JP2000178737A - Member coated with diamond-like carbon film - Google Patents
Member coated with diamond-like carbon filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、各種金型、ツー
ル、耐摩耗性および耐衝撃性を必要とする各種部材に用
いられるダイヤモンド状炭素膜を被覆した部材に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a member coated with a diamond-like carbon film used for various molds, tools, and various members requiring wear resistance and impact resistance.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ダイヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ膜）は作
成法によっては、硬度が高く摩擦係数が低くなるため、
耐摩耗性を必要とする金型等に用いられ、金型の寿命向
上に効果が得られているケースがいくつか見られる。2. Description of the Related Art A diamond-like carbon film (DLC film) has a high hardness and a low coefficient of friction depending on the method of preparation.
There are some cases where it is used for a mold or the like that requires abrasion resistance and is effective in improving the life of the mold.
【０００３】しかしながら、ＤＬＣ膜は一部の例外はあ
るが、金属との密着性が悪く、使用できる母材材質や用
途がかなり制限されていた。[0003] However, the DLC film, with some exceptions, has poor adhesion to metal, and the usable base material and application have been considerably restricted.
【０００４】そこで、各種の中間層を母材とＤＬＣ膜と
の間に介在させることにより、密着性を改善する試みが
いくつかなされてきた。例えば、特開昭６１−１０４０
７８号には、周期表第４Ａ〜６Ａ族（４〜６族）金属の
炭化物、炭窒化物、炭酸化物、炭窒酸化物、炭硼化物あ
るいはＳｉの炭化物、炭窒化物（いずれも非化学量論的
化合物）、またはこれらの相互固溶体で形成した単層ま
たは多重層の中間層、および中間層を２層構成とし、Ｄ
ＬＣ膜側を上記と同じ構成の層とし、母材側を周期表第
４Ａ〜６Ａ族金属の炭化物、窒化物、酸化物、硼化物、
またはこれらの相互固溶体で形成された単層または多重
層とした構成の層とすることが開示されている。また、
特開昭６２−１１６７６７号（特公平６−６０４０４
号）には、母材側のクロムまたはチタンを主体とする下
層とＤＬＣ膜側のシリコンまたはゲルマニウムを主体と
する上層とからなる中間層が開示されている。さらに、
特開平２−１２０２４５号にはＴｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｂま
たはＳｉの炭化物からなる膜で形成された中間層が、ま
た、特開平５−１２４８７５号には、けい素と炭素の非
晶質混合物からなる中間層が、また、特開平５−３１１
４４４号には、母材側の周期表第４Ａ〜６Ａ族金属の炭
化物、窒化物あるいは窒炭化物からなる硬質化合物膜の
層と、ＤＬＣ膜側のシリコン膜またはゲルマニウム膜の
層とを積層した中間層がそれぞれ開示されている。Therefore, several attempts have been made to improve the adhesion by interposing various intermediate layers between the base material and the DLC film. For example, JP-A-61-1040
No. 78 includes carbides, carbonitrides, carbonates, carbonitrides, borides or Si carbides and carbonitrides of metals of Groups 4A to 6A (Groups 4 to 6) of the periodic table. A stoichiometric compound) or a monolayer or multilayer intermediate layer formed of these mutual solid solutions, and an intermediate layer having a two-layer structure,
The LC film side is a layer having the same configuration as described above, and the base material side is a carbide, nitride, oxide, boride, or boride of a metal in Groups 4A to 6A of the periodic table.
Alternatively, it is disclosed that the layers are formed as a single layer or a multi-layer formed of these mutual solid solutions. Also,
JP-A-62-116767 (JP-B-6-60404)
Discloses an intermediate layer composed of a lower layer mainly composed of chromium or titanium on the base material side and an upper layer mainly composed of silicon or germanium on the DLC film side. further,
JP-A-2-120245 discloses an intermediate layer formed of a film made of carbide of Ti, Cr, Hf, B or Si, and JP-A-5-124875 discloses an amorphous mixture of silicon and carbon. Is also disclosed in JP-A-5-311.
No. 444 has an intermediate structure in which a layer of a hard compound film made of a carbide, nitride or nitrocarbide of a metal of Groups 4A to 6A of the periodic table on the base material side and a silicon film or germanium film layer on the DLC film side are laminated. Each of the layers is disclosed.
【０００５】しかし、それらに関しても未だ密着力は充
分とは言えず、例えば金型において、成型時に異物が混
入する等によりＤＬＣ膜および中間層を被覆した金型に
衝撃的な力が加わった場合など、ＤＬＣ膜および／また
は中間層が金型母材から剥離してしまい、思うように寿
命向上が果たせない問題があった。[0005] However, the adhesive strength is still not sufficient with respect to them, and for example, when an impact force is applied to the mold covering the DLC film and the intermediate layer due to entry of foreign matter during molding in the mold, for example. For example, there is a problem that the DLC film and / or the intermediate layer is separated from the mold base material, and the life cannot be improved as expected.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、金
型、工具等のダイヤモンド状炭素膜を被覆した部材にお
いて、母材とダイヤモンド状炭素膜との密着性を向上さ
せ、その寿命を向上させることにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to improve the adhesion between a base material and a diamond-like carbon film in a member coated with a diamond-like carbon film such as a mold and a tool, thereby improving the life of the member. To make it happen.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明によって達成される。 （１） 母材上にダイヤモンド状炭素膜を被覆した部材
であって、母材上に周期表第５Ａ族（５族）金属から選
ばれる少なくとも１種を主成分とする金属膜を有し、こ
の金属膜上にＳｉを主成分とするＳｉ膜を有し、このＳ
ｉ膜上にダイヤモンド状炭素膜を有するダイヤモンド状
炭素膜を被覆した部材。 （２） 前記金属膜がＴａを主成分とするＴａ膜である
上記（１）のダイヤモンド状炭素膜を被覆した部材。The above object is achieved by the present invention described below. (1) A member in which a base material is coated with a diamond-like carbon film, and the base material has a metal film mainly composed of at least one member selected from Group 5A (Group 5) metals of the periodic table, On the metal film, a Si film containing Si as a main component is provided.
A member coated with a diamond-like carbon film having a diamond-like carbon film on an i-film. (2) The member coated with the diamond-like carbon film of (1), wherein the metal film is a Ta film containing Ta as a main component.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のダイヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ膜）を被覆した
部材は、母材とＤＬＣ膜との間に中間層を設けたもので
あり、このような中間層は、母材側の周期表第５Ａ族
（５族）金属から選ばれる少なくとも１種を主成分とす
る金属膜（中間層１）とＤＬＣ膜側のＳｉを主成分とす
るＳｉ膜（中間層２）とが積層されたものである。この
ような積層構造の中間層を設けることによって、鋼材等
を材質とする母材とＤＬＣ膜との密着性が格段と向上
し、例えば金型に本発明を適用した場合においてその寿
命が著しく長くなる。これは、母材と上記金属膜との
間、上記金属膜とＳｉ膜との間、およびＳｉ膜とＤＬＣ
膜との間におけるそれぞれの強固な密着性によって得ら
れると考えられる。これに対し、上記金属膜あるいはＳ
ｉ膜のように、いずれか一方の膜のみとすると寿命が著
しく短くなる。また、積層順を反対にしても本発明の効
果は得られず、特開昭６２−１１６７６７号（特公平６
−６０４０４号）のように、積層構造の中間層とした場
合であっても金属膜として周期表第５Ａ族金属ではない
Ｔｉ等を用いると寿命の延びが充分ではない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The member coated with the diamond-like carbon film (DLC film) of the present invention is provided with an intermediate layer between the base material and the DLC film. A metal film (intermediate layer 1) mainly composed of at least one selected from Group 5 (Group 5) metals and a Si film mainly composed of Si (intermediate layer 2) on the DLC film side are laminated. . By providing the intermediate layer having such a laminated structure, the adhesion between the DLC film and the base material made of steel or the like is remarkably improved. For example, when the present invention is applied to a mold, the life thereof is significantly increased. Become. This is between the base material and the metal film, between the metal film and the Si film, and between the Si film and the DLC.
It is believed that each is obtained by strong adhesion between the film and the film. On the other hand, the metal film or S
If only one of the films is used like the i-film, the life is significantly shortened. In addition, even if the stacking order is reversed, the effect of the present invention cannot be obtained, and Japanese Unexamined Patent Publication No.
As in the case of the intermediate layer having a laminated structure as in the case of Tibet No. -60404), the use of Ti or the like which is not a Group 5A metal in the periodic table as a metal film does not sufficiently extend the life.
【０００９】本発明による中間層について説明する。ま
ず、母材側に形成される周期表第５Ａ族（５族）金属膜
について説明する。周期表第５Ａ族金属としてはＶ、Ｎ
ｂ、Ｔａ等が挙げられ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａが好ましく用い
られるが、特にＴａが好ましい。このような金属膜は、
２種以上の金属を含有するものであってもよい。また母
材界面付近においては母材材料が拡散していてもよく、
Ｓｉ膜界面付近においてはＳｉが拡散していてもよい。
このような金属膜における上記金属の含有量は、７５原
子％以上であることが好ましい。The intermediate layer according to the present invention will be described. First, a metal film of Group 5A (Group 5) of the periodic table formed on the base material side will be described. V, N as Group 5A metals of the periodic table
b, Ta, etc., and V, Nb, Ta are preferably used, and Ta is particularly preferable. Such a metal film is
It may contain two or more metals. In the vicinity of the base material interface, the base material may be diffused,
Si may be diffused near the interface of the Si film.
The content of the metal in such a metal film is preferably at least 75 atomic%.
【００１０】このような金属膜はスパッタ法により形成
することが好ましい。この場合、目的とする金属組成に
応じたターゲットを用いて高周波電力、交流電力、直流
電力のいずれかを付加し、ターゲットをスパッタし、こ
れを母材（基板）上にスパッタ堆積させることにより金
属膜を形成する。スパッタガスとしてはＡｒ、Ｋｒ等が
用いられる。例えば高周波スパッタ電力は通常５０〜５
０００W程度である。動作圧力は通常０．００２〜０．
５Torrが好ましい。また基板温度は１０〜１５０℃であ
ることが好ましい。Preferably, such a metal film is formed by a sputtering method. In this case, a high-frequency power, an AC power, or a DC power is added using a target corresponding to a target metal composition, and the target is sputtered, and the target is sputter-deposited on a base material (substrate). Form a film. Ar, Kr, or the like is used as a sputtering gas. For example, high frequency sputtering power is usually 50 to 5
It is about 000W. The operating pressure is usually between 0.002 and 0.
5 Torr is preferred. Further, the substrate temperature is preferably 10 to 150 ° C.
【００１１】このような金属膜は、スパッタ法のほか、
イオンプレーティング法や真空蒸着法などのＰＶＤ法に
よって形成してもよく、具体的には公知の方法による。
さらには、ＣＶＤ法や湿式メッキ法によってもよい。Such a metal film is formed by a sputtering method,
It may be formed by a PVD method such as an ion plating method or a vacuum evaporation method, and specifically, by a known method.
Further, a CVD method or a wet plating method may be used.
【００１２】次に、上記金属膜上に形成されるＳｉ膜に
ついて説明する。Ｓｉ膜はアモルファス状態であること
が好ましく、Ｓｉのみで構成されていてもよいが、Ｓｉ
のほか２５原子％以下の水素を含んでいてもよい。ま
た、上記金属膜の界面付近にはその構成金属が拡散して
いてもよく、ＤＬＣ膜の界面付近にはＤＬＣ膜の構成成
分が拡散していてもよい。このようなＳｉ膜におけるＳ
ｉ含有量は、７５原子％以上であることが好ましい。Next, the Si film formed on the metal film will be described. The Si film is preferably in an amorphous state, and may be composed of only Si.
And 25% by atom or less of hydrogen. Further, the constituent metal may be diffused near the interface of the metal film, and the component of the DLC film may be diffused near the interface of the DLC film. S in such a Si film
The i content is preferably at least 75 atomic%.
【００１３】このようなＳｉ膜は、真空蒸着法、スパッ
タ法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法や熱ＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等のＣＶＤ法によっ
て形成することができる。具体的には公知の方法によ
る。なかでもスパッタ法が好ましく用いられる。スパッ
タ法による場合Ｓｉをターゲットとし、高周波電力、交
流電力、直流電力のいずれかを印加し、ターゲットをス
パッタし、これを母材の金属膜（金属膜を有する母材を
基板という。）上にスパッタ堆積させることによりＳｉ
膜を形成する。スパッタガスとしてはＡｒ、Ｋｒ等が用
いられる。例えば高周波スパッタ電力は、通常、５０〜
５０００W程度である。動作圧力は通常０．００２〜
０．５Torrが好ましい。また基板温度は１０〜１５０℃
であることが好ましい。Such a Si film can be formed by a PVD method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, or a thermal CVD method.
It can be formed by a CVD method such as a plasma CVD method, a photo CVD method, or the like. Specifically, a known method is used. Among them, the sputtering method is preferably used. In the case of the sputtering method, any one of high-frequency power, AC power, and DC power is applied to Si as a target, and the target is sputtered, and the target is sputtered on a base metal film (a base material having a metal film is referred to as a substrate). Si by sputter deposition
Form a film. Ar, Kr, or the like is used as a sputtering gas. For example, the high frequency sputtering power is usually 50 to
It is about 5000W. Operating pressure is usually 0.002-
0.5 Torr is preferred. The substrate temperature is 10 to 150 ° C.
It is preferred that
【００１４】上記のような金属膜とＳｉ膜とで構成され
る中間層は、合計で２０A（２nm）〜５μm の厚さであ
ることが好ましく、さらには５０A（５nm）〜１μm の
厚さであることが好ましい。金属膜およびＳｉ膜の各厚
さは１０A（１nm）〜２．５μm が好ましく、さらに好
ましくは２５A（２．５nm）〜０．５μm である。この
ような厚さとすることで密着性が向上する。これに対
し、薄すぎると密着性向上効果が十分ではなく、厚すぎ
ると耐衝撃性が悪くなる。The intermediate layer composed of the metal film and the Si film as described above preferably has a total thickness of 20 A (2 nm) to 5 μm, and more preferably 50 A (5 nm) to 1 μm. Preferably, there is. The thickness of each of the metal film and the Si film is preferably 10 A (1 nm) to 2.5 μm, more preferably 25 A (2.5 nm) to 0.5 μm. With such a thickness, the adhesion is improved. On the other hand, if it is too thin, the effect of improving the adhesion is not sufficient, and if it is too thick, the impact resistance deteriorates.
【００１５】上記のような金属膜およびＳｉ膜は、生産
性の点などから、通常、各１層ずつ設けることが好まし
いが、場合によっては、各膜を多層構成としてもよい。
多層構成とする場合は合計で上記範囲の厚さとなるよう
にすればよい。The above-mentioned metal film and Si film are usually preferably provided one by one from the viewpoint of productivity and the like. However, in some cases, each film may have a multilayer structure.
In the case of a multilayer structure, the total thickness may be in the above range.
【００１６】上述のような中間層上に設けられるダイヤ
モンド状炭素膜について述べる。ダイヤモンド状炭素
（ＤＬＣ：Diamond Like Carbon）膜は、ダイヤモンド
様炭素膜、ｉ−カーボン膜等と称されることもある。ダ
イヤモンド状炭素膜については、例えば、特開昭６２−
１４５６４６号公報、同６２−１４５６４７号公報、Ne
w Diamond Forum,第４巻第４号（昭和６３年１０月２５
日発行）等に記載されている。The diamond-like carbon film provided on the intermediate layer as described above will be described. A diamond-like carbon (DLC) film may be called a diamond-like carbon film, an i-carbon film, or the like. Regarding diamond-like carbon films, see, for example,
No. 145646, 62-145647, Ne
w Diamond Forum, Vol. 4, No. 4, October 25, 1988
Date issued).
【００１７】ＤＬＣは、上記文献（New Diamond Foru
m）に記載されているように、ラマン分光分析におい
て、１５５０cm-1にブロードな（１５２０〜１５６０cm
-1）ラマン吸収のピークを有し、１３３３cm-1に鋭いピ
ークを有するダイヤモンドや、１５８１cm-1に鋭いピー
クを有するグラファイトとは、明らかに異なった構造を
有する物質である。DLC is described in the above document (New Diamond Foru).
as described in m), Raman spectroscopy, broad to 1550cm -1 (1520~1560cm
-1) has a peak of the Raman absorption, and diamond having a sharp peak at 1333 cm -1, and graphite having a sharp peak at 1581 cm -1, it is a substance having a distinctly different structure.
【００１８】ＤＬＣ膜は、炭素と水素とを主成分とする
アモルファス状態の薄膜であって、炭素同士のｓｐ3結
合がランダムに存在することによって形成されている。
ＤＬＣの原子比Ｃ：Ｈは、通常、９５〜６０：５〜４０
程度である。The DLC film is an amorphous thin film containing carbon and hydrogen as main components, and is formed by randomly existing sp 3 bonds between carbon atoms.
The atomic ratio C: H of DLC is usually 95-60: 5-40.
It is about.
【００１９】本発明において、ＤＬＣ膜の厚さは、通
常、１〜１００００nm、好ましくは１０〜３０００nmで
ある。In the present invention, the thickness of the DLC film is usually 1 to 10000 nm, preferably 10 to 3000 nm.
【００２０】ＤＬＣ膜は、炭素および水素に加え、Ｓ
ｉ，Ｎ，Ｏ，Ｆの１種または２種以上を含有していても
よい。この場合、ＤＬＣ膜は、基本組成をＣＨxＳｉyＯ
zＮvＦwと表したとき、モル比を表すｘ，ｙ，ｚ，ｖ，
ｗがそれぞれ、 ０．０５≦ｘ≦０．７、 ０≦ｙ≦３．０、 ０≦ｚ≦１．０、 ０≦ｖ≦１．０、 ０≦ｗ≦０．２ であることが好ましい。The DLC film is made of S and S in addition to carbon and hydrogen.
One, two or more of i, N, O, and F may be contained. In this case, the DLC film has a basic composition of CH x Si y O
z N v when expressed as F w, x representing the molar ratio, y, z, v,
It is preferable that w is 0.05 ≦ x ≦ 0.7, 0 ≦ y ≦ 3.0, 0 ≦ z ≦ 1.0, 0 ≦ v ≦ 1.0, and 0 ≦ w ≦ 0.2, respectively. .
【００２１】ＤＬＣ膜のラマン分光分析における吸収ピ
ークは、上記のように１５５０cm-1にブロード（１５２
０〜１５６０cm-1）な吸収を有するが、炭素および水素
以外の上記元素を含有することにより、これから±１０
０cm-1程度変動する場合もある。The absorption peak in the Raman spectroscopic analysis of the DLC film is broad (152 nm) at 1550 cm -1 as described above.
0-1560 cm -1 ), but by containing the above elements other than carbon and hydrogen,
It may fluctuate by about 0 cm -1 .
【００２２】ＤＬＣ膜は、プラズマＣＶＤ法、イオン化
蒸着法、スパッタ法などで形成することができる。The DLC film can be formed by a plasma CVD method, an ionization evaporation method, a sputtering method, or the like.
【００２３】ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法により形成す
る場合、例えば特開平４−４１６７２号公報等に記載さ
れている方法により成膜することができる。プラズマＣ
ＶＤ法におけるプラズマは、直流、交流のいずれであっ
てもよいが、交流を用いることが好ましい。交流として
は数ヘルツからマイクロ波まで使用可能である。また、
ダイヤモンド薄膜技術（総合技術センター発行）などに
記載されているＥＣＲプラズマも使用可能である。ま
た、バイアス電圧を印加してもよい。When the DLC film is formed by the plasma CVD method, the DLC film can be formed by a method described in, for example, JP-A-4-41672. Plasma C
The plasma in the VD method may be either DC or AC, but it is preferable to use AC. The alternating current can be used from a few hertz to a microwave. Also,
ECR plasma described in diamond thin film technology (published by General Technology Center) can also be used. Further, a bias voltage may be applied.
【００２４】ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法により形成す
る場合、原料ガスには、下記化合物を使用することが好
ましい。When the DLC film is formed by the plasma CVD method, it is preferable to use the following compound as a raw material gas.
【００２５】ＣおよびＨを含有する化合物として、メタ
ン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、
エチレン、プロピレン等の炭化水素が挙げられる。Compounds containing C and H include methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane,
And hydrocarbons such as ethylene and propylene.
【００２６】Ｃ，ＨおよびＳｉを含む化合物としては、
メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テ
トラメチルシラン、ジエチルシラン、テトラエチルシラ
ン、テトラブチルシラン、ジメチルジエチルシラン、テ
トラフェニルシラン、メチルトリフェニルシラン、ジメ
チルジフェニルシラン、トリメチルフェニルシラン、ト
リメチルシリル−トリメチルシラン、トリメチルシリル
メチル−トリメチルシラン等がある。これらは併用して
もよく、シラン系化合物と炭化水素を用いてもよい。Compounds containing C, H and Si include:
Methylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, tetramethylsilane, diethylsilane, tetraethylsilane, tetrabutylsilane, dimethyldiethylsilane, tetraphenylsilane, methyltriphenylsilane, dimethyldiphenylsilane, trimethylphenylsilane, trimethylsilyl-trimethylsilane, trimethylsilylmethyl -Trimethylsilane and the like. These may be used in combination, or a silane compound and a hydrocarbon may be used.
【００２７】Ｃ＋Ｈ＋Ｏを含む化合物としては、ＣＨ3
ＯＨ、Ｃ2Ｈ5ＯＨ、ＨＣＨＯ、ＣＨ3ＣＯＣＨ3等があ
る。Compounds containing C + H + O include CH 3
OH, C 2 H 5 OH, HCHO, CH 3 COCH 3 and the like.
【００２８】Ｃ＋Ｈ＋Ｎを含む化合物としては、シアン
化アンモニウム、シアン化水素、モノメチルアミン、ジ
メチルアミン、アリルアミン、アニリン、ジエチルアミ
ン、アセトニトリル、アゾイソブタン、ジアリルアミ
ン、エチルアジド、ＭＭＨ、ＤＭＨ、トリアリルアミ
ン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリフェニ
ルアミン等がある。Compounds containing C + H + N include ammonium cyanide, hydrogen cyanide, monomethylamine, dimethylamine, allylamine, aniline, diethylamine, acetonitrile, azoisobutane, diallylamine, ethylazide, MMH, DMH, triallylamine, trimethylamine, triethylamine, triphenylamine Amines and the like.
【００２９】この他、Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ、Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ＋Ｏ
あるいはＳｉ＋Ｃ＋Ｈ＋Ｎを含む化合物等と、Ｏ源ある
いはＯＮ源、Ｎ源、Ｈ源等とを組み合わせてもよい。In addition, Si + C + H, Si + C + H + O
Alternatively, a compound or the like containing Si + C + H + N may be combined with an O source or an ON source, an N source, an H source, or the like.
【００３０】Ｏ源として、Ｏ2、Ｏ3等、Ｃ＋Ｏ源とし
て、ＣＯ、ＣＯ2等、Ｓｉ＋Ｈ源として、ＳｉＨ4等、Ｈ
源として、Ｈ2等、Ｈ＋Ｏ源として、Ｈ2Ｏ等、Ｎ源とし
て、Ｎ2Ｎ＋Ｈ源として、ＮＨ3等、Ｎ＋Ｏ源として、Ｎ
Ｏ、ＮＯ2、Ｎ2ＯなどＮＯxで表示できるＮとＯの化合
物等、Ｎ＋Ｃ源として、（ＣＮ）2等、Ｎ＋Ｈ＋Ｆ源と
して、ＮＨ4Ｆ等、Ｏ＋Ｆ源として、ＯＦ2、Ｏ2Ｆ2、Ｏ
3Ｆ2等を用いてもよい。[0030] As O source, O 2, O 3, etc., as C + O source, CO, CO 2, etc., as Si + H source, SiH 4, etc., H
As a source, H 2 or the like, H + O source, H 2 O, etc., N source, N 2 N + H source, NH 3 or the like, N + O source, N
Compounds of N and O, such as O, NO 2 and N 2 O, which can be represented by NO x , such as (CN) 2 as N + C source, NH 4 F as N + H + F source, and OF 2 and O 2 F as O + F source as N + H + F source 2 , O
3 F 2 or the like may be used.
【００３１】上記原料ガスの流量は原料ガスの種類に応
じて適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、０．０１
〜０．５Torr、投入電力は、通常、１０W〜５kW程度が
好ましい。The flow rate of the raw material gas may be appropriately determined according to the type of the raw material gas. Operating pressure is typically 0.01
Normally, the input power is preferably about 10 W to 5 kW.
【００３２】ＤＬＣ膜は、イオン化蒸着法により形成し
てもよい。イオン化蒸着法は、例えば特開昭５８−１７
４５０７号公報、特開昭５９−１７４５０８号公報等に
記載されている。ただし、これらに開示された方法、装
置に限られるものではなく、原料用イオン化ガスの加速
が可能であれば他の方式のイオン蒸着技術を用いてもよ
い。この場合の装置の好ましい例としては、例えば、実
開昭５９−１７４５０７号公報に記載されたイオン直進
型またはイオン偏向型のものを用いることができる。The DLC film may be formed by an ionization vapor deposition method. The ionization deposition method is described in, for example,
No. 4507, JP-A-59-174508 and the like. However, the present invention is not limited to the methods and apparatuses disclosed therein, and another type of ion vapor deposition technology may be used as long as the ionized gas for the raw material can be accelerated. As a preferable example of the device in this case, for example, an ion straight type or an ion deflection type described in Japanese Utility Model Laid-Open No. 59-174507 can be used.
【００３３】イオン化蒸着法においては、真空容器内を
１０-6Torr程度までの高真空とする。この真空容器内に
は交流電源によって加熱されて熱電子を発生するフィラ
メントが設けられ、このフィラメントを取り囲んで対電
極が配置され、フィラメントとの間に電圧Ｖｄを与え
る。また、フィラメント、対電極を取り囲んでイオン化
ガス閉じこめ用の磁界を発生する電磁コイルが配置され
ている。原料ガスはフィラメントからの熱電子と衝突し
て、プラスの熱分解イオンと電子を生じ、このプラスイ
オンはグリッドに印加された負電位Ｖａにより加速され
る。この、Ｖｄ，Ｖａおよびコイルの磁界を調整するこ
とにより、組成や膜質を変えることができる。また、バ
イアス電圧を印加してもよい。In the ionization deposition method, the inside of the vacuum vessel is set to a high vacuum of about 10 -6 Torr. A filament that is heated by an AC power supply to generate thermoelectrons is provided in the vacuum vessel. A counter electrode is arranged so as to surround the filament, and a voltage Vd is applied between the filament and the filament. In addition, an electromagnetic coil that surrounds the filament and the counter electrode and generates a magnetic field for trapping ionized gas is arranged. The source gas collides with the thermoelectrons from the filament to generate positive thermal decomposition ions and electrons, and the positive ions are accelerated by the negative potential Va applied to the grid. The composition and film quality can be changed by adjusting Vd, Va and the magnetic field of the coil. Further, a bias voltage may be applied.
【００３４】ＤＬＣ膜をイオン化蒸着法により形成する
場合、原料ガスには、プラズマＣＶＤ法と同様のものを
用いればよい。上記原料ガスの流量はその種類に応じて
適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、０．０１〜
０．５Torr程度が好ましい。When the DLC film is formed by the ionization vapor deposition method, the same material gas as that used in the plasma CVD method may be used. The flow rate of the source gas may be appropriately determined according to the type. The operating pressure is usually 0.01 to
About 0.5 Torr is preferable.
【００３５】ＤＬＣ膜は、スパッタ法により形成するこ
ともできる。この場合、Ａｒ、Ｋｒ等のスパッタ用のス
パッタガスに加えて、Ｏ2 、Ｎ2、ＮＨ3、ＣＨ4、Ｈ2等
のガスを反応性ガスとして導入すると共に、Ｃ、Ｓｉ、
ＳｉＯ2、Ｓｉ3 Ｎ4、ＳｉＣ等をターゲットとしたり、
Ｃ、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣの混成組成をタ
ーゲットとしたり、場合によっては、Ｃ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ
を含む２以上のターゲットを用いてもよい。また、ポリ
マーをターゲットとして用いることも可能である。この
ようなターゲットを用いて高周波電力、交流電力、直流
電力のいずれかを印加し、ターゲットをスパッタし、こ
れを基板上にスパッタ堆積させることによりＤＬＣ膜を
形成する。高周波スパッタ電力は、通常、５０W〜２kW
程度である。動作圧力は、通常、１０-5〜１０-3Torrが
好ましい。The DLC film can be formed by a sputtering method. In this case, a gas such as O 2 , N 2 , NH 3 , CH 4 , H 2 or the like is introduced as a reactive gas in addition to a sputtering gas for sputtering such as Ar or Kr, and C, Si,
Targeting SiO 2 , Si 3 N 4 , SiC, etc.
A target may be a mixed composition of C, Si, SiO 2 , Si 3 N 4 , and SiC, and in some cases, C, Si, N, O
May be used. Further, a polymer can be used as a target. A DLC film is formed by applying any one of high-frequency power, AC power, and DC power using such a target, sputtering the target, and sputter depositing the target on a substrate. High frequency sputtering power is usually 50W ~ 2kW
It is about. The operating pressure is usually preferably 10 -5 to 10 -3 Torr.
【００３６】本発明において、中間層を介してＤＬＣ膜
が被覆される母材としては、このようなＤＬＣ膜が、力
が加わる部材、すなわち耐衝撃性および耐摩耗性が要求
される部材、例えば金型（特にパンチ等）や工具類に用
いられることから、このような部材の構成材料となりう
るものであれば特に制限はない。こうした構成材料とし
ては、種々の金属系の材料があり、鉄鋼や非鉄金属をは
じめ、その他サーメット等が挙げられる。鉄鋼として
は、ステンレス鋼（JISに規定されるSUS303、304、31
6、420J、440C、およびELMAXやSTAVAXとして市販されて
いるもの等）、工具鋼（JISに規定されるSK2、SKH2、
3、4、51、SKS2、3、4、11、SKD11、61、およびDC53と
して市販されているもの等）、合金鋼（JISに規定され
るSCM、SNCM、SNC、SCr等）、ダイス鋼などがある。ま
た、非鉄金属としては、アルミニウム合金、銅合金（り
ん青銅、洋白等）、チタン合金、マグネシウム合金、超
硬合金（JISに規定されるＳ種、Ｇ種、Ｄ種、およびM4
5、46、63Sとして市販されているもの等）、ステライト
などがある。このようななかでも、上記例示のような各
種のステンレス鋼、工具鋼としてJISに規定されるSKS
2、3、4、11、SKH2、3、4、51、SKD11、61や、DC53、上
記例示のような超硬合金、ステライト、合金鋼としてJI
Sに規定されるSNCM等が好ましい。In the present invention, as a base material coated with a DLC film via an intermediate layer, such a DLC film is a member to which a force is applied, that is, a member requiring impact resistance and wear resistance, for example, Since it is used for a mold (especially a punch or the like) or a tool, there is no particular limitation as long as it can be a constituent material of such a member. Such constituent materials include various metal-based materials, such as iron and steel, non-ferrous metals, and other cermets. Stainless steel (SUS303, 304, 31 specified in JIS)
6, 420J, 440C, and those commercially available as ELMAX and STAVAX), tool steel (SK2, SKH2,
3, 4, 51, SKS2, 3, 4, 11, SKD11, 61, DC53, etc.), alloy steel (SCM, SNCM, SNC, SCr, etc. specified in JIS), die steel, etc. There is. Non-ferrous metals include aluminum alloys, copper alloys (phosphor bronze, nickel silver, etc.), titanium alloys, magnesium alloys, and cemented carbides (S-class, G-class, D-class and M4
5, 46, 63S), and stellite. Among these, SKS specified in JIS as various stainless steels and tool steels as exemplified above
2, 3, 4, 11, SKH2, 3, 4, 51, SKD11, 61, DC53, cemented carbide, stellite, alloy steel as described above as JI
An SNCM defined in S is preferable.
【００３７】このような母材は、目的・用途等に応じ
て、種々の形状にして用いられる。Such a base material is used in various shapes according to the purpose and use.
【００３８】[0038]
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。 実施例１ 図１に示されるような粉体成型金型を用いて本発明の効
果を確認した。The present invention will be specifically described below with reference to examples. Example 1 The effect of the present invention was confirmed using a powder molding die as shown in FIG.
【００３９】図１の粉体成型金型１は、ダイ（臼）１１
と上パンチ（杵）１２と下パンチ１３とを有するもので
あり、ダイ１１と下パンチ１３とで形成される空間に粉
体１４を充填し、この粉体１４に対し上パンチ１２と下
パンチ１３とを各々上下方向（図示矢印方向）に動かす
ことによって圧力を加え、これにより粉体１４を成型す
るものである。この場合、上パンチ１２と下パンチ１３
において粉体１４との接触部位である成型面には表面保
護膜１２ａおよび１３ａがそれぞれ設けられており、下
パンチ１３の表面保護膜１３ａにはＤＬＣ膜が用いられ
る。なお、図示矢印のような動作が可能であり、成型後
の成型体１５を金型１から取り出すための蹴り出し機１
６が設置されている。The powder molding die 1 shown in FIG.
, An upper punch (punch) 12 and a lower punch 13. A space formed by the die 11 and the lower punch 13 is filled with powder 14, and the upper punch 12 and lower punch 13 is moved up and down (in the direction of the arrow in the figure) to apply pressure, thereby molding the powder 14. In this case, the upper punch 12 and the lower punch 13
The surface protection films 12a and 13a are respectively provided on the molding surface which is the contact portion with the powder 14, and a DLC film is used as the surface protection film 13a of the lower punch 13. The operation shown by the arrow in the figure can be performed, and the kicking machine 1 for removing the molded body 15 from the mold 1 after molding.
6 are installed.
【００４０】下パンチ１３の成型面にＤＬＣ膜を以下の
ようにして成膜して表１のサンプルを得た。母材はいず
れも工具鋼ＳＫＳ２（ＪＩＳ）を用いた。A sample shown in Table 1 was obtained by forming a DLC film on the molding surface of the lower punch 13 as follows. As the base material, tool steel SKS2 (JIS) was used.
【００４１】サンプルNo.１ プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を成膜した。すなわ
ち、Ｓｉ、Ｃ、Ｈ、Ｏを含有する化合物の原料ガスとし
てＳｉ（ＯＣＨ3）4を流量５SCCM、ＣＨ4を流量６SCCM
にて導入した。動作圧力０．０５Torrでプラズマ発生用
の交流として、ＲＦ電力５００Wを加え、セルフバイア
ス電圧−４００Ｖにて、膜厚１μmとなるように成膜
し、ＤＬＣ膜を設層した。ＤＬＣ膜の組成はＣＨ0.17Ｓ
ｉ0.1Ｏ0.17であった。 Sample No. 1 A DLC film was formed by a plasma CVD method. That is, Si (OCH 3 ) 4 is flowed at a flow rate of 5 SCCM and CH 4 is flowed at a flow rate of 6 SCCM as a raw material gas of a compound containing Si, C, H and O.
Introduced. At an operating pressure of 0.05 Torr, an RF power of 500 W was applied as an alternating current for plasma generation, a film was formed to a thickness of 1 μm at a self-bias voltage of −400 V, and a DLC film was formed. The composition of the DLC film is CH 0.17 S
i 0.1 O 0.17 .
【００４２】サンプルNo.２ Ａｒガス中でＳｉのターゲットを用い、高周波（ＲＦ）
スパッタ法によりＳｉ膜を０．３μm 厚に成膜して中間
層１を形成してから、サンプルNo.１と同様にしてＤＬ
Ｃ膜を成膜した。この場合のスパッタ条件は、周波数１
３．５６MHz、電力５００W、動作圧力０．１Torrとし
た。 Sample No. 2 Using a Si target in Ar gas, radio frequency (RF)
After forming an intermediate layer 1 by forming a Si film to a thickness of 0.3 μm by a sputtering method,
A C film was formed. In this case, the sputtering conditions are as follows.
3.56 MHz, power 500 W, operating pressure 0.1 Torr.
【００４３】サンプルNo.３ Ａｒガス中でＴａのターゲットを用い、ＲＦスパッタ法
によりＴａ膜を０．１μm 厚に成膜して中間層１を形成
してから、サンプルNo.１と同様にしてＤＬＣ膜を成膜
した。この場合のスパッタ条件は、周波数１３．５６MH
z、電力５００W、動作圧力０．１Torrとした。 Sample No. 3 Using a Ta target in an Ar gas, a Ta film was formed to a thickness of 0.1 μm by RF sputtering to form an intermediate layer 1, and the same procedure as in Sample No. 1 was carried out. A DLC film was formed. The sputtering condition in this case is a frequency of 13.56 MHz.
z, power 500 W, operating pressure 0.1 Torr.
【００４４】サンプルNo.４ Ａｒガス中でＴｉのターゲットを用い、ＲＦスパッタ法
によりＴｉ膜を０．１μm 厚に成膜して中間層１を形成
し、さらにＡｒガス中でＳｉのターゲットを用い、ＲＦ
スパッタ法によりＳｉ膜を０．３μm 厚に成膜して中間
層２を形成し、その後サンプルNo.１と同様にしてＤＬ
Ｃ膜を成膜した。この場合のＴｉ成膜時のスパッタ条件
は、周波数１３．５６MHz、電力５００W、動作圧力０．
１Torrとした。また、Ｓｉ膜成膜時のスパッタ条件は、
サンプルNo.２のＳｉ膜の場合と同様とした。 Sample No. 4 Using a Ti target in an Ar gas, a Ti film was formed to a thickness of 0.1 μm by RF sputtering to form an intermediate layer 1, and a Si target was used in an Ar gas. , RF
An intermediate layer 2 is formed by forming a Si film to a thickness of 0.3 μm by a sputtering method.
A C film was formed. In this case, the sputtering conditions for forming the Ti film were as follows: a frequency of 13.56 MHz, a power of 500 W, and an operating pressure of 0.
1 Torr. The sputtering conditions for forming the Si film are as follows:
This was the same as the case of the Si film of Sample No. 2.
【００４５】サンプルNo.５ Ａｒガス中でＴａのターゲットを用い、ＲＦスパッタ法
によりＴａ膜を０．１μm 厚に成膜して中間層１を形成
し、さらにＡｒガス中でＳｉのターゲットを用い、ＲＦ
スパッタ法によりＳｉ膜を０．３μm 厚に成膜して中間
層２を形成し、その後サンプルNo.１と同様にしてＤＬ
Ｃ膜を成膜した。この場合のＴａ膜成膜時のスパッタ条
件は、サンプルNo.３のＴａ膜の場合と同様とした。ま
た、Ｓｉ膜成膜時のスパッタ条件は、サンプルNo.２の
Ｓｉ膜の場合と同様とした。 Sample No. 5 Using a Ta target in Ar gas, a Ta film was formed to a thickness of 0.1 μm by RF sputtering to form an intermediate layer 1, and a Si target was used in Ar gas. , RF
An intermediate layer 2 is formed by forming a Si film to a thickness of 0.3 μm by a sputtering method.
A C film was formed. The sputtering conditions for forming the Ta film in this case were the same as those for the Ta film of Sample No. 3. The sputtering conditions for forming the Si film were the same as those for the sample No. 2 Si film.
【００４６】サンプルNo.６ サンプルNo.５において、Ｔａ膜の中間層１のかわり
に、Ａｒガス中でＮｂのターゲットを用い、ＲＦスパッ
タ法によりＮｂ膜を０．１μm 厚に成膜して中間層１を
形成し、さらにＡｒガス中でＳｉのターゲットを用い、
ＲＦスパッタ法によりＳｉ膜を０．３μm 厚に成膜して
中間層２を形成した。この場合のＮｂ膜成膜時のスパッ
タ条件は、サンプルNo.５のＴａ膜と同様とした。ま
た、Ｓｉ膜成膜時のスパッタ条件は、サンプルNo.２の
Ｓｉ膜の場合と同様とした。 Sample No. 6 In the sample No. 5, an Nb film was formed to a thickness of 0.1 μm by RF sputtering using an Nb target in an Ar gas instead of the Ta film intermediate layer 1. Forming a layer 1 and further using a target of Si in Ar gas,
An intermediate layer 2 was formed by forming an Si film to a thickness of 0.3 μm by RF sputtering. The sputtering conditions for forming the Nb film in this case were the same as for the Ta film of Sample No. 5. The sputtering conditions for forming the Si film were the same as those for the sample No. 2 Si film.
【００４７】サンプルNo.７ サンプルNo.５において、Ｔａ膜の中間層１のかわり
に、Ａｒガス中でＶのターゲットを用い、ＲＦスパッタ
法によりＮｂ膜を０．１μm 厚に成膜して中間層１を形
成し、さらにＡｒガス中でＳｉのターゲットを用い、Ｒ
Ｆスパッタ法によりＳｉ膜を０．３μm 厚に成膜して中
間層２を形成した。この場合のＶ膜成膜時のスパッタ条
件は、サンプルNo.５のＴａ膜と同様とした。また、Ｓ
ｉ膜成膜時のスパッタ条件は、サンプルNo.２のＳｉ膜
の場合と同様とした。 Sample No. 7 In Sample No. 5, an Nb film was formed to a thickness of 0.1 μm by RF sputtering using a V target in Ar gas in place of the intermediate layer 1 of Ta film. Layer 1 is formed, and a target of Si in Ar gas is
An intermediate layer 2 was formed by forming a Si film to a thickness of 0.3 μm by the F sputtering method. The sputtering conditions for forming the V film in this case were the same as those of the sample No. 5 Ta film. Also, S
The sputtering conditions at the time of forming the i-film were the same as those for the sample No. 2 Si film.
【００４８】サンプルNo.８ サンプルNo.５において、Ｔａ膜とＳｉ膜の成膜順を逆
にした。この場合の成膜条件は、成膜順を逆にするほか
は同様とした。 Sample No. 8 In Sample No. 5, the order of forming the Ta film and the Si film was reversed. The film forming conditions in this case were the same except that the film forming order was reversed.
【００４９】サンプルNo.９ サンプルNo.５において、Ｔａ膜の中間層１のかわり
に、Ａｒガス中でＣｒのターゲットを用い、ＲＦスパッ
タ法によりＣｒ膜を０．１μm 厚に成膜して中間層１を
形成し、さらにＡｒガス中でＳｉのターゲットを用い、
ＲＦスパッタ法によりＳｉ膜を０．３μm 厚に成膜して
中間層２を形成した。この場合のＣｒ膜成膜時のスパッ
タ条件は、サンプルNo.５のＴａ膜と同様とした。ま
た、Ｓｉ膜成膜時のスパッタ条件は、サンプルNo.２の
Ｓｉ膜の場合と同様とした。 Sample No. 9 In Sample No. 5, a Cr film was formed to a thickness of 0.1 μm by RF sputtering using a Cr target in Ar gas instead of the intermediate layer 1 of Ta film. Forming a layer 1 and further using a target of Si in Ar gas,
An intermediate layer 2 was formed by forming an Si film to a thickness of 0.3 μm by RF sputtering. The sputtering conditions for forming the Cr film in this case were the same as those for the sample No. 5 Ta film. The sputtering conditions for forming the Si film were the same as those for the sample No. 2 Si film.
【００５０】なお、上記におけるＳｉ膜はいずれもＸ線
測定からアモルファス状態であることがわかった。The above-mentioned Si films were all found to be in an amorphous state by X-ray measurement.
【００５１】このようにして得られたＤＬＣ膜を被覆し
た各下パンチを図１の粉体成型金型に適用し、以下の耐
久性試験を行った。Each of the lower punches coated with the DLC film thus obtained was applied to the powder molding die shown in FIG. 1, and the following durability test was performed.
【００５２】（耐久性試験）粉体に平均粒子径５μm の
アルミナを用い、成型の圧力を５００Kgf/cm2とした。
ここでは、大気中のゴミを想定し、粉砕により平均粒子
径２０μm としたＳｉＯ2を、アルミナを投入する前に
ＤＬＣ膜を被覆した下パンチの成型面にふりかけて成型
を行った。成型後は、蹴り出し機で成形体を金型から取
り出した。このような操作を繰り返したが、毎ショット
ごとに下パンチ表面を目視で観察し、膜の剥離が最初に
認められたショット数を寿命とし、耐久性を評価した。
結果を表１に示す。(Durability Test) Alumina having an average particle diameter of 5 μm was used as the powder, and the molding pressure was set to 500 kgf / cm 2 .
Here, assuming dust in the atmosphere, SiO 2 having an average particle diameter of 20 μm by pulverization was sprinkled on the molding surface of the lower punch coated with the DLC film before the alumina was charged, and molded. After the molding, the molded body was removed from the mold with a kicking machine. Such operations were repeated, but the surface of the lower punch was visually observed for each shot, and the number of shots at which film peeling was first observed was regarded as the life, and the durability was evaluated.
Table 1 shows the results.
【００５３】[0053]
【表１】 [Table 1]
【００５４】表１より本発明の効果は明らかである。特
に、ＴａとＳｉの組合せにおいて長寿命となることがわ
かる。The effect of the present invention is clear from Table 1. In particular, it can be seen that the combination of Ta and Si has a long life.
【００５５】実施例２ 実施例１において、母材を工具鋼ＤＣ５３（大同特殊鋼
（株）製）にかえるほかは同様にして下パンチにＤＬＣ
膜を成膜して各サンプルを得、同様にして耐久性試験を
行った。この結果、用いたＤＬＣ膜構成に応じて、同様
の結果が得られた。このなかで、実施例１のサンプルN
o.１、No.５に準じたものをサンプルNo.１０、No.１１
として表１に併記する。Example 2 A lower punch was used in the same manner as in Example 1 except that the base material was changed to tool steel DC53 (manufactured by Daido Steel Co., Ltd.).
Each sample was obtained by forming a film, and a durability test was performed in the same manner. As a result, similar results were obtained depending on the DLC film configuration used. Among them, the sample N of Example 1
Samples No.10 and No.11 that conform to o.1 and No.5
Are also shown in Table 1.
【００５６】実施例３ 実施例１において、母材を工具鋼ＳＫＤ１１（ＪＩＳ）
にかえるほかは同様にして下パンチにＤＬＣ膜を成膜し
て各サンプルを得、同様にして耐久性試験を行った。こ
の結果、用いたＤＬＣ膜構成に応じて、同様の結果が得
られた。このなかで、実施例１のサンプルNo.１、No.５
に準じたものをサンプルNo.１２、No.１３として表１に
併記する。Example 3 In Example 1, the base material was tool steel SKD11 (JIS).
Except for the replacement, a DLC film was formed on the lower punch in the same manner to obtain each sample, and a durability test was performed in the same manner. As a result, similar results were obtained depending on the DLC film configuration used. Among them, sample Nos. 1 and 5 of Example 1
Samples No. 12 and No. 13 are also shown in Table 1 according to the above.
【００５７】実施例４ 実施例１において、母材を超硬合金Ｍ６３Ｓ（住友電気
工業（株）製）にかえるほかは同様にして下パンチにＤ
ＬＣ膜を成膜して各サンプルを得、同様にして耐久性試
験を行った。この結果、用いたＤＬＣ膜構成に応じて、
同様の結果が得られた。このなかで、実施例１のサンプ
ルNo.１、No.５に準じたものをサンプルNo.１４、No.１
５として表１に併記する。Example 4 A lower punch was prepared in the same manner as in Example 1 except that the base metal was changed to cemented carbide M63S (manufactured by Sumitomo Electric Industries, Ltd.).
Each sample was obtained by forming an LC film, and a durability test was performed in the same manner. As a result, depending on the DLC film configuration used,
Similar results were obtained. Among them, those according to the samples No. 1 and No. 5 of the example 1 were sample No. 14 and No. 1
Table 5 is also shown in Table 1.
【００５８】[0058]
【発明の効果】本発明によれば、ＤＬＣ膜を被覆した部
材の寿命を長くすることができる。According to the present invention, the life of the member coated with the DLC film can be extended.
【図１】実施例１に用いた粉体成型金型の構成を模式的
に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a powder molding die used in Example 1.
１ 粉体成型金型 １１ ダイ １２ 上パンチ １３ 下パンチ １２ａ、１３ａ 表面保護膜 １４ 粉体 １５ 成型体 １６ 蹴り出し機 REFERENCE SIGNS LIST 1 powder molding die 11 die 12 upper punch 13 lower punch 12a, 13a surface protective film 14 powder 15 molded body 16 kicking machine
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E092 AA05 AA09 GA10 4F100 AA37B AB01C AB11D AB33C AB33D AT00A BA04 BA07 BA10A BA10B EH66 EH662 GB90 JK09 JL00 4K029 BA02 BA16 BA17 BA34 BA35 BB02 BC02 BD05 CA03 CA05 DC03 4K030 AA06 AA09 AA10 BA17 BA28 BA29 BA56 BB12 CA02 FA01 HA04 LA01 LA21 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on front page F term (reference) 4E092 AA05 AA09 GA10 4F100 AA37B AB01C AB11D AB33C AB33D AT00A BA04 BA07 BA10A BA10B EH66 EH662 GB90 JK09 JL00 4K029 BA02 BA16 BA17 BA34 BA35 BB02 BC02 BD05 CA03 AA03 BA29 BA56 BB12 CA02 FA01 HA04 LA01 LA21
Claims (2)
た部材であって、母材上に周期表第５Ａ族（５族）金属
から選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属膜を有
し、この金属膜上にＳｉを主成分とするＳｉ膜を有し、
このＳｉ膜上にダイヤモンド状炭素膜を有するダイヤモ
ンド状炭素膜を被覆した部材。1. A member in which a base material is coated with a diamond-like carbon film, and the base material has a metal film mainly composed of at least one member selected from Group 5A (Group 5) metals of the periodic table. And having a Si film containing Si as a main component on the metal film,
A member in which a diamond-like carbon film having a diamond-like carbon film is coated on this Si film.
である請求項１のダイヤモンド状炭素膜を被覆した部
材。2. The member coated with a diamond-like carbon film according to claim 1, wherein said metal film is a Ta film containing Ta as a main component.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37544598A JP2000178737A (en) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | Member coated with diamond-like carbon film |
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|---|---|---|---|
| JP37544598A JP2000178737A (en) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | Member coated with diamond-like carbon film |
Publications (1)
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|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP2000178737A (en) |
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1998
- 1998-12-15 JP JP37544598A patent/JP2000178737A/en active Pending
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