JP2000173020A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JP2000173020A JP2000173020A JP10341344A JP34134498A JP2000173020A JP 2000173020 A JP2000173020 A JP 2000173020A JP 10341344 A JP10341344 A JP 10341344A JP 34134498 A JP34134498 A JP 34134498A JP 2000173020 A JP2000173020 A JP 2000173020A
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- ferromagnetic film
- ferromagnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】バルクハウゼンノイズがなく、信頼性の高い磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを提供するために、磁気抵抗効
果膜の軟磁気特性を良好にすることを目的とする。 【解決手段】磁気抵抗効果膜の磁化回転する強磁性膜
に、大きすぎる交換結合磁界を抑制し飽和磁束密度の小
さい強磁性膜を介して反強磁性膜を設け、磁化回転する
強磁性膜を全面的に磁区制御することにより達成され
る。
気抵抗効果型磁気ヘッドを提供するために、磁気抵抗効
果膜の軟磁気特性を良好にすることを目的とする。 【解決手段】磁気抵抗効果膜の磁化回転する強磁性膜
に、大きすぎる交換結合磁界を抑制し飽和磁束密度の小
さい強磁性膜を介して反強磁性膜を設け、磁化回転する
強磁性膜を全面的に磁区制御することにより達成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気媒体から情報
信号を読み取るための磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗
効果ヘッドに関するものである。
信号を読み取るための磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗
効果ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化に伴い高感度な再生
用ヘッドが求められており、その再生ヘッドとしては、
磁気抵抗効果（ＭＲ）を利用したＭＲヘッドから、２層
の強磁性膜を非磁性導電性膜で分離し、一方の強磁性膜
に反強磁性膜を隣接して磁化の方向を固定させ、もう一
方の強磁性膜が外部磁界により磁化反転し、２層の強磁
性膜の互いの磁化方向のなす角度によって高い磁気抵抗
変化が得られるスピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果（Ｇ
ＭＲ）ヘッドが注目されている。
用ヘッドが求められており、その再生ヘッドとしては、
磁気抵抗効果（ＭＲ）を利用したＭＲヘッドから、２層
の強磁性膜を非磁性導電性膜で分離し、一方の強磁性膜
に反強磁性膜を隣接して磁化の方向を固定させ、もう一
方の強磁性膜が外部磁界により磁化反転し、２層の強磁
性膜の互いの磁化方向のなす角度によって高い磁気抵抗
変化が得られるスピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果（Ｇ
ＭＲ）ヘッドが注目されている。
【０００３】このスピンバルブ型ＧＭＲヘッドも従来の
ＭＲヘッド同様、磁化回転する強磁性膜（自由層磁性
膜）の磁区の発生（バルクハウゼンノイズ）を防止する
ために、縦バイアス磁界を印加して、自由層磁性膜の磁
化状態を安定化させることが重要である。この縦バイア
ス磁界を印加する方法として、例えば自由層磁性膜の両
端に硬磁性膜あるいは強磁性膜と反強磁性膜との積層膜
を設ける方法が、特開平7−57223号公報に記載されてい
る。
ＭＲヘッド同様、磁化回転する強磁性膜（自由層磁性
膜）の磁区の発生（バルクハウゼンノイズ）を防止する
ために、縦バイアス磁界を印加して、自由層磁性膜の磁
化状態を安定化させることが重要である。この縦バイア
ス磁界を印加する方法として、例えば自由層磁性膜の両
端に硬磁性膜あるいは強磁性膜と反強磁性膜との積層膜
を設ける方法が、特開平7−57223号公報に記載されてい
る。
【０００４】これはハードバイアス構造と呼ばれ、現在
のヘッド構造の主流となっている。今後更に高感度化が
進み、磁気抵抗効果膜の薄膜化，感磁部の小型化にとも
なって自由層磁性膜と縦バイアス印加層との接触部分が
小さくなり、充分なバイアス磁界を供給することが困難
になってくると考えられる。
のヘッド構造の主流となっている。今後更に高感度化が
進み、磁気抵抗効果膜の薄膜化，感磁部の小型化にとも
なって自由層磁性膜と縦バイアス印加層との接触部分が
小さくなり、充分なバイアス磁界を供給することが困難
になってくると考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、軟磁
気特性が良好で磁気抵抗変化率の大きい磁気抵抗効果膜
を有し、バルクハウゼンノイズのない信頼性の高い磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを提供することにある。
気特性が良好で磁気抵抗変化率の大きい磁気抵抗効果膜
を有し、バルクハウゼンノイズのない信頼性の高い磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、非磁性導電
性薄膜を中間層として第１の強磁性膜と第２の強磁性膜
が積層されており、第１の強磁性膜の磁化方向が第１の
強磁性膜に隣接して設けられた第１の反強磁性膜によっ
て固定されている磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果
膜に信号検出電流を流すための一対の電極とを有するス
ピンバルブ構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
前記第２の強磁性膜が、第３の強磁性膜を介して設けら
れた第２の反強磁性膜によって全面的に磁区制御される
ことによって達成される。
性薄膜を中間層として第１の強磁性膜と第２の強磁性膜
が積層されており、第１の強磁性膜の磁化方向が第１の
強磁性膜に隣接して設けられた第１の反強磁性膜によっ
て固定されている磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果
膜に信号検出電流を流すための一対の電極とを有するス
ピンバルブ構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
前記第２の強磁性膜が、第３の強磁性膜を介して設けら
れた第２の反強磁性膜によって全面的に磁区制御される
ことによって達成される。
【０００７】このとき、第３の強磁性膜は前記第２の強
磁性膜と第２の反強磁性膜との大きすぎる交換結合磁界
を制御するための強磁性膜であり、第３の強磁性膜の飽
和磁束密度が前記第２の強磁性膜の飽和磁束密度より小
さいことを特徴としている。
磁性膜と第２の反強磁性膜との大きすぎる交換結合磁界
を制御するための強磁性膜であり、第３の強磁性膜の飽
和磁束密度が前記第２の強磁性膜の飽和磁束密度より小
さいことを特徴としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を示す。
【０００９】本発明に従うスピンバルブ膜の概略図を図
１に示す。
１に示す。
【００１０】図１に示されるスピンバルブ構造の磁気抵
抗効果膜１０は、第１の強磁性膜１１，非磁性導電性膜
１２，第２の強磁性膜１３及び第１の反強磁性膜１４か
ら構成されている。第１の強磁性膜１１と第２の強磁性
膜１３の面内磁化は、外部磁界が印加されていない状態
でお互いに対して９０度傾いた方向に向けられている。
さらに第１の強磁性膜１１は、第１の反強磁性膜１４に
よって、好ましい方向に磁化が固定されている。媒体か
らの磁界により、第２の強磁性膜１３の磁化は自由に回
転し、それにより抵抗変化が生じて出力が発生する。
抗効果膜１０は、第１の強磁性膜１１，非磁性導電性膜
１２，第２の強磁性膜１３及び第１の反強磁性膜１４か
ら構成されている。第１の強磁性膜１１と第２の強磁性
膜１３の面内磁化は、外部磁界が印加されていない状態
でお互いに対して９０度傾いた方向に向けられている。
さらに第１の強磁性膜１１は、第１の反強磁性膜１４に
よって、好ましい方向に磁化が固定されている。媒体か
らの磁界により、第２の強磁性膜１３の磁化は自由に回
転し、それにより抵抗変化が生じて出力が発生する。
【００１１】本発明によると、第２の強磁性膜１３は第
３の強磁性膜１５を介して第２の反強磁性膜１６により
全面的に磁区制御されている。このとき第３の強磁性膜
１５は、第２の反強磁性膜１４との大きすぎる交換結合
磁界を弱め、第２の強磁性膜内の磁化回転を容易として
磁気ヘッドの出力低下を防ぐため、第３の強磁性膜の飽
和磁束密度Ｂｓは、第２の強磁性膜の飽和磁束密度Ｂｓ
より小さくなければならない。
３の強磁性膜１５を介して第２の反強磁性膜１６により
全面的に磁区制御されている。このとき第３の強磁性膜
１５は、第２の反強磁性膜１４との大きすぎる交換結合
磁界を弱め、第２の強磁性膜内の磁化回転を容易として
磁気ヘッドの出力低下を防ぐため、第３の強磁性膜の飽
和磁束密度Ｂｓは、第２の強磁性膜の飽和磁束密度Ｂｓ
より小さくなければならない。
【００１２】また、第３の強磁性膜への分流を小さくす
るために、その比抵抗は第２の強磁性膜の比抵抗に比較
して十分大きいことが必要である。上記磁気抵抗効果膜
１０は基板側から第１の反強磁性膜１４／第１の強磁性
膜１１／非磁性導電性膜１２／第２の強磁性膜１３／第
３の強磁性膜１５／第２の反強磁性膜１６とすることも
できる。
るために、その比抵抗は第２の強磁性膜の比抵抗に比較
して十分大きいことが必要である。上記磁気抵抗効果膜
１０は基板側から第１の反強磁性膜１４／第１の強磁性
膜１１／非磁性導電性膜１２／第２の強磁性膜１３／第
３の強磁性膜１５／第２の反強磁性膜１６とすることも
できる。
【００１３】スピンバルブ型磁気抵抗効果膜１０を用い
た本発明の一実施例を次に説明する。基板２１の上に、
第２の反強磁性膜１６であるＮｉＯ５０ｎｍ，反強磁性
膜ＮｉＯとの交換結合を制御するための第３の強磁性膜
１５であるNiFeNb３ｎｍ，第２の強磁性膜１３であるNi
Fe10nm，非磁性導電性膜１２であるＣｕ２ｎｍ，第１の
強磁性膜１１であるCoFe3nm 、さらに第１の反強磁性膜
１４であるCrMnPt30ｎｍ，保護膜２２であるＴａ５ｎｍ
を順次形成し、所定の形状にパターニングする。
た本発明の一実施例を次に説明する。基板２１の上に、
第２の反強磁性膜１６であるＮｉＯ５０ｎｍ，反強磁性
膜ＮｉＯとの交換結合を制御するための第３の強磁性膜
１５であるNiFeNb３ｎｍ，第２の強磁性膜１３であるNi
Fe10nm，非磁性導電性膜１２であるＣｕ２ｎｍ，第１の
強磁性膜１１であるCoFe3nm 、さらに第１の反強磁性膜
１４であるCrMnPt30ｎｍ，保護膜２２であるＴａ５ｎｍ
を順次形成し、所定の形状にパターニングする。
【００１４】このとき、磁気抵抗効果膜１０の抵抗変化
率を大きくするために、第１の強磁性膜及び第２の強磁
性膜のどちらか一方あるいは両方を２層膜にしても良
い。次に、リフトオフ用ホトレジスト層を形成したあ
と、電極膜２３であるＡｕ０.２μｍを形成したあと、
リフトオフ用レジスト層を除去する。さらに、真空中で
１ｋＯｅの磁界を媒体対向面と垂直に印加しながら、２
３０℃で１時間熱処理して、第１の反強磁性膜１４であ
るCrMnPtを着磁し、本発明のＧＭＲヘッドを作製する。
率を大きくするために、第１の強磁性膜及び第２の強磁
性膜のどちらか一方あるいは両方を２層膜にしても良
い。次に、リフトオフ用ホトレジスト層を形成したあ
と、電極膜２３であるＡｕ０.２μｍを形成したあと、
リフトオフ用レジスト層を除去する。さらに、真空中で
１ｋＯｅの磁界を媒体対向面と垂直に印加しながら、２
３０℃で１時間熱処理して、第１の反強磁性膜１４であ
るCrMnPtを着磁し、本発明のＧＭＲヘッドを作製する。
【００１５】図３に第２の強磁性膜とする（Ｎｉ81Ｆｅ
19)100-xＮｂx の飽和磁束密度ＢｓのＮｂ量依存性を示
す。Ｎｂ量増加と共にＢｓを小さくすることができる。
図４は第２の強磁性膜とする（Ｎｉ81Ｆｅ19)100-xＮｂ
x の比抵抗のＮｂ量依存性を示す。Ｎｂ量とともに比抵
抗は大きくなり、８at％以上で１００μΩcm以上の比抵
抗とできた。次にNiFeNbをＮｉＦｅとＮｉＯの中間に介
在させて、これら３層の結合磁界ＨｅとＮｂ量の関係を
図５に示す。結合磁界Ｈｅが大きくなると、第２の強磁
性膜内の磁化が回転しにくくなるため、磁気ヘッドの再
生出力が小さくなる。Ｎｂ量の増加とともに結合磁界Ｈ
ｅが小さくなり、８at％で半減することができた。結合
磁界Ｈｅは、第２及び第３の強磁性膜の膜厚と飽和磁束
密度Ｂｓとの積の和で決まる。
19)100-xＮｂx の飽和磁束密度ＢｓのＮｂ量依存性を示
す。Ｎｂ量増加と共にＢｓを小さくすることができる。
図４は第２の強磁性膜とする（Ｎｉ81Ｆｅ19)100-xＮｂ
x の比抵抗のＮｂ量依存性を示す。Ｎｂ量とともに比抵
抗は大きくなり、８at％以上で１００μΩcm以上の比抵
抗とできた。次にNiFeNbをＮｉＦｅとＮｉＯの中間に介
在させて、これら３層の結合磁界ＨｅとＮｂ量の関係を
図５に示す。結合磁界Ｈｅが大きくなると、第２の強磁
性膜内の磁化が回転しにくくなるため、磁気ヘッドの再
生出力が小さくなる。Ｎｂ量の増加とともに結合磁界Ｈ
ｅが小さくなり、８at％で半減することができた。結合
磁界Ｈｅは、第２及び第３の強磁性膜の膜厚と飽和磁束
密度Ｂｓとの積の和で決まる。
【００１６】本実施例では第２の強磁性膜の膜厚が１０
ｎｍ、飽和磁束密度Ｂｓが１.０Ｔであるから、上記NiF
eNbのＮｂ量を８at％以上としたが、この組成に限定す
る必要はなく、第２の強磁性膜の膜厚，飽和磁束密度Ｂ
ｓを変える場合には同時にNiFeNbの組成，膜厚を変えれ
ば良い。また、第２の反強磁性膜ＮｉＯの膜厚を薄くす
ることによっても結合磁界Ｈｅを小さくすることができ
るため、この場合も上記同様NiFeNbの組成，膜厚を変え
れば良い。
ｎｍ、飽和磁束密度Ｂｓが１.０Ｔであるから、上記NiF
eNbのＮｂ量を８at％以上としたが、この組成に限定す
る必要はなく、第２の強磁性膜の膜厚，飽和磁束密度Ｂ
ｓを変える場合には同時にNiFeNbの組成，膜厚を変えれ
ば良い。また、第２の反強磁性膜ＮｉＯの膜厚を薄くす
ることによっても結合磁界Ｈｅを小さくすることができ
るため、この場合も上記同様NiFeNbの組成，膜厚を変え
れば良い。
【００１７】本実施例では、第３の強磁性膜としてNiFe
Nbを用いたが、特にこれに限定されることはなく、主成
分がＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも２種類以上含み、こ
れに０〜２０％の非磁性元素を添加した強磁性膜を用い
ることもできる。この非磁性元素としては、Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｒｕが効果があ
る。また、上記元素のうち２種類以上添加することも可
能である。ただし、最適添加量は元素の種類，膜厚，組
成によって異なるのでその都度調整が必要である。
Nbを用いたが、特にこれに限定されることはなく、主成
分がＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも２種類以上含み、こ
れに０〜２０％の非磁性元素を添加した強磁性膜を用い
ることもできる。この非磁性元素としては、Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｒｕが効果があ
る。また、上記元素のうち２種類以上添加することも可
能である。ただし、最適添加量は元素の種類，膜厚，組
成によって異なるのでその都度調整が必要である。
【００１８】また、第２の反強磁性膜としてＮｉＯを用
いたが、ＮｉＯに少量のＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉや希土類元素
を添加することも可能である。
いたが、ＮｉＯに少量のＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉや希土類元素
を添加することも可能である。
【００１９】また、スピンバルブ膜の第１の反強磁性膜
１４としてCrMnPtを用いたが、特にこれに限定されるこ
とはなく、ＣｒＭｎ−Ｘ１(Ｘ１：Ｐｄ，Ａｕ，Ｒｈ，
Ｒｕ)を用いることもできる。さらに、ＦｅＭｎ合金，
ＭｎＩｒ合金等のdisoeder系の反強磁性膜を用いること
もできる。この場合は、着時の熱処理は不要である。さ
らに、ＮｉＭｎ，ＰｔＭｎ等のoeder 系の反強磁性膜を
用いても良いが、スピンバルブ膜および第２の反強磁性
膜の特性の安定性を考慮して熱処理温度は２３０℃以下
が良い。
１４としてCrMnPtを用いたが、特にこれに限定されるこ
とはなく、ＣｒＭｎ−Ｘ１(Ｘ１：Ｐｄ，Ａｕ，Ｒｈ，
Ｒｕ)を用いることもできる。さらに、ＦｅＭｎ合金，
ＭｎＩｒ合金等のdisoeder系の反強磁性膜を用いること
もできる。この場合は、着時の熱処理は不要である。さ
らに、ＮｉＭｎ，ＰｔＭｎ等のoeder 系の反強磁性膜を
用いても良いが、スピンバルブ膜および第２の反強磁性
膜の特性の安定性を考慮して熱処理温度は２３０℃以下
が良い。
【００２０】上記実施例では、磁気抵抗効果膜１０を基
板側から第２の反強磁性膜１６／第３の強磁性膜１５／
第２の強磁性膜１３／非磁性導電性膜１２／第１の強磁
性膜１１／第１の反強磁性膜１４の順に積層したが、逆
に基板側から第１の反強磁性膜１４／第１の強磁性膜１
１／非磁性導電性膜１２／第２の強磁性膜１３／第３の
強磁性膜１５／第２の反強磁性膜１６と配置することも
できる。この場合の第１の反強磁性膜１４には非導電性
の材料を用いることも可能である。
板側から第２の反強磁性膜１６／第３の強磁性膜１５／
第２の強磁性膜１３／非磁性導電性膜１２／第１の強磁
性膜１１／第１の反強磁性膜１４の順に積層したが、逆
に基板側から第１の反強磁性膜１４／第１の強磁性膜１
１／非磁性導電性膜１２／第２の強磁性膜１３／第３の
強磁性膜１５／第２の反強磁性膜１６と配置することも
できる。この場合の第１の反強磁性膜１４には非導電性
の材料を用いることも可能である。
【００２１】
【発明の効果】磁化回転する強磁性膜に、大きすぎる交
換結合磁界を抑制し、飽和磁束密度の小さい強磁性膜を
介して反強磁性膜を設け、全面的に磁区制御することに
よって、磁気抵抗効果膜の軟磁気特性を向上することが
出来る。これにより、バルクハウゼンノイズがなく、信
頼性の高い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することが
できる。
換結合磁界を抑制し、飽和磁束密度の小さい強磁性膜を
介して反強磁性膜を設け、全面的に磁区制御することに
よって、磁気抵抗効果膜の軟磁気特性を向上することが
出来る。これにより、バルクハウゼンノイズがなく、信
頼性の高い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することが
できる。
【図１】本発明の磁気抵抗効果膜の概略図。
【図２】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの概略断面
図。
図。
【図３】NiFeNbの飽和磁束密度ＢｓのＮｂ量依存性を示
す特性図。
す特性図。
【図４】NiFeNbの比抵抗のＮｂ量依存性を示す特性図。
【図５】ＮｉＦｅ／NiFeNb／ＮｉＯ膜の結合磁界Ｈｅと
Ｎｂ量との関係を示す特性図。
Ｎｂ量との関係を示す特性図。
【符号の説明】 １０…スピンバルブ構造の磁気抵抗効果膜、１１，１
３，１４…強磁性膜、１２…非磁性導電性膜、１４，１
６…反強磁性膜、２０…磁気抵抗効果型ヘッド、２１…
基板、２２…保護膜、２３…電極。
３，１４…強磁性膜、１２…非磁性導電性膜、１４，１
６…反強磁性膜、２０…磁気抵抗効果型ヘッド、２１…
基板、２２…保護膜、２３…電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 添谷 進 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5D034 BA05 BA09 BA21 CA04
Claims (3)
- 【請求項１】非磁性導電性薄膜を中間層として第１の強
磁性膜と第２の強磁性膜が積層されており、第１の強磁
性膜の磁化方向が第１の強磁性膜に隣接して設けられた
第１の反強磁性膜によって固定されている磁気抵抗効果
膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流すための
一対の電極とを有するスピンバルブ構造の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、前記第２の強磁性膜が、第３の
強磁性膜を介して設けられた第２の反強磁性膜によって
全面的に磁区制御されていることを特徴とする磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】非磁性導電性薄膜を中間層として第１の強
磁性膜と第２の強磁性膜が積層されており、第１の強磁
性膜の磁化方向が第１の強磁性膜に隣接して設けられた
第１の反強磁性膜によって固定されている磁気抵抗効果
膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流すための
一対の電極とを有するスピンバルブ構造の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、前記第２の強磁性膜が、第３の
強磁性膜を介して設けられた第２の反強磁性膜によって
全面的に磁区制御されており、前記第３の強磁性膜が前
記第２の強磁性膜と第２の反強磁性膜との大きすぎる交
換結合磁界を制御するための強磁性膜であることを特徴
とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】非磁性導電性薄膜を中間層として第１の強
磁性膜と第２の強磁性膜が積層されており、第１の強磁
性膜の磁化方向が第１の強磁性膜に隣接して設けられた
第１の反強磁性膜によって固定されている磁気抵抗効果
膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流すための
一対の電極とを有するスピンバルブ構造の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、前記第２の強磁性膜が、第３の
強磁性膜を介して設けられた第２の反強磁性膜によって
全面的に磁区制御されており、前記第３の強磁性膜の飽
和磁束密度が前記第２の強磁性膜の飽和磁束密度より小
さいことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10341344A JP2000173020A (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10341344A JP2000173020A (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000173020A true JP2000173020A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18345345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10341344A Pending JP2000173020A (ja) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000173020A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6778363B2 (en) | 2001-08-28 | 2004-08-17 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetoresistive head having longitudinal biasing by providing undirectional magnetic anisotropy |
| CN1305086C (zh) * | 2004-12-03 | 2007-03-14 | 北京科技大学 | 一种抑制薄膜界面反应的方法 |
-
1998
- 1998-12-01 JP JP10341344A patent/JP2000173020A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6778363B2 (en) | 2001-08-28 | 2004-08-17 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetoresistive head having longitudinal biasing by providing undirectional magnetic anisotropy |
| US7089648B2 (en) | 2001-08-28 | 2006-08-15 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating a magnetoresistive head |
| CN1305086C (zh) * | 2004-12-03 | 2007-03-14 | 北京科技大学 | 一种抑制薄膜界面反应的方法 |
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