JP2000155087A - パ―ティクルモニタ装置、パ―ティクルモニタ方法、及び、記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構成で粒子の相対的な大きさを求め
る。 【解決手段】 領域探索部１０１は、粒子によって散乱
されたレーザ光を受光した散乱光検出器１３０から、複
数の画素の輝度値を画像データとして受け取る。領域探
索部１０１は、画像データで示される各画素の輝度値
を、入力部１０７から入力されたしきい値と比較し、し
きい値以上の輝度値を持つひとまとまりの画素領域を、
１つの粒子によって散乱されたレーザ光が入射した領域
として検出する。領域内最大輝度値検出部１０２は、領
域探索部１０１が検出した画素領域内の最大輝度値を検
出する。パーティクル発生数／大きさ通知部１０６は、
領域内最大輝度値検出部１０２が検出した最大輝度値
を、入力部１０７によって設定された基準値と比較し、
粒子の相対的な大きさを求める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造時に発
生する粉塵等のパーティクルを、レーザ光を用いてモニ
タするパーティクルモニタ装置、パーティクルモニタ方
法、及び、記録媒体に関し、特に、レーザ光の散乱を利
用してリアルタイムでパーティクルをモニタするパーテ
ィクルモニタ装置、パーティクルモニタ方法、及び、記
録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の製造時には、その製造室内に粉
塵等の粒子（パーティクル）が発生する。このような粒
子が半導体に付着すると、半導体の性能等を低下させる
原因となる。従って、半導体製造室内の粒子の発生原因
や発生メカニズム等を求め、又は、粒子の発生を抑える
ように半導体製造装置を制御するために、粒子を計測す
る多くの装置が開発されてきた。

【０００３】従来のパーティクルモニタシステムの一例
が、１９９１年に発行された「ジャーナル・オブ・バキ
ューム・サイエンス・アンド・テクノロジー(Journal o
f Vacuum Science and Technology)」誌の第Ｂ９巻、第
３４８７頁乃至第３４９２頁、及び、１９９６年に発行
された同誌の第Ａ１４巻、第６４９頁乃至第６５４頁に
掲載されたセルビン(Gary S. Selwyn)による論文に記載
されている。図９に示すように、プロセス装置の反応チ
ャンバ１５の壁面には、レーザ光源１１から出射される
レーザ光を導入するための導入窓１６と、反応チャンバ
１５内に導入されパーティクル１９に当って散乱したレ
ーザ光を反応チャンバ１５の外部から計測するための検
出窓１７とが設けられている。

【０００４】このパーティクルモニタシステムはつぎの
ように動作する。レーザ光源１１から出射されたレーザ
光は、振動ミラー１３で反射された後、導入窓１６を介
して反応チャンバ１５内に導入される。反応チャンバ１
５内に導入されたレーザ光は粒子１９に当ると散乱さ
れ、この散乱光は検出窓１７を通してＣＣＤカメラ等の
散乱光検出器１２で検出される。検出された散乱光は動
画像として記録され、その動画像より散乱光の発生時
刻、強度変化が示され、結果として粒子１９の発生状況
を知ることができる。なお、反応チャンバ１５の、導入
窓１６を通して導入されたレーザ光が到達する領域に
は、レーザ光を吸収するためのビームダンパ１８が取り
付けられている。

【０００５】以上の他にも、半導体を製造する製造室内
に発生する粒子に関する情報を検出する技術は、特開平
４−５４４４０号公報、特開平５−２７３１１０号公
報、特開平６−８２３５８号公報、及び、特開平９−２
４３５４９号公報に開示されている。

【０００６】特開平４−５４４４０号公報に開示されて
いる技術は、二つのレーザ光を回転ミラーで扇形に走査
し、粒子によって散乱されたレーザ光を検出器で検出
し、粒子の有無とその移動速度を測定している。

【０００７】特開平５−２７３１１０号公報に開示され
ている技術は、レーザ光の波長に比べて十分小さい粒子
の大きさ（直径）を求めるための技術である。この技術
では、散乱光の画像データにおいて、各画素の散乱強度
を基に最大散乱強度を求め、公報に記されているように
積分散乱強度は最大散乱強度に比例し、また粒子の直径
の６乗にも比例するという関係を使用して、粒子の大き
さを求めている。

【０００８】特開平６−８２３５８号公報に開示されて
いる技術は、赤、緑、及び、青の光を含むレーザ光を使
用し、波長の違いと粒子の大きさの違いによって、レー
ザ光の散乱が異なることを利用している。この技術で
は、散乱されたレーザ光の色をテレビモニタで見て、粒
子の大きさを測定している。

【０００９】特開平９−２４３５４９号公報に開示され
ている技術は、レーザ光を回転ミラーによって扇形に照
射し、粒子によって散乱されたレーザ光を検出するもの
である。この技術では、複数のレーザ光源と複数の散乱
光検出器を用いて、粒子の３次元分布に関する情報を得
ている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】半導体の製造装置内で
発生する粒子を効率的に制御するためには、粒子の大き
さや数等の情報をリアルタイムで得る必要がある。

【００１１】しかし、上記した論文のパーティクルモニ
タシステムでは、検出された散乱光の動画像を使用して
いるので、画像中の粒子像が非常に複雑な場合は、粒子
の大きさ等に関する情報をリアルタイムで得るのは困難
であるという問題がある。

【００１２】特開平４−５４４４０号公報に開示されて
いる技術では、粒子の有無とその移動速度を求めること
はできるが、粒子の発生原因等を探る手がかりとなる、
個々の粒子の大きさ等に関する情報を得ることはできな
いという問題がある。

【００１３】特開平５−２７３１１０号公報に開示され
ている技術では、測定した最大散乱強度から粒子の大き
さを求めるために、最大散乱強度の６乗根を計算しなけ
ればならない。従って、計算のプログラムが複雑にな
り、計算に多くの時間を要し、リアルタイムで粒子に関
する情報を得るには時間がかかるという問題がある。

【００１４】特開平６−８２３５８号公報に開示されて
いる技術では、テレビモニタに示される色の違いによっ
て粒子の大きさに関する情報を得ている。従って、得ら
れた粒子像が複雑な場合は、粒子の大きさを正しく把握
することが困難になるという問題がある。また、測定装
置によって粒子の大きさを解析する場合には、色を分析
するために装置が複雑になり、多くの分析時間を要する
ため、粒子に関する情報をリアルタイムで得られないと
いう問題がある。

【００１５】特開平９−２４３５４９号公報に開示され
ている技術では、複数のレーザ光源と複数の散乱光検出
器を用いているので、装置が大規模になるという問題が
ある。

【００１６】従って、本発明は、簡単な構成で、粒子の
様々な情報をリアルタイムで得ることのできるパーティ
クルモニタ装置、パーティクルモニタ方法、及び、記録
媒体を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、本発明の第１の観点にかかるパーティクルモニタ
装置は、パーティクルモニタ対象領域にレーザ光を照射
するレーザ照射手段と、マトリックス状に配置された複
数の受光素子を備え、複数の前記パーティクルによって
散乱された前記レーザ光の散乱光を受光し、複数の画素
の輝度値を画像データとして出力する受光手段と、前記
受光手段によって出力された画像データを使用して、各
パーティクルによって散乱された散乱光が入射した領域
に対応する画素領域を検出する領域検出手段と、前記領
域検出手段によって検出された画素領域内の最大輝度値
を検出する最大輝度値検出手段と、前記最大輝度値検出
手段によって検出された最大輝度値を、予め設定された
基準値と比較して、パーティクルの相対的な大きさを測
定する大きさ測定手段と、を備えることを特徴とする。
この発明によれば、最大輝度値を比較するだけで、粒子
の相対的な大きさを求めることができる。従って、粒子
の相対的な大きさを求めるまでの時間が短く、リアルタ
イムで粒子の大きさに関する情報を得ることができる。

【００１８】本発明の第２の観点にかかるパーティクル
モニタ装置は、パーティクルモニタ対象領域にレーザ光
を照射するレーザ照射手段と、マトリックス状に配置さ
れた複数の受光素子を備え、複数の前記パーティクルに
よって散乱された前記レーザ光の散乱光を受光し、複数
の画素の輝度値を画像データとして出力する受光手段
と、前記受光手段によって出力された画像データを使用
して、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射
した領域に対応する画素領域を検出する領域検出手段
と、前記領域検出手段によって検出された画素領域内の
画素数を計数する画素数計数手段と、前記画素数計数手
段によって計数された画素数を、予め設定された基準値
と比較して、パーティクルの相対的な大きさを測定する
大きさ測定手段と、を備えることを特徴とする。この発
明によれば、画素数を比較するだけで、粒子の相対的な
大きさを求めることができる。従って、粒子の相対的な
大きさを求めるまでの時間が短く、リアルタイムで粒子
の大きさに関する情報を得ることができる。

【００１９】本発明の第３の観点にかかるパーティクル
モニタ装置は、パーティクルモニタ対象領域にレーザ光
を照射するレーザ照射手段と、マトリックス状に配置さ
れた複数の受光素子を備え、複数の前記パーティクルに
よって散乱された前記レーザ光の散乱光を受光し、複数
の画素の輝度値を画像データとして出力する受光手段
と、前記受光手段によって出力された画像データを使用
して、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射
した領域に対応する画素領域を検出する領域検出手段
と、前記領域検出手段によって検出された画素領域内の
輝度値の総和を求める総和手段と、前記総和手段によっ
て求められた輝度値の総和を、予め設定された基準値と
比較して、パーティクルの相対的な大きさを測定する大
きさ測定手段と、を備えることを特徴とする。この発明
によれば、輝度値の総和を比較するだけで、粒子の相対
的な大きさを求めることができる。従って、粒子の相対
的な大きさを求めるまでの時間が短く、リアルタイムで
粒子の大きさに関する情報を得ることができる。

【００２０】本発明の第４の観点にかかるパーティクル
モニタ装置は、パーティクルモニタ対象領域にレーザ光
を照射するレーザ照射手段と、マトリックス状に配置さ
れた複数の受光素子を備え、複数の前記パーティクルに
よって散乱された前記レーザ光の散乱光を受光し、複数
の画素の輝度値を画像データとして出力する受光手段
と、前記受光手段によって出力された画像データを使用
して、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射
した領域に対応する画素領域を検出する領域検出手段
と、前記領域検出手段によって検出された画素領域内の
輝度値から前記散乱光の強度を測定する強度測定手段
と、前記強度測定手段によって求められた前記散乱光の
強度と、散乱光の強度とパーティクルの絶対的な大きさ
との関係を示す関係式とを用いて、前記パーティクルの
絶対的な大きさを求める実測手段と、を備えることを特
徴とする。この発明によれば、散乱光の強度からパーテ
ィクルの絶対的な大きさを求めることができる。このた
め、測定したパーティクルが、例えば半導体の製造によ
って発生したものであれば、このパーティクルが製造中
の半導体にどのような影響を与えるのかを予測すること
ができる。

【００２１】前記領域検出手段は、各画素の輝度値を比
較する基準となるしきい値を設定する設定手段と、前記
輝度値が、前記設定手段によって設定されたしきい値以
上であるか否かを判断し、該輝度値がしきい値以上であ
ると判断した画素の内、互いに隣接する画素を１つのパ
ーティクルによって散乱された散乱光が入射した領域に
対応する画素領域として検出する検出手段と、を備えて
もよい。

【００２２】前記最大輝度値検出手段によって検出され
た前記最大輝度値から前記散乱光の強度を測定する強度
測定手段と、前記強度測定手段によって求められた前記
散乱光の強度と、散乱光の強度とパーティクルの絶対的
な大きさとの関係を示す関係式とを用いて、前記パーテ
ィクルの絶対的な大きさを求める実測手段と、をさらに
備えてもよい。

【００２３】前記パーティクルは、半導体の製造によっ
て発生したものであり、前記パーティクルが製造される
半導体に不良を発生させるか否かを判別するために、前
記実測手段によって求められた前記パーティクルの絶対
的な大きさが、予め設定された基準の大きさより大きい
か否かを判別する判別手段と、前記判別手段が、前記パ
ーティクルの絶対的な大きさは前記基準の大きさよりも
大きいと判別した場合に、半導体の製造を中止させる中
止手段と、をさらに備えてもよい。

【００２４】前記総和手段は、前記領域検出手段によっ
て検出された画素領域内の最大輝度値を検出する最大輝
度値検出手段と、前記領域検出手段によって検出された
画素領域内の画素数を計数する画素数計数手段と、をさ
らに備え、前記大きさ測定手段は、前記最大輝度値検出
手段によって検出された最大輝度値を、予め設定された
基準値と比較して、パーティクルの相対的な大きさを測
定する第１の測定手段、及び、前記画素数計数手段によ
って計数された画素数を、予め設定された基準値と比較
して、パーティクルの相対的な大きさを測定する第２の
測定手段の少なくとも１つ、をさらに備え、前記大きさ
測定手段は、前記輝度値の総和から求められた大きさ
と、前記第１及び第２の測定手段によって得られたパー
ティクルの相対的な大きさの少なくとも１つとを使用し
て、パーティクルの相対的な大きさを求める手段をさら
に備えてもよい。

【００２５】本発明の第５の観点にかかるパーティクル
モニタ方法は、パーティクルモニタ対象領域にレーザ光
を照射するレーザ照射工程と、マトリックス状に配置さ
れた複数の受光素子を使用して、複数の前記パーティク
ルによって散乱された前記レーザ光の散乱光を受光し、
複数の画素の輝度値を画像データとして出力する受光工
程と、前記受光工程で出力された画像データを使用し
て、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射し
た領域に対応する画素領域を検出する領域検出工程と、
前記領域検出工程で検出された画素領域内の最大輝度値
を検出する最大輝度値検出工程と、前記最大輝度値検出
工程で検出された最大輝度値を、予め設定された基準値
と比較して、パーティクルの相対的な大きさを測定する
大きさ測定工程と、を備えることを特徴とする。本発明
によっても、最大輝度値を比較するだけで、粒子の相対
的な大きさを求めることができる。従って、粒子の相対
的な大きさを求めるまでの時間が短く、リアルタイムで
粒子の大きさに関する情報を得ることができる。

【００２６】本発明の第６の観点にかかるパーティクル
モニタ方法は、パーティクルモニタ対象領域にレーザ光
を照射するレーザ照射工程と、マトリックス状に配置さ
れた複数の受光素子を使用して、複数の前記パーティク
ルによって散乱された前記レーザ光の散乱光を受光し、
複数の画素の輝度値を画像データとして出力する受光工
程と、前記受光工程で出力された画像データを使用し
て、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射し
た領域に対応する画素領域を検出する領域検出工程と、
前記領域検出工程で検出された画素領域内の画素数を計
数する画素数計数工程と、前記画素数計数工程で計数さ
れた画素数を、予め設定された基準値と比較して、パー
ティクルの相対的な大きさを測定する大きさ測定工程
と、を備えることを特徴とする。本発明によっても、画
素数を比較するだけで、粒子の相対的な大きさを求める
ことができる。従って、粒子の相対的な大きさを求める
までの時間が短く、リアルタイムで粒子の大きさに関す
る情報を得ることができる。

【００２７】本発明の第７の観点にかかるパーティクル
モニタ方法は、パーティクルモニタ対象領域にレーザ光
を照射するレーザ照射工程と、マトリックス状に配置さ
れた複数の受光素子を使用して、複数の前記パーティク
ルによって散乱された前記レーザ光の散乱光を受光し、
複数の画素の輝度値を画像データとして出力する受光工
程と、前記受光工程で出力された画像データを使用し
て、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射し
た領域に対応する画素領域を検出する領域検出工程と、
前記領域検出工程で検出された画素領域内の輝度値の総
和を求める総和工程と、前記総和工程で求められた輝度
値の総和を、予め設定された基準値と比較して、パーテ
ィクルの相対的な大きさを測定する大きさ測定工程と、
を備えることを特徴とする。この発明によっても、輝度
値の総和を比較するだけで、粒子の相対的な大きさを求
めることができる。従って、粒子の相対的な大きさを求
めるまでの時間が短く、リアルタイムで粒子の大きさに
関する情報を得ることができる。

【００２８】本発明の第８の観点にかかるパーティクル
モニタ方法は、パーティクルモニタ対象領域にレーザ光
を照射するレーザ照射工程と、マトリックス状に配置さ
れた複数の受光素子を使用して、複数の前記パーティク
ルによって散乱された前記レーザ光の散乱光を受光し、
複数の画素の輝度値を画像データとして出力する受光工
程と、前記受光工程で出力された画像データを使用し
て、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射し
た領域に対応する画素領域を検出する領域検出工程と、
前記領域検出工程で検出された画素領域内の輝度値から
前記散乱光の強度を測定する強度測定工程と、前記強度
測定工程で求められた前記散乱光の強度と、散乱光の強
度とパーティクルの絶対的な大きさとの関係を示す関係
式とを用いて、前記パーティクルの絶対的な大きさを求
める実測工程と、を備えることを特徴とする。この発明
によっても、散乱光の強度からパーティクルの絶対的な
大きさを求めることができる。このため、測定したパー
ティクルが、例えば半導体の製造によって発生したもの
であれば、このパーティクルが製造中の半導体にどのよ
うな影響を与えるのかを予測することができる。

【００２９】前記領域検出工程は、各画素の輝度値を比
較する基準となるしきい値を設定する設定工程と、前記
輝度値が、前記設定手段によって設定されたしきい値以
上であるか否かを判断し、該輝度値がしきい値以上であ
ると判断した画素の内、互いに隣接する画素を１つのパ
ーティクルによって散乱された散乱光が入射した領域に
対応する画素領域として検出する検出工程と、を備えて
もよい。

【００３０】前記最大輝度値検出工程で検出された前記
最大輝度値から前記散乱光の強度を測定する強度測定工
程と、前記強度測定工程で求められた前記散乱光の強度
と、散乱光の強度とパーティクルの絶対的な大きさとの
関係を示す関係式とを用いて、前記パーティクルの絶対
的な大きさを求める実測工程と、をさらに備えてもよ
い。

【００３１】前記パーティクルは、半導体の製造によっ
て発生したものであり、前記パーティクルが製造される
半導体に不良を発生させるか否かを判別するために、前
記実測工程で求められた前記パーティクルの絶対的な大
きさが、予め設定された基準の大きさより大きいか否か
を判別する判別工程と、前記判別工程で、前記パーティ
クルの絶対的な大きさは前記基準の大きさよりも大きい
と判別した場合に、半導体の製造を中止させる中止工程
と、をさらに備えてもよい。

【００３２】前記総和工程は、前記領域検出工程で検出
された画素領域内の最大輝度値を検出する最大輝度値検
出工程と、前記領域検出工程で検出された画素領域内の
画素数を計数する画素数計数工程と、をさらに備え、前
記大きさ測定工程は、前記最大輝度値検出工程で検出さ
れた最大輝度値を、予め設定された基準値と比較して、
パーティクルの相対的な大きさを測定する第１の測定工
程、及び、前記画素数計数工程で計数された画素数を、
予め設定された基準値と比較して、パーティクルの相対
的な大きさを測定する第２の測定工程の少なくとも１
つ、をさらに備え、前記大きさ測定工程は、前記輝度値
の総和から求められた大きさと、前記第１及び第２の測
定工程で得られたパーティクルの相対的な大きさの少な
くとも１つとを使用して、パーティクルの相対的な大き
さを求める工程をさらに備えてもよい。

【００３３】本発明の第９の観点にかかるコンピュータ
読み取り可能な記録媒体は、コンピュータを、マトリッ
クス状に配置された複数の受光素子で受光された、複数
のパーティクルによって散乱された散乱光の輝度値を示
す画像データから、各画素の輝度値を比較する基準とな
るしきい値を設定する設定手段と、前記輝度値が、前記
設定手段によって設定されたしきい値以上であるか否か
を判断し、該輝度値はしきい値以上であると判断した画
素の内、互いに隣接する画素を１つのパーティクルによ
って散乱された散乱光が入射した領域に対応する画素領
域として検出する領域検出手段と、前記領域検出手段に
よって検出された画素領域内の最大輝度値を検出する最
大輝度値検出手段と、前記最大輝度値検出手段によって
検出された最大輝度値を、予め設定された基準値と比較
して、パーティクルの相対的な大きさを測定する大きさ
測定手段と、を備えるパーティクルモニタ装置として機
能させるためのプログラム及びデータを記録する。

【００３４】本発明の第１０の観点にかかるコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体は、コンピュータを、マトリ
ックス状に配置された複数の受光素子で受光された、複
数のパーティクルによって散乱された散乱光の輝度値を
示す画像データから、各画素の輝度値を比較する基準と
なるしきい値を設定する設定手段と、前記輝度値が、前
記設定手段によって設定されたしきい値以上であるか否
かを判断し、該輝度値はしきい値以上であると判断した
画素の内、互いに隣接する画素を１つのパーティクルに
よって散乱された散乱光が入射した領域に対応する画素
領域として検出する領域検出手段と、前記領域検出手段
によって検出された画素領域内の画素数を計数する画素
計数手段と、前記画素数計数手段によって計数された画
素数を、予め設定された基準値と比較して、パーティク
ルの相対的な大きさを測定する大きさ測定手段と、を備
えるパーティクルモニタ装置として機能させるためのプ
ログラム及びデータを記録する。

【００３５】本発明の第１１の観点にかかるコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体は、コンピュータを、マトリ
ックス状に配置された複数の受光素子で受光された、複
数のパーティクルによって散乱された散乱光の輝度値を
示す画像データから、各画素で受光した散乱光の輝度値
を比較する基準となるしきい値を設定する設定手段と、
前記輝度値が、前記設定手段によって設定されたしきい
値以上であるか否かを判断し、該輝度値はしきい値以上
であると判断した画素の内、互いに隣接する画素を１つ
のパーティクルによって散乱された散乱光が入射した領
域に対応する画素領域として検出する領域検出手段と、
前記領域検出手段によって検出された画素領域内の輝度
値の総和を求める総和手段と、前記総和手段によって求
められた輝度値の総和を、予め設定された基準値と比較
して、パーティクルの相対的な大きさを測定する大きさ
測定手段と、を備えるパーティクルモニタ装置として機
能させるためのプログラム及びデータを記録する。

【００３６】本発明の第１２の観点にかかるコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体は、コンピュータを、半導体
の製造で発生したパーティクルのモニタ対象領域にレー
ザ光を照射するレーザ照射手段と、マトリックス状に配
置された複数の受光素子を備え、複数の前記パーティク
ルによって散乱された前記レーザ光の散乱光を受光し、
複数の画素の輝度値を画像データとして出力する受光手
段と、前記受光手段によって出力された画像データを使
用して、各パーティクルによって散乱された散乱光が入
射した領域に対応する画素領域を検出する領域検出手段
と、前記領域検出手段によって検出された画素領域内の
輝度値から前記散乱光の強度を求める強度測定手段と、
前記強度測定手段によって求められた前記散乱光の強度
と、散乱光の強度とパーティクルの絶対的な大きさとの
関係を示す関係式とを用いて、前記パーティクルの絶対
的な大きさを求める実測手段と、前記パーティクルが、
製造される半導体に不良を発生させるか否かを判別する
ために、前記実測手段によって求められた前記パーティ
クルの絶対的な大きさが、予め設定された基準の大きさ
より大きいか否かを判別する判別手段と、前記判別手段
が、前記パーティクルの絶対的な大きさは、前記基準の
大きさよりも大きいと判別した場合に、半導体の製造を
中止させる中止手段と、を備えるパーティクルモニタ装
置として機能させるためのプログラム及びデータを記録
する。

【００３７】

【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
にかかるパーティクルモニタシステムについて、図面を
参照して説明する。

【００３８】図１は、パーティクルモニタシステムの構
成を示す図である。

【００３９】パーティクルモニタシステムは、コンピュ
ータ１００と、レーザ光源装置１１０と、プロセス装置
１２０、散乱光検出器１３０と、から構成されている。

【００４０】コンピュータ１００は、中央処理装置、プ
ロセッサ、又は、データ処理装置と呼ばれる装置の機能
（データの転送、プログラムの制御、システムの管理
等）を有する。具体的には、コンピュータ１００は、パ
ーティクルモニタシステムを制御し、モニタしたデータ
等を処理する。

【００４１】レーザ光源装置１１０は、コンピュータ１
００からの制御信号に応答して、プロセス装置１２０内
にレーザ光１４０を照射する。このレーザ光１４０が照
射する領域は、レーザ光１４０の断面積に相当する領域
であるが、プロセス装置１２０内で発生した粒子のいく
つかは、必ずこのレーザ光１４０の照射領域に入る。従
って、レーザ光源装置１１０は、必ずしもレーザ光１４
０を走査させる必要はない。また、プロセス装置１２０
内で発生した粒子数は、レーザ光１４０の断面積当たり
の粒子数に、レーザ光１４０の断面積とプロセス装置１
２０の断面積の比（プロセス装置１２０の断面積／レー
ザ光１４０の断面積）をかけることによって求められ
る。なお、求められた粒子数はおおよその値であるの
で、レーザ光１４０の断面積は、必要な精度が得られる
ように調節されなければならない。

【００４２】プロセス装置１２０は、半導体を製造する
ための装置である。半導体製造時には、プロセス装置１
２０内に粉塵等の粒子が発生し、半導体に性能不良等を
引き起こす原因となる。プロセス装置１２０は、レーザ
光１４０を入射させるための窓１２１と、装置内の粒子
（パーティクル）によって散乱されたレーザ光（散乱光
１５０）を出射するための窓１２２と、窓１２１と対向
した面に配置され、散乱されなかったレーザ光１４０を
吸収するための吸収器１２３と、を備えている。

【００４３】散乱光検出器１３０は、マトリックス状に
配置された複数の受光素子を有するＣＣＤ（Charge Cou
pled Device ）カメラ等を備える。そして、散乱光検出
器１３０は、プロセス装置１２０から出射されたレーザ
光１４０の散乱光１５０を検出し、２次元画像データと
してコンピュータ１００に出力する。この２次元画像デ
ータは、画素の位置を示す座標と、各画素の輝度値が対
応付けられたものである。例えば、ＣＣＤカメラで得ら
れた散乱光１５０の画像は、図２に示すように複数の画
素（図中の一つ一つの四角）から構成されている。そし
て、各画素の位置は（ｉ，ｊ）のような座標で示され
る。

【００４４】次に、上記したコンピュータ１００の構成
についてさらに説明する。コンピュータ１００は、図３
に示すように、機能的に、領域探索部１０１と、領域内
最大輝度値検出部１０２と、領域内輝度値総和計算部１
０３、領域内画素数計数部１０４、パーティクル発生数
計数部１０５、パーティクル発生数／大きさ通知部１０
６と、入力部１０７と、表示部１０８と、を備える。

【００４５】領域探索部１０１は、メモリ等を備え、予
め入力部１０７から入力されたしきい値を記憶する。ま
た、領域探索部１０１は、散乱光検出器１３０から入力
された２次元画像データと記憶しているしきい値とを使
用して、後述する方法で２次元画像データを処理し、し
きい値以上の輝度値を持つひとまとまりの画素領域（高
輝度画素領域）を検出する。そして、領域探索部１０１
は、検出した高輝度画素領域の位置と光の輝度値とを取
り出し、高輝度画素情報として領域内最大輝度値検出部
１０２、領域内輝度値総和計算部１０３、領域内画素数
計数部１０４、及び、パーティクル発生数計数部１０５
に出力する。また、高輝度画素領域を検出できなかった
場合、領域探索部１０１は、高輝度画素領域が存在しな
いことを示すゼロ情報を、パーティクル発生数／大きさ
通知部１０６に出力する。

【００４６】領域内最大輝度値検出部１０２は、領域探
索部１０１から入力された高輝度画素情報を使用して、
高輝度画素領域に含まれる最大の輝度値を検出し、最大
輝度値情報として、パーティクル発生数／大きさ通知部
１０６に出力する。

【００４７】領域内輝度値総和計算部１０３は、領域探
索部１０１から入力された高輝度画素情報を使用して、
高輝度画素領域に含まれる輝度値の総和を求め、輝度値
総和情報として、パーティクル発生数／大きさ通知部１
０６に出力する。

【００４８】領域内画素数計数部１０４は、領域探索部
１０１から入力された高輝度画素情報を使用して、高輝
度画素領域に含まれる画素数を計数し、粒子画素数情報
として、パーティクル発生数／大きさ通知部１０６に出
力する。

【００４９】パーティクル発生数計数部１０５は、カウ
ンタを備え、領域探索部１０１から高輝度画素情報が入
力される度に、カウンタのカウント値を１増加し、その
カウント値を粒子数情報として、パーティクル発生数／
大きさ通知部１０６に出力する。

【００５０】なお、上記した粒子によるレーザ光１４０
の散乱は、散乱する粒子の大きさによって異なる。従っ
て、領域内最大輝度値検出部１０２、領域内輝度値総和
計算部１０３、及び、領域内画素数計数部１０４のそれ
ぞれからの最大輝度値情報、輝度値総和情報、及び、粒
子画素数情報は、それぞれ粒子の大きさを示している。
また、パーティクル発生数計数部１０５からの粒子数情
報は、粒子発生数に関する情報を示している。

【００５１】パーティクル発生数／大きさ通知部１０６
は、メモリ等を備え、予め入力部１０６から入力された
基準となる最大輝度値、輝度値の総和、及び、画素数を
基準データとして記憶する。そして、パーティクル発生
数／大きさ通知部１０６は、領域内最大輝度値検出部１
０２、領域内輝度値総和計算部１０３、及び、領域内画
素数計数部１０４から入力された情報を、それぞれ基準
データで示される値と比較して粒子の相対的な大きさを
求める。続いて、パーティクル発生数／大きさ通知部１
０６は、各情報毎に求めた粒子の大きさに、入力部１０
７から予め設定された重みをかけて平均をとり、粒子の
相対的な大きさを求め、大きさ情報として表示部１０８
に出力する。また、パーティクル発生数／大きさ通知部
１０６は、領域探索部１０１から入力されたゼロ情報に
応答して、パーティクル発生数計数部１０５から入力さ
れた粒子数情報を表示部１０８に出力する。

【００５２】入力部１０７は、キーボード等を備え、領
域探索部１０１が、２次元画像データの処理で使用する
しきい値、及び、パーティクル発生数／大きさ通知部１
０６が、粒子の相対的な大きさを求めるときに使用する
基準データ等を入力する。また、キーボードの所定キー
が押下されることにより、レーザ光源装置１１０や上記
した各部を制御する制御信号等が出力される。

【００５３】表示部１０８は、パーティクル発生数／大
きさ通知部１０７から入力された、粒子の大きさや数等
に関する情報を出力する。この粒子の大きさや数等に関
する情報は、例えば、コンピュータ１００の画面に表示
される。

【００５４】次に、以上に示した構成のパーティクルモ
ニタシステムの動作について説明する。初めに、パーテ
ィクルモニタシステムの使用者が、コンピュータ１００
の入力部１０７（キーボード）の所定キーを押下する。
この押下により、コンピュータ１００からレーザ光源装
置１１０にレーザ光１４０の照射を指示する照射信号が
出力され、レーザ光源装置１１０は、プロセス装置１２
０内へレーザ光１４０を照射する。

【００５５】プロセス装置１２０に設けられた窓１２１
から入射されたレーザ光１４０は、その光路上に粒子が
存在すれば散乱される。レーザ光１４０の散乱光１５０
は、プロセス装置１２０に設けられた窓１２２から出射
され、散乱光検出器１３０に入射する。

【００５６】散乱光検出器１３０に入射した散乱光１５
０は、ＣＣＤカメラ等で受光され、２次元画像データと
してコンピュータ１００に出力される。

【００５７】コンピュータ１００は、散乱光検出器１３
０からの２次元画像データの入力に応答して、画素探索
処理を開始する。

【００５８】図４は、コンピュータ１００が行う画素探
索処理を示すフローチャートである。

【００５９】領域探索部１０１は、散乱光検出器１３０
からコンピュータ１００に入力された２次元画像データ
を取得する（ステップＳ１００）。

【００６０】領域探索部１０１は、２次元画像データで
示される各画素の輝度値を、入力部１０７から予め入力
されたしきい値と比較し、しきい値未満の画素の輝度値
をゼロにリセットする（ステップＳ１０１）。

【００６１】次に、領域探索部１０１は、処理した２次
元画像データを使用して画素を１つずつ走査し、しきい
値以上の輝度値を持つ画素を検出する（ステップＳ１０
２）。この画素の走査方法は、例えば図２では、（１，
１）、（１，２）・・・（１，ｎ）、（２，１）、・・
・、（２，ｎ）、・・・という順に走査する。

【００６２】しきい値以上の輝度値を持つ画素を検出し
た場合（ステップＳ１０３；ＹＥＳ）、領域探索部１０
１は、検出した画素に隣接する画素の中で、しきい値以
上の輝度値を持つ画素を検出する（ステップＳ１０
４）。例えば、図２中の斜線部分が、しきい値以上の輝
度値を持つ画素であるとすると、領域探索部１０１は、
（１，１）の画素から順に走査していき、画素（２，
２）を一番初めに検出する。そして、（２，２）に隣接
する（１，２）、（２，１）、（２，３）、（３，２）
にある画素の内で、輝度値がしきい値以上である画素を
検出する。

【００６３】しきい値以上の輝度値を持つ画素を検出し
た場合（ステップＳ１０５；ＹＥＳ）、領域探索部１０
１は、ステップＳ１０４にリターンして、さらに検出し
た画素に隣接する画素の内で、輝度値がしきい値以上で
ある画素を検出する（ステップＳ１０４）。なお、領域
探索部１０１は、一度検出した画素を検索対象から除
く。図２では、ステップＳ１０４で（３，２）の画素を
検出し、ステップＳ１０４にリターンして（３，２）に
隣接する（３，１）、（３，３）、（４，２）の画素の
内で、輝度値がしきい値以上である画素を検出する。

【００６４】しきい値以上の輝度値を持つ画素を検出で
きなかった場合（ステップＳ１０５；ＮＯ）、領域探索
部１０１は、検出したしきい値以上の輝度値を持つ画素
の位置（座標）及び輝度値を示す情報を高輝度画素情報
として、領域内最大輝度値検出部１０２、領域内輝度値
総和計算部１０３、領域内画素数計数部１０４、及び、
パーティクル発生数計数部１０５に出力する。なお、ス
テップＳ１０５でＮＯとなるまでに検出された隣接する
ひとまとまりの画素領域（高輝度画素領域）が、１つの
粒子によって散乱された散乱光１５０が入射した領域を
示す画素領域となる。

【００６５】領域内最大輝度値検出部１０２は、入力さ
れた高輝度画素情報を使用して、高輝度画素領域にある
光の輝度値の内、最大の輝度値を求める（ステップＳ１
０６）。

【００６６】領域内輝度値総和計算部１０３は、入力さ
れた高輝度画素情報を使用して、高輝度画素領域にある
光の輝度値の総和を求める（ステップＳ１０７）。

【００６７】領域内画素数係数部１０４は、入力された
高輝度画素情報を使用して、高輝度画素領域の画素数を
求める（ステップＳ１０８）。

【００６８】パーティクル発生数計数部１０５は、高輝
度画素情報の入力に応答して、カウンタのカウント値を
１増加する（ステップＳ１０９）。高輝度画素情報は、
１つの粒子によって散乱された散乱光１５０に関する情
報であるので、カウント値は検出された粒子数を表すこ
とになる。

【００６９】以上の領域内最大輝度値検出部１０２、領
域内輝度値総和計算部１０３、及び、領域内画素数計数
部１０４が求めた値は、それぞれ最大輝度値情報、輝度
値総和情報、粒子画素数情報として、パーティクル発生
数／大きさ通知部１０６に出力される。また、パーティ
クル発生数計数部１０５がカウントしたカウント値は、
粒子数情報としてパーティクル発生数／大きさ通知部１
０６に出力される。この粒子数情報は、後述するよう
に、ステップＳ１１２で発生した粒子数として、表示部
１０８より出力される。

【００７０】パーティクル発生数／大きさ通知部１０６
は、入力された最大輝度値情報、輝度値総和情報、及
び、粒子画素数情報を基準データと比較し、各情報毎に
粒子の相対的な大きさを求める。そして、パーティクル
発生数／大きさ通知部１０６は、各情報毎に求めた大き
さに予め設定された重みをかけて平均をとり、平均をと
って得た粒子の大きさに関する情報を表示部１０８に出
力して、表示させる（ステップＳ１１０）。

【００７１】領域探索部１０１は、高輝度画素情報を出
力した後、検出した高輝度画素領域の輝度値をゼロにリ
セットして（ステップＳ１１１）、ステップＳ１０２に
リターンする。ステップＳ１１１において、検出した画
素の輝度値をゼロにリセットしたので、次にステップＳ
１０２で画素を走査したとき、最初にしきい値以上の輝
度値を持つ画素として検出されるのは、図２では（５，
６）の画素である。

【００７２】以上の処理は、ステップＳ１０３でしきい
値以上の輝度値を持つ画素が存在しないと判断されるま
で繰り返される。

【００７３】ステップＳ１０３でしきい値以上の輝度値
を持つ画素を検出できなかった場合（ステップＳ１０
３；ＮＯ）、領域探索部１０１は、しきい値以上の輝度
値を持つ画素が存在しないことを示すゼロ情報を、パー
ティクル発生数／大きさ通知部１０６に出力する。そし
て、パーティクル発生数／大きさ通知部１０６は、領域
探索部１０１からのゼロ情報の入力に応答して、記憶し
ているパーティクル発生数係数部１０５からの粒子数情
報を表示部１０８に出力して、コンピュータ１００の画
面等に表示する（ステップＳ１１２）。

【００７４】領域探索部１０１は、パーティクルモニタ
システムの使用者が入力部１０７（キーボード）の所定
キーを押下して、入力部１０７から画素探索処理の終了
を示す終了信号が入力されたか否かを判断する（ステッ
プＳ１１３）。

【００７５】終了信号が出力されなかった場合（ステッ
プＳ１１３；ＮＯ）、ステップＳ１００にリターンし、
領域探索部１０１は、未処理の２次元画像データを取得
する（ステップＳ１００）。

【００７６】終了信号が出力された場合（ステップＳ１
１３；ＹＥＳ）、領域探索部１０１は、２次元画像デー
タを取得せず、画素探索処理を終了する。また、入力部
１０７から出力された終了信号は、レーザ光源装置１１
０にも出力される。そして、レーザ光源装置１１０は、
終了信号の入力に応答して、レーザ光１４０の照射を終
了する。

【００７７】以上のように、上記の処理（ステップＳ１
００から１１３までの処理）は、入力部１０７（キーボ
ード）の所定キーが押下され、終了信号が出力されるま
で繰り返される。

【００７８】また、以上のようにして、粒子の大きさに
関する情報が、リアルタイムでコンピュータ１００の画
面等に表示されるので、どのような大きさの粒子が発生
しているかということを随時知ることができる。従っ
て、半導体製造装置内の粒子の発生が少なくなるよう
に、半導体製造装置を制御することができる。

【００７９】次に、本発明の第２の実施の形態にかかる
パーティクルモニタシステムについて図面を参照して説
明する。第２の実施の形態にかかるパーティクルモニタ
システムの物理的構成は、第１の実施の形態（図１）と
実質的に同一である。但し、第２の実施の形態にかかる
パーティクルモニタシステムの機能的構成は、第１の実
施の形態と異なる。具体的には、図５に示すように、コ
ンピュータ１００は、第１の実施の形態で示した構成
（図３）に加えて、粒径計算部１０９をさらに備えてい
る。

【００８０】また、コンピュータ１００の領域探索部１
０１は、検出した高輝度画素領域の位置と光の輝度値と
を示す高輝度画素情報を、領域内最大輝度値検出部１０
２、領域内輝度値総和計算部１０３、領域内画素数計数
部１０４、及び、パーティクル発生数計数部１０５に出
力すると共に、粒径計算部１０９にも出力する。

【００８１】粒径計算部１０９は、メモリ等を備え、予
め入力されたパラメータやプログラム等を記憶する。具
体的には、粒径計算部１０９は、パーティクルの粒径を
レイリー散乱の公式を用いて求めるためのプログラム及
びパラメータと、求めた粒径を比較するための基準とな
る粒径（基準粒径）と、を記憶する。なお、基準粒径
は、製造される半導体（例えば超ＬＳＩ）の設計寸法に
よって設定される。例えば、基準粒径は、半導体を構成
する配線等の最小寸法と同一の値又は若干小さい値に設
定される。

【００８２】また、粒径計算部１０９は、領域探索部１
０１からの高輝度画素情報で示される輝度値から散乱光
の強度を算出する。なお、輝度値と散乱光の強度との関
係は、強度が明らかな光源を用いた実験等によって求め
られ、粒径計算部１０９に予めセットされている。

【００８３】また、粒径計算部１０９は、算出した散乱
光の強度とレイリー散乱の式とを用いて、パーティクル
の粒径を計算する。そして、粒径計算部１０９は、求め
た粒径が基準粒径より大きいか否かを判別する。即ち、
粒径計算部１０９は、求めた粒径が、製造される半導体
に不良を発生させる大きさであるか否かを判別し、不良
を発生させる大きさであると判別した場合には、プロセ
ス装置１２０に製造中止信号を出力して、半導体の製造
を中止させる。なお、パーティクルモニタシステムの上
記以外の機能的構成及び動作は、第１の実施の形態と実
質的に同一である。

【００８４】次に、上記粒径計算部１０９が粒径を計算
する際の、コンピュータ１００の動作について説明す
る。始めに、第１の実施の形態と同様に、パーティクル
モニタシステムの使用者が、コンピュータ１００の入力
部１０７（キーボード）の所定キーを押下する。この押
下により、コンピュータ１００からレーザ光源装置１１
０にレーザ光１４０の照射を指示する照射信号が出力さ
れ、レーザ光源装置１１０は、プロセス装置１２０内へ
レーザ光１４０を照射する。

【００８５】プロセス装置１２０内に照射されたレーザ
光１４０は、プロセス装置１２０内で発生したパーティ
クルによって散乱され、散乱光１５０としてプロセス装
置１２０の窓１２２から出射する。プロセス装置１２０
から出射した散乱光１５０は、散乱光検出器１３０によ
って受光され、２次元画像データとしてコンピュータ１
００に出力される。

【００８６】図６は、コンピュータ１００が行う粒径計
算処理を示すフローチャートである。始めに、第１の実
施の形態と同様に、領域探索部１０１が、散乱検出器１
３０からコンピュータ１００に入力された２次元画像デ
ータを取得する（ステップＳ２００）。

【００８７】そして、領域探索部１０１は、第１の実施
の形態と同様に、しきい値以上の輝度値を持つ画素の位
置（座標）及び輝度値を検出し、高輝度画素情報として
粒径計算部１０９に出力する。粒径計算部１０９は、領
域探索部１０１から入力された高輝度画素情報から散乱
光の強度を算出する（ステップＳ２０１）。

【００８８】そして、粒径計算部１０９は、算出した散
乱光１５０の強度とレイリー散乱の公式とを使用し、パ
ーティクルの粒径を求める（ステップＳ２０２）。な
お、具体的な計算については、後述する。粒径計算部１
０９は、求めた粒径が予め記憶した基準粒径より大きい
か否かを判別する。即ち、粒径計算部１０９は、プロセ
ス装置１００内で発生したパーティクルが、製造される
半導体に不良を発生させるか否かを判別する（ステップ
Ｓ２０３）。

【００８９】求めた粒径が基準粒径以下、即ち、プロセ
ス装置１２０内で発生したパーティクルは製造される半
導体に不良を発生させないと判別した場合（ステップＳ
２０３；ＮＯ）、粒径計算部１０９は製造中止信号を出
力しないので、プロセス装置１００は半導体の製造を継
続する。このため、散乱光検出器１３０からコンピュー
タ１００に、次の２次元画像データが入力される。即
ち、コンピュータ１００は、ステップＳ２００にリター
ンして上記処理を行う。

【００９０】求めた粒径が基準粒径よりも大きい、即
ち、プロセス装置１２０内で発生したパーティクルは製
造される半導体に不良を発生させると判別した場合（ス
テップＳ２０３；ＹＥＳ）、粒径計算部１０９は、プロ
セス装置１２０に製造中止信号を出力し（ステップＳ２
０４）、半導体の製造を中止させる。以上で、コンピュ
ータ１００が行う粒径計算処理が終了する。

【００９１】次に、粒径計算部１０９が上記ステップＳ
２０２で行う粒径の計算について説明する。上記粒径の
計算で使用されるレイリー散乱の公式は、数式１で与え
られる。

【００９２】

【数１】Ｉ_１＝［（１＋cos^２θ）／２／ｒ^２］・［２
π／λ］^４・｜（ｍ^２−１）／（ｍ^２＋２）｜^２・［ａ
／２］^６・Ｉ_０

【００９３】なお、Ｉ_０は入射レーザ光の強度、Ｉ_１は
散乱光の強度、θは入射レーザ光と検出される散乱光と
がなす角、ｒは散乱光発生地点から散乱光の検出地点ま
での距離、λは入射レーザ光の波長、ｍは屈折率、ａは
パーティクルの粒径である。

【００９４】粒径計算部１０９に予め与えられているパ
ラメータは、Ｉ_０、θ、ｒ、λ、及び、ｍである。そし
て、Ｉ_１は、上記したように粒径計算部１０９によって
求められる。但し、散乱光検出器１３０によって検出さ
れる散乱光の輝度値、即ち、粒径計算部１０９によって
算出される散乱光の強度は、検出システム（散乱光検出
器１３０等）独自の感度によって、実際の散乱光強度と
は異なる。このため、検出システムの感度を補正するた
めの比例定数（Ｓ）が必要である。このＳは、粒径が予
め分かっているパーティクルを測定し、実際の大きさと
測定した大きさとを比較することによって得られ、数式
２で表される。

【００９５】

【数２】Ｓ＝ｑ・５／Ｉ

【００９６】なお、ｑは粒径が既知であるパーティクル
に照射された、強度が既知である標準光源（レーザ）の
散乱光の最大輝度値、Ｉは標準光源の散乱光の強度であ
る。

【００９７】以上の数式及びパラメータから、プロセス
装置１２０内で発生したパーティクルの粒径（ａ）を求
めることができる。この際、上記したように、粒径計算
部１０９は、実験等から求められた関係を用いて散乱光
の強度を算出し、その値を上記比例定数（Ｓ）で補正し
ている。このため、プロセス装置１２０内で発生したパ
ーティクルの相対的な大きさではなく絶対的な大きさ
（粒径）を求めることができる。

【００９８】また、以上のようにして求められた粒径が
基準粒径より大きい場合、半導体の製造が中止されるた
め、不良な半導体を製造してしまうことを防止できる。
即ち、製造される半導体の高い歩留まりを実現すること
ができる。

【００９９】実際に以上のようにして、プロセス装置１
２０内に発生させたチタンのパーティクルにＹＡＧ（yt
trium alminum garnet）レーザの２倍高長波を照射し、
ＣＣＤカメラを備えた散乱光検出器１３０で粒径を測定
した結果を以下に示す。なお、各パラメータは、θ＝９
０°、ｒ＝１ｍ、λ＝５３２ｎｍ、ｍ＝３．４８＋２．
２７ｉ、Ｉ_０＝４２９８Ｗ／ｃｍ^２、Ｓ＝６．２×１０
^１４である。これらのパラメータと上記数式とから、プ
ロセス装置１２０内に発生したチタンのパーティクルの
粒径（ａ）は２１ｎｍであると得られた。

【０１００】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、それぞれ以
上のような粒径の測定を半導体製造装置の稼働中に行
い、得られたパーティクルの粒径をプロットした例であ
る。なお、図７（ａ）及び図７（ｂ）中で白丸が左縦軸
に示すパーティクルの粒径を表しており、実線や点線が
右縦軸に示す半導体製造装置の稼働状態を示すステータ
ス信号を表している。また、図７（ａ）及び図７（ｂ）
中の横軸は、半導体製造プロセスの時間を表している。

【０１０１】図７（ａ）及び図７（ｂ）から、半導体の
製造中にプロセス装置１２０内で発生するパーティクル
の粒径がどのように変化するかが分かる。このような測
定によって得られた粒径の情報は、パーティクルの発生
原因を調べるための手がかりとして利用することができ
る。

【０１０２】また、大きさが既知である様々な種類のパ
ーティクルを用いて上記と同様の測定を行うことによ
り、パーティクルモニタシステム（散乱光検出器１３
０）がどのような大きさのパーティクルまで検出可能で
あるかというパーティクル検出限界を得ることができ
る。

【０１０３】図８は、パーティクルモニタシステムのパ
ーティクル検出限界を示す図である。図８中で、縦軸は
散乱光によって散乱光検出器１３０を構成するＣＣＤ１
画素に発生する電子数を示している。また、横軸はパー
ティクルの大きさを示している。なお、パーティクルの
種類は、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ
（タングステン）、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）、
及び、ＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）である。また、ＣＣＤ
１画素に発生した電子数は、画素の輝度値に比例してい
るので、輝度値又は散乱光強度から求められる。

【０１０４】パーティクルモニタシステムのパーティク
ル検出限界は、実際のパーティクルの大きさと、測定に
よって得られたパーティクルの大きさとが誤差の範囲内
で一致しなくなった所である。具体的には、図８に示す
ように、パーティクルの粒径が小さくなるにつれてＣＣ
Ｄ１画素に発生する電子数が少なくなる。そして、電子
数がある値（図８では１３２）より少なくなると、散乱
光１５０が背景のノイズと区別されなくなったり、正確
な粒径が求められなかったりする。

【０１０５】以上のように、パーティクルモニタシステ
ムのパーティクル検出限界が明らかになると、製造する
半導体の種類によって、最適な検出限界を有するパーテ
ィクルモニタシステムを構成することができる。また、
パーティクルモニタシステムのパーティクル検出限界に
合わせて、半導体製造の条件を変更したりすることがで
きる。

【０１０６】なお、パーティクル発生数／大きさ通知部
１０６が粒子の相対的な大きさを求める時、入力部１０
７から入力された基準データの代わりに、過去の測定で
得られた最大輝度値、輝度値の総和、及び、画素数を基
準値に設定して比較し、粒子の相対的な大きさを求めて
もよい。

【０１０７】さらに、パーティクル発生数／大きさ通知
部１０６が粒子の大きさを求める時、入力部１０７から
の基準データの代わりに、大きさが予めわかっている粒
子を使用して実験等で得られた最大輝度値、輝度値の総
和、及び、画素数を基準値に設定してもよい。この場
合、結果として得られる粒子の大きさは、実際の粒子の
大きさを表している。

【０１０８】また、パーティクル発生数／大きさ通知部
１０６が、入力された最大輝度値情報、輝度値総和情
報、及び、画素数情報をデータとしてメモリ等に蓄積す
れば、ある期間内に発生した粒子の大きさと数を知るこ
とができる。従って、粒子の大きさやその数についての
統計を取ることができ、粒子の発生原因や発生メカニズ
ムを探る手がかりとして利用することもできる。

【０１０９】上記の画素探索処理において、入力部１０
７から出力される終了信号は、入力部１０７がタイマー
機能も備え、予め設定された時間が経過すると自動的に
出力されるようにしてもよい。

【０１１０】また、以上の実施の形態では、コンピュー
タ１００が、領域内最大輝度値検出部１０２、領域内輝
度値総和計算部１０３、及び、領域内画素数計数部１０
４の全ての機能を備える場合を示したが、これらの内の
１つ又は２つだけを備えるような構成にしてもよい。ま
たは、パーティクル発生数／大きさ通知部１０６が、粒
子の相対的な大きさを求める時に使用する重みの設定を
変更して、領域内最大輝度値検出部１０２、領域内輝度
値総和計算部１０３、及び、領域内画素数計数部１０４
の内の１つ又は２つだけが実質的に機能するようにして
もよい。ただし、上記のように領域内最大輝度値検出部
１０２、領域内輝度値総和計算部１０３、及び、領域内
画素数計数部１０４からの情報を互いに考慮して組み合
わせて使用した方が、より正確に粒子の相対的な大きさ
を求めることができる。

【０１１１】また、パーティクル発生数／大きさ通知部
１０６が粒子の相対的な大きさを求める方法は、最大輝
度値、輝度値の総和、及び、画素数のそれぞれから得ら
れた大きさに重みをかけて平均をとる方法に限定されな
い。例えば、初めに最大輝度値から得られた相対的な大
きさと、輝度値の総和から得られた相対的な大きさとの
平均をとり、この平均値と画素数から得られた相対的な
大きさとの平均をとるという方法がある。このほかに
も、目的等に応じて適宜変更可能である。

【０１１２】さらに、レーザ光１４０の散乱光１５０
は、粒子の大きさだけでなくその形状によっても異なる
ので、予め粒子の形状を考慮して高輝度画素情報を処理
することにより、より正確な粒子の大きさを求めること
ができる。

【０１１３】また、レーザ光源装置１１０は、駆動装置
を備えて、必要に応じてレーザ１４０をある領域内で走
査させてもよい。

【０１１４】また、表示部１０８は、スピーカ等を備
え、粒子の数や大きさを画面等に表示すると共に、音声
によって、粒子の数や大きさを使用者に通知するように
してもよい。

【０１１５】また、第２の実施の形態で、コンピュータ
１００の領域内最大輝度値検出部１０２は、検出した最
大の輝度値を示す最大輝度値情報をパーティクル発生数
／大きさ通知部１０６及び粒径計算部１０９に出力し、
粒径計算部１０９は、パーティクル発生数／大きさ通知
部１０６から入力された最大輝度値情報で示される最大
の輝度値から散乱光１５０の強度を求めるようにしても
よい。但し、このような構成にする場合、予め最大輝度
値と散乱光強度との関係を実験や理論式等から求め、粒
径計算部１０９にセットしなければならない。このよう
に、実験や理論式等から得た関係を用いて散乱光強度を
求めることによって、パーティクルの絶対的な（実際
の）大きさを求めることができる。

【０１１６】また、粒径計算部１０９が求めた粒径や、
プロセス装置１２０に製造中止信号を出力した旨のメッ
セージ等を表示部１０８に表示し、パーティクルモニタ
システムの使用者に通知するようにしてもよい。

【０１１７】また、第２の実施の形態で、パーティクル
の粒径が基準粒径よりも大きくなって半導体の製造を中
止した後、炉内を加熱するなどして炉内の反応副生成物
を除去するようにしてもよい。このようにすると、炉内
に一定以上の反応副生成物が存在しないようにすること
ができ、パーティクルの発生を一定以下に抑えることが
できる。結果として、製造される半導体の高い歩留まり
を実現することができる。

【０１１８】なお、コンピュータ１００が備える上記の
機能は、例えば、上述の各処理を行うためのプログラム
及びデータを記録媒体（ＦＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ等）
に記録して配布し、これをインストールしてＯＳ（Oper
ating System）上で実行することにより実現できる。

【０１１９】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
により、粒子に対応する画素領域の画素数、最大輝度
値、及び、輝度値の総和という単純な情報を基準値と比
較するだけで、粒子の相対的な大きさを求めることがで
きる。従って、簡単な構成で粒子の相対的な大きさを求
めることができ、さらに粒子の相対的な大きさを求める
までの時間を短縮することができる。また、散乱光の強
度からパーティクルの絶対的な大きさを求めることがで
きる。このため、測定したパーティクルが、半導体の製
造によって発生したものであれば、パーティクルの大き
さが製造中の半導体に不良を発生させる大きさである場
合は、半導体の製造を中止することができる。即ち、製
造される半導体の高い歩留まりを実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態にかかるパーティクルモニタ
システムの構成を示す図である。

【図２】反射光を検出した画素の状態を示す図である。

【図３】第１の実施の形態にかかるパーティクルモニタ
システムを構成するコンピュータの構成を示す図であ
る。

【図４】パーティクルモニタシステムを構成するコンピ
ュータが行う画素探索処理を示すフローチャートであ
る。

【図５】第２の実施の形態にかかるパーティクルモニタ
システムを構成するコンピュータの構成を示す図であ
る。

【図６】パーティクルモニタシステムを構成するコンピ
ュータが行う粒径計算処理を示すフローチャートであ
る。

【図７】半導体の製造プロセス中に粒径を測定した結果
を示す図である。

【図８】パーティクルモニタシステムのパーティクル検
出限界を測定した結果を示す図である。

【図９】従来のパーティクルモニタシステムの構成を示
す図である。

【符号の説明】

１１ レーザ光源 １２ 散乱光検出器 １３ 振動ミラー １５ 反応チャンバ １６ 導入窓 １７ 検出窓 １８ ビームダンパ １９ 粒子 １００ コンピュータ １０１ 領域探索部 １０２ 領域内最大輝度値検出部 １０３ 領域内輝度値総和計算部 １０４ 領域内画素数計数部 １０５ パーティクル発生数計数部 １０６ パーティクル発生数／大きさ通知部 １０７ 入力部 １０８ 表示部 １０９ 粒径計算部 １１０ レーザ光源装置 １２０ プロセス装置 １２１ 窓 １２２ 窓 １２３ 吸収器 １３０ 散乱光検出器 １４０ レーザ光 １５０ 散乱光

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】パーティクルモニタ対象領域にレーザ光を
   照射するレーザ照射手段と、 マトリックス状に配置された複数の受光素子を備え、複
   数の前記パーティクルによって散乱された前記レーザ光
   の散乱光を受光し、複数の画素の輝度値を画像データと
   して出力する受光手段と、 前記受光手段によって出力された画像データを使用し
   て、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射し
   た領域に対応する画素領域を検出する領域検出手段と、 前記領域検出手段によって検出された画素領域内の最大
   輝度値を検出する最大輝度値検出手段と、 前記最大輝度値検出手段によって検出された最大輝度値
   を、予め設定された基準値と比較して、パーティクルの
   相対的な大きさを測定する大きさ測定手段と、 を備えることを特徴とするパーティクルモニタ装置。
2. 【請求項２】パーティクルモニタ対象領域にレーザ光を
   照射するレーザ照射手段と、 マトリックス状に配置された複数の受光素子を備え、複
   数の前記パーティクルによって散乱された前記レーザ光
   の散乱光を受光し、複数の画素の輝度値を画像データと
   して出力する受光手段と、 前記受光手段によって出力された画像データを使用し
   て、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射し
   た領域に対応する画素領域を検出する領域検出手段と、 前記領域検出手段によって検出された画素領域内の画素
   数を計数する画素数計数手段と、 前記画素数計数手段によって計数された画素数を、予め
   設定された基準値と比較して、パーティクルの相対的な
   大きさを測定する大きさ測定手段と、 を備えることを特徴とするパーティクルモニタ装置。
3. 【請求項３】パーティクルモニタ対象領域にレーザ光を
   照射するレーザ照射手段と、 マトリックス状に配置された複数の受光素子を備え、複
   数の前記パーティクルによって散乱された前記レーザ光
   の散乱光を受光し、複数の画素の輝度値を画像データと
   して出力する受光手段と、 前記受光手段によって出力された画像データを使用し
   て、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射し
   た領域に対応する画素領域を検出する領域検出手段と、 前記領域検出手段によって検出された画素領域内の輝度
   値の総和を求める総和手段と、 前記総和手段によって求められた輝度値の総和を、予め
   設定された基準値と比較して、パーティクルの相対的な
   大きさを測定する大きさ測定手段と、 を備えることを特徴とするパーティクルモニタ装置。
4. 【請求項４】パーティクルモニタ対象領域にレーザ光を
   照射するレーザ照射手段と、 マトリックス状に配置された複数の受光素子を備え、複
   数の前記パーティクルによって散乱された前記レーザ光
   の散乱光を受光し、複数の画素の輝度値を画像データと
   して出力する受光手段と、 前記受光手段によって出力された画像データを使用し
   て、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射し
   た領域に対応する画素領域を検出する領域検出手段と、 前記領域検出手段によって検出された画素領域内の輝度
   値から前記散乱光の強度を測定する強度測定手段と、 前記強度測定手段によって求められた前記散乱光の強度
   と、散乱光の強度とパーティクルの絶対的な大きさとの
   関係を示す関係式とを用いて、前記パーティクルの絶対
   的な大きさを求める実測手段と、 を備えることを特徴とするパーティクルモニタ装置。
5. 【請求項５】前記領域検出手段は、 各画素の輝度値を比較する基準となるしきい値を設定す
   る設定手段と、 前記輝度値が、前記設定手段によって設定されたしきい
   値以上であるか否かを判断し、該輝度値がしきい値以上
   であると判断した画素の内、互いに隣接する画素を１つ
   のパーティクルによって散乱された散乱光が入射した領
   域に対応する画素領域として検出する検出手段と、 を備えることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項
   に記載のパーティクルモニタ装置。
6. 【請求項６】前記最大輝度値検出手段によって検出され
   た前記最大輝度値から前記散乱光の強度を測定する強度
   測定手段と、 前記強度測定手段によって求められた前記散乱光の強度
   と、散乱光の強度とパーティクルの絶対的な大きさとの
   関係を示す関係式とを用いて、前記パーティクルの絶対
   的な大きさを求める実測手段と、 をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のパー
   ティクルモニタ装置。
7. 【請求項７】前記パーティクルは、半導体の製造によっ
   て発生したものであり、 前記パーティクルが製造される半導体に不良を発生させ
   るか否かを判別するために、前記実測手段によって求め
   られた前記パーティクルの絶対的な大きさが、予め設定
   された基準の大きさより大きいか否かを判別する判別手
   段と、 前記判別手段が、前記パーティクルの絶対的な大きさは
   前記基準の大きさよりも大きいと判別した場合に、半導
   体の製造を中止させる中止手段と、 をさらに備えることを特徴とする請求項４又は６に記載
   のパーティクルモニタ装置。
8. 【請求項８】前記総和手段は、 前記領域検出手段によって検出された画素領域内の最大
   輝度値を検出する最大輝度値検出手段と、 前記領域検出手段によって検出された画素領域内の画素
   数を計数する画素数計数手段と、をさらに備え、 前記大きさ測定手段は、 前記最大輝度値検出手段によって検出された最大輝度値
   を、予め設定された基準値と比較して、パーティクルの
   相対的な大きさを測定する第１の測定手段、及び、前記
   画素数計数手段によって計数された画素数を、予め設定
   された基準値と比較して、パーティクルの相対的な大き
   さを測定する第２の測定手段の少なくとも１つ、をさら
   に備え、 前記大きさ測定手段は、前記輝度値の総和から求められ
   た大きさと、前記第１及び第２の測定手段によって得ら
   れたパーティクルの相対的な大きさの少なくとも１つと
   を使用して、パーティクルの相対的な大きさを求める手
   段をさらに備える、 ことを特徴とする請求項３に記載のパーティクルモニタ
   装置。
9. 【請求項９】パーティクルモニタ対象領域にレーザ光を
   照射するレーザ照射工程と、 マトリックス状に配置された複数の受光素子を使用し
   て、複数の前記パーティクルによって散乱された前記レ
   ーザ光の散乱光を受光し、複数の画素の輝度値を画像デ
   ータとして出力する受光工程と、 前記受光工程で出力された画像データを使用して、各パ
   ーティクルによって散乱された散乱光が入射した領域に
   対応する画素領域を検出する領域検出工程と、 前記領域検出工程で検出された画素領域内の最大輝度値
   を検出する最大輝度値検出工程と、 前記最大輝度値検出工程で検出された最大輝度値を、予
   め設定された基準値と比較して、パーティクルの相対的
   な大きさを測定する大きさ測定工程と、 を備えることを特徴とするパーティクルモニタ方法。
10. 【請求項１０】パーティクルモニタ対象領域にレーザ光
    を照射するレーザ照射工程と、 マトリックス状に配置された複数の受光素子を使用し
    て、複数の前記パーティクルによって散乱された前記レ
    ーザ光の散乱光を受光し、複数の画素の輝度値を画像デ
    ータとして出力する受光工程と、 前記受光工程で出力された画像データを使用して、各パ
    ーティクルによって散乱された散乱光が入射した領域に
    対応する画素領域を検出する領域検出工程と、 前記領域検出工程で検出された画素領域内の画素数を計
    数する画素数計数工程と、 前記画素数計数工程で計数された画素数を、予め設定さ
    れた基準値と比較して、パーティクルの相対的な大きさ
    を測定する大きさ測定工程と、 を備えることを特徴とするパーティクルモニタ方法。
11. 【請求項１１】パーティクルモニタ対象領域にレーザ光
    を照射するレーザ照射工程と、 マトリックス状に配置された複数の受光素子を使用し
    て、複数の前記パーティクルによって散乱された前記レ
    ーザ光の散乱光を受光し、複数の画素の輝度値を画像デ
    ータとして出力する受光工程と、 前記受光工程で出力された画像データを使用して、各パ
    ーティクルによって散乱された散乱光が入射した領域に
    対応する画素領域を検出する領域検出工程と、 前記領域検出工程で検出された画素領域内の輝度値の総
    和を求める総和工程と、 前記総和工程で求められた輝度値の総和を、予め設定さ
    れた基準値と比較して、パーティクルの相対的な大きさ
    を測定する大きさ測定工程と、 を備えることを特徴とするパーティクルモニタ方法。
12. 【請求項１２】パーティクルモニタ対象領域にレーザ光
    を照射するレーザ照射工程と、 マトリックス状に配置された複数の受光素子を使用し
    て、複数の前記パーティクルによって散乱された前記レ
    ーザ光の散乱光を受光し、複数の画素の輝度値を画像デ
    ータとして出力する受光工程と、 前記受光工程で出力された画像データを使用して、各パ
    ーティクルによって散乱された散乱光が入射した領域に
    対応する画素領域を検出する領域検出工程と、 前記領域検出工程で検出された画素領域内の輝度値から
    前記散乱光の強度を測定する強度測定工程と、 前記強度測定工程で求められた前記散乱光の強度と、散
    乱光の強度とパーティクルの絶対的な大きさとの関係を
    示す関係式とを用いて、前記パーティクルの絶対的な大
    きさを求める実測工程と、 を備えることを特徴とするパーティクルモニタ方法。
13. 【請求項１３】前記領域検出工程は、 各画素の輝度値を比較する基準となるしきい値を設定す
    る設定工程と、 前記輝度値が、前記設定手段によって設定されたしきい
    値以上であるか否かを判断し、該輝度値がしきい値以上
    であると判断した画素の内、互いに隣接する画素を１つ
    のパーティクルによって散乱された散乱光が入射した領
    域に対応する画素領域として検出する検出工程と、 を備えることを特徴とする請求項９乃至１２の何れか１
    項に記載のパーティクルモニタ方法。
14. 【請求項１４】前記最大輝度値検出工程で検出された前
    記最大輝度値から前記散乱光の強度を測定する強度測定
    工程と、 前記強度測定工程で求められた前記散乱光の強度と、散
    乱光の強度とパーティクルの絶対的な大きさとの関係を
    示す関係式とを用いて、前記パーティクルの絶対的な大
    きさを求める実測工程と、 をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のパー
    ティクルモニタ方法。
15. 【請求項１５】前記パーティクルは、半導体の製造によ
    って発生したものであり、 前記パーティクルが製造される半導体に不良を発生させ
    るか否かを判別するために、前記実測工程で求められた
    前記パーティクルの絶対的な大きさが、予め設定された
    基準の大きさより大きいか否かを判別する判別工程と、 前記判別工程で、前記パーティクルの絶対的な大きさは
    前記基準の大きさよりも大きいと判別した場合に、半導
    体の製造を中止させる中止工程と、 をさらに備えることを特徴とする請求項１２又は１４に
    記載のパーティクルモニタ方法。
16. 【請求項１６】前記総和工程は、 前記領域検出工程で検出された画素領域内の最大輝度値
    を検出する最大輝度値検出工程と、 前記領域検出工程で検出された画素領域内の画素数を計
    数する画素数計数工程と、をさらに備え、 前記大きさ測定工程は、 前記最大輝度値検出工程で検出された最大輝度値を、予
    め設定された基準値と比較して、パーティクルの相対的
    な大きさを測定する第１の測定工程、及び、前記画素数
    計数工程で計数された画素数を、予め設定された基準値
    と比較して、パーティクルの相対的な大きさを測定する
    第２の測定工程の少なくとも１つ、をさらに備え、 前記大きさ測定工程は、前記輝度値の総和から求められ
    た大きさと、前記第１及び第２の測定工程で得られたパ
    ーティクルの相対的な大きさの少なくとも１つとを使用
    して、パーティクルの相対的な大きさを求める工程をさ
    らに備える、 ことを特徴とする請求項１１に記載のパーティクルモニ
    タ方法。
17. 【請求項１７】コンピュータを、 マトリックス状に配置された複数の受光素子で受光され
    た、複数のパーティクルによって散乱された散乱光の輝
    度値を示す画像データから、各画素の輝度値を比較する
    基準となるしきい値を設定する設定手段と、 前記輝度値が、前記設定手段によって設定されたしきい
    値以上であるか否かを判断し、該輝度値はしきい値以上
    であると判断した画素の内、互いに隣接する画素を１つ
    のパーティクルによって散乱された散乱光が入射した領
    域に対応する画素領域として検出する領域検出手段と、 前記領域検出手段によって検出された画素領域内の最大
    輝度値を検出する最大輝度値検出手段と、 前記最大輝度値検出手段によって検出された最大輝度値
    を、予め設定された基準値と比較して、パーティクルの
    相対的な大きさを測定する大きさ測定手段と、 を備えるパーティクルモニタ装置として機能させるため
    のプログラム及びデータを記録したコンピュータ読み取
    り可能な記録媒体。
18. 【請求項１８】コンピュータを、 マトリックス状に配置された複数の受光素子で受光され
    た、複数のパーティクルによって散乱された散乱光の輝
    度値を示す画像データから、各画素の輝度値を比較する
    基準となるしきい値を設定する設定手段と、 前記輝度値が、前記設定手段によって設定されたしきい
    値以上であるか否かを判断し、該輝度値はしきい値以上
    であると判断した画素の内、互いに隣接する画素を１つ
    のパーティクルによって散乱された散乱光が入射した領
    域に対応する画素領域として検出する領域検出手段と、 前記領域検出手段によって検出された画素領域内の画素
    数を計数する画素計数手段と、 前記画素数計数手段によって計数された画素数を、予め
    設定された基準値と比較して、パーティクルの相対的な
    大きさを測定する大きさ測定手段と、 を備えるパーティクルモニタ装置として機能させるため
    のプログラム及びデータを記録したコンピュータ読み取
    り可能な記録媒体。
19. 【請求項１９】コンピュータを、 マトリックス状に配置された複数の受光素子で受光され
    た、複数のパーティクルによって散乱された散乱光の輝
    度値を示す画像データから、各画素で受光した散乱光の
    輝度値を比較する基準となるしきい値を設定する設定手
    段と、 前記輝度値が、前記設定手段によって設定されたしきい
    値以上であるか否かを判断し、該輝度値はしきい値以上
    であると判断した画素の内、互いに隣接する画素を１つ
    のパーティクルによって散乱された散乱光が入射した領
    域に対応する画素領域として検出する領域検出手段と、 前記領域検出手段によって検出された画素領域内の輝度
    値の総和を求める総和手段と、 前記総和手段によって求められた輝度値の総和を、予め
    設定された基準値と比較して、パーティクルの相対的な
    大きさを測定する大きさ測定手段と、 を備えるパーティクルモニタ装置として機能させるため
    のプログラム及びデータを記録したコンピュータ読み取
    り可能な記録媒体。
20. 【請求項２０】コンピュータを、 半導体の製造で発生したパーティクルのモニタ対象領域
    にレーザ光を照射するレーザ照射手段と、 マトリックス状に配置された複数の受光素子を備え、複
    数の前記パーティクルによって散乱された前記レーザ光
    の散乱光を受光し、複数の画素の輝度値を画像データと
    して出力する受光手段と、 前記受光手段によって出力された画像データを使用し
    て、各パーティクルによって散乱された散乱光が入射し
    た領域に対応する画素領域を検出する領域検出手段と、 前記領域検出手段によって検出された画素領域内の輝度
    値から前記散乱光の強度を求める強度測定手段と、 前記強度測定手段によって求められた前記散乱光の強度
    と、散乱光の強度とパーティクルの絶対的な大きさとの
    関係を示す関係式とを用いて、前記パーティクルの絶対
    的な大きさを求める実測手段と、 前記パーティクルが、製造される半導体に不良を発生さ
    せるか否かを判別するために、前記実測手段によって求
    められた前記パーティクルの絶対的な大きさが、予め設
    定された基準の大きさより大きいか否かを判別する判別
    手段と、 前記判別手段が、前記パーティクルの絶対的な大きさ
    は、前記基準の大きさよりも大きいと判別した場合に、
    半導体の製造を中止させる中止手段と、 を備えるパーティクルモニタ装置として機能させるため
    のプログラム及びデータを記録したコンピュータ読み取
    り可能な記録媒体。