JP2000174170A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2000174170A JP2000174170A JP34437898A JP34437898A JP2000174170A JP 2000174170 A JP2000174170 A JP 2000174170A JP 34437898 A JP34437898 A JP 34437898A JP 34437898 A JP34437898 A JP 34437898A JP 2000174170 A JP2000174170 A JP 2000174170A
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- substrate
- resin layer
- resin
- semiconductor device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップ上方の樹脂表面に樹脂上面に凹
部を形成することにより、樹脂端部の跳ね上がりが無い
半導体装置を提供する。 【解決手段】 フレキシブルシートからなる基板10に
半導体チップ11を固着し、基板10表面の配線層14
と電極パッド18とをワイヤ19で接続し、基板10上
部に樹脂層12を形成して半導体装置11を封止する。
半導体チップ11上方の樹脂層12に、樹脂層12の膜
厚を減じる凹部12aを形成する。凹部12aの端21
と半導体チップ11の端22とは概略一致する。
部を形成することにより、樹脂端部の跳ね上がりが無い
半導体装置を提供する。 【解決手段】 フレキシブルシートからなる基板10に
半導体チップ11を固着し、基板10表面の配線層14
と電極パッド18とをワイヤ19で接続し、基板10上
部に樹脂層12を形成して半導体装置11を封止する。
半導体チップ11上方の樹脂層12に、樹脂層12の膜
厚を減じる凹部12aを形成する。凹部12aの端21
と半導体チップ11の端22とは概略一致する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特にBGA(Ball Grid Array)を
採用したCSP(Chip Size/Scale P
ackage)に関するものである。
し、特にBGA(Ball Grid Array)を
採用したCSP(Chip Size/Scale P
ackage)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ICパッケージは携帯機器や小型
・高密度実装機器への採用が進み、従来のICパッケー
ジとその実装概念が大きく変わろうとしている。詳細
は、例えば電子材料(1998年9月号22頁〜)の特
集「CSP技術とそれを支える実装材料・装置」で述べ
られている。
・高密度実装機器への採用が進み、従来のICパッケー
ジとその実装概念が大きく変わろうとしている。詳細
は、例えば電子材料(1998年9月号22頁〜)の特
集「CSP技術とそれを支える実装材料・装置」で述べ
られている。
【0003】図4は、ポリイミド系のフレキシブルシー
トを基板1として採用するもので、この基板1の上に
は、接着剤を介して銅箔パターン(図示せず)が貼り合
わされている。この銅箔パターンの一部には、半導体チ
ップ2が固着され、この半導体チップを取り囲む周囲の
基板1表面には銅箔パターンによってボンディング用パ
ッドが形成されている。このボンディング用パッドはこ
れと一体形成される配線を介して接続用パッドに接続さ
れ、該接続用パッドの下には基板1にあけられた貫通穴
を介して半田ボール3が固着されている。基板1の上部
は、半導体チップ2の周囲を封止樹脂層4によって被覆
されている。
トを基板1として採用するもので、この基板1の上に
は、接着剤を介して銅箔パターン(図示せず)が貼り合
わされている。この銅箔パターンの一部には、半導体チ
ップ2が固着され、この半導体チップを取り囲む周囲の
基板1表面には銅箔パターンによってボンディング用パ
ッドが形成されている。このボンディング用パッドはこ
れと一体形成される配線を介して接続用パッドに接続さ
れ、該接続用パッドの下には基板1にあけられた貫通穴
を介して半田ボール3が固着されている。基板1の上部
は、半導体チップ2の周囲を封止樹脂層4によって被覆
されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図4において、樹脂層
4は熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールド工程
によって形成される。この時の処理温度は、エポキシ系
樹脂のガラス転移点(110℃)を越える170〜21
0℃であり、この温度での線膨張係数は30ppm/℃
にも達する。これに対して、半導体チップ2のシリコン
の線膨張係数は3ppm/℃程度と小さい。つまり、前
記処理温度から常温に冷却するまでの間に、樹脂層4は
大幅に収縮するが、半導体チップ2は殆ど収縮しないと
いうことになる。
4は熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールド工程
によって形成される。この時の処理温度は、エポキシ系
樹脂のガラス転移点(110℃)を越える170〜21
0℃であり、この温度での線膨張係数は30ppm/℃
にも達する。これに対して、半導体チップ2のシリコン
の線膨張係数は3ppm/℃程度と小さい。つまり、前
記処理温度から常温に冷却するまでの間に、樹脂層4は
大幅に収縮するが、半導体チップ2は殆ど収縮しないと
いうことになる。
【0005】これらの収縮の差により、半導体チップ2
上方の樹脂層4には図示矢印のような収縮力5が働き、
半導体チップ2の端を支点とするようにして、周囲の樹
脂層4には図示矢印6のような応力が働く。従って、冷
却後には基板1の端部が持ち上がり、外形寸法に変化を
もたらす。例えば、宇部興産社製ユーピレックス−S
(商品名)という膜厚15μmのポリイミド系シートを
20mm×20mmの大きさに形成し、この上にチップ
サイズが11mm×11mmの半導体チップを固着し、
樹脂層4として日立化成社製CEL9200(商品名)
という熱硬化性樹脂を膜厚600μmで被着したとき
は、基板1端部の持ち上がり量(図4:符号t1)が大
体100μ〜120μmに達することが判ってきた。
上方の樹脂層4には図示矢印のような収縮力5が働き、
半導体チップ2の端を支点とするようにして、周囲の樹
脂層4には図示矢印6のような応力が働く。従って、冷
却後には基板1の端部が持ち上がり、外形寸法に変化を
もたらす。例えば、宇部興産社製ユーピレックス−S
(商品名)という膜厚15μmのポリイミド系シートを
20mm×20mmの大きさに形成し、この上にチップ
サイズが11mm×11mmの半導体チップを固着し、
樹脂層4として日立化成社製CEL9200(商品名)
という熱硬化性樹脂を膜厚600μmで被着したとき
は、基板1端部の持ち上がり量(図4:符号t1)が大
体100μ〜120μmに達することが判ってきた。
【0006】この様に基板1端部での持ち上がりがある
と、基板1の水平が維持できなくなり、半田ボール3を
用いて実装基板に実装する際に予期せぬトラブルを生じ
ることがある。
と、基板1の水平が維持できなくなり、半田ボール3を
用いて実装基板に実装する際に予期せぬトラブルを生じ
ることがある。
【0007】また、樹脂層4の膜厚600μmに対して
100μmもの持ち上がりがあると、樹脂層4の端部の
高さが高くなり、半導体装置をプリント基板上に実装し
たときの実装高さ(図4:符号t2)が高くなる。現在
の軽薄短小化の方向にあっては、この様な高さt2の増
大は許されるものではなく、時として規格外になるとい
う危険性をはらんでいる。尚、持ち上がり量t1は、半
導体チップ2下部の基板1裏面表面を基準として測定し
ている。
100μmもの持ち上がりがあると、樹脂層4の端部の
高さが高くなり、半導体装置をプリント基板上に実装し
たときの実装高さ(図4:符号t2)が高くなる。現在
の軽薄短小化の方向にあっては、この様な高さt2の増
大は許されるものではなく、時として規格外になるとい
う危険性をはらんでいる。尚、持ち上がり量t1は、半
導体チップ2下部の基板1裏面表面を基準として測定し
ている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みてなされ、フレキシブルシート上に半導体チップを
搭載し、前記半導体チップ周囲を被覆しつつ、前記フレ
キシブルシートの上部に樹脂層を形成した半導体装置に
おいて、前記半導体チップ上部の樹脂層の膜厚が、部分
的に減じられていることを特徴とするものである。
鑑みてなされ、フレキシブルシート上に半導体チップを
搭載し、前記半導体チップ周囲を被覆しつつ、前記フレ
キシブルシートの上部に樹脂層を形成した半導体装置に
おいて、前記半導体チップ上部の樹脂層の膜厚が、部分
的に減じられていることを特徴とするものである。
【0009】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を、図
1〜図3を参照しながら詳細に説明する。
1〜図3を参照しながら詳細に説明する。
【0010】図1は、本発明による半導体装置を示す断
面図であり、図2はその斜視図である。この装置は、基
板10の上に半導体チップ11を固着し、固着した半導
体チップ11の周囲を樹脂層12で被覆し、基板10の
裏面側にボールバンプ13を形成したものである。
面図であり、図2はその斜視図である。この装置は、基
板10の上に半導体チップ11を固着し、固着した半導
体チップ11の周囲を樹脂層12で被覆し、基板10の
裏面側にボールバンプ13を形成したものである。
【0011】基板10は、膜厚15μmのポリイミド樹
脂系フレキシブルシートからなり、その表面にはエポキ
シ系やアクリル系の接着剤によって金属パターンが貼り
つけられている。金属パターンは、銅箔12μmからな
り、その上に電解メッキ法によってNiメッキ層1μ
m、Au層0.3μmを順次積層し、エッチングして所
望のパターンに描画したものである。
脂系フレキシブルシートからなり、その表面にはエポキ
シ系やアクリル系の接着剤によって金属パターンが貼り
つけられている。金属パターンは、銅箔12μmからな
り、その上に電解メッキ法によってNiメッキ層1μ
m、Au層0.3μmを順次積層し、エッチングして所
望のパターンに描画したものである。
【0012】金属パターンは、外部接続を行うための配
線部14と、半導体チップ11を固着するためのランド
部15とを形成する。配線部15の特定箇所の下には、
フレシキブルシートを貫通するスルーホールが設けられ
ており、スルーホール内部に露出する配線部15の裏面
側に、半田ボール13が接続されている。スルーホール
は半導体チップ11の電極数に相当する数だけ設けられ
ている。ランド部14には、絶縁ペーストなどの接着剤
16によって半導体チップ11が固定される。ランド部
15は半導体チップ11のチップサイズに比べて小さな
面積で形成されており、半導体チップ11の外周部分は
配線部14の上を被覆し、両者は絶縁層17によって電
気的絶縁が保たれている。
線部14と、半導体チップ11を固着するためのランド
部15とを形成する。配線部15の特定箇所の下には、
フレシキブルシートを貫通するスルーホールが設けられ
ており、スルーホール内部に露出する配線部15の裏面
側に、半田ボール13が接続されている。スルーホール
は半導体チップ11の電極数に相当する数だけ設けられ
ている。ランド部14には、絶縁ペーストなどの接着剤
16によって半導体チップ11が固定される。ランド部
15は半導体チップ11のチップサイズに比べて小さな
面積で形成されており、半導体チップ11の外周部分は
配線部14の上を被覆し、両者は絶縁層17によって電
気的絶縁が保たれている。
【0013】半導体チップ11と配線部14とは、半導
体チップ11の表面に形成した電極パッド18と配線部
14とをワイヤ19でワイヤボンディングすることによ
り電気接続される。ワイヤ19は、そのループ高さの最
も高い位置20が、半導体チップ11の外周端部の上部
に位置するような軌跡を描いている。そして、基板10
の上を膜厚約600μmの樹脂層12で被覆し、半導体
チップ11を封止すると共にパッケージ外形を成形す
る。封止にはトランスファーモールド手法を用い、基板
10の裏面側は露出する。
体チップ11の表面に形成した電極パッド18と配線部
14とをワイヤ19でワイヤボンディングすることによ
り電気接続される。ワイヤ19は、そのループ高さの最
も高い位置20が、半導体チップ11の外周端部の上部
に位置するような軌跡を描いている。そして、基板10
の上を膜厚約600μmの樹脂層12で被覆し、半導体
チップ11を封止すると共にパッケージ外形を成形す
る。封止にはトランスファーモールド手法を用い、基板
10の裏面側は露出する。
【0014】該トランスファーモールド工程において、
樹脂層12の上面は、半導体チップ11の上方を部分的
に窪ませて凹部12aを形成している。凹部12aの底
部は平坦な水平面で構成され、底面と周囲とは傾斜した
平坦面で連続している。凹部12aは、半導体チップ1
1のチップサイズと同等の面積で形成され、パッケージ
を上方から目視したときに、凹部12aの端21と半導
体チップ11の端22とは概略一致するか、又は凹部1
2aの方が少し小さく形成されている。すなわち、半導
体チップ11のチップ面積が11mm×11mmであれ
ば、凹部12aも大略11mm×11mmの大きさで形
成され、半導体チップ11を投影するようにその直上に
形成する。半導体チップ端22と凹部の端21との距離
は、半導体チップ11のチップサイズの20%程度以内
に納めるのが望ましい。また、底面の端23は、ボンデ
ィングワイヤ19との干渉を避けるように、ボンディン
グパッド18よりも内側に位置することが望ましい。凹
部12aは、樹脂表面からの掘り下げ量t3を100〜
300μmとして、半導体チップ11上の樹脂の残り膜
厚を30〜150μmにまで減少させる。
樹脂層12の上面は、半導体チップ11の上方を部分的
に窪ませて凹部12aを形成している。凹部12aの底
部は平坦な水平面で構成され、底面と周囲とは傾斜した
平坦面で連続している。凹部12aは、半導体チップ1
1のチップサイズと同等の面積で形成され、パッケージ
を上方から目視したときに、凹部12aの端21と半導
体チップ11の端22とは概略一致するか、又は凹部1
2aの方が少し小さく形成されている。すなわち、半導
体チップ11のチップ面積が11mm×11mmであれ
ば、凹部12aも大略11mm×11mmの大きさで形
成され、半導体チップ11を投影するようにその直上に
形成する。半導体チップ端22と凹部の端21との距離
は、半導体チップ11のチップサイズの20%程度以内
に納めるのが望ましい。また、底面の端23は、ボンデ
ィングワイヤ19との干渉を避けるように、ボンディン
グパッド18よりも内側に位置することが望ましい。凹
部12aは、樹脂表面からの掘り下げ量t3を100〜
300μmとして、半導体チップ11上の樹脂の残り膜
厚を30〜150μmにまで減少させる。
【0015】この様に樹脂層12の上面に凹部12bを
形成することにより、半導体チップ11の上部に存在す
る樹脂の量を減少することができる。樹脂の収縮力は樹
脂の量に比例するので、樹脂の量を少なくすることによ
って収縮力を緩和し、湾曲の度合いを減少することがで
きる。
形成することにより、半導体チップ11の上部に存在す
る樹脂の量を減少することができる。樹脂の収縮力は樹
脂の量に比例するので、樹脂の量を少なくすることによ
って収縮力を緩和し、湾曲の度合いを減少することがで
きる。
【0016】図3を参照して、半導体チップ11上方の
樹脂の残り膜厚が少なくなったことにより、この部分で
の樹脂の収縮力5はきわめて小さくなる。従って、従来
の応力6も極めて小さくなって、基板10周端部が持ち
上がる減少を回避できる。
樹脂の残り膜厚が少なくなったことにより、この部分で
の樹脂の収縮力5はきわめて小さくなる。従って、従来
の応力6も極めて小さくなって、基板10周端部が持ち
上がる減少を回避できる。
【0017】この時、ワイヤ19の最も高い位置20を
半導体チップ11の端部22の上方とし、且つ凹部12
a底面の端23をボンディングパッド18の内側に位置
させることによって、チップ全体の高さt4を増大する
ことなく樹脂の量だけを減じることができる。例えば、
先に課題の欄で述べた一例と同じ構成で、掘り下げ量t
3を100μmとしたときの本願による製品は、基板1
0端部での持ち上がり量t1を50μ程度に抑えること
が可能になった。
半導体チップ11の端部22の上方とし、且つ凹部12
a底面の端23をボンディングパッド18の内側に位置
させることによって、チップ全体の高さt4を増大する
ことなく樹脂の量だけを減じることができる。例えば、
先に課題の欄で述べた一例と同じ構成で、掘り下げ量t
3を100μmとしたときの本願による製品は、基板1
0端部での持ち上がり量t1を50μ程度に抑えること
が可能になった。
【0018】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明によれば、
半導体チップ11上部の樹脂層12の膜厚を部分的に薄
くすることによって、基板10周端部での持ち上がり量
t1を大幅に減じることができる利点を有する。従っ
て、外形寸法の変形が少なく、実装時における実装高さ
の変化がない半導体装置を提供できる利点を有する。
半導体チップ11上部の樹脂層12の膜厚を部分的に薄
くすることによって、基板10周端部での持ち上がり量
t1を大幅に減じることができる利点を有する。従っ
て、外形寸法の変形が少なく、実装時における実装高さ
の変化がない半導体装置を提供できる利点を有する。
【図1】本発明を説明するための断面図である。
【図2】本発明を説明するための斜視図である。
【図3】本発明を説明するための断面図である。
【図4】従来の半導体装置を説明するための断面図であ
る。
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武 俊之 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 Fターム(参考) 4M109 AA01 BA04 BA05 CA21 DA08
Claims (3)
- 【請求項1】 フレキシブルシート上に半導体チップを
搭載し、前記半導体チップ周囲を被覆しつつ、前記フレ
キシブルシートの上部に樹脂層を形成した半導体装置に
おいて、 前記半導体チップ上部の樹脂層の膜厚が、部分的に減じ
られていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記フレキシブルシートの裏面側に外部
接続端子としてのボールバンプを具備することを特徴と
する請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記部分的に膜厚が減じられている部分
と膜厚が減じられていない部分との境界が、前記半導体
チップの端部とほぼ一致するかあるいはそれよりも内側
に位置することを特徴とする請求項1記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34437898A JP2000174170A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34437898A JP2000174170A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000174170A true JP2000174170A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18368789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34437898A Pending JP2000174170A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000174170A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129584A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び通信方法 |
JP2012174912A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014039063A (ja) * | 2013-10-28 | 2014-02-27 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び電子装置 |
JP2016219844A (ja) * | 2016-09-07 | 2016-12-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び電子装置 |
US11855049B2 (en) | 2020-05-28 | 2023-12-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1998
- 1998-12-03 JP JP34437898A patent/JP2000174170A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129584A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び通信方法 |
US8810021B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-08-19 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device including a recess formed above a semiconductor chip |
JP2012174912A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014039063A (ja) * | 2013-10-28 | 2014-02-27 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び電子装置 |
JP2016219844A (ja) * | 2016-09-07 | 2016-12-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び電子装置 |
US11855049B2 (en) | 2020-05-28 | 2023-12-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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