JP2000194144A

JP2000194144A - フォトレジストアッシング残滓洗浄剤

Info

Publication number: JP2000194144A
Application number: JP37346398A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Migami; 一郎見神; Yoshifumi Yamashita; 喜文山下; Toru Nonaka; 徹野仲
Original assignee: Tokuyama Corp
Current assignee: Tokuyama Corp
Priority date: 1998-12-28
Filing date: 1998-12-28
Publication date: 2000-07-14

Abstract

(57)【要約】【課題】フォトレジストアッシング残滓の洗浄性が高
く、また、導電性膜、絶縁膜等の下地の腐食の防止効果
も高く、洗浄時間の許容幅が長いフォトレジストアッシ
ング残滓洗浄剤を開発すること。【解決手段】ａ）フッ化アンモニウム化合物、ｂ）カチ
オン部分がアンモニウム塩型であり、アニオン部分がカ
ルボン酸塩型である両性イオン系界面活性剤、例えばベ
タイン型両性イオン系界面活性剤、及びｃ）フッ素系カ
チオン性界面活性剤の水溶液からなるフォトレジストア
ッシング残滓洗浄剤。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体回路パター
ン製造時において、フォトレジストをアッシングした後
に使用されるフォトレジストアッシング残滓の洗浄剤に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェハ上のＩＣやＬＳＩ等の素子
は、一般的に、フォトリソグラフィー技術を用いて、基
板ウェハ上に微細な電子回路パターンを形成させて製造
されている。具体的には、ＳｉＯ₂層等の絶縁膜やＡ
ｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ等の金属やそれらの合金等の導電
性膜が形成された基板ウェハ上に、フォトレジストを塗
布し、これに所望のパターンを形成したマスクを通じて
露光し現像することで、所望の部位にレジストパターン
を形成させ、次いで、このレジストパターン上から上記
絶縁膜や導電性膜に対してエッチング等の処理を行い、
その後レジストを除去することで実施されている。こう
した半導体回路パターンの形成において、フォトレジス
トの除去は、従来、種々の有機溶剤からなるフォトレジ
スト剥離液を使用することにより行われてきた。

【０００３】ところが、近年、回路パターンの精密化に
伴い操作が簡単であり、微細なレジストパターンを形成
させた後のフォトレジストを精度良く除去できる手法と
して、フォトレジストをプラズマ等のエネルギーにより
灰化させて除去する、いわゆるアッシング処理によりフ
ォトレジストを除去することが一般化してきている。そ
して、こうしたアッシング処理によるフォトレジストの
除去面には、フォトレジストの不完全灰化物やエッチン
グ工程において生成する側壁堆積膜が、上記処理では十
分に除去できずに残存している。

【０００４】ここで、側壁堆積膜とは、エッチング工程
において、フォトレジストマスクの側壁に、エッチング
ガスとフォトレジスト、その下層の導電性膜、絶縁膜、
基板等とが複雑に反応して形成される難溶性物である。
この側壁堆積膜は異方性エッチングの効果を高める目的
で故意に生成させる場合と、意図に反して生成する場合
とがある。こうした側壁堆積膜やフォトレジスト不完全
灰化物は、エッチングとして、反応性イオンエッチング
(ＲＩＥ)を行った場合には特に溶解性の低いものが顕著
に生じる。なお、ＲＩＥは、基板であるウェハに負電圧
をかけ、フッ化炭素、フッ化水素、塩化水素等のハロゲ
ンガスを含む反応性ガスにプラズマを照射し、被処理層
のエッチングを行う手法であり、異方性に優れるドライ
エッチングとして近年、主流に行われている方法であ
る。

【０００５】また、アッシング処理により除去するフォ
トレジストが、イオン注入処理に曝されたものである場
合にも、該フォトレジストが変質することから、アッシ
ング処理後において、上記フォトレジストの不完全灰化
物が顕著に生じていた。なお、イオン注入処理は、絶縁
性の基板ウェハにおいて、所望する箇所に導電性箇所を
形成するために、このものの表面に、レジストパターン
によりマスキングして、リン、ホウ素、砒素、インジウ
ム、アンチモン、チタン等のイオンを打ち込む操作であ
る。

【０００６】こうしたアッシング処理後の除去面に残存
するフォトレジストの不完全灰化物や側壁堆積膜（以
下、これらをまとめてフォトレジストアッシング残滓、
または単にアッシング残滓と呼ぶ）は、配線パターンの
接触不良等の原因になるため、これを洗浄して除去する
ことが望まれる。そのため、前記フォトレジスト剥離液
として使用されているような種々の有機溶剤からなる液
が洗浄剤として使用され、このものの除去が試みられて
いるが、フォトレジストアッシング残滓は高度に重合し
ていたり、かなり無機化しているため、有機溶媒には溶
解性が低く、これらの洗浄剤では十分に除去できないの
が実状である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】こうした背景にあっ
て、特開平９−１９７６８１号公報には、上記したよう
なフォトレジストアッシング残滓の洗浄剤として、フッ
化アンモニウム等のフッ化塩、水溶性有機溶媒、及び水
からなる組成物が示されている。これは、上記フッ化塩
と水との作用により、かなり良好にアッシング残滓を溶
解除去することが可能である。しかしながら、前記した
ようなＲＩＥで生じた側壁堆積膜やイオン注入処理によ
り変質したフォトレジストの不完全灰化物のように溶解
性が低い残滓を対象とするには、その溶解力をさらに向
上させることが要求されていた。ところが、上記洗浄剤
において、フォトレジストアッシング残滓の溶解性をさ
らに向上させるため、有機溶媒の使用量を減少させて液
の無機性を高めると、洗浄処理時に、下地の導電性膜、
絶縁膜に腐食が生じるようになり大きな問題が発生して
いた。

【０００８】そのため本発明者等は、上記アッシング残
滓の除去性が高く、且つ下地に対する腐食性も低いフォ
トレジストアッシング残滓洗浄剤として、フッ化アンモ
ニウム化合物、及び両性イオン系界面活性剤の水溶液か
らなるものを、先に提案した（特願平１０−２５４７４
０号）。このものを用いれば、前記問題点は大幅に改良
され、効率的にアッシング残滓の除去を行うことができ
るが、まだ洗浄性と腐食防止の効果は十分ではなく、短
い一定の洗浄時間内でしか高い洗浄性と腐食防止の効果
が得られない点でさらに改良の余地があった。

【０００９】例えば、２３℃の温度下で上記洗浄剤に、
基板ウェハを浸漬した場合、アッシング残滓を十分に除
去するには、浸漬後１０分程度の浸漬時間が必要なこと
が多く、一方、下地の腐食も浸漬後１２分程度までは上
記の通り低く保てるが、それ以上浸漬時間が長くなると
顕著に生じるようになることが多く、優れた洗浄性と低
い腐食性を両立させて洗浄を行えるのは、浸漬開始後１
０〜１２分の間の僅かな期間でしかないことが多かっ
た。従って、かかる洗浄剤を用いての洗浄は、厳密な時
間のコントロールが必要になり、改良が望まれていた。

【００１０】以上から本発明は、さらに、アッシング残
滓の洗浄性を高め、また、導電性膜、絶縁膜等の下地の
防食効果も高め、洗浄時間の許容幅が長いフォトレジス
トアッシング残滓洗浄剤を開発することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
に鑑み、鋭意研究を続けてきた。その結果、フッ化アン
モニウム化合物、両性イオン系界面活性剤に加えて、フ
ッ素系カチオン性界面活性剤を配合させることにより、
上記の課題が解決できることを見出し、本発明を完成す
るに至った。

【００１２】即ち、本発明は、ａ）フッ化アンモニウム
化合物、ｂ）カチオン部分がアンモニウム塩型であり、
アニオン部分がカルボン酸塩型である両性イオン系界面
活性剤、及びｃ）フッ素系カチオン性界面活性剤の水溶
液からなるフォトレジストアッシング残滓洗浄剤であ
る。

【００１３】本発明において、フッ化アンモニウム化合
物は、水に溶けて解離したときにフッ素アニオンを生成
する。このようなフッ化アンモニウム化合物の水溶液
は、フッ素アニオンと溶媒である水との相乗的作用によ
り、前記難溶性のフォトレジストアッシング残滓を極め
て良好に溶解できる。また、構成元素として、金属を含
んでいないので基板ウエハを汚染する問題も生じない。

【００１４】ここで、フッ化アンモニウム化合物とは、
フッ化アンモニウムの他、陰イオンがフッ化物イオンで
あり、アンモニウム塩を構成する置換基が、低級アルキ
ル基である第１級、第２級、第３級、及び第４級アンモ
ニウム塩をいう。また、アニオン性の極性基は有してい
ないものである。アンモニウム塩を構成する低級アルキ
ル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭
素数１〜３のものが挙げられる。

【００１５】本発明において好適に使用されるフッ化ア
ンモニウム化合物を具体的に例示すると、フッ化アンモ
ニウム；フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テト
ラエチルアンモニウム、フッ化テトラプロピルアンモニ
ウム、フッ化トリメチル・エチルアンモニウム、フッ化
トリエチル・メチルアンモニウム、フッ化ジメチル・ジ
エチルアンモニウム、フッ化ジメチル・ジプロピルアン
モニウム等のフッ化第４級アンモニウム塩；フッ化トリ
メチルアンモニウム、フッ化トリエチルアンモニウム等
のフッ化第３級アンモニウム塩；フッ化ジメチルアンモ
ニウム、フッ化ジエチルアンモニウム等のフッ化第２級
アンモニウム塩；フッ化モノメチルアンモニウム、フッ
化モノエチルアンモニウム等のフッ化第１級アンモニウ
ム塩などが挙げられるが、最も優れているのはフッ化ア
ンモニウムである。本発明において、これらのフッ化ア
ンモニウム化合物は、２種以上を併用しても良い。

【００１６】これらのフッ化アンモニウム化合物の水溶
液中の濃度は、特に制限されないが、アッシング残滓の
溶解性の良好さや、下地の腐食の少なさから、０．００
５〜１重量％、より好適には０．０１〜０．８重量％が
好ましい。

【００１７】本発明のフォトレジストアッシング残滓洗
浄剤では、上記フッ化アンモニウム化合物の水溶液に、
カチオン部分がアンモニウム塩型であり、アニオン部分
がカルボン酸塩型である両性イオン系界面活性剤が含有
される。その結果、前記したフォトレジストアッシング
残滓に対する優れた溶解性は損なわれることなく、水に
よる絶縁膜や導電性膜の腐食性が大きく低減される。こ
こで、カチオン部分を構成するアンモニウム塩基は、第
２〜４級のアンモニウム塩基からなる。

【００１８】本発明において、カチオン部分がアンモニ
ウム塩型であり、アニオン部分がカルボン酸塩型である
両性イオン系界面活性剤は、通常、一般式

【００１９】

【化１】

【００２０】（但し、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃は、水素、疎水性
基、水酸基、アミノ基であり、このうち少なくとも一つ
は疎水性基であり、２個以上が疎水性基の場合これらは
互いに結合して環を形成していても良く、ｎは１〜３の
整数である）で示される。上記一般式において、疎水性
基は、メチル基、エチル基、プロピル基、ドデシル基、
ノニル基、オクチル基、ラウリル基、パルミチル基、ス
テアリル基等の好適には炭素数１〜２０アルキル基；ビ
ニル基、アリル基、オレイル基等の好適には炭素数１〜
２０のアルケニル基；アセチルアミノ基、ラウロイルア
ミノ基、ステアロイルアミノ基等の好適には炭素数１〜
２０のアシルアミノ基；パルミトイルアミノプロピル
基、ステアロイルアミノプロピル基等の好適には総炭素
数２〜３０のアシルアミノアルキル基；オクチルアミノ
エチル基、パルミチルアミノプロピル基等の好適には総
炭素数２〜３０のアルキルアミノアルキル基等が挙げら
れる。また、これらの疎水性基には、その疎水性が失わ
れない範囲で、少数の水酸基、アミノ基等の親水性基を
置換基として有していても良い。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃の少な
くとも一つに、炭素数５以上、好ましくは８以上の強疎
水性基が結合しているのが特に好ましい。

【００２１】また、上記疎水性基が結合して環を形成し
ている場合としては、５員環または６員環であるのが好
ましい。さらに、ｎは、通常、１であるのが好ましい。

【００２２】上記両性イオン系界面活性剤を具体的に示
せば、具体的には、ラウリルジメチルベタイン、ノニル
ジメチルベタイン、ジラウリルメチルベタイン、トリオ
クチルベタイン、アリルジメチルベタイン、オクチルヒ
ドロキシルメチルベタイン、ラウリルメチルアミノベタ
イン、アミノヒドロキシルメチルベタイン、ラウロイル
アミノジメチルベタイン、（パルミトイルアミノプロピ
ル）ジメチルベタイン、ジ（パルミトイルアミノプロピ
ル）メチルベタイン、トリ（パルミトイルアミノプロピ
ル）ベタイン、（ラウロイルアミノプロピル）ジメチル
ベタイン、（ヒドロキシプロピル）ジメチルベタイン，
（ヒドロキシラウリル）メチルヒドロキシルベタイン、
トリ（パルミトイルアミノプロピル）ベタイン、（ヒド
ロキシプロピル）ジメチルベタイン、（ヒドロキシラウ
リル）メチルヒドロキシベタイン、（オクチルアミノエ
チル）ジメチルベタイン、

【００２３】

【化２】

【００２４】等が挙げられる。

【００２５】また、疎水性基が結合して環を形成してい
るものとして、Ｎ−カルボキシメチル−ヒドロキシエチ
ルイミダゾリニウムメチルベタイン，２−プロピル−Ｎ
−カルボキシメチル−ヒドロキシエチルイミダゾリニウ
ムメチルベタイン等が挙げられる。

【００２６】このうち、

【００２７】

【化３】

【００２８】で示されるものが最も好適である。

【００２９】本発明において、これらの両性イオン系界
面活性剤は、２種以上を併用しても良い。

【００３０】これらの両性イオン系界面活性剤の水溶液
中の濃度は、特に制限されないが、下地の腐食の少なさ
や、液の粘度や後洗浄の容易さから、０．００５〜１．
５重量％、好適には０．１〜１重量％が好ましい。一般
に、フッ化アンモニウム化合物の濃度が高いほど該両性
イオン系界面活性剤の濃度も高くするのが良好である。

【００３１】本発明のフォトレジストアッシング残滓洗
浄剤では、さらに、フッ素系カチオン性界面活性剤が配
合される。その結果、前記両性イオン系界面活性剤との
相乗作用により、下地の防食効果がさらに大きく向上す
る。また、フォトレジストアッシング残滓に対する除去
性もさらに向上する。従って、本発明のフォトレジスト
アッシング残滓洗浄剤は、アッシング残滓が良好に除去
され、且つ下地の腐食も低く抑えられる期間が大幅に長
くなり、使用時の操作性に極めて優れるものになる。

【００３２】本発明のフッ素系カチオン性界面活性剤
は、疎水性部位に少なくとも１個の炭素−フッ素結合を
有するカチオン性の界面活性剤である。これらは公知の
ものが制限なく使用できるが、通常、上記疎水性部位を
有するアミン塩型界面活性剤や第４級アンモニウム塩型
界面活性剤が使用でき、特に、第４級アンモニウム塩型
のものが好ましい。これらの疎水性部位を構成する基
は、フルオロアルキル基、フルオロアルケニル基、フル
オロアルキニル基等の炭素数５〜３０のフッ素化炭化水
素基や、これらのフッ素化炭化水素基を一部として含む
疎水性の強い基である。上記フッ素化炭化水素基は、フ
ルオロオクチル基、フルオロノニル基、フルオロデシル
基、フルオロラウリル基等の炭素数５〜３０、特に６〜
２０の直鎖状、分岐鎖状のものが挙げられる。また、こ
れらはより高度にフッ素化されているものの方がアッシ
ング残滓の除去能力が高いため好ましく、特にパーフル
オロ化されているものが好ましい。疎水基と親水基の結
合部位は、エステル、エーテル、ケトンなど特に制限は
ない。

【００３３】なお、これらのフッ素系カチオン性界面活
性剤を構成する陰イオンは、特に制限はないが、塩素、
フッ素、臭素、ヨウ素のハロゲンイオンや、硝酸イオ
ン、炭酸イオン等が挙げられ、特にヨウ素が好ましい。

【００３４】本発明において、特に好適に使用されるフ
ッ素系カチオン性界面活性剤は、下記一般式

【００３５】

【化４】

【００３６】または

【００３７】

【化５】

【００３８】（但し、Ｒはパーフルオロアルキル基であ
り、Ｘ^-は陰イオンである）で示されるものが得に好ま
しい。かかるフッ素系カチオン性界面活性剤の商品とし
ては、ネオス社製の「フタージェントＦＴ−３１０」、
住友スリーエム社製の「フロラードＦＣ−１３５」など
が挙げられる。

【００３９】本発明において、これらのフッ素系カチオ
ン性界面活性剤は、２種以上を併用しても良い。

【００４０】これらのフッ素系カチオン性界面活性剤の
水溶液中の濃度は、特に制限されないが、下地の防食効
果や、液の粘度や後洗浄の容易さから、０．００５〜
０．５重量％の範囲、より好適には０．０１〜０．１重
量％が好ましい。一般に、フッ化アンモニウム化合物の
濃度が高いほど該フッ素系カチオン性界面活性剤の濃度
も高くするのが良好である。

【００４１】本発明において、上記両性イオン系界面活
性剤及びフッ素系カチオン性界面活性剤は、精製により
不純物が十分に除去されたものを使用するのが好まし
い。特に、金属イオンの含有量は、洗浄剤としたときに
各々１００ｐｐｂ以下であるのが望ましい。

【００４２】本発明では、上記フッ化アンモニウム化合
物、両性イオン系界面活性剤及びフッ素系カチオン性界
面活性剤は、水溶液として使用する。フォトレジストア
ッシング残滓は、無機物を主成分とするため、このよう
に水が溶媒であると、その溶解性に優れるものになる。
ここで、水は、十分に精製されたものを使用するのが好
ましく、特に、金属イオンの含有量が１０ｐｐｂ以下、
更には５ｐｐｂ以下のものを使用するのが好ましい。

【００４３】本発明の上記洗浄剤には、必要に応じて、
上記両性イオン系界面活性剤及びフッ素系カチオン性界
面活性剤の他に、他の界面活性剤を含有させても良い。
例えば、アルキルフェニルエーテルのエチレンオキシド
付加物を添加することで浸透性を増すこともできる。こ
こで、アルキルフェニルエーテルのエチレンオキシド付
加物のアルキル基は、ヘキシル基、ノニル基、デシル
基、ドデシル基、ヘキサデシル基等の炭素数６〜１８の
直鎖状、分岐鎖状のものが好ましい。これらの他の界面
活性剤の水溶液中の濃度は、０．００５〜１．５重量
％、好適には０．１〜１重量％が好ましい。こうした他
の界面活性剤も同様に、金属イオン等の不純物が十分に
除去されたものを使用するのが好ましい。

【００４４】さらに、洗浄剤には、糖の誘導体、縮合体
等のその他の防食剤、芳香族炭化水素等の溶解助剤、劣
化防止の意味でキノリノールなどの環元剤または消泡剤
などを添加しても良い。

【００４５】次に、本発明のフォトレジストアッシング
残滓洗浄剤が適用されるフォトレジストは、公知のもの
が何等制限なく使用される。半導体回路パターンの製造
に使用される、ｇ線用、ｉ線用、エキシマ光線、Ｘ線用
のフォトレジストが好ましい。樹脂としては、具体的に
は、ノボラック系樹脂やポリヒドロキシスチレン系樹脂
などが挙げられる。

【００４６】本発明のフォトレジストアッシング残滓洗
浄剤は、通常、基板ウェハ上で現像されたフォトレジス
トをアッシング処理した後において、処理面に残存する
アッシング残滓を除去する際に使用される。特に、フォ
トレジストの現像後において、ＲＩＥによりドライエッ
チングされた基板や、イオン注入処理等の処理が施され
た基板について、本発明の洗浄剤を使用することは、こ
れら基板のアッシング処理面には、フォトレジストの不
完全灰化物や側壁堆積膜が多く付着しているため、本発
明の効果が顕著に発揮されて好ましい。

【００４７】フォトレジストのアッシング処理は、酸素
ラジカルを発生させてフォトレジストを灰化させる公知
の方法が制限なく適用できる。例えば、バッチ式でも、
枚葉処理式でも良く、さらにオゾンアッシング方式、Ｕ
Ｖオゾンアッシング方式などが制限なく適用できる。具
体的には、バッチ式では同軸式、コンデンサ式、枚葉処
理式では高周波方式、マイクロ方式などがある。また、
基板ウェハとしては、特に制限されるものではないが、
表面に、ＳｉＯ₂層、低誘電膜層等の絶縁膜やＡｌ、Ｃ
ｕ、Ｓｉやそれらの合金等の導電性膜が形成されたシリ
コンウェハ、ガラス等が一般的に用いられる。

【００４８】本発明の洗浄剤を使用した、アッシング処
理面の洗浄は、該処理面を洗浄剤に浸漬したり、該処理
面に洗浄剤をスプレーすることなどにより行えば良い。
その際の、洗浄剤の温度は、特に制限されるものではな
い。一般に、加温して使用した方がアッシング残滓に対
する除去能力は向上するが、その分、下地の腐食性も大
きくなり、許容できる洗浄時間の幅は短くなる傾向があ
る。所望される洗浄性と防食性、そして操作性を勘案し
て温度を適宜設定すればよい。通常、１０〜８０℃、よ
り好適には２０〜５０℃の範囲から採択される。

【００４９】

【発明の効果】本発明の洗浄剤は、フォトレジストのア
ッシング処理後の残滓を良好に除去することができる。
特に、ＲＩＥ等で生じた側壁堆積膜やフォトレジストの
不完全灰化物に対する除去能力が高い。しかも、基板ウ
ェハ上の絶縁膜や導電性膜に対する腐食性も極めて低
い。従って、基板ウェハを洗浄する際に、アッシング残
滓が良好に除去され、且つ下地の腐食も低く抑えられる
期間が長く、使用時の操作性に極めて優れる。

【００５０】

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら制限され
るものではない。

【００５１】なお、実施例及び比較例で使用した界面活
性剤の商品は、以下のものである。

【００５２】１）両性イオン系界面活性剤・両性イオン系界面活性剤Ａ

【００５３】

【化６】

【００５４】・両性イオン系界面活性剤Ｂ・両性イオン系界面活性剤Ｂラウロイルアミノプロピルジメチルベタイン２）フッ素系カチオン性界面活性剤・「フタージェントＦＴ−３１０」（ネオス社製）

【００５５】

【化７】

【００５６】・「フロラードＦＣ−１３５」（住友スリ
ーエム社製）パーフルオロアルキル第４級アンモニウムヨウ化物３）その他の界面活性剤・ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル・ドデシルアンモニウムクロライド「ゾンデスＴＬ」（松本油脂製薬社製）・ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポ
リマー「エパン７２０」（第一工業製薬社製）実施例１〜４、比較例１〜５Ａｌで配線を行った８インチウェハ上に、市販のノボラ
ック系樹脂からなるｉ線ポジ型レジストを、約１μｍの
厚さで塗布し、プリベークした。次いで、ｉ線を照射し
て現像前ベークして現像後、リンスを行い、さらにポス
トベークした。このサンプルにＣＦ₄ガス中、約３００
ｅＶでＲＩＥ処理を施した。その後、プラズマリアクタ
を使用し、用済みレジストをアッシング処理した。

【００５７】以上の処理が施されたシリコンウェハから
試験片をダイヤモンドカッターで切り出し、表１及び表
２の組成の各フォトレジストアッシング残滓洗浄剤に、
２３℃で浸漬した。各アッシング残滓洗浄剤について、
浸漬を開始してから２５分が経過するでの間で、一分間
隔で浸漬時間を区切った計２５試験を実施した。上記浸
漬時間での洗浄後、試験片を水で洗浄し、各洗浄面を走
査型電子顕微鏡にて４万倍の倍率で観察し、側壁堆積膜
及びフォトレジストの不完全灰化物の除去性を以下の基
準で評価した。

【００５８】◎；側壁堆積膜及びフォトレジストの不完
全灰化物のいずれも完全に溶解除去 ○；側壁堆積膜及びフォトレジストの不完全灰化物の両
方または一方にごく僅かに溶け残りあり △；側壁堆積膜及びフォトレジストの不完全灰化物の両
方にかなりの溶け残りあり ×；側壁堆積膜及びフォトレジストの不完全灰化物のい
ずれもほとんど溶解除去できない上記試験において、◎の評価が得られるようになった試
験片の浸漬時間を表１及び表２に記載した。

【００５９】また、前記各試験片におけるＡｌ金属配線
の防食性についても、走査型電子顕微鏡にて４万倍の倍
率で観察し、わずかでも腐食箇所が観察されるようにな
った試験片の浸漬時間を表１及び表２に記載した。

【００６０】各フォトレジストアッシング残滓洗浄剤に
ついて、上記側壁堆積膜及びフォトレジストの不完全灰
化物の除去性が◎の評価になってから、Ａｌ金属配線の
腐食箇所が認められるに至るまでの浸漬時間を、２３℃
での浸漬時間の許容幅として評価した。

【００６１】

【表１】

【００６２】

【表２】

【００６３】実施例５，比較例６実施例１で用いたものと同じシリコンウェハから切り出
した試験片を用い、表３に示すフォトレジストアッシン
グ残滓洗浄剤を用いて、浸漬温度４０℃で洗浄試験を実
施した。浸漬時間は、浸漬を開始してから２分が経過す
るでの間で、１０秒間隔で区切って設けた。

【００６４】各試験片について、側壁堆積膜及びフォト
レジストの不完全灰化物の除去性を実施例１と同様に観
察し、◎の評価が得られるようになった試験片の浸漬時
間を表３に記載した。また、Ａｌ金属配線の防食性につ
いても実施例１と同様に観察し、わずかでも腐食箇所が
観察されるようになった試験片の浸漬時間を表３に記載
した。

【００６５】各フォトレジストアッシング残滓洗浄剤に
ついて、上記側壁堆積膜及びフォトレジストの不完全灰
化物の除去性が◎の評価になってから、Ａｌ金属配線の
腐食箇所が認められるに至るまでの浸漬時間を、４０℃
での浸漬時間の許容幅として評価した。

【００６６】

【表３】

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ１１Ｄ 3/04 Ｃ１１Ｄ 3/04 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｅ 21/306 21/30 ５７２Ａ 21/308 ５７２Ｚ 21/306 ＤＦターム(参考） 2H096 LA03 LA30 4H003 AA02 AC11 AC23 AD04 AE05 AE07 BA12 DA15 DB01 DB03 EA05 ED02 FA15 5F043 BB27 BB28 CC16 DD15 GG10 5F046 MA11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ａ）フッ化アンモニウム化合物、ｂ）カチ
オン部分がアンモニウム塩型であり、アニオン部分がカ
ルボン酸塩型である両性イオン系界面活性剤、及びｃ）
フッ素系カチオン性界面活性剤の水溶液からなるフォト
レジストアッシング残滓洗浄剤。
【請求項２】ａ）フッ化アンモニウム化合物の濃度が
０．００５〜１重量％であり、ｂ）両性イオン系界面活
性剤の濃度が０．００５〜１．５重量％であり、ｃ）フ
ッ素系カチオン性界面活性剤が０．００５〜０．５重量
％である請求項１記載のフォトレジストアッシング残滓
洗浄剤。