JP2000171741A - 光走査装置 - Google Patents
光走査装置Info
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Abstract
成された1枚のコリメートレンズを備えることにより、
半導体レーザ光源のモードホッピングによる色収差(ピ
ントずれ)を防ぎ、少ない構成枚数のレンズでありなが
らデジタル複写機や光プリンタ等に適用可能な高解像度
の出力が可能な光走査装置を得る。 【構成】 半導体レーザよりなる光源1と、少なくとも
一方の面が回折光学面で形成された1枚のコリメートレ
ンズ3と、光偏向器5と、光偏向器5により偏向された
光束を被走査面7上に集光し光走査を行なう結像光学系
6とを備え、以下の条件式(1)を満足する光走査装
置。 (1) |Δ1×F2/F1 2| < 0.01 ここで、F1:コリメートレンズ3の焦点距離
F2:結像光学系6の焦点距離 Δ1:モードホッピングによりコリメートレンズ3にお
いて発生する色収差
Description
を行なうデジタル複写機あるいは光プリンタ等の光走査
装置に関するものであり、特に半導体レーザビームを光
源とし、簡易な構成のコリメートレンズと結像光学系と
を備えた光走査装置に関するものである。
て広く知られている光走査装置には、光源からの光束を
コリメートレンズで略平行光に変換し、この略平行光束
をアナモフィックレンズにより主走査対応方向に長い線
像として結像させ、この線像の結像位置近傍に偏向反射
面を持つ光偏向器で等角速度で偏向させ、偏向された光
束を結像光学系により被走査面上に光スポットとして集
光して被走査面の光走査を行なうものがある。
精度上の要求とともに低価格化、小型化の要求が強くな
っている。
レンズに単玉レンズを用い、結像光学系に2枚程度の少
ない構成枚数のレンズが採用されることが多い。
字に適した光走査装置を得ようとするものとして、例え
ば、特開平10−68903号公報記載の光走査装置は、回折
光学面(DOE)を備えた光学系(以下回折光学素子と
称する)を用いている。回折光学面は、分散が従来の反
射屈折光学系に比べて大きくその符合も異なるという特
性を有するので、レンズ枚数が少なく高精度な光学系を
得るために最近多方面に用いられている。特開平10−68
903号公報記載の光走査装置は、結像光学系、アナモフ
ィックレンズ、またはコリメートレンズに回折光学素子
を用い、温度変動に伴なう主走査方向の倍率変化および
ピント変化を、その温度変動によって生じる回折光学素
子のパワー変化と、同じくその温度変動によって生じる
半導体レーザの波長変動により補正するものである。
開平10−68903号公報記載の光走査装置の光源としても
用いられている半導体レーザ光源にはモードホッピング
という現象があり、半導体レーザ光源を用いる場合はこ
の問題を解決せずに高い解像度の出力を得ることは困難
である。
波長からシフトすることで、デジタル複写機や光プリン
タのように光信号を書き込むために光源の出力を大きく
する必要がある場合には発生しやすい。モードホッピン
グがあるとレンズを透過する際の屈折率が変化するの
で、波長シフトによっていわばピントずれともいうべき
色収差が生じる。このピントずれは、半導体レーザとコ
リメートレンズの間で生じる色収差Δが小さい場合であ
っても、結像面である被走査面上では拡大されるため、
問題となる。
F1、コリメートレンズの材料の基準波長±20nmにお
けるアッベ数をν1としたときの半導体レーザとコリメ
ートレンズの間で生じる色収差Δ=F1/ν1が、被走
査面上では、色収差をΔ’とし結像光学系の焦点距離を
F2とするとΔ’=Δ×(F2/F1)2と拡大されて
しまう。
mの半導体レーザであれば、モードホッピングにより±
20nm程度の範囲で光源波長がばらつくことになる。こ
の場合、半導体レーザとコリメートレンズ間の色収差Δ
は、例えば、コリメートレンズの焦点距離F1を10m
m、結像光学系の焦点距離F2を210mmとし、コリメ
ートレンズの材料を通常のガラス(BK−7)とする
と、波長λ=780nm±20nmのときアッベ数ν=612な
のでΔ=0.016mmとなり、被走査面上での色収差Δ’
は、Δ’=7.2mmとなる。
生する色収差Δは小さくても被走査面上での色収差Δ’
は大きくなってしまうので、レンズ設計は被走査面側の
デフォーカス余裕度をΔ’よりも大きくする必要があ
り、高解像の出力を得ることは設計上困難となる。
レンズと少ない構成枚数のレンズからなる結像光学系を
採用するような、少ない構成枚数のレンズでは、この波
長シフトによるピントずれを防ぐことはできず、高い解
像度の出力を得ることが困難であった。そのため、少な
いレンズ構成枚数でありながらモードホッピングによる
ピントずれを防ぎ、解像度の高い光走査装置が要望され
ている。
ので、回折光学素子の特異な分散特性を利用し、所定の
回折光学素子を備えることにより、半導体レーザのモー
ドホッピングによるピントずれを防ぐとともに少ない構
成枚数のレンズでありながら高い解像度の出力を得るこ
とができるような光走査装置を提供することを目的とす
るものである。
は、半導体レーザよりなる光源と、少なくとも一方の面
が回折光学面で形成され該光源からの光束を略平行光束
に変換する1枚のコリメートレンズと、該コリメートレ
ンズから射出された略平行光束を偏向する光偏向器と、
該光偏向器により偏向された光束を被走査面上に集光し
該被走査面の光走査を行なう結像光学系とを備え、以下
の条件式(1)を満足することを特徴とするものであ
る。 (1) |Δ1×F2/F1 2| < 0.01 ここで、 Δ1=F1 2×{(ν1×f1)−1+(νD×fD)
−1} ただし、 F1 :コリメートレンズの焦点距離 F2 :結像光学系の焦点距離 f1 :コリメートレンズの屈折作用による焦点距離 fD :コリメートレンズの回折部の焦点距離 ν1 :コリメートレンズの材料の基準波長±20nmに
おけるアッベ数 νD :コリメートレンズの回折部の基準波長±20nm
におけるアッベ数
レーザよりなる光源と、少なくとも一方の面が回折光学
面で形成され該光源からの光束を略平行光束に変換する
1枚のコリメートレンズと、該コリメートレンズから射
出された略平行光束を偏向する光偏向器と、該光偏向器
により偏向された光束を被走査面上に集光し該被走査面
の光走査を行なう結像光学系とを備え、以下の条件式
(2)を満足することを特徴とするものである。 (2) |Δ1×(F2/F1)2+Δ2| < F
2/100 ここで、 Δ1=F1 2×{(ν1×f1)−1+(νD×fD)
−1} Δ2=F2/ν2 ただし、 F1 :コリメートレンズの焦点距離 F2 :結像光学系の焦点距離 f1 :コリメートレンズの屈折作用による焦点距離 fD :コリメートレンズの回折部の焦点距離 ν1 :コリメートレンズの材料の基準波長±20nmに
おけるアッベ数 νD :コリメートレンズの回折部の基準波長±20nm
におけるアッベ数 ν2 :結像光学系の基準波長±20nmにおける等価ア
ッベ数
は、回折光学面において、このレンズ面に回折光学面を
付加しない場合に生じる面屈折力による焦点距離を意味
し、「回折部の焦点距離」および「回折部の・・・・・アッ
ベ数」とは、このレンズ面に回折光学面を付加すること
により生じる面屈折力による焦点距離およびアッベ数を
意味する。
2について図面を用いて説明する。
2の光走査装置の基本構成を示すものであり、図2はそ
の光源からコリメートレンズまでの基本構成を示すもの
である。
は、半導体レーザよりなる光源1と、少なくとも一方の
面が回折光学面で形成され該光源からの光束を略平行光
束に変換する1枚のコリメートレンズ3と、該コリメー
トレンズ3から射出された略平行光束を偏向する光偏向
器5と、該光偏向器5により偏向された光束を被走査面
7上に集光し該被走査面7の光走査を行なう結像光学系
6とを備えている。
装置によれば、光源1から発せられカバーガラス2を透
過したレーザビームは、コリメートレンズ3により略平
行光束に変換され、アナモフィックレンズ4により主走
査対応方向に線状に結像される。光偏向器5であるポリ
ゴンミラーはこの結像位置近傍に光偏向反射面5aを有
し、レーザビームを反射偏向する。fθレンズを含む2
枚のレンズからなる結像光学系6は、光偏向器5により
反射偏向されたレーザビームを被走査面7上に光スポッ
トとして集光し、略等角速度で被走査面7上に走査させ
る。また、この光走査装置には、光偏向器5により偏向
されて被走査面7へ向かうレーザビームを同期光として
検出し、光走査の開始タイミングをとるための同期光検
出装置9が設けられている。この同期光検出装置9へ向
かうレーザビームは、反射ミラー8により反射される。
なお、これ以外にも、図示されない反射ミラー等が光路
中に適宜挿入されている。
ザビームは、被走査面7上に結像されるとともに、ポリ
ゴンミラーが矢印A方向に回転することにより、被走査
面7上において矢印B方向に主走査される。さらに、被
走査面7を副走査方向に移動して画像を形成する。
リメートレンズ3は被走査面7側の面に回折光学面が形
成された1枚のレンズからなる。この回折光学面は下記
に示す回折光学面深さ式により表され、以下の条件式
(1)を満足する。
−1} ただし、 F1 :コリメートレンズ3の焦点距離 F2 :結像光学系6の焦点距離 f1 :コリメートレンズ3の屈折作用による焦点距離 fD :コリメートレンズ3の回折部の焦点距離 ν1 :コリメートレンズ3の材料の基準波長±20nm
におけるアッベ数 νD :コリメートレンズ3の回折部の基準波長±20n
mにおけるアッベ数
走査面7上においてモードホッピングにより生じるピン
トずれが、結像光学系6の焦点距離の1%未満になるよ
うに規定している。この条件式(1)を満足するような
回折光学面を備えることにより、被走査面7上において
モードホッピングにより生じるピントずれを小さくする
ことができる。
用効果について説明する。
において従来の反射屈折光学系と異なる特性を備えてい
る。すなわち、通常のガラスの分散(1/ν)は、ν=
(N 2−1)/(N1−N3)であるのに対し、回折光
学面の分散(1/ν)はν=λ2/(λ1−λ3)で表
される。ここで、波長λ1、λ2、λ3はλ1<λ2<
λ3の関係にあり、N1、N2、N3は各々の波長に対
応した屈折率である。
スと回折光学面との分散の違いについて述べる。一般に
デジタル複写機あるいは光プリンタの光源としてよく使
用されるλ=780nmの半導体レーザを光源とした場
合、λ1=760nm、λ2=780nm、λ3=800nmと
して通常のガラス(BK−7)のアッベ数νは612であ
るのに対し、回折光学面のアッベ数νは同様の波長にお
いて-19.5となり、1桁異なり、符合も異なる。ここ
で、波長λを780nm±20nmとしたのは、半導体レー
ザのモードホッピングによる波長シフトの範囲が±20n
m程度の幅であることによる。
性という性質を利用することにより、回折光学面を備え
た本実施形態に係る光走査装置は、コリメートレンズ3
が1枚であっても、色収差を効果的に補正することがで
きる。
光学面の条件式について説明する。
る色収差補正効果を半導体レーザのモードホッピングに
よるピントずれ補正にも利用するものである。すなわ
ち、コリメートレンズ3の少なくとも一方の面に条件式
(1)を満足するような焦点距離を有する回折光学面を
形成することにより、被走査面7上においてモードホッ
ピングにより生じるピントずれを小さくすることができ
る。
する色収差Δ1は、以下の式(3)で表される。 (3) Δ1=F1 2×{(ν1×f1)−1+(ν
D×fD)−1} ただし、 F1:コリメートレンズ3の焦点距離 f1:コリメートレンズ3の屈折作用による焦点距離 fD:コリメートレンズ3の回折部の焦点距離 ν1:コリメートレンズ3の材料の基準波長±20nmに
おけるアッベ数 νD:コリメートレンズ3の回折部の基準波長±20nm
におけるアッベ数
形成した場合、このレンズはコリメートレンズ3に回折
光学面を形成しなくともレンズが有するレンズ本来の屈
折力と、回折光学面が有する屈折力とを、合成した屈折
力を有する。上記「コリメートレンズの屈折作用による
焦点距離」とは前者の屈折力による焦点距離を意味し、
上記「コリメートレンズの回折部の焦点距離」とは後者
の屈折力による焦点距離を意味する。
基準波長±20nmにおけるアッベ数」ν1は、以下の式
(4)により表される。 (4) ν1=(N1B−1)/(N1A−N1C) ただし、 N1A:コリメートレンズ3の材料の基準波長−20nm
における屈折率 N1B:コリメートレンズ3の材料の基準波長における
屈折率 N1C:コリメートレンズ3の材料の基準波長+20nm
における屈折率
るのは、半導体レーザのモードホッピングによるによる
波長シフトの範囲に対応しているもので、この範囲で色
補償が達成されれば、モードホッピングに対応する光走
査装置としては充分な効果を得ることができる。
の基準波長±20nmにおけるアッベ数」νDは、以下の
式(5)により表される。 (5) νD=λB/(λA−λC) ただし、 λA:基準波長−20nm λB:基準波長 λC:基準波長+20nm ここで、被走査面7上においてモードホッピングにより
生じるピントずれΔ’は、以下の式(6)で表される。 (6) Δ’=Δ1×(F2/F1)2 ただし、 F1 :コリメートレンズ3の焦点距離 F2 :結像光学系6の焦点距離
ッピングにより生じるピントずれΔ’は、コリメートレ
ンズ3において発生する色収差Δ1が(F2/F1)2
の倍率で拡大されたものとなる。
(0.01×F2)より小さくなるように規定したものであ
る。 (7) Δ1×(F2/F1)2 < 0.01×F2 上記式(7)の両辺をF2で除したものが条件式(1)
となる。
上においてモードホッピングにより生じるピントずれ
が、結像光学系6の焦点距離の1%未満になるように規
定している。コリメートレンズ3に、その回折部の焦点
距離fDがこの条件式(1)を満足するような回折光学
面を備えることにより、半導体レーザ光源のモードホッ
ピングによる波長シフトが発生した場合でも被走査面7
上での色収差を低減し、高解像の出力を維持することが
できる。
て説明する。
実施形態1と同様にコリメートレンズ3は被走査面7側
の面に回折光学面が形成された1枚のレンズからなる。
この回折光学面は実施形態1と同様の回折光学面深さ式
により表され、以下の条件式(2)を満足する。 (2) |Δ1×(F2/F1)2+Δ2| < F
2/100 ここで、 Δ1=F1 2×{(ν1×f1)−1+(νD×fD)
−1} Δ2=F2/ν2 ただし、 F1 :コリメートレンズ3の焦点距離 F2 :結像光学系6の焦点距離 f1 :コリメートレンズ3の屈折作用による焦点距離 fD :コリメートレンズ3の回折部の焦点距離 ν1 :コリメートレンズ3の材料の基準波長±20nm
におけるアッベ数 νD :コリメートレンズ3の回折部の基準波長±20n
mにおけるアッベ数 ν2 :結像光学系6の基準波長±20nmにおける等価
アッベ数
した実施形態1と同様であるが、実施形態1においては
説明されていない条件式(2)について以下に説明す
る。
で表されるΔ’と結像光学系6においてモードホッピン
グにより生じる色収差Δ2との和とされている。すなわ
ち、条件式(2)は、コリメートレンズ3でモードホッ
ピングにより生じたピントずれが被走査面7上において
拡大された色収差Δ’と、結像光学系6においてモード
ホッピングにより生じる色収差Δ2とを加算したもの
が、右辺の所定の値(0.01×F2)より小さくなるよう
に規定したものである。
は以下の式(8)により表される。 (8) Δ2=F2/ν2 ただし、 F2:結像光学系6の焦点距離 ν2:結像光学系6の基準波長±20nmにおける等価ア
ッベ数。
mにおける等価アッベ数」ν2とは、複数枚のレンズの
アッベ数を1枚のレンズのアッベ数として換算したもの
であり、下記に示す式(9)により表される。 (9) 1/ν2={Σ(ν2i×f2i)−1}×
F2 ただし、 ν2i:結像光学系6の第i番目のレンズのアッベ数 f2i:結像光学系6の第i番目のレンズの焦点距離
ンズのアッベ数」ν2iとは、以下の式(10)により
表される。 (10) ν2i=(N2B−1)/(N2A−N
2C) ただし、 N2A:結像光学系6の第i番目のレンズの材料の基準
波長−20nmにおける屈折率 N2B:結像光学系6の第i番目のレンズの材料の基準
波長における屈折率 N2C:結像光学系6の第i番目のレンズの材料の基準
波長+20nmにおける屈折率
レンズ3および結像光学系6を透過する際にモードホッ
ピングにより生じるピントずれが、結像光学系6の焦点
距離の1%未満になるように規定している。コリメート
レンズ3に、その回折部の焦点距離fDがこの条件式
(2)を満足するような回折光学面を備えることによ
り、半導体レーザ光源のモードホッピングによる波長シ
フトが発生した場合でもコリメートレンズ3および結像
光学系6を透過する際に生じる色収差を低減し、高解像
の出力を維持することができる。
明する。
上記実施形態1に係るものである。
トレンズ3までの各レンズ面の曲率半径R(mm)、各
レンズの軸上面間隔(各レンズの中心厚および各レンズ
間の空気間隔)D(mm)、および各レンズの波長760
nm、780nm、800nmにおける屈折率Nを示す。ま
た、表1の下段には本実施例1における上記回折光学面
深さ式に示される回折光学面の各定数の値を示す。
数字は物体側から順次増加するようになっており、数字
の左側の*印は回折光学面であることを示す。
メートレンズ3との距離DC3は0.0mmとされている
が、実施形態の説明に用いた図2に示すように任意の間
隔を空けることもできる。
る値を表2に示す。表2に示すとおり、本実施形態1は
条件式(1)を満足している。
2に係るものである。
トレンズ3までの各レンズ面の曲率半径R(mm)、各
レンズの軸上面間隔(各レンズの中心厚および各レンズ
間の空気間隔)D(mm)、および各レンズの波長760
nm、780nm、800nmにおける屈折率Nを示す。ま
た、表3の下段には本実施例2における上記回折光学面
深さ式に示される回折光学面の各定数の値を示す。
記号に対応させた数字は物体側から順次増加するように
なっており、数字の左側の*印は回折光学面であること
を示す。
面5aから被走査面7までの各レンズ面の曲率半径R
(mm)、各レンズの軸上面間隔(各レンズの中心厚お
よび各レンズ間の空気間隔)D(mm)、および各レン
ズの波長760nm、780nm、800nmにおける屈折率N
を示す。
リメートレンズ3との距離DC3は0.0mmとされてい
るが、実施例1と同様に任意の間隔を空けることもでき
る。
る値を表5に示す。表5に示すとおり、本実施形態2は
条件式(2)を満足している。
実施例のものに限られるものではなく種々の態様の変更
が可能であり、例えば各レンズの曲率半径Rおよびレン
ズ間隔(もしくはレンズ厚)Dを適宜変更することが可
能である。
源側の面のみに形成したり、両面に形成してもよい。
上記実施例のものに限られるものではなく、変更が可能
である。
査装置によれば、コリメートレンズに回折光学面を付加
することにより、1枚のコリメートレンズや少ない枚数
の結像光学系を備えた光走査装置であっても、色収差を
低減した光学系を得ることができ、半導体レーザのモー
ドホッピングによる波長シフトの際も被走査面上にて高
解像の出力を維持することが可能な光走査装置を得るこ
とができる。
ートレンズまでの構成を示す図
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体レーザよりなる光源と、少なくと
も一方の面が回折光学面で形成され該光源からの光束を
略平行光束に変換する1枚のコリメートレンズと、該コ
リメートレンズから射出された略平行光束を偏向する光
偏向器と、該光偏向器により偏向された光束を被走査面
上に集光し該被走査面の光走査を行なう結像光学系とを
備え、以下の条件式(1)を満足することを特徴とする
光走査装置。 (1) |Δ1×F2/F1 2| < 0.01 ここで、 Δ1=F1 2×{(ν1×f1)−1+(νD×fD)
−1} ただし、 F1 :コリメートレンズの焦点距離 F2 :結像光学系の焦点距離 f1 :コリメートレンズの屈折作用による焦点距離 fD :コリメートレンズの回折部の焦点距離 ν1 :コリメートレンズの材料の基準波長±20nmに
おけるアッベ数 νD :コリメートレンズの回折部の基準波長±20nm
におけるアッベ数 - 【請求項2】 半導体レーザよりなる光源と、少なくと
も一方の面が回折光学面で形成され該光源からの光束を
略平行光束に変換する1枚のコリメートレンズと、該コ
リメートレンズから射出された略平行光束を偏向する光
偏向器と、該光偏向器により偏向された光束を被走査面
上に集光し該被走査面の光走査を行なう結像光学系とを
備え、以下の条件式(2)を満足することを特徴とする
光走査装置。 (2) |Δ1×(F2/F1)2+Δ2| < F
2/100 ここで、 Δ1=F1 2×{(ν1×f1)−1+(νD×fD)
−1} Δ2=F2/ν2 ただし、 F1 :コリメートレンズの焦点距離 F2 :結像光学系の焦点距離 f1 :コリメートレンズの屈折作用による焦点距離 fD :コリメートレンズの回折部の焦点距離 ν1 :コリメートレンズの材料の基準波長±20nmに
おけるアッベ数 νD :コリメートレンズの回折部の基準波長±20nm
におけるアッベ数 ν2 :結像光学系の基準波長±20nmにおける等価ア
ッベ数
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34838198A JP4425363B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 光走査装置 |
US09/453,314 US6101020A (en) | 1998-12-08 | 1999-12-03 | Optical scanner |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34838198A JP4425363B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 光走査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000171741A true JP2000171741A (ja) | 2000-06-23 |
JP4425363B2 JP4425363B2 (ja) | 2010-03-03 |
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ID=18396650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP34838198A Expired - Fee Related JP4425363B2 (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 光走査装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6101020A (ja) |
JP (1) | JP4425363B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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