JP2000178762A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材(３２)と、基材(３２)上に付着された皮膜系(３０)とを含み、前記皮膜系(３０)が基材(３２)上に重なる保護層(３４)を含み、前記保護層(３４)が白金とアルミニウムに加え、原子百分率で、平均して、ハフニウム0.14〜2.8％ およびケイ素2.7〜7.0％を含む組成を持つ最上層(７２)を含んでおり、ケイ素対ハフニウムの原子比が1.7：1から5.6：1である、物品(２０)。
【請求項２】
基材(３２)がガスタービン部品の形に成形されている請求項１記載の物品(２０)。
【請求項３】
基材(３２)がニッケル基超合金である請求項１又は２に記載の物品(２０)。
【請求項４】
保護層(３４)が原子百分率で白金4〜15％およびアルミニウム30〜60％の組成を持つ請求項１乃至３のいずれか１項に記載の物品(２０)。
【請求項５】
保護層(３４)上に重なるセラミック断熱皮膜層(４０)を更に含む請求項１乃至４のいずれか１項に記載の物品(２０)。
【請求項６】
基材(３２)を準備する工程と、白金を含む第１の層(７０)を基材(３２)の上に付着させる工程と、アルミニウム、ハフニウム、およびケイ素を含む第２の層(７２)を前記白金の層の上に付着させる工程と、および白金を含む第１の層(７０)およびアルミニウム、ハフニウムおよびケイ素を含む第２の層(７２)を加熱して第１の層(７０)の中にこれらアルミニウム、ハフニウムおよびケイ素を拡散する工程を含み、前記第２の層(７２)が原子百分率で、ハフニウム０.１４〜２.８％およびケイ素２.７〜７.０％の平均組成を持ち、ケイ素対ハフニウムの原子比が1.7：1から5.6：1である、物品(２０)の製造方法。
【請求項７】
アルミニウム、ハフニウム、およびケイ素を含む第２の層を付着させる工程の後に行われる、第２の層(７２)の上に重なるセラミック断熱皮膜層(40)を付着させる追加の工程を含む請求項６記載の方法。
【請求項８】 第２の層(７２)が原子百分率で白金４〜１５％およびアルミニウム３０〜６０％の組成を持つ請求項６又は７記載の方法。
【請求項１】
基材(３２)と、基材(３２)上に付着された皮膜系(３０)とを含み、前記皮膜系(３０)が基材(３２)上に重なる保護層(３４)を含み、前記保護層(３４)が白金とアルミニウムに加え、原子百分率で、平均して、ハフニウム0.14〜2.8％ およびケイ素2.7〜7.0％を含む組成を持つ最上層(７２)を含んでおり、ケイ素対ハフニウムの原子比が1.7：1から5.6：1である、物品(２０)。
【請求項２】
基材(３２)がガスタービン部品の形に成形されている請求項１記載の物品(２０)。
【請求項３】
基材(３２)がニッケル基超合金である請求項１又は２に記載の物品(２０)。
【請求項４】
保護層(３４)が原子百分率で白金4〜15％およびアルミニウム30〜60％の組成を持つ請求項１乃至３のいずれか１項に記載の物品(２０)。
【請求項５】
保護層(３４)上に重なるセラミック断熱皮膜層(４０)を更に含む請求項１乃至４のいずれか１項に記載の物品(２０)。
【請求項６】
基材(３２)を準備する工程と、白金を含む第１の層(７０)を基材(３２)の上に付着させる工程と、アルミニウム、ハフニウム、およびケイ素を含む第２の層(７２)を前記白金の層の上に付着させる工程と、および白金を含む第１の層(７０)およびアルミニウム、ハフニウムおよびケイ素を含む第２の層(７２)を加熱して第１の層(７０)の中にこれらアルミニウム、ハフニウムおよびケイ素を拡散する工程を含み、前記第２の層(７２)が原子百分率で、ハフニウム０.１４〜２.８％およびケイ素２.７〜７.０％の平均組成を持ち、ケイ素対ハフニウムの原子比が1.7：1から5.6：1である、物品(２０)の製造方法。
【請求項７】
アルミニウム、ハフニウム、およびケイ素を含む第２の層を付着させる工程の後に行われる、第２の層(７２)の上に重なるセラミック断熱皮膜層(40)を付着させる追加の工程を含む請求項６記載の方法。
【請求項８】 第２の層(７２)が原子百分率で白金４〜１５％およびアルミニウム３０〜６０％の組成を持つ請求項６又は７記載の方法。
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