JP2000169488A - 環状オリゴシロキサンの製造方法 - Google Patents
環状オリゴシロキサンの製造方法Info
- Publication number
- JP2000169488A JP2000169488A JP10344774A JP34477498A JP2000169488A JP 2000169488 A JP2000169488 A JP 2000169488A JP 10344774 A JP10344774 A JP 10344774A JP 34477498 A JP34477498 A JP 34477498A JP 2000169488 A JP2000169488 A JP 2000169488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unsubstituted hydrocarbon
- monovalent substituted
- hydrocarbon group
- reaction
- polysiloxane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】アルカリ性、酸性の触媒を用いる従来法と比較
して平易な条件で反応を実施でき、特殊な条件下におい
ても反応系のゲル化を抑えることができ、工業的に実用
性の高い方法で、収率よく環状オリゴシロキサンを製造
する方法を提供すること。 【解決手段】鎖状あるいは環状のポリシロキサンを金属
アルコキシドの存在下に加熱することを特徴とする環状
オリゴシロキサンの製造方法において、反応条件として
特定の触媒量および反応温度を選択することにより上記
課題が解決できる。
して平易な条件で反応を実施でき、特殊な条件下におい
ても反応系のゲル化を抑えることができ、工業的に実用
性の高い方法で、収率よく環状オリゴシロキサンを製造
する方法を提供すること。 【解決手段】鎖状あるいは環状のポリシロキサンを金属
アルコキシドの存在下に加熱することを特徴とする環状
オリゴシロキサンの製造方法において、反応条件として
特定の触媒量および反応温度を選択することにより上記
課題が解決できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、本発明はシリコー
ン工業で原料として用いられる下記一般式（III）
ン工業で原料として用いられる下記一般式（III）
【０００２】
【化１２】 で表される環状オリゴシロキサンの製造方法において反
応残さのゲル化が抑制された製造方法に関する。
応残さのゲル化が抑制された製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】ポリシロキサンを不均化する方法として
は、酸性あるいはアルカリ性触媒を用いる方法が一般的
に知られている。しかしながら、このような酸性あるい
はアルカリ性触媒を用いる方法は反応条件が過酷であ
り、工業的に安定に製造するためには有利とは言えな
い。中性条件での不均化方法については例えばポリシロ
キサンの加熱分解によるシクロシロキサンの生成が知ら
れているが、この方法は３００℃程度の非常に高い温度
が必要であり、この方法もまた工業的に安定に製造する
ために有利な方法とは言えない。その他に、中性条件で
の不均化方法として遷移金属触媒を用いる方法が知られ
ているが、この方法はＰｔ、Ｐｄといった高価な金属の
触媒を用いる必要があり、コスト的な観点も考慮すると
工業的に有利な方法とは言えない。
は、酸性あるいはアルカリ性触媒を用いる方法が一般的
に知られている。しかしながら、このような酸性あるい
はアルカリ性触媒を用いる方法は反応条件が過酷であ
り、工業的に安定に製造するためには有利とは言えな
い。中性条件での不均化方法については例えばポリシロ
キサンの加熱分解によるシクロシロキサンの生成が知ら
れているが、この方法は３００℃程度の非常に高い温度
が必要であり、この方法もまた工業的に安定に製造する
ために有利な方法とは言えない。その他に、中性条件で
の不均化方法として遷移金属触媒を用いる方法が知られ
ているが、この方法はＰｔ、Ｐｄといった高価な金属の
触媒を用いる必要があり、コスト的な観点も考慮すると
工業的に有利な方法とは言えない。
【０００４】環状オリゴシロキサンはシリコーン工業に
おいて高分子量ポリシロキサン製造の原料として使用さ
れる。また、Ｓｉ−Ｈ基を含有する環状オリゴシロキサ
ンはシリコーン工業においてシーラント等に用いられる
室温架橋型シリコーンゴムの製造原料として使用され
る。室温架橋型シリコーンゴムはＳｉ−Ｈ基を含有する
環状オリゴシロキサンとビニル基を含有するポリシロキ
サンとを白金触媒の存在下で反応させ架橋させることに
より得られる。また、Ｓｉ−Ｈ基を含有する環状オリゴ
シロキサンは接着性促進剤等として用いられる有機官能
基結合オリゴシロキサンの製造原料としても用いられ
る。有機官能基結合オリゴシロキサンはＳｉ−Ｈ基を含
有する環状オリゴシロキサンとビニル基を含有する有機
基を白金触媒の存在下で反応させることにより得られ
る。
おいて高分子量ポリシロキサン製造の原料として使用さ
れる。また、Ｓｉ−Ｈ基を含有する環状オリゴシロキサ
ンはシリコーン工業においてシーラント等に用いられる
室温架橋型シリコーンゴムの製造原料として使用され
る。室温架橋型シリコーンゴムはＳｉ−Ｈ基を含有する
環状オリゴシロキサンとビニル基を含有するポリシロキ
サンとを白金触媒の存在下で反応させ架橋させることに
より得られる。また、Ｓｉ−Ｈ基を含有する環状オリゴ
シロキサンは接着性促進剤等として用いられる有機官能
基結合オリゴシロキサンの製造原料としても用いられ
る。有機官能基結合オリゴシロキサンはＳｉ−Ｈ基を含
有する環状オリゴシロキサンとビニル基を含有する有機
基を白金触媒の存在下で反応させることにより得られ
る。
【０００５】環状オリゴシロキサンの製造方法として
は、例えばジメチルジクロロシランなどのケイ素上に２
個の加水分解性基を有するオルガノシラン類を加水分解
縮合する方法が一般的に知られている。しかしながら、
このような加水分解縮合反応条件下では反応系が酸性の
過酷な状態になり、工業的に安定に製造するためには有
利とは言えない。
は、例えばジメチルジクロロシランなどのケイ素上に２
個の加水分解性基を有するオルガノシラン類を加水分解
縮合する方法が一般的に知られている。しかしながら、
このような加水分解縮合反応条件下では反応系が酸性の
過酷な状態になり、工業的に安定に製造するためには有
利とは言えない。
【０００６】また、特にＳｉ−Ｈ基を含有する環状オリ
ゴシロキサンの製造においては、Ｓｉ−Ｈ基はかかる酸
性条件下では反応性が非常に高く、反応系内に共存する
水あるいはシラノール基と反応を起こし、目的とする化
合物の収率は低い。そこで、この問題を解決するために
以下の（イ）あるいは（ロ）の方法が提案されている。
ゴシロキサンの製造においては、Ｓｉ−Ｈ基はかかる酸
性条件下では反応性が非常に高く、反応系内に共存する
水あるいはシラノール基と反応を起こし、目的とする化
合物の収率は低い。そこで、この問題を解決するために
以下の（イ）あるいは（ロ）の方法が提案されている。
【０００７】すなわち、（イ）メチルジクロロシランを
テトラヒドロフランと炭化水素溶剤との混合溶剤の存在
下で加水分解する方法（特開平６ー８０６８０号公
報）、および、（ロ）ジクロロジシロキサンをｔ−ブチ
ルアルコールの存在下で加水分解する方法（特開平７ー
２８５９７４号公報）である。
テトラヒドロフランと炭化水素溶剤との混合溶剤の存在
下で加水分解する方法（特開平６ー８０６８０号公
報）、および、（ロ）ジクロロジシロキサンをｔ−ブチ
ルアルコールの存在下で加水分解する方法（特開平７ー
２８５９７４号公報）である。
【０００８】しかしながら、前記（イ）の方法では高い
収率で生成物である環状オリゴシロキサンを得るために
は、炭化水素溶剤としてベンゼンを用いる必要がある
が、ベンゼンに対する安全性の点から、本方法を工業的
に実用化する場合には問題となることがある。また、前
記（ロ）の方法では、原料として用いられるジクロロジ
シロキサンが汎用品として流通している原料ではないた
めに、一般に本技術を実施しようとする場合に原料の入
手性が問題となり、工業的な技術の汎用性に欠ける点で
問題がある。
収率で生成物である環状オリゴシロキサンを得るために
は、炭化水素溶剤としてベンゼンを用いる必要がある
が、ベンゼンに対する安全性の点から、本方法を工業的
に実用化する場合には問題となることがある。また、前
記（ロ）の方法では、原料として用いられるジクロロジ
シロキサンが汎用品として流通している原料ではないた
めに、一般に本技術を実施しようとする場合に原料の入
手性が問題となり、工業的な技術の汎用性に欠ける点で
問題がある。
【０００９】さらに、（イ）および（ロ）の方法はいず
れもクロロシランを加水分解することによるが、その際
副生成物として塩化水素が生成するため、製品中にも微
量の塩化水素が混入することが知られている。しかしな
がら、塩化水素を含んだ製品を電子材料等の用途に用い
た場合、塩化物イオン等のイオン成分を含有する製品は
電極の腐食等の観点から好ましくない。このことからか
かる方法で製造された製品は電子材料等の用途には適さ
ず、その工業的利用価値が低下するものである。また、
（イ）および（ロ）の方法はいずれも強酸性条件下に反
応を行うので、後工程でｐＨを調整する等、工程が繁雑
となるだけでなく、原料を取り扱う上でも慎重さが要求
されルという問題点もある。
れもクロロシランを加水分解することによるが、その際
副生成物として塩化水素が生成するため、製品中にも微
量の塩化水素が混入することが知られている。しかしな
がら、塩化水素を含んだ製品を電子材料等の用途に用い
た場合、塩化物イオン等のイオン成分を含有する製品は
電極の腐食等の観点から好ましくない。このことからか
かる方法で製造された製品は電子材料等の用途には適さ
ず、その工業的利用価値が低下するものである。また、
（イ）および（ロ）の方法はいずれも強酸性条件下に反
応を行うので、後工程でｐＨを調整する等、工程が繁雑
となるだけでなく、原料を取り扱う上でも慎重さが要求
されルという問題点もある。
【００１０】環状オリゴシロキサンの別の製造方法とし
て、種々の条件で、鎖状ポリシロキサンあるいは高重合
度環状ポリシロキサンを酸性あるいはアルカリ性の触媒
の存在下に反応させることによる方法が提案されてい
る。
て、種々の条件で、鎖状ポリシロキサンあるいは高重合
度環状ポリシロキサンを酸性あるいはアルカリ性の触媒
の存在下に反応させることによる方法が提案されてい
る。
【００１１】酸性触媒を用いる方法としては例えば、
（ハ）Ｓｉ−Ｈ基含有ポリシロキサンを水および活性白
土の存在下に反応させる方法（特告昭５４ー１３４８０
号公報）、（ニ）メチルハイドロジェンポリシロキサン
を酸触媒の存在下に加熱し反応させる方法（特告昭５５
ー１１６９７号公報）、（ホ）オルガノポリシロキサン
を減圧下、加熱した固定触媒床に接触させて反応させる
方法（特開平２ー１２９１９２号公報）、（ヘ）メチル
ハイドロジェンポリシロキサンを反応させる際に高沸点
のオルガノジシロキサン存在下で行う方法（特開平７ー
２４２６７８号公報）、（ト）オルガノハイドロジェン
ポリシロキサンを塩化アルミニウムの存在下に反応させ
る方法（特開平７ー３１６１６７号公報）がある。
（ハ）Ｓｉ−Ｈ基含有ポリシロキサンを水および活性白
土の存在下に反応させる方法（特告昭５４ー１３４８０
号公報）、（ニ）メチルハイドロジェンポリシロキサン
を酸触媒の存在下に加熱し反応させる方法（特告昭５５
ー１１６９７号公報）、（ホ）オルガノポリシロキサン
を減圧下、加熱した固定触媒床に接触させて反応させる
方法（特開平２ー１２９１９２号公報）、（ヘ）メチル
ハイドロジェンポリシロキサンを反応させる際に高沸点
のオルガノジシロキサン存在下で行う方法（特開平７ー
２４２６７８号公報）、（ト）オルガノハイドロジェン
ポリシロキサンを塩化アルミニウムの存在下に反応させ
る方法（特開平７ー３１６１６７号公報）がある。
【００１２】しかしながら、前記（ハ）の方法では、特
にＳｉ−Ｈ基が酸性状態で水と反応性が高いために反応
系がゲル化するという工業的に大きな問題を有し、工業
的に用いる場合には問題がある。前記（ニ）および
（ホ）の方法では、反応に２５０〜５００℃という非常
に高い温度を必要とし、工業的に用いる場合に問題があ
る。前記（ヘ）の方法では主原料の他に副原料として高
沸点のジシロキサンを用いる必要がある。ところが、こ
れらの特殊ジシロキサンは、汎用品として流通している
原料ではないために、一般に本技術を実施しようとする
場合に原料の入手という点で工業的な技術の汎用性に欠
ける。また、コストの観点からも工業的に有利な方法で
はない。
にＳｉ−Ｈ基が酸性状態で水と反応性が高いために反応
系がゲル化するという工業的に大きな問題を有し、工業
的に用いる場合には問題がある。前記（ニ）および
（ホ）の方法では、反応に２５０〜５００℃という非常
に高い温度を必要とし、工業的に用いる場合に問題があ
る。前記（ヘ）の方法では主原料の他に副原料として高
沸点のジシロキサンを用いる必要がある。ところが、こ
れらの特殊ジシロキサンは、汎用品として流通している
原料ではないために、一般に本技術を実施しようとする
場合に原料の入手という点で工業的な技術の汎用性に欠
ける。また、コストの観点からも工業的に有利な方法で
はない。
【００１３】また、前記（ハ）乃至（ト）の方法はいず
れも酸触媒を使用する。特に前記（ト）の方法は塩化ア
ルミニウムという非常に酸性の強い触媒を使用する。こ
れらの方法ではまた、Ｓｉ−Ｈ基を含有する系において
は酸性条件下ではＳｉ−Ｈ基が水等に本質的に不安定で
あることから、酸性触媒を用いることは好ましくなく、
例えば、原料あるいは空気中等から系内に微量でも水分
が混入した場合に、Ｓｉ−Ｈが水分と反応し生成物であ
る環状オリゴシロキサンの収率を低下させるだけでな
く、反応系のゲル化をひきおこす原因となる。従って、
酸性触媒を用いる前記（ハ）乃至（ト）の方法は、安定
に製造するという工業的観点から実用性に問題がある技
術である。
れも酸触媒を使用する。特に前記（ト）の方法は塩化ア
ルミニウムという非常に酸性の強い触媒を使用する。こ
れらの方法ではまた、Ｓｉ−Ｈ基を含有する系において
は酸性条件下ではＳｉ−Ｈ基が水等に本質的に不安定で
あることから、酸性触媒を用いることは好ましくなく、
例えば、原料あるいは空気中等から系内に微量でも水分
が混入した場合に、Ｓｉ−Ｈが水分と反応し生成物であ
る環状オリゴシロキサンの収率を低下させるだけでな
く、反応系のゲル化をひきおこす原因となる。従って、
酸性触媒を用いる前記（ハ）乃至（ト）の方法は、安定
に製造するという工業的観点から実用性に問題がある技
術である。
【００１４】アルカリ性触媒を用いる方法としては例え
ば、（チ）アルカリ金属の炭酸塩を触媒に用いる方法
（特公昭４５−１５０３６号公報）、（リ）アルカリ金
属シラノーレトを触媒に用いる方法（特公昭３３−２１
４９号公報）がある。
ば、（チ）アルカリ金属の炭酸塩を触媒に用いる方法
（特公昭４５−１５０３６号公報）、（リ）アルカリ金
属シラノーレトを触媒に用いる方法（特公昭３３−２１
４９号公報）がある。
【００１５】しかしながら、いずれもアルカリ触媒を用
いているため、酸性触媒の場合と同様に後工程でｐＨを
調整する等、工程が繁雑となるだけでなく、原料を取り
扱う上でも慎重さが要求されるという工業的に安定に製
造するためには問題点がある。また、Ｓｉ−Ｈ基を含有
する系においてはアルカリ性条件下ではＳｉ−Ｈ基が非
常に不安定であることから実質的にこれらの方法は適用
することが出来ない。従って、アルカリ性触媒を用いる
前記（チ）、（リ）のような方法は、安定に製造すると
いう工業的観点から実用性に問題がある技術であり、ま
た汎用性にも欠ける技術である。
いているため、酸性触媒の場合と同様に後工程でｐＨを
調整する等、工程が繁雑となるだけでなく、原料を取り
扱う上でも慎重さが要求されるという工業的に安定に製
造するためには問題点がある。また、Ｓｉ−Ｈ基を含有
する系においてはアルカリ性条件下ではＳｉ−Ｈ基が非
常に不安定であることから実質的にこれらの方法は適用
することが出来ない。従って、アルカリ性触媒を用いる
前記（チ）、（リ）のような方法は、安定に製造すると
いう工業的観点から実用性に問題がある技術であり、ま
た汎用性にも欠ける技術である。
【００１６】また、本発明者は、安価に入手できる原料
を使用し、中性条件かつ比較的低温という平易な条件で
反応を実施でき、特にＳｉ−Ｈ基を含有する系の場合に
も反応系のゲル化を伴わない、工業的に実施する際に実
用的な、環状オリゴシロキサンの製造方法として、鎖状
あるいは環状のポリシロキサンを金属アルコキシドの存
在下に加熱することを特徴とする環状オリゴシロキサン
の製造方法を見出したが、特定の条件（例えば高濃度の
金属アルコキシドを用い、高温度で反応を行った場合）
では、やはり反応液残さのゲル化が見られることがわか
った。
を使用し、中性条件かつ比較的低温という平易な条件で
反応を実施でき、特にＳｉ−Ｈ基を含有する系の場合に
も反応系のゲル化を伴わない、工業的に実施する際に実
用的な、環状オリゴシロキサンの製造方法として、鎖状
あるいは環状のポリシロキサンを金属アルコキシドの存
在下に加熱することを特徴とする環状オリゴシロキサン
の製造方法を見出したが、特定の条件（例えば高濃度の
金属アルコキシドを用い、高温度で反応を行った場合）
では、やはり反応液残さのゲル化が見られることがわか
った。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は前記
の問題を解決するため、安価に入手できる原料を使用
し、中性条件かつ比較的低温という平易な条件で反応を
実施できる前記の環状オリゴシロキサンの製造方法にお
いて、特に反応系のゲル化を抑えることができ、工業的
に実施する際に実用的な、製造方法を提供することを目
的とする。
の問題を解決するため、安価に入手できる原料を使用
し、中性条件かつ比較的低温という平易な条件で反応を
実施できる前記の環状オリゴシロキサンの製造方法にお
いて、特に反応系のゲル化を抑えることができ、工業的
に実施する際に実用的な、製造方法を提供することを目
的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに本発明者らは鋭意研究の結果、金属アルコキシドの
存在下に反応を行い、用いる金属アルコキシドの量を原
料であるポリシロキサンに対し少ない触媒量（０．０１
重量部〜１．０重量部）および低い反応温度（１４０℃
〜１９０℃）で行うことで反応系のゲル化を低く抑えら
れることを見出し本発明に至った。
めに本発明者らは鋭意研究の結果、金属アルコキシドの
存在下に反応を行い、用いる金属アルコキシドの量を原
料であるポリシロキサンに対し少ない触媒量（０．０１
重量部〜１．０重量部）および低い反応温度（１４０℃
〜１９０℃）で行うことで反応系のゲル化を低く抑えら
れることを見出し本発明に至った。
【００１９】すなわち、本発明は、鎖状あるいは環状の
ポリシロキサンを金属アルコキシドの存在下に加熱する
ことを特徴とする環状オリゴシロキサンの製造方法であ
って、用いる金属アルコキシドの量が原料ポリシロキサ
ンに対して０．０１重量部〜１．０重量部の範囲であり
かつ反応温度が１４０℃〜１９０℃の範囲である反応条
件で反応を行なうか、あるいは金属アルコキシドの量が
原料ポリシロキサンに対して０．０１重量部〜０．５重
量部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜２００℃の
範囲である反応条件で反応を行なうことによる環状オリ
ゴシロキサンの製造方法（請求項１）であり、下記一般
式（I）
ポリシロキサンを金属アルコキシドの存在下に加熱する
ことを特徴とする環状オリゴシロキサンの製造方法であ
って、用いる金属アルコキシドの量が原料ポリシロキサ
ンに対して０．０１重量部〜１．０重量部の範囲であり
かつ反応温度が１４０℃〜１９０℃の範囲である反応条
件で反応を行なうか、あるいは金属アルコキシドの量が
原料ポリシロキサンに対して０．０１重量部〜０．５重
量部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜２００℃の
範囲である反応条件で反応を行なうことによる環状オリ
ゴシロキサンの製造方法（請求項１）であり、下記一般
式（I）
【００２０】
【化１３】 （式中、Ｒ1は一価の置換または非置換の炭化水素基、
Ｒ2は水酸基または一価の置換または非置換の炭化水素
基、Ｒ3は水素原子または一価の置換または非置換の炭
化水素基、Ｒ4乃至Ｒ6は同種または異種の一価置換また
は非置換の炭化水素基を表し、ｋおよびｌはそれぞれ独
立に０または１〜１０００の数であり、かつｋおよびｌ
は４≦ｋ＋ｌ≦１０００を満足する数を表す。）で表さ
れる鎖状ポリシロキサンおよび／または下記一般式（I
I）
Ｒ2は水酸基または一価の置換または非置換の炭化水素
基、Ｒ3は水素原子または一価の置換または非置換の炭
化水素基、Ｒ4乃至Ｒ6は同種または異種の一価置換また
は非置換の炭化水素基を表し、ｋおよびｌはそれぞれ独
立に０または１〜１０００の数であり、かつｋおよびｌ
は４≦ｋ＋ｌ≦１０００を満足する数を表す。）で表さ
れる鎖状ポリシロキサンおよび／または下記一般式（I
I）
【００２１】
【化１４】 （式中、Ｒ4乃至Ｒ6は同種または異種の一価置換または
非置換の炭化水素基を表し、ｍおよびｎはそれぞれ独立
に０または１〜１０００の数であり、かつｍおよびｎは
３≦ｍ＋ｎ≦１０００を満足する数を表す。）で表され
る環状ポリシロキサンを金属アルコキシドの存在下に加
熱することを特徴とする、下記一般式（III）
非置換の炭化水素基を表し、ｍおよびｎはそれぞれ独立
に０または１〜１０００の数であり、かつｍおよびｎは
３≦ｍ＋ｎ≦１０００を満足する数を表す。）で表され
る環状ポリシロキサンを金属アルコキシドの存在下に加
熱することを特徴とする、下記一般式（III）
【００２２】
【化１５】 （式中、Ｒ4乃至Ｒ6は同種または異種の一価置換または
非置換の炭化水素基を表し、ｐおよびｑはそれぞれ独立
に０または１〜１０の数であり、かつｐおよびｑは３≦
ｐ＋ｑ≦１０を満足する数を表す。）で表される環状ポ
リシロキサンの製造方法であって、用いる金属アルコキ
シドの量が原料ポリシロキサンに対して０．０１重量部
〜１．０重量部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜
１９０℃の範囲である反応条件で反応を行なうか、ある
いは金属アルコキシドの量が原料ポリシロキサンに対し
て０．０１重量部〜０．５重量部の範囲でありかつ反応
温度が１４０℃〜２００℃の範囲である反応条件で反応
を行なうことによる環状オリゴシロキサンの製造方法
（請求項２）であり、前記ｋおよびｍがそれぞれ独立に
０または１〜９９９の数であり、かつ前記ｌおよびｎが
それぞれ独立に１〜１０００の数であり、かつ前記ｐが
０または１〜９の数であり、かつ前記ｑが１〜１０の数
である請求項２記載の環状オリゴシロキサンの製造方法
（請求項３）であり、前記ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑが５
≦ｍ＋ｎ≦１０００かつｐ＋ｑ＜ｋ＋ｌかつｐ＋ｑ＜ｍ
＋ｎを満足する数である請求項３記載の環状オリゴシロ
キサンの製造方法（請求項４）であり、前記Ｒ1、Ｒ4お
よびＲ6がメチル基、Ｒ2は水酸基またはメチル基、Ｒ3
は水素原子またはメチル基である請求項２乃至請求項４
いずれか記載の環状オリゴシロキサンの製造方法（請求
項５）であり、前記ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑがｋ＜ｌか
つｍ＜ｎかつｐ＜ｑである請求項２乃至請求項５いずれ
か記載の環状オリゴシロキサンの製造方法（請求項６）
であり、ｋ＝ｍ＝ｐ＝０である請求項３乃至請求項５い
ずれか記載の環状オリゴシロキサン製造方法（請求項
７）であり、［１］下記一般式（IV）
非置換の炭化水素基を表し、ｐおよびｑはそれぞれ独立
に０または１〜１０の数であり、かつｐおよびｑは３≦
ｐ＋ｑ≦１０を満足する数を表す。）で表される環状ポ
リシロキサンの製造方法であって、用いる金属アルコキ
シドの量が原料ポリシロキサンに対して０．０１重量部
〜１．０重量部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜
１９０℃の範囲である反応条件で反応を行なうか、ある
いは金属アルコキシドの量が原料ポリシロキサンに対し
て０．０１重量部〜０．５重量部の範囲でありかつ反応
温度が１４０℃〜２００℃の範囲である反応条件で反応
を行なうことによる環状オリゴシロキサンの製造方法
（請求項２）であり、前記ｋおよびｍがそれぞれ独立に
０または１〜９９９の数であり、かつ前記ｌおよびｎが
それぞれ独立に１〜１０００の数であり、かつ前記ｐが
０または１〜９の数であり、かつ前記ｑが１〜１０の数
である請求項２記載の環状オリゴシロキサンの製造方法
（請求項３）であり、前記ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑが５
≦ｍ＋ｎ≦１０００かつｐ＋ｑ＜ｋ＋ｌかつｐ＋ｑ＜ｍ
＋ｎを満足する数である請求項３記載の環状オリゴシロ
キサンの製造方法（請求項４）であり、前記Ｒ1、Ｒ4お
よびＲ6がメチル基、Ｒ2は水酸基またはメチル基、Ｒ3
は水素原子またはメチル基である請求項２乃至請求項４
いずれか記載の環状オリゴシロキサンの製造方法（請求
項５）であり、前記ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑがｋ＜ｌか
つｍ＜ｎかつｐ＜ｑである請求項２乃至請求項５いずれ
か記載の環状オリゴシロキサンの製造方法（請求項６）
であり、ｋ＝ｍ＝ｐ＝０である請求項３乃至請求項５い
ずれか記載の環状オリゴシロキサン製造方法（請求項
７）であり、［１］下記一般式（IV）
【００２３】
【化１６】 （式中、Ｒ1は一価の置換または非置換の炭化水素基、
Ｒ2は水酸基または一価の置換または非置換の炭化水素
基、Ｒ3は水素原子または一価の置換または非置換の炭
化水素基、Ｒ4は一価の置換または非置換の炭化水素基
を表し、ｋは４〜１０００の数を表す。）で表される鎖
状ポリシロキサンおよび／または下記一般式（V）
Ｒ2は水酸基または一価の置換または非置換の炭化水素
基、Ｒ3は水素原子または一価の置換または非置換の炭
化水素基、Ｒ4は一価の置換または非置換の炭化水素基
を表し、ｋは４〜１０００の数を表す。）で表される鎖
状ポリシロキサンおよび／または下記一般式（V）
【００２４】
【化１７】 （式中、Ｒ5は同種または異種の一価置換または非置換
の炭化水素基を表し、ｌは４〜１０００の数を表す。）
で表される環状ポリシロキサンで構成されるポリシロキ
サン成分と、［２］下記一般式（VI）
の炭化水素基を表し、ｌは４〜１０００の数を表す。）
で表される環状ポリシロキサンで構成されるポリシロキ
サン成分と、［２］下記一般式（VI）
【００２５】
【化１８】 （式中、Ｒ6は水酸基または一価の置換または非置換の
炭化水素基、Ｒ7乃至Ｒ10は同種または異種の一価置換
または非置換の炭化水素基を表し、ｍは４〜１０００の
数を表す。）で表される鎖状ポリシロキサンおよび／ま
たは下記一般式（VII）
炭化水素基、Ｒ7乃至Ｒ10は同種または異種の一価置換
または非置換の炭化水素基を表し、ｍは４〜１０００の
数を表す。）で表される鎖状ポリシロキサンおよび／ま
たは下記一般式（VII）
【００２６】
【化１９】 （式中、Ｒ11、Ｒ12は同種または異種の一価置換または
非置換の炭化水素基を表し、ｎは４〜１０００の数を表
す。）で表される環状ポリシロキサンで構成されるポリ
シロキサン成分とを、金属アルコキシドの存在下に加熱
することを特徴とする、下記一般式（VIII）
非置換の炭化水素基を表し、ｎは４〜１０００の数を表
す。）で表される環状ポリシロキサンで構成されるポリ
シロキサン成分とを、金属アルコキシドの存在下に加熱
することを特徴とする、下記一般式（VIII）
【００２７】
【化２０】 （式中、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は同種また
は異種の一価置換または非置換の炭化水素基を表し、
ｐ、ｑ、ｒ、ｓは０〜９の数であり、かつｐ、ｑ、ｒ、
ｓは３≦ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≦１０、かつ１≦ｐ＋ｑ、かつ
１≦ｒ＋ｓを満足する数を表す。）で表される環状オリ
ゴシロキサンの製造方法であって、用いる金属アルコキ
シドの量が原料ポリシロキサンに対して０．０１重量部
〜１．０重量部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜
１９０℃の範囲である反応条件で反応を行なうか、ある
いは金属アルコキシドの量が原料ポリシロキサンに対し
て０．０１重量部〜０．５重量部の範囲でありかつ反応
温度が１４０℃〜２００℃の範囲である反応条件で反応
を行なうことによる環状オリゴシロキサンの製造方法
（請求項８）であり、下記一般式（IV）
は異種の一価置換または非置換の炭化水素基を表し、
ｐ、ｑ、ｒ、ｓは０〜９の数であり、かつｐ、ｑ、ｒ、
ｓは３≦ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≦１０、かつ１≦ｐ＋ｑ、かつ
１≦ｒ＋ｓを満足する数を表す。）で表される環状オリ
ゴシロキサンの製造方法であって、用いる金属アルコキ
シドの量が原料ポリシロキサンに対して０．０１重量部
〜１．０重量部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜
１９０℃の範囲である反応条件で反応を行なうか、ある
いは金属アルコキシドの量が原料ポリシロキサンに対し
て０．０１重量部〜０．５重量部の範囲でありかつ反応
温度が１４０℃〜２００℃の範囲である反応条件で反応
を行なうことによる環状オリゴシロキサンの製造方法
（請求項８）であり、下記一般式（IV）
【００２８】
【化２１】 （式中、Ｒ1は一価の置換または非置換の炭化水素基、
Ｒ2は水酸基または一価の置換または非置換の炭化水素
基、Ｒ3は水素原子または一価の置換または非置換の炭
化水素基、Ｒ4は一価の置換または非置換の炭化水素基
を表し、ｋは４〜１０００の数を表す。）で表される鎖
状ポリシロキサンと、下記一般式（VI）
Ｒ2は水酸基または一価の置換または非置換の炭化水素
基、Ｒ3は水素原子または一価の置換または非置換の炭
化水素基、Ｒ4は一価の置換または非置換の炭化水素基
を表し、ｋは４〜１０００の数を表す。）で表される鎖
状ポリシロキサンと、下記一般式（VI）
【００２９】
【化２２】 （式中、Ｒ6は水酸基または一価の置換または非置換の
炭化水素基、Ｒ7乃至Ｒ10は同種または異種の一価置換
または非置換の炭化水素基を表し、ｍは４〜１０００の
数を表す。）で表される鎖状ポリシロキサンとを、金属
アルコキシドの存在下に加熱することを特徴とする、下
記一般式（IX）
炭化水素基、Ｒ7乃至Ｒ10は同種または異種の一価置換
または非置換の炭化水素基を表し、ｍは４〜１０００の
数を表す。）で表される鎖状ポリシロキサンとを、金属
アルコキシドの存在下に加熱することを特徴とする、下
記一般式（IX）
【００３０】
【化２３】 （式中、Ｒ4、Ｒ9、Ｒ10は同種または異種の一価置換ま
たは非置換の炭化水素基を表し、ｐ、ｒは１〜９の数で
あり、かつｐおよびｒは３≦ｐ＋ｒ≦１０を満足する数
を表す。）で表される環状オリゴシロキサンの製造方法
であって、用いる金属アルコキシドの量が原料ポリシロ
キサンに対して０．０１重量部〜１．０重量部の範囲で
ありかつ反応温度が１４０℃〜１９０℃の範囲である反
応条件で反応を行なうか、あるいは金属アルコキシドの
量が原料ポリシロキサンに対して０．０１重量部〜０．
５重量部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜２００
℃の範囲である反応条件で反応を行なうことによる環状
オリゴシロキサンの製造方法（請求項９）であり、前記
Ｒ1、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12がメ
チル基、Ｒ2、Ｒ6は水酸基またはメチル基、Ｒ3は水素
原子またはメチル基である請求項８あるいは請求項９い
ずれか記載の環状オリゴシロキサンの製造方法（請求項
１０）であり、前記金属アルコキシドがアルミニウムア
ルコキシド、チタンアルコキシド、ジルコニウムアルコ
キシド、スズアルコキシド、マグネシウムアルコキシ
ド、あるいは亜鉛のアルコキシドである請求項１乃至請
求項１０いずれか記載の環状オリゴシロキサンの製造方
法(請求項１１)であり、前記金属アルコキシドがアルミ
ニウムアルコキシドである請求項１乃至請求項１０いず
れか記載の環状オリゴシロキサンの製造方法（請求項１
２）であり、減圧下で生成する環状オリゴシロキサンを
留去することによる請求項１乃至請求項１２いずれか記
載の環状オリゴシロキサンの製造方法（請求項１３）で
ある。
たは非置換の炭化水素基を表し、ｐ、ｒは１〜９の数で
あり、かつｐおよびｒは３≦ｐ＋ｒ≦１０を満足する数
を表す。）で表される環状オリゴシロキサンの製造方法
であって、用いる金属アルコキシドの量が原料ポリシロ
キサンに対して０．０１重量部〜１．０重量部の範囲で
ありかつ反応温度が１４０℃〜１９０℃の範囲である反
応条件で反応を行なうか、あるいは金属アルコキシドの
量が原料ポリシロキサンに対して０．０１重量部〜０．
５重量部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜２００
℃の範囲である反応条件で反応を行なうことによる環状
オリゴシロキサンの製造方法（請求項９）であり、前記
Ｒ1、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12がメ
チル基、Ｒ2、Ｒ6は水酸基またはメチル基、Ｒ3は水素
原子またはメチル基である請求項８あるいは請求項９い
ずれか記載の環状オリゴシロキサンの製造方法（請求項
１０）であり、前記金属アルコキシドがアルミニウムア
ルコキシド、チタンアルコキシド、ジルコニウムアルコ
キシド、スズアルコキシド、マグネシウムアルコキシ
ド、あるいは亜鉛のアルコキシドである請求項１乃至請
求項１０いずれか記載の環状オリゴシロキサンの製造方
法(請求項１１)であり、前記金属アルコキシドがアルミ
ニウムアルコキシドである請求項１乃至請求項１０いず
れか記載の環状オリゴシロキサンの製造方法（請求項１
２）であり、減圧下で生成する環状オリゴシロキサンを
留去することによる請求項１乃至請求項１２いずれか記
載の環状オリゴシロキサンの製造方法（請求項１３）で
ある。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【００３２】前記一般式（I）で表される鎖状ポリシロ
キサンのＲ1、前記一般式（IV）で表される鎖状ポリシ
ロキサンのＲ1および前記一般式（VI）で表される鎖状
ポリシロキサンのＲ7およびＲ8は一価の置換または非置
換の炭化水素基であり、炭化水素基の例としてはハロゲ
ン化アルキル基、アルキル基、シクロアルキル基、アル
ケニル基、シクロアルケニル基、あるいはアリール基等
が挙げられる。これらの内、好ましくはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、ｓ-
ブチル基、ｔ-ブチル基、シクロヘキシル基、ビニル
基、フェニル基が挙げられ、さらに好ましくはメチル
基、フェニル基が挙げられる。最も好ましいものはメチ
ル基である。
キサンのＲ1、前記一般式（IV）で表される鎖状ポリシ
ロキサンのＲ1および前記一般式（VI）で表される鎖状
ポリシロキサンのＲ7およびＲ8は一価の置換または非置
換の炭化水素基であり、炭化水素基の例としてはハロゲ
ン化アルキル基、アルキル基、シクロアルキル基、アル
ケニル基、シクロアルケニル基、あるいはアリール基等
が挙げられる。これらの内、好ましくはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、ｓ-
ブチル基、ｔ-ブチル基、シクロヘキシル基、ビニル
基、フェニル基が挙げられ、さらに好ましくはメチル
基、フェニル基が挙げられる。最も好ましいものはメチ
ル基である。
【００３３】前記一般式（I）で表される鎖状ポリシロ
キサンのＲ2、前記一般式（IV）で表される鎖状ポリシ
ロキサンのＲ2および前記一般式（VI）で表される鎖状
ポリシロキサンのＲ6は水酸基または一価の置換または
非置換の炭化水素基であり、一価置換または非置換の炭
化水素基の例は前記Ｒ1と同じである。
キサンのＲ2、前記一般式（IV）で表される鎖状ポリシ
ロキサンのＲ2および前記一般式（VI）で表される鎖状
ポリシロキサンのＲ6は水酸基または一価の置換または
非置換の炭化水素基であり、一価置換または非置換の炭
化水素基の例は前記Ｒ1と同じである。
【００３４】前記一般式（I）で表される鎖状ポリシロ
キサンのＲ3および前記一般式（IV）で表される鎖状ポ
リシロキサンのＲ3は水素原子または一価の置換または
非置換の炭化水素基であり、一価置換または非置換の炭
化水素基の例は前記Ｒ1と同じである。
キサンのＲ3および前記一般式（IV）で表される鎖状ポ
リシロキサンのＲ3は水素原子または一価の置換または
非置換の炭化水素基であり、一価置換または非置換の炭
化水素基の例は前記Ｒ1と同じである。
【００３５】前記一般式（I）で表される鎖状ポリシロ
キサンのＲ4、Ｒ6、前記一般式（II）で表される環状ポ
リシロキサンのＲ4、Ｒ6、前記一般式（III）で表され
る環状オリゴシロキサンのＲ4、Ｒ6、前記一般式（IV）
で表される鎖状オリゴシロキサンのＲ4、前記一般式
（V）で表される環状ポリシロキサンのＲ5、前記一般式
（VI）で表される鎖状ポリシロキサンＲ9、前記一般式
（VII）で表される環状ポリシロキサンのＲ11、前記一
般式（VIII）で表される環状オリゴシロキサンのＲ 4、
Ｒ5、Ｒ9、Ｒ11および前記一般式（IX）で表される環状
オリゴシロキサンのＲ4、Ｒ9は一価の置換または非置換
の炭化水素基であり、例は前記Ｒ1と同じである。ま
た、前記一般式（I）、（II）、（III）のＲ4、Ｒ6およ
び前記一般式（IV）、（V）、（VI）、（VII）、（VII
I）、（IX）のＲ4、Ｒ5、Ｒ9、Ｒ11はそれぞれ繰り返し
単位ごとに同一であっても異なっていても構わない。
キサンのＲ4、Ｒ6、前記一般式（II）で表される環状ポ
リシロキサンのＲ4、Ｒ6、前記一般式（III）で表され
る環状オリゴシロキサンのＲ4、Ｒ6、前記一般式（IV）
で表される鎖状オリゴシロキサンのＲ4、前記一般式
（V）で表される環状ポリシロキサンのＲ5、前記一般式
（VI）で表される鎖状ポリシロキサンＲ9、前記一般式
（VII）で表される環状ポリシロキサンのＲ11、前記一
般式（VIII）で表される環状オリゴシロキサンのＲ 4、
Ｒ5、Ｒ9、Ｒ11および前記一般式（IX）で表される環状
オリゴシロキサンのＲ4、Ｒ9は一価の置換または非置換
の炭化水素基であり、例は前記Ｒ1と同じである。ま
た、前記一般式（I）、（II）、（III）のＲ4、Ｒ6およ
び前記一般式（IV）、（V）、（VI）、（VII）、（VII
I）、（IX）のＲ4、Ｒ5、Ｒ9、Ｒ11はそれぞれ繰り返し
単位ごとに同一であっても異なっていても構わない。
【００３６】前記一般式（I）で表される鎖状ポリシロ
キサンのＲ5、前記一般式（II）で表される環状ポリシ
ロキサンのＲ5、および前記一般式（III）で表される環
状オリゴシロキサンのＲ5、前記一般式（VI）で表され
る鎖状ポリシロキサンのＲ10、前記一般式（VII）で表
される環状ポリシロキサンのＲ12、前記一般式（VIII）
で表される環状オリゴシロキサンのＲ10、Ｒ12および前
記一般式（IX）で表される環状オリゴシロキサンのＲ10
は一価の置換または非置換の炭化水素基であり、炭化水
素基の例としてはアルキル基、シクロアルキル基、アル
ケニル基、シクロアルケニル基、あるいはアリール基等
が挙げられる。これらの内、好ましくはメチル基、エチ
ル基、ＣＨ2ＣＨ2Ｘ1で表される置換アルキル基（ここ
でいうＸ1はハロゲン原子、シアノ基、フェニル基、ア
ルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボ
ニル基等の一価の有機基を表す。）、ＣＨ2ＣＨ（Ｃ
Ｈ3）Ｘ2で表される置換アルキル基（ここでいうＸ2は
ハロゲン原子、フェニル基、アルキルカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基等の一価の有機基を表す。）、Ｃ
Ｈ 2ＣＨ2ＣＨ2Ｘ3で表される置換アルキル基（ここでい
うＸ3はハロゲン原子、水酸基、置換あるいは非置換ア
ルコキシ基等の一価の有機基を表す。）、ビニル基、フ
ェニル基が挙げられる。また、前記一般式（I）、（I
I）、（III）のＲ5および前記一般式（VI）、（VII）、
（VIII）、（IX）のＲ10、Ｒ12はそれぞれ繰り返し単位
ごとに同一であっても異なっていても構わない。
キサンのＲ5、前記一般式（II）で表される環状ポリシ
ロキサンのＲ5、および前記一般式（III）で表される環
状オリゴシロキサンのＲ5、前記一般式（VI）で表され
る鎖状ポリシロキサンのＲ10、前記一般式（VII）で表
される環状ポリシロキサンのＲ12、前記一般式（VIII）
で表される環状オリゴシロキサンのＲ10、Ｒ12および前
記一般式（IX）で表される環状オリゴシロキサンのＲ10
は一価の置換または非置換の炭化水素基であり、炭化水
素基の例としてはアルキル基、シクロアルキル基、アル
ケニル基、シクロアルケニル基、あるいはアリール基等
が挙げられる。これらの内、好ましくはメチル基、エチ
ル基、ＣＨ2ＣＨ2Ｘ1で表される置換アルキル基（ここ
でいうＸ1はハロゲン原子、シアノ基、フェニル基、ア
ルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボ
ニル基等の一価の有機基を表す。）、ＣＨ2ＣＨ（Ｃ
Ｈ3）Ｘ2で表される置換アルキル基（ここでいうＸ2は
ハロゲン原子、フェニル基、アルキルカルボニル基、ア
ルコキシカルボニル基等の一価の有機基を表す。）、Ｃ
Ｈ 2ＣＨ2ＣＨ2Ｘ3で表される置換アルキル基（ここでい
うＸ3はハロゲン原子、水酸基、置換あるいは非置換ア
ルコキシ基等の一価の有機基を表す。）、ビニル基、フ
ェニル基が挙げられる。また、前記一般式（I）、（I
I）、（III）のＲ5および前記一般式（VI）、（VII）、
（VIII）、（IX）のＲ10、Ｒ12はそれぞれ繰り返し単位
ごとに同一であっても異なっていても構わない。
【００３７】前記一般式（I）で表される鎖状ポリシロ
キサンの具体例としては、 Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3Ｓ
ｉＯ−（Ｐｈ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3ＳｉＯ−
（ＭｅＰｈＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ2ＰｈＳｉＯ−
（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2Ｐｈ、ＭｅＰｈ2ＳｉＯ−
（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅＰｈ2、Ｍｅ2Ｓｉ（ＯＨ）
Ｏ−（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2（ＯＨ）、Ｍｅ3Ｓｉ
Ｏ−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ2ＰｈＳｉＯ
−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2Ｐｈ、ＭｅＨＳｉ（Ｏ
Ｈ）Ｏ−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ（ＯＨ）Ｈ、
（ここでいうｘは４〜１０００の数を表し、好ましくは
２０〜５００の数を表し、さらに好ましくは３５〜２０
０の数を表す。） Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＳｉ（ＣＨ2ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3）
Ｏ）5−（ＭｅＨＳｉＯ）5−ＳｉＭｅ3、ＭｅＨＳｉ
（ＯＨ）Ｏ−（ＭｅＳｉ（ＣＨ2ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3）
Ｏ）5−（ＭｅＨＳｉＯ）5−ＳｉＭｅ（ＯＨ）Ｈ、Ｍｅ
3ＳｉＯ−（Ｍｅ2ＳｉＯ） x−（ＭｅＨＳｉＯ）y−Ｓｉ
Ｍｅ3、Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＰｈＳｉＯ）x−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）y−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＳｉ（Ｃ
Ｈ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｃ6Ｈ5）Ｏ）x−（ＭｅＨＳｉＯ）y−
ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＳｉ（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ
2(ＯＣＨ2ＣＨ2）nＯＭｅ)Ｏ）x−（ＭｅＨＳｉＯ）y−
ＳｉＭｅ3、（ここでいうｘ、ｙは４〜１０００の数を
表し、好ましくはｘ＋ｙが２０〜５００の数を表し、さ
らに好ましくはｘ＋ｙが３５〜２００の数を表し、ま
た、ここでいうｎは０または１〜１００の数を表し、好
ましくは１〜２０の数を表し、さらに好ましくは５〜１
０の数を表す。）等が挙げられる。
キサンの具体例としては、 Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ3ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3Ｓ
ｉＯ−（Ｐｈ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3ＳｉＯ−
（ＭｅＰｈＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ2ＰｈＳｉＯ−
（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2Ｐｈ、ＭｅＰｈ2ＳｉＯ−
（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅＰｈ2、Ｍｅ2Ｓｉ（ＯＨ）
Ｏ−（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2（ＯＨ）、Ｍｅ3Ｓｉ
Ｏ−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ2ＰｈＳｉＯ
−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2Ｐｈ、ＭｅＨＳｉ（Ｏ
Ｈ）Ｏ−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ（ＯＨ）Ｈ、
（ここでいうｘは４〜１０００の数を表し、好ましくは
２０〜５００の数を表し、さらに好ましくは３５〜２０
０の数を表す。） Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＳｉ（ＣＨ2ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3）
Ｏ）5−（ＭｅＨＳｉＯ）5−ＳｉＭｅ3、ＭｅＨＳｉ
（ＯＨ）Ｏ−（ＭｅＳｉ（ＣＨ2ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3）
Ｏ）5−（ＭｅＨＳｉＯ）5−ＳｉＭｅ（ＯＨ）Ｈ、Ｍｅ
3ＳｉＯ−（Ｍｅ2ＳｉＯ） x−（ＭｅＨＳｉＯ）y−Ｓｉ
Ｍｅ3、Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＰｈＳｉＯ）x−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）y−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＳｉ（Ｃ
Ｈ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｃ6Ｈ5）Ｏ）x−（ＭｅＨＳｉＯ）y−
ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＳｉ（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ
2(ＯＣＨ2ＣＨ2）nＯＭｅ)Ｏ）x−（ＭｅＨＳｉＯ）y−
ＳｉＭｅ3、（ここでいうｘ、ｙは４〜１０００の数を
表し、好ましくはｘ＋ｙが２０〜５００の数を表し、さ
らに好ましくはｘ＋ｙが３５〜２００の数を表し、ま
た、ここでいうｎは０または１〜１００の数を表し、好
ましくは１〜２０の数を表し、さらに好ましくは５〜１
０の数を表す。）等が挙げられる。
【００３８】前記一般式（II）で表される環状ポリシロ
キサンの例としては、
キサンの例としては、
【００３９】
【化２４】
【００４０】
【化２５】
【００４１】
【化２６】 （ここでいうｘ、ｙは０または１〜１０００の数を表
し、好ましくはｘ＋ｙが４〜１００の数を表し、さらに
好ましくはｘ＋ｙが４〜１０の数を表し、また、ここで
いうｎは０または１〜１００の数を表し、好ましくは１
〜２０の数を表し、さらに好ましくは５〜１０の数を表
す。）等が挙げられる。
し、好ましくはｘ＋ｙが４〜１００の数を表し、さらに
好ましくはｘ＋ｙが４〜１０の数を表し、また、ここで
いうｎは０または１〜１００の数を表し、好ましくは１
〜２０の数を表し、さらに好ましくは５〜１０の数を表
す。）等が挙げられる。
【００４２】前記一般式（III）で表される環状オリゴ
シロキサンの例としては、
シロキサンの例としては、
【００４３】
【化２７】
【００４４】
【化２８】
【００４５】
【化２９】 （ここでいうｘ、ｙは０または１〜１０の数を表し、ｘ
＋ｙが３〜１０の数を表す。好ましくはｘ、ｙが０また
は１〜６の数を表し、ｘ＋ｙが３〜６の数を表す。より
好ましくはｘ、ｙが０または１〜４の数を表し、ｘ＋ｙ
が４である。また、ここでいうｎは０または１〜１００
の数を表し、好ましくは１〜２０の数を表し、さらに好
ましくは５〜１０の数を表す。）等が挙げられる。
＋ｙが３〜１０の数を表す。好ましくはｘ、ｙが０また
は１〜６の数を表し、ｘ＋ｙが３〜６の数を表す。より
好ましくはｘ、ｙが０または１〜４の数を表し、ｘ＋ｙ
が４である。また、ここでいうｎは０または１〜１００
の数を表し、好ましくは１〜２０の数を表し、さらに好
ましくは５〜１０の数を表す。）等が挙げられる。
【００４６】前記一般式（IV）で表される鎖状ポリシロ
キサンの具体例としては、 Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ2Ｐ
ｈＳｉＯ−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2Ｐｈ、ＭｅＨ
Ｓｉ（ＯＨ）Ｏ−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ（Ｏ
Ｈ）Ｈ、Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＰｈＨＳｉＯ）x−ＳｉＭ
ｅ3、Ｍｅ2ＰｈＳｉＯ−（ＰｈＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2
Ｐｈ、ＭｅＨＳｉ（ＯＨ）Ｏ−（ＰｈＨＳｉＯ） x−Ｓ
ｉＭｅ（ＯＨ）Ｈ、（ここでいうｘは４〜１０００の数
を表し、好ましくは２０〜５００の数を表し、さらに好
ましくは３５〜２００の数を表す。）等が挙げられる。
キサンの具体例としては、 Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ2Ｐ
ｈＳｉＯ−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2Ｐｈ、ＭｅＨ
Ｓｉ（ＯＨ）Ｏ−（ＭｅＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ（Ｏ
Ｈ）Ｈ、Ｍｅ3ＳｉＯ−（ＰｈＨＳｉＯ）x−ＳｉＭ
ｅ3、Ｍｅ2ＰｈＳｉＯ−（ＰｈＨＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2
Ｐｈ、ＭｅＨＳｉ（ＯＨ）Ｏ−（ＰｈＨＳｉＯ） x−Ｓ
ｉＭｅ（ＯＨ）Ｈ、（ここでいうｘは４〜１０００の数
を表し、好ましくは２０〜５００の数を表し、さらに好
ましくは３５〜２００の数を表す。）等が挙げられる。
【００４７】前記一般式（V）で表される環状ポリシロ
キサンの例としては、
キサンの例としては、
【００４８】
【化３０】
【００４９】
【化３１】 （ここでいうｘは４〜１０００の数を表し、好ましくは
４〜１００の数を表し、さらに好ましくは４〜１０の数
を表す。）等が挙げられる。
４〜１００の数を表し、さらに好ましくは４〜１０の数
を表す。）等が挙げられる。
【００５０】前記一般式（VI）で表される鎖状ポリシロ
キサンの例としては、 Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3Ｓ
ｉＯ−（Ｐｈ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3ＳｉＯ−
（ＭｅＰｈＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ2ＰｈＳｉＯ−
（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2Ｐｈ、ＭｅＰｈ2ＳｉＯ−
（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅＰｈ2、Ｍｅ2Ｓｉ（ＯＨ）
Ｏ−（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2（ＯＨ）、Ｍｅ3Ｓｉ
Ｏ−（ＭｅＳｉ（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2(ＯＣＨ2ＣＨ2）nＯ
Ｍｅ)Ｏ）x−ＳｉＭｅ3（ここでいうｘは４〜１０００
の数を表し、好ましくは２０〜５００の数を表し、さら
に好ましくは３５〜２００の数を表し、また、ここでい
うｎは０または１〜１００の数を表し、好ましくは１〜
２０の数を表し、さらに好ましくは５〜１０の数を表
す。）等が挙げられる。
キサンの例としては、 Ｍｅ3ＳｉＯ−（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3Ｓ
ｉＯ−（Ｐｈ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ3ＳｉＯ−
（ＭｅＰｈＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ3、Ｍｅ2ＰｈＳｉＯ−
（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2Ｐｈ、ＭｅＰｈ2ＳｉＯ−
（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅＰｈ2、Ｍｅ2Ｓｉ（ＯＨ）
Ｏ−（Ｍｅ2ＳｉＯ）x−ＳｉＭｅ2（ＯＨ）、Ｍｅ3Ｓｉ
Ｏ−（ＭｅＳｉ（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2(ＯＣＨ2ＣＨ2）nＯ
Ｍｅ)Ｏ）x−ＳｉＭｅ3（ここでいうｘは４〜１０００
の数を表し、好ましくは２０〜５００の数を表し、さら
に好ましくは３５〜２００の数を表し、また、ここでい
うｎは０または１〜１００の数を表し、好ましくは１〜
２０の数を表し、さらに好ましくは５〜１０の数を表
す。）等が挙げられる。
【００５１】前記一般式（VII）で表される環状ポリシ
ロキサンの具体例としては、
ロキサンの具体例としては、
【００５２】
【化３２】
【００５３】
【化３３】
【００５４】
【化３４】
【００５５】
【化３５】 （ここでいうｘは４〜１０００の数を表し、好ましくは
４〜１００の数を表し、さらに好ましくは４〜１０の数
を表し、また、ここでいうｎは０または１〜１００の数
を表し、好ましくは１〜２０の数を表し、さらに好まし
くは５〜１０の数を表す。）等が挙げられる。
４〜１００の数を表し、さらに好ましくは４〜１０の数
を表し、また、ここでいうｎは０または１〜１００の数
を表し、好ましくは１〜２０の数を表し、さらに好まし
くは５〜１０の数を表す。）等が挙げられる。
【００５６】前記一般式（VIII）および前記一般式（I
X）で表される環状オリゴシロキサンの例としては、
X）で表される環状オリゴシロキサンの例としては、
【００５７】
【化３６】
【００５８】
【化３７】 （ここでいうｘ、ｙは１〜９の数を表し、ｘ＋ｙが３〜
１０の数を表す。好ましくはｘ、ｙが１〜５の数を表
し、ｘ＋ｙが３〜６の数を表す。より好ましくはｘ、ｙ
が１〜３ｄの数を表し、ｘ＋ｙが４である。また、ここ
でいうｎは０または１〜１００の数を表し、好ましくは
１〜２０の数を表し、さらに好ましくは５〜１０の数を
表す。）等が挙げられる。
１０の数を表す。好ましくはｘ、ｙが１〜５の数を表
し、ｘ＋ｙが３〜６の数を表す。より好ましくはｘ、ｙ
が１〜３ｄの数を表し、ｘ＋ｙが４である。また、ここ
でいうｎは０または１〜１００の数を表し、好ましくは
１〜２０の数を表し、さらに好ましくは５〜１０の数を
表す。）等が挙げられる。
【００５９】本発明において使用される金属アルコキシ
ドは例えば下記一般式（X）
ドは例えば下記一般式（X）
【００６０】
【化３８】 （式中Ｒ1は一価の置換または非置換の炭化水素基であ
り、炭化水素基の例としては前記一般式（Ｉ）のＲ1に
同じであり、Ｙ1およびＹ2は炭素数が１〜８のアルキル
基、アリール基、あるいはアルコキシ基、Ｍは２価乃至
４価の金属元素で表され、ｒおよびｓは０、１、２、
３、４であり、ｒ＋ｓは２乃至４である）で表すことが
できる。これらのうち、好ましくはＭがＡｌ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎである金属アルコキシドが用いら
れ、さらに好ましくはＭがＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒである金属
アルコキシドが用いられ、最も好ましくはアルミニウム
アルコキシドが用いられる。
り、炭化水素基の例としては前記一般式（Ｉ）のＲ1に
同じであり、Ｙ1およびＹ2は炭素数が１〜８のアルキル
基、アリール基、あるいはアルコキシ基、Ｍは２価乃至
４価の金属元素で表され、ｒおよびｓは０、１、２、
３、４であり、ｒ＋ｓは２乃至４である）で表すことが
できる。これらのうち、好ましくはＭがＡｌ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎである金属アルコキシドが用いら
れ、さらに好ましくはＭがＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒである金属
アルコキシドが用いられ、最も好ましくはアルミニウム
アルコキシドが用いられる。
【００６１】具体的に例示すると、アルミニウムトリエ
トキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミ
ニウムトリブトキシド、アルミニウムトリ第２ブトキシ
ド、アルミニウムジイソプロポキシ第２ブトキシド、ア
ルミニウムジイソプロポキシアセチルアセトナート、ア
ルミニウムジ第２ブトキシアセチルアセトナート、アル
ミニウムジイソプロポキシエチルアセトアセタート、ア
ルミニウムジ第２ブトキシエチルアセトアセタート、ア
ルミニウムトリスアセチルアセトナート、アルミニウム
トリスエチルアセトアセタート、アルミニウムアセチル
アセトナートビスエチルアセトアセタート、チタンテト
ラエトキシド、チタンテトライソプロポキシド、チタン
テトラブトキシド、チタンジイソプロポキシビスアセチ
ルアセトナート、チタンジイソプロポキシビスエチルア
セトアセタート、チタンテトラ２―エチルヘキシルオキ
シド、チタンジイソプロポキシビス（２―エチル−１、
３−ヘキサンジオラート）、チタンジブトキシビス（ト
リエタノールアミナート）、ジルコニウムテトラブトキ
シド、ジルコニウムテトライソプロポキシド、ジルコニ
ウムテトラメトキシド、ジルコニウムトリブトキシドモ
ノアセチルアセトナート、ジルコニウムジブトキシドビ
スアセチルアセトナート、ジルコニウムブトキシドトリ
スアセチルアセトナート、ジルコニウムテトラアセチル
アセトナート、ジルコニウムトリブトキシドモノエチル
アセトアセタート、ジルコニウムジブトキシドビスエチ
ルアセトアセタート、ジルコニウムブトキシドトリスエ
チルアセトアセタート、ジルコニウムテトラエチルアセ
トアセタート、ジブチルスズジアセテート、ジブチルス
ズジオクトエート、ジブチルスズジラウレート、ジブチ
ルスズビスアセチルアセトナート、ジブチルスズビスエ
チルアセトアセテート、スズ（II）ジアセテート、スズ
（II）ジオクトエート、スズ（II）ジラウレート、スズ
（II）ビスアセチルアセトナート、スズ（II）ビスエチ
ルアセトアセテート、亜鉛ジアセテート、マグネシウム
ジアセテート、マグネシウムジメトキシド、マグネシウ
ムジエトキシド等である。その他、環状の１、３、５―
トリイソプロポキシシクロトリアルミノキサン等も使用
することもできる。これらのうち好ましくはアルミニウ
ムトリイソプロポキシド、アルミニウムトリ第２ブトキ
シド、アルミニウムジイソプロポキシエチルアセトアセ
タート、アルミニウムジ第２ブトキシエチルアセトアセ
タート、アルミニウムトリスアセチルアセトナート、チ
タンテトライソプロポキシド、チタンテトラブトキシ
ド、ジルコニウムテトラブトキシドが用いられる。もっ
とも好ましいものはアルミニウムトリイソプロポキシド
である。
トキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミ
ニウムトリブトキシド、アルミニウムトリ第２ブトキシ
ド、アルミニウムジイソプロポキシ第２ブトキシド、ア
ルミニウムジイソプロポキシアセチルアセトナート、ア
ルミニウムジ第２ブトキシアセチルアセトナート、アル
ミニウムジイソプロポキシエチルアセトアセタート、ア
ルミニウムジ第２ブトキシエチルアセトアセタート、ア
ルミニウムトリスアセチルアセトナート、アルミニウム
トリスエチルアセトアセタート、アルミニウムアセチル
アセトナートビスエチルアセトアセタート、チタンテト
ラエトキシド、チタンテトライソプロポキシド、チタン
テトラブトキシド、チタンジイソプロポキシビスアセチ
ルアセトナート、チタンジイソプロポキシビスエチルア
セトアセタート、チタンテトラ２―エチルヘキシルオキ
シド、チタンジイソプロポキシビス（２―エチル−１、
３−ヘキサンジオラート）、チタンジブトキシビス（ト
リエタノールアミナート）、ジルコニウムテトラブトキ
シド、ジルコニウムテトライソプロポキシド、ジルコニ
ウムテトラメトキシド、ジルコニウムトリブトキシドモ
ノアセチルアセトナート、ジルコニウムジブトキシドビ
スアセチルアセトナート、ジルコニウムブトキシドトリ
スアセチルアセトナート、ジルコニウムテトラアセチル
アセトナート、ジルコニウムトリブトキシドモノエチル
アセトアセタート、ジルコニウムジブトキシドビスエチ
ルアセトアセタート、ジルコニウムブトキシドトリスエ
チルアセトアセタート、ジルコニウムテトラエチルアセ
トアセタート、ジブチルスズジアセテート、ジブチルス
ズジオクトエート、ジブチルスズジラウレート、ジブチ
ルスズビスアセチルアセトナート、ジブチルスズビスエ
チルアセトアセテート、スズ（II）ジアセテート、スズ
（II）ジオクトエート、スズ（II）ジラウレート、スズ
（II）ビスアセチルアセトナート、スズ（II）ビスエチ
ルアセトアセテート、亜鉛ジアセテート、マグネシウム
ジアセテート、マグネシウムジメトキシド、マグネシウ
ムジエトキシド等である。その他、環状の１、３、５―
トリイソプロポキシシクロトリアルミノキサン等も使用
することもできる。これらのうち好ましくはアルミニウ
ムトリイソプロポキシド、アルミニウムトリ第２ブトキ
シド、アルミニウムジイソプロポキシエチルアセトアセ
タート、アルミニウムジ第２ブトキシエチルアセトアセ
タート、アルミニウムトリスアセチルアセトナート、チ
タンテトライソプロポキシド、チタンテトラブトキシ
ド、ジルコニウムテトラブトキシドが用いられる。もっ
とも好ましいものはアルミニウムトリイソプロポキシド
である。
【００６２】これらの金属アルコキシドは単独で用いて
も良いし、任意の割合で組み合わせて用いても良い。
も良いし、任意の割合で組み合わせて用いても良い。
【００６３】本発明における金属アルコキシドの使用量
および反応温度は、金属アルコキシドの量が原料ポリシ
ロキサンに対して０．０１重量部〜１．０重量部の範囲
でありかつ反応温度が１４０℃〜１９０℃の範囲か、あ
るいは金属アルコキシドの量が原料ポリシロキサンに対
して０．０１重量部〜０．５重量部の範囲でありかつ反
応温度が１４０℃〜２００℃の範囲であれば、反応速度
等に応じ種々選択できるが、反応性が高くかつよりゲル
化を抑えるために好ましくは金属アルコキシドの量が原
料ポリシロキサンに対して０．０５重量部〜０．５重量
部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜１９０℃の範
囲、さらに好ましくは金属アルコキシドの量が原料ポリ
シロキサンに対して０．０５重量部〜０．２重量部の範
囲でありかつ反応温度が１４０℃〜１９０℃の範囲を選
択することができる。
および反応温度は、金属アルコキシドの量が原料ポリシ
ロキサンに対して０．０１重量部〜１．０重量部の範囲
でありかつ反応温度が１４０℃〜１９０℃の範囲か、あ
るいは金属アルコキシドの量が原料ポリシロキサンに対
して０．０１重量部〜０．５重量部の範囲でありかつ反
応温度が１４０℃〜２００℃の範囲であれば、反応速度
等に応じ種々選択できるが、反応性が高くかつよりゲル
化を抑えるために好ましくは金属アルコキシドの量が原
料ポリシロキサンに対して０．０５重量部〜０．５重量
部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜１９０℃の範
囲、さらに好ましくは金属アルコキシドの量が原料ポリ
シロキサンに対して０．０５重量部〜０．２重量部の範
囲でありかつ反応温度が１４０℃〜１９０℃の範囲を選
択することができる。
【００６４】本発明の反応は常圧あるいは減圧下に実施
することが可能であるが、生成物を逐次留去して比較的
低温で反応を効率よく進めるためには減圧下に行うこと
が好ましい。この場合例えば１０〜３００ｍｍＨｇの減
圧下に反応を実施できる。
することが可能であるが、生成物を逐次留去して比較的
低温で反応を効率よく進めるためには減圧下に行うこと
が好ましい。この場合例えば１０〜３００ｍｍＨｇの減
圧下に反応を実施できる。
【００６５】本発明の反応にはゲル化のさらなる抑制等
の目的に応じ適切な溶媒あるいは添加剤を使用すること
ができる。溶媒としては金属アルコキシドあるいはヒド
ロシリル基等と化学的な反応性を有さず、生成する環状
オリゴシロキサンよりも沸点の高いものを用いることが
できる。溶媒の具体例としては、ノナン、デカン、ドデ
カン、オクタデカン、デカヒドロナフタレン等の脂肪族
飽和炭化水素類、デセン、デカジエン、ジペンテン等の
脂肪族不飽和炭化水素類、メシチレン、ジエチルベンゼ
ン、クメン、ジフェニル、テトラヒドロナフタレン、ジ
フェニルベンゼン(およびその水素化物)、2,2'-ジメチ
ルビベンジル、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化
水素類、ミネラルオイル等のオイル類、ジクロロベンゼ
ン等のハロゲン化炭化水素類、ジフェニルエーテル、ジ
エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジブチルエーテル等のエーテル類、アセトフェノ
ン等のケトン類等を挙げることができる。これらの溶媒
は単独で用いてもよいし混合物で用いてもよい。
の目的に応じ適切な溶媒あるいは添加剤を使用すること
ができる。溶媒としては金属アルコキシドあるいはヒド
ロシリル基等と化学的な反応性を有さず、生成する環状
オリゴシロキサンよりも沸点の高いものを用いることが
できる。溶媒の具体例としては、ノナン、デカン、ドデ
カン、オクタデカン、デカヒドロナフタレン等の脂肪族
飽和炭化水素類、デセン、デカジエン、ジペンテン等の
脂肪族不飽和炭化水素類、メシチレン、ジエチルベンゼ
ン、クメン、ジフェニル、テトラヒドロナフタレン、ジ
フェニルベンゼン(およびその水素化物)、2,2'-ジメチ
ルビベンジル、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化
水素類、ミネラルオイル等のオイル類、ジクロロベンゼ
ン等のハロゲン化炭化水素類、ジフェニルエーテル、ジ
エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジブチルエーテル等のエーテル類、アセトフェノ
ン等のケトン類等を挙げることができる。これらの溶媒
は単独で用いてもよいし混合物で用いてもよい。
【００６６】これらの内、ゲル化抑制効果が高いという
観点から、原料と相溶性を有するものが好ましい。
観点から、原料と相溶性を有するものが好ましい。
【００６７】触媒の使用量としては特に限定されない
が、例えば原料に対して１０〜２００重量部、さらに好
ましくは５０から１００重量部が用いられる。
が、例えば原料に対して１０〜２００重量部、さらに好
ましくは５０から１００重量部が用いられる。
【００６８】使用した溶媒は反応終了後蒸留等により回
収して再使用することもできる。
収して再使用することもできる。
【００６９】添加剤としてはジシロキサンあるいはトリ
シロキサン類を用いることもできる。具体例としては、
ヘキサエチルジシロキサン、1,3-ジフェニル-1,1,3,3-
テトラメチルジシロキサン、1,1,1,3,5,5,5-ヘプタメチ
ルトリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、1,3,
3,5-テトラメチル-1,1,5,5-テトラフェニルトリシロキ
サン等が挙げられる。これらのジシロキサンあるいはト
リシロキサン類は単独で用いてもよいし混合物で用いて
もよい。
シロキサン類を用いることもできる。具体例としては、
ヘキサエチルジシロキサン、1,3-ジフェニル-1,1,3,3-
テトラメチルジシロキサン、1,1,1,3,5,5,5-ヘプタメチ
ルトリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、1,3,
3,5-テトラメチル-1,1,5,5-テトラフェニルトリシロキ
サン等が挙げられる。これらのジシロキサンあるいはト
リシロキサン類は単独で用いてもよいし混合物で用いて
もよい。
【００７０】ジシロキサンあるいはトリシロキサン類の
使用量としては特に限定されないが、例えば原料に対し
て０．１〜２０重量部、さらに好ましくは１から１０重
量部が用いられる。
使用量としては特に限定されないが、例えば原料に対し
て０．１〜２０重量部、さらに好ましくは１から１０重
量部が用いられる。
【００７１】添加剤としてアルコール類も用いることが
できる。具体例としては、ヘキサノール、オクタノー
ル、2-エチルヘキシルルアルコール、ラウリルアルコー
ル、ステアリルアルコール、シクロヘキシルアルコール
等の脂肪族アルコール類、ベンジルアルコール、フェネ
チルアルコール、3-フェニル-1-プロパノール等の芳香
族アルコール類等が挙げられる。これらのアルコール類
は単独で用いてもよいし混合物で用いてもよい。
できる。具体例としては、ヘキサノール、オクタノー
ル、2-エチルヘキシルルアルコール、ラウリルアルコー
ル、ステアリルアルコール、シクロヘキシルアルコール
等の脂肪族アルコール類、ベンジルアルコール、フェネ
チルアルコール、3-フェニル-1-プロパノール等の芳香
族アルコール類等が挙げられる。これらのアルコール類
は単独で用いてもよいし混合物で用いてもよい。
【００７２】アルコール類の使用量としては特に限定さ
れないが、例えば原料に対して０．１〜２０重量部、さ
らに好ましくは０．５から１０重量部が用いられる。
れないが、例えば原料に対して０．１〜２０重量部、さ
らに好ましくは０．５から１０重量部が用いられる。
【００７３】添加剤としてその他アルコールのカルボン
酸エステル類あるいはオルトエステル類も用いることが
できる。具体例としては、前記添加剤として用いること
ができるアルコール類として例示したアルコール類の蟻
酸、酢酸、プロピオン酸、安息香酸等のエステル類ある
いはオルトエステル類が挙げられる。これらのカルボン
酸エステル類あるいはオルトエステル類は単独で用いて
もよいし混合物で用いてもよい。
酸エステル類あるいはオルトエステル類も用いることが
できる。具体例としては、前記添加剤として用いること
ができるアルコール類として例示したアルコール類の蟻
酸、酢酸、プロピオン酸、安息香酸等のエステル類ある
いはオルトエステル類が挙げられる。これらのカルボン
酸エステル類あるいはオルトエステル類は単独で用いて
もよいし混合物で用いてもよい。
【００７４】カルボン酸エステル類あるいはオルトエス
テル類の使用量としては特に限定されないが、例えば原
料に対して０．１〜２０重量部、さらに好ましくは０．
５から１０重量部が用いられる。
テル類の使用量としては特に限定されないが、例えば原
料に対して０．１〜２０重量部、さらに好ましくは０．
５から１０重量部が用いられる。
【００７５】以上のような溶媒あるいは添加剤は、反応
を効率良く進行させるために、反応により得ようとする
環状オリゴシロキサンの沸点より高い沸点を有するもの
が好ましく、さらに反応により得ようとする環状オリゴ
シロキサンの沸点より常圧で10℃以上高い沸点を有する
ものがより好ましい。
を効率良く進行させるために、反応により得ようとする
環状オリゴシロキサンの沸点より高い沸点を有するもの
が好ましく、さらに反応により得ようとする環状オリゴ
シロキサンの沸点より常圧で10℃以上高い沸点を有する
ものがより好ましい。
【００７６】また、溶媒あるいは添加剤の添加は反応開
始前、あるいは開始時から全量添加してもよいが、反応
の釜効率を良くするため、使用する溶媒の一部あるいは
全量を反応途中で逐次あるいは一括で添加しても良い。
始前、あるいは開始時から全量添加してもよいが、反応
の釜効率を良くするため、使用する溶媒の一部あるいは
全量を反応途中で逐次あるいは一括で添加しても良い。
【００７７】溶媒以外の添加剤としてアルコキシシラン
を少量共存させても本件の実施は可能であるが、アルコ
キシシランの添加量が多いほど目的とするシクロシロキ
サンの収率が低下するので、実用性が低くなる。
を少量共存させても本件の実施は可能であるが、アルコ
キシシランの添加量が多いほど目的とするシクロシロキ
サンの収率が低下するので、実用性が低くなる。
【００７８】本発明の反応は原料ポリシロキサンと金属
アルコキシドを混合加熱し反応させた後生成物を蒸留等
により精製することもできるし、反応進行中に生成物を
逐次留去しながら反応を行うこともできる。副反応を抑
制するためには、生成物を逐次留去しながら反応を行う
ことが望ましい。 生成物を留去する場合には必要に応
じ各種充填塔などの精留塔を使用することができる。精
留塔を用いた場合には製品の純度を高くすることができ
る。
アルコキシドを混合加熱し反応させた後生成物を蒸留等
により精製することもできるし、反応進行中に生成物を
逐次留去しながら反応を行うこともできる。副反応を抑
制するためには、生成物を逐次留去しながら反応を行う
ことが望ましい。 生成物を留去する場合には必要に応
じ各種充填塔などの精留塔を使用することができる。精
留塔を用いた場合には製品の純度を高くすることができ
る。
【００７９】また、生成する環状オリゴシロキサンの一
部を留去して得られる反応残さに原料であるポリシロキ
サンを追加してさらに反応を継続するセミ連続法や、生
成する環状オリゴシロキサンの留去と原料であるポリシ
ロキサンの追加を同時に行ないながら反応を実施するセ
ミ連続あるいは連続法によって製造を行なうこともでき
る。
部を留去して得られる反応残さに原料であるポリシロキ
サンを追加してさらに反応を継続するセミ連続法や、生
成する環状オリゴシロキサンの留去と原料であるポリシ
ロキサンの追加を同時に行ないながら反応を実施するセ
ミ連続あるいは連続法によって製造を行なうこともでき
る。
【００８０】本発明の反応では、高分子量の鎖状あるい
は環状のポリシロキサンから低分子量の環状オリゴシロ
キサンを製造することができるが、逆に低分子量体を高
分子量体へと変換することもできる。
は環状のポリシロキサンから低分子量の環状オリゴシロ
キサンを製造することができるが、逆に低分子量体を高
分子量体へと変換することもできる。
【００８１】次に、本発明を実施例によって具体的に説
明する。ただし、本発明は下記の実施例に限定されるも
のではない。
明する。ただし、本発明は下記の実施例に限定されるも
のではない。
【００８２】
【実施例】実施例１ 温度計、磁気攪拌子、精留塔（Ｖｉｇｒｅａｕｘ型、３
０ｃｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた
２００ｍＬの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減
圧ポンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（Ｍ
ｅＨＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチ
ルシリルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０
ｇ、およびアルミニウムトリイソプロポキシド０．１５
ｇ(０.１重量部)を入れ、常圧にて１５０℃の油浴中で
１時間加熱した。つづいてフラスコを１７０〜１９０℃
の油浴中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保
ち、留出温度５０〜６０℃で留出する留分を１２時間に
わたって回収して、１３６ｇ(回収率９１％)の１，３，
５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分
として含む留分を得た。残さは白濁した液状物であっ
た。
０ｃｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた
２００ｍＬの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減
圧ポンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（Ｍ
ｅＨＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチ
ルシリルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０
ｇ、およびアルミニウムトリイソプロポキシド０．１５
ｇ(０.１重量部)を入れ、常圧にて１５０℃の油浴中で
１時間加熱した。つづいてフラスコを１７０〜１９０℃
の油浴中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保
ち、留出温度５０〜６０℃で留出する留分を１２時間に
わたって回収して、１３６ｇ(回収率９１％)の１，３，
５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分
として含む留分を得た。残さは白濁した液状物であっ
た。
【００８３】実施例２ 温度計、磁気攪拌子、精留塔（マクマホン充填、３０ｃ
ｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた２０
０ｍｌの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減圧ポ
ンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチルシ
リルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０ｇ、お
よびアルミニウムトリイソプロポキシド０．７５ｇ(０.
５重量部)を入れ、常圧にて１５０℃の油浴中で１時間
加熱した。つづいてフラスコを１７０〜１９０℃の油浴
中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保ち、留
出温度５０〜６０℃で留出する留分を７時間にわたって
回収して、１３５ｇ（回収率９０％）の１，３，５，７
−テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分として
含む留分を得た。残さは白濁した液状物であった。
ｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた２０
０ｍｌの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減圧ポ
ンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチルシ
リルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０ｇ、お
よびアルミニウムトリイソプロポキシド０．７５ｇ(０.
５重量部)を入れ、常圧にて１５０℃の油浴中で１時間
加熱した。つづいてフラスコを１７０〜１９０℃の油浴
中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保ち、留
出温度５０〜６０℃で留出する留分を７時間にわたって
回収して、１３５ｇ（回収率９０％）の１，３，５，７
−テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分として
含む留分を得た。残さは白濁した液状物であった。
【００８４】実施例３ 温度計、磁気攪拌子、精留塔（マクマホン充填、３０ｃ
ｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた２０
０ｍｌの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減圧ポ
ンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチルシ
リルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０ｇ、お
よびアルミニウムトリイソプロポキシド０．１５ｇ(０.
１重量部)を入れ、常圧にて１７０℃の油浴中で１時間
加熱した。つづいてフラスコを１９０〜２００℃の油浴
中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保ち、留
出温度５０〜６０℃で留出する留分を６時間にわたって
回収して、１３５ｇ（回収率９０％）の１，３，５，７
−テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分として
含む留分を得た。残さは白濁した液状物であった。
ｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた２０
０ｍｌの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減圧ポ
ンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチルシ
リルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０ｇ、お
よびアルミニウムトリイソプロポキシド０．１５ｇ(０.
１重量部)を入れ、常圧にて１７０℃の油浴中で１時間
加熱した。つづいてフラスコを１９０〜２００℃の油浴
中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保ち、留
出温度５０〜６０℃で留出する留分を６時間にわたって
回収して、１３５ｇ（回収率９０％）の１，３，５，７
−テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分として
含む留分を得た。残さは白濁した液状物であった。
【００８５】実施例４ 温度計、磁気攪拌子、精留塔（マクマホン充填、３０ｃ
ｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた２０
０ｍｌの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減圧ポ
ンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチルシ
リルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０ｇ、お
よびアルミニウムトリイソプロポキシド１．５０ｇ
(１．０重量部)を入れ、常圧にて１５０℃の油浴中で１
時間加熱した。つづいてフラスコを１７０〜１９０℃の
油浴中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保
ち、留出温度５０〜６０℃で留出する留分を５時間にわ
たって回収して、１２３ｇ（回収率８２％）の１，３，
５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分
として含む留分を得た。残さは白濁した液状物であっ
た。
ｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた２０
０ｍｌの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減圧ポ
ンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチルシ
リルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０ｇ、お
よびアルミニウムトリイソプロポキシド１．５０ｇ
(１．０重量部)を入れ、常圧にて１５０℃の油浴中で１
時間加熱した。つづいてフラスコを１７０〜１９０℃の
油浴中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保
ち、留出温度５０〜６０℃で留出する留分を５時間にわ
たって回収して、１２３ｇ（回収率８２％）の１，３，
５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分
として含む留分を得た。残さは白濁した液状物であっ
た。
【００８６】比較例１ 温度計、磁気攪拌子、精留塔（マクマホン充填、３０ｃ
ｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた２０
０ｍｌの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減圧ポ
ンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチルシ
リルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０ｇ、お
よびアルミニウムトリイソプロポキシド１．５０ｇ
(１．０重量部)を入れ、常圧にて１７０℃の油浴中で１
時間加熱した。つづいてフラスコを１９０〜２００℃の
油浴中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保
ち、留出温度５０〜６０℃で留出する留分を４時間にわ
たって回収して、１１１ｇ（回収率７４％）の１，３，
５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分
として含む留分を得た。残さは３９ｇのゲルであった。
ｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた２０
０ｍｌの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減圧ポ
ンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチルシ
リルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０ｇ、お
よびアルミニウムトリイソプロポキシド１．５０ｇ
(１．０重量部)を入れ、常圧にて１７０℃の油浴中で１
時間加熱した。つづいてフラスコを１９０〜２００℃の
油浴中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保
ち、留出温度５０〜６０℃で留出する留分を４時間にわ
たって回収して、１１１ｇ（回収率７４％）の１，３，
５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分
として含む留分を得た。残さは３９ｇのゲルであった。
【００８７】比較例２ 温度計、磁気攪拌子、精留塔（マクマホン充填、３０ｃ
ｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた２０
０ｍｌの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減圧ポ
ンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチルシ
リルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０ｇ、お
よびアルミニウムトリイソプロポキシド７．５０ｇ(５.
０重量部)を入れ、常圧にて１５０℃の油浴中で１時間
加熱した。つづいてフラスコを１７０〜１９０℃の油浴
中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保ち、留
出温度５０〜６２℃で留出する留分を１時間にわたって
回収して、６９ｇ（回収率４６％）の１，３，５，７−
テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分として含
む留分を得た。残さは８１ｇのゲルであった。
ｍ）つきの留出管、および留出物の捕集器を備えた２０
０ｍｌの三首丸底フラスコを、トラップを通じて減圧ポ
ンプに接続した。フラスコ中にＭｅ3ＳｉＯ−（ＭｅＨ
ＳｉＯ）40−ＳｉＭｅ3で表される両末端トリメチルシ
リルポリメチルハイドロジェンシロキサン１５０ｇ、お
よびアルミニウムトリイソプロポキシド７．５０ｇ(５.
０重量部)を入れ、常圧にて１５０℃の油浴中で１時間
加熱した。つづいてフラスコを１７０〜１９０℃の油浴
中で加熱しながら系を５０ｍｍＨｇの減圧度に保ち、留
出温度５０〜６２℃で留出する留分を１時間にわたって
回収して、６９ｇ（回収率４６％）の１，３，５，７−
テトラメチルシクロテトラシロキサンを主成分として含
む留分を得た。残さは８１ｇのゲルであった。
【００８８】
【発明の効果】本発明によれば、容易に入手できる原料
を使用して、中性条件かつ比較的低温という平易な条件
で反応を実施でき、金属アルコキシドの量、反応温度を
的確に設定することで反応系のゲル化をともわなず、高
い回収率で環状オリゴシロキサンを製造することができ
る。
を使用して、中性条件かつ比較的低温という平易な条件
で反応を実施でき、金属アルコキシドの量、反応温度を
的確に設定することで反応系のゲル化をともわなず、高
い回収率で環状オリゴシロキサンを製造することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4H049 VN01 VP03 VP04 VP05 VP06 VP07 VP08 VP09 VP10 VQ87 VR11 VR21 VR22 VR42 VS78 VS79 VS87 VT05 VT06 VT08 VT09 VT19 VT21 VT26 VU20 VU23 VW02 VW05 VW35 VW36 4J035 BA02 CA02K CA021 EA01 EB01 EB03 GA08 GB03 LA02
Claims (13)
- 【請求項１】鎖状あるいは環状のポリシロキサンを金属
アルコキシドの存在下に加熱することを特徴とする環状
オリゴシロキサンの製造方法であって、用いる金属アル
コキシドの量が原料ポリシロキサンに対して０．０１重
量部〜１．０重量部の範囲でありかつ反応温度が１４０
℃〜１９０℃の範囲である反応条件で反応を行なうか、
あるいは金属アルコキシドの量が原料ポリシロキサンに
対して０．０１重量部〜０．５重量部の範囲でありかつ
反応温度が１４０℃〜２００℃の範囲である反応条件で
反応を行なうことによる環状オリゴシロキサンの製造方
法。 - 【請求項２】下記一般式（I） 【化１】 （式中、Ｒ1は一価の置換または非置換の炭化水素基、
Ｒ2は水酸基または一価の置換または非置換の炭化水素
基、Ｒ3は水素原子または一価の置換または非置換の炭
化水素基、Ｒ4乃至Ｒ6は同種または異種の一価置換また
は非置換の炭化水素基を表し、ｋおよびｌはそれぞれ独
立に０または１〜１０００の数であり、かつｋおよびｌ
は４≦ｋ＋ｌ≦１０００を満足する数を表す。）で表さ
れる鎖状ポリシロキサンおよび／または下記一般式（I
I） 【化２】 （式中、Ｒ4乃至Ｒ6は同種または異種の一価置換または
非置換の炭化水素基を表し、ｍおよびｎはそれぞれ独立
に０または１〜１０００の数であり、かつｍおよびｎは
３≦ｍ＋ｎ≦１０００を満足する数を表す。）で表され
る環状ポリシロキサンを金属アルコキシドの存在下に加
熱することを特徴とする、下記一般式（III） 【化３】 （式中、Ｒ4乃至Ｒ6は同種または異種の一価置換または
非置換の炭化水素基を表し、ｐおよびｑはそれぞれ独立
に０または１〜１０の数であり、かつｐおよびｑは３≦
ｐ＋ｑ≦１０を満足する数を表す。）で表される環状ポ
リシロキサンの製造方法であって、用いる金属アルコキ
シドの量が原料ポリシロキサンに対して０．０１重量部
〜１．０重量部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜
１９０℃の範囲である反応条件で反応を行なうか、ある
いは金属アルコキシドの量が原料ポリシロキサンに対し
て０．０１重量部〜０．５重量部の範囲でありかつ反応
温度が１４０℃〜２００℃の範囲である反応条件で反応
を行なうことによる環状オリゴシロキサンの製造方法。 - 【請求項３】前記ｋおよびｍがそれぞれ独立に０または
１〜９９９の数であり、かつ前記ｌおよびｎがそれぞれ
独立に１〜１０００の数であり、かつ前記ｐが０または
１〜９の数であり、かつ前記ｑが１〜１０の数である請
求項２記載の環状オリゴシロキサンの製造方法。 - 【請求項４】前記ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑが５≦ｍ＋ｎ
≦１０００かつｐ＋ｑ＜ｋ＋ｌかつｐ＋ｑ＜ｍ＋ｎを満
足する数である請求項３記載の環状オリゴシロキサンの
製造方法。 - 【請求項５】前記Ｒ1、Ｒ4およびＲ6がメチル基、Ｒ2は
水酸基またはメチル基、Ｒ3は水素原子またはメチル基
である請求項２乃至請求項４いずれか記載の環状オリゴ
シロキサンの製造方法。 - 【請求項６】前記ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑがｋ＜ｌかつ
ｍ＜ｎかつｐ＜ｑである請求項２乃至請求項５いずれか
記載の環状オリゴシロキサンの製造方法。 - 【請求項７】ｋ＝ｍ＝ｐ＝０である請求項３乃至請求項
５いずれか記載の環状オリゴシロキサン製造方法。 - 【請求項８】［１］下記一般式（IV） 【化４】 （式中、Ｒ1は一価の置換または非置換の炭化水素基、
Ｒ2は水酸基または一価の置換または非置換の炭化水素
基、Ｒ3は水素原子または一価の置換または非置換の炭
化水素基、Ｒ4は一価の置換または非置換の炭化水素基
を表し、ｋは４〜１０００の数を表す。）で表される鎖
状ポリシロキサンおよび／または下記一般式（V） 【化５】 （式中、Ｒ5は同種または異種の一価置換または非置換
の炭化水素基を表し、ｌは４〜１０００の数を表す。）
で表される環状ポリシロキサンで構成されるポリシロキ
サン成分と、［２］下記一般式（VI） 【化６】 （式中、Ｒ6は水酸基または一価の置換または非置換の
炭化水素基、Ｒ7乃至Ｒ10は同種または異種の一価置換
または非置換の炭化水素基を表し、ｍは４〜１０００の
数を表す。）で表される鎖状ポリシロキサンおよび／ま
たは下記一般式（VII） 【化７】 （式中、Ｒ11、Ｒ12は同種または異種の一価置換または
非置換の炭化水素基を表し、ｎは４〜１０００の数を表
す。）で表される環状ポリシロキサンで構成されるポリ
シロキサン成分とを、金属アルコキシドの存在下に加熱
することを特徴とする、下記一般式（VIII） 【化８】 （式中、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は同種また
は異種の一価置換または非置換の炭化水素基を表し、
ｐ、ｑ、ｒ、ｓは０〜９の数であり、かつｐ、ｑ、ｒ、
ｓは３≦ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≦１０、かつ１≦ｐ＋ｑ、かつ
１≦ｒ＋ｓを満足する数を表す。）で表される環状オリ
ゴシロキサンの製造方法であって、用いる金属アルコキ
シドの量が原料ポリシロキサンに対して０．０１重量部
〜１．０重量部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜
１９０℃の範囲である反応条件で反応を行なうか、ある
いは金属アルコキシドの量が原料ポリシロキサンに対し
て０．０１重量部〜０．５重量部の範囲でありかつ反応
温度が１４０℃〜２００℃の範囲である反応条件で反応
を行なうことによる環状オリゴシロキサンの製造方法。 - 【請求項９】下記一般式（IV） 【化９】 （式中、Ｒ1は一価の置換または非置換の炭化水素基、
Ｒ2は水酸基または一価の置換または非置換の炭化水素
基、Ｒ3は水素原子または一価の置換または非置換の炭
化水素基、Ｒ4は一価の置換または非置換の炭化水素基
を表し、ｋは４〜１０００の数を表す。）で表される鎖
状ポリシロキサンと、下記一般式（VI） 【化１０】 （式中、Ｒ6は水酸基または一価の置換または非置換の
炭化水素基、Ｒ7乃至Ｒ10は同種または異種の一価置換
または非置換の炭化水素基を表し、ｍは４〜１０００の
数を表す。）で表される鎖状ポリシロキサンとを、金属
アルコキシドの存在下に加熱することを特徴とする、下
記一般式（IX） 【化１１】 （式中、Ｒ4、Ｒ9、Ｒ10は同種または異種の一価置換ま
たは非置換の炭化水素基を表し、ｐ、ｒは１〜９の数で
あり、かつｐおよびｒは３≦ｐ＋ｒ≦１０を満足する数
を表す。）で表される環状オリゴシロキサンの製造方法
であって、用いる金属アルコキシドの量が原料ポリシロ
キサンに対して０．０１重量部〜１．０重量部の範囲で
ありかつ反応温度が１４０℃〜１９０℃の範囲である反
応条件で反応を行なうか、あるいは金属アルコキシドの
量が原料ポリシロキサンに対して０．０１重量部〜０．
５重量部の範囲でありかつ反応温度が１４０℃〜２００
℃の範囲である反応条件で反応を行なうことによる環状
オリゴシロキサンの製造方法。 - 【請求項１０】前記Ｒ1、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ
10、Ｒ11、Ｒ12がメチル基、Ｒ2、Ｒ6は水酸基またはメ
チル基、Ｒ3は水素原子またはメチル基である請求項８
あるいは請求項９いずれか記載の環状オリゴシロキサン
の製造方法。 - 【請求項１１】前記金属アルコキシドがアルミニウムア
ルコキシド、チタンアルコキシド、ジルコニウムアルコ
キシド、スズアルコキシド、マグネシウムアルコキシ
ド、あるいは亜鉛のアルコキシドである請求項１乃至請
求項１０いずれか記載の環状オリゴシロキサンの製造方
法。 - 【請求項１２】前記金属アルコキシドがアルミニウムア
ルコキシドである請求項１乃至請求項１０いずれか記載
の環状オリゴシロキサンの製造方法。 - 【請求項１３】減圧下で生成する環状オリゴシロキサン
を留去することによる請求項１乃至請求項１２いずれか
記載の環状オリゴシロキサンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34477498A JP3816683B2 (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 環状オリゴシロキサンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34477498A JP3816683B2 (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 環状オリゴシロキサンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000169488A true JP2000169488A (ja) | 2000-06-20 |
| JP3816683B2 JP3816683B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=18371882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34477498A Expired - Lifetime JP3816683B2 (ja) | 1998-12-04 | 1998-12-04 | 環状オリゴシロキサンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3816683B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7678871B2 (en) | 2005-03-30 | 2010-03-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of cyclic oligosiloxane |
| CN115135698A (zh) * | 2020-02-21 | 2022-09-30 | 信越化学工业株式会社 | 环状聚硅氧烷的制造方法 |
-
1998
- 1998-12-04 JP JP34477498A patent/JP3816683B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7678871B2 (en) | 2005-03-30 | 2010-03-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of cyclic oligosiloxane |
| CN115135698A (zh) * | 2020-02-21 | 2022-09-30 | 信越化学工业株式会社 | 环状聚硅氧烷的制造方法 |
| CN115135698B (zh) * | 2020-02-21 | 2024-04-26 | 信越化学工业株式会社 | 环状聚硅氧烷的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3816683B2 (ja) | 2006-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0718077A (ja) | カルビノール・官能シロキサンの製造法 | |
| JP5175576B2 (ja) | 両末端（メタ）アクリロキシプロピル基封鎖ジオルガノポリシロキサンの製造方法 | |
| JP3079939B2 (ja) | シラノール基を有する低分子量のオルガノシロキサンの製造方法 | |
| JP4141547B2 (ja) | エポキシ基含有オルガノポリシロキサンの製造方法 | |
| JPH07233179A (ja) | シラノール基を有するオルガノシランの製造方法 | |
| JP3580403B2 (ja) | 環状オリゴシロキサンの製造方法 | |
| JP2004527609A (ja) | ヒドロキシアルキルポリシロキサンの製法 | |
| CA2180104A1 (en) | Method of recovering organoalkoxysilane from polyorganosiloxane | |
| JP2000169488A (ja) | 環状オリゴシロキサンの製造方法 | |
| JP2013170123A (ja) | 無水条件におけるシラノールの製造方法 | |
| JP3816682B2 (ja) | 環状オリゴシロキサンの製造方法 | |
| EP0990660B1 (en) | Process for preparing cyclic oligosiloxanes | |
| JP4488219B2 (ja) | 環状オリゴシロキサンの製造方法 | |
| JP2000159784A (ja) | 環状オリゴシロキサンの製造方法 | |
| JP2000169486A (ja) | 環状オリゴシロキサンの製造方法 | |
| US6262289B1 (en) | Process for preparing cyclic oligosiloxanes | |
| JP2000159783A (ja) | 環状オリゴシロキサンの製造方法 | |
| CN1118350A (zh) | 含呋喃基的有机硅化合物 | |
| JP2000007786A (ja) | フルオロアルキル基含有鎖状シロキサンの製造方法 | |
| RU2687736C1 (ru) | Способ получения симметричных метилфенилдисилоксанов и гексафенилдисилоксана дегидроконденсацией триорганосиланов | |
| JP3252642B2 (ja) | シラノール基を有する低分子量のオルガノシラン又はシロキサンの製造方法 | |
| KR101064063B1 (ko) | 알코올성 수산기를 갖는 규소계 수지 및 그의 제조 방법 | |
| JP2597113B2 (ja) | アルコキシシランの製造方法 | |
| JP4472033B2 (ja) | 直鎖状オルガノハイドロジェンシロキサンオリゴマーの製造方法 | |
| JP2001270887A (ja) | 環状オリゴシロキサンの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050104 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050301 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060606 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060608 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140616 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |