JP2000167388A - イオン搬送式イオン化装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 オゾンや電磁ノイズの発生、及び発塵等を無
くし、狭いスペースに対しても除電が可能であるイオン
搬送式イオン化装置及び方法を提供する。 【解決手段】 軟Ｘ線、低エネルギー電子線、紫外線又
は沿面放電の発生部、あるいは密封放射性同位元素など
のイオン化源６を、チューブ１の先端部１ａ近傍に配置
する。イオン化源６の電源部及び制御部からなる制御装
置７は、チューブ１の外部に配置する。チューブ１の先
端部１ａ周辺には、複数の隔壁１０，１０，…からなる
遮蔽部９を設け、イオン化源６から発生する軟Ｘ線、低
エネルギー電子線又は放射性同位元素からの放射線等を
遮蔽する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、クリーンルーム内
で発生する静電気を除去するためのイオン搬送式イオン
化装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体や液晶ディスプレイ
（以下、ＬＣＤ）等を製造するクリーンルームでは、静
電気の発生が問題となっている。半導体製造のクリーン
ルームの場合は、低湿度環境であることや、ウエハ及び
及び半導体素子を運搬するプラスチック容器が帯電しや
すいこと等が静電気の発生の原因となっている。この静
電気は、ウエハ表面上に塵埃を付着させたり、ウエハ上
のＩＣや半導体素子を破壊してしまい、製品の歩留りを
低下させている。

【０００３】また、ＬＣＤの場合は、処理工程で異なる
材質等と接触し、摩擦帯電による静電気が発生する。特
に、このＬＣＤに使用するガラス基板は、大面積で絶縁
性が高く静電気が発生しやすいため、大量の静電気によ
る静電破壊が製品の歩留りに影響を与えている。

【０００４】そこで、従来より、このようなクリーンル
ーム等の生産環境における静電気を除去する装置とし
て、イオンにより帯電体の電荷を中和する空気イオン化
装置が知られている。この空気イオン化装置は、正また
は負の電極に正または負の高電圧をそれぞれ印加するこ
とにより、コロナ放電を発生させる。そして、上記電極
先端の周囲の空気を正と負とにイオン化し、このイオン
を気流によって搬送して帯電体上の電荷を逆極性のイオ
ンで中和する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のコロナ放電を利用した空気イオン化装置では、
イオンの発生を容易にし、且つ発生したイオンの消耗を
防止するために、電極は露出した状態で除電対象物の近
傍に配設されている。このため、次のような問題が発生
していた。

【０００６】（１）オゾンの発生 除電対象物近傍の空気をコロナ放電によりイオン化して
いるため、空気中の窒素や水蒸気がイオン化する以外
に、酸素がオゾンとなる反応も起こる。このオゾンの酸
化作用により、シリコンウエハの表面が酸化されたり、
空気中の微量の不純物と反応し２次粒子が発生すること
となる。

【０００７】（２）電磁ノイズの発生 放電時に放電極から発生する不規則な電磁波が、半導体
素子を内蔵した精密機器やコンピュータなどの誤動作を
引き起こす原因となる。

【０００８】（３）イオン発生電極からの発塵 コロナ放電を起こさせる毎に電極が摩耗し、その摩耗し
た電極材が飛散する。また、空気中の微量ガス成分がコ
ロナ放電により粒子化してイオン発生電極上に析出し、
これがある程度の大きさになると再飛散する。このよう
な発塵により、歩留りが低下することになる。

【０００９】また、近年、半導体やＬＣＤ等の製造装置
は年々小型化が進んでおり、従来の空気イオン化装置で
は製造装置内に最適な設置スペースを確保することが困
難となってきている。すなわち、従来の空気イオン化装
置では、有効な除電を行うため、イオンを発生させるた
めの電極と除電対象物との間に、適当なサイズの空間、
例えば、電極と除電対象物との距離で３００mm以上離す
ことが必要であったが、近年の製造装置の小型化に伴
い、空気イオン化装置のためにこのような設置スペース
を取ることが困難になっている。

【００１０】更に、例えばＬＣＤの製造工程において
は、ガラス基板は接触・剥離により著しく帯電する。そ
のため、従来から、上述したような空気イオン化装置に
より除電が行われている。しかし、生産装置の処理速度
が速いために、ガラス基板は、完全には除電されずにカ
セットに収納されることが多い。このようなカセット内
では、収納されたガラス基板とガラス基板との間が数ｍ
ｍと狭いため、従来の空気イオン化装置を使用した場
合、イオン化した空気の流れが入っていかず、ガラス基
板を除電することが困難であった。従って、そのような
狭いスペースにおける静電気対策に対する要求も高まっ
てきている。

【００１１】本発明は、上記のような従来技術の問題点
を解決するために提案されたものであり、その目的は、
オゾンや電磁ノイズ、及び発塵等の発生を起こすことな
く、且つ、各種製造装置の小型化にも対応すると共に、
狭いスペースに対しても除電を行うことのできるイオン
搬送式イオン化装置及び方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
静電気を除去するために帯電体の近傍に向かってイオン
搬送ガスを供給するチューブと、前記チューブ内に供給
されたイオン搬送ガスの一部をイオン化するイオン発生
装置とを備えたイオン搬送式イオン化装置において、前
記イオン発生装置は、前記チューブに内蔵されたイオン
化源と、前記チューブの外部に設けられ、前記イオン化
源の電源部及び制御部を備えた制御装置とから構成さ
れ、前記イオン化源は、前記チューブの先端部近傍に設
けられていることを特徴としている。

【００１３】請求項１０記載の発明は、請求項１記載の
発明を方法の観点で捉えたものであり、静電気を除去す
るために、チューブにより帯電体の近傍に向かってイオ
ン搬送ガスを供給すると共に、前記チューブに供給され
るイオン搬送ガスの一部をイオン発生装置によってイオ
ン化するイオン搬送式イオン化方法において、前記イオ
ン発生装置のうち、イオン化源を前記チューブに内蔵
し、前記イオン化源の電源部及び制御部を備えた制御装
置を前記チューブの外部に設け、前記イオン化源を、前
記チューブの先端部近傍に設けたことを特徴としてい
る。

【００１４】請求項１及び１０記載の発明によれば、以
下のような作用が得られる。すなわち、実際にチューブ
内のガスをイオン化するイオン化源と、その制御装置と
を別々に設け、イオン化源のみをチューブ内に配置して
いるため、チューブの内径を小さくすることができる。
このため、極めて狭い場所でイオンを発生させることが
できると共に、狭いスペースに対しても除電を行うこと
ができる。また、イオン化源をチューブの先端部近傍に
配置しているため、発生したイオンがチューブの内壁に
付着することによりイオンの数が減少するのを防止する
ことができる。

【００１５】請求項２記載の発明によるイオン搬送式イ
オン化装置は、請求項１記載の発明において、前記イオ
ン化源が、軟Ｘ線の発生手段又は密封放射性同位元素で
あることを特徴としている。請求項２記載の発明によれ
ば、オゾン及び電磁ノイズの発生、及び発塵を無くすこ
とができる。

【００１６】請求項３記載の発明によるイオン搬送式イ
オン化装置は、請求項１記載の発明において、前記イオ
ン搬送ガスが、高純度の非反応性ガスであり、前記イオ
ン化源が、低エネルギー電子線の発生手段であることを
特徴としている。請求項４記載の発明によるイオン搬送
式イオン化装置は、請求項１記載の発明において、前記
イオン搬送ガスが、高純度の非反応性ガスであり、前記
イオン化源が、紫外線の発生手段であることを特徴とし
ている。

【００１７】請求項５記載の発明によるイオン搬送式イ
オン化装置は、請求項１記載の発明において、前記イオ
ン搬送ガスが、高純度の非反応性ガスであり、前記イオ
ン化源が、沿面放電を発生する沿面放電発生手段である
ことを特徴としている。請求項３、４又は５記載の発明
によれば、ガスとして高純度Ｎ₂ ガス等のように微量の
水蒸気やオゾンが発生しない程度の酸素等の微量の負性
気体を含む非反応性ガスを使用することにより、オゾン
及び電磁ノイズの発生、及び発塵を伴うことなく正負イ
オンを発生させることができる。

【００１８】請求項６記載の発明によるイオン搬送式イ
オン化装置は、請求項１、２又は３記載の発明におい
て、前記チューブの先端部に、前記イオン化源から発生
する軟Ｘ線、低エネルギー電子線、又は放射性同位元素
からのα線又はβ線の放射線を遮蔽するための遮蔽部が
形成されていることを特徴としている。

【００１９】請求項６記載の発明によれば、イオン化源
から軟Ｘ線、低エネルギー電子線又は放射性同位元素か
らの放射線が発生する場合に、チューブの先端部に遮蔽
部を形成することにより、それらが外部に漏れるのを防
止することができる。軟Ｘ線、低エネルギー電子線、及
び放射性同位元素からの放射線は例えば薄い塩化ビニル
板等によって十分に遮蔽が可能であり、かつ、反射が殆
ど無いため、簡単な構造で遮蔽部を形成することができ
る。

【００２０】請求項７記載の発明によるイオン搬送式イ
オン化装置は、請求項６記載の発明において、前記遮蔽
部が、前記チューブの内部に複数の隔壁が形成されるこ
とにより、前記軟Ｘ線、前記低エネルギー電子線又は前
記放射性同位元素からの放射線の進行を妨げるように構
成されたことを特徴としている。請求項８記載の発明に
よるイオン搬送式イオン化装置は、請求項６記載の発明
において、前記遮蔽部が、前記チューブを曲屈すること
により、前記軟Ｘ線、前記低エネルギー電子線又は前記
放射性同位元素からの放射線の進行を妨げるように構成
されていることを特徴としている。

【００２１】請求項９記載の発明によるイオン搬送式イ
オン化装置は、請求項６記載の発明に置いて、前記遮蔽
部が、前記チューブを複数の吹出口に分岐させることに
より、前記軟Ｘ線、前記低エネルギー電子線又は前記放
射性同位元素からの放射線の進行を妨げるように構成さ
れていることを特徴としている。

【００２２】請求項７，８又は９記載の発明によれば、
半導体やＬＣＤ等の生産装置全体を塩化ビニル板等で覆
い、軟Ｘ線、低エネルギー電子線、及び放射線同位元素
からの放射線を遮蔽する必要がなく、簡単な構成とする
ことができる。そのため、このイオン搬送式イオン化装
置の応用範囲が広くなる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態を図面を参照して説明する。

【００２４】［１．第１の実施の形態］ ［１−１．構成］図１は、本発明の第１の実施の形態に
よるイオン搬送式イオン化装置の構成を示す模式図であ
る。同図において、１はチューブであり、例えばフッ素
樹脂又は塩化ビニル樹脂等から構成されており、内径が
約１５ｍｍとなっている。なお、上記フッ素樹脂又は塩
化ビニル樹脂の厚さは、後述するようにイオン化源とし
て軟Ｘ線を用いる場合、この軟Ｘ線を吸収することがで
きる程度の厚さとなっている。塩化ビニル樹脂の場合
は、厚さが２ｍｍで十分遮蔽が可能である。更に、チュ
ーブ１の先端部１ａは、帯電体Ｓの近傍に配置されてお
り、イオン発生装置５において発生した正負イオンをこ
の帯電体Ｓに向けて供給するようになっている。すなわ
ち、本実施の形態において、チューブ１の「先端部」と
は、イオン搬送ガスの出口側、すなわち帯電体側を指
す。

【００２５】上記チューブ１には、クリーンルーム内等
の空気、又は高純度Ｎ₂ ガス等の非反応性ガス（以下、
イオン搬送ガスという）が供給されるようになってい
る。なお、ここで「高純度Ｎ₂ ガス」とは、負イオンを
形成する程度の酸素や水蒸気を含み、且つ、その酸素濃
度はオゾンを発生しない程度（５％程度以下）であるＮ
₂ ガスであるものとする。

【００２６】また、２はバルブ、３は流量計であり、こ
れらによってチューブ１内におけるイオン搬送ガスの流
量が調整されるようになっている。４はメンブレンフィ
ルタであり、上記イオン搬送ガス中の塵埃を捕集するよ
うになっている。

【００２７】更に、チューブ１の先端部１ａ近傍には、
イオン発生装置５が設けられている。イオン発生装置５
は、チューブ１の内部に配置されたイオン化源６と、こ
のイオン化源６の制御装置７とから構成されている。こ
こで、イオン化源６は、軟Ｘ線発生装置の発生部、低エ
ネルギー電子線発生装置の発生部、密封放射性同位元
素、紫外線発生装置の発生部、又は沿面放電によるイオ
ナイザ等からなり、チューブ１内を流れるイオン搬送ガ
スをイオン化するように構成されている。

【００２８】ここで、軟Ｘ線は、３〜９．５ｋｅＶ程度
のエネルギーを有する微弱Ｘ線であり、２ｍｍ厚の塩化
ビニル板で容易に遮蔽することができるものである。ま
た、低エネルギー電子線は、例えばウシオ電機株式会社
製の超小型電子ビーム照射管チューブ等により数１０ｋ
Ｖの低い動作電圧で取り出された電子ビーム（ソフトエ
レクトロン）であり、空気中では５ｃｍ程度の到達距離
でその領域をイオン化する。なお、低エネルギー電子線
は、酸素を含む気体中ではオゾンを発生するため、本実
施の形態では、高純度Ｎ₂ ガス等のようにオゾンが発生
しない程度の酸素を含む非反応性ガスを用いる。また、
軟Ｘ線も発生するため、遮蔽が必要となる。

【００２９】更に、密封放射性同位元素は、放射性同位
元素をカプセル等に封入したものであり、放射性同位元
素としては、α線を発生するアメリシウム２４１又はβ
線を発生するニッケル６３等がある。アメリシウム２４
１から発生するα線のエネルギーは５．４ＭｅＶ程度で
あり、電離作用は大きいが空気中での到達距離は数ｃｍ
程度であって、紙１枚で容易に遮蔽することができる。
また、ニッケル６３から発生するβ線のエネルギーは５
７ｋｅＶ程度であり、樹脂板で容易に遮蔽することがで
きる。

【００３０】また、紫外線発生装置から発生する紫外線
は４００ｎｍ以下の短波長であり、３０ｗ程度の出力で
ある。イオン化源６が、軟Ｘ線の発生部又は密封放射性
同位元素である場合は、チューブ１に供給するイオン搬
送ガスとして空気及び非反応性ガスのいずれを用いても
よいが、低エネルギー電子線の発生部又は紫外線の発生
部である場合は、高純度Ｎ₂ ガス等のようにオゾンが発
生しない程度の酸素を含む非反応性ガスを用いる。

【００３１】更に、沿面放電によるイオナイザの例を図
２に示す。この図に示すように、イオナイザ１１は、セ
ラミックス等からなる六面体の誘導体１２の内部と外部
とに、内部電極１３と外部電極１４とがそれぞれ設けら
れてなる。誘電体１２を構成する六面のうち五面が接地
されており、内部電極１３には制御装置７内の交流高電
圧電源からの交流高電圧が印加されるようになってい
る。このような構成により、内部電極１３に交流高電圧
が印加されると、誘導により誘導体１２の表面に高電圧
が発生し、接地された外部電極１４との間で面状に放電
が起こる。なお、酸素を５％より多く含む気体中ではオ
ゾンを発生するため、本実施の形態では、高純度Ｎ₂ ガ
ス等の非反応性ガスを用いる。

【００３２】また、チューブ１の先端部１ａからイオン
化源６までの距離Ｌ₁ は、発生したイオンが減衰しない
程度の距離、すなわち２０ｃｍ以内となっている。更
に、制御装置７は、イオン化源６から軟Ｘ線、低エネル
ギー電子線、紫外線もしくは沿面放電を発生させるため
の電源部及び制御部からなり、イオン化源６とケーブル
８によって接続されている。

【００３３】また、チューブ１の先端部１ａには、遮蔽
部９が設けられている。遮蔽部９は、例えば図１に示す
ように複数の隔壁１０，１０，…から構成されている。
この隔壁１０，１０，…は、チューブ１の上部と下部と
に一定の間隔をおいて交互に形成されている。すなわ
ち、イオン化源６が軟Ｘ線の発生部、低エネルギー電子
線の発生部又は密封放射性同位元素である場合、直進す
る軟Ｘ線、電子線又は放射性同位元素からの放射線（α
線又はβ線）が隔壁１０，１０，…に当たるようになっ
ており、それらが外部に漏れないように遮蔽される構成
となっている。なお、イオン化源６が紫外線の発生部も
しくは沿面放電の発生部である場合は、この遮蔽部９は
不要である。

【００３４】［１−２．作用効果］次に、上述した構成
を有する本実施の形態の作用効果について説明する。す
なわち、チューブ１に供給され、バルブ２、流量計３及
びメンブレンフィルタ４を順次通過したイオン搬送ガス
は、チューブ１内に内蔵されたイオン化源６によって軟
Ｘ線、低エネルギー電子線、紫外線、沿面放電又は放射
性同位元素からの放射線等が照射されることにより、正
負のイオンとなる。そして、これら正負イオンはチュー
ブ１の遮蔽部９を通過して、先端部１ａから帯電体Ｓに
供給され、帯電体Ｓ上の正負の逆極性の電荷をそれぞれ
中和する。

【００３５】以上のように、本実施の形態では、イオン
化源６が軟Ｘ線の発生部又は密封放射性同位元素である
場合、空気もしくは非反応性ガスのいずれをイオン化し
てもオゾンが発生することが無い。また、電極材の飛散
や空気中の不純物の堆積及び再飛散のような発塵が無
く、かつ、電磁ノイズの発生も起こらない。

【００３６】また、イオン化源６が低エネルギー電子
線、紫外線又は沿面放電の発生部である場合は、イオン
搬送ガスとして高純度Ｎ₂ ガス等のようにオゾンが発生
しない程度の酸素を含む非反応性ガスを使用することに
より、イオン化に当たってオゾンの発生が無く、発塵及
び電磁ノイズの発生も起こらない。

【００３７】更に、軟Ｘ線、低エネルギー電子線及び密
封放射性同位元素からの放射線は、薄い塩化ビニル板等
で十分遮蔽することができ、殆ど反射も起こらないた
め、図１に示すような簡単な構造で遮蔽することができ
る。すなわち、チューブ１の先端１ａ周辺を遮蔽構造と
することができ、これによりイオン搬送式イオン化装置
の設置時に別途遮蔽を施す必要がない。そのため、この
イオン搬送式イオン化装置の応用範囲が広くなる。な
お、このようにチューブ１の先端１ａ周辺に遮蔽部９が
形成されているため、従来のイオン化源を露出して設置
するような生産装置において生産装置全体を２ｍｍ程度
の塩化ビニル板で覆う必要が無い。

【００３８】また、イオン化源６とその電源部及び制御
部である制御装置７とをケーブル８を介して別設したた
め、イオン化源６のみをチューブ１内に設置することが
でき、それによってチューブ１の内径を小さくすること
ができる。このため、極めて狭い場所でイオンを発生さ
せることができると共に、例えばカセット内に収納した
ガラス基板の隙間等、狭いスペースに対しても除電を行
うことができる。また、イオン化源６をチューブ１の先
端１ａ近傍に内設するため、発生するイオンがチューブ
１の内壁に付着して数が減少するのを防止することがで
きる。

【００３９】［２．第２の実施の形態］ ［２−１．構成］図３は、本発明の第２の実施の形態に
よるイオン搬送式イオン化装置の構成を示す模式図であ
る。同図において、上述した図１に示す第１の実施の形
態と同様の部材については、同一の符号を付し、その説
明を省略する。

【００４０】本実施の形態では、チューブ１の先端部１
ａをＳ字形状に屈曲させ、この屈曲部によって遮蔽部１
９を構成している。すなわち、本実施の形態では、図１
に示す遮蔽部９の隔壁１０，１０，…は設けられておら
ず、代わりに屈曲部によって、イオン化源６から発生す
る軟Ｘ線、低エネルギー電子線又は放射性同位元素から
の放射線を遮蔽する構成となっている。

【００４１】この場合、イオン化源６から遮蔽部１９の
最初の屈曲部１９ａまでの距離Ｌ₂は、約５ｃｍとなっ
ている。また、イオン発生装置５において、ケーブル１
８の制御装置７からイオン化源６までの距離Ｌ₃ として
は、２ｍ程度まで可能である。

【００４２】［２−２．作用効果］以上のような構成を
有する本実施の形態では、上述した第１の実施の形態と
同様に帯電体Ｓ上の電荷が除電される。すなわち、チュ
ーブ１内において、イオン搬送ガスがイオン化源６の周
囲を流れる際に、軟Ｘ線、低エネルギー電子線、紫外
線、沿面放電又は放射性同位元素からの放射線が照射さ
れることによって正負のイオンとなり、遮蔽部１９を通
過して先端部１ａから帯電体Ｓに供給される。そして、
帯電体Ｓ上の正負の電荷をそれぞれ中和する。

【００４３】以上のように、本実施の形態によれば、上
述した第１の実施の形態と同様に、オゾンの発生、発
塵、及び電磁ノイズの発生を無くすことができると共
に、チューブ１の内径を小さくして狭い場所での除電も
可能にすることができる。また、チューブ１の先端部１
ａ周辺を曲げるだけで、軟Ｘ線、低エネルギー電子線又
は放射性同位元素からの放射線を遮蔽することができ
る。特に、低エネルギー電子線を遮蔽する場合、電子線
は５ｃｍ程度で失速するため、イオン化源６から遮蔽部
１９の屈曲部１９ａまでの距離を５ｃｍ程度とすること
で効率よく遮蔽することができる。

【００４４】［３．第３の実施の形態］ ［３−１．構成］図４は、本発明の第３の実施の形態に
よるイオン搬送式イオン化装置の構成を示す模式図であ
る。同図において、上述した図１に示す第１の実施の形
態及び図３に示す第２の実施の形態と同様の部材につい
ては、同一の符号を付し、その説明を省略する。

【００４５】本実施の形態では、チューブ１の先端部１
ａに複数の吹出口２１，２１，…を形成することにより
遮蔽部２９を構成している。すなわち、図４に示すよう
に、イオン化源６近傍においてチューブ１が複数（本実
施の形態では４つ）の吹出口２１，２１，…に分岐して
おり、これら吹出口２１，２１，…はいずれもチューブ
１の軸方向に平行ではあるが、その軸の延長線上に配置
されないようになっている。すなわち、イオン化源６が
軟Ｘ線の発生部、低エネルギー電子線の発生部又は密封
放射性同位元素である場合、直進する軟Ｘ線、電子線又
は放射性同位元素からの放射線が壁２２に当たるように
なっており、それらが外部に漏れないように遮蔽される
構成となっている。

【００４６】［３−２．作用効果］以上のような構成を
有する本実施の形態では、上述した第１及び第２の実施
の形態と同様に帯電体Ｓ上の電荷が除電される。すなわ
ち、チューブ１内において、イオン搬送ガスがイオン化
源６の周囲を流れる際に、軟Ｘ線、低エネルギー電子
線、紫外線、沿面放電又は放射性同位元素からの放射線
が照射されることによって正負のイオンとなり、遮蔽部
２９を通過して先端部１ａの各吹出口２１，２１，…か
ら帯電体Ｓに供給される。そして、帯電体Ｓ上の正負の
電荷をそれぞれ中和する。

【００４７】以上のように、本実施の形態によれば、上
述した第１及び第２の実施の形態と同様に、オゾンの発
生、発塵、及び電磁ノイズの発生を無くすことができ
る。また、チューブ１の先端部１ａが複数の吹出口２
１，２１，…に分岐することにより、軟Ｘ線、低エネル
ギー電子線又は放射性同位元素からの放射線を遮蔽する
ことができる。更に、吹出口２１，２１，…の数を増や
すことにより、帯電体Ｓの面積が広い場合、あるいは帯
電部分が分散している場合にも対応することができる。

【００４８】［４．他の実施の形態］なお、本発明は上
述した実施の形態に限定されるものではなく、以下に示
すような各種態様も可能である。すなわち、具体的な各
部材の形状、あるいは取付位置及び方法は適宜変更可能
である。例えば、遮蔽部９，１９の形状は、図１に示す
ような隔壁１０，１０，…及び図２に示すようなＳ字形
状に限らず、直進する軟Ｘ線、低エネルギー電子線又は
放射性同位元素からの放射線等が外部に漏れず、かつ、
発生する正負のイオンが搬送され得る形状であればどの
ようなものでもよい。

【００４９】また、イオン化源６は、軟Ｘ線、低エネル
ギー電子線、紫外線又は沿面放電の発生部、あるいは放
射性同位元素に限らず、イオン化によりオゾンの発生、
発塵及び電磁ノイズの発生の無いものであれば、他の電
磁波又はビーム等を使用することができる。

【００５０】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、イオ
ン化源とその制御装置とを別々に設け、イオン化源のみ
をチューブ内に配置するため、チューブの内径を小さく
することができ、狭いスペースに対しても除電を行うこ
とができる。また、イオン化源として軟Ｘ線又は放射性
同位元素からの放射線を用いる場合、オゾンや電磁ノイ
ズの発生、及び発塵を無くすことができ、低エネルギー
電子線、紫外線又は沿面放電を用いる場合、非反応性ガ
スをイオン化することにより、オゾンや電磁ノイズの発
生、及び発塵を無くすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態によるイオン搬送式
イオン化装置の構成を示す模式図である。

【図２】同実施の形態に用いる沿面放電によるイオナイ
ザの例を示す概略斜視図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態によるイオン搬送式
イオン化装置の構成を示す模式図である。

【図４】本発明の第３の実施の形態によるイオン搬送式
イオン化装置の構成を示す模式図である。

【符号の説明】

１…チューブ １ａ…先端部 ５…イオン発生装置 ６…イオン化源 ７…制御装置 ８，１８，２８…ケーブル ９，１９，２９…遮蔽部 １０…隔壁 ２１…吹出口 ２２…壁 Ｓ…帯電体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 彰 愛知県豊橋市北山町字東浦２番地の１（２ −402) (72)発明者 杉田 章夫 東京都港区南青山２丁目３番６号 株式会 社テクノ菱和内 (72)発明者 鈴木 政典 東京都港区南青山２丁目３番６号 株式会 社テクノ菱和内 (72)発明者 和泉 貴晴 東京都港区南青山２丁目３番６号 株式会 社テクノ菱和内 Ｆターム(参考） 3L058 BF09 4G075 AA70 BA01 BA08 BC08 BD14 CA15 CA33 CA38 CA39 DA02 EB21 EB31 EC01 FC15

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 静電気を除去するために帯電体の近傍に
   向かってイオン搬送ガスを供給するチューブと、前記チ
   ューブ内に供給されたイオン搬送ガスの一部をイオン化
   するイオン発生装置とを備えたイオン搬送式イオン化装
   置において、 前記イオン発生装置は、前記チューブに内蔵されたイオ
   ン化源と、前記チューブの外部に設けられ、前記イオン
   化源の電源部及び制御部を備えた制御装置とから構成さ
   れ、 前記イオン化源は、前記チューブの先端部近傍に設けら
   れていることを特徴とするイオン搬送式イオン化装置。
2. 【請求項２】 前記イオン化源は、軟Ｘ線の発生手段又
   は密封放射性同位元素であることを特徴とする請求項１
   記載のイオン搬送式イオン化装置。
3. 【請求項３】 前記イオン搬送ガスは、高純度の非反応
   性ガスであり、 前記イオン化源は、低エネルギー電子線の発生手段であ
   ることを特徴とする請求項１記載のイオン搬送式イオン
   化装置。
4. 【請求項４】 前記イオン搬送ガスは、高純度の非反応
   性ガスであり、 前記イオン化源は、紫外線の発生手段であることを特徴
   とする請求項１記載のイオン搬送式イオン化装置。
5. 【請求項５】 前記イオン搬送ガスは、高純度の非反応
   性ガスであり、 前記イオン化源は、沿面放電を発生する沿面放電発生手
   段であることを特徴とする請求項１記載のイオン搬送式
   イオン化装置。
6. 【請求項６】 前記チューブの先端部に、前記イオン化
   源から発生する軟Ｘ線、低エネルギー電子線、又は放射
   性同位元素からのα線又はβ線の放射線を遮蔽するため
   の遮蔽部が形成されていることを特徴とする請求項１、
   ２又は３記載のイオン搬送式イオン化装置。
7. 【請求項７】 前記遮蔽部は、前記チューブの内部に複
   数の隔壁が形成されることにより、前記軟Ｘ線、前記低
   エネルギー電子線又は前記放射性同位元素からの放射線
   の進行を妨げるように構成されたことを特徴とする請求
   項６記載のイオン搬送式イオン化装置。
8. 【請求項８】 前記遮蔽部は、前記チューブを屈曲する
   ことにより、前記軟Ｘ線、前記低エネルギー電子線又は
   前記放射線の進行を妨げるように構成されていることを
   特徴とする請求項６記載のイオン搬送式イオン化装置。
9. 【請求項９】 前記遮蔽部は、前記チューブを複数の吹
   出口に分岐させることにより、前記軟Ｘ線、前記低エネ
   ルギー電子線又は前記放射性同位元素からの放射線の進
   行を妨げるように構成されていることを特徴とする請求
   項６記載のイオン搬送式イオン化装置。
10. 【請求項１０】 静電気を除去するために、チューブに
    より帯電体の近傍に向かってイオン搬送ガスを供給する
    と共に、前記チューブに供給されるイオン搬送ガスの一
    部をイオン発生装置によってイオン化するイオン搬送式
    イオン化方法において、 前記イオン発生装置のうち、イオン化源を前記チューブ
    に内蔵し、前記イオン化源の電源部及び制御部を備えた
    制御装置を前記チューブの外部に設け、 前記イオン化源を、前記チューブの先端部近傍に設けた
    ことを特徴とするイオン搬送式イオン化方法。