JP2000178613A - 粉体製造装置 - Google Patents
粉体製造装置Info
- Publication number
- JP2000178613A JP2000178613A JP10376033A JP37603398A JP2000178613A JP 2000178613 A JP2000178613 A JP 2000178613A JP 10376033 A JP10376033 A JP 10376033A JP 37603398 A JP37603398 A JP 37603398A JP 2000178613 A JP2000178613 A JP 2000178613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- tank
- heating
- vapor
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 不純物混入が極めて少なく、かつ粒径の揃っ
た粉体作製を効率的に行う粉体製造装置を得る。 【解決手段】 スパッタ槽１８によって、固体材料１７
の蒸気を発生させ、前記蒸気をＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、
Ｏｓのいずれか１つの材料を２０ａｔ.％以上を含む材
質からなる加熱槽、および可変スリット、および加熱逆
止弁、加熱槽に隣接する陽圧ガス層領域、および拡散急
冷するための冷却槽に順次通過させて粉体とする。
た粉体作製を効率的に行う粉体製造装置を得る。 【解決手段】 スパッタ槽１８によって、固体材料１７
の蒸気を発生させ、前記蒸気をＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、
Ｏｓのいずれか１つの材料を２０ａｔ.％以上を含む材
質からなる加熱槽、および可変スリット、および加熱逆
止弁、加熱槽に隣接する陽圧ガス層領域、および拡散急
冷するための冷却槽に順次通過させて粉体とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体材料から、高
純度・等粒径の粉体を製造する粉体製造装置に関する。
純度・等粒径の粉体を製造する粉体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体材料の粉末化は、以下の２つ
の場合について行われてきた。１つは、固体材料が強磁
性体・反強磁性体の場合であり、もう１つは固体材料が
非磁性体の場合である。前者は、非磁性の鑢又は剛球の
衝突と摩擦によって粉砕し、後者は磁性体の鑢又は剛球
の衝突と摩擦によって粉砕する。いずれの場合も、不活
性ガス雰囲気中で作製され、粒径を揃えるために、ふる
いにかけて加圧あるいは強い磁気によって分離する。更
に、粒径を整えるために、溶液中の降下速度で分離する
場合がある。
の場合について行われてきた。１つは、固体材料が強磁
性体・反強磁性体の場合であり、もう１つは固体材料が
非磁性体の場合である。前者は、非磁性の鑢又は剛球の
衝突と摩擦によって粉砕し、後者は磁性体の鑢又は剛球
の衝突と摩擦によって粉砕する。いずれの場合も、不活
性ガス雰囲気中で作製され、粒径を揃えるために、ふる
いにかけて加圧あるいは強い磁気によって分離する。更
に、粒径を整えるために、溶液中の降下速度で分離する
場合がある。
【０００３】図２は、従来の粉体製造装置の例であり、
焼きなました剛板ケースの中に剛球が入っており、モー
タの振動によって試料と剛球とが衝突・摩擦によって粉
砕される。ケースの中には、反応防止の不活性ガスを導
入する。
焼きなました剛板ケースの中に剛球が入っており、モー
タの振動によって試料と剛球とが衝突・摩擦によって粉
砕される。ケースの中には、反応防止の不活性ガスを導
入する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術は、研磨時
の不純物分離が困難であり、微小粉体の作製効率が非常
に悪く、固体材料が脆い場合には対応できるが、粘りが
ある場合は粉末化が困難である。
の不純物分離が困難であり、微小粉体の作製効率が非常
に悪く、固体材料が脆い場合には対応できるが、粘りが
ある場合は粉末化が困難である。
【０００５】本発明は、粉体製造時の不純物混入を極め
て少なく、かつ粒径の揃った粉体の作製を効率的に行う
粉体製造装置を提供するものである。
て少なく、かつ粒径の揃った粉体の作製を効率的に行う
粉体製造装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、固体材
料から発生させた蒸気を、後工程によって、前記材料の
粉体とする粉体製造装置であって、スパッタ槽によって
発生させた固体材料の蒸気をＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏ
ｓのいずれか１つの材料を２０ａｔ.％以上を含む材質
からなる加熱槽、加熱逆止弁、および可変スリットを順
次、通過させ、さらに、陽圧ガス層領域、および拡散急
冷するための冷却槽を通過させて粉体とする粉体製造装
置である。
料から発生させた蒸気を、後工程によって、前記材料の
粉体とする粉体製造装置であって、スパッタ槽によって
発生させた固体材料の蒸気をＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏ
ｓのいずれか１つの材料を２０ａｔ.％以上を含む材質
からなる加熱槽、加熱逆止弁、および可変スリットを順
次、通過させ、さらに、陽圧ガス層領域、および拡散急
冷するための冷却槽を通過させて粉体とする粉体製造装
置である。
【０００７】また、本発明は、前記可変スリットを３枚
以上の羽根から成り、羽根の移動により内寸法を可変と
する機構を設けた粉体製造装置である。
以上の羽根から成り、羽根の移動により内寸法を可変と
する機構を設けた粉体製造装置である。
【０００８】また、本発明は、前記スパッタ槽、加熱
槽、冷却槽間の連結バルブの開閉タイミングは設定した
プログラムによって行う粉体製造装置である。
槽、冷却槽間の連結バルブの開閉タイミングは設定した
プログラムによって行う粉体製造装置である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。
する。
【００１０】図１は、本発明の実施の形態であり、１次
真空エリアでスパッタリングされた固体材料１７は、図
２のフローチャートのタイミングで２次真空エリア内の
加熱槽１９（前記固体試料の融点の１.５倍以上に保温
される槽）に送られる。
真空エリアでスパッタリングされた固体材料１７は、図
２のフローチャートのタイミングで２次真空エリア内の
加熱槽１９（前記固体試料の融点の１.５倍以上に保温
される槽）に送られる。
【００１１】前記試料蒸気は、加熱槽１９へ流入する搬
送用陽圧ガスによって前記加熱槽１９と同温度に加熱さ
れた加熱逆止弁２４、及び可変スリット２５を蒸着する
ことなく通過し、冷却槽２６で拡散冷却される（Bernou
lliの定理に従う）。５０℃以下の冷却槽２６と加熱槽
１９との接合部は、１２００℃以下に冷却し、加熱槽１
９と冷却槽２６の真空度により、搬送用のレギュレータ
圧力とスリット幅を選択する。
送用陽圧ガスによって前記加熱槽１９と同温度に加熱さ
れた加熱逆止弁２４、及び可変スリット２５を蒸着する
ことなく通過し、冷却槽２６で拡散冷却される（Bernou
lliの定理に従う）。５０℃以下の冷却槽２６と加熱槽
１９との接合部は、１２００℃以下に冷却し、加熱槽１
９と冷却槽２６の真空度により、搬送用のレギュレータ
圧力とスリット幅を選択する。
【００１２】なお、加熱槽の加熱逆止弁２４は、冷却槽
２６側程、細くなる構造で、先端は０.０１ｍｍ以上で
ある。
２６側程、細くなる構造で、先端は０.０１ｍｍ以上で
ある。
【００１３】本装置は、スパッタ槽１６において固体試
料１７をスパッタ法で励起し、試料蒸気を生成後、加熱
槽１９に導入し、陽圧ガスを流入させることによって、
加熱逆止弁２４、可変スリット２５を通過させ、蒸着す
ることなく拡散急冷することができる。
料１７をスパッタ法で励起し、試料蒸気を生成後、加熱
槽１９に導入し、陽圧ガスを流入させることによって、
加熱逆止弁２４、可変スリット２５を通過させ、蒸着す
ることなく拡散急冷することができる。
【００１４】また、耐熱性の可変スリット２５は、３枚
の羽根２５ａ，２５ｂ，２５ｃで可変構造にすること
で、粉体粒径を制御可能である（図３）。さらに、スパ
ッタ槽１６、加熱槽１９、冷却槽２６間の連結バルブに
開閉タイミングを設けることにより、連続的に粉体作製
が可能である。
の羽根２５ａ，２５ｂ，２５ｃで可変構造にすること
で、粉体粒径を制御可能である（図３）。さらに、スパ
ッタ槽１６、加熱槽１９、冷却槽２６間の連結バルブに
開閉タイミングを設けることにより、連続的に粉体作製
が可能である。
【００１５】本発明により、従来の方法では一般的に粉
体化しにくかった高融点材料の粉体作製が可能となり、
かつ粉末作製次の不純物混入が極めて少なく、粒径の均
一性も非常に高く、連続的に粉末作製可能である高精度
高性能な粉末作製装置が得られた。
体化しにくかった高融点材料の粉体作製が可能となり、
かつ粉末作製次の不純物混入が極めて少なく、粒径の均
一性も非常に高く、連続的に粉末作製可能である高精度
高性能な粉末作製装置が得られた。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、粉体製造時の不純物混
入を極めて少なく、かつ粒径の揃った粉体の作製を効率
的に行う粉体製造装置を提供できるものである。
入を極めて少なく、かつ粒径の揃った粉体の作製を効率
的に行う粉体製造装置を提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態による粉体製造装置の断面略
図。
図。
【図２】本発明装置の各バルブ開閉タイミングを示すフ
ローチャート。
ローチャート。
【図３】本発明装置内のスリット部の略図。
【図４】従来方法に於ける粉体製造装置の断面略図。
１〜１５ バルブ １６ スパッタ層 １７、３８ 固体材料 １８ 蒸発槽 １９ 加熱槽 ２０、２１ ガスボンベ ４０ 不活性ガスボンベ ２２、２３、４１ レギュレータ ２４ 加熱逆止弁 ２５ 可変スリット ２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ 羽根 ２６ 冷却槽 ２７〜３０ クライオポンプ ３１〜３３ ロータリーポンプ ３４ ヒーター ３５ 陽圧ガス層領域 ３６ 剛板ケース ３７ 剛球 ３９ 振動用モータ
Claims (3)
- 【請求項１】 固体材料から発生させた蒸気を、後工程
によって、前記材料の粉体とする粉体製造装置であっ
て、スパッタ槽によって発生させた固体材料の蒸気をＭ
ｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓのいずれか１つの材料を２０
ａｔ.％以上を含む材質からなる加熱槽、加熱逆止弁、
および可変スリットを順次、通過させ、さらに、陽圧ガ
ス層領域、および拡散急冷するための冷却槽を通過させ
て粉体とすることを特徴とする粉体製造装置。 - 【請求項２】 前記可変スリットは３枚以上の羽根から
成り、羽根の移動により内寸法を可変とする機構を設け
たことを特徴とする請求項１記載の粉体製造装置。 - 【請求項３】 前記スパッタ槽、加熱槽、冷却槽間の連
結バルブの開閉タイミングは、設定したプログラムによ
って行うことを特徴とする請求項１または２記載の粉体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10376033A JP2000178613A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 粉体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10376033A JP2000178613A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 粉体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000178613A true JP2000178613A (ja) | 2000-06-27 |
Family
ID=18506468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10376033A Pending JP2000178613A (ja) | 1998-12-18 | 1998-12-18 | 粉体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000178613A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010099547A (ko) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | 허승헌 | 나노미터크기의 금속, 비금속, 합금 입자 제조장치 및제조 방법 |
| US7367999B2 (en) * | 2001-07-27 | 2008-05-06 | Fujifilm Corporation | Ultrafine particles and method and apparatus for producing the same |
| WO2016021205A1 (en) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation | Gas phase synthesis of stable soft magnetic alloy nanoparticles |
-
1998
- 1998-12-18 JP JP10376033A patent/JP2000178613A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010099547A (ko) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | 허승헌 | 나노미터크기의 금속, 비금속, 합금 입자 제조장치 및제조 방법 |
| US7367999B2 (en) * | 2001-07-27 | 2008-05-06 | Fujifilm Corporation | Ultrafine particles and method and apparatus for producing the same |
| WO2016021205A1 (en) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation | Gas phase synthesis of stable soft magnetic alloy nanoparticles |
| US10213836B2 (en) | 2014-08-07 | 2019-02-26 | Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation | Gas phase synthesis of stable soft magnetic alloy nanoparticles |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6759005B2 (en) | Fabrication of B/C/N/O/Si doped sputtering targets | |
| EP3467142B1 (en) | Sputtering target and production method therefor | |
| EP2025768A1 (en) | Ultra-high purity NiPt alloys and sputtering targets comprising same | |
| US20020106297A1 (en) | Co-base target and method of producing the same | |
| JP5969120B2 (ja) | 磁性薄膜形成用スパッタリングターゲット | |
| TWI685581B (zh) | 磁性材濺鍍靶及其製造方法 | |
| JP6943762B2 (ja) | スパッタリング標的 | |
| JP5041261B2 (ja) | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| WO2013108520A1 (ja) | Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP4810360B2 (ja) | 磁性薄膜 | |
| JP2008078496A (ja) | 酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2000178613A (ja) | 粉体製造装置 | |
| JPS61139637A (ja) | スパツタ用タ−ゲツトとその製造方法 | |
| JP2003225743A (ja) | 箔の製造方法及びその装置 | |
| CN109880985B (zh) | 软磁材料的制造方法 | |
| JPS6270550A (ja) | タ−ゲツト材 | |
| WO2006080103A1 (ja) | 高性能材料およびその製造方法 | |
| JPWO2018123500A1 (ja) | 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP5946922B2 (ja) | 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット | |
| CN105986138A (zh) | 一种制备超高纯镍铂合金靶材的方法 | |
| JP2003171760A (ja) | タングステンスパッタリングターゲット | |
| JP2004002938A (ja) | スパッタリングまたはイオンプレーティング用ターゲット材及びその製造方法 | |
| JP2005303326A (ja) | ＭｎＳｉ１．７系熱電材料 | |
| JP6631029B2 (ja) | 永久磁石、及び、それを備えた回転機 | |
| He et al. | Development of Precious Metal and its Alloy Sputtering Targets with High Performance |