記第1のレーザ光の散乱光と上記ウェハ表面から反射さ
れる上記第2のレーザ光の正反射光を受光する受光装置
と、上記受光装置の受光データを2値化する画像処理装
置と、上記画像処理装置で得られたデータに基づき上記
バンプの良否を判定する判定装置と、を備えることを特
徴とする。
【0010】上記課題を解決する本発明の請求項3に係
るウェハバンプの検査装置は、請求項1又は2におい
て、上記第1のレーザ光の光軸を上記ウェハと直角と
し、且つ、上記第1のレーザ光の上記ウェハ表面への投
光位置と上記第2のレーザ光の上記ウェハ表面への投光
位置とを同一位置に設定することを特徴とする。上記課
題を解決する本発明の請求項4に係るウェハバンプの検
査装置は、請求項1,2又は3において、上記第1のレ
ーザ光の強度を上記第2のレーザ光の強度よりも相対的
に強めることを特徴とする。上記課題を解決する本発明
の請求項5に係るウェハバンプの検査装置は、請求項
1,2,3又は4において、上記第1及び第2 のレーザ
光がスリット状であることを特徴とする。上記課題を解
決する本発明の請求項6に係るウェハバンプの検査装置
は、請求項1,2,3,4又は5において、上記受光装
置がCCDカメラであることを特徴とする。
【0011】上記課題を解決する本発明の請求項7に係
るウェハバンプの検査装置は、請求項1,2,3,4,
5又は6において、上記ウェハが水平方向に移動かつ位
置決め可能であることを特徴とする。上記課題を解決す
る本発明の請求項8に係るウェハバンプの検査装置は、
請求項1,2,3,4,5,6又は7において、上記バ
ンプの良否がバンプの高さであることを特徴とする。
【0012】上記課題を解決する本発明の請求項9に係
るウェハバンプの検査方法は、ウェハに形成されたバン
プに向けてウェハ上から第1のレーザ光を投光し、上記
バンプに向けて上記ウェハに向けて上記第1のレーザ光
とは別角度で第2のレーザ光を投光し、上記バンプ表面
から反射される上記第1のレーザの散乱光と上記ウェハ
表面から反射される上記第2の正反射光を受光し、上記
受光データを2値化し、上記バンプの良否を判定する、
ことを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】〔本発明の原理〕本発明の原理を
図1に示す。図1に示すように、ウェハ1の上面には複
数の球状ハンダバンプ6が付けてある。レーザー光源9
はウェハ1の直上に設置されており、シート状のレーザ
ー光10をウェハ上面に垂直に投射するようになってい
る。
【0014】シート状レーザー光10は、ウェハ表面で
焦点を結んで、幅の狭い、例えばパワー密度1/2のレ
ベルでは幅3μm、即ち半値幅で3μmとなっている。
レーザー光源11はレーザー光源9に対して傾斜して設
置されており、シート状レーザー光12をウェハ1の表
面に投射するようになっている。シート状レーザー光1
2もウェハ表面で焦点を結んで半値幅3μmとなる。
【0015】カメラ13は、その光軸が、シート状レー
ザー光12の正反射光14が入射する角度に設置されて
いる。また、カメラ15は、その光軸がシート状レーザ
ー光10及び12の正反射光が入射できない角度に設置
され、散乱光16を受光するようになっている。
【0016】ここで、シート状レーザー光10の光強度
を大きく、シート状レーザー光12の光強度を小さく設
定することにより、カメラ13でウェハ1の表面の高さ
方向位置を検出することができ、また、カメラ15でハ
ンダバンプ6の高さ方向位置を検出することができる。
その理由を以下説明する。シート状レーザー光12の光
強度を小さくすると、ハンダバンプ6からのレーザー光
12の散乱光強度も小さくなり、従って、カメラ13に
入るレーザー光12の散乱光の強度も小さくなる。
【0017】一方、レーザー光12の正反射光は、レー
ザー光12の光強度に近くなるので、カメラ13の受光
感度を小さくすることによって、具体的には画像処理で
の2値化の閾値を大きくすることによって、ウェハ表面
からの正反射光14以外の散乱光の影響を除去すること
ができる。一方、シート状レーザー光10の光強度を大
きくしても、カメラ13の光軸はレーザー光10の光軸
に対して大きく傾斜しているため、ハンダバンプ6から
カメラ13に入るレーザー光10の散乱光の強度は小さ
くなる。
【0018】それに対して、カメラ15は、その光軸が
レーザー光10,12の正反射光が入射できない方向に
設置されているため、散乱光しか入射しない。一般にウ
ェハ1の表面は鏡面であって散乱光強度は小さいく、そ
のため、カメラ15にはハンダバンプ6の表面のからの
散乱光のみが入射される。
【0019】そこで、画像処理バス17,18を介して
それぞれカメラ13,15からの画像データを画像処理
装置19に転送し、孤立点除去などのノイズ除去処理を
行うと、ハンダバンプ6の表面形状画像20とウェハ表
面形状画像21を得る。ハンダバンプ6の表面形状画像
20は、ハンダバンプ6の上面付近の局面部分が形状と
して認識され、その側面部は受光量が少なく殆ど認識さ
れない。
【0020】ハンダバンプ6の全体的な形状を認識する
ためには、閾値を低くして半球状に認識されるようにす
ると良く、また、ハンダバンプ6のウェハ1からの高さ
のみを検出するためには、閾値を高くすると良い。ウェ
ハ表面形状画像21は、ハンダバンプ6により遮られる
ため、断続的な形状が認識される。これらの画像20,
21を合成して画像データ22を得て、ウェハ表面に対
するハンダバンプ6の高さを評価できる。
【0021】〔実施例1〕本発明の第1の実施例に係る
ウェハバンプの検査装置を図2、図3に示す。図2は上
記検査装置の光学ヘッドの構成図、図3は本実施例にお
ける散乱光利用の様子を示す説明図である。図2に示す
ように、ウェハ1は図示しないテーブルに固定されて、
水平方向に移動位置決めされるようになっている。
【0022】レーザー光源9からはウェハ上面に垂直な
シート状レーザー光10がウェハ上面に投射される。レ
ーザー光源11からは傾斜した方向からシート状レーザ
ー光12が投射され、その正反射光14はレンズ24、
ミラー26、レンズ27、ピンホール板28、を介して
カメラ13のCCD29の受光面に到達するようになっ
ている。
【0023】シート状レーザー光12の光強度を小さく
し、シート状レーザー光10の光強度を大きくすること
によって、ウェハ1上の図示しないハンダバンプからの
散乱光16のエネルギーは殆どがレーザー光10からの
散乱光となっている。散乱光16は、レンズ30,3
1、ミラー32、レンズ33、ピンホール板34を介し
てカメラ14のCCD35の受光面に到達するようにな
っている。
【0024】カメラ13からのウェハ表面位置情報を有
する画像信号は画像処理バス17を介してA/D変換カ
ード36に入力され、さらにデータバス37を介して画
像処理装置38に転送されるようになっている。同様
に、カメラ15からのハンダバンプ高さ及び形状位置情
報を有する画像信号は、画像処理バス18、A/D変換
カード39、データバス40を介して画像処理装置38
に転送されるようになっている。
【0025】画像処理装置38は二つの画像データを合
成してデータバス41を介して判定器42に転送し、判
定器42によって、ハンダバンプの高さ、直径などを予
め設定された判定基準と照らし合わせて良否判定する。
【0026】上記構成を有する本実施例に係るウェハバ
ンプの検査装置の作用、効果を図3に従って説明する。
図3に示すように、ウェハ1の上面に対し垂直に照射さ
れるレーザー光34が、このレーザー光34に対して法
線がある角度で傾いたハンダバンプ6の点Uに投射され
ると、その正反射光43は、レンズ45の光軸46から
は大きく離れた方向に反射する。
【0027】レンズ45の焦点位置にはピンホール板4
7が設置してあるので、レンズ45の光軸46に対して
平行又は平行に近い光のみがピンホール48を通過して
受光センサー5に到達するようになっている。従って、
点Uにおけるレーザー光34の散乱光のうち、光軸46
に平行な散乱光16がピンホール48を通過し、受光セ
ンサー5の受光面の点Aに到達する。このように、散乱
光を用いた三角測量法では、常に定まった方向の散乱光
を検出するので、測定対象物の表面の勾配が測定精度に
与える影響を小さくすることができる。
【0028】仮に、ウェハ1の表面でレーザー光34が
散乱した場合は、光軸46に平行な散乱光44がピンホ
ールを通過して点A0に到達し、A,A0間の距離Hに
比例した信号がハンダバンプの高さとして検出されるこ
とになるが、ウェハ1の表面は一般に鏡面であり、散乱
光44は得られない。本実施例では、ハンダバンプ高さ
測定の基準面となるウェハ表面位置情報は、正反射光を
用いた別のレーザー光12とカメラ13によって得るよ
うにしている。
【0029】このように本実施例では、散乱光を用いた
三角測量法であるため、測定対象表面の勾配の影響を受
けにくいことが判る。尚、図3において、レーザー光3
4の光軸がハンダバンプ6の中心から大きくずれている
場合には、点Uからの正反射光43は光軸46と平行に
近くなることもなりうるが、ウェハ1に対してほぼ直上
からレーザー光34を照射するように位置決めすれば、
そのようなことはあり得ない。
【0030】また、図3において、点Uは、ハンダバン
プ6の頂点ではないので、高さ測定に誤差が含まれる
が、点Uはハンダバンプ6の頂点付近であるので、誤差
の範囲極めて少ない。更に、レーザー光34の光軸がハ
ンダバンプ6の中心から大きくずれている場合には、ハ
ンダバンプ6の高さ検出に不良があるとして検出すれば
良い。
【0031】一方、本実施例においては、シート状レー
ザ光10,12を使用したのは線測定とすることにより
能率を向上させるためであるが、同等の機能を持たせる
ために、スポットレーザーを振動させるようにしても良
い。更には、スポット状レーザーにより点測定すること
も考えられる。
【0032】尚、レーザー光源9,11、カメラ(受光
器)13,15の取付け位置、角度等については、図中
に示すものに限らず、その本来の目的を達成できるよう
に、適宜変更して適用することができる。また、2台の
カメラの受光データを合成する場合に、基準点を求める
必要があるが、通常の方法を用いることができる。例え
ば、表面が鏡面である正反射面と微細な粒子を付着させ
た散乱面を面一に設けたブロックゲージに散乱光用レー
ザと正反射光用レーザを照射し、その反射光をカメラで
受光して、基準点を調整すると良い。
【0033】〔実施例2〕本発明の第2の実施例に係る
ウェハバンプの検査装置を図4、図5に示す。本実施例
は、光学ヘッドの構成を簡素化したものである。図4は
上記検査装置の光学ヘッドの構成図、図5はその原理図
である。
【0034】図4、図5に示すように、正反射用と散乱
用に2種類のレーザー光源9,11を設ける必要がある
が、受光器(カメラ)は2種類設ける必要はなく、1台
のカメラ13で共用するようにしたものである。即ち、
カメラ13としては1種類であり、レーザー光源9から
出射したレーザー光10がウェハ表面で反射した散乱光
16とレーザー光源11から出射したレーザー光12が
ウェハ表面で反射した正反射光14が1台のカメラで受
光されることになる。
【0035】勿論、正反射用のレーザー光源11は光強
度を小さくし、散乱光用のレーザ光源9は光強度を大き
くするが、レーザー光源9から照射されたレーザー光1
0がウェハ表面で反射した正反射光はカメラ13には入
射しない。このように本実施例では、光学ヘッドの構成
がシンプルとなるので、製作コストの低減に寄与するも
のである。
【0036】なお、本実施例では、レーザー光としてシ
ート状レーザー光を用い、受光器としてCCDカメラを
用い、またバンプ表面からの散乱光を得るためのレーザ
ー光はウェハに垂直な例を示したが、下記の場合も、本
発明に含まれる。
【0037】(1)受光器としてアナログセンサーであ
るPSD(フォトセンサーダイオード)を用いること。 (2)レーザー光としてビームレーザー又はスポットレ
ーザー光を用いること。 (3)スポットレーザー光をポリゴンミラー、音響工学
偏向器などを用いて振動させたこと。 (4)バンプ表面から散乱光を得る目的で設置したレー
ザー光の光軸がウェハ表面の法線に対して傾斜するこ
と。
【0038】
【発明の効果】本発明の請求項1に係るウェハバンプの
検査装置は、ウェハに形成されたバンプに向けてウェハ
上から第1のレーザ光を投光する第1のレーザ装置と、
上記バンプに向けてウェハ上から上記第1のレーザ光と
は別角度で第2のレーザ光を投光する第2のレーザ装置
と、上記バンプ表面から反射される上記第1のレーザ光
の散乱光を受光する第1の受光装置と、上記ウェハ表面
から反射される上記第2のレーザ光の正反射光を受光す
る第2の受光装置と、上記第1、第2の受光装置の受光
データを2値化して合成する画像処理装置と、上記画像
処理装置で得られたデータに基づき上記バンプの良否を
判定する判定装置と、を備えたため、散乱光を用いた三
角測量法により、測定対象表面の勾配の影響を受けるこ
となく、ウェハ上のバンプの高さ、形状等の良否を判定
することが可能となる。
【0039】本発明の請求項2に係るウェハバンプの検
査装置は、ウェハに形成されたバンプに向けてウェハ上
から第1のレーザ光を投光する第1のレーザ装置と、上
記バンプに向けてウェハ上から上記第1のレーザ光とは
別角度で第2のレーザ光を投光する第2のレーザ装置
と、上記バンプ表面から反射される上記第1のレーザ光
の散乱光と上記ウェハ表面から反射される上記第2のレ
ーザ光の正反射光を受光する受光装置と、上記受光装置
の受光データを2値化する画像処理装置と、上記画像処
理装置で得られたデータに基づき上記バンプの良否を判
定する判定装置と、を備えたため、散乱光を用いた三角
測量法により、測定対象表面の勾配の影響を受けること
なく、ウェハ上のバンプの高さ、形状等の良否判定する
ことが可能となる他、受光装置の共用により簡略化する
ことができる。
【0040】本発明の請求項3に係るウェハバンプの検
査装置は、請求項1又は2において、上記第1のレーザ
光の光軸を上記ウェハと直角とし、且つ、上記第1のレ
ーザ光の上記ウェハ表面への投光位置と上記第2のレー
ザ光の上記ウェハ表面への投光位置とを同一位置に設定
するので、同一位置におけるウェハ上のバンプの高さ、
形状等の良否判定することが可能となる。本発明の請求
項4に係るウェハバンプの検査装置は、請求項1,2又
は3において、上記第1のレーザ光の強度を上記第2の
レーザ光の強度よりも相対的に強めるので、ウェハ表面
からの正反射光及びバンプからの散乱光を確実に受光す
ることが可能となる。本発明の請求項5に係るウェハバ
ンプの検査装置は、請求項1,2,3又は4において、
上記第1及び第2 のレーザ光がスリット状であるので、
能率的な判定を行うことが可能となる。
【0041】本発明の請求項6に係るウェハバンプの検
査装置は、請求項1,2,3,4又は5において、上記
受光装置がCCDカメラであるので、小型計量化を図る
ことが可能となる。本発明の請求項7に係るウェハバン
プの検査装置は、請求項1,2,3,4,5又は6にお
いて、上記ウェハが水平方向に移動かつ位置決め可能で
あるので、レーザー光の光軸をバンプの中心に合わせる
ことが可能となる。上記課題を解決する本発明の請求項
8に係るウェハバンプの検査装置は、請求項1,2,
3,4,5,6又は7において、上記バンプの良否がバ
ンプの高さであるので、バンプの高さを計測することが
可能となる。
【0042】本発明の請求項9に係るウェハバンプの検
査方法は、ウェハに形成されたバンプに向けてウェハ上
から第1のレーザ光を投光し、上記バンプに向けて上記
ウェハに向けて上記第1のレーザ光とは別角度で第2の
レーザ光を投光し、上記バンプ表面から反射される上記
第1のレーザの散乱光と上記ウェハ表面から反射される
上記第2の正反射光を受光し、上記受光データを2値化
し、上記バンプの良否を判定するので、散乱光を用いた
三角測量法により、測定対象表面の勾配の影響を受ける
ことなく、ウェハ上のバンプの高さ、形状等の良否を判
定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を示す説明図である。
【図2】本発明の第1の実施例に係るウェハバンプの検
査装置の光学ヘッドの構成図である。
【図3】本発明の第1の実施例に係るウェハバンプの検
査装置の散乱光利用の様子を示す説明図である。
【図4】本発明の第2の実施例に係るウェハバンプの検
査装置の光学ヘッドの構成図である。
【図5】本発明の第2の実施例に係るウェハバンプの検
査装置の原理を示す説明図である。
【図6】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
1 ウェハ 2 金メッキバンプ 3 レーザー光 4s,4b 反射光 5 受光位置センサー 6 ハンダバンプ 7 タンダバンプの法線 8 ウェハ表面の法線 9,11,レーザ光源 10,12 レーザ光 13,15 カメラ 14 正反射光 16 散乱光 17,18 画像処理バス 19 画像処理装置 20,21 表面形状画像
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年6月9日(1999.6.9)
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年6月10日(1999.6.1
0)
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA02 AA24 AA26 AA45 AA51 CC25 FF01 FF04 GG04 HH04 HH05 HH14 JJ03 JJ05 JJ08 JJ16 JJ26 LL15 LL30 LL57 LL62 MM16 PP12 QQ03 QQ04 QQ31 QQ34 SS04 TT02 4M106 AA01 AA02 AA11 AD09 BA05 CA38 DB04 DB08 DB13 DB14 DB21 DJ11 DJ15 5F044 QQ02

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウェハに形成されたバンプに向けてウェハ
    上から第1のレーザ光を投光する第1のレーザ装置と、
    上記バンプに向けてウェハ上から上記第1のレーザ光と
    は別角度で第2のレーザ光を投光する第2のレーザ装置
    と、上記バンプ表面から反射される上記第1のレーザ光
    の散乱光を受光する第1の受光装置と、上記ウェハ表面
    から反射される上記第2のレーザ光の正反射光を受光す
    る第2の受光装置と、上記第1、第2の受光装置の受光
    データを2値化して合成する画像処理装置と、上記画像
    処理装置で得られたデータに基づき上記バンプの良否を
    判定する判定装置と、を備えることを特徴とするウェハ
    バンプの検査装置。
  2. 【請求項2】ウェハに形成されたバンプに向けてウェハ
    上から第1のレーザ光を投光する第1のレーザ装置と、
    上記バンプに向けてウェハ上から上記第1のレーザ光と
    は別角度で第2のレーザ光を投光する第2のレーザ装置
    と、上記バンプ表面から反射される上記第1のレーザ光
    の散乱光と上記ウェハ表面から反射される上記第2のレ
    ーザ光の正反射光を受光する受光装置と、上記受光装置
    の受光データを2値化する画像処理装置と、上記画像処
    理装置で得られたデータに基づき上記バンプの良否を判
    定する判定装置と、を備えることを特徴とするウェハバ
    ンプの検査装置。
  3. 【請求項3】上記第1のレーザ光の光軸を上記ウェハと
    直角とし、且つ、上記第1のレーザ光の上記ウェハ表面
    への投光位置と上記第2のレーザ光の上記ウェハ表面へ
    の投光位置とを同一位置に設定することを特徴とする1
    又は2に記載のウェハバンプの検査装置。
  4. 【請求項4】上記第1のレーザ光の強度を上記第2のレ
    ーザ光の強度よりも相対的に強めることを特徴とする請
    求項1,2又は3に記載のウェハバンプの検査装置。
  5. 【請求項5】上記第1及び第2 のレーザ光がスリット状
    であることを特徴とする請求項1,2,3又は4記載の
    ウェハバンプの検査装置。
  6. 【請求項6】上記受光装置がCCDカメラであることを
    特徴とする請求項1,2,3,4又は5記載のウェハバ
    ンプの検査装置。
  7. 【請求項7】上記ウェハが水平方向に移動かつ位置決め
    可能であることを特徴とする請求項1,2,3,4,5
    又は6記載のウェハバンプの検査装置。
  8. 【請求項8】上記バンプの良否がバンプの高さであるこ
    とを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6又は7記
    載のウェハバンプの検査装置。
  9. 【請求項9】ウェハに形成されたバンプに向けてウェハ
    上から第1のレーザ光を投光し、上記バンプに向けて上
    記ウェハに向けて上記第1のレーザ光とは別角度で第2
    のレーザ光を投光し、上記バンプ表面から反射される上
    記第1のレーザの散乱光と上記ウェハ表面から反射され
    る上記第2の正反射光を受光し、上記受光データを2値
    化し、上記バンプの良否を判定する、ことを特徴とする
    ウェハバンプの検査方法。
JP10369520A 1998-12-25 1998-12-25 ウェハバンプの検査装置及び検査方法 Withdrawn JP2000195886A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10369520A JP2000195886A (ja) 1998-12-25 1998-12-25 ウェハバンプの検査装置及び検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10369520A JP2000195886A (ja) 1998-12-25 1998-12-25 ウェハバンプの検査装置及び検査方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000195886A true JP2000195886A (ja) 2000-07-14

Family

ID=18494634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10369520A Withdrawn JP2000195886A (ja) 1998-12-25 1998-12-25 ウェハバンプの検査装置及び検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000195886A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100729037B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-14 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼상의 레이저 주사장치 및 방법
JP2007225317A (ja) * 2006-02-21 2007-09-06 Juki Corp 部品の三次元測定装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100729037B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-14 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼상의 레이저 주사장치 및 방법
JP2007225317A (ja) * 2006-02-21 2007-09-06 Juki Corp 部品の三次元測定装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6862097B2 (en) Three-dimensional shape measuring method, and three-dimensional shape measuring apparatus
JP2943499B2 (ja) 高さ測定方法および装置
JPH0915163A (ja) 異物検査方法及び装置
JPH11257917A (ja) 反射型光式センサ
USRE33991E (en) Foreign particle detecting method and apparatus
JP3480176B2 (ja) ガラス基板の表裏欠陥識別方法
JP2000195886A (ja) ウェハバンプの検査装置及び検査方法
JPH0544961B2 (ja)
US5631738A (en) Laser ranging system having reduced sensitivity to surface defects
JP3341739B2 (ja) バンプ頂点検出方法並びにこれを用いたバンプ高さ測定方法及び装置
JP3040131B2 (ja) 球体表面の傷検査装置
JP2943498B2 (ja) 走査型レーザ変位計
JP4284675B2 (ja) 高さ測定を有する基板検査装置
JP2606662B2 (ja) フォーカス位置検出装置
JP2525261B2 (ja) 実装基板外観検査装置
JPH07146245A (ja) 異物検査装置及び異物検査方法
JP3218726B2 (ja) 異物検査装置
JP2006189390A (ja) 光学式変位測定方法および装置
JPS6262208A (ja) 距離測定装置および距離測定方法
JPH03173452A (ja) 面板の欠陥検査装置
JPH05107043A (ja) 外観検査装置
JP2818597B2 (ja) パターン検査方法
JPH0688709A (ja) バンプ電極検査装置
JPH04282845A (ja) 三次元形状測定装置
JP2001221613A (ja) 高さ測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060307