JP2000187855A

JP2000187855A - トラッキング補正方法及び記憶装置

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Publication number: JP2000187855A
Application number: JP10359434A
Authority: JP
Inventors: Tomonori Yamashita; 知紀山下; Toru Ikeda; 亨池田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-12-17
Filing date: 1998-12-17
Publication date: 2000-07-04
Anticipated expiration: 2018-12-17
Also published as: JP3560837B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明はトラッキング補正方法及び記憶装置
に関し、トラッキングエラー信号のオフセットを補正し
て、記録媒体上の位置に拘わらず、正常なトラッキング
制御及び安定したシーク動作を可能とすることを目的と
する。【解決手段】記憶装置において、光ビームスポットの
記録媒体上のトラックに対するずれを示すトラッキング
エラ−信号の振幅及び／又はオフセットを測定して測定
値を格納する測定ステップと、測定値に基づいてトラッ
キングエラー信号を記録媒体上の位置に応じて補正し、
補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキン
グ制御を行う補正ステップとを含むように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はトラッキング補正方
法及び記憶装置に係り、特に記録媒体に対して情報が高
密度で記録され再生される場合に好適なトラッキング補
正方法及び記憶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光学的記録媒体の１つとして、光磁気デ
ィスクに代表される光磁気記録媒体がある。光磁気ディ
スクは、基板と、基板上に形成された磁性体からなる記
録層とを有し、光による加熱と磁界の変化を利用して情
報を記録する。又、光磁気ディスクから情報を再生する
際には、磁気光学効果を利用する。このような光磁気デ
ィスクには、データを記録するデータトラックと、光磁
気ディスク固有の媒体情報を記録するコントロールトラ
ックとが設けられ、各トラックは記録領域であるセクタ
を識別するための識別（ＩＤ）部とデータを記録するデ
ータ部とからなる。コントロールトラックは、情報の書
き換えを防止するために、製造業者が基板上に凹凸（エ
ンボスピット）をスタンパにより、或いは、射出成形に
より基板の案内溝（ランド／グルーブ）を形成する時に
形成することで記録される。又、ＩＤ部も、同様の理由
で、同一の製造工程で基板上に凹凸を形成することで記
録される。

【０００３】上記の如き光磁気ディスクの記録密度を向
上させる様々な方法が従来より提案されている。そのう
ちの１つである磁気超解像（ＭＳＲ）を利用する方法で
は、一般に再生できる最小記録情報が波長で決まるのに
対し、その限界以下の情報を再生する。つまり、再生時
のレーザパワーの温度分布を利用して磁気的なマスクを
形成することで、必要な情報のみを光磁気ディスクから
再生できるようにする。

【０００４】このように、記録媒体に対して情報が高密
度で記録され再生されるようになると、トラックピッチ
も非常に狭くなり、光ビームのトラックに対する走査位
置を制御するトラッキング制御を正確に行うことが難し
くなってくる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】第１に、光ディスク等
の記録媒体には所謂反りがあり、この反りをなくすこと
は製造工程上非常に困難である。記録媒体にこのような
反りがあると、トラッキングエラー信号（以下、単にＴ
ＥＳと言う）に基づいてトラッキング制御を行っても、
記録媒体上の位置によって光ビームのトラックに対する
走査位置及び傾きが微妙に異なり、ＴＥＳにオフセット
が生じてしまう。

【０００６】第２に、光ビームを出射する光学系は、記
録媒体のトラックを横切るように移動可能に設けられた
キャリッジに搭載されているが、このキャリッジを案内
するガイドレールには多少の歪みがあり、この歪みをな
くすことは製造工程上非常に困難である。ガイドレール
にこのような歪みがあると、ＴＥＳに基づいてトラッキ
ング制御を行っても、記録媒体上の位置によって光ビー
ムのトラックに対する走査位置及び傾きが微妙に異な
り、ＴＥＳにオフセットが生じてしまう。

【０００７】上記の如くＴＥＳにオフセットが生じる
と、ＴＥＳの感度が記録媒体上の位置によって異なり、
オフトラックとなってもゼロクロス検出がされないので
トラッキング制御が正常に動作せず、又、トラックカウ
ントミスが発生しやすいために目標位置まで１回の動作
で到達できず、シーク動作を安定に行うことができない
と言う問題があり、これらの問題はトラックピッチが狭
くなる程顕著に現われるという問題があった。

【０００８】そこで、本発明は、ＴＥＳのオフセットを
補正して、正常なトラッキング制御及び安定したシーク
動作を行うことのできるトラッキング補正方法及び記憶
装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、記憶装置
において、光ビームスポットの記録媒体上のトラックに
対するずれを示すトラッキングエラ−信号の振幅及び／
又はオフセットを測定して測定値を格納する測定ステッ
プと、該測定値に基づいてトラッキングエラー信号を該
記録媒体上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキン
グエラー信号に基づいてトラッキング制御を行う補正ス
テップとを含むトラッキング補正方法によって達成され
る。

【００１０】前記測定ステップは、前記記憶装置の出荷
時、電源オン時、前記記録媒体の該記憶装置へのロード
時、シークリトライ、サーボオフからサーボオンへのウ
ェイクアップやレーザパワー調整を含む特定の動作が行
われた時、温度変動が検出された時、及び一定時間毎か
らなるグループから選択された少なくとも１つの場合に
行われても良い。

【００１１】更に、前記測定ステップは、前記トラッキ
ングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットを前記記録
媒体のインナー及びアウター部分で測定しても良い。前
記測定ステップは、測定された複数のトラッキングエラ
−信号の振幅及び／又はオフセットの平均値を前記測定
値として格納するようにしても良い。前記測定ステップ
は、前記トラッキングエラー信号のピーク値に基づいて
該トラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセット
を測定しても良い。

【００１２】前記測定ステップは、前記トラッキングエ
ラー信号の積分値に基づいて該トラッキングエラ−信号
のオフセットを測定しても良い。トラッキング補正方法
は、予め格納されている測定値を、測定された測定値に
更新するステップを更に含んでも良い。前記補正ステッ
プは、前記トラッキングエラー信号から得られるトラッ
キングゼロクロスパルスの立ち上がり及び立ち下がり間
隔が同じになるように該トラッキングエラ−信号のオフ
セットを補正しても良い。

【００１３】又、前記補正ステップは、前記トラッキン
グエラー信号から得られるオフトラック検出時間が同じ
になるように該トラッキングエラ−信号のオフセットを
補正しても良い。上記の課題は、光ビームスポットを記
録媒体に照射して該記録媒体に対して情報の記録及び／
又は再生を行う記憶装置において、格納手段と、該光ビ
ームスポットの該記録媒体上のトラックに対するずれを
示すトラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセッ
トを測定して測定値を該格納手段に格納する測定手段
と、該格納手段に格納された該測定値に基づいてトラッ
キングエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正
し、補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッ
キング制御を行う補正手段とを備えた記憶装置によって
も達成される。

【００１４】前記測定手段は、前記記憶装置の出荷時、
電源オン時、前記記録媒体の該記憶装置へのロード時、
シークリトライ、サーボオフからサーボオンへのウェイ
クアップやレーザパワー調整を含む特定の動作が行われ
た時、温度変動が検出された時、及び一定時間毎からな
るグループから選択された少なくとも１つの場合に前記
トラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットを
測定して測定値を前記格納手段に格納しても良い。

【００１５】又、前記測定手段は、前記トラッキングエ
ラ−信号の振幅及び／又はオフセットを前記記録媒体上
の複数の箇所で測定しても良い。前記測定手段は、測定
された複数のトラッキングエラ−信号の振幅及び／又は
オフセットの平均値を前記測定値として前記格納手段に
格納するようにしても良い。

【００１６】前記測定手段は、前記トラッキングエラー
信号のピーク値に基づいて該トラッキングエラ−信号の
振幅及び／又はオフセットを測定しても良い。前記測定
手段は、前記トラッキングエラー信号の積分値に基づい
て該トラッキングエラ−信号のオフセットを測定しても
良い。記憶装置は、前記格納手段に予め格納されている
測定値を、前記測定手段で測定された測定値に更新する
更新手段を更に備える構成としても良い。

【００１７】前記補正手段は、前記トラッキングエラー
信号から得られるトラッキングゼロクロスパルスの立ち
上がり及び立ち下がり間隔が同じになるように該トラッ
キングエラ−信号のオフセットを補正しても良い。又、
前記補正手段は、前記トラッキングエラー信号から得ら
れるオフトラック検出時間が同じになるように該トラッ
キングエラ−信号のオフセットを補正しても良い。

【００１８】上記の課題は、光ビームスポットの記録媒
体上のトラックに対するずれを示すトラッキングエラー
信号の振幅及び／又はオフセットの測定値を予め格納し
ている記憶装置において、該測定値に基づいてトラッキ
ングエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正し、
補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキン
グ制御を行うステップを含むトラッキング補正方法によ
っても達成できる。

【００１９】上記の課題は、光ビームスポットを記録媒
体に照射して該記録媒体に対して情報の記録及び／又は
再生を行う記憶装置において、該光ビームスポットの該
記録媒体上のトラックに対するずれを示すトラッキング
エラー信号の振幅及び／又はオフセットの測定値を予め
格納している格納手段と、該格納手段に格納された該測
定値に基づいて該トラッキングエラー信号を該記録媒体
上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキングエラー
信号に基づいてトラッキング制御を行う補正手段とを備
えた記憶装置によっても達成できる。

【００２０】本発明によれば、トラッキングエラー信号
のオフセットを補正して、正確なビーム位置検出を行
い、シークエラーやシークリトライをなくして、記録媒
体上の位置に拘わらず、高精度なトラッキング制御及び
高速で高精度なシーク動作を行うことができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面と共
に説明する。

【００２２】

【実施例】先ず、本発明になる記憶装置の一実施例を説
明する。図１は、記憶装置の一実施例の概略構成を示す
ブロック図であり、本実施例では、本発明が光ディスク
装置に適用されている。記憶装置の本実施例は、本発明
になるトラッキング補正方法の各実施例を採用し得る。

【００２３】図１に示すように、光ディスク装置は、大
略コントロールユニット１０とエンクロージャ１１とか
らなる。コントロールユニット１０は、光ディスク装置
の全体的な制御を行うＭＰＵ１２、ホスト装置（図示せ
ず）との間でコマンド及びデータのやり取りを行うイン
タフェース１７、光ディスク（図示せず）に対するデー
タのリード／ライトに必要な処理を行う光ディスクコン
トローラ（ＯＤＣ）１４、デジタルシグナルプロセッサ
（ＤＳＰ）１６及びバッファメモリ１８を有する。バッ
ファメモリ１８は、ＭＰＵ１２、ＯＤＣ１４及びインタ
フェース１７で共用され、例えばダイナミックランダム
アクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を含む。クロックを生成す
るのに用いる水晶振動子１０１は、ＭＰＵ１２と接続さ
れている。

【００２４】ＯＤＣ１４には、フォーマッタ１４−１
と、誤り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１４−２とが設けら
れている。ライトアクセス時には、フォーマッタ１４−
１がＮＲＺライトデータを光ディスクのセクタ単位に分
割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部１４−
２がセクタライトデータ単位にＥＣＣを生成して付加す
ると共に、必要に応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を
生成して付加する。更に、ＥＣＣ処理部１４−２はＥＣ
Ｃの符号化が済んだセクタデータを例えば１−７ランレ
ングスリミテッド（ＲＬＬ）符号に変換する。

【００２５】リードアクセス時には、セクタデータに対
して１−７ＲＬＬの逆変換を行い、次にＥＣＣ処理部１
４−２でＣＲＣを行った後にＥＣＣによる誤り検出及び
誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ１４−１でセクタ
単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのス
トリームとしてホスト装置に転送させる。ＯＤＣ１４に
対しては、ライト大規模集積回路（ＬＳＩ）２０が設け
られ、ライトＬＳＩ２０は、ライト変調部２１とレーザ
ダイオード制御回路２２とを有する。レーザダイオード
制御回路２２の制御出力は、エンクロージャ１１側の光
学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット３０
に供給される。レーザダイオードユニット３０は、レー
ザダイオード３０−１とモニタ用ディテクタ３０−２と
を一体的に有する。ライト変調部２１は、ライトデータ
をピットポジションモジュレーション（ＰＰＭ）記録
（マーク記録とも言う）又はパルスウィドスモジュレー
ション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも言う）でのデー
タ形式に変換する。

【００２６】レーザダイオードユニット３０を使用して
データの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可
能な光磁気（ＭＯ）カートリッジ媒体として、本実施例
では１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０Ｍ
Ｂ，１．３ＧＢのいずれかを使用することができる。１
２８ＭＢのＭＯカートリッジ媒体では、光ディスク上の
マークの有無に対応してデータを記録するＰＰＭ記録が
採用されている。又、光ディスクの記録フォーマット
は、１２８ＭＢの光ディスクの場合はコンスタントアン
ギュラベロシティ（ＣＡＶ）が採用され、２３０ＭＢの
光ディスクの場合はゾーンコンスタントアンギュラベロ
シティ（ＺＣＡＶ）でが採用され、ユーザ領域のゾーン
数は１２８ＭＢの光ディスクで１ゾーン、２３０ＭＢの
光ディスクで１０ゾーンである。

【００２７】高密度記録を行う５４０ＭＢ及び６４０Ｍ
ＢのＭＯカートリッジ媒体については、マークのエッ
ジ、即ち、前縁及び後縁とをデータに対応させて記録す
るＰＷＭ記録が採用されている。ここで、５４０ＭＢの
光ディスクと６４０ＭＢの光ディスクとの記憶容量の差
は、セクタ容量の違いによるものであり、セクタ容量が
２０４８バイトの場合は６４０ＭＢの光ディスクとな
り、セクタ容量が５１２バイトの場合は５４０ＭＢの光
ディスクとなる。又、光ディスクの記録フォーマット
は、ゾーンＣＡＶであり、ユーザ領域のゾーン数は６４
０ＭＢの光ディスクで１１ゾーン、５４０ＭＢの光ディ
スクで１８ゾーンである。

【００２８】このように、本実施例では、１２８ＭＢ，
２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ，１．３ＧＢの光
ディスク、更に、ダイレクトオーバライト対応の２３０
ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ，１．３ＧＢの光ディス
クにも対応可能である。従って、光ディスク装置に光デ
ィスクをロードすると、先ず光ディスクの識別（ＩＤ）
部をリードしてそのピット間隔からＭＰＵ１２で光ディ
スクの種別を認識し、種別の認識結果をＯＤＣ１４に通
知する。

【００２９】ＯＤＣ１４に対するリード系統としては、
リードＬＳＩ２４が設けられ、リードＬＳＩ２４にはリ
ード復調部２５と周波数シンセサイザ２６とが内蔵され
る。リードＬＳＩ２４に対しては、エンクロージャ１１
に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２によるレーザダイ
オード３０−１からのレーザビームの戻り光の受光信号
が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号と
して入力されている。

【００３０】リードＬＳＩ２４のリード復調部２５に
は、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、フィルタ、セクタマ
ーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部２
５は入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロッ
ク及びリードデータを生成してＰＰＭデータ又はＰＷＭ
データを元のＮＲＺデータに復調する。又、ゾーンＣＡ
Ｖを採用しているため、ＭＰＵ１２からリードＬＳＩ２
４に内蔵された周波数シンセサイザ２６に対してゾーン
対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定
制御が行われる。

【００３１】周波数シンセサイザ２６は、プログラマブ
ル分周器を備えたフェーズロックドループ（ＰＬＬ）回
路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定め
た固有の周波数を有する基準クロックをリードクロック
として発生する。即ち、周波数シンセサイザ２６は、プ
ログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路で構成され、Ｍ
ＰＵ１２がゾーン番号に応じて設定した分周比ｍ／ｎに
従った周波数ｆｏの基準クロックを、ｆｏ＝（ｍ／ｎ）
・ｆｉに従って発生する。

【００３２】ここで、分周比ｍ／ｎの分母の分周値ｎ
は、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ
又は１．３ＧＢの光ディスクの種別に応じた固有の値で
ある。又、分周比ｍ／ｎの分子の分周値ｍは、光ディス
クのゾーン位置に応じて変化する値であり、各光ディス
クに対してゾーン番号に対応した値のテーブル情報とし
て予め準備されている。更に、ｆｉは、周波数シンセサ
イザ２６の外部で発生した基準クロックの周波数を示
す。

【００３３】リードＬＳＩ２４で復調されたリードデー
タは、ＯＤＣ１４のリード系統に供給され、１−７ＲＬ
Ｌの逆変換を行った後にＥＣＣ処理部１４−２の符号化
機能によりＣＲＣ及びＥＣＣ処理を施され、ＮＲＺセク
タデータに復元される。次に、フォーマッタ１４−１で
ＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺリードデータのスト
リームに変換し、バッファメモリ１８を経由してインタ
フェース１７からホスト装置に転送される。

【００３４】ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由
してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検
出信号が供給されている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３
６で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、
レーザダイオード制御回路２２におけるリード、ライト
及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。ＭＰ
Ｕ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエ
ンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ４０を制
御する。本実施例では、光ディスクの記録フォーマット
がゾーンＣＡＶであるため、スピンドルモータ４０は例
えば３０００ｒｐｍの一定速度で回転される。

【００３５】又、ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由して
ドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けた電
磁石４４を制御する。電磁石４４は、光ディスク装置内
にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配
置されており、記録時及び消去時に光ディスクに外部磁
界を供給する。ＤＳＰ１６は、光ディスクに対してレー
ザダイオード３０からのビームの位置決めを行うための
サーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラ
ックするためのシーク制御部及びオントラック制御部と
して機能する。このシーク制御及びオントラック制御
は、ＭＰＵ１２による上位コマンドに対するライトアク
セス又はリードアクセスに並行して同時に実行すること
ができる。

【００３６】ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、
エンクロージャ１１側の光学ユニットに光ディスクから
のビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号（ＦＥ
Ｓ）用ディテクタ４５を設けている。ＦＥＳ検出回路４
６は、ＦＥＳ用ディテクタ４５の受光出力からＦＥＳを
生成してＤＳＰ１６に入力する。エンクロージャ１１側
の光学ユニットには、光ディスクからのビーム戻り光を
受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用ディテク
タ４７も設けられている。ＴＥＳ検出回路４８は、ＴＥ
Ｓ用ディテクタ４７の受光出力からＴＥＳを生成してＤ
ＳＰ１６に入力する。ＴＥＳは、トラックゼロクロス
（ＴＺＣ）検出回路５０にも入力され、ＴＺＣパルスが
生成されてＤＳＰ１６に入力される。

【００３７】エンクロージャ１１側には、光ディスクに
対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検出
するレンズ位置センサ５４が設けられており、レンズ位
置センサ５４からのレンズ位置検出信号（ＬＰＯＳ）は
ＤＳＰ１６に入力される。ＤＳＰ１６は、光ディスク上
のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ５
８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６
０、レンズアクチュエータ６４及びボイスコイルモータ
（ＶＣＭ）６８を制御して駆動する。

【００３８】図２は、エンクロージャ１１の概略構成を
示す断面図である。図２に示すように、ハウジング６７
内にはスピンドルモータ４０が設けられ、インレットド
ア６９側からＭＯカートリッジ７０を挿入することで、
ＭＯカートリッジ７０に収納された光ディスク（ＭＯデ
ィスク）７２がスピンドルモータ４０の回転軸のハブに
装着されて光ディスク７２が光ディスク装置にロードさ
れる。

【００３９】ロードされたＭＯカートリッジ７０内の光
ディスク７２の下側には、ＶＣＭ６４により光ディスク
７２のトラックを横切る方向に、ガイドレール８４によ
り案内されて移動自在なキャリッジ７６が設けられてい
る。キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、
固定光学系７８に設けられているレーザダイオード（３
０−１）からのビームを立ち上げミラー８２を介して入
射して光ディスク７２の記録面にビームスポットを結像
する。

【００４０】対物レンズ８０は、図１に示すエンクロー
ジャ１１のフォーカスアクチュエータ６０により光軸方
向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ６４によ
り光ディスク７２のトラックを横切る半径方向に例えば
数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッ
ジ７６に搭載されている対物レンズ８０の位置が、図１
のレンズ位置センサ５４により検出される。レンズ位置
センサ５４は、対物レンズ８０の光軸が直上に向かう中
立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光ディスク７
２のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々
異なる極性の移動量に応じたレンズ位置検出信号を出力
する。

【００４１】図３は、図１に示す光ディスク装置におけ
るＭＰＵ１２のリードＬＳＩ２４、ＯＤＣ１４及びＤＳ
Ｐ１６に対するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説
明するブロック図である。ＭＰＵ１２には、ホスト装置
からのリードコマンドに基づいて動作するパラメータの
設定制御部９０と、パラメータ設定後の整定待ち処理部
９２とが設けられている。設定制御部９０は、バッファ
メモリ１８に含まれるＲＡＭ等に展開されたパラメータ
テーブル９４を使用して各種アクセスに必要なパラメー
タの設定制御を行う。

【００４２】リードＬＳＩ２４には、ＭＰＵ１２に設け
た設定制御部９０によるパラメータ設定の対象として、
周波数シンセサイザ２６と、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３
２から得られるＭＯ信号の等化回路９５とが設けられて
いる。周波数シンセサイザ２６に対しては、本実施例で
は３つの制御レジスタ９６，９８，１００が設けられて
いる。

【００４３】制御レジスタ９６，９８，１００の夫々に
は、ＭＰＵ１２の設定制御部９０により分周比ｍ／ｎ、
電圧制御発振器（ＶＣＯ）周波数設定及びＰＬＬダンピ
ング抵抗選択の各パラメータが設定される。又、等化回
路９５に対しては、制御レジスタ１０２が設けられてお
り、ＭＰＵ１２の設定制御部９０によりイコライザカッ
トオフ周波数が設定される。更に、ＯＤＣ１４に設けら
れているセクタマーク検出回路１０４に対しては、制御
レジスタ１０６が設けられており、ＭＰＵ１２の設定制
御部９０によりセクタマーク検出カットオフ周波数が設
定制御される。

【００４４】ＤＳＰ１６には、ＭＰＵ１２でホスト装置
からのリードコマンドを実行する際にシークコマンドが
転送される。ＤＳＰ１６は、このシークコマンドに基づ
いてＭＰＵ１２の処理に並行して同時にビームスポット
を光ディスク７２の目標トラックに位置付けるためのシ
ーク制御を行うシーク制御部１０８を備えている。この
ように、ＭＰＵ１２の設定制御部９０は、リードＬＳＩ
２４に設けられているＭＯ信号の等化回路９５のカット
オフ周波数を制御レジスタ１０２の設定制御で最適化で
きる。又、設定制御部９０は、リードＬＳＩ２４に設け
られている周波数シンセサイザ２６の分周比ｍ／ｎ、Ｖ
ＣＯ周波数設定及びＰＬＬダンピング抵抗選択の各パラ
メータを制御レジスタ９６，９８，１００の設定制御で
最適化できる。更に、設定制御部９０は、ＯＤＣ１４に
設けられているセクタマーク検出回路１０４のカットオ
フ周波数を制御レジスタ１０６の設定制御で最適化でき
る。

【００４５】コントロールユニット１０のファームウェ
アは、ホスト装置の制御下で例えばエンクロージャ１１
に挿入された光ディスク７２から読み出されてバッファ
メモリ１８に格納されることでインストールされ、この
バッファメモリ１８に格納されたファームウェアが実行
される。又、ＭＰＵ１２が実行するプログラムは、同様
にしてホスト装置の制御下で例えばエンクロージャ１１
に挿入された光ディスク７２から読み出されてＭＰＵ１
２によりバッファメモリ１８に格納され、バッファメモ
リ１８に格納されたプログラムが実行される。

【００４６】次に、トラッキング補正方法の第１実施例
を、図４と共に説明する。図４は、トラッキング補正方
法の第１実施例を説明するフローチャートである。図４
の処理は、ＤＳＰ１６により行われる。同図中、ステッ
プＳ１は、ドライバ５８，６２，６６等を制御して光デ
ィスク７２の半径方向上の略中間位置から光ディスク７
２の内周方向（以下、インナ−方向と言う）へシーク動
作を行い、ステップＳ２は、ＴＥＳ検出回路４８からの
ＴＥＳに基づいてＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを
測定する。ステップＳ３は、測定値、即ち、検索結果の
ばらつきが所定値以下で小さいか否かを判定し、判定結
果がＮＯであると、処理はステップＳ２へ戻る。

【００４７】他方、ステップＳ３の判定結果がＹＥＳで
あると、ステップＳ４は、ドライバ５８，６２，６６等
を制御して光ディスク７２の外周方向（以下、アウタ−
方向と言う）へシーク動作を行い、ステップＳ５は、Ｔ
ＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいてＴＥＳの振幅
及び／又はオフセットを測定する。ステップＳ６は、測
定値、即ち、検索結果のばらつきが所定値以下で小さい
か否かを判定し、判定結果がＮＯであると、処理はステ
ップＳ６へ戻る。ステップＳ６の判定結果がＹＥＳであ
ると、ステップＳ７は、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセ
ットの測定値、即ち、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセッ
トの補正量をバッファメモリ１８に格納し、処理は終了
する。

【００４８】図５は、図４に示すステップＳ２の一実施
例を示すフローチャートである。図５中、ステップＳ２
−１は、トラッキング制御（トラックサーボ）をオフ状
態に制御し、ＴＥＳを０にする制御が行われないように
する。ステップＳ２−２は、ＴＥＳ検出回路４８からの
ＴＥＳに基づいてＴＥＳの１回目のピークを検索する。
又、ステップＳ２−３は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴ
ＥＳに基づいてＴＥＳの２回目のピークを検索する。ス
テップＳ２−４は、ＴＥＳの１回目及び２回目のピーク
に基づいて、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを算出
する。ＴＥＳの１回目及び２回目のピークに基づいてＴ
ＥＳの１周期を求め、ＴＥＳの１周期を積分すること
で、ＴＥＳの中心からのオフセットを算出することがで
きる。又、このようにして求めたＴＥＳの１回目及び２
回目のピーク及びＴＥＳの１周期から、ＴＥＳの振幅を
算出することができる。

【００４９】尚、図４に示すステップＳ５も、図５に示
すステップＳ２と同様の処理で実現することができる。
図４に示す処理は、光ディスク装置が出荷される際に行
われても、ユーザが任意の時点で行うようにしても、更
に、任意の時点で自動的に行われるようにしても良い。
図４に示す処理が自動的に行われる場合、光ディスク７
２が光ディスク装置にロードされる時、光ディスク装置
の電源がオンにされた時、シークリトライやサーボオフ
からサーボオンへのウェイクアップ等の特定の動作が行
われた時や、一定時間毎等に行われるようにすることが
できる。又、図４に示す処理は、温度センサ３６からの
検出信号から温度変動が検出された時等に行っても良
く、レーザパワー調整時に行っても良い。

【００５０】又、光ディスク装置の出荷時に図４に示す
処理が行われてＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測
定値がバッファメモリ１８に格納されている場合、光デ
ィスク７２のロード時、電源オン時、シークリトライ
時、ウェイクアップ時や温度変動検出時に行われるトラ
ッキング制御は、バッファメモリ１８に格納されている
測定値を初期値として使用し、トラッキング制御を行う
際に測定された測定値に応じて初期値を更新して、この
更新された初期値に基づいてトラッキング制御を行うよ
うにしても良い。この場合、リアルタイムで測定値を求
めてこの測定値に基づいてトラッキング制御を行う場合
と比べると、演算処理が簡略化され、演算処理時間も短
縮されるので、応答速度を速くすることができる。

【００５１】ところで、光ディスク７２等の記録媒体の
記録密度の向上に伴い、記録媒体の製造上の誤差等によ
り、個々の記録媒体の感度は多少異なる。従って、装置
にロードされた記録媒体によって、記録媒体から反射さ
れる光の状態が多少異なり、得られるＴＥＳの振幅の変
動が生じてしまう。これは、トラック密度が高まること
により、スタンパで形成される記録媒体上のトラックの
案内溝の精度に製造上バラツキが発生すると共に、ビー
ム径の縮小化とトラック幅との関係により、個々の記録
媒体から反射される光の状態を完全に同じに設定するこ
とが不可能であることによる。尚、トラック幅とは、ラ
ンド記録の場合はランドの幅であり、グルーブ記録の場
合はグルーブの幅であり、ランド及びグルーブ記録の場
合はランドの幅でありグルーブの幅でもある。

【００５２】従って、上記実施例の場合、ＴＥＳ振幅及
び／又はオフセットの測定は、光ディスク装置にロード
される光ディスク７２毎に行った方が、正確な測定値を
求めることができ、その分トラッキング制御も高精度に
行うことができる。通常、光ディスク７２のインナー部
分及びアウター部分には、ディフェクト情報等の管理情
報領域が設けられており、ロード時にはこの管理情報領
域が読まれる。つまり、ロード時には、インナー部分及
びアウタ−部分へのシーク動作が自動的に行われる。従
って、ロード時に図４に示す処理を行ってＴＥＳの振幅
及び／又はオフセットの測定値を求める場合、管理情報
領域を読むためのインナー部分及びアウタ−部分へのシ
ーク動作時に、上記測定値を求めることができる。又、
管理情報領域を読むためのインナー部分及びアウタ−部
分へのシーク動作時に、測定値に基づいた初期値の更新
を行うこともできる。

【００５３】シークリトライ時には、レーザパワーを変
えたりして、正確な記録及び／又は再生が可能であるか
を判定する。上記の如く高密度記録を行う構成の光ディ
スク７２の場合、記録及び／又は再生のエラーが発生し
やすいが、このようなシークリトライ時に上記測定値を
求めたり、測定値に基づいた初期値の更新を行うこと
で、エラーの復旧の確率を向上することができる。

【００５４】特にＭＳＲのような温度制御を用いて記録
を行う方式では、光ディスク７２の温度による影響が生
じる。温度変化時には、通常、レーザパワーを調整した
りするテストライト動作が行われるので、このようなテ
ストライト動作時に上記測定値を求めたり、測定値に基
づいた初期値の更新を行えば、タイミング制御等を簡単
化することができる。又、温度変化により光ディスク７
２自体の熱膨張や装置の部品の熱膨張等の要因により、
ＴＥＳ振幅のオフセットが変わる場合もあるため、これ
らの点からも、温度変化時に上記測定値を求めたり、測
定値に基づいた初期値の更新を行うと、装置の信頼性の
向上を図れる。

【００５５】更に、レーザパワーの調整も、光ディスク
７２のゾーン毎のテストトラックで、インナー部分及び
アウタ−部分へのシーク動作が自動的に行われる。従っ
て、レーザパワー調整時に上記測定値を求めたり、測定
値に基づいた初期値の更新を行うこともできる。図６
は、図４に示す処理で格納されたＴＥＳ振幅及び／又は
オフセットの測定値を用いてトラッキング制御を行う場
合の処理を示すフローチャートである。図６に示す処理
は、ＤＳＰ１６により行われる。

【００５６】図６において、ステップＳＴ１は、ＴＥＳ
振幅及び／又はオフセットの測定値がバッファメモリ１
８に格納されているか否かを判定する。ステップＳＴ１
の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳＴ２は、ＴＥ
Ｓ振幅及び／又はオフセットの測定値をバッファメモリ
１８から読み出す。ステップＳＴ３は、読み出したＴＥ
Ｓ振幅及び／又はオフセットの測定値に基づいてＴＥＳ
検出回路４８からのＴＥＳを補正し、ステップＳＴ４
は、補正されたＴＥＳに基づいてトラッキング制御を行
う。他方、ステップＳＴ１の判定結果がＮＯであると、
ステップＳＴ４は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに
基づいてトラッキング制御を行う。上記の如きトラッキ
ング制御は、通常のリード／ライト時やシーク動作時に
行われ、オントラック中でも行える。

【００５７】図７は、図６に示す処理において、ＴＥＳ
のオフセットが補正される場合を説明する図である。図
７中、（ａ）は補正前のＴＥＳを示し、（ｂ）はバッフ
ァメモリ１８に格納されているＴＥＳオフセットの測定
値、即ち、オフセット補正量を示し、（ｃ）はオフセッ
ト補正量で補正された、補正後のＴＥＳを示す。図７か
らもわかるように、（ａ）に示す補正前のＴＥＳは光デ
ィスク７２のインナー部分及びアウター部分で、インナ
ーからアウターにかけてＴＥＳの振幅が上方にシフトす
るオフセットが生じており、補正前のＴＥＳに基づくト
ラッキング制御は正確には行えない。ここで、ＴＥＳの
振幅が上方にシフトするオフセットとは、振幅の中心を
横切るゼロクロススライスが、実際は振幅の中心をスラ
イスしなくなる状態を言う。これに対し、（ｃ）に示す
補正後のＴＥＳは光ディスク７２のインナー部分及びア
ウター部分でオフセットが補正されており、補正後のＴ
ＥＳに基づくトラッキング制御は、光ビームスポットの
光ディスク７２上の位置に拘わらず正確に行えることが
わかる。

【００５８】図８は、図６に示す処理において、ＴＥＳ
の振幅及びオフセットが補正される場合を説明する図で
ある。図８中、（ａ）は補正前のＴＥＳを示し、（ｂ）
はバッファメモリ１８に格納されているＴＥＳオフセッ
トの測定値、即ち、オフセット補正量を示し、（ｃ）は
バッファメモリ１８に格納されているＴＥＳ振幅の測定
値、即ち、振幅補正量を示し、（ｄ）はオフセット補正
量及び振幅補正量で補正された、補正後のＴＥＳを示
す。図８からもわかるように、（ａ）に示す補正前のＴ
ＥＳは光ディスク７２のインナー部分及びアウター部分
でオフセットが生じており、且つ、振幅が安定していな
いので、補正前のＴＥＳに基づくトラッキング制御は正
確には行えない。これに対し、（ｄ）に示す補正後のＴ
ＥＳは光ディスク７２のインナー部分及びアウター部分
でオフセットが補正されていると共に、振幅が安定して
いるので、補正後のＴＥＳに基づくトラッキング制御
は、光ビームスポットの光ディスク７２上の位置に拘わ
らず正確に行えることがわかる。

【００５９】尚、上記と同様にして、ＴＥＳの振幅のみ
を補正するようにしても良いことは言うまでもない。と
ころで、本実施例では、ＤＳＰ１６はＴＥＳ振幅及び／
又はオフセットの測定値をバッファメモリ１８から読み
出すと、ＴＺＣ検出回路５０にも供給する。これによ
り、ＴＥＳの振幅が不安定になったり、オフセットが生
じても、光ディスク７２上の位置に拘わらず正確なＴＺ
ＣパルスをＴＺＣ検出回路５０で発生してＤＳＰ１６に
供給することができる。この結果、光ディスク７２上の
位置に拘わらず、常に安定したシーク動作を行うことが
できる。

【００６０】次に、トラッキング補正方法の第２実施例
を、図９と共に説明する。図９は、トラッキング補正方
法の第２実施例を説明するフローチャートである。本実
施例では、ＴＥＳ振幅／オフセット測定付きシークを用
いてＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを測定する。図
９の処理は、ＤＳＰ１６により行われる。同図中、ステ
ップＳ１１は、ドライバ５８，６２，６６等を制御して
光ディスク７２の半径方向上の例えば略中間位置から光
ディスク７２のインナ−方向へＴＥＳ振幅／オフセット
測定付きシーク動作を行う。ステップＳ１２は、ＴＥＳ
検出回路４８からのＴＥＳに基づいてＴＥＳの振幅及び
／又はオフセットを測定し、測定値、即ち、検索結果の
ばらつきが所定値以下で小さいか否かを判定する。ステ
ップＳ１２の判定結果がＹＥＳであると、処理は後述す
るステップＳ１５へ進む。他方、ステップＳ１２の判定
結果がＮＯであると、ステップＳ１３は光ビームスポッ
トをアウター方向へキックし、ＴＥＳ検出回路４８から
のＴＥＳに基づいてＴＥＳの振幅及び／又はオフセット
を測定する。具体的には、図１０に示す如きＴＥＳの上
下のピーク値Ａ，Ｂを検索し、Ｔａ＝｜Ａ−Ｂ｜で表さ
れるＴＥＳの振幅Ｔａ及び／又はＴｏ＝Ａ＋Ｂで表され
るオフセット量Ｔｏを求める。ステップＳ１４は、ＴＥ
Ｓの振幅Ｔａ及び／又はオフセット量Ｔｏ、即ち、検索
結果のばらつきが所定値以下で小さいか否かを判定し、
判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ１３へ戻
る。

【００６１】他方、ステップＳ１４又はステップＳ１２
の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１５は、ドラ
イバ５８，６２，６６等を制御して光ディスク７２のの
アウタ−方向へＴＥＳ振幅／オフセット測定付きシーク
動作を行う。ステップＳ１６は、ＴＥＳ検出回路４８か
らのＴＥＳに基づいてＴＥＳの振幅及び／又はオフセッ
トを測定し、測定値、即ち、検索結果のばらつきが所定
値以下で小さいか否かを判定する。ステップＳ１６の判
定結果がＹＥＳであると、処理は後述するステップＳ１
９へ進む。ステップＳ１６の判定結果がＮＯであると、
ステップＳ１７は光ビームスポットをインナー方向へキ
ックし、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいてＴ
ＥＳの振幅及び／又はオフセットを測定する。具体的に
は、図１０に示す如きＴＥＳの上下のピーク値Ａ，Ｂを
検索し、Ｔａ＝｜Ａ−Ｂ｜で表されるＴＥＳの振幅Ｔａ
及び／又はＴｏ＝Ａ＋Ｂで表されるオフセット量Ｔｏを
求める。ステップＳ１８は、ＴＥＳの振幅Ｔａ及び／又
はオフセット量Ｔｏ、即ち、検索結果のばらつきが所定
値以下で小さいか否かを判定し、判定結果がＮＯである
と、処理はステップＳ１７へ戻る。

【００６２】そして、ステップＳ１８の判定結果がＹＥ
Ｓであると、ステップＳ１９はＴＥＳの振幅及び／又は
オフセットの測定値、即ち、ＴＥＳの振幅及び／又はオ
フセットの補正量をバッファメモリ１８に格納し、処理
は終了する。尚、ステップＳ１１及びステップＳ１５の
シーク動作時には、例えば図６に示す如き処理が行われ
るので、図９に示す処理が１回行われた後には、ＴＥＳ
の振幅及び／又はオフセットの補正量で補正されたＴＥ
Ｓに基づいてトラッキング制御が行われる状態でシーク
動作が行われ、光ディスク７２上の位置に拘わらず正確
なシーク動作が可能となる。

【００６３】図１１は、ＴＥＳのオフセットの補正量の
他の求め方を説明する図である。図９に示すステップＳ
１３及びステップＳ１７のように、キックシークでは、
トラッキング制御が行われないので、ＴＥＳを０にする
制御は行われない。そこで、キックシーク時には、図１
１に示すＴＥＳをＴＥＳの１周期（時間）ｔの間積分す
ることで、ＴＥＳの中心からのオフセット量を求めるこ
とができる。つまり、図１１において、上方向をプラス
（＋）、下方向をマイナス（−）とすると、時間ｔの間
ＴＥＳを積分すると、積分結果はプラス（＋）側に現わ
れるはずである。従って、この積分結果をＩＮＴで示
し、ＴＥＳの振幅をＴａで示すと、オフセット量Ｔｏ
は、Ｔｏ＝ＩＮＴ／Ｔａから求められる。

【００６４】次に、トラッキング補正方法の第３実施例
を、図１２と共に説明する。図１２は、トラッキング補
正方法の第３実施例を説明するフローチャートである。
本実施例では、光ディスク７２が光ディスク装置にロー
ドされるロード処理が行われると、ＴＥＳの振幅及び／
又はオフセットを測定する。図１２の処理は、ＤＳＰ１
６により行われる。同図中、ロード処理が開始される
と、ステップＳ２１は、光ディスク７２のインナー及び
アウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの
測定を要求する測定要求フラグＴＥＳ＿ＯＦＳＴをセッ
トする。ステップＳ２２は、図１３と共に後述するよう
に、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの調整処理を行
う。ステップＳ２３は、図１４と共に後述するように、
光ディスク７２の中周部分でのＴＥＳの振幅及び／又は
オフセットの調整処理を行う。ステップＳ２４は、光デ
ィスク７２のインナー部分でのマップリードを行い、イ
ンナ−部分のバックアリア内に記録されている交代（バ
ック）情報等を読み取る。又、ステップＳ２５は、光デ
ィスク７２のアウター部分でのマップリードを行い、ア
ウタ−部分のバックアリア内に記録されている交代（バ
ック）情報等を読み取る。そして、ステップＳ２６は、
ＴＥＳの振幅及び／又はオフセット、即ち、ＴＥＳの振
幅及び／又はオフセットの補正量を、バッファメモリ１
８に格納し、処理は終了する。

【００６５】図１３は、上記ステップ２２の処理を説明
するフローチャートである。同図中、ステップＳ２２−
１は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいて、光
ディスク７２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳの
ピーク値、即ち、最大値及び最小値を測定する。ステッ
プＳ２２−２は、ＴＥＳのピーク値に基づいて、例えば
図１０と共に説明した方法により、ＴＥＳの振幅及び／
又はオフセットを算出する。ステップＳ２２−３は、光
ディスク７２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳの
振幅及び／又はオフセットを、ステップＳ２２−２で算
出したＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定値に更
新する。ステップＳ２２−４は、光ディスク７２のイン
ナー及びアウター部分におけるＴＥＳの補正感度を０に
クリアし、処理は図１２のステップＳ２３へ戻る。尚、
ＴＥＳの補正感度とは、オフセットの補正量の場合は例
えば図８（ｂ）に示すオフセット補正量の傾きであり、
振幅の補正量の場合は例えば図８（ｃ）に示す振幅補正
量の傾きである。

【００６６】図１４は、上記ステップ２３の処理を説明
するフローチャートである。同図中、ステップＳ３１
は、ドライバ５８，６２，６６等を制御して、光ビーム
スポットを光ディスク７２上の中周部分までシークさせ
る。ステップＳ３２は、トラッキング制御（トラックサ
ーボ）をオフ状態とし、ステップＳ３３は、ＴＥＳ検出
回路４８からのＴＥＳの振幅が安定するまで一定時間待
つ。ステップＳ３４は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥ
Ｓに基づいて、光ディスク７２の中周部分でのＴＥＳの
ピーク値、即ち、最大値及び最小値を測定する。ステッ
プＳ３５は、ＴＥＳのピーク値に基づいて、例えば図１
１と共に説明した方法により、ＴＥＳの振幅及び／又は
オフセットを算出する。

【００６７】ステップＳ３６は、前回ステップＳ２３が
行われた際に測定されてバッファメモリ１８に格納され
ているＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定結果
と、今回測定されたＴＥＳの振幅及び／又はオフセット
の測定結果との差ｄｉｆｆ（ｄｉｆｆ１及び／又はｄｉ
ｆｆ２）を計算する。又、ステップＳ３７は、今回測定
されたＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定結果
を、前回の測定されたＴＥＳの振幅及び／又はオフセッ
トの測定結果としてバッファメモリ１８に保存する。ス
テップＳ３８は、光ディスク７２のインナー及びアウタ
ー部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定を
要求する測定要求フラグＴＥＳ＿ＯＦＳＴがセットされ
オンであるか否かを判定し、判定結果がＹＥＳである
と、ステップＳ３９は、光ディスク７２のインナー及び
アウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセット
を、ステップＳ３５で算出したＴＥＳの振幅及び／又は
オフセットの測定値に更新し、処理は図１２のステップ
Ｓ２４へ戻る。

【００６８】他方、ステップＳ３８の判定結果がＮＯで
あると、ステップ４０は、光ディスク７２のインナー及
びアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセット
を、ステップＳ３６で算出した差ｄｉｆｆ（ｄｉｆｆ１
及び／又はｄｉｆｆ２）の分だけ補正する。又、ステッ
プＳ４１は、ステップＳ４０で補正された光ディスク７
２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／
又はオフセットに基づいて、インナー及びアウター部分
におけるＴＥＳの補正感度を計算してバッファメモリ１
８に格納し、処理は図１２のステップＳ２４へ戻る。

【００６９】図１５は、本実施例の場合に得られるオフ
セット補正後のＴＥＳ、レンズ位置センサ５４からのレ
ンズ位置検出信号ＬＰＯＳ及びＴＥＳのオフセットの補
正値を示す図である。次に、トラッキング補正方法の第
４実施例を、図１６と共に説明する。図１６は、トラッ
キング補正方法の第４実施例を説明するフローチャート
である。本実施例では、シーク動作時に、光ディスク７
２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／
又はオフセットの測定を要求する測定要求フラグＴＥＳ
＿ＯＦＳＴがセットされオンであると、ＴＥＳの振幅及
び／又はオフセットを測定する。

【００７０】図１６の処理は、ＤＳＰ１６により行われ
る。同図中、ステップＳ５１は、測定要求フラグＴＥＳ
＿ＯＦＳＴがセットされオンであるか否かを判定し、判
定結果がＹＥＳであると、ステップＳ５２は、目標トラ
ックが光ディスク７２の最インナーか最アウター部分で
あるか否かを判定する。ステップＳ５１又はステップＳ
５２の判定結果がＮＯであると、ステップＳ５３は、通
常のシーク動作を行い、処理は後述するステップＳ６２
へ進む。尚、通常のシーク動作を行う際、バッファメモ
リ１８にＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定値、
即ち、補正値が格納されている場合には、ＴＥＳの振幅
及び／又はオフセットを補正値で補正してトラッキング
制御を行う。

【００７１】ステップＳ５２の判定結果がＹＥＳである
と、ステップＳ５４は、光ビームスポットの現在位置が
光ディスク７２の最インナーか最アウター部分であるか
否かを判定する。ステップＳ５２の判定結果がＹＥＳで
あると、処理は後述するステップＳ５７へ進む。他方、
ステップＳ５４の判定結果がＮＯであると、ステップＳ
５５は、光ディスク７２の最インナー又は最アウター方
向へシーク動作を行いながら、ＴＥＳ検出回路４８から
のＴＥＳに基づいて、ＴＥＳのピーク値、即ち、最大値
及び最小値を測定しながらシーク動作を行う。ステップ
Ｓ５６は、ＴＥＳのピーク値に基づいて、例えば図１０
と共に説明した方法により、ＴＥＳの振幅及び／又はオ
フセットを算出する。

【００７２】ステップＳ５６の後、或いは、ステップＳ
５４の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ５７は、
ＴＥＳのピーク値、即ち、最大値及び最小値を測定しな
がら順次１トラックシーク動作（又は、キックシーク）
を行う。ステップＳ５８は、ＴＥＳのピーク値に基づい
て、例えば図１１と共に説明した方法により、ＴＥＳの
振幅及び／又はオフセットを算出する。又、ステップＳ
５９は、光ディスク７２のインナー又はアウター部分で
のＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定を要求する
測定要求フラグＴＥＳ＿ＯＦＳＴをクリアし、ステップ
Ｓ６０は、インナー又はアウター部分でのＴＥＳの振幅
及び／又はオフセットの測定を要求する測定要求フラグ
ＴＥＳ＿ＯＦＳＴがセットされオンであるか否かを判定
する。ステップＳ６０の判定結果がＹＥＳであると、処
理はステップＳ５５へ戻る。例えば、アウター部分での
ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定を要求する測
定要求フラグＴＥＳ＿ＯＦＳＴがセットされオンであれ
ば、ステップＳ５５はアウステップＳ６０の判定結果が
ＮＯであると、ステップＳ６１は、ＴＥＳの振幅及び／
又はオフセットの補正値を、ステップＳ５８で算出され
た複数の補正値の平均値を補正値としてバッファメモリ
１８に格納する。ステップＳ６１の後、或いは、ステッ
プＳ５３の後、ステップＳ６２は、目標トラックまで達
したか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、処理は
ステップＳ５１へ戻る。他方、ステップＳ６２の判定結
果がＹＥＳであると、処理は終了する。

【００７３】このように、本実施例では、シーク引き込
み（目標トラック到達）直前の、キャリッジ７６の移動
速度が十分小さいところで、ＴＥＳの振幅及び／又はオ
フセットの測定を行うことができる。次に、補正値に基
づいてＴＥＳのオフセットを補正する方法について説明
する。

【００７４】図１７は、ＴＺＣ検出回路５０からのＴＺ
ＣパルスのデューティーでＴＥＳのオフセットを補正す
る方法を説明する図である。この場合、ＴＺＣパルスの
立ち上がり間隔ａ及び立ち下がり間隔ｂが同じになるよ
うに、ＴＥＳのオフセットを補正する。図１７に示すＴ
ＺＣパルスの場合、ａ＞ｂなので、ＴＥＳは上方向へオ
フセットしていると考えられる。従って、ＴＥＳのオフ
セットを補正するためのオフセット量Ｔｏは、ＴＥＳの
振幅をＴａとすると、次の式から算出できる。

【００７５】Ｔｏ＝Ｔａ×｛ａ／（ａ＋ｂ）｝−Ｔａ×｛ｂ／（ａ＋ｂ）｝＝Ｔａ×｛（ａ−ｂ）／（ａ＋ｂ）｝図１８は、シーク引き込み直前のオフトラック検出パル
スのデューティーが５０％になるようにＴＥＳのオフセ
ットを補正する方法を説明する図である。オフトラック
検出パルスＯＦＴＰは、図１８に示すように、光ビーム
スポットが光ディスク７２上のトラックに対してオフト
ラック状態となっている時間を示す信号である。図１８
中、ＯＴＴＨは、オントラックとみなされるＴＥＳのし
きい値であり、｜ＯＴＴＨ｜＝｜−ＯＴＴＨ｜である。
尚、シーク動作中のキャリッジ７６の移動速度は一定で
あり、加速又は減速状態にはないものとする。

【００７６】この場合、オフトラック検出パルスＯＦＴ
Ｐのオフトラック時間Ａ１，Ｂ１が同じになるように、
ＴＥＳのオフセットを補正する。図１８に示すオフトラ
ック検出パルスＯＦＴＰの場合、Ａ１＞Ｂ１なので、Ｔ
ＥＳは上方向へオフセットしていると考えられる。従っ
て、ＴＥＳのオフセットを補正するためのオフセット量
Ｔｏは、ＴＥＳの振幅をＴａとすると、次の式から算出
できる。

【００７７】Ｔｏ＝Ｔａ×｛Ａ１／（Ａ１＋Ｂ１）｝−Ｔａ×｛Ｂ１／（Ａ１＋Ｂ１）｝＝Ｔａ×｛（Ａ１−Ｂ１）／（Ａ１＋Ｂ１）｝次に、バッファメモリ１８に格納されたＴＥＳの振幅及
び／又はオフセットの測定値のＤＳＰ１６内での使用方
法について、図１９及び図２０と共に説明する。図１９
は、ＤＳＰ１６外のトラッキング制御系の一部分を示す
機能ブロック図であり、図２０は、ＤＳＰ１６内のトラ
ッキング制御系の一部分を示す機能ブロック図である。

【００７８】図１９において、ＴＥＳ用ディテクタ４７
から出力されたＴＥＳ_iは、自動利得制御（ＡＧＣ）回
路１６１及びノード１６２を介して信号感度のバラツキ
吸収等のために設けられた利得補正回路１６３に供給さ
れる。ノード１６２には、粗調整を行うためのＴＥＳの
オフセットＴＯ１が供給される。従って、利得制御回路
１６３は、ＡＧＣ回路１６１からのＴＥＳ_iとＴＥＳの
オフセットＴＯ１との加算値の振幅が一定となるよう
に、利得Ｇ３を制御する。利得制御回路１６３から出力
されるＴＥＳ_iは、ノード１６４を介してＴＺＣ検出回
路５０に供給され、ＴＺＣ検出回路５０ではこのＴＥＳ
_iに基づいてＴＺＣパルスが生成されてＤＳＰ１６に供
給される。他方、利得制御回路１６３から出力されるＴ
ＥＳ_iは、ノード１６４及びノッチ回路１６５を介して
低域フィルタ（ＬＰＦ）１６６に供給され、ＬＰＦ１６
６からは粗調整されたＴＥＳ₀が出力される。

【００７９】尚、ノッチ回路１６５及びＬＰＦ１６６の
図示は、図１では省略されている。従って、ＡＧＣ回路
１６１、ノード１６２及びＡＧＣ回路１６３は、図１の
ＴＥＳ検出回路４８に対応する。図２０において、図１
９のＬＰＦ１６６からの粗調整されたＴＥＳ₀は、アナ
ログ／デジタル変換器（ＡＤＣ）２６１に供給され、サ
ンプリング周波数毎にリードされる。ＡＤＣ２６１の出
力は、ノード２６２を介して信号感度のバラツキ吸収等
のために設けられた利得補正回路２６３に供給される。
ノード２６２には、微調整を行うためのＴＥＳのオフセ
ットＴＯ２が供給される。従って、利得制御回路２６３
は、ＡＤＣ２６１からのＴＥＳ₀とＴＥＳのオフセット
ＴＯ２との加算値の振幅が一定となるように、利得Ｇ１
を制御する。利得制御回路２６３の出力は、位相補償
（ＰＣ）回路２６４及びスイッチ２６６を介して信号感
度のバラツキ吸収等のために設けられた利得制御回路２
６６に供給される。スイッチ２６５は、トラックサーボ
オン状態で閉成される。利得制御回路２６６は、ＰＣ回
路２６４の出力の振幅が一定となるように、利得Ｇ２を
制御する。利得制御回路２６６の出力は、ノード２６７
及びリミット回路２６８を介してデジタル／アナログ変
換器（ＤＡＣ）２６９に供給される。ノード２６７に
は、トラックオフセットＴＲ１が供給される。従って、
リミット回路２６８には、利得制御回路２６６の出力と
トラックオフセットＴＲ１との加算値が供給される。Ｄ
ＡＣ２６９の出力は、ドライバ６２を介してレンズアク
チュエータ６０に供給される。

【００８０】尚、図１９及び図２０に示す機能ブロック
自体は、説明の便宜上、従来と同じ構成でありものとす
る。従来は、ＴＥＳのオフセットＴＯ１，ＴＯ２が、夫
々粗調整及び微調整を行うための固定値であった。これ
らの固定値には、キャリッジ７６の移動範囲のセンタ位
置で測定されたＴＥＳのオフセット値を使用していた。

【００８１】これに対し、本発明を図１９及び図２０に
示す機能ブロック適用すると、ＴＥＳのオフセットの測
定値が上記オフセットＴＯ１として図１９に示すノード
１６２に入力される。又、ＴＥＳの振幅の測定値に応じ
て、図２０に示す利得制御回路２６３の利得Ｇ１が制御
される。上記実施例では、本発明が光磁気ディスクに適
用されているが、本発明は光磁気ディスクに限らず、例
えば相変化型光ディスク等の光ディスクやカード状等の
各種記録媒体にも同様にして適用可能である。

【００８２】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言う
までもない。

【００８３】

【発明の効果】本発明によれば、トラッキングエラー信
号のオフセットを補正して、正確なビーム位置検出を行
い、シークエラーやシークリトライをなくして、記録媒
体上の位置に拘わらず、高精度なトラッキング制御及び
高速で高精度なシーク動作を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明になる記憶装置の一実施例の概略構成を
示すブロック図である。

【図２】エンクロージャの概略構成を示す断面図であ
る。

【図３】ＭＰＵのリードＬＳＩ、ＯＤＣ及びＤＳＰに対
するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説明するブロ
ック図である。

【図４】トラッキング補正方法の第１実施例を説明する
フローチャートである。

【図５】図４に示すステップＳ２の一実施例を示すフロ
ーチャートである。

【図６】ＴＥＳ振幅及び／又はオフセットの測定値を用
いてトラッキング制御を行う場合の処理を示すフローチ
ャートである。

【図７】ＴＥＳのオフセットが補正される場合を説明す
る図である。

【図８】ＴＥＳの振幅及びオフセットが補正される場合
を説明する図である。

【図９】トラッキング補正方法の第２実施例を説明する
フローチャートである。

【図１０】ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの補正量
の求め方を説明する図である。

【図１１】ＴＥＳのオフセットの補正量の他の求め方を
説明する図である。

【図１２】トラッキング補正方法の第３実施例を説明す
るフローチャートである。

【図１３】ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの調整処
理を説明するフローチャートである。

【図１４】光ディスクの中周部分でのＴＥＳの振幅及び
／又はオフセットの調整処理を説明するフローチャート
である。

【図１５】トラッキング補正方法の第３実施例で得られ
る信号を示す図である。

【図１６】トラッキング補正方法の第４実施例を説明す
るフローチャートである。

【図１７】ＴＺＣパルスのデューティーでＴＥＳのオフ
セットを補正する方法を説明する図である。

【図１８】シーク引き込み直前のオフトラックパルスの
デューティーが５０％になるようにＴＥＳのオフセット
を補正する方法を説明する図である。

【図１９】ＤＳＰ外のトラッキング制御系の一部分を示
す機能ブロック図である。

【図２０】ＤＳＰ内のトラッキング制御系の一部分を示
す機能ブロック図である。

【符号の説明】１０コントロールユニット１１エンクロージャ１２ＭＰＵ１４ＯＤＣ１６ＤＳＰ２０ライトＬＳＩ２４リードＬＳＩ２６周波数シンセサイザ７２光ディスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記憶装置において、光ビームスポットの
記録媒体上のトラックに対するずれを示すトラッキング
エラ−信号の振幅及び／又はオフセットを測定して測定
値を格納する測定ステップと、該測定値に基づいてトラッキングエラー信号を該記録媒
体上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキングエラ
ー信号に基づいてトラッキング制御を行う補正ステップ
とを含む、トラッキング補正方法。
【請求項２】前記測定ステップは、前記記憶装置の出
荷時、電源オン時、前記記録媒体の該記憶装置へのロー
ド時、シークリトライ、サーボオフからサーボオンへの
ウェイクアップやレーザパワー調整を含む特定の動作が
行われた時、温度変動が検出された時、及び一定時間毎
からなるグループから選択された少なくとも１つの場合
に行われる、請求項１記載のトラッキング補正方法。
【請求項３】前記測定ステップは、前記トラッキング
エラ−信号の振幅及び／又はオフセットを前記記録媒体
のインナー及びアウター部分で測定する、請求項２記載
のトラッキング補正方法。
【請求項４】前記測定ステップは、測定された複数の
トラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットの
平均値を前記測定値として格納する、請求項１〜３のい
ずれか１項記載のトラッキング補正方法。
【請求項５】前記測定ステップは、前記トラッキング
エラー信号のピーク値に基づいて該トラッキングエラ−
信号の振幅及び／又はオフセットを測定する、請求項１
〜４のいずれか１項記載のトラッキング補正方法。
【請求項６】前記測定ステップは、前記トラッキング
エラー信号の積分値に基づいて該トラッキングエラ−信
号のオフセットを測定する、請求項１〜４のいずれか１
項記載のトラッキング補正方法。
【請求項７】予め格納されている測定値を、測定され
た測定値に更新するステップを更に含む、請求項１〜６
のいずれか１項記載のトラッキング補正方法。
【請求項８】前記補正ステップは、前記トラッキング
エラー信号から得られるトラッキングゼロクロスパルス
の立ち上がり及び立ち下がり間隔が同じになるように該
トラッキングエラ−信号のオフセットを補正する、請求
項１〜４のいずれか１項記載のトラッキング補正方法。
【請求項９】前記補正ステップは、前記トラッキング
エラー信号から得られるオフトラック検出時間が同じに
なるように該トラッキングエラ−信号のオフセットを補
正する、請求項１〜４のいずれか１項記載のトラッキン
グ補正方法。
【請求項１０】光ビームスポットを記録媒体に照射し
て該記録媒体に対して情報の記録及び／又は再生を行う
記憶装置において、格納手段と、該光ビームスポットの該記録媒体上のトラックに対する
ずれを示すトラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオ
フセットを測定して測定値を該格納手段に格納する測定
手段と、該格納手段に格納された該測定値に基づいてトラッキン
グエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正し、補
正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキング
制御を行う補正手段とを備えた、記憶装置。
【請求項１１】前記測定手段は、前記記憶装置の出荷
時、電源オン時、前記記録媒体の該記憶装置へのロード
時、シークリトライ、サーボオフからサーボオンへのウ
ェイクアップやレーザパワー調整を含む特定の動作が行
われた時、温度変動が検出された時、及び一定時間毎か
らなるグループから選択された少なくとも１つの場合に
前記トラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセッ
トを測定して測定値を前記格納手段に格納する、請求項
１０記載の記憶装置。
【請求項１２】前記測定手段は、前記トラッキングエ
ラ−信号の振幅及び／又はオフセットを前記記録媒体上
の複数の箇所で測定する、請求項１０又は１１記載の記
憶装置。
【請求項１３】前記測定手段は、測定された複数のト
ラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットの平
均値を前記測定値として前記格納手段に格納する、請求
項１０〜１２のいずれか１項記載の記憶装置。
【請求項１４】前記測定手段は、前記トラッキングエ
ラー信号のピーク値に基づいて該トラッキングエラ−信
号の振幅及び／又はオフセットを測定する、請求項１０
〜１３のいずれか１項記載の記憶装置。
【請求項１５】前記測定手段は、前記トラッキングエ
ラー信号の積分値に基づいて該トラッキングエラ−信号
のオフセットを測定する、請求項１０〜１４のいずれか
１項記載の記憶装置。
【請求項１６】前記格納手段に予め格納されている測
定値を、前記測定手段で測定された測定値に更新する更
新手段を更に備えた、請求項１０〜１５のいずれか１項
記載の記憶装置。
【請求項１７】前記補正手段は、前記トラッキングエ
ラー信号から得られるトラッキングゼロクロスパルスの
立ち上がり及び立ち下がり間隔が同じになるように該ト
ラッキングエラ−信号のオフセットを補正する、請求項
１０〜１４のいずれか１項記載の記憶装置。
【請求項１８】前記補正手段は、前記トラッキングエ
ラー信号から得られるオフトラック検出時間が同じにな
るように該トラッキングエラ−信号のオフセットを補正
する、請求項１０〜１４のいずれか１項記載の記憶装
置。
【請求項１９】光ビームスポットの記録媒体上のトラ
ックに対するずれを示すトラッキングエラー信号の振幅
及び／又はオフセットの測定値を予め格納している記憶
装置において、該測定値に基づいてトラッキングエラー信号を該記録媒
体上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキングエラ
ー信号に基づいてトラッキング制御を行うステップを含
む、トラッキング補正方法。
【請求項２０】光ビームスポットを記録媒体に照射し
て該記録媒体に対して情報の記録及び／又は再生を行う
記憶装置において、該光ビームスポットの該記録媒体上のトラックに対する
ずれを示すトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオ
フセットの測定値を予め格納している格納手段と、該格納手段に格納された該測定値に基づいて該トラッキ
ングエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正し、
補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキン
グ制御を行う補正手段とを備えた、記憶装置。