JP2000164682A - 半導体チップの取出方法 - Google Patents
半導体チップの取出方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップの回路面を傷つけることなく、
保護膜を能率良く除去して半導体チップを取出すことが
できる半導体チップの取出方法を提供する。 【解決手段】 保護膜２が片面全面に形成された半導体
ウエハ１を、保護膜形成面の反対側から保護膜２が残る
ように切断して、保護膜２でつながった個々の半導体チ
ップ５を形成し、保護膜２から個々の半導体チップ５を
剥がすように取出して使用する。この方法により、半導
体チップ５の回路面６に触ることなく、半導体チップを
取出すことができて、半導体チップの回路面を傷つけた
りすることがなく、また、つながった保護膜２から半導
体チップ５を１つずつ剥がして取出すため、保護膜２と
半導体チップ５との剥がし作業を能率良く行える。
保護膜を能率良く除去して半導体チップを取出すことが
できる半導体チップの取出方法を提供する。 【解決手段】 保護膜２が片面全面に形成された半導体
ウエハ１を、保護膜形成面の反対側から保護膜２が残る
ように切断して、保護膜２でつながった個々の半導体チ
ップ５を形成し、保護膜２から個々の半導体チップ５を
剥がすように取出して使用する。この方法により、半導
体チップ５の回路面６に触ることなく、半導体チップを
取出すことができて、半導体チップの回路面を傷つけた
りすることがなく、また、つながった保護膜２から半導
体チップ５を１つずつ剥がして取出すため、保護膜２と
半導体チップ５との剥がし作業を能率良く行える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハを分
割して半導体チップとし、この半導体チップを取出す半
導体チップの取出方法に関するものである。
割して半導体チップとし、この半導体チップを取出す半
導体チップの取出方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器は小型、軽量化と共に半
導体の使用が増大し、さらに、コストダウン、信頼性の
要求がますます強くなってきている。
導体の使用が増大し、さらに、コストダウン、信頼性の
要求がますます強くなってきている。
【０００３】半導体ウエハを分割して半導体チップと
し、半導体チップを基板上に実装するために取出す従来
の技術としては、保護膜を半導体チップからひとつずつ
除去する方法であった。
し、半導体チップを基板上に実装するために取出す従来
の技術としては、保護膜を半導体チップからひとつずつ
除去する方法であった。
【０００４】以下、図面を参照しながら、上述した従来
の半導体チップの取出方法について説明する。図９
（ａ），（ｂ）は従来の半導体チップ上の保護膜を剥が
して実装する方式を示すものである。
の半導体チップの取出方法について説明する。図９
（ａ），（ｂ）は従来の半導体チップ上の保護膜を剥が
して実装する方式を示すものである。
【０００５】図９（ａ）において、１は保護膜２により
回路面６である上面が覆われて保護された半導体ウエハ
で、第１のフィルム３上に載せられている。図９（ｂ）
において、４は切断部、５は半導体ウエハ１を切断する
ことで製造された半導体チップである。
回路面６である上面が覆われて保護された半導体ウエハ
で、第１のフィルム３上に載せられている。図９（ｂ）
において、４は切断部、５は半導体ウエハ１を切断する
ことで製造された半導体チップである。
【０００６】半導体ウエハ１から個々の半導体チップ５
を取出す従来の方法について、説明する。まず、半導体
回路面に保護膜２が形成された半導体ウエハ１に第１の
フィルム３を貼り付ける。次いで、保護膜２付きの半導
体ウエハ１を、切断機を用いて所定の寸法に切断し、必
要に応じて第１のフィルム３を拡張し、保護膜２付きの
半導体ウエハ１を伸張させて、個々の半導体チップ５の
間を広くして取り出し易くする。次に、半導体ウエハ１
上の保護膜２を一つずつ矢印方向に引き剥がして取出
す。この引き剥がしによる取出し作業は半導体ウエハ１
の回路面６の保護を考慮して半導体チップ５を基板上に
実装する直前に行われる。そして、保護膜２を除去した
半導体チップ５を基板上の所定の位置に実装する。
を取出す従来の方法について、説明する。まず、半導体
回路面に保護膜２が形成された半導体ウエハ１に第１の
フィルム３を貼り付ける。次いで、保護膜２付きの半導
体ウエハ１を、切断機を用いて所定の寸法に切断し、必
要に応じて第１のフィルム３を拡張し、保護膜２付きの
半導体ウエハ１を伸張させて、個々の半導体チップ５の
間を広くして取り出し易くする。次に、半導体ウエハ１
上の保護膜２を一つずつ矢印方向に引き剥がして取出
す。この引き剥がしによる取出し作業は半導体ウエハ１
の回路面６の保護を考慮して半導体チップ５を基板上に
実装する直前に行われる。そして、保護膜２を除去した
半導体チップ５を基板上の所定の位置に実装する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の半導体チップの取出方法では、半導体チップ
５に対して一つずつ保護膜２を除去しなければならず、
極めて能率が悪いだけではなく、保護膜２を剥がす際に
半導体チップ５の回路面６に傷をつける恐れがあり、信
頼性も低いという問題を有していた。
うな従来の半導体チップの取出方法では、半導体チップ
５に対して一つずつ保護膜２を除去しなければならず、
極めて能率が悪いだけではなく、保護膜２を剥がす際に
半導体チップ５の回路面６に傷をつける恐れがあり、信
頼性も低いという問題を有していた。
【０００８】本発明は上記問題に鑑み、半導体チップの
回路面に傷をつけたりすることなく、保護膜を能率良く
除去して半導体チップを取出すことができる半導体チッ
プの取出方法を提供することを目的とするものである。
回路面に傷をつけたりすることなく、保護膜を能率良く
除去して半導体チップを取出すことができる半導体チッ
プの取出方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明は、回路面である片面に保護膜が形成された
半導体ウエハを切断して半導体チップを形成し、保護膜
を除去した半導体チップを取出して使用する半導体チッ
プの取出方法であって、前記保護膜が形成された半導体
ウエハを、保護膜形成面の反対側から保護膜が残るよう
に切断して、保護膜でつながった個々の半導体チップを
形成し、つながった保護膜から個々の半導体チップを剥
がすように取出して使用するものである。
に、本発明は、回路面である片面に保護膜が形成された
半導体ウエハを切断して半導体チップを形成し、保護膜
を除去した半導体チップを取出して使用する半導体チッ
プの取出方法であって、前記保護膜が形成された半導体
ウエハを、保護膜形成面の反対側から保護膜が残るよう
に切断して、保護膜でつながった個々の半導体チップを
形成し、つながった保護膜から個々の半導体チップを剥
がすように取出して使用するものである。
【００１０】この方法によれば、半導体チップの回路面
に傷をつけたりすることなく、保護膜を能率良く除去し
て半導体チップを取出すことができる。
に傷をつけたりすることなく、保護膜を能率良く除去し
て半導体チップを取出すことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
回路面である片面に保護膜が形成された半導体ウエハを
切断して半導体チップを形成し、保護膜を除去した半導
体チップを取出して使用する半導体チップの取出方法で
あって、前記保護膜が形成された半導体ウエハを、保護
膜形成面の反対側から保護膜が残るように切断して、保
護膜でつながった個々の半導体チップを形成し、つなが
った保護膜から個々の半導体チップを剥がすように取出
して使用するものである。
回路面である片面に保護膜が形成された半導体ウエハを
切断して半導体チップを形成し、保護膜を除去した半導
体チップを取出して使用する半導体チップの取出方法で
あって、前記保護膜が形成された半導体ウエハを、保護
膜形成面の反対側から保護膜が残るように切断して、保
護膜でつながった個々の半導体チップを形成し、つなが
った保護膜から個々の半導体チップを剥がすように取出
して使用するものである。
【００１２】この方法によれば、半導体チップの回路面
に触ることなく、半導体チップを取出すことができるた
め、半導体チップの回路面を傷つけたりすることがな
く、また、つながった保護膜から半導体チップを１つず
つ剥がして取出すため、従来のように保護膜を半導体チ
ップから一つずつ除去する作業は不要となり、保護膜と
半導体チップとの剥がし作業を能率良く行うことができ
る。
に触ることなく、半導体チップを取出すことができるた
め、半導体チップの回路面を傷つけたりすることがな
く、また、つながった保護膜から半導体チップを１つず
つ剥がして取出すため、従来のように保護膜を半導体チ
ップから一つずつ除去する作業は不要となり、保護膜と
半導体チップとの剥がし作業を能率良く行うことができ
る。
【００１３】本発明の請求項２記載の発明は、請求項１
に記載の半導体チップの取出方法において、保護膜を、
加熱することにより収縮する材質で構成し、半導体チッ
プを保護膜から剥がす前に、保護膜を加熱して収縮させ
ることで接着面積を小さくして接着力を弱め、これによ
り半導体チップを保護膜から剥がし易くするものであ
る。
に記載の半導体チップの取出方法において、保護膜を、
加熱することにより収縮する材質で構成し、半導体チッ
プを保護膜から剥がす前に、保護膜を加熱して収縮させ
ることで接着面積を小さくして接着力を弱め、これによ
り半導体チップを保護膜から剥がし易くするものであ
る。
【００１４】本発明の請求項３記載の発明は、請求項１
に記載の半導体チップの取出方法において、半導体チッ
プを保護膜から剥がす前に、保護膜を伸張させることに
より、半導体チップを保護膜から剥がし易くするもので
ある。
に記載の半導体チップの取出方法において、半導体チッ
プを保護膜から剥がす前に、保護膜を伸張させることに
より、半導体チップを保護膜から剥がし易くするもので
ある。
【００１５】上記請求項２、請求項３の方法によれば、
半導体チップを保護膜から剥がし易くすることができる
ので、さらに能率良く半導体チップを取出すことができ
る。本発明の請求項４記載の発明は、回路面である片面
に保護膜が形成された半導体ウエハを切断して半導体チ
ップを形成し、保護膜を除去した半導体チップを取出し
て使用する半導体チップの取出方法であって、前記保護
膜が形成された半導体ウエハに対して、保護膜形成面と
は反対の面に第１のフィルムを貼り付け、第１のフィル
ムが残るように保護膜側から半導体ウエハを切断し、切
断後の半導体チップの保護膜の上から、その接着強度が
保護膜の半導体チップへの接着強度よりも大きい第２の
フィルムを貼り付けた後に、第１のフィルムを除去し、
第２のフィルムに貼り付けられた保護膜から半導体チッ
プを剥がして使用するものである。
半導体チップを保護膜から剥がし易くすることができる
ので、さらに能率良く半導体チップを取出すことができ
る。本発明の請求項４記載の発明は、回路面である片面
に保護膜が形成された半導体ウエハを切断して半導体チ
ップを形成し、保護膜を除去した半導体チップを取出し
て使用する半導体チップの取出方法であって、前記保護
膜が形成された半導体ウエハに対して、保護膜形成面と
は反対の面に第１のフィルムを貼り付け、第１のフィル
ムが残るように保護膜側から半導体ウエハを切断し、切
断後の半導体チップの保護膜の上から、その接着強度が
保護膜の半導体チップへの接着強度よりも大きい第２の
フィルムを貼り付けた後に、第１のフィルムを除去し、
第２のフィルムに貼り付けられた保護膜から半導体チッ
プを剥がして使用するものである。
【００１６】この方法によれば、半導体チップの回路面
に触ることなく、半導体チップを取出すことができるた
め、半導体チップの回路面を傷つけたりすることがな
く、また、第１のフィルムを剥がして除去した後でも、
半導体チップ同士が第２のフィルムにてつながってばら
ばらにならず、第２のフィルムに貼り付けられた保護膜
から半導体チップを１つずつ剥がして取出すため、従来
のように保護膜を半導体チップから一つずつ除去する作
業は不要となり、保護膜と半導体チップとの剥がし作業
を能率良く行うことができる。
に触ることなく、半導体チップを取出すことができるた
め、半導体チップの回路面を傷つけたりすることがな
く、また、第１のフィルムを剥がして除去した後でも、
半導体チップ同士が第２のフィルムにてつながってばら
ばらにならず、第２のフィルムに貼り付けられた保護膜
から半導体チップを１つずつ剥がして取出すため、従来
のように保護膜を半導体チップから一つずつ除去する作
業は不要となり、保護膜と半導体チップとの剥がし作業
を能率良く行うことができる。
【００１７】本発明の請求項５記載の発明は、請求項４
に記載の半導体チップの取出方法において、第２のフィ
ルムを、加熱または冷却することにより収縮する材質で
構成し、第１のフィルムを除去した後に、第２のフィル
ムを加熱または冷却して収縮させることで保護膜も共に
収縮させ、半導体チップを保護膜から剥がし易くするも
のである。
に記載の半導体チップの取出方法において、第２のフィ
ルムを、加熱または冷却することにより収縮する材質で
構成し、第１のフィルムを除去した後に、第２のフィル
ムを加熱または冷却して収縮させることで保護膜も共に
収縮させ、半導体チップを保護膜から剥がし易くするも
のである。
【００１８】本発明の請求項６記載の発明は、請求項４
に記載の半導体チップの取出方法において、第１のフィ
ルムを除去した後に、第２のフィルムを伸張させ、同時
に保護膜も伸張させることにより、半導体チップを保護
膜から剥がし易くするものである。
に記載の半導体チップの取出方法において、第１のフィ
ルムを除去した後に、第２のフィルムを伸張させ、同時
に保護膜も伸張させることにより、半導体チップを保護
膜から剥がし易くするものである。
【００１９】本発明の請求項７記載の発明は、請求項４
〜６の何れかに記載の半導体チップの取出方法におい
て、第１のフィルムに孔または凹部または凸部が形成さ
れているものである。
〜６の何れかに記載の半導体チップの取出方法におい
て、第１のフィルムに孔または凹部または凸部が形成さ
れているものである。
【００２０】上記請求項５、請求項６、請求項７の方法
によれば、保護膜の半導体チップに対する接着力を低減
できて、半導体チップを保護膜から剥がし易くすること
ができるので、さらに能率良く半導体チップを取出すこ
とができる。
によれば、保護膜の半導体チップに対する接着力を低減
できて、半導体チップを保護膜から剥がし易くすること
ができるので、さらに能率良く半導体チップを取出すこ
とができる。
【００２１】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施
の形態にかかる半導体チップの取出方法の各工程を示す
断面図である。
を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施
の形態にかかる半導体チップの取出方法の各工程を示す
断面図である。
【００２２】図１（ａ）において、１は保護膜２により
回路面である片面が覆われて保護された半導体ウエハで
ある。保護膜２には、半導体ウエハ１に形成された回路
面６の位置決めの印が見えるように、一部が除去されて
位置確認孔８が形成されている。
回路面である片面が覆われて保護された半導体ウエハで
ある。保護膜２には、半導体ウエハ１に形成された回路
面６の位置決めの印が見えるように、一部が除去されて
位置確認孔８が形成されている。
【００２３】この半導体ウエハ１は、図１（ｂ）に示す
ように、保護膜２を下方にして固定台７上に載せられ
る。なお、固定台７には、位置確認窓９が形成されてお
り、この位置確認窓９と保護膜２の位置確認孔８とが一
致するようにして、固定台７上に載せられる。
ように、保護膜２を下方にして固定台７上に載せられ
る。なお、固定台７には、位置確認窓９が形成されてお
り、この位置確認窓９と保護膜２の位置確認孔８とが一
致するようにして、固定台７上に載せられる。
【００２４】次に、位置決め機（図示せず）により位置
確認窓９を確認しながら固定台７ごと半導体ウエハ１を
所定の位置に移動させて設置する。設置後、切断機（図
示せず）により、保護膜２を切断しないようにしながら
半導体ウエハ１のみを所定の寸法に切断して、半導体チ
ップ５を形成する（図１（ｃ）参照）。切断された半導
体チップ５は、保護膜２により保持されているので、個
々の半導体チップ５がばらばらになることはない。な
お、図１（ｃ）における４は半導体ウエハ１の切断部で
ある。
確認窓９を確認しながら固定台７ごと半導体ウエハ１を
所定の位置に移動させて設置する。設置後、切断機（図
示せず）により、保護膜２を切断しないようにしながら
半導体ウエハ１のみを所定の寸法に切断して、半導体チ
ップ５を形成する（図１（ｃ）参照）。切断された半導
体チップ５は、保護膜２により保持されているので、個
々の半導体チップ５がばらばらになることはない。な
お、図１（ｃ）における４は半導体ウエハ１の切断部で
ある。
【００２５】半導体チップ５を基板に実装する際には、
図１（ｄ）に示すように、保護膜２より半導体チップ５
を一つずつ剥がして取出した後に使用する。なお、半導
体チップ５を剥がす際には、保護膜２を下部より真空吸
着機１０等により固定する。これにより、半導体チップ
５を保護膜２から容易に剥がすことができる。
図１（ｄ）に示すように、保護膜２より半導体チップ５
を一つずつ剥がして取出した後に使用する。なお、半導
体チップ５を剥がす際には、保護膜２を下部より真空吸
着機１０等により固定する。これにより、半導体チップ
５を保護膜２から容易に剥がすことができる。
【００２６】この方法によれば、半導体チップ５の回路
面６に触わることなく、半導体チップ５を取出すことが
できるため、半導体チップ５の回路面６を傷つけたりす
ることを防止できて、不良品を発生することを防止でき
る。また、つながった保護膜２から半導体チップ５を１
つずつ剥がして取出すため、従来のように保護膜２を半
導体チップ５から一つずつ除去する作業は不要となり、
保護膜２と半導体チップ５との剥がし作業を能率良く行
うことができ、生産性が向上する。
面６に触わることなく、半導体チップ５を取出すことが
できるため、半導体チップ５の回路面６を傷つけたりす
ることを防止できて、不良品を発生することを防止でき
る。また、つながった保護膜２から半導体チップ５を１
つずつ剥がして取出すため、従来のように保護膜２を半
導体チップ５から一つずつ除去する作業は不要となり、
保護膜２と半導体チップ５との剥がし作業を能率良く行
うことができ、生産性が向上する。
【００２７】また、図２に示すように、保護膜２とし
て、加熱することにより収縮する材質を採用するととも
に、保護膜２を固定する真空吸着機１０の吸着部分を加
熱するようにしてもよい。この場合には、図２に示すよ
うに、保護膜２を真空吸着機で加熱させて収縮させるこ
とで、接着面積を小さくなって接着力を弱めることがで
きるため、半導体チップ５を保護膜２から剥がし易くす
ることができて、半導体チップ５の取出しが一層容易に
なり、生産性がさらに向上する。
て、加熱することにより収縮する材質を採用するととも
に、保護膜２を固定する真空吸着機１０の吸着部分を加
熱するようにしてもよい。この場合には、図２に示すよ
うに、保護膜２を真空吸着機で加熱させて収縮させるこ
とで、接着面積を小さくなって接着力を弱めることがで
きるため、半導体チップ５を保護膜２から剥がし易くす
ることができて、半導体チップ５の取出しが一層容易に
なり、生産性がさらに向上する。
【００２８】また、半導体チップ５を保護膜２から剥が
す前に、図３に示すように、保護膜２を伸張させてもよ
い。この場合には、収縮の過程において、半導体チップ
５と保護膜２との接着剤層部において、せん断力が働
き、接着力の低下につながり、上記と同様に、半導体チ
ップ５を保護膜２から剥がし易くすることができて、生
産性が向上する。 （実施の形態２）次に、図４を用いて他の実施の形態に
かかる半導体チップの取出方法について説明する。
す前に、図３に示すように、保護膜２を伸張させてもよ
い。この場合には、収縮の過程において、半導体チップ
５と保護膜２との接着剤層部において、せん断力が働
き、接着力の低下につながり、上記と同様に、半導体チ
ップ５を保護膜２から剥がし易くすることができて、生
産性が向上する。 （実施の形態２）次に、図４を用いて他の実施の形態に
かかる半導体チップの取出方法について説明する。
【００２９】まず、保護膜２により回路面６である片面
が覆われて保護された図４（ａ）に示すような半導体ウ
エハ１に、第１のフィルム３を貼り付ける（図４（ｂ）
参照）。この場合に、第１のフィルム３の半導体ウエハ
１に対する接着強度は、半導体ウエハ１と保護膜２との
接着力より小さくされている。
が覆われて保護された図４（ａ）に示すような半導体ウ
エハ１に、第１のフィルム３を貼り付ける（図４（ｂ）
参照）。この場合に、第１のフィルム３の半導体ウエハ
１に対する接着強度は、半導体ウエハ１と保護膜２との
接着力より小さくされている。
【００３０】次に、図４（ｃ）に示すように、第１のフ
ィルム３を残して保護膜２および半導体ウエハ１を所定
の寸法に切断して、半導体チップ５を形成する。４は半
導体ウエハ１の切断部である。そして、図４（ｄ）に示
すように、第２のフィルム１１を保護膜２の上から貼り
付ける。この場合に、第２のフィルム１１の保護膜２に
対する接着強度は、半導体チップ５と保護膜２との接着
力より大きくされている。
ィルム３を残して保護膜２および半導体ウエハ１を所定
の寸法に切断して、半導体チップ５を形成する。４は半
導体ウエハ１の切断部である。そして、図４（ｄ）に示
すように、第２のフィルム１１を保護膜２の上から貼り
付ける。この場合に、第２のフィルム１１の保護膜２に
対する接着強度は、半導体チップ５と保護膜２との接着
力より大きくされている。
【００３１】この後、図４（ｅ）に示すように、第１の
フィルム３を全ての半導体チップ５から剥がして除去す
る。このとき、半導体チップ５は保護膜２を介して第２
のフィルム１１により保持されており、バラバラになる
ことが防止されている。この後、半導体チップ５の実装
の必要に応じて、１つずつ保護膜２より引き剥がして取
出し、使用する。
フィルム３を全ての半導体チップ５から剥がして除去す
る。このとき、半導体チップ５は保護膜２を介して第２
のフィルム１１により保持されており、バラバラになる
ことが防止されている。この後、半導体チップ５の実装
の必要に応じて、１つずつ保護膜２より引き剥がして取
出し、使用する。
【００３２】この方法によっても、半導体チップ５の回
路面６に触わることなく、半導体チップ５を取出すこと
ができるため、半導体チップ５の回路面６を傷つけたり
することを防止できて、不良品を発生することを防止で
きる。また、第２のフィルム１１によりつながった保護
膜２から半導体チップ５を１つずつ剥がして取出すた
め、従来のように保護膜２を半導体チップ５から一つず
つ除去する作業は不要となり、保護膜２と半導体チップ
５との剥がし作業を能率良く行うことができ、生産性が
向上する。
路面６に触わることなく、半導体チップ５を取出すこと
ができるため、半導体チップ５の回路面６を傷つけたり
することを防止できて、不良品を発生することを防止で
きる。また、第２のフィルム１１によりつながった保護
膜２から半導体チップ５を１つずつ剥がして取出すた
め、従来のように保護膜２を半導体チップ５から一つず
つ除去する作業は不要となり、保護膜２と半導体チップ
５との剥がし作業を能率良く行うことができ、生産性が
向上する。
【００３３】この実施の形態において、第２のフィルム
１１として、加熱または冷却により収縮する特性を有し
たものを用いてもよい。この場合は、図５（ａ），
（ｂ）に示すように、第１のフィルム３を除去した後
に、加熱または冷却して第２のフィルム１１を収縮させ
て保護膜２も共に収縮させることで、収縮の過程におい
て、半導体チップ５と保護膜２の接着剤層部において、
せん断力が働き、接着力が低下する。この結果、半導体
チップ５を保護膜２から剥がし易くすることができて、
半導体チップ５の取出しが一層容易になり、生産性がさ
らに向上する。なお、保護膜２も加熱または冷却により
収縮性の特性を有したものを用いてもよい。
１１として、加熱または冷却により収縮する特性を有し
たものを用いてもよい。この場合は、図５（ａ），
（ｂ）に示すように、第１のフィルム３を除去した後
に、加熱または冷却して第２のフィルム１１を収縮させ
て保護膜２も共に収縮させることで、収縮の過程におい
て、半導体チップ５と保護膜２の接着剤層部において、
せん断力が働き、接着力が低下する。この結果、半導体
チップ５を保護膜２から剥がし易くすることができて、
半導体チップ５の取出しが一層容易になり、生産性がさ
らに向上する。なお、保護膜２も加熱または冷却により
収縮性の特性を有したものを用いてもよい。
【００３４】また、これに代えて、第２のフィルム１１
として、加熱または冷却により膨張する特性を有したも
のを用いてもよく、第１のフィルム３を除去した後に、
加熱または冷却して第２のフィルム１１を膨張させて保
護膜２も共に膨張させる（図６参照）ことでも、収縮さ
せた場合と同等の変化を生じさせて剥がし易くすること
ができる。
として、加熱または冷却により膨張する特性を有したも
のを用いてもよく、第１のフィルム３を除去した後に、
加熱または冷却して第２のフィルム１１を膨張させて保
護膜２も共に膨張させる（図６参照）ことでも、収縮さ
せた場合と同等の変化を生じさせて剥がし易くすること
ができる。
【００３５】また、第２のフィルム１１を機械的に引き
伸ばしてもよい。つまり、第２のフィルム１１を矢印方
向に引き伸ばすことにより、接着されている保護膜２も
同時に引き伸ばされるが、半導体チップ５はその材質が
第２のフィルム１１や保護膜２にくらべて硬いために引
き伸ばされることはない。したがって、保護膜２と半導
体チップ５との間にせん断力が働き、保護膜２は第２の
フィルム１１と共に伸びることになり保護膜２と半導体
チップ５との接着力は弱くなる。また、第２のフィルム
１１が引き伸ばされることにより、半導体チップ５間が
必然的に広がるため、半導体チップ５の取り出しがさら
に容易となる。 （実施の形態３）次に、図７（ａ），（ｂ）、図８を用
いて、さらに他の実施の形態にかかる半導体チップの取
出方法について説明する。
伸ばしてもよい。つまり、第２のフィルム１１を矢印方
向に引き伸ばすことにより、接着されている保護膜２も
同時に引き伸ばされるが、半導体チップ５はその材質が
第２のフィルム１１や保護膜２にくらべて硬いために引
き伸ばされることはない。したがって、保護膜２と半導
体チップ５との間にせん断力が働き、保護膜２は第２の
フィルム１１と共に伸びることになり保護膜２と半導体
チップ５との接着力は弱くなる。また、第２のフィルム
１１が引き伸ばされることにより、半導体チップ５間が
必然的に広がるため、半導体チップ５の取り出しがさら
に容易となる。 （実施の形態３）次に、図７（ａ），（ｂ）、図８を用
いて、さらに他の実施の形態にかかる半導体チップの取
出方法について説明する。
【００３６】この実施の形態においても、上記第２の実
施の形態と同様にして半導体チップ５を取出す方法が採
用されるが、この実施の形態においては、図７（ａ），
（ｂ）に示すように、半導体チップ５がバラバラになる
のを防止するために用いる第１のフィルム３のほぼ全面
に、微小な多数の孔３ａが形成されており、これによっ
て、半導体チップ５に対する第１のフィルム３の接着力
が保護膜２より小さくなるように構成されている。つま
り、半導体チップ５がバラバラになるのを防止するため
に用いる第１のフィルム３は、半導体チップ５の取り出
し前に引き剥がすため、接着力２保護膜２より小さくな
らないが、この実施の形態によると、孔３ａの大きさや
数をかえることにより第１のフィルム３として適した任
意の接着力を設定できる。
施の形態と同様にして半導体チップ５を取出す方法が採
用されるが、この実施の形態においては、図７（ａ），
（ｂ）に示すように、半導体チップ５がバラバラになる
のを防止するために用いる第１のフィルム３のほぼ全面
に、微小な多数の孔３ａが形成されており、これによっ
て、半導体チップ５に対する第１のフィルム３の接着力
が保護膜２より小さくなるように構成されている。つま
り、半導体チップ５がバラバラになるのを防止するため
に用いる第１のフィルム３は、半導体チップ５の取り出
し前に引き剥がすため、接着力２保護膜２より小さくな
らないが、この実施の形態によると、孔３ａの大きさや
数をかえることにより第１のフィルム３として適した任
意の接着力を設定できる。
【００３７】また、孔３ａの代わりに凹部を形成した
り、図８に示すように、第１のフィルム３のほぼ全面
に、微小な多数の凸部３ｂを形成し、これによって、半
導体チップ５に対する第１のフィルム３の接着力が保護
膜２より小さくなるように構成しても、単位面積当たり
の数の設定により接着力の調整が可能である。
り、図８に示すように、第１のフィルム３のほぼ全面
に、微小な多数の凸部３ｂを形成し、これによって、半
導体チップ５に対する第１のフィルム３の接着力が保護
膜２より小さくなるように構成しても、単位面積当たり
の数の設定により接着力の調整が可能である。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、保護膜が
形成された半導体ウエハを、保護膜形成面の反対側から
保護膜が残るように切断して、保護膜でつながった個々
の半導体チップを形成し、保護膜から個々の半導体チッ
プを剥がすように取出して使用したり、保護膜が形成さ
れた半導体ウエハに対して、保護膜形成面とは反対の面
に第１のフィルムを貼り付け、第１のフィルムが残るよ
うに保護膜側から半導体ウエハを切断し、切断後の半導
体チップの保護膜の上から、その接着強度が保護膜の半
導体チップへの接着強度よりも大きい第２のフィルムを
貼り付けた後に、第１のフィルムを除去し、第２のフィ
ルムに貼り付けられた保護膜より半導体チップを剥がし
て使用することにより、半導体チップの回路面に触わる
ことなく、半導体チップを取出すことができるため、半
導体チップの回路面６を傷つけたりすることを防止でき
て、不良品を発生することを防止でき、また、つながっ
た保護膜や第２のフィルムによりつながった保護膜から
半導体チップを１つずつ剥がして取出すため、従来のよ
うに保護膜を半導体チップから一つずつ除去する作業は
不要となり、保護膜と半導体チップとの剥がし作業を能
率良く行うことができ、生産性が向上する。
形成された半導体ウエハを、保護膜形成面の反対側から
保護膜が残るように切断して、保護膜でつながった個々
の半導体チップを形成し、保護膜から個々の半導体チッ
プを剥がすように取出して使用したり、保護膜が形成さ
れた半導体ウエハに対して、保護膜形成面とは反対の面
に第１のフィルムを貼り付け、第１のフィルムが残るよ
うに保護膜側から半導体ウエハを切断し、切断後の半導
体チップの保護膜の上から、その接着強度が保護膜の半
導体チップへの接着強度よりも大きい第２のフィルムを
貼り付けた後に、第１のフィルムを除去し、第２のフィ
ルムに貼り付けられた保護膜より半導体チップを剥がし
て使用することにより、半導体チップの回路面に触わる
ことなく、半導体チップを取出すことができるため、半
導体チップの回路面６を傷つけたりすることを防止でき
て、不良品を発生することを防止でき、また、つながっ
た保護膜や第２のフィルムによりつながった保護膜から
半導体チップを１つずつ剥がして取出すため、従来のよ
うに保護膜を半導体チップから一つずつ除去する作業は
不要となり、保護膜と半導体チップとの剥がし作業を能
率良く行うことができ、生産性が向上する。
【図１】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明の第１の実施
の形態にかかる半導体チップの取出方法における各工程
の断面図
の形態にかかる半導体チップの取出方法における各工程
の断面図
【図２】同実施の形態において保護膜を収縮させる場合
を概略的に示す断面図
を概略的に示す断面図
【図３】同実施の形態において保護膜を伸張させる場合
を概略的に示す断面図
を概略的に示す断面図
【図４】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ本発明の第２の実施
の形態にかかる半導体チップの取出方法における各工程
の断面図
の形態にかかる半導体チップの取出方法における各工程
の断面図
【図５】（ａ），（ｂ）はそれぞれ同実施の形態におい
て第２のフィルムを収縮させる場合を概略的に示す各工
程の断面図
て第２のフィルムを収縮させる場合を概略的に示す各工
程の断面図
【図６】同実施の形態において第２のフィルムを伸張さ
せる場合を概略的に示す断面図
せる場合を概略的に示す断面図
【図７】（ａ），（ｂ）はそれぞれ他の実施の形態にか
かる第１のフィルムの平面図と概略的な断面図
かる第１のフィルムの平面図と概略的な断面図
【図８】さらに他の実施の形態にかかる第１のフィルム
の断面図
の断面図
【図９】（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の半導体チップ
の取出方法における各工程の断面図
の取出方法における各工程の断面図
１ 半導体ウエハ ２ 保護膜 ３ 第１のフィルム ３ａ 孔 ３ｂ 凸部 ５ 半導体チップ ６ 回路面 １１ 第２のフィルム
Claims (7)
- 【請求項１】 回路面である片面に保護膜が形成された
半導体ウエハを切断して半導体チップを形成し、保護膜
を除去した半導体チップを取出して使用する半導体チッ
プの取出方法であって、前記保護膜が形成された半導体
ウエハを、保護膜形成面の反対側から保護膜が残るよう
に切断して、保護膜でつながった個々の半導体チップを
形成し、つながった保護膜から個々の半導体チップを剥
がすように取出して使用する半導体チップの取出方法。 - 【請求項２】 保護膜を、加熱することにより収縮する
材質で構成し、半導体チップを保護膜から剥がす前に、
保護膜を加熱して収縮させることで接着面積を小さくし
て接着力を弱め、これにより半導体チップを保護膜から
剥がし易くする請求項１に記載の半導体チップの取出方
法。 - 【請求項３】 半導体チップを保護膜から剥がす前に、
保護膜を伸張させることにより、半導体チップを保護膜
から剥がし易くする請求項１に記載の半導体チップの取
出方法。 - 【請求項４】 回路面である片面に保護膜が形成された
半導体ウエハを切断して半導体チップを形成し、保護膜
を除去した半導体チップを取出して使用する半導体チッ
プの取出方法であって、前記保護膜が形成された半導体
ウエハに対して、保護膜形成面とは反対の面に第１のフ
ィルムを貼り付け、第１のフィルムが残るように保護膜
側から半導体ウエハを切断し、切断後の半導体チップの
保護膜の上から、その接着強度が保護膜の半導体チップ
への接着強度よりも大きい第２のフィルムを貼り付けた
後に、第１のフィルムを除去し、第２のフィルムに貼り
付けられた保護膜から半導体チップを剥がして使用する
半導体チップの取出方法。 - 【請求項５】 第２のフィルムを、加熱または冷却する
ことにより収縮する材質で構成し、第１のフィルムを除
去した後に、第２のフィルムを加熱または冷却して収縮
させることで保護膜も共に収縮させ、半導体チップを保
護膜から剥がし易くする請求項４に記載の半導体チップ
の取出方法。 - 【請求項６】 第１のフィルムを除去した後に、第２の
フィルムを伸張させ、同時に保護膜も伸張させることに
より、半導体チップを保護膜から剥がし易くする請求項
４に記載の半導体チップの取出方法。 - 【請求項７】 第１のフィルムに孔または凹部または凸
部が形成されている請求項４〜６の何れかに記載の半導
体チップの取出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33181498A JP2000164682A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 半導体チップの取出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33181498A JP2000164682A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 半導体チップの取出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164682A true JP2000164682A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18247955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33181498A Pending JP2000164682A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 半導体チップの取出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000164682A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068832A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Sony Corp | ダイシングテープおよびその使用方法 |
| JP2014232773A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | リンテック株式会社 | 静電保持装置および静電保持装置からの保持対象物の離脱方法 |
| CN113035720A (zh) * | 2021-03-01 | 2021-06-25 | 紫光宏茂微电子(上海)有限公司 | 芯片上片方法 |
| WO2021192341A1 (ja) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
-
1998
- 1998-11-24 JP JP33181498A patent/JP2000164682A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068832A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Sony Corp | ダイシングテープおよびその使用方法 |
| JP2014232773A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | リンテック株式会社 | 静電保持装置および静電保持装置からの保持対象物の離脱方法 |
| WO2021192341A1 (ja) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
| CN113035720A (zh) * | 2021-03-01 | 2021-06-25 | 紫光宏茂微电子(上海)有限公司 | 芯片上片方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050328 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050405 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050606 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051220 |